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CN102983150A - 有机发光显示设备及其制造方法 - Google Patents

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CN102983150A
CN102983150A CN2012101569504A CN201210156950A CN102983150A CN 102983150 A CN102983150 A CN 102983150A CN 2012101569504 A CN2012101569504 A CN 2012101569504A CN 201210156950 A CN201210156950 A CN 201210156950A CN 102983150 A CN102983150 A CN 102983150A
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organic light
light emitting
display device
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CN2012101569504A
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许成权
康起宁
崔锺炫
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种有机发光显示设备，包括：薄膜晶体管，在衬底的显示区上，所述薄膜晶体管面对封装部件；有机发光装置，在所述显示区上，所述有机发光装置包括具有有机发射层的中间层；密封部件，在所述衬底与所述封装部件之间并且包围所述显示区；内部电路单元，在所述显示区与所述密封部件之间；钝化层，延伸为覆盖所述内部电路单元；像素限定层，在所述钝化层上；以及吸附剂，在所述衬底与所述封装部件之间，并且所述吸附剂与所述内部电路单元至少部分地交叠。

Description

有机发光显示设备及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年9月2日向韩国知识产权局提交的第10-2011-0089208号韩国专利申请的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
背景技术
显示技术的发展已使显示设备成为便携式且薄的平板显示装置。
发明内容
各实施方式可以通过提供有机发光显示设备来实现，其包括：衬底，包括显示区；封装部件，面对所述衬底；薄膜晶体管，在所述衬底的所述显示区上，所述薄膜晶体管面对所述封装部件，并且所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极；有机发光装置，在所述显示区上，所述有机发光装置电连接到所述薄膜晶体管，并且所述有机发光装置包括第一电极、第二电极以及插在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，并且所述中间层包括有机发射层；密封部件，在所述衬底与所述封装部件之间，所述密封部件包围所述显示区；内部电路单元，在所述显示区与所述密封部件之间；钝化层，在所述薄膜晶体管上并且延伸为覆盖所述内部电路单元；像素限定层，在所述钝化层上；以及吸附剂，在所述衬底与所述封装部件之间，所述吸附剂与所述内部电路单元至少部分地交叠。
所述钝化层可包括无机材料。所述吸附剂还可位于所述密封部件与所述显示区之间。所述吸附剂可在所述钝化层上。所述吸附剂可与所述像素限定层接触。所述吸附剂可包括Ba、Ca、Mg、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Ta、Th、Ce、Al以及Ni中的至少一种。
所述像素限定层可包括有机材料。所述中间层可与所述钝化层隔开，并且所述中间层可与所述像素限定层接触。所述有机发光显示设备还可包括：栅绝缘层，在所述有源层与所述栅电极之间；以及层间绝缘层，在所述栅电极上。所述源电极和漏电极可形成在所述层间绝缘层上。
所述第一电极可形成在所述栅绝缘层上。所述层间绝缘层可具有包括至少两个绝缘层的层叠结构。所述层间绝缘层可通过交替地层叠无机材料和有机材料而形成。所述第一电极可形成在多个绝缘层中的非最上层绝缘层的一个绝缘层上。
所述有机发光显示设备还可包括在所述衬底上的电容器。所述电容器可包括：第一电容器电极，与所述有源层在同一层上，并且包括与所述有源层相同的材料，以及第二电容器电极，与所述栅电极在同一层上，并且包括与所述第一电极相同的材料。所述第二电容器电极可具有比所述第一电容器电极更小的尺寸。
所述第一电极可包括透射传导材料。所述透射传导材料包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化铟镓（IGO）以及氧化铝锌（AZO）中的至少一种。
