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CN107275363A - 显示装置 - Google Patents

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CN107275363A
CN107275363A CN201710029741.6A CN201710029741A CN107275363A CN 107275363 A CN107275363 A CN 107275363A CN 201710029741 A CN201710029741 A CN 201710029741A CN 107275363 A CN107275363 A CN 107275363A
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Abstract

提供了一种显示装置，该显示装置包括：基板；绝缘层，布置在基板上；贯通部分，配置为穿过基板和绝缘层；像素阵列，位于绝缘层上并且包括像素，每个像素包括发光元件，发光元件包括像素电极、面向像素电极的相对电极、以及布置在像素电极与相对电极之间的发射层，这些像素至少部分地围绕贯通部分；以及图案部分，布置在贯通部分与像素阵列之间，其中，该图案部分包括：凹槽，沿着绝缘层的厚度方向凹入；以及包覆层，布置在绝缘层上，配置为覆盖凹槽，并且包含不同于绝缘层的材料。

Description

显示装置
相关申请的交叉引证
本申请要求于2016年4月5日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0041731号的权益，通过引证将其全部公开内容结合于此。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示装置。
背景技术
近来，显示装置的目的已经变得更多样化。另外，显示装置具有纤细的外轮廓且重量轻，且因此显示装置的使用范围逐渐变宽。具体地，近来，显示装置不仅用在监视器和移动电话中，而且还用在诸如时钟的各种类型的设备中，并且因此，在显示装置的形状设计方面，正在对各种方法进行积极研究。
发明内容
一个或多个实施方式包括具有贯通部分(through portion)的显示装置。
其他方面将在随后的描述中部分地阐述并且部分地通过该描述而显而易见，或者可以通过对本发明实施方式的实践而获知。
根据一个或多个实施方式，显示装置包括：基板；绝缘层，布置在基板上；贯通部分，配置为穿过基板和绝缘层；像素阵列，位于绝缘层上并且包括像素，每个像素包括发光元件，发光元件包括彼此面对的像素电极和相对电极、以及布置在像素电极与相对电极之间的发射层，这些像素至少部分地围绕贯通部分；以及图案部分，布置在贯通部分与像素阵列之间，其中，该图案部分包括：凹槽，沿着绝缘层的厚度方向凹入；以及包覆层，布置在绝缘层上，该包覆层被配置为覆盖凹槽，并且包含不同于绝缘层的材料。
基板可包括像素阵列位于其中的显示区域以及邻近显示区域的非显示区域，并且非显示区域可包括围绕显示区域的外缘的第一子非显示区域以及在贯通部分与显示区域之间的围绕贯通部分的外缘的第二子非显示区域。
图案部分可布置在第二子非显示区域中。
绝缘层可包括无机层。
显示装置可进一步包括：像素电路，包括薄膜晶体管和存储电容器，并且其中，绝缘层包括多个绝缘层，并且多个绝缘层中的至少一个布置在薄膜晶体管的电极之间或者存储电容器的电极之间以使这些电极绝缘。
凹槽具有的深度可小于或者对应于绝缘层的厚度。
包覆层可包含有机材料。
发光元件可进一步包括布置在像素电极与发射层之间的第一功能层以及布置在发射层与相对电极之间的第二功能层中的至少一个功能层，包覆层可包括第一材料层和第二材料层中的至少一个，第一材料层可包含绝缘材料，并且第二材料层可包含与该至少一个功能层和发射层中的至少一个相同的材料。
包覆层可包括第一材料层，并且第一材料层的一部分可位于凹槽内部。
包覆层可包括第二材料层，并且第二材料层的一部分可位于凹槽内部。
显示装置可进一步包括：位于凹槽下面的金属图案，金属图案的上表面对应于凹槽的底表面。
包覆层可包括堆叠本体，该堆叠本体包括第一材料层以及布置在第一材料层上的第二材料层。
贯通部分可以是单一闭合曲线部。
凹槽可具有环形形状，该环形形状围绕贯通部分并且具有的直径大于贯通部分的直径。
贯通部分可延伸直至显示装置的至少一个边缘。
显示装置可进一步包括布置在包覆层上面并且包含与相对电极相同材料的层。
显示装置可进一步包括配置为覆盖像素阵列的密封层(encapsulation layer)。
密封层可包括无机密封层和有机密封层。
显示装置可进一步包括：障碍物，布置在图案部分与像素阵列之间；有机密封层的端部位于障碍物与像素阵列之间。
无机密封层可朝向贯通部分延伸并且覆盖图案部分。
无机密封层可在贯通部分与图案部分之间的区域中直接接触绝缘层。
绝缘层可包括对应于贯通部分和图案部分之间的区域的辅助凹槽。
显示装置可进一步包括：台阶部分，具有底切形状并且布置在贯通部分与像素阵列之间。
相对电极可朝向贯通部分延伸并且可被台阶部分断开。
根据实施方式，在显示区域内部包括贯通部分的显示装置可防止沿着贯通部分的周围产生裂纹或者防止裂纹沿着贯通部分的周围扩展。如本领域中普通技术人员所理解的，本发明构思的范围不局限于该效果。
附图说明
从下面结合附图对于实施方式的描述，这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易理解，在附图中：
图1是示出了根据一实施方式的显示装置的平面图；
图2是放大围绕图1的贯通部分的显示区域的平面图；
图3是沿着图2中的线III-III截取的截面图；
图4和图5是示出了根据一实施方式的显示装置的显示区域和第二子非显示区域的一部分的局部截面图；
