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KR100537882B1 - 액정표시장치및그제조방법 - Google Patents

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KR100537882B1 KR1019970040655A KR19970040655A KR100537882B1 KR 100537882 B1 KR100537882 B1 KR 100537882B1 KR 1019970040655 A KR1019970040655 A KR 1019970040655A KR 19970040655 A KR19970040655 A KR 19970040655A KR 100537882 B1 KR100537882 B1 KR 100537882B1
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Abstract

기판 위에 가로 방향으로 두 게이트선이 서로 평행하게 형성되어 있고, 도전성 차광막이 두 게이트선 사이에 세로 방향으로 길게 형성되어 있으며, 그 위에는 게이트 절연막이 덮여 있다. 게이트 절연막 위에는 도전성 차광막의 바깥쪽을 따라 데이터선이 형성되어 있으며 그 위에는 보호막이 전면적으로 형성되어 있다. 도전성 차광막은 보호막과 게이트 절연막의 접촉구를 통하여 보호막 위에 형성되어 있는 화소 전극과 전기적으로 연결된다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
먼저, 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.
국내 출원 번호 92-9510에 따른 종래의 액정 표시 장치에서는, 가로 방향으로 두 개의 게이트선이 평행하게 형성되어 있으며 하나의 게이트선으로부터 연장되어 나온 두 개의 보조선이 다른 하나의 게이트선까지 세로 방향으로 형성되어 있어서, 이중 게이트선과 두 개의 보조부는 링(ring) 형태로 연결되어 있으며 이러한 게이트 링의 내부가 화소 영역이 된다.
이러한 게이트 링 구조에서는 게이트 링이 화소의 경계 부분을 통과하는 빛을 차단하는 차광막의 역할을 하며, 화소 전극과 중첩되어 유지 축전기가 된다. 그러나, 이 유지 축전기의 정전 용량이 크게 형성될 수 있고 유지 용량의 조절이 불가능하다는 단점이 있다.
미국 특허 제 5,561440호는 이러한 게이트 링 구조에서 화소 전극과 게이트 링 사이의 유지 용량을 줄이기 위하여 차단막 역할을 하는 보조부 중 하나 또는 둘 모두를 게이트선으로부터 고립(floating)시키는 구조를 제시하고 있다. 그러나, 이 구조는 다음과 같은 문제점을 가지고 있다. 첫째, 고립된 부분과 화소 전극 사이, 고립된 부분과 데이터선 사이에 기생 용량이 발생한다는 문제가 있다. 따라서, 화소 전극과 데이터선 사이에 발생하는 기생 용량은 앞 서 언급한 기생 용량과 본래의 기생 용량이 더해져서 형성된다. 즉, 화소 전극과 데이터선의 총 기생 용량의 크기는 다음과 같다.
Figure pat00001
Csd : 화소 전극과 데이트선의 총 기생 용량
Csf : 화소 전극과 고립된 부분 사이의 기생 용량
Cdf : 데이터선과 고립된 부분 사이의 기생 용량
Cds : 데이터선과 화소 전극의 기생 용량
그런데, 액정 표시 장치 기판을 블록(block) 단위로 분할하여 노광하는 경우, 기생 용량이 블록마다 달라 블록의 경계선이 눈에 보이는 스티치(stitch) 불량이 발생하며, 위와 같이 기생 용량이 커지면 이러한 문제가 더욱 커진다.
둘째, 화소 전극에 데이터 전압이 인가될 때 도전성의 고립부에 의해 화소 전극의 전압이 변할 수 있다는 또 다른 문제가 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기생 용량을 줄이고 화소 전극에 안정적인 전압을 공급하는 것을 그 과제로 한다.
이러한 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 화소 전극의 가장자리 부근에 빛의 누설을 방지하기 위한 차광막을 게이트선과 분리하여 형성하고 이를 화소 전극과 전기적으로 연결시켜 화소 전극과 등전위를 이루게 한다.
또한, 차광막은 게이트선과 동일한 층 또는 데이터선과 동일한 층에 형성되어 있어 게이트 절연막이나 보호막에 형성되어 있는 접촉구를 통해 화소 전극과 연결된다.
