JP2002258320A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2002258320A JP2002258320A JP2001055191A JP2001055191A JP2002258320A JP 2002258320 A JP2002258320 A JP 2002258320A JP 2001055191 A JP2001055191 A JP 2001055191A JP 2001055191 A JP2001055191 A JP 2001055191A JP 2002258320 A JP2002258320 A JP 2002258320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- display device
- control electrode
- gate line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136218—Shield electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】相互に隣接する画素電極間の間隙から電界が漏
れ出し、画素電極の方に回り込むことを防止する。 【解決手段】本液晶表示装置は、ゲート線１６と、ゲー
ト線１６と交差して配置されているデータ線と、ゲート
線１６とデータ線との交差箇所の近傍に配置されたＴＦ
Ｔと、層間絶縁膜１４を介してゲート線１６及びデータ
線の上方に形成されている画素電極１５ａ、１５ｂとを
備える。上方から見たときに、隣り合う２つの画素電極
１５ａ、１５ｂの間の間隙２６とゲート線１６とが重な
り合っている。間隙２６の下方であって、かつ、ゲート
線１６の上方において、上方から見たときに、ゲート線
１６を覆う制御電極２０が設けられている。
れ出し、画素電極の方に回り込むことを防止する。 【解決手段】本液晶表示装置は、ゲート線１６と、ゲー
ト線１６と交差して配置されているデータ線と、ゲート
線１６とデータ線との交差箇所の近傍に配置されたＴＦ
Ｔと、層間絶縁膜１４を介してゲート線１６及びデータ
線の上方に形成されている画素電極１５ａ、１５ｂとを
備える。上方から見たときに、隣り合う２つの画素電極
１５ａ、１５ｂの間の間隙２６とゲート線１６とが重な
り合っている。間隙２６の下方であって、かつ、ゲート
線１６の上方において、上方から見たときに、ゲート線
１６を覆う制御電極２０が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコンピュー
タのディスプレイに使用される液晶表示装置に関し、特
に、例えば薄膜トランジスタからなるスイッチング素子
を備えた液晶表示装置に関する。
タのディスプレイに使用される液晶表示装置に関し、特
に、例えば薄膜トランジスタからなるスイッチング素子
を備えた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置の一例として、特開
平１０−２２１７１５号公報に記載されている液晶表示
装置を図９及び図１０に示す。図９は同液晶表示装置に
おけるアクティブマトリクス基板の一部を示す平面図で
あり、図１０は図９のＡ−Ａ線における断面図である。
平１０−２２１７１５号公報に記載されている液晶表示
装置を図９及び図１０に示す。図９は同液晶表示装置に
おけるアクティブマトリクス基板の一部を示す平面図で
あり、図１０は図９のＡ−Ａ線における断面図である。
【０００３】図１０に示すように、アクティブマトリク
ス基板５０は、ガラスその他の絶縁性基板５１と、絶縁
性基板５１上に形成されたゲート絶縁膜５２と、ゲート
絶縁膜５２上に形成されたパッシベーション膜５３と、
パッシベーション膜５３上に形成された層間絶縁膜５４
と、層間絶縁膜５４上においてマトリクス状に形成され
た画素電極５５と、を備えている。
ス基板５０は、ガラスその他の絶縁性基板５１と、絶縁
性基板５１上に形成されたゲート絶縁膜５２と、ゲート
絶縁膜５２上に形成されたパッシベーション膜５３と、
パッシベーション膜５３上に形成された層間絶縁膜５４
と、層間絶縁膜５４上においてマトリクス状に形成され
た画素電極５５と、を備えている。
【０００４】また、図９に示すように、各画素電極５５
の周辺には、ゲート線５６とデータ線５７とが、相互に
直交し、かつ、各画素電極５５を囲むようにして配置さ
れている。図１０に示すように、ゲート線５６は絶縁性
基板５１上に形成され、データ線５７（図１０では図示
せず）はゲート絶縁膜５２上に形成されている。
の周辺には、ゲート線５６とデータ線５７とが、相互に
直交し、かつ、各画素電極５５を囲むようにして配置さ
れている。図１０に示すように、ゲート線５６は絶縁性
基板５１上に形成され、データ線５７（図１０では図示
せず）はゲート絶縁膜５２上に形成されている。
【０００５】図９に示すように、ゲート線５６とデータ
線５７との交差箇所の近傍には、スイッチング素子とし
ての薄膜トランジスタ５８（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）が設けられている。薄膜ト
ランジスタ５８は、層間絶縁膜５４に設けられたコンタ
クトホール５９を介して画素電極５５に接続されてい
る。
線５７との交差箇所の近傍には、スイッチング素子とし
ての薄膜トランジスタ５８（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）が設けられている。薄膜ト
ランジスタ５８は、層間絶縁膜５４に設けられたコンタ
クトホール５９を介して画素電極５５に接続されてい
る。
【０００６】薄膜トランジスタ５８のゲート電極にはゲ
ート線５６が接続されており、ゲート線５６を介してゲ
ート電極に入力される信号によって薄膜トランジスタ５
８が駆動制御される。また、薄膜トランジスタ５８のド
レイン電極にはデータ線５７が接続されており、データ
線５７を介してドレイン電極にデータ信号が入力され
る。
ート線５６が接続されており、ゲート線５６を介してゲ
ート電極に入力される信号によって薄膜トランジスタ５
８が駆動制御される。また、薄膜トランジスタ５８のド
レイン電極にはデータ線５７が接続されており、データ
線５７を介してドレイン電極にデータ信号が入力され
る。
【０００７】さらに、図１０に示すように、相互に隣接
する画素電極５５間には、ゲート線５６の上方におい
て、層間絶縁膜５４上に制御電極６０が形成されてい
る。制御電極６０は画素電極５５と同層に形成される。
する画素電極５５間には、ゲート線５６の上方におい
て、層間絶縁膜５４上に制御電極６０が形成されてい
る。制御電極６０は画素電極５５と同層に形成される。
【０００８】図１０に示すように、アクティブマトリク
ス基板５０と対向して、絶縁性基板６１と、絶縁性基板
６１上に形成されたカラーフィルター６２と、カラーフ
ィルター６２上に形成された対向電極６３と、からなる
対向基板６４が、画素電極５５と対向電極６３とが向か
い合うように、配置されている。
ス基板５０と対向して、絶縁性基板６１と、絶縁性基板
６１上に形成されたカラーフィルター６２と、カラーフ
ィルター６２上に形成された対向電極６３と、からなる
対向基板６４が、画素電極５５と対向電極６３とが向か
い合うように、配置されている。
【０００９】アクティブマトリクス基板５０と対向基板
６４との各表面には配向膜（図示せず）が設けられてお
り、これらの配向膜の間に液晶層６５が保持されてい
る。この液晶層６５の厚みを保持するためのスペーサー
（図示せず）がアクティブマトリクス基板５０と対向基
板６４との間には配置されており、また、液晶層６５の
周囲には、液晶分子を外部に漏らさないためのシール
（図示せず）が形成されている。
６４との各表面には配向膜（図示せず）が設けられてお
り、これらの配向膜の間に液晶層６５が保持されてい
る。この液晶層６５の厚みを保持するためのスペーサー
（図示せず）がアクティブマトリクス基板５０と対向基
板６４との間には配置されており、また、液晶層６５の
周囲には、液晶分子を外部に漏らさないためのシール
（図示せず）が形成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、この従
来の液晶表示装置においては、隣接する画素電極５５間
に制御電極６０が配置されている。この制御電極６０
は、ゲート線５６と画素電極５５との間の電位差によっ
て生じる電界が液晶層６５の内部に侵入し、液晶分子の
配向方向を所定の方向とは異なる方向に至らしめる、い
わゆるリバースチルトを発生させることを防止するため
に設けられているものである。
来の液晶表示装置においては、隣接する画素電極５５間
に制御電極６０が配置されている。この制御電極６０
は、ゲート線５６と画素電極５５との間の電位差によっ
て生じる電界が液晶層６５の内部に侵入し、液晶分子の
