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KR102761120B1 - 표시장치 - Google Patents

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KR102761120B1
KR102761120B1 KR1020190164575A KR20190164575A KR102761120B1 KR 102761120 B1 KR102761120 B1 KR 102761120B1 KR 1020190164575 A KR1020190164575 A KR 1020190164575A KR 20190164575 A KR20190164575 A KR 20190164575A KR 102761120 B1 KR102761120 B1 KR 102761120B1
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임병준
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 액티브 영역과 인액티브 영역을 포함하는 기판, 액티브 영역은 애노드 전극, 발광층, 및 캐소드 전극을 포함하고 인액티브 영역은 게이트 구동부와 크랙방지구조를 포함하고, 게이트 구동부와 인접한 영역에 배치된 컨택 영역; 컨택 영역은 캐소드 전극과 연결 전극이 접촉하는 표시장치를 제공할 수 있다.

Description

표시장치{DISPLAY APPARATUS}
본 명세서는 표시장치에 관한 것이다.
최근 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 표시장치(Display Apparatus)가 개발되고 있다.
표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Apparatus: LCD), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Apparatus: OLED), 양자점 표시장치(Quantum Dot Display Apparatus) 등을 들 수 있다.
유기발광 표시장치에는 디스플레이 패널 및 다양한 기능들을 제공하기 위한 다수의 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 디스플레이 패널을 제어하기 위한 하나 이상의 디스플레이 구동 회로들이 디스플레이 어셈블리(assembly)에 포함될 수도 있다. 구동 회로들의 예들은 게이트 드라이버들, 발광(소스) 드라이버들, 전력(VDD) 라우팅, ESD(electrostatic discharge) 회로들, MUX(multiplex) 회로들, 데이터 신호 라인들, 캐소드 컨택들, 및 다른 기능성 엘리먼트들을 포함한다. 다양한 종류들의 부가 기능들, 예를 들어 터치 센싱 또는 지문 식별 기능들을 제공하기 위한 다수의 주변 회로들이 디스플레이 어셈블리에 포함될 수도 있다. 일부 컴포넌트들은 디스플레이 패널 자체 상에 배치될 수도 있고, 비디스플레이 영역 및/또는 인액티브 영역(inactive area or non-active area)인, 디스플레이 영역에 인접한 영역들 상에 배치될 수도 있다. 그리고 유기발광 표시장치에 사용되는 유기 발광소자는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광 소자이다. 유기 발광조사는 전자(electron) 주입 전극(cathode)과 정공(hole) 주입 전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다. 전자주입 전극은 상부 전극, 또는 캐소드일 수 있고 정공주입 전극은 하부 전극, 또는 애노드 일 수 있다. 상부 전극은 저전위 전원라인과 연결이 필요하고, 인액티브 영역에서 연결을 위한 컨택구조를 배치할 수 있다.
표시장치의 사이즈는 설계에 있어 매우 중요한 인자이고 특히, 스크린 대 베젤 비로 지칭되는, 인액티브 영역의 사이즈에 대한 액티브 영역 사이즈의 높은 비율은 주요한 특징 중 하나일 수 있다. 그러나, 전술한 컴포넌트들 중 일부를 디스플레이 어셈블리 내에 배치하고. 상부 전극과 저전위 전원라인의 컨택 구조를 컴포넌트 외부에 배치하는 것은, 큰 인액티브 영역을 필요로 하게 된다. 컴포넌트 외부에 배치된 상부 전극과 저전위 전원라인의 컨택 구조는 인액티브 최외곽의 기판 절단면이나. 기판 절단면의 크랙에서 발생하는 외부 투습에 쉽게 노출될 수 있다. 따라서, 상부 전극과 저전위 전원라인의 컨택 구조의 외곽에 외부의 투습으로부터 보호하기 위해, 기판의 절단면에서 일정한 거리가 필요하고, 베젤영역의 축소에 제약이 있다.
본 발명의 발명자들은, 인액티브 영역의 사이즈를 낮춘 네로우 베젤(narrow bezel)을 구현하기 위해서는 게이트 드라이버나 ESD같은 컴포넌트들의 배치, 및 최적의 구동 방법 등을 포함한 여러 가지 기술이 요구됨을 인식하였다. 이에, 본 발명의 발명자들은 인액티브 영역의 공간을 효율적으로 사용하면서 액티브 영역의 유기발광 소자를 잘 보호할 수 있는 컴포넌트들의 배치에 대해 다양한 실험을 진행하였다. 여러 실험을 통하여 유기발광 소자를 구성하는 상부 전극과 저전위 전원라인이 컨택하는 새로운 구조를 발명하였다.