이때, 차광막은 데이터선과 평행하게 형성되어 있을 수도 있고, 게이트선과 평행하게 형성되어 있을 수도 있다. 또한, 게이트선은 하나만 형성되어 있을 수도 있고 화소 전극의 상하에 이중으로 형성되어 있을 수도 있다. 차광막과 대응되는 또 다른 차광막이 화소 전극 주위에 형성되어 있을 수 있는데 이 차광막이 다른 차광막과 대응되는 위치에 두 게이트선을 연결 또는 분리된 형태로 형성되어 있을 수 있다. 게이트선과 분리된 형태인 경우, 보호막 또는 게이트 절연막에 형성되어 있는 접촉구를 통해 화소 전극과 접촉되어 있을 수 있다. 또한, 화소 전극의 가장자리가 두 게이트선 및 두 차광막과 일부 중첩되거나 완전히 덮는 형태로 화소 전극이 형성될 수 있다.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 게이트선과 보조부와 차광막을 형성한 후, 게이트 절연막을 차광막 상부의 절연막 일부를 제외한 부분에 형성하고, 반도체층을 형성한다. 다시 금속층을 형성하고 패터닝하여 소스 및 드레인 전극과 데이터선을 형성한 후, 보호막을 증착한후 앞 선 게이트 절연막이 제거된 부분과 동일한 위치의 보호막을 제거해 내어 차광막을 드러내는 접촉구를 형성한다. 그 후, ITO 물질을 도포하고 패터닝하여 화소 전극을 형성한다.
또는 차광막을 데이터선과 동일한 층에 형성한다.
이때, 차광막과 화소 전극은 접촉구를 통하여 서로 접촉되도록 하는 것이 바람직하다.
이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 광차단막의 역할을 하는 화소 전극 부근의 차광막이 화소 전극과 접촉구를 통해 전기적으로 연결되어 있어서 화소 전극과 차광막은 항상 등전위를 이룬다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이중 게이트 방식 액정 표시 장치의 배선도이고, 도 2는 도1의 II-II' 선, 즉 박막 트랜지스터 부근에 대한 단면도이고, 도 3은 도1의 III-III' 선에 대한 단면도이고, 도 4는 도 1의 III-III' 선에 대한 또 다른 단면도이다.
도 1은 이중 게이트선 구조에서의 차광막 구조를 보여준다.
투명한 절연 기판(100) 위에 주사 신호를 전달하는 제1 게이트선(10)이 가로 방향으로 형성되어 있고, 그 위에 제1 게이트선(10)과 평행하게 제2 게이트선(110)이 형성되어 있으며, 제1 게이트선(10)으로부터 뻗어나온 세로 방향의 보조부(43)가 제2 게이트선(110)까지 연장되어 연결되어 있어 빛이 새는 것을 차단하는 역할을 하며 유지 용량을 형성한다. 또한, 게이트선(10, 110) 및 보조부(43)와 같은 층에 차광막(41)이 보조부(43)에 평행하게 형성되어 있으며, 차광막(41) 양단은 제1 및 제2 게이트선(10, 110) 부근까지 연장되어 있다. 그 위에 게이트 절연막(200)이 전면적으로 덮여 있고, 제1 게이트선(10) 상부의 게이트 절연막(200) 위에 비정질 실리콘층(30)과 n+ 비정질 실리콘층(31)이 일부 형성되어 있으며, 이때 비정질 실리콘층(30) 아래의 게이트선(10)은 게이트 전극이 된다.
차광막(41)의 바깥쪽에 화상 신호를 전달하는 데이터선(20)이 세로 방향으로 형성되어 있고, 데이터선(20)으로부터 연장되어 나온 부분이 비정질 실리콘층(30)의 한쪽 가장자리와 겹쳐져 소스 전극(21)을 이루며, 게이트 전극을 기준으로 소스 전극(21)과 대응되는 위치의 비정질 실리콘층(30) 위에는 소스 전극(21)과 분리된 드레인 전극(22)이 형성되어 있다. 이때, 비정질 실리콘층(30)과 소스 및 드레인 전극(21, 21) 사이에는 저항 접촉 특성을 위해 n+ 비정질 실리콘층(31)이 형성되어 있으며, 드레인 전극(22)은 전단 게이트선(111)까지 연장되어 있다.