配向方向を所定の方向とは異なる方向に至らしめる、い
わゆるリバースチルトを発生させることを防止するため
に設けられているものである。
【００１１】しかしながら、制御電極６０を画素電極５
５と同層上に形成することは、生産技術上、かなりの困
難性を伴う。
５と同層上に形成することは、生産技術上、かなりの困
難性を伴う。
【００１２】また、図１０に示すように、相互に隣接す
る画素電極５５間の間隙は大きくはないので、その間隙
に制御電極６０を形成しようとすると、制御電極６０が
一方または双方の画素電極５５と物理的に接合してしま
うおそれが極めて高い。
る画素電極５５間の間隙は大きくはないので、その間隙
に制御電極６０を形成しようとすると、制御電極６０が
一方または双方の画素電極５５と物理的に接合してしま
うおそれが極めて高い。
【００１３】さらに、制御電極６０と画素電極５５とを
物理的に離間させるために、制御電極６０と画素電極５
５との間にはある程度の間隙６７を設けなければならな
い。このような間隙６７を設けておくと、ゲート線５６
と画素電極５５との間の電位差に起因して生じる電界が
制御電極６０によっては完全に遮蔽されないため、電界
が間隙６７を通過し、画素電極５５に沿って水平方向に
回り込み、いわゆる横漏れ電界６８を発生させることが
ある。
物理的に離間させるために、制御電極６０と画素電極５
５との間にはある程度の間隙６７を設けなければならな
い。このような間隙６７を設けておくと、ゲート線５６
と画素電極５５との間の電位差に起因して生じる電界が
制御電極６０によっては完全に遮蔽されないため、電界
が間隙６７を通過し、画素電極５５に沿って水平方向に
回り込み、いわゆる横漏れ電界６８を発生させることが
ある。
【００１４】このような横漏れ電界６８は液晶層６４の
液晶分子のリバースチルトの原因となり、ひいては、デ
ィスクリネーションを惹起させる。
液晶分子のリバースチルトの原因となり、ひいては、デ
ィスクリネーションを惹起させる。
【００１５】本発明はこのような従来の液晶表示装置に
おける問題点に鑑みてなされたものであり、相互に隣接
する画素電極５５間の狭い間隙に制御電極を設けること
なく、上述のいわゆる横漏れ電界を確実に防止すること
ができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
おける問題点に鑑みてなされたものであり、相互に隣接
する画素電極５５間の狭い間隙に制御電極を設けること
なく、上述のいわゆる横漏れ電界を確実に防止すること
ができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、ゲート線と、ゲート線と交差して配置さ
れているデータ線と、ゲート線とデータ線との交差箇所
の近傍に配置されたスイッチング素子と、層間絶縁膜を
介してゲート線及びデータ線の上方に形成されている画
素電極と、を備える液晶表示装置であって、上方から見
たときに、隣り合う２つの画素電極の間の間隙とゲート
線とが重なり合っている液晶表示装置において、間隙の
下方であって、かつ、ゲート線の上方において、上方か
ら見たときに、ゲート線を覆う制御電極が設けられてい
ることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
め、本発明は、ゲート線と、ゲート線と交差して配置さ
れているデータ線と、ゲート線とデータ線との交差箇所
の近傍に配置されたスイッチング素子と、層間絶縁膜を
介してゲート線及びデータ線の上方に形成されている画
素電極と、を備える液晶表示装置であって、上方から見
たときに、隣り合う２つの画素電極の間の間隙とゲート
線とが重なり合っている液晶表示装置において、間隙の
下方であって、かつ、ゲート線の上方において、上方か
ら見たときに、ゲート線を覆う制御電極が設けられてい
ることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【００１７】本発明に係る液晶表示装置においては、ゲ
ート線は制御電極により完全に覆われている。このた
め、ゲート線と画素電極との間の電位差に起因して生じ
る電界は制御電極によって完全に遮蔽され、隣接する画
素電極間の間隙を通過し、画素電極の方向に回り込むこ
とを防止することが可能である。
ート線は制御電極により完全に覆われている。このた
め、ゲート線と画素電極との間の電位差に起因して生じ
る電界は制御電極によって完全に遮蔽され、隣接する画
素電極間の間隙を通過し、画素電極の方向に回り込むこ
とを防止することが可能である。
【００１８】制御電極は、上方から見たときに、間隙を
全て覆うものであることが好ましい。
全て覆うものであることが好ましい。
【００１９】上方から見たときに、ゲート線のみなら
ず、画素電極間の間隙をも制御電極により覆うことによ
り、電界が画素電極間の間隙を通過することを完全に防
止することができ、電界が画素電極の方向に回り込む現
象、すなわち、いわゆる横漏れ電界を防止することがで
きる。
ず、画素電極間の間隙をも制御電極により覆うことによ
り、電界が画素電極間の間隙を通過することを完全に防
止することができ、電界が画素電極の方向に回り込む現
象、すなわち、いわゆる横漏れ電界を防止することがで
きる。
【００２０】制御電極は、上方から見たときに、間隙と
ゲート線とが重なり合っている範囲を少なくとも覆うも
のであるように構成することができる。
ゲート線とが重なり合っている範囲を少なくとも覆うも
のであるように構成することができる。
【００２１】画素電極間の間隙またはゲート線の何れか
一方または双方の全てを制御電極で完全に覆うことは必
ずしも必要ではなく、少なくとも間隙とゲート線とが重
なり合っている範囲で間隙またはゲート線の何れかを制
御電極で覆うことにより、上述の横漏れ電界を防止する
ことも可能である。
一方または双方の全てを制御電極で完全に覆うことは必
ずしも必要ではなく、少なくとも間隙とゲート線とが重
なり合っている範囲で間隙またはゲート線の何れかを制
御電極で覆うことにより、上述の横漏れ電界を防止する
ことも可能である。
【００２２】制御電極は、スイッチング素子を構成する
ソース電極と同電位に設定することができる。
ソース電極と同電位に設定することができる。
【００２３】また、制御電極は、スイッチング素子を構
成するソース電極と同層に形成することができる。
成するソース電極と同層に形成することができる。
【００２４】制御電極はソース電極と相互に異なる層上
に形成することも可能であるが、制御電極をソース電極
と同層上に形成することにより、制御電極とソース電極
とを同一工程で形成することが可能になり、本液晶表示
装置の生産効率を上げることができる。
に形成することも可能であるが、制御電極をソース電極
と同層上に形成することにより、制御電極とソース電極
とを同一工程で形成することが可能になり、本液晶表示
装置の生産効率を上げることができる。
【００２５】制御電極は、スイッチング素子を構成する
ソース電極と一体に形成することができる。
ソース電極と一体に形成することができる。
【００２６】制御電極はソース電極とは別個のものとし
て形成することも可能であるが、制御電極をソース電極
と一体に形成することにより、制御電極とソース電極と
を同一工程で形成することが可能になり、本液晶表示装
置の生産効率を上げることができる。
て形成することも可能であるが、制御電極をソース電極
と一体に形成することにより、制御電極とソース電極と
を同一工程で形成することが可能になり、本液晶表示装
置の生産効率を上げることができる。
【００２７】制御電極は、例えば、メタルもしくはＩＴ
Ｏからなる単層構造またはそれらの多層構造からなるも
のとすることができる。
Ｏからなる単層構造またはそれらの多層構造からなるも
のとすることができる。
【００２８】層間絶縁膜は、例えば、有機膜から構成す
ることができる。
ることができる。
【００２９】本発明に係る液晶表示装置はＣＯＴ構造ま
たは反射型構造の液晶表紙装置として構成することがで
きる。
たは反射型構造の液晶表紙装置として構成することがで
きる。
【００３０】制御電極とスイッチング素子のソース電極
とは、ソース電極を延伸した延伸部を介して接続するこ
とができる。この場合、制御電極と画素電極とを接続す
るコンタクトホールは延伸部上に設けることができる。
とは、ソース電極を延伸した延伸部を介して接続するこ
とができる。この場合、制御電極と画素電極とを接続す
るコンタクトホールは延伸部上に設けることができる。
【００３１】あるいは、制御電極と画素電極とを接続す
るコンタクトホールは制御電極上に設けることも可能で
ある。
るコンタクトホールは制御電極上に設けることも可能で
ある。
【００３２】コンタクトホールを制御電極上に形成する
ことにより、延伸部上に形成する場合と比較して、コン
タクトホールの分だけ開口率を上げることができる。
ことにより、延伸部上に形成する場合と比較して、コン