图6是放大围绕根据另一实施方式的显示装置中的贯通部分的显示区域的平面图；
图7是沿着图6的线VII-VII截取的截面图；
图8、图9和图10是示出了图7的变型实施方式的视图；
图11是示出了图10的部分XI的放大视图；
图12A、图12B和图12C是示出了根据一实施方式的图10的制造方法的截面图；
图13是示出了图10的变型实施方式的视图；
图14是放大围绕根据另一实施方式的显示装置中的贯通部分的显示区域的平面图；
图15是沿着图14的线XV-XV截取的截面图；
图16、图17和图18是示出了图15的变型实施方式的视图；
图19是示出了根据另一实施方式的显示装置的平面图；
图20是示出了图19的贯通部分的周围的局部平面图；
图21A、图21B、图21C、图21D、图21E、图21F和图21G是根据一实施方式沿着图20的线XXI-XXI截取的截面图；
图22是示出了根据另一实施方式的显示装置的平面图；
图23是示出了图22的贯通部分的周围的局部平面图；以及
图24A、图24B、图24C、图24D、图24E和图24F是根据一实施方式沿着图22的线XXIV-XXIV截取的截面图。
具体实施方式
由于本发明构思允许各种变化和多种实施方式，所以将在附图中示出并且在书面说明中详细描述示例性实施方式。参考下面描述的实施方式和附图，本发明构思的效果和特征以及实现它们的方法将是显而易见的。然而，本发明构思不限于以下描述的实施方式，而是可以各种形式实现。
在下文中，将参照附图更充分地描述本发明构思，在附图中示出了本发明构思的示例性实施方式。当参考附图描述时，附图中的相似参考标号表示相似或对应元件，并且将省略重复性的描述。
如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列举项目的任何和所有组合。
应当理解的是，尽管本文中可使用术语“第一”、“第二”等描述各种部件，但是这些部件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件与另一个部件。
如本文中使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
应当进一步理解的是，本文中使用的术语“包括(comprise)”和/或“包含(comprising)”表示存在所陈述的特征或部件，但是不排除存在或者添加一个或多个其他特征或部件。
为了便于说明，附图中元件的尺寸可能放大。换言之，为了便于说明，随意地示出了附图中部件的尺寸和厚度，所以下面的实施方式不限于此。
当可以不同地实施某些实施方式时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的过程顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的过程。
应理解的是，当层、区域或部件称为“连接”至另一层、区域或部件时，其可“直接连接”至另一层、区域或部件或者可以是“间接连接”至另一层、区域或部件而其间插入有其他层、区域或部件。例如，应理解的是，当层、区域或部件称为“电连接”至另一层、区域或部件时，其可“直接电连接”至另一层、区域或部件或者可以是“间接地电连接”至另一层、区域或部件而其间插入有其他层、区域或部件。
图1是示出了根据一实施方式的显示装置1的平面图。
参考图1，显示装置1包括基板100以及基板100上的像素阵列10。
基板100可包含诸如玻璃、金属的材料或者有机材料。根据一实施方式，基板100可包含弹性材料。例如，基板100可包含诸如聚酰亚胺(PI)的材料，该材料可容易地弯曲并且被弯折或轧制，但这仅是示例性的，并且实施方式不限于此。
基板100包括显示区域DA和非显示区域NDA。贯通部分TH位于显示区域DA中。贯通部分TH是穿过基板100、密封层400和布置在其间的层的孔，并且该孔位于显示区域DA内部且由包括多个像素P的像素阵列10包围。
像素阵列10的每个像素P包括像素电路和电连接至像素电路的发光元件，例如，有机发光二极管(OLED)，并且每个像素通过使用从发光元件发射的光提供预定图像。像素阵列10由以下描述的密封层密封。密封层可以是多层，该多层包括包含有机材料的层以及包含无机材料的层。
非显示区域NDA是不提供图像的区域并且包括围绕显示区域DA的外缘的第一子非显示区域NDA1以及围绕贯通部分TH的外缘的第二子非显示区域NDA2。
第一子非显示区域NDA1可包括扫描驱动器(未示出)和数据驱动器(未示出)，用于将预定信号传送至显示区域DA的每个像素PX。第二子非显示区域NDA2布置在贯通部分TH与显示区域DA之间。
尽管图1示出了贯通部分TH位于显示装置1的显示区域DA的中心，但是实施方式不限于此。贯通部分TH可由像素P围绕并且位于显示区域DA的任何位置中，并且贯通部分TH的具体位置不受限制。
尽管图1示出了贯通部分TH是圆形的并且形成有一个贯通部分TH，但是实施方式不限于此。贯通部分TH可具有各种形状，诸如，包括四边形形状的多边形形状或者椭圆形状。可以形成有一个或多个贯通部分TH。
尽管图1示出了显示区域DA是圆形的，但是实施方式不限于此。显示区域DA可具有各种形状，诸如，包括四边形形状的多边形形状或者椭圆形状。
图2是放大围绕图1的贯通部分的显示区域的平面图，并且图3是沿着图2的线III-III截取的截面图。
参考图2和图3，贯通部分TH由像素P围绕，并且未设置像素P的区域(即，第二子非显示区域NDA2)位于贯通部分TH与像素P之间。
贯通部分TH可穿过基板100、密封层400以及布置在其间的层。可经由切割/打孔设备使用激光等形成贯通部分TH。然而，由于通过使用切割设备形成贯通部分TH的过程期间的冲击，在贯通部分TH附近可能出现裂纹。为了防止裂纹朝向像素P扩展，在第二子非显示区域NDA2中布置有图案部分300A。
