JPS5888787A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS5888787A JPS5888787A JP56188032A JP18803281A JPS5888787A JP S5888787 A JPS5888787 A JP S5888787A JP 56188032 A JP56188032 A JP 56188032A JP 18803281 A JP18803281 A JP 18803281A JP S5888787 A JPS5888787 A JP S5888787A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- crystal drive
- display device
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非線形素子をマ） ＩＪクス状に配置して成る
液晶表示袋ｆ６に関する。更に詳しくは、該非線形素子
の電気特性測定方法及び該電気特性測定が可能は液晶表
示装置の構造に関する。
液晶表示袋ｆ６に関する。更に詳しくは、該非線形素子
の電気特性測定方法及び該電気特性測定が可能は液晶表
示装置の構造に関する。
本発明による液晶表示装置は、大容量ドツトマトリクス
液晶表示装置である。各ドツト（液晶表示画素）を走査
線とデータ線がマ） ＩＪクス状に配列された交点の電
極とした場合は、該交点に於ける電圧の一すイクル当り
の実効値が液晶のしきい（ｒＵより高い場合は点燈し、
該実効値が低い場合は非点燈となる。
液晶表示装置である。各ドツト（液晶表示画素）を走査
線とデータ線がマ） ＩＪクス状に配列された交点の電
極とした場合は、該交点に於ける電圧の一すイクル当り
の実効値が液晶のしきい（ｒＵより高い場合は点燈し、
該実効値が低い場合は非点燈となる。
一方該走査線数を増加させるに従い、交点に於ける選択
時間が短くなり、駆動電圧が一定であれば、液晶を点燈
するＶ ｓａｔ以上の実効値を得ることは困難となる。
時間が短くなり、駆動電圧が一定であれば、液晶を点燈
するＶ ｓａｔ以上の実効値を得ることは困難となる。
次に駆動電圧を上昇させると、逆に選択されていない交
点の実効値も増加してしまう。液晶のしきい値特性の悪
さによる７０スト−りの発生を抑え実用に耐えうるコン
トラストを得る為の限度は１６分の１デー−ティーまで
である。
点の実効値も増加してしまう。液晶のしきい値特性の悪
さによる７０スト−りの発生を抑え実用に耐えうるコン
トラストを得る為の限度は１６分の１デー−ティーまで
である。
デユーティ−を上げる方法として、従来は走査線とデー
タ線の間に液晶層を介して非線形素子である金属−絶縁
体−金属素子（以下Ｍ工Ｍ素子と記す）を形成して、一
方の金属と走査線を接続した。該Ｍ工Ｍ素子がダイオー
ド特性に近い性態を有していれば、走査線からの選択信
号を選択期間内にＭＩＭ素子内に蓄えて、非選択期間に
於ける実効値の低下を補うことができる。液晶の透電率
や抵抗率によって若干具なるが、数百デー−ティを得る
ことは容易に実現できる。
タ線の間に液晶層を介して非線形素子である金属−絶縁
体−金属素子（以下Ｍ工Ｍ素子と記す）を形成して、一
方の金属と走査線を接続した。該Ｍ工Ｍ素子がダイオー
ド特性に近い性態を有していれば、走査線からの選択信
号を選択期間内にＭＩＭ素子内に蓄えて、非選択期間に
於ける実効値の低下を補うことができる。液晶の透電率
や抵抗率によって若干具なるが、数百デー−ティを得る
ことは容易に実現できる。
従来の液晶表示装置のパターンの一例を第１図に示す。
該パターンはガラス基板上に形成する。
図中１０１のタイミングラインを一方の電極としてシ
１０２の金属薄膜との間に酸化膜を形成し、Ｍ工Ｍ素子
を構成する。１０３は金属薄膜と接続する透明金属であ
り、液晶に電圧を印加し駆動する液晶駆動電極である。
１０２の金属薄膜との間に酸化膜を形成し、Ｍ工Ｍ素子
を構成する。１０３は金属薄膜と接続する透明金属であ
り、液晶に電圧を印加し駆動する液晶駆動電極である。
本図はパターンの一部を図示したにすぎず、実際のパタ
ーンはタイミングラインが数百本形成されている。更に
該タイミングラインに接続する液晶駆動電極は、該−タ
イミングライン当り数百個形成され、パターン全体の画
素数は数万個となる。
ーンはタイミングラインが数百本形成されている。更に
該タイミングラインに接続する液晶駆動電極は、該−タ
