DE4318028B4 - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
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Abstract
– wenigstens einem transparenten Träger (100),
– einer Mehrzahl von Abtastsignalleitungen (1; 1a, 1b) und Anzeigesignalleitungen (5a) in einer Matrixanordnung auf einer Oberfläche des transparenten Trägers (100) zur Festlegung einer Matrix von Bildpunktbereichen, von denen jeder von einem Paar von Abtastsignalleitungen (1; 1a, 1b) und einem Paar von Anzeigesignalleitungen (5a) begrenzt ist,
– einer Bildpunktelektrode (4) in jedem Bildpunktbereich,
– einem Schaltelement in jedem Bildpunktbereich, das mit einer zugehörigen Anzeigesignalleitung (5a) und einer zugehörigen Bildpunktelektrode (4) verbunden ist, und
– einer mit einer jeweiligen Abtastsignalleitung verbundenen ersten Elektrode (10) in jedem Bildpunktbereich zur Bildung eines jeweiligen Speicherkondensators mit der zugehörigen Bildpunktelektrode (4), wobei jede erste Elektrode (10) der zugehörigen Bildpunktelektrode (4) gegenüberliegt und selbige ringförmig umgibt,
dadurch gekennzeichnet, dass
– zur elektrischen Verbindung von einem Paar erster Elektroden (10) benachbarter Bildpunktbereiche jeweils zwei verschiedene Verbindungsabschnitte (1, 12; 1a, 1b) vorgesehen...
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, insbesondere auf eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix, und auf ein Verfahren zu deren Herstellung.
- Die Erfindung stellt eine Weiterentwicklung einer Erfindung dar, die Gegenstand der ebenfalls auf die Erfinder der vorliegenden Anmeldung zurückgehenden US-Patentanmeldung Nr. 07/934.396, eingereicht am 25.08.1992, und der parallelen DE-Patentanmeldung mit der nachveröffentlichten
DE 42 19 665 A1 ist, deren Inhalt hiermit durch Verweis in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird. - In Reaktion auf einen Bedarf für personenbezogene, platzsparende Anzeigeeinrichtungen, die als Schnittstelle zwischen Mensch und Computer (und anderen Arten von rechnerbetriebenen Geräten) dienen, sind verschiedene Arten von Anzeigeeinrichtungen mit flachem Anzeigeschirm oder flachem Anzeigefeld entwickelt worden, z.B. als Flüssigkristallanzeige (nachfolgend mit LCD be zeichnet), Plasma-Anzeigefeld (PDP), Elektrolumineszenzanzeige (EL) etc., um bisherige Anzeigegeräte zu ersetzen, speziell die Kathodenstrahlröhre (nachfolgend mit CRT bezeichnet), die verhältnismäßig groß und sperrig ist. Von diesen Anzeigen mit flachem Bildschirm findet die Weiterentwicklung der LCD-Technologie das meiste Interesse. In einigen Ausführungen erreicht oder übertrifft die Farbbildqualität der LCDs diejenige von CRTs.
- Die Ansteuerung einer solchen Flüssigkristallanzeige erfolgt mit einer einfachen oder einer aktiven Matrix, wobei elektrooptische Eigenschaften des Flüssigkristalls ausgenutzt werden, dessen molekulare Anordnung sich in Abhängigkeit von einem elektrischen Feld ändert. Speziell ist in der LCD in der Form mit aktiver Matrix eine Kombination von Flüssigkristall- und Halbleitertechnologie verwendet, wobei sie als den CRT-Anzeigen überlegen anzusehen ist.
- Die LCDs mit aktiver Matrix haben ein aktives Bauelement mit nichtlinearer Kennlinie innerhalb eines jeden einer Mehrzahl von in einer Matrixkonfiguration angeordneten Bildpunkten, wobei die Schaltcharakteristik des Bauelements ausgenutzt wird, um die Bewegung jedes Bildpunktes zu steuern. Ein Typ von LCDs mit aktiver Matrix beinhaltet eine Speicherfunktion mittels eines elektrooptischen Effekts des Flüssigkristalls. Als aktives Bauelement werden üblicherweise ein Dünnschichttransistor (nachfolgend TFT bezeichnet) mit drei Anschlüssen oder eine Dünnschichtdiode (TFD), z.B. eine Metall/Isolator/Metall-Schichtung (MIM) mit zwei Anschlüssen, verwendet. In einer LCD mit aktiver Matrix, die derartige aktive Bauelemente verwendet, sind Millionen oder sogar Milliarden von Bildpunkten auf einem Glasträger zusammen mit einer Bildpunktadressenverdrahtung integriert, um dadurch eine Matrixansteuerschaltung zu bilden, wobei die TFTs als Schaltelemente dienen.
- Für eine LCD mit aktiver Matrix, deren Anzeige einen großflächigen Bildschirm besitzt und hochauflösend ist, wächst jedoch die Bildpunktanzahl weiter an. Dementsprechend verringert sich das Öffnungsverhältnis der einzelnen Bildpunkte, was eine Helligkeitsreduktion für die LCD zur Folge hat.
- Um die Gleichmäßigkeit eines auf einer LCD mit aktiver Matrix angezeigten Bildes zu erhalten, ist es notwendig, die Spannung eines ersten, über eine Datenleitung geführten Signals für eine bestimmte Zeitdauer konstant zu halten, bis ein zweites Signal empfangen wird. Zusätzlich ist daher jeweils ein Speicherkondensator parallel mit einer Flüssigkristallzelle angeordnet, um die Bildqualität der Anzeige zu verbessern.
- Um die oben genannten Schwierigkeiten zu überwinden, ist bereits eine LCD mit aktiver Matrix vorgeschlagen worden, die eine zusätzliche Lichtabschirmschicht und Speicherkondensatoren mit unabhängiger Leiterbahn besitzt, um dadurch die Eigenschaften der Anzeige zu verbessern (siehe "High-Resolution 10.3-in Diagonal Multicolor TFT-LCD", M. Tsumura, M. Kitajima, K. Funahata et al., SID 91 DIGEST, Seiten 215–218).
- In der gemäß der obigen Veröffentlichung verbesserten LCD mit aktiver Matrix ist eine doppelte lichtabschirmende Schichtstruktur ausgebildet und jeder Speicherkondensator durch eine unabhängige Leiterbahn gebildet, die mit Abstand von der Gate-Leitung separat angeordnet ist, um so die Anzeigeeigenschaften der LCD zu verbessern.
- In der Struktur der obigen doppelten lichtabschirmenden Schichtanordnung sind eine erste Lichtabschirmschicht auf einem frontseitigen Glasträger, auf dem wie bei bekannten Anordnungen ein Farbfilter vorgesehen ist, sowie eine zweite Lichtabschirmschicht auf einem rückseitigen Glasträger, auf dem die TFTs vorgesehen sind, gebildet. Die mit einer solchen doppelten lichtabschirmenden Schichtstruktur versehene LCD besitzt ein gegenüber der bekannten LCD mit lediglich der ersten Lichtabschirmschicht um 6% bis 20% verbessertes Öffnungsverhältnis. Außerdem ist für eine gemeinsame Elektrode der Speicherkondensatoren ein Aluminiummaterial verwendet, dessen Widerstand nur ein Zehntel desjenigen des Chrommaterials (Cr) der Gate-Elektrode beträgt. Dadurch werden verbesserte Eigenschaften hinsichtlich der Verzögerungszeit entlang der Abtastzeilen erzielt.
- Eine LCD mit doppelter lichtabschirmender Schichtstruktur und gemeinsamer Aluminiumelektrode erfordert großen Verbesserungsaufwand. Außerdem macht die Verringerung des Öffnungsverhältnisses aufgrund der Verwendung eines lichtundurchlässigen Metalls (Aluminium) zur Bildung der Elektroden der den Bildpunkten zugeordneten Speicherkondensatoren weitere Maßnahmen notwendig.
- Zudem macht der Herstellungsvorgang für die zweite Lichtabschirmschicht die Erzeugung einer Lichtabschirmschicht vor der Bildung einer Isolationsschicht erforderlich, nur um das Licht während der Herstellung der TFTs abzuschirmen, so daß zusätzliche Prozeßschritte benötigt werden, die Kostenaufwand und Komplexität des Herstellungsprozesses für die LCD beträchtlich erhöhen.
- Es bestand daher ein Bedarf an einer LCD mit aktiver Matrix, welche die mit der in obiger Veröffentlichung beschriebenen LCD mit aktiver Matrix einhergehenden Schwierigkeiten überwindet.
