JPS5838922A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS5838922A JPS5838922A JP56137414A JP13741481A JPS5838922A JP S5838922 A JPS5838922 A JP S5838922A JP 56137414 A JP56137414 A JP 56137414A JP 13741481 A JP13741481 A JP 13741481A JP S5838922 A JPS5838922 A JP S5838922A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- voltage
- crystal display
- metal
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Nonlinear Science (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属−絶縁体−金属（以後ＭＸＭと略す）構
造を有する液晶表示装置に関する。
造を有する液晶表示装置に関する。
ＭＵＭ素子は、その電流−電８：特性が非錬履であるこ
とから、ＭＩＭ素子を液晶表示装置の液晶表示上ｋＫ付
加することｋｘり液晶表示装置の電圧ｉコシシラスト特
性を改譬する仁とが出来る。
とから、ＭＩＭ素子を液晶表示装置の液晶表示上ｋＫ付
加することｋｘり液晶表示装置の電圧ｉコシシラスト特
性を改譬する仁とが出来る。
第１図は、ＭｘＭ素子を用いたマシリタスＩＩ示の箪晶
−表示装置模式図である。非線製素子であるＭＩＭ素子
１と液晶セル２の直列回路を−ｖトリクス状に配線し九
４のであ）、Ｍ：ｔＭ素子紘図中のＸ軸側配線に、會た
液晶セルはＸ軸側配ａｌＫｌ絖される。Ｘ軸側配線及び
Ｘ軸側配線に従来の＋バイアス法、＋バイアス法等を印
加することＫよりダイナ２ツタ駆動表示が出来る。さら
に非線製素子であるＭＩＭ素子を液晶セルに直列接続し
たことＫより電圧−コントラス）特性の優れ九液晶表示
が可能となる。
−表示装置模式図である。非線製素子であるＭＩＭ素子
１と液晶セル２の直列回路を−ｖトリクス状に配線し九
４のであ）、Ｍ：ｔＭ素子紘図中のＸ軸側配線に、會た
液晶セルはＸ軸側配ａｌＫｌ絖される。Ｘ軸側配線及び
Ｘ軸側配線に従来の＋バイアス法、＋バイアス法等を印
加することＫよりダイナ２ツタ駆動表示が出来る。さら
に非線製素子であるＭＩＭ素子を液晶セルに直列接続し
たことＫより電圧−コントラス）特性の優れ九液晶表示
が可能となる。
第６図は、＋バイアス法の駆動波形例であり、図ｔ）ｔ
ｅＮ 、 （＆）のアト°レス信号、及びこれに同期し
た図の（＃１の表示信号０２種から成り立りて−る。こ
れらの信号は液晶物質をはさむ相対する電１ｉＫ印加さ
れる亀ので実際に液晶にかかる電圧波形は図のＣ♂、
（ｍｌのようＫｔ”化し、図のｔｄｋが選択点での波形
、図のＣ−１が非選択点での波形となる。この図でわか
るように液晶には常にバイアス電圧マが印加されて−る
ことｋなるのでコントラストのよい表示を得るためＫは
、このバイアス電圧Ｖを第２図の液晶の電圧−コシシラ
スト特性のしき−値電圧ｖｔｈ以下にとり、非選択点で
の表示消去を行なわねばなら１へまた、この時の点灯画
素のコントラストは選択波形の実効値Ｖ翼Ｍ８できまり
、この賽効値マＩＭＩ Ｆｉ次式のデユーティ比１／Ｎ
Ｋ依存している。
ｅＮ 、 （＆）のアト°レス信号、及びこれに同期し
た図の（＃１の表示信号０２種から成り立りて−る。こ
れらの信号は液晶物質をはさむ相対する電１ｉＫ印加さ
れる亀ので実際に液晶にかかる電圧波形は図のＣ♂、
（ｍｌのようＫｔ”化し、図のｔｄｋが選択点での波形
、図のＣ−１が非選択点での波形となる。この図でわか
るように液晶には常にバイアス電圧マが印加されて−る
ことｋなるのでコントラストのよい表示を得るためＫは
、このバイアス電圧Ｖを第２図の液晶の電圧−コシシラ
スト特性のしき−値電圧ｖｔｈ以下にとり、非選択点で
の表示消去を行なわねばなら１へまた、この時の点灯画
素のコントラストは選択波形の実効値Ｖ翼Ｍ８できまり
、この賽効値マＩＭＩ Ｆｉ次式のデユーティ比１／Ｎ
Ｋ依存している。
Ｖ ！１Ｍａ ｍ ｖｆｖ「７Ｔ１１ ＠ ＠ （１ま
たソし、夏はダイナミッタ駆動に於社るアドレス線数で
あり、またＶけバイアス電圧を表わす。
たソし、夏はダイナミッタ駆動に於社るアドレス線数で
あり、またＶけバイアス電圧を表わす。
通常Ｖは前述の理由によって液晶のしきい値電圧ｖｔｈ
以下にとらねばなら′＆偽ため、この式よ参以下のこと