イミングライン当り数百個形成され、パターン全体の画
素数は数万個となる。
各々の画素が全て良品であることが望ましいが実際には
、製造工程に於ける種々のトラブルに起因するタイミン
グラインの断線、Ｍ工Ｍ素子の欠陥及び液晶駆動電極の
パターン不良等の欠陥が発生する。
、製造工程に於ける種々のトラブルに起因するタイミン
グラインの断線、Ｍ工Ｍ素子の欠陥及び液晶駆動電極の
パターン不良等の欠陥が発生する。
タイミングラインの断線は、両端に針を接触し、該タイ
ミングラインの抵抗を測定することにより調べることが
できる。しかし、画素に発生した欠陥は、実装し実際に
駆動した時に、液晶の動作を確認しなければ欠陥の有無
及び欠陥場所を発見することはできない。
ミングラインの抵抗を測定することにより調べることが
できる。しかし、画素に発生した欠陥は、実装し実際に
駆動した時に、液晶の動作を確認しなければ欠陥の有無
及び欠陥場所を発見することはできない。
一方Ｍ工Ｍ素子の欠陥とは厳密に言えば、素子特性の不
良であるが、最終的には液晶を数百デユーティの選択時
間で充分駆動できるか否かで、液晶のＶｓａｔより高い
実効電圧を維持できるものが良品でそれ以外は不良であ
る。
良であるが、最終的には液晶を数百デユーティの選択時
間で充分駆動できるか否かで、液晶のＶｓａｔより高い
実効電圧を維持できるものが良品でそれ以外は不良であ
る。
前記したように、実装しなければ画素の欠陥を調べるこ
とができず、欠陥の解析を行なう為には該実装した液晶
表示装置を壊さなければならず、非常に困難である。
とができず、欠陥の解析を行なう為には該実装した液晶
表示装置を壊さなければならず、非常に困難である。
更に欠陥の修正も行なうことができず、歩留の低下、実
装工程によるコストアップ等の欠点があり、その改良が
望まれる。
装工程によるコストアップ等の欠点があり、その改良が
望まれる。
本発明は前記した欠点を除去したもので、その目的は液
晶表示装置の画素の電気特性を、実装前に測定できる液
晶表示装置の構造及び該電気特性の測定方法を提供する
ものである。
晶表示装置の画素の電気特性を、実装前に測定できる液
晶表示装置の構造及び該電気特性の測定方法を提供する
ものである。
本発明による液晶表示装置の構造を以下詳しく説明する
。
。
第２，３図は実施例であり、図中２０１〜２０３及び３
０１〜３０３は従来のパターンの説明の内容と同様であ
るので、省略する。２０４．３０４は液晶駆動電極を各
行ごとに接続する簿膜であり、３０５は液晶駆動電極と
外部との電気的に接続する為の端子である。斜線で示さ
れている部分は、液晶θに動電枠と同じ薄膜であり、該
電極を同時に形成する。
０１〜３０３は従来のパターンの説明の内容と同様であ
るので、省略する。２０４．３０４は液晶駆動電極を各
行ごとに接続する簿膜であり、３０５は液晶駆動電極と
外部との電気的に接続する為の端子である。斜線で示さ
れている部分は、液晶θに動電枠と同じ薄膜であり、該
電極を同時に形成する。
液晶駆動電極は酸化インジウム薄膜、該酸化インジウム
薄膜上に同じパターンの金薄膜を形成して成る薄膜及び
金薄膜、以上３種類の薄膜のいずれか１つを用いて形成
する。
薄膜上に同じパターンの金薄膜を形成して成る薄膜及び
金薄膜、以上３種類の薄膜のいずれか１つを用いて形成
する。
第２，３図の等価回路と前記構造による画素測定の方法
を次に説明する。
を次に説明する。
第４図に於いて図中４０１はタイミングライン、４０２
はＭ工Ｍ素子の等価回路、４０３は液晶駆動電極ライン
、４０４，４０５は前記タイミングライン及び液晶駆動
ラインと外部とを電気的に接続する端子、４０６はシス
トレジスタ、４０７はＭＯＳ）ランジスタにより成るト
ランスミッションゲート（以下アナログスイッチと記す
）である。
はＭ工Ｍ素子の等価回路、４０３は液晶駆動電極ライン
、４０４，４０５は前記タイミングライン及び液晶駆動
ラインと外部とを電気的に接続する端子、４０６はシス
トレジスタ、４０７はＭＯＳ）ランジスタにより成るト
ランスミッションゲート（以下アナログスイッチと記す
）である。
液晶駆動装置と外部のシフトレジスタとの接続は、プロ
ーブカードによる斜接触及び異方性導電ゴム、ヒートシ
ールによる圧着接触により行なう。
ーブカードによる斜接触及び異方性導電ゴム、ヒートシ
ールによる圧着接触により行なう。
該ソフトレジスタで任意のアナログスイッチを選択し、
タイミングライン及び液晶駆動電極ラインを選択する。