タクトホールの分だけ開口率を上げることができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施形態に係る液
晶表示装置を図１及び２に示す。図１は同液晶表示装置
におけるアクティブマトリクス基板の一部を示す平面図
であり、図２は図１のＢ−Ｂ線における断面図である。
晶表示装置を図１及び２に示す。図１は同液晶表示装置
におけるアクティブマトリクス基板の一部を示す平面図
であり、図２は図１のＢ−Ｂ線における断面図である。
【００３４】図２に示すように、アクティブマトリクス
基板１０は、ガラスその他の絶縁性基板１１と、絶縁性
基板１１上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶
縁膜上１２に形成された制御電極２０と、制御電極２０
を覆ってゲート絶縁膜１２上に形成されているパッシベ
ーション膜１３と、パッシベーション膜１３上に形成さ
れた層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４上においてマト
リクス状に形成された画素電極１５と、を備えている。
基板１０は、ガラスその他の絶縁性基板１１と、絶縁性
基板１１上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶
縁膜上１２に形成された制御電極２０と、制御電極２０
を覆ってゲート絶縁膜１２上に形成されているパッシベ
ーション膜１３と、パッシベーション膜１３上に形成さ
れた層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４上においてマト
リクス状に形成された画素電極１５と、を備えている。
【００３５】また、図１に示すように、各画素電極１５
の周辺には、ゲート線１６とデータ線１７とが、相互に
直交し、かつ、各画素電極１５を囲むようにして配置さ
れている。図２に示すように、ゲート線１６は絶縁性基
板１１上に形成され、データ線１７（図２では図示せ
ず）はゲート絶縁膜１２上に形成されている。
の周辺には、ゲート線１６とデータ線１７とが、相互に
直交し、かつ、各画素電極１５を囲むようにして配置さ
れている。図２に示すように、ゲート線１６は絶縁性基
板１１上に形成され、データ線１７（図２では図示せ
ず）はゲート絶縁膜１２上に形成されている。
【００３６】図１に示すように、ゲート線１６とデータ
線１７との交差箇所の近傍には、スイッチング素子とし
ての薄膜トランジスタ１８（ＴＦＴ）が設けられてい
る。薄膜トランジスタ１８は、層間絶縁膜１４に設けら
れた後述するコンタクトホール１９を介して画素電極１
５に接続されている。
線１７との交差箇所の近傍には、スイッチング素子とし
ての薄膜トランジスタ１８（ＴＦＴ）が設けられてい
る。薄膜トランジスタ１８は、層間絶縁膜１４に設けら
れた後述するコンタクトホール１９を介して画素電極１
５に接続されている。
【００３７】薄膜トランジスタ１８のゲート電極にはゲ
ート線１６が接続されており、ゲート線１６を介してゲ
ート電極に入力される信号によって薄膜トランジスタ１
８が駆動制御される。また、薄膜トランジスタ１８のド
レイン電極にはデータ線１７が接続されており、データ
線１７を介してドレイン電極にデータ信号が入力され
る。
ート線１６が接続されており、ゲート線１６を介してゲ
ート電極に入力される信号によって薄膜トランジスタ１
８が駆動制御される。また、薄膜トランジスタ１８のド
レイン電極にはデータ線１７が接続されており、データ
線１７を介してドレイン電極にデータ信号が入力され
る。
【００３８】図２に示すように、アクティブマトリクス
基板１０と対向して、絶縁性基板２１と、絶縁性基板２
１上に形成されたカラーフィルター２２と、カラーフィ
ルター２２上に形成された対向電極２３と、からなる対
向基板２４が、画素電極１５と対向電極２３とが向かい
合うように、配置されている。
基板１０と対向して、絶縁性基板２１と、絶縁性基板２
１上に形成されたカラーフィルター２２と、カラーフィ
ルター２２上に形成された対向電極２３と、からなる対
向基板２４が、画素電極１５と対向電極２３とが向かい
合うように、配置されている。
【００３９】アクティブマトリクス基板１０と対向基板
２４との各表面には配向膜（図示せず）が設けられてお
り、これらの配向膜の間に液晶層２５が保持されてい
る。この液晶層２５の厚みを保持するためのスペーサー
（図示せず）がアクティブマトリクス基板１０と対向基
板２４との間には配置されており、また、液晶層２５の
周囲には、液晶分子を外部に漏らさないためのシール
（図示せず）が形成されている。
２４との各表面には配向膜（図示せず）が設けられてお
り、これらの配向膜の間に液晶層２５が保持されてい
る。この液晶層２５の厚みを保持するためのスペーサー
（図示せず）がアクティブマトリクス基板１０と対向基
板２４との間には配置されており、また、液晶層２５の
周囲には、液晶分子を外部に漏らさないためのシール
（図示せず）が形成されている。
【００４０】画素電極１５は、透過型液晶表示装置の場
合には、ＩＴＯやその他の透明導電膜からなり、反射型
液晶表示装置の場合には、アルミニウムやその他の金属
からなる。
合には、ＩＴＯやその他の透明導電膜からなり、反射型
液晶表示装置の場合には、アルミニウムやその他の金属
からなる。
【００４１】また、ゲート線１６及びデータ線１７はア
ルミニウムまたはチタニウムなどの金属からなる。
ルミニウムまたはチタニウムなどの金属からなる。
【００４２】制御電極２０は、クロム、モリブデンまた
はチタニウムなどのメタルからなる単層構造として形成
されている。
はチタニウムなどのメタルからなる単層構造として形成
されている。
【００４３】本実施形態における層間絶縁膜１４は有機
膜であり、感光性アクリル樹脂からなる。感光性アクリ
ル樹脂は約３．４乃至３．５の範囲の比誘電率を有して
おり、無機膜の比誘電率（例えば、窒化シリコンの比誘
電率は約８）と比較して極めて低い。また、感光性アク
リル樹脂は透明度が高く、スピン塗布法により容易に厚
い薄膜を形成することが可能である。このため、ゲート
線１６と画素電極１５との間の容量及びデータ線１７と
画素電極１５との間の容量を低くすることができ、ゲー
ト線１６及びデータ線１７と画素電極１５との間の容量
成分が表示に与えるクロストークの影響を低減させるこ
とが可能である。
膜であり、感光性アクリル樹脂からなる。感光性アクリ
ル樹脂は約３．４乃至３．５の範囲の比誘電率を有して
おり、無機膜の比誘電率（例えば、窒化シリコンの比誘
電率は約８）と比較して極めて低い。また、感光性アク
リル樹脂は透明度が高く、スピン塗布法により容易に厚
い薄膜を形成することが可能である。このため、ゲート
線１６と画素電極１５との間の容量及びデータ線１７と
画素電極１５との間の容量を低くすることができ、ゲー
ト線１６及びデータ線１７と画素電極１５との間の容量
成分が表示に与えるクロストークの影響を低減させるこ
とが可能である。
【００４４】また、感光性アクリル樹脂を用いることに
より、例えばスピン塗布法を用いて、容易に数ミクロン
程度の厚い薄膜を形成することができ、かつ、パターニ
ングに際してはフォトレジスト工程も不要であるため、
生産性を向上させることができる。
より、例えばスピン塗布法を用いて、容易に数ミクロン
程度の厚い薄膜を形成することができ、かつ、パターニ
ングに際してはフォトレジスト工程も不要であるため、
生産性を向上させることができる。
【００４５】図２に示すように、本実施形態に係る液晶
表示装置においては、上方から見たときに、相互に隣接
する画素電極１５ａ、１５ｂの間に間隙２６が形成され
ており、この間隙２６の下方に、間隙２６と重なり合う
ように、ゲート線１６が位置している。
表示装置においては、上方から見たときに、相互に隣接
する画素電極１５ａ、１５ｂの間に間隙２６が形成され
ており、この間隙２６の下方に、間隙２６と重なり合う
ように、ゲート線１６が位置している。
【００４６】さらに、本実施形態に係る液晶表示装置に
おいては、ゲート絶縁膜１２上に形成されている制御電
極２０は、上方から見たときに、ゲート線１６を完全に
覆うとともに、間隙２６をも完全に覆うように形成され
ている。
おいては、ゲート絶縁膜１２上に形成されている制御電
極２０は、上方から見たときに、ゲート線１６を完全に
覆うとともに、間隙２６をも完全に覆うように形成され
ている。
【００４７】また、図１に示すように、ＴＦＴ１８のソ
ース電極１８ａには、画素電極１５ａを縦断して制御電
極２０まで延びる延伸部分１８ｂが形成されており、制
御電極２０は延伸部分１８ｂを介してソース電極１８ａ
と一体になっている。
ース電極１８ａには、画素電極１５ａを縦断して制御電
極２０まで延びる延伸部分１８ｂが形成されており、制
御電極２０は延伸部分１８ｂを介してソース電極１８ａ
と一体になっている。
【００４８】延伸部分１８ｂには、制御電極２０の近傍