다음, 그 위에 보호막(300)이 전면적으로 형성되어 있으며 보호막(300) 및 게이트 절연막(200)에는 차광막(41)을 노출시키는 접촉구(C1, C2)가 형성되어 있고, 또한 드레인 전극(22)을 노출시키는 접촉구(C5, C6)가 형성되어 있다.
보호막(300) 위에는 ITO(indium-tin-oxide) 투명 화소 전극(50)이 제1 및 제2 게이트선(10, 110)과 데이터선(20)에 의해 정의되는 화소 영역(PX) 내에 형성되어 게이트선(10, 110)과 보조부(43) 및 차광막(41)의 가장자리와 일부 중첩되거나 완전히 덮고 있다. 이 화소 전극(50)은 접촉구(C5, C6)를 통하여 드레인 전극(11)과 전기적으로 연결되며, 접촉구(C1, C2)를 통하여 차광막(41)과 연결되어 있다. 이렇게 보조부(43)와 차광막(41)이 화소 전극(50)의 가장자리를 따라 형성되어 있는 구조에서는 화소 전극(50)의 가장자리로 새는 빛이 보조부(43)와 차광막(41)에 의해 차단된다.
여기에서, 게이트 전극, 소스 전극(21) 및 드레인 전극(22)과 비정질 실리콘층(30)으로 이루어진 박막 트랜지스터는 데이터선(20)으로부터의 화상 신호를 주사 신호에 따라 스위칭하여 화소 전극(50)으로 전달한다.
도4에 도시된 것과 같이, 차광막(41)이 데이터선(20)과 동일한 층에 형성되어 있을 수도 있다. 이 경우에는 게이트 절연막(200)에 접촉구(C1, C2)가 형성되지 않는다.
또한, 보조부(43)는 차광막(41)과 마찬가지로 제1 및 제2 게이트선(10, 110)으로부터 분리되어 있을 수도 있다. 이때, 보조부(43)가 게이트선(10)과 같은 층에 형성되어 있는 경우 게이트 절연막(200) 및 보호막(300)에 형성되어 있는 접촉구를 통해 화소 전극(50)과 연결되며, 데이터선(20)과 같은 층에 형성되어 있는 경우에는 보호막(300)에 형성되어 있는 접촉구를 통하여 화소 전극(50)과 연결된다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 제2 및 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배선도로서, 단일 게이트선을 가진 액정 표시 장치 내에서의 적용예를 나타낸 것이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(도시하지 않음) 위에 주사 신호를 전달하는 게이트선(10)이 가로 방향으로 형성되어 있고, 게이트선(10)과 교차하도록 데이터선(20)이 세로 방향으로 형성되어 있다. 데이터선(20)과 게이트선(10)이 교차하여 화소 영역(PX)을 이루며 화소 영역(PX) 내부에는 화소 전극(50)이 형성되어 있다. 앞서 설명된 제1 실시예와 마찬가지로 각 화소 영역(PX)에는 소스 및 드레인 전극(21, 22)과 게이트 전극(11)을 가진 박막 트랜지스터가 하나씩 형성되어 있다.
한편, 화소 전극(50)의 가장자리를 통해 빛이 누설되는 것을 방지하기 위하여 제1 차광막(41) 및 제2 차광막(42)이 게이트선(10)에 수직하게 화소 전극(50)의 가장자리를 따라 세로 방향으로 형성되어 있다. 차광막(41, 42)은 도전성 물질로 형성되어 있으며 보호막(도시하지 않음) 및/또는 게이트 절연막(도시하지 않음)을 사이에 두고 화소 전극(50)과 중첩되도록 형성되어 있으며, 보호막 및/또는 게이트 절연막에 뚫린 접촉구(C1, C2, C3, C4)를 통해서 화소 전극(50)에 연결되어 있다. 제1 차광막(41) 및/또는 제2 차광막(42)은 각각 데이터선(20) 또는 게이트선(10)과 동일한 층에 형성되어 있을 수 있다.
이렇게, 제1 및 제2 차광막(41, 42)이 화소 전극(50)과 연결되어 있어 등전위를 이루기 때문에 화소 전극(50)에 데이터 신호가 인가될 때 차광막(41, 42)과 화소 전극(50) 사이에 기생 용량이 발생하지 않는다.