所述第一电极可通过相继层叠透射传导材料和半透射金属层而形成。所述第一电极可包括在所述半透射金属层之下的第二透射传导材料。所述半透射金属层可包括Ag。所述中间层可与所述薄膜晶体管为非交叠关系，并且与所述薄膜晶体管间隔开。
各实施方式还可以通过提供制造有机发光显示设备的方法来实现，该方法包括：在衬底的显示区上形成包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极的薄膜晶体管；在所述显示区上形成有机发光装置，所述有机发光装置电连接到所述薄膜晶体管，并且所述有机发光装置包括第一电极、第二电极以及插于所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，并且所述中间层包括有机发射层；在所述衬底与封装部件之间形成密封部件，所述密封部件包围所述显示区，并且所述薄膜晶体管位于所述衬底与所述封装部件之间；在所述显示区与所述密封部件之间形成内部电路单元；在所述薄膜晶体管上形成钝化层，所述钝化层延伸为覆盖所述内部电路单元；在所述钝化层上形成像素限定层；以及形成与所述内部电路单元至少部分交叠的吸附剂。
所述钝化层和所述像素限定层可分别具有与所述第一电极的上表面对应的开口。在形成所述像素限定层的所述开口之后可形成所述钝化层的所述开口。所述钝化层的所述开口可被所述像素限定层覆盖。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施方式，各特征将对本领域的技术人员变得明显，在附图中：
图1示出了根据示例性实施方式的有机发光显示设备的示意性平面图；
图2示出了沿图1的线II-II获取的截面图；
图3示出了图2中的部分A的放大图；
图4示出了根据示例性实施方式的有机发光显示设备的示意性平面图；
图5示出了沿图4的线V-V获取的截面图；
图6A至6F示出了根据示例性实施方式，用于相继描绘在制造有机发光显示设备的方法中的各阶段的视图。
具体实施方式
下文中将参照附图更加充分地描述示例性实施方式；然而，示例性实施方式可以以不同形式实施，而且不应该被解释为受本文所阐明的实施方式的限制。相反地，提供这些实施方式以使得该公开的内容会全面和完整，并且将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，层和区域的尺寸可以被夸大以用于使视图清楚。还应该理解，当一层或一个元件被称为“在”另一层或衬底“上”时，其可以直接在另一层或衬底上，或者它们之间可以存在多个层。而且，应该理解，当一层被称为“在”另一层“下”时，其能够直接在另一层下，或者它们之间可以存在一个或多个层。此外，还应该理解，当一层被称为“在”两层“之间”时，其能够为两层之间唯一的一层，或者它们之间还可以存在一个或多个层。在整个说明中，相同的参考标号指的是相同的元件。
例如“其中的至少一个”的措辞在一列元素之后时修饰整列元素，而不修饰该列中的单个元素。
图1示出了根据示例性实施方式的有机发光显示设备的示意性平面图，图2示出了沿图1的线II-II获取的截面图，图3示出了图2中的部分A的放大图。
参见图1至3，有机发光显示设备100包括衬底101、封装部件102、薄膜晶体管TFT、有机发光装置120、密封部件150、内部电路单元160、钝化层118、像素限定层119以及吸附剂170。
薄膜晶体管TFT可包括有源层112、栅电极114以及源电极和漏电极116和117。有机发光装置120可包括第一电极121、第二电极122以及中间层123。
将详细地描述这些元件中的每一个。
在衬底101上形成显示区101a。显示区101a上可形成多个子像素，子像素中的每一个均可包括发出可见光的有机发光装置120以及连接到有机发光装置120的至少一个薄膜晶体管TFT。
在衬底101的一侧可形成焊盘区101b，从而与显示区101a隔开，例如沿水平方向。在焊盘区101b上可安装有诸如数据驱动单元的集成电路（IC）芯片和多个焊盘。
衬底101可以是透明玻璃衬底，其中二氧化硅（SiO2）被用作主要成分。然而，实施方式不限于此，例如，还可以使用透明塑料衬底。就这一点而言，用于形成衬底101的塑料材料可以包括各种有机材料中的至少一种。
衬底101上可设有密封部件150，密封部件150可以围绕显示区101a延伸。例如，密封部件150可以完全包围显示区101a。密封部件150可以由各种材料形成，并且可以使衬底101与封装部件102接合。
在显示区101a与密封部件150之间可设有内部电路单元160，例如，内部电路单元160可以完全包围显示区101a。密封部件150可以完全包围内部电路单元160。内部电路单元160例如可以为扫描驱动单元或者发射控制驱动单元。图1中的内部电路单元160可以包围显示区101a的所有侧面，例如，完全包围显示区101a。然而，实施方式不限于此，例如，内部电路单元160可以形成为对应于显示区101a的一侧或者面对显示区101a的两侧。