が判明する。即ち、アドレス線数が多くなるほど選択点
での実効電圧Ｖ ３１Ｍ８はパイ了ス電圧Ｖ、従うてし
き一値電圧ｖｔｈＫ近づくため液晶の表示特性からいっ
て充分な表示：Ｉｙ ）ラスシを得ることが―しくなる
。このことからダイナミック駆動用の液晶表示には特に
電圧−コントラスト特性に明確なしき込値を有すること
が要求されていることがわかる。しかるに１現用の液晶
表示特性は第７図に示すようにこの要求に対し充分とは
ｂえない、ｔたこの慎温ｆＫよる電圧−コントラスシ特
性のシフトが大きいこと、見る方向によるコントラスト
特性の変化、即ち視角依存性があることなどからアドレ
スａ数としては２〜４本、多桁表示では２〜４デジツト
程にのダイナミック駆動以外要用には供し得ないのが現
状である。
以下にとらねばなら′＆偽ため、この式よ参以下のこと
が判明する。即ち、アドレス線数が多くなるほど選択点
での実効電圧Ｖ ３１Ｍ８はパイ了ス電圧Ｖ、従うてし
き一値電圧ｖｔｈＫ近づくため液晶の表示特性からいっ
て充分な表示：Ｉｙ ）ラスシを得ることが―しくなる
。このことからダイナミック駆動用の液晶表示には特に
電圧−コントラスト特性に明確なしき込値を有すること
が要求されていることがわかる。しかるに１現用の液晶
表示特性は第７図に示すようにこの要求に対し充分とは
ｂえない、ｔたこの慎温ｆＫよる電圧−コントラスシ特
性のシフトが大きいこと、見る方向によるコントラスト
特性の変化、即ち視角依存性があることなどからアドレ
スａ数としては２〜４本、多桁表示では２〜４デジツト
程にのダイナミック駆動以外要用には供し得ないのが現
状である。
第８図のような特性を有する非線形素子と液晶の表示素
子を直列に組合せることに工９第９図の電圧−コントラ
スト特性を得る。第７図の液晶だ社の特性と比べると、
明らかＫしき偽値が明確になりている。これは低電圧領
域にお行る非線形素子が第８図の特性によって高抵抗体
として働き、これが液晶の抵抗とコンパラブルであるた
め、液晶にかかる印加電圧は実際の印加電圧より小とな
り、見かけ上液晶の電圧−コントラスト特性が高電圧側
ヘシフトするためである。一方高電圧がこのデバイスに
印加された場合には非線形素子は抵抗体としてふるまう
ので印加電圧の大部分が液晶にかかり、特性のシフきは
少ない、従って液晶の表示特性は、みかけ上第９図のよ
うに押し縮められた形となってしきい値が１カ明らかに
なる。
子を直列に組合せることに工９第９図の電圧−コントラ
スト特性を得る。第７図の液晶だ社の特性と比べると、
明らかＫしき偽値が明確になりている。これは低電圧領
域にお行る非線形素子が第８図の特性によって高抵抗体
として働き、これが液晶の抵抗とコンパラブルであるた
め、液晶にかかる印加電圧は実際の印加電圧より小とな
り、見かけ上液晶の電圧−コントラスト特性が高電圧側
ヘシフトするためである。一方高電圧がこのデバイスに
印加された場合には非線形素子は抵抗体としてふるまう
ので印加電圧の大部分が液晶にかかり、特性のシフきは
少ない、従って液晶の表示特性は、みかけ上第９図のよ
うに押し縮められた形となってしきい値が１カ明らかに
なる。
以−ヒの工う［ＭＩＭ素子を液晶表示特性の表示セルに
付加することに工抄液晶表示装饋の電圧−コントラス）
特性を改善することが出来る。
付加することに工抄液晶表示装饋の電圧−コントラス）
特性を改善することが出来る。
ＭＩＭ素子の製造方法は以下９通りである。ガラス等０
ｆＦｔｌ上に金属薄膜を形成し、これを所望の形状にパ
ターｙ＝ングする０次に金属薄膜の表面を陽極酸化して
、先Ｊｃ ＜＜ターｙ二ｙダした全真表面を金属酸化物
の絶縁体で拘った後、金属膜を形成、所望の形状にパタ
ーンニンダしてＭＩ証素子を形成する。
ｆＦｔｌ上に金属薄膜を形成し、これを所望の形状にパ
ターｙ＝ングする０次に金属薄膜の表面を陽極酸化して
、先Ｊｃ ＜＜ターｙ二ｙダした全真表面を金属酸化物
の絶縁体で拘った後、金属膜を形成、所望の形状にパタ
ーンニンダしてＭＩ証素子を形成する。
ＭＩＭ素子を液晶表示装置Ｋ付加する場合のＭＸＭ素子
側基板を第２図に示す、Ｙ″軸側配線及びＭＩＭ素子電
極となる金属配線３を形成したのち、前記金属配線３の
うちリード端子となる部分４に電源を接続して、クエン
酸水溶液等に浸し、白金電極等の間で電界を加えること
に１９前配金属配線３表面を陽極酸化する。金属配線３
０１部はＭＩＭ素子の片側金属とな９、金属酸化膜はＭ
工Ｍ素子の絶縁体となる。さらに上層にＭＩＭ素子の一
方の金属５を形成し、透明電極６を形成して第２図に示
した基板を得石。陽極酸化は電界を加える必要がＩｈす
、第３図に示す２うに金属配線４が断線して論る場合、