- In
4 ist eine Bildpunktanordnung einer bekannten Flüssigkristallanzeige (als ein Beispiel zur Überwindung der obigen Schwierigkeiten) wiedergegeben, auf der die zusätzlichen Speicherkondensatoren gebildet sind, wobei in5 ein Querschnitt entlang der Linie V-V der4 gezeigt ist. - In
4 sind ein einzelner Bildpunktbereich und Teile von an diesen angrenzenden Bildpunkten dargestellt. In der gesamten LCD sind eine Anzahl von Zeilen von Gate-Leitungen (1 ) und eine Anzahl dazu orthogonaler Spalten von Datenleitungen (5a ) in einer Matrixkonfiguration angeordnet. Ein Bildpunkt ist in dem durch diese zwei Arten von Linien jeweils begrenzten Bereich gebildet. In jedem Bildpunktbereich befindet sich ein Speicherkondensator (C), ein Dünnschichttransistor (TFT) als Schaltelement, ein lichtdurchlässiger Teil (Öffnungsfläche), eine transparente Bildpunktelektrode (4 ) und eine Farbfilterschicht (21 ). Die Gate-Leitung (1 ) und die Datenleitung (5a ) werden nachfolgend als Abtastsignalleitung bzw. Anzeigesignalleitung bezeichnet. - Wie in
4 zu erkennen ist, ist eine erste Elektrode (10 ) jedes Speicherkondensators (C) als ein lappenförmiger, in einen jeweiligen Bildpunktteil hineinragender Abschnitt der Abtastsignalleitungen (1 ) gebildet. In ähnlicher Weise ist die Gate-Elektrode (G) jedes TFT ebenso als ein lappenförmiger, in einen zugehörigen Bildpunktteil hineinragender (in entgegengesetzter Richtung wie die entsprechende erste Elektrode des Speicherkondensators) Abschnitt einer jeweiligen Abtastsignalleitung (1 ) einstückig mit dieser gebildet. Jedes TFT-System beinhaltet eine über der Gate-Elektrode (G) gebildete Halbleiterschicht (3 ), einen rechts liegenden, lappenförmigen, vorstehenden Abschnitt einer jeweiligen Anzeigesignalleitung (5a ) als Drain-Elektrode benachbart zum linken Rand der Halbleiterschicht (3 ), eine Source-Elektrode (5b ) benachbart zum rechten Rand der Halbleiterschicht (3 ) sowie eine transparente Bildpunktelektrode (4 ). Die transparente Bildpunktelektrode (4 ) besteht aus einem lichtdurchlässigen, leitfähigen Material wie z.B. Indium-Zinn-Oxid (ITO). - Alle diese Teile, d.h. die Abtastsignalleitungen (
1 ), die Anzeigesignalleitungen (5a ), die Kondensatoren (C), die TFTs und die Bildpunktelektroden (4 ) sind Teil einer Mehrschichtstruk tur, die, wie aus5 zu erkennen, an der Innenseite eines rückseitigen Glasträgers (100 ) ausgebildet ist. - Im folgenden wird der Herstellungsvorgang für die LCD mit zusätzlichem Speicherkondensator näher erläutert. Die ersten Elektroden (
10 ) der Speicherkondensatoren (C) und die Abtastsignalleitungen (1 ) werden gleichzeitig durch geeignete Strukturierung eines lichtundurchlässigen, leitfähigen Materials (z.B. bestehend aus Aluminium, Chrom, Molybdän oder Tantal), das an der Innenseite des rückseitigen Glasträgers (100 ) unter Verwendung eines üblichen Photolithographieprozesses abgeschieden wird, gebildet. Daraufhin wird eine Isolationsschicht (2 ) über den Abtastsignalleitungen (1 ), den ersten Elektroden (10 ) der Kondensatoren (C) und den freiliegenden Bereichen der Innenseite des rückseitigen Glasträgers (100 ) erzeugt, wie in5 gezeigt ist. Als nächstes werden die Anzeigesignalleitungen (5a ) und die transparenten Bildpunktelektroden (4 ) getrennt gebildet, z.B. durch aufeinanderfolgende photolithographische Prozesse. Dann wird eine Schutzschicht (6 ) über die Bildpunktelektroden (4 ), die Anzeigesignalleitungen (5a ) und die freiliegenden Bereiche der Isolationsschicht (2 ) aufgebracht, wonach die an der Innenseite des rückseitigen Glasträgers (100 ) vorgesehene Mehrschichtstruktur vervollständigt ist. - Wie in
5 dargestellt, enthält die bekannte LCD mit aktiver Matrix weiterhin einen frontseitigen Glasträger (101 ), der parallel zum rückseitigen Glasträger (100 ) orientiert ist und an dessen Innenseite ebenfalls eine Mehrschichtstruktur ausgebildet ist. Beispielsweise ist auf der Innenseite des frontseitigen Glasträgers (101 ) eine den Dunkelfeldbereich definierende Lichtabschirmschicht-Matrix (20 ) zur Lichtabschirmung angeordnet. Die Lichtabschirmschicht-Matrix (20 ) wird durch geeignete Strukturierung einer Lichtabschirmschicht mittels eines üblichen photolithographischen Prozesses erzeugt, um Öffnungsflächen zu definieren, die sich jeweils über beinahe die ganze zugehörige, auf dem rückseitigen Glasträger (100 ) angeordnete Bildpunktelektrode (4 ) erstrecken. Daraufhin wird eine Farbfilterschicht (21 ) über der Lichtabschirmschicht-Matrix (20 ) und den freiliegenden Flächen der Innenseite des frontseitigen Glasträgers (101 ) erzeugt. Die Farbfilterschicht (21 ) enthält lichttransmittierende Abschnitte (21a ), die sich innerhalb der öffnungsflächen befinden. Als nächstes wird eine Schutzschicht (22 ) über der Farbfilterschicht (21 ) angeordnet. Dann wird eine transparente Elektrode (23 ) über der Schutzschicht (22 ) gebildet, wodurch die an der Innenseite des frontseitigen Glasträgers (101 ) vorgesehene Mehrschichtstruktur vervollständigt ist. - Festzustellen ist noch, daß die bekannte LCD mit aktiver Matrix des weiteren eine zwischen den frontseitigen (
101 ) und den rückseitigen Glasträger (100 ) geschichtete Flüssigkristall-Dünnschicht enthält, die in Kontakt mit der transparenten Elektrode (23 ) und der Schutzschicht (6 ) angeordnet ist. Hierzu werden nachfolgende, dem auf diesem Gebiet tätigen Fachmann wohlbekannte Prozeßschritte zur gegenseitigen Fixierung des frontseitigen (101 ) und rückseiten Glasträgers (100 ) unter Verwendung einer üblichen, nicht gezeigten Dichtungsmasse ausgeführt, wonach das Flüssigkristallmaterial in den dazwischen gebildeten Hohlraum eingeführt und dort dicht verschlossen gehalten wird. - In dieser LCD mit aktiver Matrix vom Typ mit zusätzlichen Kondensatoren ist kein zusätzlicher Prozeßschritt notwendig, da die ersten Elektroden (
10 ) der Speicherkondensatoren und die Abtastsignalleitungen (1 ) gleichzeitig durch Strukturierung desselben Materials erzeugt werden. Dementsprechend wird der Herstellungsvorgang für die LCD mit aktiver Matrix vereinfacht. - Basierend auf der vorstehenden Beschreibung der bekannten LCD mit aktiver Matrix ist jedoch zu bemerken, daß dieses bekannte Vorgehen bestimmte, nachfolgend angegebene Schwierigkeiten mit sich bringt. Da die erste Elektrode (
10 ) jedes Speicherkonden sators (C) aus einem lichtundurchlässigen Metall besteht und ferner mit einem möglichen Teil der zugeordneten Bildpunktelektrode (4 ) überlappt, wird die Öffnungsfläche jedes Bildpunkts durch die entsprechende Überlappfläche merklich reduziert, so daß sich das Öffnungsverhältnis verringert. - Da außerdem die Anzeigesignalleitungen (
5a ) und die Bildpunktelektroden (4 ) zusammen auf der gleichen Isolationsschicht (2 ) gebildet werden, müssen sie um einen vorgewählten Abstand voneinander separiert werden, um die elektrische Isolation zwischen ihnen zu erreichen. Dies reduziert ebenfalls die Öffnungsfläche der LCD und verringert das Kontrastverhältnis und die Leuchtdichte der LCD. -
6 zeigt eine Bildpunktanordnung einer Flüssigkristallanzeige mit Speicherkondensatoren vom Typ mit unabhängiger Leiterbahn als eine weitere bekannte Methode zur Bildung der Speicherkondensatoren.7 zeigt einen Querschnitt entlang der Linie VII-VII der6 und enthält lediglich den unteren, d.h. rückseitigen, Teil der Anordnung des Flüssigkristallanzeigefeldes. Hierbei bezeichnen gleiche Bezugszeichen wie in den4 und5 die gleichen Elemente. - Wie aus
6 zu erkennen, besteht jeder Speicherkondensator (C) vom Typ mit unabhängiger Leiterbahn aus einer Struktur, bei der das lichtundurchlässige Metall, z.B. Aluminium, in der oben erwähnten bekannten TFT-LCD durch ein transparentes, leitfähiges Material, z.B. ein Indium-Zinn-Oxid (ITO), ersetzt ist. Die um jede transparente Bildpunktelektrode (4 ) herum gebildete lichtabschirmende Schichtstruktur ist in6 nicht dargestellt, da sie nicht wesentlich ist.6 zeigt, wie auch4 , lediglich einen Teil einer großen Anzahl von Bildpunktbereichen, die durch eine große Anzahl von Abtastsignalleitungen (1 ) und eine große Anzahl von Anzeigesignalleitungen (5a ) definiert sind. Die Speicherkondensatoren (C) vom Typ mit unabhängiger Leiterbahn sind im Gegensatz zu dem zusätz lichen Speicherkondensator nach4 von den Abtastsignalleitungen (1 ) separiert, wobei sie jeweils mit dem Kondensator (C) eines benachbarten Bildpunktbereichs durch eine unabhängige Leiterbahn (11 ) als einer weiteren leitfähigen Schicht verbunden sind. - Wie in