において、コンタクトホール１９が形成されており、こ
のコンタクトホール１９ａを介して画素電極１５ａと制
御電極２０ひいてはＴＦＴ１８のソース電極１８ａとが
接続されている。
において、コンタクトホール１９が形成されており、こ
のコンタクトホール１９ａを介して画素電極１５ａと制
御電極２０ひいてはＴＦＴ１８のソース電極１８ａとが
接続されている。
【００４９】なお、上述の第一の実施形態に係る液晶表
示装置の駆動方法としては、データライン反転駆動法、
ゲートライン反転駆動法及びドット反転駆動法の何れを
も用いることができる。
示装置の駆動方法としては、データライン反転駆動法、
ゲートライン反転駆動法及びドット反転駆動法の何れを
も用いることができる。
【００５０】ここに、データライン反転駆動法とは、各
画素電極の極性をそれらの画素電極が接続されているデ
ータ線毎に反転させる駆動方法を言う。ゲートライン反
転駆動法とは、各画素電極の極性をそれらの画素電極が
接続されているゲート線毎に反転させる駆動方法を言
う。また、ドット反転駆動法とは、相互に隣接する画素
電極の信号の極性を相互に異なる極性にする駆動方法を
言う。
画素電極の極性をそれらの画素電極が接続されているデ
ータ線毎に反転させる駆動方法を言う。ゲートライン反
転駆動法とは、各画素電極の極性をそれらの画素電極が
接続されているゲート線毎に反転させる駆動方法を言
う。また、ドット反転駆動法とは、相互に隣接する画素
電極の信号の極性を相互に異なる極性にする駆動方法を
言う。
【００５１】以上のように、本実施形態に係る液晶表示
装置によれば、制御電極２０はゲート線１６及び間隙２
６の双方を完全に覆うように形成されているので、ゲー
ト線１６と画素電極１５との間の電位差に起因して生じ
る電界は制御電極２０により遮蔽される。すなわち、電
界が間隙２６を通過し、画素電極１５に沿って回り込む
現象、いわゆる横漏れ電界の発生を防止することができ
る。
装置によれば、制御電極２０はゲート線１６及び間隙２
６の双方を完全に覆うように形成されているので、ゲー
ト線１６と画素電極１５との間の電位差に起因して生じ
る電界は制御電極２０により遮蔽される。すなわち、電
界が間隙２６を通過し、画素電極１５に沿って回り込む
現象、いわゆる横漏れ電界の発生を防止することができ
る。
【００５２】また、画素電極１５ａと制御電極２０とが
コンタクトホール１９を介して接続されているため、ゲ
ート絶縁膜１２を間に挟んで制御電極２０とゲート線１
６との間に補助容量が形成される。このため、本実施形
態に係る液晶表示装置の蓄積容量の増大を図ることがで
きる。
コンタクトホール１９を介して接続されているため、ゲ
ート絶縁膜１２を間に挟んで制御電極２０とゲート線１
６との間に補助容量が形成される。このため、本実施形
態に係る液晶表示装置の蓄積容量の増大を図ることがで
きる。
【００５３】本実施形態に係る液晶表示装置は上述の構
成に限定されるものではなく、以下のように、種々の変
更が可能である。
成に限定されるものではなく、以下のように、種々の変
更が可能である。
【００５４】本実施形態に係る液晶表示装置において
は、図２に示したように、制御電極２０は、上方から見
たときに、ゲート線１６及び画素電極１５ａ、１５ｂ間
の間隙２６の双方を完全に覆うように形成されていた
が、制御電極２０の構造はこれには限定されない。
は、図２に示したように、制御電極２０は、上方から見
たときに、ゲート線１６及び画素電極１５ａ、１５ｂ間
の間隙２６の双方を完全に覆うように形成されていた
が、制御電極２０の構造はこれには限定されない。
【００５５】第一に、図３に示すように、ゲート線１６
の幅が間隙２６の幅よりも大きく、かつ、上方から見た
ときに、間隙２６は全てゲート線１６に包含されている
場合を想定する。
の幅が間隙２６の幅よりも大きく、かつ、上方から見た
ときに、間隙２６は全てゲート線１６に包含されている
場合を想定する。
【００５６】このような場合には、制御電極２０は、上
方から見たときに、少なくとも間隙２６を幅方向に覆う
ように形成すれば良く、ゲート線１６をも完全に覆うよ
うに形成することは必ずしも必要ではない。制御電極２
０によってゲート線１６を完全には覆わなくても、間隙
２６を制御電極２０によって完全に覆うようにすれば、
図１０に示したような従来の液晶表示装置における横漏
れ電界６８の発生を防止することができる。
方から見たときに、少なくとも間隙２６を幅方向に覆う
ように形成すれば良く、ゲート線１６をも完全に覆うよ
うに形成することは必ずしも必要ではない。制御電極２
０によってゲート線１６を完全には覆わなくても、間隙
２６を制御電極２０によって完全に覆うようにすれば、
図１０に示したような従来の液晶表示装置における横漏
れ電界６８の発生を防止することができる。
【００５７】第二に、図４に示すように、ゲート線１６
の幅が間隙２６の幅よりも小さく、かつ、上方から見た
ときに、ゲート線１６は全て間隙２６に包含されている
場合を想定する。
の幅が間隙２６の幅よりも小さく、かつ、上方から見た
ときに、ゲート線１６は全て間隙２６に包含されている
場合を想定する。
【００５８】このような場合には、制御電極２０は、上
方から見たときに、少なくともゲート線１６を幅方向に
覆うように形成すれば良く、間隙２６をも完全に覆うよ
うに形成することは必ずしも必要ではない。制御電極２
０によって間隙２６を完全には覆わなくても、ゲート線
１６を制御電極２０によって完全に覆うようにすれば、
図１０に示したような従来の液晶表示装置における横漏
れ電界６８の発生を防止することができる。
方から見たときに、少なくともゲート線１６を幅方向に
覆うように形成すれば良く、間隙２６をも完全に覆うよ
うに形成することは必ずしも必要ではない。制御電極２
０によって間隙２６を完全には覆わなくても、ゲート線
１６を制御電極２０によって完全に覆うようにすれば、
図１０に示したような従来の液晶表示装置における横漏
れ電界６８の発生を防止することができる。
【００５９】第三に、図５に示すように、上方から見た
ときに、ゲート線１６は部分的に間隙２６に包含されて
おり、かつ、画素電極１５ｂとゲート線１６との間には
ギャップが生じている場合を想定する。
ときに、ゲート線１６は部分的に間隙２６に包含されて
おり、かつ、画素電極１５ｂとゲート線１６との間には
ギャップが生じている場合を想定する。
【００６０】また、第四に、図６に示すように、上方か
ら見たときに、ゲート線１６は部分的に間隙２６に包含
されており、かつ、画素電極１５ａとゲート線１６との
間にはギャップが生じている場合を想定する。
ら見たときに、ゲート線１６は部分的に間隙２６に包含
されており、かつ、画素電極１５ａとゲート線１６との
間にはギャップが生じている場合を想定する。
【００６１】これらのような場合には、制御電極２０
は、上方から見たときに、少なくともゲート線１６また
は少なくとも間隙２６を幅方向に覆うように形成すれば
良く、間隙２６またはゲート線１６をも完全に覆うよう
に形成することは必ずしも必要ではない。制御電極２０
によって間隙２６またはゲート線１６を完全には覆わな
くても、ゲート線１６または間隙２６を制御電極２０に
よって幅方向に覆うようにすれば、図１０に示したよう
な従来の液晶表示装置における横漏れ電界６８の発生を
防止することができる。
は、上方から見たときに、少なくともゲート線１６また
は少なくとも間隙２６を幅方向に覆うように形成すれば
良く、間隙２６またはゲート線１６をも完全に覆うよう
に形成することは必ずしも必要ではない。制御電極２０
によって間隙２６またはゲート線１６を完全には覆わな
くても、ゲート線１６または間隙２６を制御電極２０に
よって幅方向に覆うようにすれば、図１０に示したよう
な従来の液晶表示装置における横漏れ電界６８の発生を
防止することができる。
【００６２】上述の第一の実施形態においては、制御電
極２０は延伸部分１８ｂを介してソース電極１８ａと一
体的に形成されているが、制御電極２０をソース電極１
８ａと一体的に形成することは必ずしも必要ではない。
極２０は延伸部分１８ｂを介してソース電極１８ａと一
体的に形成されているが、制御電極２０をソース電極１
８ａと一体的に形成することは必ずしも必要ではない。
【００６３】延伸部分１８ｂを形成することなく、制御
電極２０とソース電極１８ａとを別個のものとして形成
することも可能である。この場合、制御電極２０とソー
ス電極１８ａとは相互に異なる層上に形成することもで
き、あるいは、同一層上に形成することも可能である。
ただし、制御電極２０とソース電極１８ａとを同一層上
に形成することにより、制御電極２０の形成とソース電
極１８ａの形成とを同一の工程で行うことができるた
め、制御電極２０とソース電極１８ａとは同一層上に形
成することが好ましい。
電極２０とソース電極１８ａとを別個のものとして形成
することも可能である。この場合、制御電極２０とソー