在显示区101a的薄膜晶体管TFT上可设有钝化层118，钝化层118可以延伸以覆盖内部电路单元160。此外，钝化层118可以形成为与密封部件150接触。因此，可增大衬底101与封装部件102之间的结合力。钝化层118包括例如无机材料。
在钝化层118上可形成有像素限定层119。像素限定层119可以与内部电路单元160的上表面的一部分交叠。此外，像素限定层119可以接触吸附剂170。像素限定层119可包括有机材料，例如，基于聚酰亚胺的聚合物、丙烯聚合物和/或烯烃基聚合物。
像素限定层119可以限定形成有机发光装置120的中间层123的区域。稍后将描述这一点。
衬底101与封装部件102之间可设有吸附剂170。吸附剂170可以降低外部水分和氧气损害有机发光装置120、薄膜晶体管TFT以及其它薄膜的可能性和/或防止外部水分和氧气损害有机发光装置120、薄膜晶体管TFT以及其它薄膜。
吸附剂170可以与衬底101和封装部件102之间的空间中存在的水分或氧气进行反应，从而有效地去除水分和氧气。因此，吸附剂170降低了水分和氧气损害有机发光装置120、薄膜晶体管TFT以及其它薄膜的可能性和/或防止水分和氧气损害有机发光装置120、薄膜晶体管TFT以及其它薄膜。
吸附剂170包括Ba、Ca、Mg、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Ta、Th、Ce、Al以及Ni中的至少一种。例如，吸附剂170可以包括合金或氧化物，该合金或氧化物包含至少一种上述材料。
吸附剂170可以与内部电路单元160的至少一部分交叠。例如，吸附剂170可以处于内部电路单元160之上以及内部电路单元160上的钝化层118和像素限定层119的一部分之上。吸附剂170例如包括如上所述的金属或金属氧化物。如果吸附剂170与内部电路单元160交叠，例如直接在内部电路单元160上交叠，则吸附剂170中所包含的材料会渗透进内部电路单元160中，从而会使内部电路单元160中产生短路或者会引起其它损害。然而，根据示例性实施方式，由于钝化层118覆盖内部电路单元160，所以从根本上可防止吸附剂170中所包含的材料渗透进内部电路单元160。例如，当钝化层118包括无机材料时，吸附剂170中所包含的材料难以渗透进钝化层118，因而内部电路单元160可以得到有效的保护。
将参照图3更详细地描述显示区101a。衬底101上可以形成有缓冲层111。缓冲层111例如可包括SiO2和/或SiNx。缓冲层111可提供衬底101上的平坦表面，并且可降低水分和杂质渗透进衬底101的可能性和/或防止水分和杂质渗透进衬底101。
在缓冲层111上可形成有源层112。有源层112包括半导体材料，例如，非晶硅或者多晶硅。
在有源层112上可以形成有栅绝缘层113，在栅绝缘层113的预定区域中可以形成有栅电极114。栅绝缘层113可以使有源层112与栅电极114之间绝缘，并且栅绝缘层113可包括有机材料或无机材料，例如，SiNx或SiO2。
栅电极114可以由金属形成，例如Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al以及Mo，或者可以由金属合金形成，例如Al:Nd和Mo:W。然而，实施方式不限于此。栅电极114可以由考虑例如粘附性、表面平滑度、电阻以及可加工性的各种材料形成。栅电极114可以与发送电信号的栅极线（未示出）连接。
在栅电极114上可以形成有层间绝缘层115。层间绝缘层115和栅绝缘层113可以形成为暴露有源层112的源区域和漏区域，并且源电极和漏电极116和117可以与有源层112的暴露区域接触。
源电极和漏电极116和117可包括金属，例如，Au、Pd、Pt、Ni、Rh、Ru、Ir以及Os，或者Al和Mo的金属合金，例如，Al:Nd和Mo:W。然而，实施方式不限于此。
钝化层118可以形成为覆盖源电极和漏电极116和117。如上所述，钝化层118可以是无机绝缘层，其包括例如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、钛酸钡锶（BST），以及锆钛酸铅（PZT）等中的至少一种。然而，实施方式不限于此，例如，钝化层118可包括各种无机材料。
钝化层118可以形成为暴露漏电极117，有机发光装置120可以形成为连接到被暴露的漏电极117。有机发光装置120可包括第一电极121、第二电极122以及中间层123。特别地，第一电极121可以接触漏电极117。
中间层123可包括有机发射层，当电压被施加到第一电极121与第二电极122之间时，有机发射层发出可见光。
像素限定层119例如可利用绝缘材料形成在第一电极121上。如上所述，像素限定层119可包括有机材料。在像素限定层119中可形成开口，以暴露第一电极121。中间层123可以形成在被暴露的第一电极121上。接下来，第二电极122可以形成为连接到中间层123。