7 dargestellt, sind bei der LCD mit den Kondensatoren vom Typ mit unabhängiger Leiterbahn invers gestuft strukturierte TFTs als Schaltelemente verwendet. Wird der Herstellungsprozeß betrachtet, so erkennt man die Bildung der Gate-Elektroden (G), die jeweils als lappenförmiger, in jeden Bildpunktbereich hineinragender Teil einer jeden Abtastsignalleitung (1 ) gestaltet sind, der ersten Elektroden (10a ) der Speicherkondensatoren (C) und der unabhängigen Leiterbahnen (11 ) als jeweilige Fortsetzung der ersten Elektroden dergestalt, daß sie parallel zum rückseitigen Glasträger der Flüssigkristallanzeigefläche liegen. - Nachdem eine Isolationsschicht (
2 ), z.B. aus Siliziumnitrid (SiN), auf die Vorderseite aufgebracht wurde, werden nacheinander die Halbleiterschicht (3 ) und die transparenten Bildpunktelektroden (4 ) mittels eines vorgewählten Musters erzeugt, wonach darauf die Anzeigesignalleitungen (5a ) und die Source-Elektroden (5b ) gebildet werden. Nachfolgende Prozeßschritte werden durch eine üblicherweise in der LCD-Technik verwendete Methode durchgeführt. - Da die Flüssigkristallanzeige mit dem Speicherkondensator mit unabhängiger Leiterbahn, wie in den
6 und7 gezeigt, eine transparente ITO-Schicht zur Erzeugung der ersten Elektroden (10a ) der Speicherkondensatoren (C) besitzt, verringert sich die Öffnungsfläche nicht so stark wie es der Ausdehnung der Elektroden entsprechen würde. Da jedoch keine Lichtabschirmschicht auf dem rückseitigen Glasträger der Flüssigkristallanzeigefläche entlang der Bildpunktelektroden existiert, ist das Kontrastverhältnis einer solchen LCD beträchtlich reduziert. - Zudem ist ein zusätzlicher Verfahrensschritt zur Bildung der ersten Elektroden (
10a ) der Speicherkondensatoren (C) erforderlich (dieser Schritt wird durch Abscheidung eines zusätzlichen transparenten, leitfähigen Material, z.B. einer ITO-Schicht, die von dem lichtundurchlässigen, leitfähigen Material der Abtastsignalleitungen verschieden ist, sowie durch Ätzen des transparenten, leitfähigen Materials durchgeführt). - Um eine Verbesserung der mit den oben erwähnten Flüssigkristallanzeigen vom Typ mit einem zusätzlichen Kondensator (
4 ) sowie vom Typ mit unabhängiger Leiterbahn für den Kondensator (6 ) zu erzielen, sieht die der vorliegenden Erfindung vorangegangene Erfindung (in der US-Patentanmeldung Nr. 07/934. 396) einen jeweiligen Speicherkondensator vor, der einer entsprechenden transparenten Bildpunktelektrode gegenüberliegt und selbige ringförmig umgibt. Diese vorangegangene Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die8 und9 erläutert, die diese in der US-Patentanmeldung Nr. 07/934.396 offenbarte Erfindung zeigen. Hierbei bezeichnen gleiche Bezugszeichen die gleichen Komponenten wie in den4 bis7 . - Wie aus einem Vergleich der
8 mit den4 und6 ersichtlich ist, wird die in8 gezeigte LCD mit aktiver Matrix nach der üblichen Methode hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Anordnung der ersten Elektroden (10 ) die mit einer jeweiligen Bildpunktelektrode (4 ) den Speicherkondensator (C) bilden, derart geändert ist, daß jede erste Elektrode (10 ) im Randbereich der Bildpunktelektrode (4 ) verläuft, um das Öffnungsverhältnis und das Kontrastverhältnis der LCD stärker zu vergrößern als bei den üblichen LCDs. Genauer gesagt, ist die lichtundurchlässige Metallschicht, aus der die Abtastsignalleitungen (1 ) und die ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren (C) gebildet sind, in einer Weise strukturiert, daß die ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren (C) im wesentlichen ihre jeweils zugeordnete Bildpunktelektrode (4 ) umgeben und bevorzugt nur mit einem randseitigen Bereich derselben überlappen. Wie deutlicher in9 (als Schnitt entlang der Linie IX-IX der8 ) zu erkennen ist, ist jede erste Elektrode (10 ) der Kondensatoren (C) im wesentlichen unterhalb der auf der Innenseite des frontseitigen Glasträgers (101 ) vorgesehenen Lichtabschirmschicht-Matrix (20 ) angeordnet und erstreckt sich nicht bis zur Umrandung der Öffnungsfläche, wodurch das Öffnungsverhältnis verglichen mit demjenigen der bekannten LCD mit aktiver Matrix beträchtlich erhöht ist. - Zusätzlich dient die entlang jeder entsprechenden Bildpunktelektrode (
4 ) gebildete erste Elektrode (10 ) jedes Kondensators (C) als eine zusätzliche Lichtabschirmschicht, wie in9 illustriert ist. Das bedeutet, daß die erste Elektrode (10 ) die Menge an durch die Öffnungsfläche des frontseitigen Glasträgers (101 ) austretenden Streulichtes minimiert, das von dem außerhalb der Umrandung der Öffnungsfläche gelegenen Flüssigkristallbereich herrührt. - Im Fall der bekannten LCD mit aktiver Matrix gemäß
5 ist ersichtlich, daß jedwedes Licht, das den frontseitigen Glasträger (101 ) mit einem Einfallswinkel größer als θ1 erreicht, durch die Öffnungsfläche des frontseitigen Glasträgers (101 ) hindurchtritt. Im Fall der LCD nach der US-Patentanmeldung Nr. 07/934.396 tritt hingegen nur Fremdlicht durch die Öffnungsfläche des frontseitigen Glasträgers hindurch, das auf den frontseitigen Glasträger mit einem Einfallswinkel größer als θ2 einfällt, wie in9 illustriert ist. Hingegen wird zusätzliches Licht (oder Streulicht), welches unter einem Winkel kleiner als θ2 zum frontseitigen Glasträger einfällt durch die ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren abgefangen. Verglichen mit der zuvor erwähnten bekannten LCD mit aktiver Matrix reduziert daher die LCD nach der US-Patentanmeldung Nr. 07/934.396 die Menge an durch die Öffnungsfläche des frontseitigen Glasträgers (101 ) hindurchtretenden Streulichtes um einen, Betrag, der proportional zur Differenz zwischen θ2 und θ1 ist, was das Kontrastverhältnis beträchtlich erhöht. - Zwar stellt die Flüssigkristallanzeige mit den ringförmigen Speicherkondensatoren eine Verbesserung hinsichtlich der Anzeigeeigenschaften dar, d.h. ein besseres Öffnungsverhältnis, ein vergrößertes Kontrastverhältnis etc.. Jedoch können aufgrund des Auftretens von Fremdmaterial oder einer schwach isolierenden Dünnschicht an Leiterbahnkreuzungen (Kreuzungspunkte der Abtastsignalleitungen (
1 ) und der Anzeigesignalleitungen (5a )) Leiterbahnunterbrechungen in den Abtastsignalleitungen (1 ) und/oder Kurzschlüsse zwischen den Abtastsignalleitungen (1 ) und den Anzeigesignalleitungen (5a ) entstehen, was die Ausbeute der hergestellten Flüssigkristallanzeigen beträchtlich verringert. - Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung einer Flüssigkristallanzeigeeinrichtung, die die oben genannten Schwierigkeiten überwindet und insbesondere ein hohes Öffnungs- und Kontrastverhältnis sowie eine geringe Defektrate aufweist, und ein Verfahren zu deren Herstellung mit geringem Aufwand zugrunde.
- Dieses Problem wird durch eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung mit den Merkmalen des Anspruches 1 sowie durch ein Verfahren zu deren Herstellung nach den Merkmalen des Patentanspruches 27 gelöst.
- Da die erste Elektrode jedes Speicherkondensators aus dem lichtundurchlässigen, leitfähigen Material gleichlaufend mit der auf dem frontseitigen Glasträger der Flüssigkristallanzeigefläche erzeugten Lichtabschirmschicht gebildet ist, werden das Öffnungsverhältnis und das aufgrund des Streulichts verschlechterte Kontrastverhältnis verbessert. Durch Verwendung der zwei Verbindungsabschnitte für benachbarte erste Kondensatorelektroden wird gleichzeitig das Ausmaß an Kurzschlüssen zwischen Abtast- und Anzeigesignalleitungen oder Leitungsunterbrechungen in den Abtastsignalleitungen, die bis lang in den Kreuzungspunktbereichen der Leiterbahnen der Abtast- und Anzeigesignalleitungen aufgetreten sind, reduziert oder es können derartige schadhafte Stellen repariert werden. Der Aufbau der Flüssigkristallanzeigen ermöglicht zudem deren einfache Herstellung.
- Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen und werden durch die nachfolgende Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels deutlicher werden, das in den Zeichnungen ebenso wie dem besseren Verständnis der vorliegenden Erfindung dienende bekannte Ausführungsformen dargestellt ist, wobei jeweils gleiche Bezugszeichen funktionsgleiche Bauelemente repräsentieren. Es zeigen:
-
1 eine Bildpunktanordnung einer erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeige, bei der ringförmige Speicherkondensatoren mit redundanten Leiterbahnabschnitten gebildet sind, -
2 eine Bildpunktanordnung einer erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeige, bei der ringförmige Speicherkondensatoren und Doppelleiterbahnen für Abtastsignalleitungen gebildet sind, -
3 eine schematische Skizze zur Veranschaulichung des Funktionsprinzips der Erfindung zwecks Erläuterung der erfindungsgemäßen Wirkung, -
4 eine Bildpunktanordnung einer bekannten Flüssigkristallanzeige, die unter Verwendung einer Methode mit zusätzlichem Kondensator gebildet ist, -
5 einen Querschnitt entlang der Linie V-V der4 , -
6 eine Bildpunktanordnung einer bekannten Flüssigkri stallanzeige, in der Speicherkondensatoren des Typs mit unabhängiger Leiterbahn gebildet sind, -
7 einen Querschnitt entlang der Linie VII-VII der6 , -
8 eine Bildpunktanordnung einer Flüssigkristallanzeige gemäß einer vorangegangenen Erfindung, bei der zusätzliche Speicherkondensatoren in einer Ringkonfiguration gebildet sind, -
9 einen Querschnitt entlang der Linie IX-IX der8 . - Unter Bezugnahme auf
1 ist dort eine erfindungsgemäße Ausführungsform einer Flüssigkristallanzeige gezeigt, die als grundlegendes Charakteristikum gegenüber der oben erwähnten Bildpunktanordnung der in8 gezeigten Flüssigkristallanzeige nach der vorangegangenen Erfindung die Bildung redundanter Verbindungsabschnitte (12 ) zwischen den in jedem Bildpunktbereich gebildeten ersten Elektroden der Speicherkondensatoren. Genauer gesagt ist eine lichtundurchlässige Metallschicht, aus der die Abtastsignalleitungen (1 ) und die ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren (C) gebildet sind, in einer Weise strukturiert, daß die ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren (C) im wesentlichen ihre jeweils zugeordnete Bildpunktelektrode (4 ) umgeben und bevorzugt lediglich in einem randseitigen Bereich mit derselben überlappen. - Außerdem sind die ersten Elektroden (
10 ) der Kondensatoren, wie auch bei dem in9 gezeigten Beispiel, unter der Lichtabschirmschicht-Matrix (20 ), die auf dem frontseitigen Glasträger (101 ) vorgesehen ist, angeordnet, so daß sie sich nicht in die Öffnungsfläche hinein erstrecken, um so das Öffnungsverhältnis verglichen mit der bekannten LCD zu erhöhen. - Zudem dienen die ersten Elektroden (
10 ) der Kondensatoren, die derart gebildet sind, daß sie die jeweilige Bildpunktelektrode (4 ) im wesentlichen umgeben, als eine zusätzliche Lichtabschirmschicht, wie dies auch im Beispiel der9 der Fall ist. Das heißt, sie dienen zur Minimierung des Ausmaßes an durch die Öffnungsfläche des frontseitigen Glasträgers (101 ) hindurchtretenden Streulichts, das von den außerhalb der Umrandung der Öffnungsfläche gelegenen Flüssigkristallbereichen herrührt. - In der vorliegenden Erfindung werden die redundanten Verbindungsabschnitte (
12 ), die die jeweiligen ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren verbinden, gleichzeitig mit der Struktur der ersten Elektroden (10 ) gebildet, wobei sie die Anzeigesignalleitungen (5a ) unter Einfügung dielektrischer Schichten kreuzen. - Wenn bei der Flüssigkristallanzeige mit dem obigen Aufbau ein Kurzschluß zwischen zwei Leiterbahnen im Leiterbahnkreuzungsbereich zwischen einer Abtastsignalleitung (
1 ) und einer Anzeigesignalleitung (5a ) auftritt, wird die Abtastsignalleitung durch einen Laserstrahl beidseits des Kreuzungsbereichs, in dem der Kurzschluß aufgetreten ist, abgetrennt, um so den Kurzschluß zu beheben. Das bedeutet, daß das von den Abtastsignalleitungen (1 ) übertragene Signal nicht über den abgetrennten Abtastsignalleitungsabschnitt, sondern über den redundanten Verbindungsbereich (12 ) geleitet wird. Da das Signal nach dem gleichen Prinzip über den redundanten Verbindungsabschnitt geleitet wird, wenn Leiterbahnunterbrechungen der Abtastsignalleitungen (1 ) in einem solchen Kreuzungspunktbereich auftreten, wird auch dieser Fehler behoben. - Unter Bezugnahme auf die ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung bezüglich einer Bildpunktanordnung einer Flüssigkristallanzeige darstellende
2 ist die dortige Flüssigkristallanzeige durch Doppelabtastsignalleitungen (1a ,1b ) charakterisiert, die jeweils aus einer ersten Abtastsignalleitung (1a ) und einer zweiten Abtastsignalleitung (1b ) im Unterschied zu der oben erwähnten Bildpunktanordnung der in8 gezeigten Flüssigkristallanzeige bestehen. Eine Mehrzahl von Abtastsignalleitungen, die jeweils aus einem Paar einer ersten Abtastsignalleitung (1a ) und einer zweiten Abtastsignalleitung (1b ) aufgebaut sind, ist in vorbestimmten Intervallen angeordnet. Hierbei bildet der durch jeweils eine erste und eine zweite Abtastsignalleitung (1a und1b ) sowie Anzeigesignalleitung (5a ) definierte Flächenbereich einen jeweiligen Bildpunktbereich. - Zudem ist der Dünnschichttransistor als Schaltelement hier als mit der jeweils ersten Abtastsignalleitung (
1a ) – anstatt wie im Beispiel der8 mit der Abtastsignalleitung (1 ) – einstückiger, lappenförmiger Abschnitt derselben gebildet. Dazu ist die Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors um 90° verdreht angeordnet, um zu der ersten Abtastsignalleitung (1a ) zu passen, wodurch das Öffnungsverhältnis der Flüssigkristallanzeige maximiert wird. - Eine Schicht aus lichtundurchlässigem, leitfähigem Material, aus der die ersten Elektroden (
10 ) der Speicherkondensatoren (C) gebildet sind, ist in einer Weise strukturiert, daß die ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren (C) im wesentlichen die ihnen jeweils zugeordnete Bildpunktelektrode (4 ) umgeben, wobei sie mit einem randseitigen Bereich derselben überlappen und in derselben Ebene mit der zugehörigen ersten und zweiten Abtastsignalleitung (1a und1b ) verbunden sind. Wenn die ersten Elektroden (10 ) aus Aluminium hergestellt werden, wird die Oberfläche der Abtastsignalleitungen und der ersten Elektroden (10 ) durch eine Anodenoxidationsmethode mit Aluminiumoxid (Al2O3) bedeckt. - Hierbei sind wie in dem Beispiel der
9 alle ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren unterhalb der auf dem frontseitigen Glasträger (101 ) befindlichen Lichtabschirmschicht-Matrix (20 ) angeordnet, um als zusätzliche Lichtabschirmschicht zu fungieren, die direkt die Transmission von rückseitig einfallendem Licht unterbricht, was einfallendes Streulicht abfängt, so daß das Kontrastverhältnis vergrößert wird. Während der Zeit, in der die Bildpunktelektroden (4 ) mit der Anzeigesignalspannung beaufschlagt werden, wenn die Flüssigkristallanzeigefläche aktiviert wird, wird auch eine vorgewählte Spannung zwischen der transparenten, gemeinsamen Elektrode, die über dem Flüssigkristall vorgesehen ist, und den ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren angelegt, so daß die Flüssigkristallmoleküle senkrecht zum Substrat ausgerichtet werden. Dadurch wird Streulicht abgefangen, so daß sich das Kontrastverhältnis erhöht, wenn der Flüssigkristall in einer Anordnung vorliegt, wie sie in einem normalen Weißmodus angesteuert wird. - Der transparente Träger, der als untere Trägerfläche der Flüssigkristallanzeige verwendet wird, ist ein Glassubstrat, zum Beispiel aus Corning 7059 (Warenzeichen) mit einer Dicke von ungefähr 1,1 mm. Jede Abtastsignalleitung ist durch die erste Abtastsignalleitung (
1a ) und die zweite Abtastsignalleitung (1b ) jeweils verdoppelt ausgeführt und im Bereich der Ansteuerschaltung durch eine einzige Leiterbahn an diese angeschlossen. Hierbei ist, wenn die gesamte Linienbreite der verdoppelten Abtastleitung gleich groß ist wie diejenige der Abtastsignalleitung, die in der üblichen Methode aus einer einzelnen Leiterbahn besteht, nicht nur die Fläche jedes Kreuzungsbereichs von Abtastsignalleitung und Anzeigesignalleitung übereinstimmend, sondern auch der Leiterbahnwiderstand der Abtastsignalleitung unverändert. - Das jeweilige Schaltelement zur Aussendung eines elektronischen Signals über die Anzeigesignalleitung (
5a ), zum Beispiel der Dünnschichttransistor, ist in einer invers versetzten, d.h. gestuften, Konfiguration angeordnet, wobei ein Teil der je weiligen Abtastsignalleitung als Gate-Elektrode dient, um die Bildpunktfläche zu maximieren. Es kann jedoch auch eine Dünnschichtdiode (TFD), zum Beispiel eine Metall/Isolator/Metall-Schichtung (MIM), mit zwei Anschlüssen zur Bereitstellung der Schaltfunktion verwendet werden. - Nachfolgend wird der Herstellungsvorgang für eine Ausführungsform der Flüssigkristallanzeige nach der vorliegenden Erfindung erläutert.