ス電極１８ａとは相互に異なる層上に形成することもで
き、あるいは、同一層上に形成することも可能である。
ただし、制御電極２０とソース電極１８ａとを同一層上
に形成することにより、制御電極２０の形成とソース電
極１８ａの形成とを同一の工程で行うことができるた
め、制御電極２０とソース電極１８ａとは同一層上に形
成することが好ましい。
【００６４】また、制御電極２０とソース電極１８ａと
を別個のものとして形成する場合には、制御電極２０と
ソース電極１８ａとを同一電位に設定することが好まし
い。
を別個のものとして形成する場合には、制御電極２０と
ソース電極１８ａとを同一電位に設定することが好まし
い。
【００６５】このようにすることにより、設定すべき電
位の数が減り、本実施形態に係る液晶表示装置の駆動を
単純化することができる。
位の数が減り、本実施形態に係る液晶表示装置の駆動を
単純化することができる。
【００６６】また、上述の実施形態に係る液晶表示装置
においては、制御電極２０はクロムその他のメタルから
形成されているが、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏ
ｘｉｄｅ）から形成することも可能である。
においては、制御電極２０はクロムその他のメタルから
形成されているが、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏ
ｘｉｄｅ）から形成することも可能である。
【００６７】さらには、制御電極２０は単層構造として
のみならず、クロム、モリブデン、チタニウム及びＩＴ
Ｏの何れか２以上からなる多層構造として形成すること
も可能である。
のみならず、クロム、モリブデン、チタニウム及びＩＴ
Ｏの何れか２以上からなる多層構造として形成すること
も可能である。
【００６８】また、本実施形態に係る液晶表示装置は有
機層間膜構造の液晶表示装置として形成されているが、
ＣＯＴ構造または反射型構造の液晶表示装置として形成
することも可能である。
機層間膜構造の液晶表示装置として形成されているが、
ＣＯＴ構造または反射型構造の液晶表示装置として形成
することも可能である。
【００６９】また、本実施形態に係る液晶表示装置にお
いては、コンタクトホール１９はソース電極１８ａの延
伸部分１８ｂに形成されているが、制御電極２０上に形
成することも可能である。コンタクトホール１９を制御
電極２０上に形成することにより、延伸部分１８ａ上に
形成する場合と比較して、コンタクトホール１９の分だ
け開口率を上げることができる。
いては、コンタクトホール１９はソース電極１８ａの延
伸部分１８ｂに形成されているが、制御電極２０上に形
成することも可能である。コンタクトホール１９を制御
電極２０上に形成することにより、延伸部分１８ａ上に
形成する場合と比較して、コンタクトホール１９の分だ
け開口率を上げることができる。
【００７０】液晶表示装置としては、配向した液晶分子
の分子軸の方向（「ディレクタ」と呼ばれる）を基板に
対して直交する面内において回転させ、表示を行う形式
のものと、基板に対して平行な面内において回転させ、
表示を行う形式のものがある。
の分子軸の方向（「ディレクタ」と呼ばれる）を基板に
対して直交する面内において回転させ、表示を行う形式
のものと、基板に対して平行な面内において回転させ、
表示を行う形式のものがある。
【００７１】前者の代表例がＴＮ（Twisted Nematic：
ねじれネマティック）モードの液晶表示装置であり、後
者はＩＰＳ（In-Plane Switching）モードまたは横電界
方式の液晶表示装置と呼ばれる。ＩＰＳモードの液晶表
示装置は、基本的には、視点を動かしても液晶分子の短
軸方向のみを見ていることになるため、液晶分子の「立
ち方」の視野角に対する依存性がなく、ＴＮモードの液
晶表示装置よりも広い視野角を達成することができる。
ねじれネマティック）モードの液晶表示装置であり、後
者はＩＰＳ（In-Plane Switching）モードまたは横電界
方式の液晶表示装置と呼ばれる。ＩＰＳモードの液晶表
示装置は、基本的には、視点を動かしても液晶分子の短
軸方向のみを見ていることになるため、液晶分子の「立
ち方」の視野角に対する依存性がなく、ＴＮモードの液
晶表示装置よりも広い視野角を達成することができる。
【００７２】上述の第一の実施形態に係る液晶表示装置
としては、ＴＮモードの液晶表示装置及びＩＰＳモード
の液晶表示装置のいずれをも選択することが可能であ
る。上述の第一の実施形態及びその変形例に係る液晶表
示装置は各種の電子機器に応用することが可能である。
以下、その応用例を挙げる。
としては、ＴＮモードの液晶表示装置及びＩＰＳモード
の液晶表示装置のいずれをも選択することが可能であ
る。上述の第一の実施形態及びその変形例に係る液晶表
示装置は各種の電子機器に応用することが可能である。
以下、その応用例を挙げる。
【００７３】図７は、上述の第一の実施形態に係る液晶
表示装置を応用した携帯型情報端末２５０のブロック図
である。上述の第一の実施形態に係る液晶表示装置は、
本携帯型情報端末２５０においては、液晶パネル２６５
の構成要素として用いられる。
表示装置を応用した携帯型情報端末２５０のブロック図
である。上述の第一の実施形態に係る液晶表示装置は、
本携帯型情報端末２５０においては、液晶パネル２６５
の構成要素として用いられる。
【００７４】本携帯型情報端末２５０は、液晶パネル２
６５、バックライト発生手段２６６及び映像信号を処理
する映像信号処理部２６７からなる表示部２６８と、本
携帯型情報端末２５０の各構成要素を制御する制御部２
６９と、制御部２６９が実行するプログラムあるいは各
種データを記憶する記憶部２７１と、データ通信を行う
ための通信部２７２と、キーボードまたはポインターか
らなる入力部２７３と、本携帯型情報端末２５０の各構
成要素へ電力を供給する電源部２７４と、からなってい
る。
６５、バックライト発生手段２６６及び映像信号を処理
する映像信号処理部２６７からなる表示部２６８と、本
携帯型情報端末２５０の各構成要素を制御する制御部２
６９と、制御部２６９が実行するプログラムあるいは各
種データを記憶する記憶部２７１と、データ通信を行う
ための通信部２７２と、キーボードまたはポインターか
らなる入力部２７３と、本携帯型情報端末２５０の各構
成要素へ電力を供給する電源部２７４と、からなってい
る。
【００７５】第一の実施形態に係る液晶表示装置を用い
た液晶パネル２６５を用いることにより、表示部２６８
における表示品位を向上させることができる。
た液晶パネル２６５を用いることにより、表示部２６８
における表示品位を向上させることができる。
【００７６】また、第一の実施形態に係る液晶表示装置
を用いた液晶パネル２６５は、携帯型パーソナルコンピ
ュータあるいはノート型パーソナルコンピュータあるい
はデスクトップ型パーソナルコンピュータのモニタに適
用することもできる。
を用いた液晶パネル２６５は、携帯型パーソナルコンピ
ュータあるいはノート型パーソナルコンピュータあるい
はデスクトップ型パーソナルコンピュータのモニタに適
用することもできる。
【００７７】図８は、第一の実施形態に係る液晶表示装
置を応用した携帯電話機２７５のブロック図である。
置を応用した携帯電話機２７５のブロック図である。
【００７８】携帯電話機２７５は、液晶パネル２６５、
バックライト発生手段２６６及び映像信号を処理する映
像信号処理部２６７からなる表示部２７６と、本携帯電
話機２７５の各構成要素を制御する制御部２７７と、制
御部２７７が実行するプログラムあるいは各種データを
記憶する記憶部２７８と、無線信号を受信するための受
信部２７９と、無線信号を送信するための送信部２８１
と、キーボードまたはポインターからなる入力部２８２
と、本携帯電話機２７５の各構成要素へ電力を供給する
電源部２８３と、からなっている。
バックライト発生手段２６６及び映像信号を処理する映
像信号処理部２６７からなる表示部２７６と、本携帯電
話機２７５の各構成要素を制御する制御部２７７と、制
御部２７７が実行するプログラムあるいは各種データを
記憶する記憶部２７８と、無線信号を受信するための受
信部２７９と、無線信号を送信するための送信部２８１
と、キーボードまたはポインターからなる入力部２８２
と、本携帯電話機２７５の各構成要素へ電力を供給する
電源部２８３と、からなっている。
【００７９】第一の実施形態に係る液晶表示装置を用い
た液晶パネル２６５を用いることにより、表示部２７６
における表示品位を向上させることができる。
た液晶パネル２６５を用いることにより、表示部２７６
における表示品位を向上させることができる。
【００８０】なお、上記の実施形態の説明においては、
本発明の特徴となる部分について主に説明し、本分野に
おいて通常の知識を有する者にとって既知の事項につい
ては特に詳述していないが、たとえ記載がなくてもこれ
らの事項は上記の者にとっては類推可能な事項に属す
