JP6822192B2 - 電子部品内蔵基板 - Google Patents
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Description
本発明は、電子部品内蔵基板に関する。
特許文献１には、下部電極、誘電体薄膜、及び誘電体膜を挟んで下部電極と対向する上部電極とを有する薄膜キャパシタを備えた電子部品内蔵基板が記載されている。
ところで、上述のような電子部品（薄膜キャパシタ）を内蔵した電子部品内蔵基板において、電子部品の第２端子（下部電極）は、例えばビア導体を介して外部の部品等と電気的に接続される。しかしながら、電子部品の第２端子とビア導体との密着性が不十分となる場合があり、この場合、電子部品内蔵基板における内部応力及び外力等によって第２端子とビア導体との接続構造が破損する可能性がある。したがって、第２端子とビア導体との電気的な接続の信頼性を向上させることが求められている。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、第２端子とビア導体との電気的な接続の信頼性を向上させることが可能な電子部品内蔵基板を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態に係る電子部品内蔵基板は、絶縁層を含み、第１主面及び第１主面の反対側に第２主面を有する基板と、基板に内蔵され、第１主面側に設けられた第１端子、第２主面側に設けられた第２端子、及び第１端子と第２端子との間に設けられた容量部を有する電子部品と、絶縁層内に形成され、第２端子と電気的に接続されるビア導体と、第２端子に対して第２主面側の端面において第２端子と接している密着層と、を備え、電子部品は絶縁層に対して積層され、密着層と絶縁層との密着強度は、第２端子と絶縁層との密着強度より大きい。
この電子部品内蔵基板は、第２端子に対して第２主面側の端面において第２端子と接している密着層を備え、密着層と絶縁層との密着強度は、第２端子と絶縁層との密着強度より大きい。このように密着層を設けることにより、第２端子と絶縁層との間における密着性を向上させ、電子部品内蔵基板における内部応力及び外力等によって第２端子と絶縁層との間が剥離することを抑制できる。したがって、ビア導体に応力が集中することが抑制され、第２端子とビア導体との電気的な接続の信頼性を向上させることが可能である。
一形態において、第２端子を構成する材料のうち端面における面積が最も大きい材料と、ビア導体を構成する材料とは互いに異なっていてもよい。このような場合、絶縁層を構成する材料は、絶縁層に接するビア導体を構成する材料との密着性を優先して選択されることが多い。その結果、第２端子とビア導体とが互いに同一の材料によって構成されている場合に比べ、第２端子と絶縁層との間の密着強度が不十分となりやすく、第２端子と絶縁層との間が剥離する可能性がある。これに対し、密着層を設けることにより、第２端子と絶縁層との間が剥離することをより効果的に抑制できる。
一形態において、密着層とビア導体とは互いに接触しており、密着層とビア導体との密着強度は、第２端子とビア導体との密着強度より大きくてもよい。この場合、第２端子とビア導体とが互いに接触する部分に加え、密着層とビア導体とが互いに接触する部分が形成される。更に、密着層とビア導体との密着強度は、第２端子とビア導体との密着強度より大きいので、ビア導体がより強固に固定される。したがって、第２端子とビア導体との電気的な接続の信頼性を更に向上させることが可能である。
一形態において、密着層は、複数の層を有していてもよい。この場合、複数種類の材料によって密着層を構成することができるので、密着層と第２端子との密着強度、及び、密着層と絶縁層との密着強度を共に高めることができる。したがって、第２端子と絶縁層との間における密着性を更に向上させ、電子部品内蔵基板における内部応力及び外力等によって第２端子と絶縁層との間が剥離することをより確実に抑制できる。したがって、第２端子とビア導体との電気的な接続の信頼性を更に向上させることが可能である。