도6에서는, 차광막(44)이 게이트선(10)에 평행하게 형성되어 있는 경우를 나타낸다.
여기에서도, 차광막(44)은 보호막(도시하지 않음) 및/또는 게이트 절연막(도시하지 않음)을 사이에 두고 화소 전극(50)과 중첩되도록 형성되어 있고, 보호막 및/또는 게이트 절연막에 뚫린 접촉구(C7, C8)를 통해서 화소 전극(50)과 연결된다.
모든 실시예에 대해, 빛을 차단하는 역할을 하는 보조부 및 차광막(41, 42, 43, 44)은 화소 전극(50)의 가장자리와 일부 또는 완전히 중첩된다.
이와 같이, 빛이 새는 것을 방지하는 차광막(41)은 화소 전극(50)과 접촉구(C1, C2)를 통해 연결되어 있기 때문에 화소 전극(50)과 항상 등전위를 이룬다. 따라서, 화소 전극(5)과 고립부(1b') 사이에 기생 용량이 생기지 않는다.
그러면, 도 1 내지 도 3에 도시한 액정 표시 장치의 제조 방법을 도 7a 내지 도 11b를 참고로 하여 설명한다.
도 7a, 8a, 9a, 10a, 11a 및 도 7b, 8b, 9b, 10b, 11b는 도 1의 II-II', III-III' 선을 따라 절단한 단면도로서 제조 순서에 따라 도시한 것이고, 도 12a, 12b, 12c, 12d, 12e는 III-III' 선에 대한 또 다른 실시 단면이다.
도 7a 또는 도 7b에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(100) 위에 금속층을 형성한 후 패터닝하여 게이트선(10. 110, 111), 보조부(43) 및 차광막(41)을 형성한 다음 그 위에 게이트 절연막(200)을 적층한다.
도 8a 또는 도 8b에 도시한 바와 같이 비정질 실리콘층과 도핑된 비정질 실리콘층을 연속적으로 적층한 후, 게이트선(10) 위 일부만이 남도록 패터닝하여 비정질 실리콘층(30)과 도핑된 비정질 실리콘층(31)을 형성한다.
다음, 도 9a 또는 도 9b에 도시한 바와 같이, 금속층을 증착하고 패터닝하여 소스 및 드레인 전극(21, 22)과 데이터선(20)을 포함하는 데이터 패턴을 형성한다. 데이터 패턴(20, 21, 22)을 마스크(mask)로 하여 도핑된 비정질 실리콘층(31)의 일부를 제거하여 소스 및 드레인 전극(21, 22)과 접촉하는 부분에만 도핑된 비정질 실리콘층(31)을 남긴다.
도 10a 또는 도 10b에 도시한 바와 같이, 보호막(300)을 적층한 후, 게이트선(111) 상부 및 차광막(41) 상부의 보호막(300) 및 게이트 절연막(200)을 제거하여, 드레인 전극(22)을 드러내는 접촉구(C5, C6)와 차광막(41)을 드러내는 접촉구(C1, C2)를 형성한다.
마지막으로 도 11a 또는 도 11b에 도시한 바와 같이, ITO를 적층하고 식각함으로써, 접촉구(C1, C2) 및 접촉구(C5, C6)를 통해 차광막(41) 및 드레인 전극(22)과 접촉되는 ITO 화소 전극(50, 51)을 형성한다.
도 1 내지 도 3에 도시한 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 III-III'선에 대한 다른 실시예를 공정 순서에 따라 나타낸 도 12a 내지 도 12e를 참고로 하여 설명한다.
도 12a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기판(100) 위에 게이트선(10, 110, 111) 및 보조부(43)를 그 위에 게이트 절연막(200)을 적층한다.
도 12b에 도시한 바와 같이, 비정질 실리콘층과 도핑된 비정질 실리콘층을 적층한 후 게이트선(10) 위의 일부만 남도록 패터닝하여 비정질 실리콘층(30)과 도핑된 비정질 실리콘층(31)을 형성한다.
다음, 도 12c에 도시한 바와 같이, 금속층을 증착하고 패터닝하여 소스 및 드레인 전극(21, 22) 및 데이터선(20)을 포함하는 데이터 패턴과 차광막(41)을 동시에 형성한 후, 데이터 패턴을 마스크로 하여 도핑된 비정질 실리콘층(31)의 일부를 제거한다.