图案部分300A包括凹槽310A以及覆盖凹槽310A的包覆层320A。如图2所示，凹槽310A具有环形形状，该环形形状具有的半径大于贯通部分TH的半径，并且该凹槽围绕贯通部分TH的外缘。
尽管图2示出了贯通部分TH具有圆形形状并且凹槽310A具有圆环状的情况，但是实施方式不限于此。凹槽310A可具有诸如三角环状和方形环状的多边形环状或者椭圆环状。
凹槽310A是沿着位于基板100上的绝缘层110的厚度方向凹入的凹槽类型并且可防止裂纹朝向显示区域DA扩展。凹槽310A的深度“d1”具有的深度可小于或者对应于绝缘层110的厚度“t”。在一实施方式中，凹槽310A的深度“d1”可以是约至约
包括凹槽310A的绝缘层110可包括无机层并且包括单一无机层或者多个无机层。例如，绝缘层110可包含无机材料，诸如，氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。
包覆层320A与凹槽310A交叠以覆盖凹槽310A。包覆层320A布置在绝缘层110的包括凹槽310A的部分的正上方，以便直接接触凹槽310A，并且包覆层320A的一部分可布置在凹槽310A内部。
包覆层320A可包含有机绝缘材料。例如，包覆层320A可包含与以下描述的过孔绝缘层130和/或像素限定层150相同的材料。
包覆层320A可在覆盖凹槽310A的同时提供相对平坦的上表面。包覆层320A的整体厚度，即，填充凹槽310A的包覆层320A的从底部至上表面的厚度可以是约至但是实施方式不限于此。
通过减小绝缘层110(为无机层)中形成有凹槽310A的部分的应力，包覆层320A防止裂纹扩展。另外，通过覆盖凹槽310A，包覆层320A可防止在制造过程期间产生的颗粒存储在凹槽310A中并随后移动至像素P的发光元件500而引起暗点。
参考图3，辅助凹槽315可布置在贯通部分TH与图案部分300A之间。辅助凹槽315是沿着绝缘层110的厚度方向凹入的凹槽类型并且可在形成凹槽310A的相同过程期间同时形成。辅助凹槽315的深度可基本上与凹槽310A的深度相同。
辅助凹槽315可位于绝缘层110的邻近贯通部分TH的端部并且在空间上连接至贯通部分TH。和图案部分300A一样，辅助凹槽315可防止在形成贯通部分TH的过程期间产生的冲击所引起的裂纹朝向像素P扩展。
密封层400中包括的无机密封层410和430覆盖图案部分300A和辅助凹槽315。由于绝缘层110(为无机层)在第二子非显示区域NDA2的邻近贯通部分TH的边缘区域中(即，在图案部分300A与贯通部分TH之间的区域中)接触无机密封层410和430，因此可以防止外部的氧或湿气在横向方向上经由绝缘层110(为无机层)与无机密封层410和430之间的界面渗入，从而改善密封特性。
密封层400包括无机密封层410和430以及有机密封层420。例如，密封层400可通过连续堆叠无机密封层410、有机密封层420和无机密封层430而形成。无机密封层410和430可包含氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铯和氮氧化硅中的至少一种。例如，无机密封层410和430可以通过化学气相沉积(CVD)过程形成。
有机密封层420可包含丙烯醛基树脂、甲基丙酸烯基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂和二萘嵌苯基树脂中的至少一种。
在一实施方式中，有机密封层420可以通过原子层沉积(ALD)过程形成，该过程使用诸如六甲基二硅氧烷(HMDSO)或者四乙基硅酸脂(TEOS)的材料作为原材料。
在另一个实施方式中，有机密封层420可通过沉积液态单体然后通过使用热或诸如紫外线的光使该单体固化而形成。在此，为了防止液态单体朝向图案部分300A流动并且防止形成有机密封层420的边缘端，障碍物350可布置在第二子非显示区域NDA2中。通过障碍物350，有机密封层420的端部位于障碍物350与像素P之间。
尽管已经描述了密封层400包括两个无机密封层410和430以及一个有机密封层420的情况，但是无机密封层和有机密封层的堆叠顺序和数量不限于此。
像素电路200和发光元件500位于显示区域DA中。
发光元件500包括电连接至像素电路200的像素电极510、面向像素电极510的相对电极530、以及布置在像素电极510与相对电极530之间的中间层520，其中，包含过孔的过孔绝缘层130布置在该像素电极和像素电路之间。在一实施方式中，过孔绝缘层130可包含绝缘的有机材料。
像素电极510经由像素限定层150中形成的开口而暴露出。包含绝缘有机材料的像素限定层150可覆盖像素电极510的边缘。在一实施方式中，像素电极510可包含银、镁、铝、铂、钯、金、镍、钕、铱、铬、或者它们的化合物。
相对电极530可以整体形成并且可完全覆盖显示区域DA。在一实施方式中，相对电极530可包括包含银和镁的薄膜金属层，或者包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或者氧化铝锌(AZO)的透明导电氧化物(TCO)层。
中间层520包括发射层522。发射层522可包括包含发射红光、绿光和蓝光的荧光或磷光材料的有机材料并且可图案化以与显示区域DA中的像素P相对应。中间层520可包括布置在发射层522与像素电极510之间的第一功能层521以及布置在发射层522与相对电极530之间的第二功能层523中的至少一个。
第一功能层521可包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。HIL允许空穴容易地从阳极发射，并且HTL允许HIL的空穴传输至发射层。