예를 들면, 외부의 습기가 침투하는 경로 중에 하나인 유기 절연막을 인액티브 영역에서 단절 구간(Isolation area)을 마련할 수 있다. 인액티브 영역의 GIP(Gate In Panel)영역 외부에 유기 절연막을 제거하여 투습을 방지하였는데, GIP영역에도 유기 절연막을 단절 구간을 마련할 수 있다. GIP영역상에 있는 평탄화층과 뱅크층 및 스페이서층을 일정 구간 제거하면, 무기 절연막이 액티브 영역으로 통하는 유일한 통로가 되도록 할 수 있다.
또한, 유기 절연막의 단절 구간을 이용하여, 상부 전극과 저전위 전원라인의 연결구조를 제공할 수 있다. 상부 전극과 저전위 전원라인은 GIP영역의 외곽에서 연결되는 구조를 가질 수 있는데, 연결 구조를 위한 공간이 별도로 필요하여 베젤 영역의 축소에 제한이 있었다. 이러한 제약을 줄이는 방안으로 상부전극과 중간 연결전극을 GIP영역에서 연결시키고, 중간 연결전극을 GIP영역외곽에서 연결시켜 베젤 영역의 공간을 절약할 수 있다.
유기 절연막의 단절 구간을 형성하면서, 상부 전극과 저전위 전원라인의 연결 구조를 간소화 하기 위해 중간 연결전극의 사용이 필요하다. GIP영역 상에 유기 절연막의 단절 구간을 형성하면, 유기 절연막의 두께만큼 깊은 홀이 생성된다. 상부 전극의 경우 깊은 홀에 성막 시 얇은 두께로 인해 상부전극이 깨지거나 충분히 성막되지 못할 수 있다. 이러한 현상을 방지 하기 위해 중간 연결전극을 홀 영역에 배치하고 상부 전극과 중간 연결전극이 접촉할 수 있는 접촉보증 영역을 형성하여 보다 안정적인 연결 구조를 달성 할 수 있다.
이러한 실험을 통하여, 표시장치의 인액티브 영역을 줄이면서, 수분 투습을 방지할 수 있는 표시장치를 구현할 수 있다.
본 명세서는 유기발광 표시장치의 외곽부 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다.
본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는 액티브 영역과 인액티브 영역을 포함하는 기판, 액티브 영역은 애노드 전극, 유기발광층, 및 캐소드 전극을 포함하고, 인액티브 영역은 게이트 구동부와 크랙방지구조를 포함하고, 게이트 구동부와 인접한 영역에 배치된 컨택 영역, 컨택 영역은 캐소드 전극과 연결 전극이 접촉할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 액티브 영역과 인액티브 영역을 포함하는 기판, 액티브 영역은 박막트랜지스터를 포함하고, 박막트랜지스터 상에 배치된 평탄화층, 제1 전극, 뱅크층, 유기발광층, 제2 전극이 순차적으로 배치되고, 인액티브 영역은 게이트 구동유닛, 댐 구조물, 크랙방지구조를 포함하고, 게이트 구동부 위에 배치된 연결 전극이 제2 전극의 연장부와 연결되는 컨택 영역을 가질 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는 인액티브 영역에 배치되는 유기 절연층들을 액티브 영역으로 연결되는 구조를 단절 시켜 외부에서 유입될 수 있는 수분이 액티브 영역의 유기 발광소자에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 인액티브 영역의 게이트 구동부 상에 평탄화층과 뱅크층을 일부 제거하여 단절시키는 구조를 배치할 수 있고, 평탄화층과 뱅크층에 더해 무기 절연막까지 추가 제거하여 수분이 침투할 수 있는 경로를 차단함으로써, 유기 발광소자가 투습으로부터 강한 표시장치를 제공할 수 있다.