도 12d에 도시한 바와 같이, 보호막(300)을 적층하고 게이트선(111) 및 차광막(41) 상부의 보호막(300)을 제거하여 드레인 전극(22)의 일부와 차광막(41)의 일부를 드러내는 접촉구(C5, C6, C2, C3)를 형성한다.
마지막으로, 도 12e에 도시한 바와 같이, ITO 물질을 적층하고 패터닝하여 접촉구(C1 또는/및 C2, C5 또는/및 C6)를 통해 드레인 전극(22) 및 차광막(41)과 접촉되는 ITO 화소 전극(50)을 형성한다.
이러한 액정 표시 장치의 제조 과정에서는 차광막(41)을 화소 전극(50)과 접촉하도록 하는 접촉구를 형성하기 때문에, 구동시 화소 전극(50)과 차광막(41)은 등전위를 이룬다.
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 화소 전극 부근에 형성되어 있는 도전성 차광막이 접촉구를 통하여 화소 전극과 전기적으로 항상 접촉되어 있기 때문에, 전압이 화소 전극 내에 인가될 때에 안정적으로 화소 전압을 화소 전극에 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대한 배선도이고,
도 2는 도1의 II-II' 선에 대한 단면도이고,
도 3은 도1의 III-III' 선에 대한 단면도이고,
도 4는 도1의 III-III' 선에 대한 또 다른 단면도이고,
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대한 배선도이고,
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대한 배선도이고,
도 7a, 8a, 9a, 10a 또는 도 11a는 도 1의 II-II' 선에 대한 단면도로서 제조 순서에 따라 도시한 것이고,
도 7b, 8b, 9b, 10b 또는 11b는 도 1의 III-III' 선에 대한 단면도로서 제조 순서에 따라 도시한 것이고,
도 12a 내지 12e는 본 발명에 따른 또 다른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.

Claims (35)

  1. 제1 방향으로 형성되어 있는 제1 게이트선,
    상기 제1 게이트선과 절연되어 교차하는 데이터선,
    상기 제1 게이트선과 상기 데이터선으로 정의되는 화소 영역 안에 형성되어 있으며 상기 데이터선으로부터의 신호를 인가받는 화소 전극,
    상기 화소 전극의 가장자리를 따라서 형성되며, 상기 제1 게이트선 및 상기 데이터선과 수평 거리상 각각 일정 간격을 두고 형성되어 있으며, 상기 제1 게이트선 또는 상기 데이터선과 동일한 층 및 동일한 물질로 형성되고, 상기 화소 전극과 전기적으로 연결되어 있는 도전성 제1 차광막을 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 차광막은 상기 데이터선에 평행하게 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 화소 전극에 대하여 상기 제1 차광막과 마주보는 위치에 형성되어 있는 도전성 제2 차광막을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제2 차광막은 상기 화소 전극과 전기적으로 연결되어 있는 액정 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 제2 차광막은 상기 게이트선과 동일한 층에 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  6. 제4항에서,
    상기 제2 차광막은 상기 데이터선과 동일한 층에 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  7. 제3항에서,
    상기 화소 영역의 가장자리 부근에 상기 제1 게이트선에 대응되도록 평행하게 형성되어 있는 제2 게이트선을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 제2 차광막은 상기 제1 및 제2 게이트선과 연결되어 있는 액정 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제2 차광막은 상기 제1 및 제2 게이트선과 동일 층에 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  10. 제7항에서,
    상기 제2 차광막은 상기 제1 및 제2 게이트선과 분리되어 있는 액정 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 제2 차광막은 상기 화소 전극과 전기적으로 연결되어 있는 액정 표시 장치.