HIL可包括酞菁化合物，诸如，铜酞菁、DNTPD(N,N'-二苯基-N,N'-双-[4-(苯基-m-甲苯基-氨基)-苯基]-联苯基-4,4'-二元胺)、m-MTDATA(4,4',4"-三(3-甲苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4,4'4"-三(N,N-二苯胺基)三苯胺)、2T-NATA(4,4',4"-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸钠))、PANI/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PANI/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)，或者PANI/PSS(聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸钠)或者聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐))，但不限于此。
HTL可包括咔唑衍生物，诸如，N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑和基于三苯胺的材料，诸如，TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'-二元胺)、NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)、TCTA(4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺)，但不限于此。
第二功能层523可包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。EIL允许电子容易地从阴极发射，并且ETL允许EIL的电子传输至发射层。
ETL可包括Alq3、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1,2,4-三唑)、NTAZ(4-(萘乙酰胺-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑)、tBu-PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯基-4-羟基)铝)、Bebq2(双(苯并喹啉-10-醇钠盐)铍)、ADN(9,10-二(萘乙酰胺-2-基)蒽)，并且不限于此。
EIL可包括诸如氟化锂(LiF)、氯化钠(NaCl)、氟化铯(CsF)、氧化锂(Li2O)、氧化钡(BaO)、8-羟基喹啉-锂(Liq)，但不限于此。
布置在显示区域DA中的第一功能层521和第二功能层523的端部与图案部分300A在空间上隔开。在制造显示装置1的过程期间，形成第一功能层521和第二功能层523以便不仅覆盖显示区域DA而且还覆盖围绕贯通部分TH的第二子非显示区域NDA2，然后在形成密封层400之前，可以移除第一功能层521和第二功能层523的与第二子非显示区域NDA2相对应的一部分。在一实施方式中，第一功能层521和第二功能层523可以通过使用激光蚀刻来移除。
在比较例中，如果第一功能层521和第二功能层523覆盖显示区域DA和第二子非显示区域NDA2这两者，则绝缘层110(为无机层)与无机密封层410在邻近贯通部分TH的区域中彼此不直接接触。即，第一功能层521和第二功能层523将布置在绝缘层110与无机密封层410之间，这提供湿气或氧在横向方向上渗入的路径。然而，根据一实施方式，因为具有良好的湿气或氧阻碍功能的绝缘层110和无机密封层410彼此直接接触，所以可提高密封特性。
图4和图5是提取了根据一实施方式的显示装置的显示区域和第二子非显示区域的一部分的截面图。因为图4和图5的显示装置包括与参考图3描述的显示装置相同的构造，所以以下主要描述像素电路200和绝缘层110。
参考图4，像素电路200包括薄膜晶体管(TFT)210和存储电容器220。绝缘层110可包括顺序地位于基板100上的缓冲层101、栅极绝缘层103、电介质绝缘层105和夹层绝缘层107。
缓冲层101布置在基板100上并且防止杂质渗入，栅极绝缘层103布置在TFT 210的半导体层211与栅电极213之间，电介质绝缘层105布置在存储电容器220的下电极221与上电极223之间，并且夹层绝缘层107布置在TFT 210的栅电极213、源电极215s与漏电极215d之间。
所有缓冲层101、栅极绝缘层103、电介质绝缘层105和夹层绝缘层107都包含绝缘无机材料。例如，缓冲层101、栅极绝缘层103、电介质绝缘层105和夹层绝缘层107中的每一个可包含氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅。
图案部分300A的凹槽310A沿着绝缘层110的厚度方向凹入。参考图4，可通过蚀刻夹层绝缘层107、电介质绝缘层105、栅极绝缘层103和缓冲层101直到缓冲层101的一部分暴露出而形成凹槽310A。形成凹槽310A的蚀刻过程可以是干蚀刻，并且可在形成用于将半导体层211连接至TFT 210的源电极215s和漏电极215d的接触孔的过程期间同时执行。
尽管图4示出了TFT 210与存储电容器220交叠的情况，并且因此，TFT 210的栅电极213用作存储电容器220的下电极221，但是实施方式不限于此。
参考图5，像素电路200的TFT 210和存储电容器220可分别布置在不同位置中。
根据像素电路200的结构，绝缘层110可包括顺序地位于基板100上的缓冲层101、栅极绝缘层103和夹层绝缘层107。如图5所示，夹层绝缘层107布置在存储电容器220的下电极221和上电极223之间并且起电介质的作用。