一形態において、基板は、絶縁層に内蔵されたコアを更に有し、コアには、第１主面側から第２主面側へ貫通する貫通孔が設けられ、電子部品は貫通孔内に配置されていてもよい。この場合、電子部品内蔵基板全体の強度向上を図ることが可能である。
本発明によれば、第２端子とビア導体との電気的な接続の信頼性を向上させることが可能な電子部品内蔵基板が提供される。
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。図１に示す電子部品内蔵基板１は、例えば、通信端末等に使用される基板である。図１に示すように、電子部品内蔵基板１は、絶縁層１１及びコア１２を含む基板１０と、基板１０に内蔵された電子部品２０と、密着層３０と、絶縁層１１内に形成されたビア導体４０と、を備えている。基板１０は、第１主面１０Ａ及び第１主面１０Ａの反対側の第２主面１０Ｂを有している。電子部品２０は、第１主面１０Ａ側に設けられた複数の第１端子２１、第２主面１０Ｂ側に設けられた複数の第２端子２２、及び第１端子２１と第２端子２２十の間に設けられた容量部２３を有している。密着層３０は、電子部品２０の第２端子２２に対して第２主面１０Ｂ側に設けられている。また、電子部品内蔵基板１は、電子部品２０の第１端子２１と電気的に接続される第１電極４１と、電子部品２０の第２端子２２と電気的に接続される第２電極４２と、を備えている。ここで、電子部品２０が基板１０に「内蔵されている」とは、電子部品２０が基板１０の第１主面１０Ａ及び第２主面１０Ｂから露出していない状態をいう。
基板１０は、いわゆる多層回路基板である。本実施形態においては、基板１０は絶縁層１１及びコア１２を含んでいる。コア１２は絶縁層１１に内蔵されており、基板１０の第１主面１０Ａ及び第２主面１０Ｂは絶縁層１１の主面に相当する。コア１２には、第１主面１０Ａ側から第２主面１０Ｂ側へ貫通する貫通孔１３が設けられており、電子部品２０は、貫通孔１３内に配置されている。また、絶縁層１１は貫通孔１３内に充填されており、電子部品２０とコア１２との間には絶縁層１１が介在している。絶縁層１１は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、又はフェノール樹脂等の絶縁性材料によって構成される。なお、絶縁層１１を構成する絶縁性材料は、例えば、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂等、特定の処理によって硬度が変化する材料であることが好ましい。コア１２は、例えばシリコン（Ｓｉ）、ガラス（ＳｉＯ２）、又は樹脂基板等によって構成される。基板１０の全体の厚みは、例えば４０μｍ〜１０００μｍ程度とすることができる。また、絶縁層１１の厚みは、例えば１μｍ〜２００μｍ程度、コア１２の厚みは、例えば２０μｍ〜４００μｍ程度とすることができる。なお、基板１０の全体の厚み、絶縁層１１の厚み、及びコア１２の厚みは特に限定されない。また、基板１０はコア１２を含まずに構成されていてもよい。
電子部品２０は、複数の第１端子２１、複数の第２端子２２、及び複数の第１端子２１と複数の第２端子２２との間に設けられた容量部２３を有するキャパシタである。本実施形態では、電子部品２０が、第１端子２１及び第２端子２２が金属薄膜により構成され、容量部２３が誘電体膜により構成されたいわゆるＴＦＣＰ（Thin Film Capacitor：薄膜キャパシタ）である場合について説明する。
第１端子２１は、例えば５つに分割され、第２端子２２は、例えば２つに分割されている。分割された第２端子２２のそれぞれは、隣り合う第２端子２２と互いに対向する端面２２ａと、第２主面１０Ｂ側の端面２２ｂとを有している。隣り合う第２端子２２の端面２２ａ同士の間には、絶縁層１１が充填されている。電子部品２０の３層（第１端子２１、第２端子２２、及び容量部２３）の厚みの合計は、例えば５μｍ〜６５０μｍ程度であり、第１端子２１の厚みを０．１μｍ〜５０μｍ程度とし、容量部２３の厚みを０．０５μｍ〜１００μｍ程度とし、第２端子２２の厚みを５μｍ〜５００μｍ程度とすることができる。