- Als erstes wird Aluminium in einer Dicke von nicht mehr als 400 nm auf der Vorderseite des rückseitigen Glasträgers der Flüssigkristallanzeige abgeschieden und daraufhin werden gleichzeitig die Abtastsignalleitungen (
1 ) und die ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren gebildet. Jede erste Elektrode (10 ) eines Speicherkondensators wird, wie in den1 und2 gezeigt, in einer ringförmigen Struktur erzeugt, um den maximalen Bildpunktbereich auszunutzen, wobei sich die erste Elektrode ausreichend weit zur Kante des Bildpunktbereiches hin erstreckt. Um eine Verbindung zwischen benachbarten ersten Elektroden (10 ) der Kondensatoren herzustellen, werden als Verbindungsabschnitte im Beispiel der1 die redundanten Leiterbahnabschnitte (12 ) und im Beispiel der2 die doppelt ausgeführten Abtastsignalleitungen strukturiert. - Weil die erste Elektrode (
10 ) jedes Kondensators als Lichtabschirmschicht dient, wie weiter unten beschrieben wird, sollte sie aus einem lichtundurchlässigen, leitfähigen Material bestehen. Derartige erste Elektroden können in einer Mehrschichtstruktur oder unter Verwendung einer Legierung gebildet werden, solange es sich hierbei um ein lichtundurchlässiges, leitfähiges Material handelt. - Wenn die Abtastsignalleitungen (
1 ) oder ersten Elektroden (10 ) aus Aluminium bestehen, können die Elektrodenoberflächen, um die elektrischen Eigenschaften zu verbessern, nachfolgend unter Verwendung einer anodischen Oxidationsmethode mit einer Aluminiumoxidschicht (Al2O3) bedeckt werden, deren Dicke nicht mehr als 200 nm beträgt. - Anschließend wird darauf eine Anschlußfläche zum Bonden der jeweiligen Anzeigesignalleitung (
5a ) und Abtastsignalleitung (1 ) an die Ansteuerschaltung erzeugt. Als Anschlußflächenmetall wird beispielsweise Chrom mit einer Dicke von ungefähr 200 nm verwendet. - Gemäß einer alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können die jeweilige Abtastsignalleitung (
1 ) und die jeweilige erste Elektrode (10 ) nach der Bildung einer Anschlußfläche auf dem Glasträger auf dieser gebildet werden, wenn ein lichtundurchlässiges, leitfähiges Material, das nicht Aluminium ist, verwendet wird. - Dann werden unter Verwendung einer chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) eine Isolationsschicht aus einem Siliziumnitrid (SiNx) und eine a-Si:H-Halbleiterschicht in einer Dicke von ungefähr 300 nm oder weniger bzw. 200 nm oder weniger abgeschieden. Auf der a-Si:H-Schicht wird eine n-dotierte a-Si:H-Schicht (n+ a-Si:H) in einer Dicke von ungefähr 50 nm abgeschieden. Danach wird die Halbleiterschicht, wie in den
1 und2 gezeigt, strukturiert, so daß sie eine Fläche definiert, in der das jeweilige Schaltelement auf der Abtastsignalleitung oder eines daran angrenzenden Bereichs angeordnet werden kann. - Nachfolgend werden die Isolationsschicht auf dem Verbindungsbereich des ansteuernden IC entfernt und ein transparentes, leitfähiges Material, zum Beispiel eine ITO-Schicht, in einer Dicke von ungefähr 50 nm oder weniger mittels eines Sputterverfahrens abgeschieden und strukturiert, um die Bildpunktelektroden (
4 ) zu bilden. Dabei werden die Bildpunktelektroden (4 ) so strukturiert, daß sie unter Zwischenfügung der Isolationsschicht mit den in dem vorangegangenen Schritt gebildeten ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren in einer vorbestimmten Breite überlappen. Hierbei wird jeder Kondensator zwischen der ersten Elektrode (10 ) des Speicherkondensators und der Bildpunktelektrode (4 ) auf der Bildpunktfläche unter Zwischenfügung eines dielektrischen Materials gebildet, so daß ein über die Anzeigesignalleitung (5a ) zugeführtes Spannungssignal für eine vorbestimmte Zeitdauer bis zur nächsten Eingabe gehalten wird. - Nachdem Chrom und Aluminium nacheinander auf der gesamten Oberfläche des Trägers in einer Dicke von ungefähr 50 nm oder weniger bzw. 500 nm oder weniger mittels eines Sputterverfahrens abgeschieden wurden, werden die Anzeigesignalleitungen (
5a ) sowie die Source- und Drain-Elektroden der TFTs strukturiert und eine Schutzschicht aus Siliziumnitrid auf der gesamten Oberfläche des Trägers in einer Dicke von ungefähr 400 nm mittels eines CVD-Verfahrens abgeschieden. Damit ist der untere Träger der LCD vervollständigt. Unter Verwendung üblicher LCD-Technologie kann in einem nachfolgenden Schritt eine ausrichtende Schicht zur Ausrichtung des Flüssigkristalls auf der Schutzschicht erzeugt werden. - Der obere Träger der LCD wird dadurch vervollständigt, daß nach der Festlegung der Öffnungsfläche der LCD durch Ausbildung einer Lichtabschirmschicht an der Innenseite des transparenten, frontseitigen Glasträgers in Matrixform als Berandung jeder Bildpunktfläche die Lichtabschirmschicht und die freiliegende Öffnungsfläche mit einer Farbfilterschicht bedeckt und eine übliche Schutzschicht sowie eine transparante, untere, gemeinsame Elektrode nachfolgend darauf gebildet werden, was die Mehrschichtstruktur vervollständigt.
- Der oben beschriebene untere und obere Träger der LCD werden von bestimmten Trägerstäbchen gehalten und der Flüssig kristall zwischen beiden Teilen eingebracht. Der gesamte Träger wird dann dicht verschlossen, was die LCD vervollständigt.
- Die in
3 dargestellte, ein Funktionsprinzip zur Erläuterung der Wirkung der vorliegenden Erfindung zeigende Prinzipskizze illustriert, wie durch die doppelten Abtastsignalleitungen (1a und1b ) Mängel, wie zum Beispiel in den Kreuzungsbereichen von Abtastsignalleitungen (1a und1b ) und Anzeigesignalleitung (5a ) auftretende Unterbrechungen oder Kurzschlüsse, behoben werden können. - Das Bezugszeichen (
1 ) repräsentiert hierbei die Abschnitte der Abtastsignalleitungen, die aus einer einzelnen Leiterbahn bestehen und mit der IC-Ansteuerschaltung verbunden sind. Die Bezugszeichen (1a ) und (1b ) repräsentieren die durch Verdopplung gebildeten ersten bzw. zweiten Abtastsignalleitungen. Ein Pfeil symbolisiert den Signalstromfluß, wenn nur eine der durch Verdopplung gebildeten ersten und zweiten Abtastsignalleitungen (1a ) und (1b ) ordnungsgemäß arbeitet, während das Bezugszeichen (5a ) die Anzeigesignalleitungen bezeichnet. In einem Bereich (A) ist eine erste Abtastsignalleitung (1a ) im Kreuzungsbereich der ersten Abtastsignalleitung und einer Anzeigesignalleitung unterbrochen. In einem Bereich (B) sind sowohl eine erste als auch eine zweite Abtastsignalleitung (1a und1b ) unterbrochen. Ein Bereich (C) zeigt einen Zustand, bei dem ein Kurzschluß zwischen einer zweiten Abtastsignalleitung (1b ) und einer Anzeigesignalleitung (5a ) vorliegt. Ein Bereich (D) zeigt den reparierten Zustand eines Kurzschlusses wie im Bereich (C). - Aus der Tatsache, daß nur der Bereich (B), in dem eine erste und die zugehörige zweite Abtastsignalleitung jeweils eine Unterbrechung im Kreuzungsbereich mit derselben Anzeigesignalleitung aufweisen, fehlerhaft ist, folgt, daß die gesamte Ausfallquote aufgrund solcher Unterbrechungen verringert ist. Aufgrund der Verdopplung der Abtastsignalleitungen kann zudem der Kurzschluß im Bereich (C) repariert werden, indem die Abtastsignalleitung beidseits des Kreuzungsbereichs der Leiterbahnen im Bereich (C) mittels eines Laserstrahls durchtrennt wird. Gemäß der vorliegenden Erfindung können, wie oben beschrieben, der redundante Verbindungsabschnitt zur Verbindung der ersten Elektroden der Kondensatoren oder die verdoppelten Abtastsignalleitungen durch einen einfachen Austausch der jeweiligen strukturierenden Muster gebildet werden, ohne einen zusätzlichen Verfahrensschritt zu benötigen, was folglich den Herstellungsvorgang vereinfacht. Zudem werden die ersten Elektroden in einer Ringform gebildet, wodurch die maximale Bildpunktfläche ausgenutzt werden kann, was das Öffnungsverhältnis der LCD erhöht. Da außerdem die erste Elektrode jedes Speicherkondensators als zusätzliche Lichtabschirmschicht dient, wird das Kontrastverhältnis stark vergrößert. Zusätzlich werden zur Verbindung der ersten Elektroden der Kondensatoren miteinander redundante Leiterbahnabschnitte oder doppelte Abtastsignalleitungen gebildet, so daß Fehlfunktionen aufgrund von Unterbrechungen oder Kurzschlüssen in den Abtastsignalleitungen, die in Kreuzungsbereichen der Leiterbahnen auftreten, in ihrer Anzahl verringert sowie auch repariert werden können, was es möglich macht, die Ausbeute der hergestellten LCDs beträchtlich zu erhöhen.