る。
本発明の特徴となる部分について主に説明し、本分野に
おいて通常の知識を有する者にとって既知の事項につい
ては特に詳述していないが、たとえ記載がなくてもこれ
らの事項は上記の者にとっては類推可能な事項に属す
る。
【００８１】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る液晶表示装
置によれば、制御電極は少なくともゲート線を覆うよう
に形成されているので、ゲート線と画素電極との間の電
位差に起因して生じる電界は制御電極により遮蔽され
る。従って、電界が隣接する画素電極間の間隙を通過
し、画素電極に沿って回り込む現象、いわゆる横漏れ電
界の発生を防止することができる。
置によれば、制御電極は少なくともゲート線を覆うよう
に形成されているので、ゲート線と画素電極との間の電
位差に起因して生じる電界は制御電極により遮蔽され
る。従って、電界が隣接する画素電極間の間隙を通過
し、画素電極に沿って回り込む現象、いわゆる横漏れ電
界の発生を防止することができる。
【００８２】また、画素電極と制御電極とはコンタクト
ホールを介して接続されているため、ゲート絶縁膜を間
に挟んで制御電極とゲート線１６との間に補助容量が形
成される。このため、本発明に係る液晶表示装置の蓄積
容量の増大を図ることができる。
ホールを介して接続されているため、ゲート絶縁膜を間
に挟んで制御電極とゲート線１６との間に補助容量が形
成される。このため、本発明に係る液晶表示装置の蓄積
容量の増大を図ることができる。
【図１】本発明の第一の実施形態に係る液晶表示装置の
アクティブマトリクス基板の平面図である。
アクティブマトリクス基板の平面図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図３】ゲート線、画素電極間の間隙及び制御電極の間
の第一の位置関係を示す部分的な断面図である。
の第一の位置関係を示す部分的な断面図である。
【図４】ゲート線、画素電極間の間隙及び制御電極の間
の第二の位置関係を示す部分的な断面図である。
の第二の位置関係を示す部分的な断面図である。
【図５】ゲート線、画素電極間の間隙及び制御電極の間
の第三の位置関係を示す部分的な断面図である。
の第三の位置関係を示す部分的な断面図である。
【図６】ゲート線、画素電極間の間隙及び制御電極の間
の第四の位置関係を示す部分的な断面図である。
の第四の位置関係を示す部分的な断面図である。
【図７】第一の実施形態に係る液晶表示装置を応用した
電子機器の一例のブロック図である。
電子機器の一例のブロック図である。
【図８】第一の実施形態に係る液晶表示装置を応用した
電子機器の一例のブロック図である。
電子機器の一例のブロック図である。
【図９】従来の液晶表示装置のアクティブマトリクス基
板の平面図である。
板の平面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ線における断面図である。
１０ アクティブマトリクス基板 １１ 絶縁性基板 １２ ゲート絶縁膜 １３ パッシベーション膜 １４ 層間絶縁膜 １５、１５ａ、１５ｂ 画素電極 １６ ゲート線 １７ データ線 １８ ＴＦＴ １８ａ ソース電極 １８ｂ ソース電極の延伸部分 １９ コンタクトホール ２０ 制御電極 ２１ 絶縁性基板 ２２ カラーフィルター ２３ 対向電極 ２４ 対向基板 ２５ 液晶層 ２６ 画素電極間の間隙
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡本 守 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 GA17 JA24 JA34 JA37 JA41 JA46 JB22 JB31 JB57 JB61 JB73 KB13 KB14 KB24 KB25 MA10 NA04 NA24 5C094 AA25 BA03 BA43 CA19 DA15 EA04 EA07 5F033 GG04 HH17 HH18 HH20 RR21 RR27 SS21 VV03 VV15 XX23 XX24 5F110 AA30 BB01 DD02 EE03 EE04 HK04 HK07 HK21 HM19 HM20 NN03 NN27 NN36 NN63 NN72
Claims (13)
- 【請求項１】 ゲート線と、 前記ゲート線と交差して配置されているデータ線と、 前記ゲート線と前記データ線との交差箇所の近傍に配置
されたスイッチング素子と、 層間絶縁膜を介して前記ゲート線及び前記データ線の上
方に形成されている画素電極と、 を備える液晶表示装置であって、 上方から見たときに、隣り合う２つの画素電極の間の間
隙と前記ゲート線とが重なり合っている液晶表示装置に
おいて、 前記間隙の下方であって、かつ、前記ゲート線の上方に
おいて、上方から見たときに、前記ゲート線を覆う制御
電極が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記制御電極は、上方から見たときに、
前記間隙を少なくとも幅方向に覆うものであることを特
徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記制御電極は、上方から見たときに、
前記間隙と前記ゲート線とが重なり合っている範囲を少
なくとも覆うものであることを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記制御電極は、前記スイッチング素子
を構成するソース電極と同電位であることを特徴とする
請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記制御電極は、前記スイッチング素子
を構成するソース電極と同層に形成されていることを特
徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の液晶表示
装置。 - 【請求項６】 前記制御電極は、前記スイッチング素子
を構成するソース電極と一体に形成されていることを特
徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶表示
装置。 - 【請求項７】 前記制御電極は、メタルもしくはＩＴＯ
からなる単層構造またはそれらの多層構造からなるもの
であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記層間絶縁膜は有機膜であることを特
徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶表示
装置。 - 【請求項９】 前記液晶表示装置はＣＯＴ構造であるこ
とを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記液晶表示装置は反射型構造である
ことを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の
液晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記制御電極と前記スイッチング素子
のソース電極とは、前記ソース電極を延伸した延伸部を
介して接続されており、前記制御電極と前記画素電極と
を接続するコンタクトホールは前記延伸部上に設けられ
ていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１２】 前記制御電極と前記画素電極とを接続
するコンタクトホールは前記制御電極上に設けられてい
ることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項１３】 請求項１乃至請求項１２の何れか一項
に記載した液晶表示装置を搭載した電子機器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001055191A JP2002258320A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 液晶表示装置 |
| TW091103514A TW583482B (en) | 2001-02-28 | 2002-02-26 | Liquid crystal display with control electrodes for preventing lateral leak of electric field |
| KR10-2002-0010678A KR100498254B1 (ko) | 2001-02-28 | 2002-02-27 | 전기장의 측면 누설을 방지하기 위한 제어전극을 구비한액정디스플레이 |