第１端子２１及び第２端子２２を構成する材料としては、主成分がニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、これらの金属を含有する合金、又は金属間化合物である材料が好適に用いられる。ただし、第１端子２１及び第２端子２２の材料は、導電性材料であれば特に限定されない。本実施形態では、第１端子２１が銅を主成分とすると共に、第２端子２２がニッケルを主成分とする場合について説明する。なお、「主成分」であるとは、当該成分の占める割合が５０質量％以上であることをいう。また、第１端子２１及び第２端子２２の態様としては、合金や金属間化合物を形成する場合のほか、２種類以上からなる積層体構造である場合も含む。例えば、Ｎｉ薄膜上にＣｕ薄膜を設けた２層構造として電極層を形成してもよい。また、第１端子２１及び／又は第２端子２２として純ニッケルを使用する場合、そのニッケルの純度は９９．９９％以上が好ましい。更に、ニッケルを含有する合金の場合、ニッケル以外の金属として含まれる金属は、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれる少なくとも一種とすれば好適である。
なお、第２端子２２が２種類以上の材料を含む場合、第２端子２２は、いわゆるＴＳＶ（Through Silicon Via）構造等、シリコン（Ｓｉ）又はガラス（ＳｉＯ２）等に貫通孔が形成され、貫通孔内に他の導電性材料が埋め込まれた構造を有していてもよい。
容量部２３は、ペロブスカイト系の誘電体材料から構成される。ここで、本実施形態におけるペロブスカイト系の誘電体材料としては、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（チタン酸バリウムストロンチウム）、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３、などのペロブスカイト構造を持った（強）誘電体材料や、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３などに代表される複合ペロブスカイトリラクサー型強誘電体材などが含まれる。ここで、上記のペロブスカイト構造、ペロブスカイトリラクサー型誘電体材料において、ＡサイトとＢサイトとの比は、通常整数比であるが、特性向上のために意図的に整数比からずらしてもよい。なお、容量部２３の特性制御のため、容量部２３に適宜、副成分として添加物質が含有されていてもよい。
電子部品２０は、絶縁層１１に対して積層されている。本明細書中において「電子部品２０は、絶縁層１１に対して積層されている」とは、電子部品の厚さ方向（積層方向）に沿って見たときに電子部品２０と絶縁層１１とが並んでいることをいう。なお、電子部品２０が絶縁層１１に埋め込まれた状態も「電子部品２０は、絶縁層１１に対して積層されている」に含まれるものとする。本実施形態においては、電子部品２０全体が絶縁層１１に埋め込まれた状態となっており、第２端子２２と絶縁層１１との間には密着層３０が介在している。なお、電子部品２０は、第２端子２２の一部が絶縁層１１に埋め込まれた状態で絶縁層１１に対して積層されていてもよいし、第２端子２２と絶縁層１１とが接触しないように密着層３０を介して積層されていてもよい。ここで、「第２端子２２の一部が絶縁層に埋め込まれた状態」とは、第２端子２２の周囲の一部が絶縁層１１によって覆われた状態をいう。