第一电极121和第二电极122可以分别具有阳极和阴极的极性。第一电极121和第二电极122的极性可以颠倒。
在第二电极122上可设有封装部件102。在有机发光显示设备100中，根据示例性的实施方式，封装部件102可设在衬底101上。通过利用密封部件150，衬底101和封装部件102可以彼此接合。这种结构可降低有机发光装置120、薄膜晶体管TFT和其它薄膜被例如外部冲击、水分和氧气损害的可能性和/或防止有机发光装置120、薄膜晶体管TFT和其它薄膜被例如外部冲击、水分和氧气损害。
在衬底101和封装部件102之间可设有吸附剂170。吸附剂170可去除渗透进衬底101与封装部件102之间的空间的水分和氧气，从而有效地保护有机发光装置120、薄膜晶体管TFT以及其它薄膜不被水分和氧气损害。
而且，当形成了覆盖薄膜晶体管TFT的钝化层118时，钝化层118可延伸以覆盖内部电路单元160。特别地，钝化层118可包括无机材料。因此，即使当吸附剂170与内部电路单元160交叠时，也可以从根本上防止用于形成吸附剂170的材料（例如，金属或金属氧化物）渗透进内部电路单元160并损害内部电路单元160。
因此，由于吸附剂170可以形成为不与内部电路单元160水平地隔开，而是形成为与内部电路单元160交叠，例如，位于内部电路单元160之上，所以显示区101a与密封部件150之间的空间可减小。因此，可以有效地利用有机发光显示设备100的衬底101上的空间。
此外，像素限定层119可以形成为与内部电路单元160的上表面交叠，以使得可以有效地降低和/或有效地防止内部电路单元160被钝化层118和像素限定层119的层叠结构损害内部电路单元160的可能性。
而且，像素限定层119可以形成为与吸附剂170接触，从而可以有效地降低和/或防止水分和氧气通过有机发光显示设备100的侧面而渗透。也就是说，吸附剂170、像素限定层119以及钝化层118可以相继排列，以充当抵抗水分和氧气的屏障。
图4示出了根据另一示例性实施方式的有机发光显示设备的示意性平面图，图5示出了沿图4的线V-V获取的截面图。
参见图4至5，有机发光显示设备200包括衬底201、封装部件202、薄膜晶体管TFT、有机发光装置217、密封部件250、内部电路单元260、钝化层218、像素限定层219、吸附剂270以及电容器214。
薄膜晶体管TFT可包括有源层203、栅电极205以及源电极和漏电极207和208。有机发光装置217可包括第一电极210、第二电极216以及中间层212。
衬底201可包括显示区201a。在显示区201a上可形成有多个子像素，子像素中的每一个均可包括发出可见光的有机发光装置217以及连接到有机发光装置217的至少一个薄膜晶体管TFT。
在衬底201的一侧形成焊盘区201b，以与显示区201a隔开。在焊盘区201b上可安装有诸如数据驱动单元的集成电路（IC）芯片以及多个焊盘。
绕衬底201上的显示区201a可设有密封部件250，例如，密封部件250可完全包围衬底201上的显示区201a。密封部件250可以由各种材料形成，并且可以使衬底201与封装部件202接合。
在显示区201a与密封部件250之间可设有内部电路单元260。内部电路单元260可以完全包围显示区201a，而密封部件250可以完全包围内部电路单元260。内部电路单元260例如可以为扫描驱动单元或者发射控制驱动单元。图4中的内部电路单元260可以包围显示区201a的所有侧面，但是实施方式不限于此。也就是说，内部电路单元260可以形成为对应于显示区201a的一侧或者面对显示区201a的两侧。
图5中示出的内部电路单元260包括电路单元有源层261、电路单元栅电极262、电路单元源电极263以及电路单元漏电极264。然而，内部电路单元260藉此例示，而且实施方式不限于此。例如，内部电路单元260也可以具有各种结构。
在显示区201a的薄膜晶体管TFT上可设有钝化层218，钝化层218可以延伸以覆盖内部电路单元260。钝化层218可以形成为与密封部件250接触。钝化层218可包括无机材料。
在钝化层218上可形成有像素限定层219。像素限定层219可以限定形成有机发光装置217的中间层212的区域。
在衬底201与封装部件202之间设有吸附剂270。吸附剂270与内部电路单元260的至少一部分交叠。以上已描述用于形成吸附剂270的材料，因而此处将省略对吸附剂270的详细描述。
将参照图5更详细地描述显示区201a。在衬底201上可形成有缓冲层215。缓冲层215不仅可以与显示区201a对应，而且可以与密封部件250对应。
在缓冲层215上可形成有源层203。在缓冲层215上可形成第一电容器电极211。第一电容器电极211可以由与有源层203相同的材料形成。此外，在缓冲层215上可形成电路单元有源层261，例如，电路单元有源层261可以由与有源层203相同的材料形成。