  12. 제10항 또는 제11항에서,
    상기 제2 차광막은 상기 제1 및 제2 게이트선과 동일한 층에 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  13. 제10항 또는 제11항에서,
    상기 제2 차광막은 상기 데이터선과 동일한 층에 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  14. 제1항에서,
    상기 데이터선으로부터의 화상 신호를 주사 신호에 따라 스위칭하여 상기 화소 전극으로 전달하는 스위칭 소자를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  15. 투명한 절연 기판,
    상기 기판 위에 가로 방향으로 형성되어 있는 제1 게이트선,
    상기 기판 위에 상기 제1 게이트선과 분리되어 형성되어 있는 제1 차광막,
    상기 제1 게이트선 및 상기 제1 차광막을 덮고 있으며 상기 제1 차광막을 노출시키는 제1 접촉구를 갖고 있는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 상기 제1 게이트선에 수직한 방향으로 형성되어 있는 데이터선,
    상기 데이터선을 덮고 있으며 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 제1 접촉구 부분과 일치되는 부분에 제2 접촉구를 갖고 있는 보호막,
    상기 보호막 위에 형성되어 상기 데이터선으로부터의 신호를 인가 받으며 상기 제1 및 제2 접촉구를 통해 상기 제1 차광막과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며,
    상기 제1 차광막은 상기 데이터선과 수평 거리상 일정 간격을 두고 형성되어 있으며, 상기 화소 전극의 가장자를 따라서 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 제1 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극과 상기 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극과 상기 소스 전극과 반도체층을 통하여 연결되며 상기 화소 전극과 연결되어 있는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    제1 차광막은 상기 데이터선에 평행하게 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 차광막과 동일한 층에 상기 제1 차광막과 마주보는 위치에 형성되어 있는 도전성 제2 차광막을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 게이트선 반대쪽의 화소 영역 가장자리를 따라 상기 제1 게이트선에 평행하게 상기 기판 위에 형성되어 있는 제2 게이트선을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제2 차광막은 상기 제1 및 제2 게이트선과 연결되어 있는 액정 표시 장치.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 제2 차광막은 상기 제1 및 제2 게이트선과 분리되어 있는 액정 표시 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제2 차광막은 상기 보호막과 상기 게이트 절연막에 걸쳐 형성되어 있는 제3 접촉구를 통해 상기 화소 전극과 전기적으로 연결되어 있는 액정 표시 장치.
  23. 제18항에 있어서,
    상기 제2 차광막은 상기 데이터선과 동일한 층에 상기 제1 차광막과 마주보는 형태로 형성되어 있으며 상기 화소 전극과는 상기 보호막에 형성되어 있는 제3 접촉구를 통해 전기적으로 연결되어 있는 액정 표시 장치.
  24. 투명한 절연 기판,
    상기 기판 위에 가로 방향으로 형성되어 있는 제1 게이트선,
    상기 제1 게이트선을 덮고 있는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 상기 제1 게이트선에 수직한 방향으로 형성되어 있는 데이터선,
    상기 데이터선에 인접하여 세로 방향으로 형성되어 있으며, 상기 데이터선과 수평 거리상 일정 간격을 두고 형성되어 있는 전도성 제1 차광막,
    상기 데이터선 및 상기 제1 차광막을 덮고 있으며 상기 차광막을 노출시키는 접촉구를 가지고 있는 보호막,
    상기 보호막 위에 형성되어 상기 데이터선으로부터 신호를 인가받으며 상기 접촉구를 통해 상기 제1 차광막과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며,
    상기 제1 차광막은 상기 게이트선과 수평 거리상 제2 일정 간격을 두고 형성되어 있으며, 상기 화소 전극의 가장자리를 따라서 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 제1 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극과 상기 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극과 상기 소스 전극과 반도체층을 통하여 연결되며 상기 화소 전극과 연결되어 있는 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  26. 제25항에 있어서,
    제1 차광막은 상기 데이터선에 평행하게 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 제1 차광막과 동일한 층에 상기 제1 차광막과 마주보는 위치에 형성되어 있는 도전성 제2 차광막을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 제2 차광막은 상기 보호막에 형성되어 있는 접촉구를 통해서 상기 화소 전극과 전기적으로 연결되어 있는 액정 표시 장치.
  29. 제26항에 있어서,
    상기 제1 게이트선 반대쪽의 화소 영역 가장자리를 따라 상기 제1 게이트선에 평행하게 상기 기판 위에 형성되어 있는 제2 게이트선을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 제2 차광막은 제1 및 제2 게이트선과 동일한 층에 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 제2 차광막은 상기 제1 및 제2 게이트선과 연결되어 있는 액정 표시 장치.