可通过蚀刻夹层绝缘层107、栅极绝缘层103和缓冲层101直到缓冲层101的一部分暴露出而形成图案部分300A的凹槽310A。形成凹槽310A的蚀刻过程可以是干蚀刻，并且可在形成用于将半导体层211连接至TFT 210的源电极215s和漏电极215d的接触孔的过程期间同时执行。
尽管图4和图5示出了像素电路200的TFT 210是顶栅极型TFT的情况，但是实施方式不限于此。在另一实施方式中，TFT 210可以是底栅极型TFT。另外，尽管图5示出了存储电容器220的下电极221和上电极223位于与布置有栅电极213、源电极215s和漏电极215d的层相同的层中，并且包含与栅电极213、源电极215s和漏电极215d相同的材料的情况，但是实施方式不限于此并且可进行各种改变。
图6是放大围绕根据另一实施方式的显示装置2中的贯通部分的显示区域的平面图，图7是沿着图6的线VII-VII截取的截面图，图8至图10是示出了图7的变型实施方式的视图，图11是示出了图10的部分XI的放大视图，图12A至图12C是示出了根据一实施方式的图10的制造方法的截面图，并且图13是示出了图10的变型实施方式的视图。
由于图6和图7中示出的显示装置2具有与以上参考图1和图2描述的显示装置1基本上相同的结构和构造，所以以下主要描述区别点。
参考图6和图7，图案部分300B包括凹槽310B以及覆盖凹槽310B的包覆层320B，并且包覆层320B包括第一材料层320B1和第二材料层320B2。由于图案部分300B的凹槽310B与以上参考图2和图3描述的凹槽310A相同，所以省略其描述。
第一材料层320B1与凹槽310B交叠并且覆盖凹槽310B。第一材料层320B1可布置在绝缘层110的包括凹槽310B的部分的正上方以直接接触凹槽310B，并且第一材料层320B1的一部分可布置在凹槽310B内部。
与以上参考图2和图3描述的包覆层320A一样，第一材料层320B1是包含绝缘有机材料的绝缘材料层。例如，第一材料层320B1可包含与过孔绝缘层130和/或像素限定层150相同的材料。
第二材料层320B2包含与第一功能层521、发射层522和第二功能层523中的至少一个相同的材料。由于第一功能层521和第二功能层523是用于空穴和电子注入和移动的层并且因此具有导电性，所以包含与第一功能层521和第二功能层523相同材料的第二材料层320B2可包含导电材料。
在一实施方式中，如图7所示，第二材料层320B2可具有包含与第一功能层521和第二功能层523相同材料的多层结构。在另一实施方式中，第二材料层320B2可以是包含与第一功能层521相同材料的单层321，或者可以是包含与第二功能层523相同材料的单层323。
在另一实施方式中，如图8所示，第二材料层320B2可进一步包括具有与发射层522相同材料的层322。可替代地，第二材料层320B2可以是包含与第一功能层521和发射层522相同材料的多层321和322，或者可以是包含与第二功能层523和发射层522相同材料的多层322和323。在另一实施方式中，第二材料层320B2可以是包含与发射层522相同材料的单层322。
为了便于描述，以下描述第二材料层320B2具有包含与第一功能层521和第二功能层523相同材料的多层结构。
可以在移除在基板100的第二子非显示区域NDA2中形成的第一功能层521和第二功能层523的过程期间形成第二材料层320B2。例如，在制造显示装置2的过程期间，可形成第一功能层521和第二功能层523以便不仅覆盖显示区域DA而且覆盖围绕贯通部分TH的第二子非显示区域NDA2，并且在形成密封层400之前，可以经由激光蚀刻移除第一功能层521和第二功能层523的与第二子非显示区域NDA2相对应的一部分。可以通过在移除与第二子非显示区域NDA2相对应的该部分时保留第一功能层521和第二功能层523的与第一材料层320B1交叠的一部分来形成第二材料层320B2。
如以上参考图3所示，当经由激光蚀刻移除第一功能层521和第二功能层523的与第二子非显示区域NDA2相对应的部分时，第一材料层320B1的一部分可能由于激光束的能量而消散。在这种情况下，第一材料层320B1的上表面的平面度以及布置在第一材料层320B1上的第二材料层320B2的上表面的平面度会劣化。如果图案部分300B的上表面的平面度劣化，则会增加无机密封层410和430产生裂纹的可能性。
然而，根据一实施方式，由于显示装置2包括这样的图案部分300B，即，该图案部分包含在未移除第一材料层320B1上的第一功能层521和第二功能层523时形成的第二材料层320B2，所以可减小无机密封层410和430产生裂纹的可能性以及裂纹扩展的可能性。
相对电极530整体覆盖显示区域DA。在一实施方式中，如图7所示，当在形成相对电极530之前形成掩蔽第二子非显示区域NDA2的掩膜材料时，形成相对电极530以覆盖显示区域DA和第二子非显示区域NDA2，然后将掩膜材料移除，相对电极530不保持在第二子非显示区域NDA2上。
在另一实施方式中，在没有形成上述掩模材料并且形成相对电极530以覆盖显示区域DA和第二子非显示区域NDA2的情况下，可以在通过使用激光蚀刻移除第一功能层521和第二功能层523的同时移除相对电极530。在这种情况下，如以上参考图7所述，由于与图案部分300B相对应的部分没有激光蚀刻，所以，如图9所示，可在图案部分300B上进一步形成包含与相对电极530相同材料的层340。
根据另一实施方式，可在激光蚀刻过程之后形成相对电极530。在这种情况下，如图10所示，相对电极530可覆盖第二子非显示区域NDA2并且可整体连接至层340。
参考图10和图11，在第二子非显示区域NDA2中可以通过具有底切形状的台阶部分365断开相对电极530。台阶部分365具有下宽度W1小于上宽度W2的底切形状。可通过使用以下参考图12A至图12C描述的过程来形成台阶部分365。