在缓冲层215上可以形成栅绝缘层204，以覆盖有源层203和第一电容器电极211。栅绝缘层204还可以形成为覆盖显示区201a和电路单元有源层261，以对应于包括密封部件250的区域。
在栅绝缘层204上可形成栅电极205、第一电极210以及第二电容器电极213。栅电极205可包括第一传导层205a和第二传导层205b。第一传导层205a可包括透射传导材料，透射传导材料的示例包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化铟镓（IGO）以及氧化铝锌（AZO）中的至少一种。第二传导层205b可以利用金属或金属合金形成在第一传导层205a上，例如Mo、MoW以及铝基合金，但是实施方式不限于此。
第一电极210可包括透射传导材料，并且可以由与第一传导层205a相同的材料形成。在第一电极210的预定区域上可设有传导单元210a，并且传导单元210a可以由与第二传导层205b相同的材料形成。
此外，第一电极210可以具有多层结构来替代单层结构。透射传导层可以形成在包括例如Ag的金属的半透射金属层上。也就是说，第一电极210例如可具有ITO/Ag结构。就这一点而言，也可以使用IZO、ZnO、In2O3、IGO以及AZO中的至少一种来替代ITO。
第一电极210还可以具有三层结构，例如，ITO/Ag/ITO结构。就这一点而言，还可以使用IZO、ZnO、In2O3、IGO以及AZO中的至少一种来替代ITO。
因此，产生于中间层212中的可见光可在第一电极210与第二电极216之间共振。因此，潜在地导致改善有机发光显示设备200的发光效率。
栅电极205的第一传导层205a也可以具有如第一电极210的双层或者三层结构。第二电容器电极213可包括第一层213a和第二层213b。第一层213a可以由与第一传导层205a相同的材料，第二层213b可以由与第二传导层205b相同的材料形成。第一层213a也可以具有如第一电极210的双层或者三层结构。
第二层213b可以形成在第一层213a上，以具有比第一层213a更小的尺寸。此外，第二电容器电极213可以与第一电容器电极211交叠，以具有比第一电容器电极211更小的尺寸。
在栅绝缘层204上可以形成内部电路单元260的电路单元栅电极262。电路单元栅电极262可如栅电极205那样包括两个层262a和262b，并且两个层262a和262b可以分别由与栅电极205的第一和第二传导层205a和205b相同的材料形成。
在第一电极210、栅电极205以及第二电容器电极213上可形成层间绝缘层206。层间绝缘层206可包括各种绝缘材料，例如有机材料或无机材料。层间绝缘层206可以形成为不仅对应于显示区201a，还对应于密封部件250，以覆盖电路单元栅电极262。
虽然本文未示出，但是层间绝缘层206可具有多层结构。例如，层间绝缘层206可具有包括至少两层的层叠结构，例如无机/有机层。因此，可以改善层间绝缘层206的绝缘及保护效果。就这一点而言，构成层间绝缘层206的无机层例如可以包括硅氧化物或者硅氮化物。
如果层间绝缘层206具有多层结构，那么第一电极210可以形成在层间绝缘层206的多个绝缘层中非最上层绝缘层的一个绝缘层上。
因此，栅电极205和第二电容器电极213可以形成在与其上形成有第一电极210的层不同的层上。因此，在形成栅电极205和第二电容器电极213时，不会损害第一电极210。
在层间绝缘层206上可以形成源电极和漏电极207和208。源电极和漏电极207和208可以形成为连接到有源层203。
此外，源电极和漏电极207和208中的一个可以电连接到第一电极210。在图5中，漏电极208可以电连接到第一电极210。特别地，漏电极208可以与传导单元210a接触。
在层间绝缘层206上可以形成电路单元源电极263和电路单元漏电极264，以连接到电路单元有源层261。电路单元源电极263和电路单元漏电极264可以分别由与源电极207或漏电极208相同的材料形成。
在层间绝缘层206上可以形成钝化层218，以覆盖薄膜晶体管TFT和电容器214。钝化层218可以具有与第一电极210的上表面对应的开口218a。钝化层218可以形成在电路单元源电极263和电路单元漏电极264上。也就是说，钝化层218可以形成为覆盖内部电路单元260。此外，钝化层218可以形成为与密封部件250对应，例如，在密封部件250之下。
在钝化层218上可以形成像素限定层219。像素限定层219可以形成为具有与第一电极210的上表面对应的开口219a，并且中间层212可以形成在通过像素限定层219的开口219a所暴露的第一电极210上。更具体地，像素限定层219的开口219a可对应于钝化层218的开口218a，并且像素限定层219的开口219a可具有比钝化层218的开口218a更小的尺寸。因此，钝化层218的开口218a可以用像素限定层219覆盖。因而，中间层212可以不接触钝化层218，而可接触像素限定层219。