断線箇所以後の金属配線５は陽極酸化されず欠陥となる
。
側基板を第２図に示す、Ｙ″軸側配線及びＭＩＭ素子電
極となる金属配線３を形成したのち、前記金属配線３の
うちリード端子となる部分４に電源を接続して、クエン
酸水溶液等に浸し、白金電極等の間で電界を加えること
に１９前配金属配線３表面を陽極酸化する。金属配線３
０１部はＭＩＭ素子の片側金属とな９、金属酸化膜はＭ
工Ｍ素子の絶縁体となる。さらに上層にＭＩＭ素子の一
方の金属５を形成し、透明電極６を形成して第２図に示
した基板を得石。陽極酸化は電界を加える必要がＩｈす
、第３図に示す２うに金属配線４が断線して論る場合、
断線箇所以後の金属配線５は陽極酸化されず欠陥となる
。
本発明けかかる欠点を除去しＭｘ輩素子を有する液晶表
示特性の歩留りを向上することｋあ２゜本発明は第４図
、第５図に示す２５に陽極酸化される金属配線７．９を
電気的に閉回路とすることＫより金属配線が断線しても
陽極酸化の電極となゐ１１−Ｖ部と電気的に接続されて
いるようＫなる。第４図は一本の配線が１つの閉回路で
形成されて−る。し九がって第４図のような方法では、
１本の配線が複数箇所で断線している場合は、陽極酸化
されな＾場合がある。ｓｊ！際上１本の配線に２箇所以
上断線空生ずることはほとんど無（、断＃１による陽極
酸化不良は第４図の方、法によりほとんど除去できる。
示特性の歩留りを向上することｋあ２゜本発明は第４図
、第５図に示す２５に陽極酸化される金属配線７．９を
電気的に閉回路とすることＫより金属配線が断線しても
陽極酸化の電極となゐ１１−Ｖ部と電気的に接続されて
いるようＫなる。第４図は一本の配線が１つの閉回路で
形成されて−る。し九がって第４図のような方法では、
１本の配線が複数箇所で断線している場合は、陽極酸化
されな＾場合がある。ｓｊ！際上１本の配線に２箇所以
上断線空生ずることはほとんど無（、断＃１による陽極
酸化不良は第４図の方、法によりほとんど除去できる。
しかし断線の危険性がさらに高い場合は１本の配線に複
数箇所の断線が生ずる危険性が有り、この場合は第５図
の方法で断線による陽極酸化不良は除去できる。第５図
は１本の配線が複数のループから成りて論るもので断線
が置数箇所で生じて論て屯電気的に接続されているため
、陽極酸化による不良を防ぐことができる。８、１０
、１１・・・断線。
数箇所の断線が生ずる危険性が有り、この場合は第５図
の方法で断線による陽極酸化不良は除去できる。第５図
は１本の配線が複数のループから成りて論るもので断線
が置数箇所で生じて論て屯電気的に接続されているため
、陽極酸化による不良を防ぐことができる。８、１０
、１１・・・断線。
断線の原因としては、金属膜やレジスト膜のピンホール
、ゴミ等が多（その大きさは数十Ｓ＋ｔＯ奄のが多い、
したがって金属配線の閉回路の配線間隔は百趨以上とす
ることが望ましい、なお金属配線の閉回路が構造上もし
くは面積上で不都合な場合は後工程でその一部を除去し
てもその効果は変わらない０以上本発明に工り従来−断
線に１り生じてにた陽極酸化の不良はほとんど無くなり
、陽極酸化での歩留りは１００憾近いものとなった。
、ゴミ等が多（その大きさは数十Ｓ＋ｔＯ奄のが多い、
したがって金属配線の閉回路の配線間隔は百趨以上とす
ることが望ましい、なお金属配線の閉回路が構造上もし
くは面積上で不都合な場合は後工程でその一部を除去し
てもその効果は変わらない０以上本発明に工り従来−断
線に１り生じてにた陽極酸化の不良はほとんど無くなり
、陽極酸化での歩留りは１００憾近いものとなった。
第１図は、Ｍ１輩素子を用込たマトリクＸＩ！示の液晶
表示装買の模式図である。 第２図は、ＭｘＭ・素子を用ｔｎ九液晶マトリクス表示
装置を示す。 第３図は、被陽極酸化金属配線の断線を示す。 第４図は、本発明による被陽極酸化金属配線を示し、１
本の金属配線が１つのループからなる金属配線方法を示
す。 第５図は、本発明による被陽極酸化金属配線を示し、１
本の金属配線が複数のループからなる金属配線方法を示
す。 第６図は、液晶の＋バイアスダイナミック駆動波形例で
ある。 ＣｃＬｌ 、 （ｂ） ＊ ｅ−＠アドレス信号（１）
＠・・・・表示信号 １碩・・・・―選択波形 （ｓｅｅｓ−−１非選択波形 第７図は、液晶の電圧−コントラスト特性である。ｖｔ
ｈ・・しきい値、マ１αｔ・・飽和電田第８図は、非線
形素子の電圧→電流特性である。 第９磨鉱、非線形素子を付加した液晶の電圧−コントラ
スト特性である。 出１Ａ ７式会″ｓｔｈ精１５Ｔ３、 ’、＋’ｉ ６ ！メｉ 第７図 第９図
表示装買の模式図である。 第２図は、ＭｘＭ・素子を用ｔｎ九液晶マトリクス表示