密着層３０は、電子部品２０の第２端子２２に対して第２主面１０Ｂ側の端面２２ｂにおいて第２端子２２と接して設けられている。より具体的には、密着層３０は、２つの第２端子２２の端面２２ｂを覆い、第２端子２２と絶縁層１１とを接続するように設けられている。また、密着層３０と絶縁層１１との密着強度は、第２端子２２と絶縁層１１との密着強度より大きい。密着層３０を構成する材料としては、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）等の金属材料、及び、ガラス（ＳｉＯ２）、シリコンナイトライド（ＳｉＮ）等の絶縁材料を用いることができる。一例として、電子部品２０の第２端子２２にニッケルが用いられ、絶縁層１１にエポキシ樹脂が用いられる場合、銅を用いて密着層３０を構成することができる。また、密着層３０と絶縁層１１との密着強度は、例えば０．０７５Ｎ／ｍ２〜０．３７５Ｎ／ｍ２程度とすることができる。なお、密着強度は、ピール法によって測定することができる。また、密着層３０の厚みは、例えば０．１μｍ〜５０μｍ程度とすることができる。
第１電極４１は、複数の第１端子２１のそれぞれに対応して設けられている。本実施形態においては、５つの第１電極４１が設けられている例を示している。第１電極４１のそれぞれは、基板１０の第１主面１０Ａに対して積層されており、ビア導体４０（後述する第１ビア導体４３）を介して第１端子２１と電気的に接続されている。電子部品２０の第１端子２１は、第１ビア導体４３及び第１電極４１を介して外部の電子部品又は配線等と電気的に接続可能に構成されている。第１電極４１は、例えば銅（Ｃｕ）等の導電性材料によって構成されている。
第２電極４２は、複数の第２端子２２のそれぞれに対応して設けられている。本実施形態においては、２つの第２電極４２が設けられている例を示している。第２電極４２のそれぞれは、基板１０の第２主面１０Ｂに対して積層されており、ビア導体４０（後述する第２ビア導体４４）を介して第２端子２２と電気的に接続されている。電子部品２０の第２端子２２は、第２ビア導体４４及び第２電極４２を介して外部の電子部品又は配線等と電気的に接続可能に構成されている。第２電極４２は、例えば銅（Ｃｕ）等の導電性材料によって構成されている。
ビア導体４０は、第１端子２１と第１電極４１とを電気的に接続する第１ビア導体４３と、第２端子２２と第２電極４２とを電気的に接続する第２ビア導体４４とを含んでいる。第１ビア導体４３は第１端子２１と第１電極４１との間において絶縁層１１を貫通している。また、第２ビア導体４４は第２端子２２と第２電極４２との間において絶縁層１１及び密着層３０を貫通し、密着層３０と第２ビア導体４４とは互いに接触している。第１ビア導体４３及び第２ビア導体４４は、例えば銅（Ｃｕ）等の導電性材料によって構成されている。なお、第２ビア導体４４は、第２端子２２を構成する材料のうち端面２２ｂにおける面積が最も大きい材料とは異なる材料によって構成されている。一例として、電子部品２０の第２端子２２にニッケルが用いられ、絶縁層１１にエポキシ樹脂が用いられ、密着層３０に銅が用いられる場合、銅を用いて第２ビア導体４４を構成することができる。このように、第２ビア導体４４と密着層３０とは、互いに同一の材料によって構成されていてもよい。なお、第２端子２２と第２ビア導体４４とは、互いに同一の材料によって構成されていてもよい。
次に、図２〜図４を参照して、本実施形態に係る電子部品内蔵基板１の製造方法について説明する。図２〜図４は、図１に示す電子部品内蔵基板の製造方法を説明するための図である。なお、図２〜図４では、一つの電子部品内蔵基板１の製造方法を示しているが、実際には複数の電子部品内蔵基板１を一枚の支持基板上で形成した後に、それぞれの電子部品内蔵基板１に個片化する。したがって、図２〜図４は、一枚の支持基板上の一部を拡大して示しているものである。
まず、図２に示すように、電子部品２０を準備し、第２端子２２の端面２２ｂに密着層３０を形成する。電子部品２０の第１端子２１は５つに分割され、第２端子２２は２つに分割されている。密着層３０は、例えばスパッタ等の公知の成膜プロセスを用いて形成することができる。これにより、２つの第２端子２２の端面２２ｂは、それぞれ密着層３０に覆われた状態となる。