- Während die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf spezielle Ausführungsformen beschrieben wurde, versteht es sich, daß der Fachmann eine Vielzahl von Varianten hinsichtlich der Gestaltung und von Details vorzunehmen vermag, ohne den durch die beigefügten Patentansprüche festgelegten Umfang der Erfindung zu verlassen.
Claims (27)
- Flüssigkristallanzeigeeinrichtung mit: – wenigstens einem transparenten Träger (
100 ), – einer Mehrzahl von Abtastsignalleitungen (1 ;1a ,1b ) und Anzeigesignalleitungen (5a ) in einer Matrixanordnung auf einer Oberfläche des transparenten Trägers (100 ) zur Festlegung einer Matrix von Bildpunktbereichen, von denen jeder von einem Paar von Abtastsignalleitungen (1 ;1a ,1b ) und einem Paar von Anzeigesignalleitungen (5a ) begrenzt ist, – einer Bildpunktelektrode (4 ) in jedem Bildpunktbereich, – einem Schaltelement in jedem Bildpunktbereich, das mit einer zugehörigen Anzeigesignalleitung (5a ) und einer zugehörigen Bildpunktelektrode (4 ) verbunden ist, und – einer mit einer jeweiligen Abtastsignalleitung verbundenen ersten Elektrode (10 ) in jedem Bildpunktbereich zur Bildung eines jeweiligen Speicherkondensators mit der zugehörigen Bildpunktelektrode (4 ), wobei jede erste Elektrode (10 ) der zugehörigen Bildpunktelektrode (4 ) gegenüberliegt und selbige ringförmig umgibt, dadurch gekennzeichnet, dass – zur elektrischen Verbindung von einem Paar erster Elektroden (10 ) benachbarter Bildpunktbereiche jeweils zwei verschiedene Verbindungsabschnitte (1 ,12 ;1a ,1b ) vorgesehen sind. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die zwei Verbindungsabschnitte (
1 ,12 ) zur Verbindung benachbarter erster Elektroden (10 ) jeweils von einem Abschnitt einer Abtastsignalleitung (1 ) einerseits und einem redundanten Leiterbahnabschnitt (12 ) andererseits gebildet sind. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass – jede Abtastsignalleitung aus einem Paar einer ersten (
1a ) und einer zweiten Abtastsignalleitung (1b ) besteht, die abwechselnd in vorbestimmten Abständen auf der Oberfläche des transparenten Trägers (100 ) angeordnet sind, wobei – die jeweiligen zwei Verbindungsabschnitte zur Verbindung benachbarter erster Elektroden (10 ) von einem Abschnitt einer ersten Abtastsignalleitung (1a ) und einem Abschnitt einer zweiten Abtastsignalleitung (1b ) gebildet sind. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Elektroden (
10 ) der Speicherkondensatoren, die Abtastsignalleitungen und die Verbindungsabschnitte aus demselben Material bestehen und gleichzeitig strukturiert wurden. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 4, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierten ersten Elektroden (
10 ) der Speicherkondensatoren, Abtastsignalleitungen (1 ) und Verbindungsabschnitte aus wenigstens einem lichtundurchlässigen, leitfähigen Material bestehen, das Aluminium, Chrom, Molybdän und/oder Tantal enthält. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 4 oder 5, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Elektroden (
10 ) der Speicherkondensatoren, die Abtastsignalleitungen (1 ) und die Verbindungsabschnitte eine Stapelstruktur mit wenigstens zwei Metallen aufweisen. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsabschnitte (
12 ) zum Verbinden benachbarter erster Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren die Anzeigesignalleitungen (5a ) unter Zwischenfügung einer Isolationsschicht kreuzen. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, weiter dadurch gekennzeichnet, dass jedes Schaltelement aus einer Dünnschichtdiode besteht.
- Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, weiter dadurch gekennzeichnet, dass jedes Schaltelement aus einem Dünnschichttransistor besteht.
- Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 9, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Dünnschichttransistor enthält: – eine von einem vorspringenden Teil einer Abtastsignalleitung gebildete Gate-Elektrode (G), – eine von einem vorspringenden Teil einer Anzeigesignalleitung (
5a ) gebildete Drain-Elektrode, – eine mit einem Teil der zugehörigen Bildpunktelektrode (4 ) überlappende Source-Elektrode (5b ) und – eine Halbleiterschicht (3 ), die auf einer auf der Gate-Elektrode befindlichen Isolationsschicht gebildet und zur Verbindung der Drain-Elektrode mit der Source-Elektrode strukturiert ist. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 9 oder 10, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Dünnschichttransistor eine invers gestufte Struktur besitzt und an einem Kreuzungspunkt einer Abtastsignalleitung und einer Anzeigesignalleitung (
5a ) gebildet ist. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 10 oder 11, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Gate-Elektrode, die Drain-Elektrode und die Halbleiterschicht des Dünnschichttransistors außerhalb der Umrandung der zugehörigen Bildpunktelektrode (
4 ) gebildet sind. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Source-Elektrode des Dünnschichttransistors einen Teil der ersten Elektrode (
10 ) des zugehörigen Speicherkondensators überdeckt. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrode (
10 ) des jeweiligen Speicherkondensators entlang der Umrandung der zugehörigen Bildpunktelektrode (4 ) teilweise mit dieser überlappt. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 14, weiter dadurch gekennzeichnet, dass ein randseitiger Teil der ersten Elektrode (
10 ) des jeweiligen Speicherkondensators mit einem Teil der zugehörigen Bildpunktelektrode (4 ) in einer das Auftreten abrupter Stufen vermeidenden Breite überlappt. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Elektroden (
10 ) der Speicherkondensatoren und die Abtastsignalleitungen in einer ersten Ebene und die Anzeigesignalleitungen (5a ) sowie die Bildpunktelektroden (4 ) in einer von der ersten beabstandeten zweiten Ebene gebildet sind, wobei eine Isolationsschicht zwischen die Anzeigesignalleitungen (5a ) und die Bildpunktelektroden (4 ) eingefügt ist. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 9 in Verbindung mit einem der Ansprüche 3 bis 7, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Dünnschichttransistor enthält: – eine auf der ersten Abtastsignalleitung (
1a ) gebildete Gate-Elektrode, – eine aus einem vorspringenden Teil der Anzeigesignalleitung (5a ) gebildete Drain-Elektrode, – eine mit einem Teil der Bildpunktelektrode (4 ) überlappende Source-Elektrode (5b ) und – eine Halbleiterschicht (3 ), die auf einer auf der Gate-Elektrode befindlichen Isolationsschicht gebildet und zur Verbindung der Drain-Elektrode mit der Source-Elektrode strukturiert ist. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 17, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der Dünnschichttransistor eine invers gestufte Struktur besitzt und über der ersten Abtastsignalleitung (
1a ) um einen Kreuzungspunkt der ersten Abtastsignalleitung (1a ) mit einer zugehörigen Anzeigesignalleitung (5a ) herum gebildet ist. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 3 oder nach einem der Ansprüche 4 bis 18, die Verbindung mit dem Anspruch 3 weiter dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Abtastsignalleitungen (
1a und1b ) paarweise gemeinsam mittels jeweils einer einzigen Leiterbahn mit einer externen Steuerschaltung verbunden sind. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 19, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Abtastsignalleitungen (
1a und1b ) paarweise zu einer einzigen Leiterbahn an einer Anschlussfläche zusammengeführt sind, die der Verbindung mit der externen Steuerschaltung dient. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 3, 19 oder 20, oder nach einem der Ansprüche 4 bis 18 in Verbindung mit dem Anspruch 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Elektroden (
10 ) der Speicherkondensatoren die ersten und zweiten Abtastsignalleitungen (1a und1b ) in Form von Sprossen einer Leiter miteinander verbinden. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 21, weiter dadurch gekennzeichnet, dass – der transparente Träger (
100 ) ein rückseitiger Glasträger mit einer Innen- und einer Außenfläche ist, – ein weiterer frontseitiger Glasträger (101 ) mit einer Innen- und einer Außenseite vorgesehen ist, der parallel zum rückseitigen Glasträger von diesem in einem vorbestimmten Abstand separiert angeordnet ist, so dass seine Innenseite der Innenseite des rückseitigen Glasträgers (100 ) gegenüberliegt, – die Mehrzahl von Abtastsignalleitungen (1 ;1a ,1b ) und Anzeigesignalleitungen (5a ) an der Innenseite des rückseitigen Glasträgers (100 ) angeordnet sind, – eine Lichtabschirmschicht-Matrix (20 ) auf der Innenseite des frontseitigen Glasträgers (101 ) vorgesehen ist, die zur Festlegung lichttransmittierender Öffnungsflächen innerhalb der Bildpunktbereiche ausgerichtet ist, – eine Farbfilterschicht (21 ) an der Innenseite des frontseitigen Glasträgers (101 ) vorgesehen ist, die unter Bedeckung der lichttransmittierenden Öffnungsflächen und der Lichtabschirmschicht (20 ) eine lichttransmittierende Fläche beinhaltet, – eine auf der Farbilterschicht (21 ) gebildete transparente Elektrode (23 ) vorgesehen ist und, – eine zwischen den frontseitigen und den rückseitigen Glasträger (101 und100 ) eingebrachte Flüssigkristallschicht vorgesehen ist. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 22, weiter dadurch gekennzeichnet, dass zwischen die Farbfilterschicht (
21 ) und die transparente Elektrode (23 ) eine Schutzschicht (22 ) eingefügt ist. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach Anspruch 22 oder 23, weiter dadurch gekennzeichnet, dass eine Schutzschicht (
6 ) die Innenseite des rückseitigen Glasträgers (100 ) bedeckt. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 24, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der jeweils durch eine Umrandung der Lichtabschirmschicht (