| US10/084,355 US7136116B2 (en) | 2001-02-28 | 2002-02-28 | Liquid crystal display with control electrodes for preventing lateral leak of electric field |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001055191A JP2002258320A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002258320A true JP2002258320A (ja) | 2002-09-11 |
Family
ID=18915407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001055191A Pending JP2002258320A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7136116B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002258320A (ja) |
| KR (1) | KR100498254B1 (ja) |
| TW (1) | TW583482B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7157739B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Active matrix type electro-optical device with patterns of contact hole formation-positions and electronic apparatus |
| CN1322368C (zh) * | 2004-04-14 | 2007-06-20 | 友达光电股份有限公司 | 显示器的像素阵列及包含其的显示器 |
| US8411239B2 (en) | 2009-02-13 | 2013-04-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Array substrate, liquid crystal display device, electronic device |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI223730B (en) * | 2003-07-14 | 2004-11-11 | Au Optronics Corp | Optically self-compensated birefringence liquid crystal display |
| KR101061842B1 (ko) * | 2003-09-19 | 2011-09-02 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그 박막 트랜지스터 표시판 |
| JP4361844B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2009-11-11 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置 |
| US7956972B2 (en) * | 2004-09-14 | 2011-06-07 | Himax Technologies Limited | Liquid crystal on silicon display panel with reducing fringe effect |
| KR101320020B1 (ko) * | 2005-07-09 | 2013-10-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| TW200706955A (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-16 | Innolux Display Corp | In-plane switching liquid crystal display device |
| KR20070041856A (ko) * | 2005-10-17 | 2007-04-20 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR20070059293A (ko) * | 2005-12-06 | 2007-06-12 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치, 이를 위한 표시판 및 그 제조 방법 |
| JP2009080376A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| TWI356263B (en) | 2007-11-30 | 2012-01-11 | Hannstar Display Corp | Liquid crystal display with high aperture ratio |
| RU2453882C1 (ru) * | 2008-04-25 | 2012-06-20 | Шарп Кабусики Кайся | Жидкокристаллическое дисплейное устройство и телевизионный приемник |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04319920A (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-10 | Sharp Corp | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
| JPH0527249A (ja) * | 1991-07-25 | 1993-02-05 | Sharp Corp | アクテイブマトリクス基板 |
| JPH08160451A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Furontetsuku:Kk | アクティブマトリクス液晶表示素子 |
| JPH10288775A (ja) * | 1997-04-16 | 1998-10-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反射型２次元マトリクス空間光変調素子 |
| JPH11109417A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2000002889A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05273584A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル |
| US5682211A (en) * | 1994-04-28 | 1997-10-28 | Xerox Corporation | Integrated dark matrix for an active matrix liquid crystal display with pixel electrodes overlapping gate data lines |
| JPH0926603A (ja) | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2933879B2 (ja) | 1995-08-11 | 1999-08-16 | シャープ株式会社 | 透過型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3209317B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2001-09-17 | シャープ株式会社 | 透過型液晶表示装置およびその製造方法 |
| US5986724A (en) * | 1996-03-01 | 1999-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display with liquid crystal layer and ferroelectric layer connected to drain of TFT |
| JP3634089B2 (ja) * | 1996-09-04 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JPH10221715A (ja) | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
| KR100293436B1 (ko) * | 1998-01-23 | 2001-08-07 | 구본준, 론 위라하디락사 | 횡전계방식액정표시장치 |