次に、図３（ａ）に示すように、貫通孔１３が設けられたコア１２を準備する。貫通孔１３は、例えばエッチング等の公知のプロセスによって形成することができる。その後、図３（ｂ）に示すように、支持基板Ｗを準備し、コア１２を支持基板Ｗに仮固定する。更に、コア１２の貫通孔１３内に電子部品２０を配置して仮固定する。支持基板Ｗとしては、例えば粘着性を有する搭載用仮固定材等を用いることができる。
次に、図４（ａ）に示すように、絶縁層１１を形成する。絶縁層１１は、例えば、支持基板Ｗに仮固定されたコア１２及び電子部品２０に対して未硬化の状態の樹脂材料を塗布し、樹脂材料を硬化させた後に支持基板Ｗを取り除くことによって形成される。これにより、コア１２及び電子部品２０が絶縁層１１に埋め込まれた状態となる。
次に、図４（ｂ）に示すように、第１ビア導体４３を形成するための孔４３Ａ及び第２ビア導体４４を形成するための孔４４Ａを形成する。孔４３Ａは、それぞれの第１端子２１に対応した箇所に形成され、第１主面１０Ａと第１端子２１との間において絶縁層１１を貫通している。孔４４Ａは、それぞれの第２端子２２に対応した箇所に形成され、第２主面１０Ｂと第２端子２２との間において絶縁層１１及び密着層３０を貫通している。孔４３Ａ，４４Ａは、例えばレーザーアブレーションによって形成することができる。
次に、メッキ又はスパッタ等によって孔４３Ａ内に第１ビア導体４３を形成し、孔４４Ａ内に第２ビア導体４４を形成する。その後、第１主面１０Ａ及び第２主面１０Ｂ上に形成された金属層に対してパターニングを行う。これにより、複数の第１電極４１及び複数の第２電極４２が形成される。最後に、ダイシング等によって個片化を行うことにより、図１に示す電子部品内蔵基板１が得られる。
以上説明したように、電子部品内蔵基板１は、第２端子２２に対して第２主面１０Ｂ側の端面２２ｂにおいて第２端子２２と接している密着層３０を備え、密着層３０と絶縁層１１との密着強度は、第２端子２２と絶縁層１１との密着強度より大きい。密着層３０が設けられていない場合、第２端子２２と絶縁層１１との間の密着強度が不十分となり、電子部品内蔵基板１における内部応力及び外力等によって第２端子２２と絶縁層１１との間が剥離する場合がある。この場合、第２ビア導体４４に応力が集中し、第２端子２２と第２ビア導体４４との接続構造が破損する可能性がある。これに対し、本実施形態のように密着層３０を設けることにより、第２端子２２と絶縁層１１との間における密着性を向上させることができる。これにより、密着層３０が設けられていない場合に比べ、電子部品内蔵基板１における内部応力及び外力等によって第２端子２２と絶縁層１１との間が剥離することを抑制できる。その結果、第２ビア導体４４に応力が集中することが抑制され、第２端子２２と第２ビア導体４４との電気的な接続の信頼性を向上させることが可能である。
また、第２端子２２を構成する材料のうち端面２２ｂにおける面積が最も大きい材料と、第２ビア導体４４を構成する材料とは互いに異なっている。このような場合、絶縁層１１を構成する材料は、絶縁層１１に接する第２ビア導体４４を構成する材料との密着性を優先して選択されることが多い。その結果、第２端子２２と第２ビア導体４４とが互いに同一の材料によって構成されている場合に比べ、第２端子２２と絶縁層１１との間の密着強度が不十分となりやすい。そのため、電子部品内蔵基板１における内部応力及び外力等によって第２端子２２と絶縁層１１との間が剥離する可能性がある。これに対し、密着層３０を設けることにより、第２端子２２と絶縁層１１との間が剥離することをより効果的に抑制できる。