20 ) definierte Rand einer Öffnungsfläche mit einer inneren Berandung der ersten Elektrode (10 ) des zugehörigen Speicherkondensators in Richtung senkrecht zur Ebene des transparenten Trägers (100 ) im wesentlichen fluchtet, wodurch die ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren als eine zweite Lichtabschirmschicht fungieren, um Streulicht zu verringern, das nicht zum Durchtreten durch die Öffnungsfläche bestimmt ist. - Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 25, weiter dadurch gekennzeichnet, dass sich die erste Elektrode (
10 ) eines jeweiligen Speicherkondensators nicht in eine virtuelle Öffnungsfläche hinein erstreckt, die sich durch Lichtstrahlprojektion einer durch eine Umrandung der Lichtabschirmschicht (20 ) definierten Öffnungsfläche auf den rückseitigen Glasträger ergibt. - Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigeeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 26, gekennzeichnet durch folgende Schritte: – Bildung einer ersten, lichtundurchlässigen, leitfähigen Schicht auf dem transparenten Träger (
100 ), – Strukturierung der ersten, leitfähigen Schicht zur gleichzeitigen Bildung einer Mehrzahl von Abtastsignalleitungen (1 ;1a ,1b ) in einer regelmäßigen Anordnung, erster Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren, die jeweils mit den Abtastsignalleitungen verbunden und innerhalb der Bildpunktbereiche angeordnet sind, die jeweils durch die Abtastsignalleitungen und die Mehrzahl von die Abtastsignalleitungen schneidenden, noch zu bildenden Anzeigesignalleitungen (5a ) festgelegt sind, sowie der Verbindungsabschnitte (12 ;1a ,1b ) zum Verbinden erster Elektroden (10 ) benachbarter Speicherkondensatoren, – nacheinander Bildung einer Isolationsschicht und einer Halbleiterschicht auf der Oberfläche der resultierenden Struktur, – Strukturierung der Halbleiterschicht, um die Halbleiterschicht (3 ) nur um Kreuzungsbereiche von Abtastsignalleitungen und Anzeigesignalleitungen herum zu belassen, – Auftragen einer transparenten, leitfähigen Schicht auf die Oberfläche der resultierenden Struktur, – Strukturierung der transparenten, leitfähigen Schicht zur Bildung der Bildpunktelektroden (4 ), die den ersten Elektroden (10 ) der Speicherkondensatoren längs einer Berandung derselben gegenüberliegen, und – Erzeugen einer Mehrzahl von regelmäßig angeordneten Anzeigesignalleitungen (5a ) unter Überkreuzung mit den Abtastsignalleitungen sowie gegebenenfalls von Source- und Drain-Elektroden eines Dünnschichttransistors.
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Families Citing this family (117)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3307150B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2002-07-24 | ソニー株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
KR100242438B1 (ko) * | 1996-08-30 | 2000-02-01 | 윤종용 | 능동 행렬형 액정 표시 장치 |
US6262784B1 (en) * | 1993-06-01 | 2001-07-17 | Samsung Electronics Co., Ltd | Active matrix display devices having improved opening and contrast ratios and methods of forming same and a storage electrode line |
JP3529153B2 (ja) * | 1993-03-04 | 2004-05-24 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US6313889B1 (en) * | 1993-03-04 | 2001-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Matrix-type display device capable of being repaired in pixel unit |
TW313582B (de) * | 1994-03-25 | 1997-08-21 | Chisso Corp | |
TW321731B (de) * | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
JP3081474B2 (ja) * | 1994-11-11 | 2000-08-28 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
KR0139319B1 (ko) * | 1994-11-14 | 1998-06-15 | 김광호 | 한 화소에 이중배선과 복수의 트랜지스터를 구비한 액정 표시 장치 |
JPH0926603A (ja) | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US5990492A (en) * | 1995-05-30 | 1999-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Self-aligned thin-film transistor for a liquid crystal display having source and drain electrodes of different material |
US6040183A (en) * | 1995-06-07 | 2000-03-21 | University Of North Carloina At Chapel Hill | Helper virus-free AAV production |
US6069370A (en) | 1997-03-26 | 2000-05-30 | Nec Corporation | Field-effect transistor and fabrication method thereof and image display apparatus |
JPH09236826A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-09-09 | Sharp Corp | 液晶表示素子およびその製造方法 |
JP3418653B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2003-06-23 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
TW463068B (en) * | 1995-10-12 | 2001-11-11 | Toshiba Corp | Liquid crystal display device |
TW317629B (de) | 1995-11-01 | 1997-10-11 | Samsung Electronics Co Ltd | |
KR0158260B1 (ko) * | 1995-11-25 | 1998-12-15 | 구자홍 | 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법 |
US5657101A (en) * | 1995-12-15 | 1997-08-12 | Industrial Technology Research Institute | LCD having a thin film capacitor with two lower capacitor electrodes and a pixel electrode serving as an upper electrode |
US5782665A (en) * | 1995-12-29 | 1998-07-21 | Xerox Corporation | Fabricating array with storage capacitor between cell electrode and dark matrix |
KR100234402B1 (ko) * | 1996-01-19 | 1999-12-15 | 윤종용 | 액정 표시 장치의 구동 방법 및 장치 |
US6005648A (en) * | 1996-06-25 | 1999-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP3126661B2 (ja) | 1996-06-25 | 2001-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US6014191A (en) * | 1996-07-16 | 2000-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having repair lines that cross data lines twice and cross gate lines in the active area and related repairing methods |
JP3634089B2 (ja) * | 1996-09-04 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR100209281B1 (ko) * | 1996-10-16 | 1999-07-15 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
KR100247628B1 (ko) * | 1996-10-16 | 2000-03-15 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
KR100228431B1 (ko) * | 1996-12-30 | 1999-11-01 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
US6433764B1 (en) * | 1997-01-23 | 2002-08-13 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display |
JP3680527B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2005-08-10 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその製造方法 |
JP3376379B2 (ja) * | 1997-02-20 | 2003-02-10 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 液晶表示パネル、液晶表示装置及びその製造方法 |
AU6912798A (en) * | 1997-06-10 | 1998-12-30 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it |
KR100537882B1 (ko) * | 1997-08-25 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
US6429909B1 (en) * | 1997-10-18 | 2002-08-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof |
US5986391A (en) * | 1998-03-09 | 1999-11-16 | Feldman Technology Corporation | Transparent electrodes |
US6335776B1 (en) | 1998-05-30 | 2002-01-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device having an auxiliary electrode formed on the same layer as the pixel electrode |
KR100357213B1 (ko) | 1998-07-23 | 2002-10-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
KR20000009518A (ko) | 1998-07-25 | 2000-02-15 | 노봉규 | 광시야각을 갖는 수직배향 액정표시소자 |
US6750933B1 (en) | 1998-08-06 | 2004-06-15 | Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. | Liquid-crystal display and the method of its fabrication |
KR100313952B1 (ko) * | 1998-08-20 | 2002-11-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
US6558986B1 (en) * | 1998-09-03 | 2003-05-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Method of crystallizing amorphous silicon thin film and method of fabricating polysilicon thin film transistor using the crystallization method |
US6654090B1 (en) | 1998-09-18 | 2003-11-25 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
US6900854B1 (en) | 1998-11-26 | 2005-05-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display |
TW413844B (en) * | 1998-11-26 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Manufacturing methods of thin film transistor array panels for liquid crystal displays and photolithography method of thin films |
JP4796221B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2011-10-19 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
TW413949B (en) * | 1998-12-12 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same |
JP4482949B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2010-06-16 | ソニー株式会社 | 平面表示素子及びその配線方法 |
US6714269B1 (en) * | 1999-03-22 | 2004-03-30 | Industrial Technology Research Institute | Front-side repairable TFT-LCD and method for making |
US6228438B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-05-08 | Unakis Balzers Aktiengesellschaft | Plasma reactor for the treatment of large size substrates |
KR100686224B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법 |
KR100382456B1 (ko) * | 2000-05-01 | 2003-05-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 리페어 패턴 형성방법 |
KR100595295B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티 도메인 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100595296B1 (ko) | 2000-06-27 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법 |
JP2002091342A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Toshiba Corp | マトリクスアレイ基板 |
JP2002040480A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002162644A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
KR100796749B1 (ko) | 2001-05-16 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
JP4728507B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2011-07-20 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP3932833B2 (ja) * | 2001-06-21 | 2007-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | コンデンサ付き電気光学装置および電子機器 |
KR100437825B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2004-06-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 |
KR20030035219A (ko) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기 전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