像素限定层219可包括如上所述的有机材料。像素限定层219可以与内部电路单元260的上表面的一部分交叠，并且像素限定层219可以与吸附剂270接触。
在中间层212上可形成有第二电极216。在第二电极216上可设有封装部件202。
在根据示例性实施方式的有机发光显示设备200中，封装部件202可设在衬底201上，并且通过利用密封部件250，衬底201和封装部件202可以彼此接合。这种结构可以降低有机发光装置217、薄膜晶体管TFT以及其它薄膜被例如外部冲击、水分和氧气损害的可能性和/或防止有机发光装置217、薄膜晶体管TFT以及其它薄膜被例如外部冲击、水分和氧气损害。
此外，吸附剂270可以设在衬底201与封装部件202之间。吸附剂270可以去除渗透进衬底201与封装部件202之间的空间的水分和氧气，从而有效地防止有机发光装置217、薄膜晶体管TFT以及其它薄膜被例如水分和氧气损害。
此外，当形成了覆盖薄膜晶体管TFT的钝化层218时，钝化层218可以延伸以覆盖内部电路单元260。因此，即使吸附剂270与内部电路单元260交叠，也可以从根本上防止用于形成吸附剂270的材料（例如金属或金属氧化物）渗透进内部电路单元260并损害内部电路单元260。
因此，由于内部电路单元260可以得到稳固的保护，并且吸附剂270可以形成为与内部电路单元260交叠，所以可以减少显示区201a与密封部件250之间的空间。此外，由于栅电极205和电容器214可以利用相同的材料形成在同一层上，所以可以有效地减少有机发光显示设备200的厚度。而且，由于第一电极210可以包括半透射金属层，所以产生于中间层212中的可见光在第一电极210与第二电极216之间共振，这可以改善有机发光显示设备200的发光效率。
图6A至6F示出了根据示例性实施方式，用于相继描绘在制造有机发光显示设备的方法中的各阶段视图。具体地，图6A至6F描绘了在制造图4和5所示的有机发光显示设备200的方法中的各阶段。
参见图6A，可以在衬底201上形成缓冲层215、有源层203、第一电容器电极211、以及电路单元有源层261。更具体地，可以在衬底201上形成缓冲层215，在缓冲层215上形成有源层203，有源层203可以形成在显示区201a上，以具有预定的图案。可以将第一电容器电极211形成为例如沿水平方向与有源层203隔开。可以将电路单元有源层261形成为例如沿水平方向与显示区201a隔开。
可以在缓冲层215上形成栅绝缘层204，以覆盖有源层203和第一电容器电极211。可以将栅绝缘层204形成为不仅覆盖显示区201a，还覆盖电路单元有源层261。
接下来，参见图6B，可以在栅绝缘层204上形成包括第一和第二传导层205a和205b的栅电极205、包括第一和第二层262a和262b的电路单元栅电极262，以及包括第一和第二层213a和213b的第二电容器电极213。还可以形成第一电极210和传导单元210a。
可以同时形成栅电极205、第一电极210以及传导单元210a的图案。
第一电极210、栅电极205的第一传导层205a、第二电容器电极213的第一层213a以及电路单元栅电极262的第一层262a可以包括透射传导材料。透射传导材料的示例可包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）、氧化铟（In2O3）、氧化铟镓（IGO）以及氧化铝锌（AZO）中的至少一种。
第一电极210、栅电极205的第一传导层205a、第二电容器电极213的第一层213a以及电路单元栅电极262的第一层262a可具有多层结构来替代单层结构。透射传导层可以形成在包括例如Ag的金属的半透射金属层上。例如，传导材料层205c可具有ITO/Ag结构。就这一点而言，还可以使用IZO、ZnO、In2O3、IGO以及AZO中的至少一种来替代ITO。
第一电极210、栅电极205的第一传导层205a、第二电容器电极213的第一层213a以及电路单元栅电极262的第一层262a可具有三层结构，例如，ITO/Ag/ITO结构。就这一点而言，还可以使用IZO、ZnO、In2O3、IGO以及AZO来替代ITO。
接下来，可以在箭头所示的方向上注入掺杂物D。掺杂物可以是各种元素，例如，第3族元素如硼（B）或者第5族元素如磷（P）。
接下来，参见图6C，可以在传导单元210a、栅电极205以及第二电容器电极213上形成层间绝缘层206。就这一点而言，可以通过去除层间绝缘层206的一部分来形成开口，以与传导单元210a的预定区域对应。可以去除层间绝缘层206的一部分，以暴露第二电容器电极213的第二层213b的上表面的预定区域。
可以去除层间绝缘层206和栅绝缘层204的一部分，以暴露有源层203、电路单元有源层261以及第一电容器电极211的预定区域。
接下来，参见图6D，可以去除传导单元210a通过层间绝缘层206中的开口所暴露的区域，以暴露第一电极210。可以去除第二电容器电极213的第二层213b通过层间绝缘层206的开口所暴露的区域，以暴露第二电容器电极213的第一层213a。