参考图12A，在形成包括多个无机层的绝缘层110的过程期间，在绝缘层110中形成金属图案层M和孔110MH并且暴露出金属图案层M的上表面。可在形成凹槽310B的过程期间形成孔110MH。此后，当对显示区域DA的像素电极510图案化时，在通过使用蚀刻剂对像素电极510图案化而蚀刻金属图案层M时，形成具有底切形状的台阶部分365(参见图12B)。接下来，在显示区域DA上形成包括第一功能层521至第二功能层523的有机层的过程期间，也将这些有机层形成在绝缘层110的具有台阶部分365的部分上。之后，经由激光蚀刻移除有机层，并且获得图12B中示出的状态。
之后，如图12C所示形成相对电极530。通过台阶部分365的底切形状断开相对电极530。由于相对电极530被断开，所以可阻断经由相对电极530与邻近的层之间的界面的横向湿气渗入路径。
尽管图12A至图12C示出了金属图案层M通过蚀刻剂被完全移除的情况，但是实施方式不限于此。在另一实施方式中，如图13所示，在过程期间可保持金属图案层M的边缘的一部分Ma并且可形成台阶部分365’的下部分。即使如图13所示保持金属图案M的部分Ma，但是如本领域普通技术人员所理解的，台阶部分365’的下宽度W1’小于上宽度W2’。
图7至图10中的像素电路200和绝缘层110可具有以上参考图4或图5所描述的结构。例如，像素电路200和绝缘层110可具有与以上参考图4或图5描述的实施方式或者其变型实施方式相对应的结构，并且不重复其具体描述。
图14是放大围绕根据另一实施方式的显示装置3中的贯通部分的显示区域的平面图，图15是沿着图14的线XV-XV截取的截面图，并且图16至图18是示出了图15的变型实施方式的视图。
由于图14和图15中示出的显示装置3具有与以上参考图1和图2描述的显示装置1基本上相同的结构和构造，所以以下主要描述区别点。
参考图14和图15，图案部分300C包括凹槽310C以及覆盖凹槽310C的包覆层320C。
凹槽310C沿着位于基板100上的绝缘层110的厚度方向凹入，并且凹槽310C的深度d2小于绝缘层110的厚度t。
包覆层320C与凹槽310C交叠并且覆盖凹槽310C。包覆层320C布置在绝缘层110的包括凹槽310C的部分的正上方，以便直接接触凹槽310C，并且包覆层320C的一部分可布置在凹槽310C内部。
在一实施方式中，如图15所示，包覆层320C可具有包含与第一功能层521和第二功能层523相同材料的多层结构321和323。在另一实施方式中，包覆层320C可以是包含与第一功能层521相同材料的单层321，或者可以是包含与第二功能层523相同材料的单层323。
在另一实施方式中，如图16所示，包覆层320C可进一步包括具有与发射层522相同材料的层322。可替代地，包覆层320C可以是包含与第一功能层521和发射层522相同材料的多层321和322，或者可以是包含与第二功能层523和发射层522相同材料的多层322和323。在另一实施方式中，包覆层320C可以是包含与发射层522相同材料的单层322。
为了便于描述，以下描述如图15所示的包覆层320C具有包含与第一功能层521和第二功能层523相同材料的多层结构321和323的情况。
可以在移除基板100的第二子非显示区域NDA2中形成的第一功能层521和第二功能层523的过程期间形成图案部分300C的包覆层320C。在制造显示装置3的过程期间，可形成第一功能层521和第二功能层523以便不仅覆盖显示区域DA而且还覆盖围绕贯通部分TH的第二子非显示区域NDA2。在形成密封层400之前，可经由激光蚀刻移除第一功能层521和第二功能层523的与第二子非显示区域NDA2相对应的一部分。当第一功能层521和第二功能层523的与第二子非显示区域NDA2相对应的部分经由激光蚀刻被移除时，通过保留第一功能层521和第二功能层523的覆盖凹槽310C的一部分形成包覆层320C。
金属图案360布置在凹槽310C下面并且调节凹槽310C的深度d2。金属图案360的上表面对应于凹槽310C的底部。
如以上参考图4所描述的，可在形成用于将半导体层211连接至TFT 210的源电极215s和漏电极215d的接触孔的过程期间同时形成凹槽310C。在形成凹槽310C的蚀刻过程期间，由于金属图案360起蚀刻止挡部的功能，所以凹槽310C的深度d2被控制为小于接触孔的深度。
如果金属图案360不存在，则凹槽310C的深度d2加深并且图案部分300C的上表面的平面度可能劣化。例如，根据一实施方式，即使包覆层320C包括包含与第一功能层521相同材料的层321以及包含与第二功能层523相同材料的层323，包覆层320C的厚度也可能小于约如果凹槽310C的深度d2大于约则包覆层320C位于凹槽310C内部并且未覆盖凹槽310C。如果凹槽310C未被完全覆盖，则图案部分300C的上表面的平面度劣化，并且因此，会增加图案部分300C上的无机密封层410和430产生裂纹的可能性。
然而，根据一实施方式，提供金属图案360并且其调整凹槽310C的深度，从而防止图案部分300C的平面度劣化。在一实施方式中，凹槽310C的深度d2可小于包覆层320C的厚度，并且可以是约以下，但是实施方式不限于此。
参考图17，在图案部分300C上可进一步形成包含与相对电极530相同材料的层340。可在经由激光蚀刻过程完全移除形成在基板100上的相对电极530的一部分的过程期间形成层340，并且其描述与参考图9描述的相同。
在另一实施方式中，可在激光蚀刻过程之后形成相对电极530。在这种情况下，由于不需要移除相对电极530的过程，所以如图18所示，台阶部分365可布置在第二子非显示区域NDA2中。由于台阶部分365具有底切形状，所以台阶部分365可导致相对电极530的断开。以上参考图10至图13已经描述了台阶部分365的形成和相对电极530通过该台阶部分的断开。