JP4011344B2 (ja) | 2001-12-28 | 2007-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP1326273B1 (de) * | 2001-12-28 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
US6933527B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device production system |
JP2003204067A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびそれを用いた電子機器 |
TW594156B (en) * | 2002-01-04 | 2004-06-21 | Fujitsu Display Tech | Substrate for display device and display device equipped therewith |
US6841797B2 (en) | 2002-01-17 | 2005-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device formed over a surface with a drepession portion and a projection portion |
US6910159B2 (en) * | 2002-02-20 | 2005-06-21 | Microsoft Corporation | System and method for gathering and automatically processing user and debug data for mobile devices |
US6847050B2 (en) * | 2002-03-15 | 2005-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and semiconductor device comprising the same |
US6930326B2 (en) * | 2002-03-26 | 2005-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor circuit and method of fabricating the same |
KR100870016B1 (ko) * | 2002-08-21 | 2008-11-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시장치 |
US20040135939A1 (en) * | 2003-01-14 | 2004-07-15 | Fang-Chen Luo | Liquid crystal display device with light shielding structure and method for forming the same |
US7250930B2 (en) * | 2003-02-07 | 2007-07-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transparent active-matrix display |
KR100598737B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2006-07-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
US7714820B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Contact structure of conductive films and thin film transistor array panel including the same |
US7187536B2 (en) * | 2003-08-28 | 2007-03-06 | Tessera, Inc. | Structure and method of making a capacitor having low equivalent series resistance |
KR100556702B1 (ko) * | 2003-10-14 | 2006-03-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
CN100495182C (zh) * | 2004-02-04 | 2009-06-03 | 友达光电股份有限公司 | 主动式阵列液晶显示器及其制作方法 |
KR101030545B1 (ko) | 2004-03-30 | 2011-04-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 |
TWI255940B (en) * | 2004-09-13 | 2006-06-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Liquid crystal display and TFT substrate therefor |
US20060054889A1 (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-16 | Jang-Soo Kim | Thin film transistor array panel |
KR101090253B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2011-12-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
TWI292076B (en) * | 2004-12-24 | 2008-01-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure and thin film transistor and fabricating methods thereof |
US7999994B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-08-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
US8519945B2 (en) | 2006-01-06 | 2013-08-27 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
US9082353B2 (en) | 2010-01-05 | 2015-07-14 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
US9158106B2 (en) | 2005-02-23 | 2015-10-13 | Pixtronix, Inc. | Display methods and apparatus |
US20070205969A1 (en) | 2005-02-23 | 2007-09-06 | Pixtronix, Incorporated | Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon |
US8159428B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-04-17 | Pixtronix, Inc. | Display methods and apparatus |
US7755582B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-07-13 | Pixtronix, Incorporated | Display methods and apparatus |
US9261694B2 (en) | 2005-02-23 | 2016-02-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
US8482496B2 (en) | 2006-01-06 | 2013-07-09 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling MEMS display apparatus on a transparent substrate |
US9229222B2 (en) | 2005-02-23 | 2016-01-05 | Pixtronix, Inc. | Alignment methods in fluid-filled MEMS displays |
US8310442B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-11-13 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
CN100520542C (zh) * | 2005-06-03 | 2009-07-29 | 奇美电子股份有限公司 | 液晶显示器及其薄膜晶体管基板的制造方法 |
CN100381930C (zh) * | 2005-08-05 | 2008-04-16 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示装置 |
US8526096B2 (en) | 2006-02-23 | 2013-09-03 | Pixtronix, Inc. | Mechanical light modulators with stressed beams |
KR101293950B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 이를 갖는 표시패널 |
US8400599B2 (en) * | 2006-08-16 | 2013-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display panel having a light blocking electrode |
KR20080015696A (ko) | 2006-08-16 | 2008-02-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR20080056805A (ko) * | 2006-12-19 | 2008-06-24 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 표시 장치 |
US9176318B2 (en) | 2007-05-18 | 2015-11-03 | Pixtronix, Inc. | Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays |
KR101041618B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2011-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
JP2009288372A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、および電子機器 |
JP2009288373A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、および電子機器 |
US8169679B2 (en) | 2008-10-27 | 2012-05-01 | Pixtronix, Inc. | MEMS anchors |
BR112012019383A2 (pt) | 2010-02-02 | 2017-09-12 | Pixtronix Inc | Circuitos para controlar aparelho de exibição |
KR20120132680A (ko) | 2010-02-02 | 2012-12-07 | 픽스트로닉스 인코포레이티드 | 저온 실 유체 충전된 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101113345B1 (ko) * | 2010-03-24 | 2012-02-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시장치 및 그의 제조방법 |
JP5736895B2 (ja) | 2011-03-28 | 2015-06-17 | 三菱電機株式会社 | 横電界方式の液晶表示装置 |
US9020463B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-04-28 | The Nielsen Company (Us), Llc | Systems, methods, apparatus, and articles of manufacture to measure mobile device usage |
US9134552B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-09-15 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators |
CN104166289B (zh) * | 2014-08-29 | 2017-03-29 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | Tft‑lcd阵列基板及其制造方法 |
US10368580B2 (en) | 2016-03-08 | 2019-08-06 | Altria Client Services Llc | Combined cartridge for electronic vaping device |
KR102431348B1 (ko) * | 2016-05-25 | 2022-08-11 | 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 표시 장치 |
TWI751737B (zh) | 2020-10-15 | 2022-01-01 | 元太科技工業股份有限公司 | 顯示裝置 |
JP7582897B2 (ja) * | 2021-04-09 | 2024-11-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4219665A1 (de) * | 1991-09-05 | 1993-03-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Fluessigkristallanzeige |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5838922A (ja) * | 1981-09-01 | 1983-03-07 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JPS6073617A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Toshiba Corp | 表示装置 |
US4820222A (en) * | 1986-12-31 | 1989-04-11 | Alphasil, Inc. | Method of manufacturing flat panel backplanes including improved testing and yields thereof and displays made thereby |
JPH01109327A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
JPH01216321A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Fuji Electric Co Ltd | アクティブマトリックス形表示パネル |
JPH0814669B2 (ja) * | 1988-04-20 | 1996-02-14 | シャープ株式会社 | マトリクス型表示装置 |
JPH0222392A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 金属冷間圧延油用添加剤 |
JP2693513B2 (ja) * | 1988-08-30 | 1997-12-24 | 株式会社東芝 | アクティブマトリクス型液晶表示素子 |
GB2227349A (en) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Philips Electronic Associated | Display devices |
JPH02223929A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 液晶デイスプレイ装置 |
JP2703328B2 (ja) * | 1989-04-19 | 1998-01-26 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2845487B2 (ja) * | 1989-04-20 | 1999-01-13 | 株式会社東芝 | アクティブマトリックス型液晶表示素子 |
JPH0359543A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Hitachi Ltd | カラー液晶表示装置の製造方法 |
JPH03114028A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法 |
JPH03239229A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Sharp Corp | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
JPH0467020A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
JPH07113731B2 (ja) * | 1990-08-03 | 1995-12-06 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示素子 |
KR960014823B1 (ko) * | 1991-03-15 | 1996-10-21 | 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 | 액정표시장치 |
JPH05257165A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル |
US5260818A (en) * | 1992-05-11 | 1993-11-09 | Industrial Technology Research Institute | Display panel provided with repair capability of defective elements |
US5459596A (en) * | 1992-09-14 | 1995-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Active matrix liquid crystal display with supplemental capacitor line which overlaps signal line |
-
1993
- 1993-05-26 NL NL9300895A patent/NL194848C/nl not_active IP Right Cessation
- 1993-05-29 DE DE4318028A patent/DE4318028B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-31 JP JP12928293A patent/JP2537329B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-01 US US08/070,717 patent/US5517341A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-02-23 US US08/602,104 patent/US5696566A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-02-23 US US08/606,345 patent/US5686977A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-08-06 US US08/906,961 patent/US5847780A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4219665A1 (de) * | 1991-09-05 | 1993-03-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Fluessigkristallanzeige |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL194848C (nl) | 2003-04-03 |
US5517341A (en) | 1996-05-14 |
JP2537329B2 (ja) | 1996-09-25 |
US5686977A (en) | 1997-11-11 |
JPH0651348A (ja) | 1994-02-25 |
NL194848B (nl) | 2002-12-02 |
US5847780A (en) | 1998-12-08 |
DE4318028A1 (de) | 1993-12-02 |
US5696566A (en) | 1997-12-09 |
NL9300895A (nl) | 1994-01-03 |
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