可以将源电极和漏电极207和208形成为连接到有源层203，可以将电路单元源电极263和电路单元漏电极264形成为连接到电路单元有源层261。由此可制备薄膜晶体管TFT和内部电路单元260。
接下来，可在箭头所示的方向上将掺杂物D注入第一电容器电极211。也就是说，可以通过第二电容器电极213的第一层213a将掺杂物D注入第一电容器电极211。
接下来，参见图6E，可以在层间绝缘层206上形成钝化层218，以覆盖薄膜晶体管TFT和电容器214。
钝化层218可具有与第一电极210的上表面对应的开口218a。可以在电路单元源电极263和电路单元漏电极264上形成钝化层218。也就是说，可以将钝化层218形成为覆盖内部电路单元260。
可以在钝化层218上形成像素限定层219。可以将像素限定层219形成为具有与第一电极210的上表面对应的开口219a，并且像素限定层219的开口219a可以与钝化层218的开口218a对应，以具有比钝化层218的开口218a小的尺寸。因此，钝化层218的开口218a可以被像素限定层219覆盖。
像素限定层219可以与内部电路单元260的上表面的一部分交叠。
可以无需利用单独的掩模而利用像素限定层219的开口219a来形成钝化层218的开口218a。例如，可以相继层叠用于形成钝化层218的材料以及用于形成像素限定层219的材料。接下来，可以对用于形成像素限定层219的材料进行构图，以形成像素限定层219的开口219a。接下来，可以通过像素限定层219的开口219a来蚀刻用于形成钝化层218的材料，以形成钝化层218的开口218a。就这一点而言，钝化层218可以通过像素限定层219的开口219a部分地暴露。可以通过热处理使像素限定层219的一部分熔化，以流进钝化层218的开口218a，以使得钝化层218的开口218a可以被像素限定层219覆盖，并且钝化层218可不被像素限定层219的开口219a暴露。
也就是说，如图6E所示，像素限定层219的开口219a的尺寸小于与第一电极210对应的、钝化层218的开口218a的尺寸，并且钝化层218的开口218a可以与像素限定层219的开口219a隔开。
接下来，参见图6F，可以在第一电极210上形成中间层212，可以在中间层212上形成第二电极216，以制备有机发光装置217。
可以绕衬底201上的显示区201a设置密封部件250。可以将封装部件202设置为面对衬底201，并且可通过利用密封部件250将衬底201和封装部件202彼此接合。
可以在衬底201与封装部件202之间设置吸附剂270。吸附剂270可以与内部电路单元160中的至少一部分交叠。可以在钝化层218上形成吸附剂270。可以将吸附剂270形成为与像素限定层219接触。
如上所述，根据以上示例性实施方式中的一个或多个实施方式，有机发光显示设备可以具有出色的耐用性以及衬底上的较高的空间利用性。
通过总结与回顾，在平板装置之中，作为自发射型显示设备的有机发光显示设备具有宽视角、高对比度以及快速的响应速度，因而被视为下一代显示设备。有机发光显示设备可包括第一电极、第二电极以及中间层。中间层包括当电压施加到第一和第二电极时发出可见光的有机发射层。有机发光显示设备包括多个像素以及驱动像素的电路单元。构成有机发光显示设备的多个薄膜以及电路单元容易受到外部水分和氧气的侵害。因此，有机发光显示设备的耐用性可能恶化。
相比较而言，例如以上所阐述的示例性实施方式的各实施方式涉及具有出色的耐用性和衬底上较高的空间利用性的有机发光显示设备，以及制造该有机发光显示设备的方法。
本文已经公开了示例性实施方式，而且虽然采用了具体术语，但是这些术语仅旨在一般意义和描述意义上进行解释，而不是为了限制的目的。在一些实施例中，自提交本申请起对本领域技术人员应显而易见的是，关于具体的实施方式所描述的特征、特性和/或元件可以单独地使用，或者与关于其它的实施方式所描述的特征、特性和/或元件结合地使用，除非特别地另有所指。因此，本领域技术人员应该理解，可以在形式和细节中作出各种变化而不偏离本发明的精神和范围，本发明的精神和范围由所附的权利要求书阐述。

Claims (24)

1.一种有机发光显示设备，包括：
衬底，包括显示区；
封装部件，面对所述衬底；
薄膜晶体管，在所述衬底的所述显示区上，所述薄膜晶体管面对所述封装部件，并且所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极；
有机发光装置，在所述显示区上，所述有机发光装置电连接到所述薄膜晶体管，并且所述有机发光装置包括第一电极、第二电极以及插在所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，并且所述中间层包括有机发射层；
密封部件，在所述衬底与所述封装部件之间，所述密封部件包围所述显示区；
内部电路单元，在所述显示区与所述密封部件之间；
钝化层，在所述薄膜晶体管上并且延伸为覆盖所述内部电路单元；