图15至图18中的像素电路200和绝缘层110可具有以上参考图4或图5所描述的结构。例如，像素电路200和绝缘层110可具有与以上参考图4或图5描述的实施方式或者其变型实施方式相对应的结构，并且不重复其具体描述。
图19是示出了根据另一实施方式的显示装置4的平面图，图20是提取了图19的贯通部分的周围的平面图，并且图21A至图21G是根据一实施方式沿着图20的线XXI-XXI截取的截面图。
参考图19和图20，除了像素阵列10部分地围绕贯通部分TH之外，显示装置4与以上参考图1描述的显示装置相同。省略相同点并且以下主要描述区别点。
根据一实施方式，由于显示装置4的像素P部分地围绕贯通部分TH，所以围绕显示区域DA的外缘的第一子非显示区域NDA1可连接至部分地围绕贯通部分TH的外缘的第二子非显示区域NDA2。
显示装置4包括围绕贯通部分TH的图案部分1300。图案部分1300可具有图21A至图21G中示出的结构。
在一实施方式中，如图21A所示，图案部分1300A包括沿着绝缘层110的厚度方向凹入的凹槽1310A以及覆盖凹槽1310A的包覆层1320A。由于包括凹槽1310A和包覆层1320A的图案部分1300A的结构与以上参考图3至图5描述的结构相同，故省略重复描述。
在另一实施方式中，如图21B至图21D所示，图案部分1300B包括沿着绝缘层110的厚度方向凹入的凹槽1310B以及覆盖凹槽1310B的包覆层1320B。包覆层1320B包括第一材料层1320B1和第二材料层1320B2。第一材料层1320B1与以上参考图7至图9描述的第一材料层320B1相同。
如图21B所示，第二材料层1320B2可具有包含与对像素设置的有机发光二极管(OLED)的第一功能层521(参见图7至图9)和第二功能层523(参见图7至图9)相同材料的多层结构1321和1323。
可替代地，如图21C所示，第二材料层1320B2可具有进一步包含与第一功能层521、发射层522和第二功能层523(参见图7至图9)相同材料的多层结构1321、1322和1323。如图21D所示，第二材料层1320B2可以用包含与相对电极530(参见图9和图10)相同材料的层1340覆盖。第二材料层1320B2的堆叠的数量不限于以上实施方式并且可进行各种改变。例如，第二材料层1320B2根据第一功能层、发射层和第二功能层的情况的数量可具有多层或单层结构，并且其具体描述与以上参考图7至图9描述的相同。
在另一实施方式中，如图21E至图21G所示，图案部分1300C包括沿着绝缘层110的厚度方向凹入的凹槽1310C以及覆盖凹槽1310C的包覆层1320C。金属图案1360可设置在凹槽1310C下面并且可控制凹槽1310C的深度d2。
包覆层1320C可具有多层或者单层结构。包覆层1320C不限于图21E至图21G中示出的堆叠结构，并且根据第一功能层、发射层和第二功能层的情况的数量可具有多层或单层结构，并且其具体描述与以上参考图15至图17描述的相同。
图22是示出了根据另一实施方式的显示装置5的平面图，图23是提取了图22的贯通部分的周围的平面图，并且图24A至图24F是根据一实施方式沿着图22的线XXIV-XXIV截取的截面图。
参考图22和图23，显示装置5与以上参考图1描述的显示装置相同，除了像素阵列10部分地围绕贯通部分TH并且该贯通部分TH不是以上参考图1至图19描述的单一闭合曲线部而是延伸直至显示装置5的边缘之外。在下文中，省略相同点并且主要描述区别点。
根据一实施方式，由于显示装置5的像素P部分地围绕贯通部分TH，所以围绕显示区域DA的外缘的第一子非显示区域NDA1可连接至部分地围绕贯通部分TH的外缘的第二子非显示区域NDA2。
显示装置5包括部分地围绕贯通部分TH的图案部分2300。图案部分2300可具有图24A至图24F中示出的结构。
在一实施方式中，如图24A至图24C所示，图案部分2300B包括沿着绝缘层110的厚度方向凹入的凹槽2310B以及覆盖凹槽2310B的包覆层2320B。包覆层2320B包括第一材料层2320B1和第二材料层2320B2。第一材料层2320B1与以上参考图7至图9描述的第一材料层320B1相同。
如图24A所示，第二材料层2320B2可具有包含与对像素设置的OLED的第一功能层521(参见图7至图9)和第二功能层523(参见图7至图9)相同材料的多层结构2321和2323。
可替代地，如图24B所示，第二材料层2320B2可以是进一步包含与第一功能层521、发射层522和第二功能层523(参见图7至图9)相同材料的多层2321、2322、2323。如图24C所示，第二材料层2320B2可以用包含与相对电极530(参见图9和图10)相同材料的层2340覆盖。第二材料层2320B2的堆叠的数量不限于上述实施方式并且可进行各种改变。例如，第二材料层2320B2根据第一功能层、发射层和第二功能层的情况的数量可具有多层或单层结构，并且其具体描述与以上参考图7至图9描述的相同。
在另一实施方式中，如图24D至图24F所示，图案部分2300C包括沿着绝缘层110的厚度方向凹入的凹槽2310C以及覆盖凹槽2310C的包覆层2320C。金属图案2360可设置在凹槽2310C下面并且可控制凹槽2310C的深度d2。
包覆层2320C可具有多层或单层结构。包覆层2320C不限于图24D至图24F中示出的堆叠结构，并且根据第一功能层、发射层和第二功能层的情况的数量可具有多层或单层结构，并且其具体描述与以上参考图15至图17描述的相同。
尽管已经参考附图中示出的实施方式描述了本发明构思，但是这仅是示例性的，并且本领域普通技术人员应理解，在没有背离如所附权利要求限定的本发明构思的精神和范围的情况下，在形式上和细节上可做出各种变化。