  32. 제30항에 있어서,
    상기 제2 차광막은 상기 제1 및 제2 게이트선과 분리되어 있는 액정 표시 장치.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 제2 차광막은 상기 보호막과 상기 게이트 절연막에 걸쳐 형성되어 있는 접촉구를 통해 상기 화소 전극과 전기적으로 연결되어 있는 액정 표시 장치.
  34. 투명한 절연 기판 위에 제1 금속층을 적층하고 패터닝하여 게이트선과 차광막을 형성하는 단계,
    게이트 절연막을 적층하는 단계,
    반도체층을 형성하는 단계,
    제2 금속층을 적층하고 패터닝하여 소스 및 드레인 전극과 데이터선을 형성하는 단계,
    보호막을 적층하고 상기 게이트 절연막과 함께 식각하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 제1 접촉구와 상기 차광막을 노출시키는 제2 접촉구를 형성하는 단계,
    상기 제1 및 제 2 접촉구를 통하여 상기 드레인 전극 및 상기 차광막과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 차광막은 상기 게이트선과 수평 거리상 일정 간격을 두고 형성되고, 상기 데이터선과 수평 거리상 제2 일정 간격을 두고 형성되며, 상기 화소 전극의 가장자리를 따라서 형성되도록 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  35. 투명한 절연 기판 위에 제1 금속층을 형성하고 패터닝하여 게이트선을 형성하는 단계,
    게이트 절연막을 형성하는 단계,
    반도체층을 형성하는 단계,
    제2 금속층을 적층하고 패터닝하여 소스 및 드레인 전극과 데이터선 및 차광막을 형성하는 단계,
    보호막을 적층하고 패터닝하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 제1 접촉구와 상기 차광막을 노출시키는 제2 접촉구를 형성하는 단계,
    상기 제1 및 제 2 접촉구를 통하여 상기 드레인 전극 및 상기 차광막과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 차광막은 상기 데이터선과 수평 거리상 일정 간격을 두고 형성되고, 상기 게이트선과 수평 거리상 제2 일정 간격을 두고 형성되며, 상기 화소 전극의 가장자리를 따라서 형성되도록 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI245950B (en) * 1999-03-19 2005-12-21 Sharp Kk Liquid crystal display apparatus
KR100348995B1 (ko) * 1999-09-08 2002-08-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 4 마스크를 이용한 액정표시소자의 제조방법 및 그에 따른 액정표시소자
JP3356429B2 (ja) * 2000-04-11 2002-12-16 日本電気株式会社 液晶表示装置および液晶プロジェクタ装置
US6566687B2 (en) * 2001-01-18 2003-05-20 International Business Machines Corporation Metal induced self-aligned crystallization of Si layer for TFT
US20040135939A1 (en) * 2003-01-14 2004-07-15 Fang-Chen Luo Liquid crystal display device with light shielding structure and method for forming the same
TWI240135B (en) * 2003-06-05 2005-09-21 Au Optronics Corp Method of stabilizing parasitic capacitance in an LCD device
KR20060073374A (ko) * 2004-12-24 2006-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102654508B1 (ko) * 2016-05-04 2024-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114530456A (zh) * 2020-11-06 2022-05-24 福州京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05313197A (ja) * 1992-05-13 1993-11-26 Sharp Corp アクティブマトリクス基板
KR960035088A (ko) * 1995-03-20 1996-10-24 이데이 노부유키 액티브매트릭스형 표시장치
JPH0933951A (ja) * 1995-07-25 1997-02-07 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JPH0990425A (ja) * 1995-09-19 1997-04-04 Sony Corp 表示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2875363B2 (ja) * 1990-08-08 1999-03-31 株式会社日立製作所 液晶表示装置
SG81187A1 (en) * 1991-11-29 2001-06-19 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
NL194848C (nl) * 1992-06-01 2003-04-03 Samsung Electronics Co Ltd Vloeibaar-kristalindicatorinrichting.

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05313197A (ja) * 1992-05-13 1993-11-26 Sharp Corp アクティブマトリクス基板
KR960035088A (ko) * 1995-03-20 1996-10-24 이데이 노부유키 액티브매트릭스형 표시장치
JPH0933951A (ja) * 1995-07-25 1997-02-07 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JPH0990425A (ja) * 1995-09-19 1997-04-04 Sony Corp 表示装置

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