タイミングライン及び液晶駆動電極ラインを選択する。
該アナログスイッチの一方はラインごとに全て接続して
、タイミングライン側をＶＴ液晶駆動電極ライン側を■
０とする。ＶＴと■０の間にインピーダンスメータ及び
キャバンターメータをＪｌし、ソフトレジスタにより選
択された各ラインの交点に於けるＭ工Ｍ素子の■−■特
性及び素子の容量を測定する。
、タイミングライン側をＶＴ液晶駆動電極ライン側を■
０とする。ＶＴと■０の間にインピーダンスメータ及び
キャバンターメータをＪｌし、ソフトレジスタにより選
択された各ラインの交点に於けるＭ工Ｍ素子の■−■特
性及び素子の容量を測定する。
この場合、液晶駆動電極ラインとタイミングラインの交
点自体も一種のＭ工Ｍ構造を有してしまう為に、前記測
定データーの補正が必要である。
点自体も一種のＭ工Ｍ構造を有してしまう為に、前記測
定データーの補正が必要である。
交点に於ける■−工特性を測定すると第５図（ａ）に示
すように、液晶駆動電極ライン側を負極とし、タイミン
グ側を正極とした場合はほとんど同様の特性を示す。（
＋、）が等価回路でありＭＴ、Ｍ素子の等価回路と平列
に接続する。この為にＭ工Ｍ素子の■−■特性は、液晶
駆動電極ライン側を正極とし、タイミングライン側を負
極として測定した場合は、交点自体のＭ工Ｍ構造により
流れる電流値を考崩して、測定データーを補正し、その
逆の測定を行なった場合は補正を必要としない。客引の
測定は、極性に関係なく補正は必要である。
すように、液晶駆動電極ライン側を負極とし、タイミン
グ側を正極とした場合はほとんど同様の特性を示す。（
＋、）が等価回路でありＭＴ、Ｍ素子の等価回路と平列
に接続する。この為にＭ工Ｍ素子の■−■特性は、液晶
駆動電極ライン側を正極とし、タイミングライン側を負
極として測定した場合は、交点自体のＭ工Ｍ構造により
流れる電流値を考崩して、測定データーを補正し、その
逆の測定を行なった場合は補正を必要としない。客引の
測定は、極性に関係なく補正は必要である。
該交点自体のＭ工Ｍ構造によるＶ−２特性及び容はデー
ターは前もって測定しそのデーターのばらつきを把握す
る必要がある。
ターは前もって測定しそのデーターのばらつきを把握す
る必要がある。
このように測定して画素欠陥を発見したら、シフトレジ
スタが何段シフトしたかを数えることによって、該画素
の番地を見つけることができる。
スタが何段シフトしたかを数えることによって、該画素
の番地を見つけることができる。
ｆｌｌ１１定終了後、該液晶駆動装置を実装する為に、
液晶駆動電極間を接続する導体以外のパターンをレジス
ト等によりマスクし、エツチングすることにより従来の
液晶駆動装置パターンに戻す。
液晶駆動電極間を接続する導体以外のパターンをレジス
ト等によりマスクし、エツチングすることにより従来の
液晶駆動装置パターンに戻す。
本発明により、実装前に液晶駆動装置の画素欠陥の有無
を確認することができ、欠陥番地の修正及び解析が可能
となり、歩留りの向上及び解析結果を次の工程にフィー
ドバックし、製造工程の確立を達成することができる。
を確認することができ、欠陥番地の修正及び解析が可能
となり、歩留りの向上及び解析結果を次の工程にフィー
ドバックし、製造工程の確立を達成することができる。
第１図は従来の液晶駆動装置を構成するパターンの一部
の概観図である。 第２，６図は本発明による実施例のパターンの一部の概
観図である。 第４図は本発明による実施例のＭ工Ｍ素子の等価回路と
外部に接続する周辺回路の概略図である。 第５図（α）は、タイミングラインと液晶駆動電極ライ
ンの交点に於ける■−■特性を表わし、（１，）は該交
点の等価回路を表わす。 以 上 （９） ６０１
の概観図である。 第２，６図は本発明による実施例のパターンの一部の概
観図である。 第４図は本発明による実施例のＭ工Ｍ素子の等価回路と
外部に接続する周辺回路の概略図である。 第５図（α）は、タイミングラインと液晶駆動電極ライ
ンの交点に於ける■−■特性を表わし、（１，）は該交
点の等価回路を表わす。 以 上 （９） ６０１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 金属−絶縁体−金属構造による非線形素子をマ）
ＩＪクス状に配置し、該非線形素子の一方の金属を各
列配線にそれぞれ接続し、他方の金属を液晶駆動電極に
接続して成る液晶表示装置に於いて、該液晶駆動電極を
各行ごとに全て直列接続することを特徴とする液晶表示
装置。 ２ 非線形素子の一方の金属が接続されている列配線と