Claims (24)

1.一种显示装置，包括：
基板；
绝缘层，布置在所述基板上；
贯通部分，配置为穿过所述基板和所述绝缘层；
像素阵列，位于所述绝缘层上并且包括像素，每个所述像素包括发光元件，所述发光元件包括像素电极、面向所述像素电极的相对电极、以及布置在所述像素电极与所述相对电极之间的发射层，所述像素至少部分地围绕所述贯通部分；以及
图案部分，布置在所述贯通部分与所述像素阵列之间，
其中，所述图案部分包括：
凹槽，沿着所述绝缘层的厚度方向凹入；以及
包覆层，布置在所述绝缘层上，所述包覆层被配置为覆盖所述凹槽，并且所述包覆层包含不同于所述绝缘层的材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基板包括显示区域和非显示区域，所述像素阵列位于所述显示区域中，所述非显示区域邻近所述显示区域，并且
所述非显示区域包括至少部分地围绕所述显示区域的外缘的第一子非显示区域以及在所述贯通部分与所述显示区域之间的至少部分地围绕所述贯通部分的外缘的第二子非显示区域。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述图案部分布置在所述第二子非显示区域中。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括无机层。
5.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括像素电路，所述像素电路包括薄膜晶体管和存储电容器，并且其中，所述绝缘层包括多个所述绝缘层，并且该多个所述绝缘层中的至少一个布置在所述薄膜晶体管的电极之间或者所述存储电容器的电极之间以使所述电极绝缘。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述凹槽具有的深度小于或者对应于所述绝缘层的厚度。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述包覆层包含有机材料。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件进一步包括布置在所述像素电极与所述发射层之间的第一功能层以及布置在所述发射层与所述相对电极之间的第二功能层中的至少一个功能层，
所述包覆层包括第一材料层和第二材料层中的至少一个，
所述第一材料层包含绝缘材料，并且
所述第二材料层包含与所述至少一个功能层和所述发射层中的至少一个相同的材料。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述包覆层包括所述第一材料层，并且
所述第一材料层的一部分位于所述凹槽内部。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述包覆层包括所述第二材料层，并且
所述第二材料层的一部分位于所述凹槽内部。
11.根据权利要求10所述的显示装置，进一步包括：
金属图案，位于所述凹槽下面，所述金属图案的上表面对应于所述凹槽的底表面。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述包覆层包括堆叠本体，所述堆叠本体包括所述第一材料层以及布置在所述第一材料层上的所述第二材料层。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述贯通部分包括单一闭合曲线部。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述凹槽具有环形形状，所述环形形状围绕所述贯通部分并且具有的直径大于所述贯通部分的直径。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述贯通部分延伸直至所述显示装置的至少一个边缘。
16.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
布置在所述包覆层上面并且包含与所述相对电极相同材料的层。
17.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
密封层，配置为覆盖所述像素阵列。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述密封层包括无机密封层和有机密封层。
19.根据权利要求18所述的显示装置，进一步包括：
障碍物，布置在所述图案部分与所述像素阵列之间，
所述有机密封层的端部位于所述障碍物与所述像素阵列之间。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述无机密封层朝向所述贯通部分延伸并且覆盖所述图案部分。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述无机密封层在所述贯通部分与所述图案部分之间的区域中直接接触所述绝缘层。
22.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括对应于所述贯通部分与所述图案部分之间的区域的辅助凹槽。
23.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
台阶部分，具有底切形状并且布置在所述贯通部分与所述像素阵列之间。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述相对电极朝向所述贯通部分延伸并且被所述台阶部分断开。
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