また、第２ビア導体４４は密着層３０を貫通し、密着層３０と第２ビア導体４４とは互いに接触しており、密着層３０と第２ビア導体４４との密着強度は、第２端子２２と第２ビア導体４４との密着強度より大きい。これにより、第２端子２２と第２ビア導体４４とが互いに接触する部分に加え、密着層３０と第２ビア導体４４とが互いに接触する部分が形成される。更に、密着層３０と第２ビア導体４４との密着強度は、第２端子２２と第２ビア導体４４との密着強度より大きいので、第２ビア導体４４がより強固に固定される。したがって、第２端子２２と第２ビア導体４４との電気的な接続の信頼性を更に向上させることが可能である。なお、密着層３０と第２ビア導体４４とが互いに同一の材料によって構成されている場合には、第２端子２２と第２ビア導体４４との電気的な接続の信頼性をより効果的に向上させることが可能である。
また、電子部品内蔵基板１においては、基板１０は、絶縁層１１に内蔵されたコア１２を更に有し、コア１２には、第１主面１０Ａ側から第２主面１０Ｂ側へ貫通する貫通孔１３が設けられ、電子部品２０は貫通孔１３内に配置されている。これにより、基板１０がコア１２を有していない場合に比べ、コア１２によって基板１０の強度を高めることができる。したがって、電子部品内蔵基板１全体の強度向上を図ることが可能である。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されず、種々の変更を行うことができる。
上記の実施形態において、密着層３０は単一の層によって構成されていたが、密着層３０は複数の層を有していてもよい。図５は、変形例に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。図５に示す電子部品内蔵基板２においては、密着層３０は、第２端子２２に接触する第１密着層３０Ａ、及び、第１密着層３０Ａに対して第２主面１０Ｂ側に設けられた第２密着層３０Ｂの２つの層によって構成されている。このように、密着層３０を多層構造とすることにより、第２端子２２との密着性に優れた材料によって第１密着層３０Ａを構成し、絶縁層１１との密着性に優れた材料によって第２密着層３０Ｂを構成することができる。すなわち、複数種類の材料によって密着層３０を構成することができる。
したがって、密着層３０（第１密着層３０Ａ）と第２端子２２との密着強度、及び、密着層３０（第２密着層３０Ｂ）と絶縁層１１との密着強度を共に高めることができる。その結果、第２端子２２と絶縁層１１との間における密着性を更に向上させ、電子部品内蔵基板２における内部応力及び外力等によって第２端子２２と絶縁層１１との間が剥離することをより確実に抑制することができる。故に、第２端子２２と第２ビア導体４４との電気的な接続の信頼性を更に向上させることが可能である。第１密着層３０Ａ及び第２密着層３０Ｂを構成する材料の組合せの一例として、第２端子２２にニッケルが用いられ、絶縁層１１にエポキシ樹脂が用いられる場合、クロム（Ｃｒ）によって第１密着層３０Ａを構成し、銅（Ｃｕ）によって第２密着層３０Ｂを構成することができる。なお、密着層３０を構成する層の数は特に限定されず、密着層３０が３層以上の多層構造を有していてもよい。また、密着層３０を構成するそれぞれの層の厚さは特に限定されず、任意に設定することができる。
また、上記の実施形態においては、密着層３０と第２ビア導体４４とが互いに接触していたが、密着層３０と第２ビア導体４４とが互いに接触していなくてもよい。図６は、変形例に係る電子部品内蔵基板の一部を概略的に示す断面図である。図６に示す電子部品内蔵基板３においては、第２ビア導体４４と密着層３０とは互いに接触しておらず、第２ビア導体４４と密着層３０との間には、絶縁層１１が介在している。この場合においても、第２端子２２と絶縁層１１との間における密着性を向上させることができるので、電子部品内蔵基板３における内部応力及び外力等によって第２端子２２と絶縁層１１との間が剥離することを抑制できる。したがって、第２ビア導体４４に応力が集中することを抑制し、第２端子２２と第２ビア導体４４との電気的な接続の信頼性を向上させることが可能である。