| JP3125872B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2001-01-22 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP3049022B2 (ja) * | 1998-11-13 | 2000-06-05 | 鹿児島日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2001215529A (ja) | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001055191A patent/JP2002258320A/ja active Pending
-
2002
- 2002-02-26 TW TW091103514A patent/TW583482B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-27 KR KR10-2002-0010678A patent/KR100498254B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-28 US US10/084,355 patent/US7136116B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04319920A (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-10 | Sharp Corp | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
| JPH0527249A (ja) * | 1991-07-25 | 1993-02-05 | Sharp Corp | アクテイブマトリクス基板 |
| JPH08160451A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Furontetsuku:Kk | アクティブマトリクス液晶表示素子 |
| JPH10288775A (ja) * | 1997-04-16 | 1998-10-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反射型２次元マトリクス空間光変調素子 |
| JPH11109417A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP2000002889A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7157739B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Active matrix type electro-optical device with patterns of contact hole formation-positions and electronic apparatus |
| CN1322368C (zh) * | 2004-04-14 | 2007-06-20 | 友达光电股份有限公司 | 显示器的像素阵列及包含其的显示器 |
| US8411239B2 (en) | 2009-02-13 | 2013-04-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Array substrate, liquid crystal display device, electronic device |
| JP5442645B2 (ja) * | 2009-02-13 | 2014-03-12 | シャープ株式会社 | アレイ基板、液晶表示装置、電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020118331A1 (en) | 2002-08-29 |
| US7136116B2 (en) | 2006-11-14 |
| TW583482B (en) | 2004-04-11 |
| KR20020070844A (ko) | 2002-09-11 |
| KR100498254B1 (ko) | 2005-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100251512B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 | |
| KR100323368B1 (ko) | Ips모드로동작가능한광시야각액정표시장치 | |
| JP3792670B2 (ja) | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2002323706A (ja) | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2002365657A (ja) | 液晶装置、投射型表示装置および電子機器 | |
| JP2009237541A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
| JP3534097B2 (ja) | 液晶装置及び該液晶装置を備えた電子機器 | |
| JP2002258320A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US20070030432A1 (en) | In plane switching liquid crystal display with storage capacitor corresponding to shielding metal line | |
| JP2002182228A (ja) | 液晶表示装置および電子機器 | |
| JP3099816B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| US20080100784A1 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
| KR100257976B1 (ko) | 횡전계방식액정표시장치 | |
| JPH10260431A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JP2008209858A (ja) | 液晶装置、及び電子機器 | |
| JP5051705B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP2009075421A (ja) | 液晶装置、及び電子機器 | |
| JP4905011B2 (ja) | 液晶装置、及び電子機器 | |
| KR100251655B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 | |
| JP2007093665A (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
| JP4007338B2 (ja) | 液晶表示装置、及び電子機器 | |
| JP4661506B2 (ja) | 半透過型液晶表示パネル | |
| KR100411974B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
| EP1956420A1 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
| JP2006058908A (ja) | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040817 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060824 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060830 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061030 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070306 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070425 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070511 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070622 |