外部との電気的接続を取り、更に液晶駆動電極の各行と
外部との電気的接続を取ることにより各非線形素子の特
性を測定することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の液晶表示装置。 ３ 前記特性の測定が終了した後、該液晶駆動電極を接
続している金属をエツチングすることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188032A JPS5888787A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188032A JPS5888787A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888787A true JPS5888787A (ja) | 1983-05-26 |
| JPH0328717B2 JPH0328717B2 (ja) | 1991-04-19 |
Family
ID=16216466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56188032A Granted JPS5888787A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5888787A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6440818A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-13 | Fuji Electric Co Ltd | Production of display pannel |
| JPH03127031A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ２端子アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JP2020531874A (ja) * | 2017-08-29 | 2020-11-05 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | アレイ基板の製造方法、アレイ基板の中間製品、及びアレイ基板 |
-
1981
- 1981-11-24 JP JP56188032A patent/JPS5888787A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6440818A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-13 | Fuji Electric Co Ltd | Production of display pannel |
| JPH03127031A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ２端子アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JP2020531874A (ja) * | 2017-08-29 | 2020-11-05 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Ｂｏｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｒｏｕｐ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | アレイ基板の製造方法、アレイ基板の中間製品、及びアレイ基板 |
| US11521992B2 (en) | 2017-08-29 | 2022-12-06 | Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing array substrate, intermediate array substrate product, and array substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0328717B2 (ja) | 1991-04-19 |
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