また、上記の実施形態においては、第２ビア導体４４は密着層３０を貫通して第２端子２２と接触していたが、密着層３０が導電性材料によって構成されている場合には、第２ビア導体４４は第２端子２２と接触していなくてもよい。この場合、第２端子２２と第２ビア導体４４とは、密着層３０を介して電気的に接続される。この構成においても、第２ビア導体４４との密着性に優れた材料によって密着層３０を構成することにより、第２端子２２と第２ビア導体４４との電気的な接続の信頼性を向上させることが可能である。
また、上記の実施形態においては、密着層３０は第２端子２２の端面２２ｂ上のみに設けられていたが、第２端子２２の端面２２ｂに加え、端面２２ａに対しても密着層３０を設けてもよい。更に、コア１２に対向する第２端子２２の端面に対しても、密着層３０設けてもよい。この場合、第２端子２２と絶縁層１１との間における密着性を更に向上させることができる。
また、第２端子２２には焼結処理がなされていてもよい。これにより、焼結処理が成されていない場合に比べ、第２端子２２の端面２２ａ及び端面２２ｂの表面粗さを大きくすることができる。したがって、アンカー効果等により、第２端子２２と密着層３０との密着性、及び、第２端子２２と絶縁層１１との密着性を向上させることができる。
また、上記の実施形態では、電子部品内蔵基板内の電子部品２０について、第１端子２１が５つに分割され、第２端子２２が２つに分割されている例について説明したが、その数及び形状は上記実施形態に限定されず、適宜変更することができる。また、第２端子２２が２つ以上に分割されている場合、全ての第２端子２２に対して密着層３０を設けてもよいし、一部の第２端子２２のみに対して密着層３０を設けてもよい。なお、一部の第２端子２２のみに対して密着層３０を設ける場合においても、第２端子２２と絶縁層１１との間における密着性を向上させ、第２端子２２と第２ビア導体４４との電気的な接続の信頼性を向上させることが可能である。また、第１端子２１及び第２端子２２のそれぞれは、複数に分割されていなくてもよい。
１，２，３…電子部品内蔵基板、１０…基板、１０Ａ…第１主面、１０Ｂ…第２主面、１１…絶縁層、１２…コア、１３…貫通孔、２０…電子部品、２１…第１端子、２２…第２端子、２２ａ，２２ｂ…端面、２３…容量部、３０…密着層、３０Ａ…第１密着層、３０Ｂ…第２密着層、４０…ビア導体、４１…第１電極、４２…第２電極、４３…第１ビア導体、４４…第２ビア導体。
Claims (5)
- 絶縁層を含み、第１主面及び前記第１主面の反対側に第２主面を有する基板と、
前記基板に内蔵され、前記第１主面側に設けられた第１端子、前記第２主面側に設けられた第２端子、及び前記第１端子と前記第２端子との間に設けられた容量部を有する電子部品と、
前記絶縁層内に形成され、前記第２端子と電気的に接続されるビア導体と、
前記第２端子に対して前記第２主面側の端面において前記第２端子と接している密着層と、を備え、
前記電子部品は前記絶縁層に対して積層され、
前記密着層と前記絶縁層との密着強度は、前記第２端子と前記絶縁層との密着強度より大きい、電子部品内蔵基板。 - 前記第２端子を構成する材料のうち前記端面における面積が最も大きい材料と、前記ビア導体を構成する材料とは互いに異なっている、請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記密着層と前記ビア導体とは互いに接触しており、
前記密着層と前記ビア導体との密着強度は、前記第２端子と前記ビア導体との密着強度より大きい、請求項１又は２に記載の電子部品内蔵基板。 - 前記密着層は、複数の層を有している、請求項１〜３の何れか一項に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記基板は、前記絶縁層に内蔵されたコアを更に有し、
前記コアには、前記第１主面側から前記第２主面側へ貫通する貫通孔が設けられ、
前記電子部品は前記貫通孔内に配置されている、請求項１〜４の何れか一項に記載の電子部品内蔵基板。
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