装置を示す。 第３図は、被陽極酸化金属配線の断線を示す。 第４図は、本発明による被陽極酸化金属配線を示し、１
本の金属配線が１つのループからなる金属配線方法を示
す。 第５図は、本発明による被陽極酸化金属配線を示し、１
本の金属配線が複数のループからなる金属配線方法を示
す。 第６図は、液晶の＋バイアスダイナミック駆動波形例で
ある。 ＣｃＬｌ 、 （ｂ） ＊ ｅ−＠アドレス信号（１）
＠・・・・表示信号 １碩・・・・―選択波形 （ｓｅｅｓ−−１非選択波形 第７図は、液晶の電圧−コントラスト特性である。ｖｔ
ｈ・・しきい値、マ１αｔ・・飽和電田第８図は、非線
形素子の電圧→電流特性である。 第９磨鉱、非線形素子を付加した液晶の電圧−コントラ
スト特性である。 出１Ａ ７式会″ｓｔｈ精１５Ｔ３、 ’、＋’ｉ ６ ！メｉ 第７図 第９図
Claims (1)
- 金属−絶縁体−金属構造をマシリクヌ状に有し、前記絶
縁体は前記金属の一部を陽極酸化して形成された液晶表
示装置にお論て、前記被陽極酸化金属による金属配線が
電気的に少なくとも１つの網回路と′＆っていることを
轡做とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56137414A JPS5838922A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56137414A JPS5838922A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5838922A true JPS5838922A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15198071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56137414A Pending JPS5838922A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838922A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250684A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 横型二端子素子 |
| NL9300895A (nl) * | 1992-06-01 | 1994-01-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Vloeibare kristallen-indicator en werkwijze voor het vervaardigen ervan. |
| WO1998045752A1 (fr) * | 1997-04-09 | 1998-10-15 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication de dispositif a cristal liquide |
-
1981
- 1981-09-01 JP JP56137414A patent/JPS5838922A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250684A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 横型二端子素子 |
| NL9300895A (nl) * | 1992-06-01 | 1994-01-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Vloeibare kristallen-indicator en werkwijze voor het vervaardigen ervan. |
| WO1998045752A1 (fr) * | 1997-04-09 | 1998-10-15 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication de dispositif a cristal liquide |
| US6341005B1 (en) | 1997-04-09 | 2002-01-22 | Seiko Epson Corporation | Method for producing liquid crystal device with conductors arranged in a matrix |
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