像素限定层，在所述钝化层上；以及
吸附剂，在所述衬底与所述封装部件之间，所述吸附剂与所述内部电路单元至少部分地交叠。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述钝化层包括无机材料。
3.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述吸附剂还位于所述密封部件与所述显示区之间。
4.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述吸附剂在所述钝化层上。
5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述吸附剂与所述像素限定层接触。
6.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述吸附剂包括Ba、Ca、Mg、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Ta、Th、Ce、Al以及Ni中的至少一种。
7.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述像素限定层包括有机材料。
8.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述中间层与所述钝化层隔开，并且所述中间层与所述像素限定层接触。
9.如权利要求1所述的有机发光显示设备，还包括：
栅绝缘层，在所述有源层与所述栅电极之间；以及
层间绝缘层，在所述栅电极上，所述源电极和漏电极在所述层间绝缘层上。
10.如权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述第一电极在所述栅绝缘层上。
11.如权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述层间绝缘层具有包括至少两个绝缘层的层叠结构。
12.如权利要求11所述的有机发光显示设备，其中所述层间绝缘层包括交替地层叠于其中的无机材料和有机材料。
13.如权利要求11所述的有机发光显示设备，其中所述第一电极在多个绝缘层中的非最上层绝缘层的一个绝缘层上。
14.如权利要求1所述的有机发光显示设备，还包括在所述衬底上的电容器，其中所述电容器包括：
第一电容器电极，与所述有源层在同一层上，并且包括与所述有源层相同的材料，以及
第二电容器电极，与所述栅电极在同一层上，并且包括与所述第一电极相同的材料。
15.如权利要求14所述的有机发光显示设备，其中所述第二电容器电极具有比所述第一电容器电极更小的尺寸。
16.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一电极包括透射传导材料。
17.如权利要求16所述的有机发光显示设备，其中所述透射传导材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓以及氧化铝锌中的至少一种。
18.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一电极包括相继层叠于其中的透射传导材料和半透射金属层。
19.如权利要求18所述的有机发光显示设备，其中所述第一电极包括在所述半透射金属层之下的第二透射传导材料。
20.如权利要求18所述的有机发光显示设备，其中所述半透射金属层包括Ag。
21.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述中间层与所述薄膜晶体管为非交叠关系，并且与所述薄膜晶体管间隔开。
22.一种制造有机发光显示设备的方法，包括：
在衬底的显示区上形成包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极的薄膜晶体管；
在所述显示区上形成有机发光装置，所述有机发光装置电连接到所述薄膜晶体管，并且所述有机发光装置包括第一电极、第二电极以及插于所述第一电极与所述第二电极之间的中间层，并且所述中间层包括有机发射层；
在所述衬底与封装部件之间形成密封部件，所述密封部件包围所述显示区，并且所述薄膜晶体管位于所述衬底与所述封装部件之间；
在所述显示区与所述密封部件之间形成内部电路单元；
在所述薄膜晶体管上形成钝化层，所述钝化层延伸为覆盖所述内部电路单元；
在所述钝化层上形成像素限定层；以及
形成与所述内部电路单元至少部分交叠的吸附剂。
23.如权利要求22所述的方法，其中分别在所述钝化层和所述像素限定层中形成与所述第一电极的上表面对应的开口，在形成所述像素限定层的所述开口之后形成所述钝化层的所述开口。
24.如权利要求23所述的方法，其中所述钝化层的所述开口被所述像素限定层覆盖。
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