인액티브 영역의 유기 절연막을 단절 시키는 구조에 유기 발광소자의 캐소드 전극과 인액티브 영역에 배치된 저전위 전원배선과의 전기적 연결을 위한 중간구조를 배치할 수 있다. 예를 들면, 연결 전극을 유기 절연막 단절 부위에 배치하고 상부에 배치될 캐소드 전극을 연결시키면, 별도의 공간이 필요했던 유기 발광소자의 저전위 전원 연결구조를 게이트 구동부의 영역에 중첩해서 배치할 수 있다. 이를 통해 베젤 영역을 최소화하여 표시장치의 사용자는 심미적으로 발광 화면이 표시장치의 전면에 가득 찬 디바이스를 사용할 수 있고, 좁은 베젤에 적용되는 컴팩트한 모듈을 사용하여 사용자에게 보다 탁월한 그립(grip)감과 가벼운 무게를 갖는 표시장치를 제공할 수 있다.
이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 발명의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리 범위는 발명의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.
도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 평면도를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 절단선 I-I'을 따라 자른 실시예의 단면도이다.
도 3은 도 1의 절단선 I-I'을 따라 자른 다른 실시예의 단면도이다.
도 4는 도 1의 절단선 I-I'을 따라 자른 다른 실시예의 단면도이다.
도 5는 본 실시예의 연결구조가 적용된 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 명세서의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
본 명세서에서 "표시장치"는 표시패널과 표시패널을 구동하기 위한 구동부를 포함하는 액정 모듈(Liquid Crystal Module; LCM), 유기발광 모듈(OLED Module), 양자점 모듈(Quantum Dot Module)과 같은 협의의 표시장치를 포함할 수 있다. 그리고, LCM, OLED 모듈, QD 모듈 등을 포함하는 완제품(complete product 또는 final product)인 노트북 컴퓨터, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 자동차용 장치(automotive display) 또는 차량(vehicle)의 다른 형태 등을 포함하는 전장장치(equipment display), 스마트폰 또는 전자패드 등의 모바일 전자장치(mobile electronic device) 등과 같은 세트 전자장치(set electronic device) 또는 세트 장치(set device 또는 set apparatus)도 포함할 수 있다.
따라서, 본 명세서에서의 표시장치는 LCM, OLED 모듈, QD 모듈 등과 같은 협의의 디스플레이 장치 자체, 및 LCM, OLED 모듈, QD 모듈 등을 포함하는 응용제품 또는 최종소비자 장치인 세트 장치까지 포함할 수 있다.
그리고, 경우에 따라서는, 표시패널과 구동부 등으로 구성되는 LCM, OLED 모듈, QD 모듈을 협의의 "표시장치"로 표현하고, LCM, OLED 모듈, QD 모듈을 포함하는 완제품으로서의 전자장치를 "세트장치"로 구별하여 표현할 수도 있다. 예를 들면, 협의의 표시장치는 액정(LCD), 유기발광(OLED) 또는 양자점(Quantum Dot)의 표시패널과, 표시패널을 구동하기 위한 제어부인 소스 PCB를 포함하며, 세트장치는 소스 PCB에 전기적으로 연결되어 세트장치 전체를 제어하는 세트 제어부인 세트 PCB를 더 포함하는 개념일 수 있다.
본 실시예에 사용되는 표시패널은 액정표시패널, 유기전계발광(OLED: Organic Light Emitting Diode) 표시패널, 양자점(QD: Quantum Dot) 표시패널 및 전계발광 표시패널(electroluminescent display panel) 등의 모든 형태의 표시패널이 사용될 수 있으며, 본 실시예의 유기전계발광(OLED) 표시패널용 플렉서블 기판과 하부의 백플레이 지지구조로 베젤 벤딩을 할 수 있는 특정한 표시패널에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치에 사용되는 표시패널은 표시패널의 형태나 크기에 한정되지 않는다.
예를 들면, 표시패널이 유기전계발광(OLED) 표시패널인 경우에는, 다수의 게이트 라인과 데이터 라인, 및 게이트 라인과 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 픽셀(Pixel)을 포함할 수 있다. 그리고, 각 픽셀에 선택적으로 전압을 인가하기 위한 소자인 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이와, 어레이 상의 유기 발광 소자(OLED)층, 및 유기 발광 소자층을 덮도록 어레이 상에 배치되는 봉지 기판 또는 봉지층(Encapsulation) 등을 포함하여 구성될 수 있다. 봉지층은 외부의 충격으로부터 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자층 등을 보호하고, 유기 발광 소자층으로 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 어레이 상에 형성되는 층은 무기발광층(inorganic light emitting layer), 예를 들면 나노사이즈의 물질층(nano-sized material layer) 또는 양자점(quantum dot) 등을 포함할 수 있다.
본 명세서에서 도 1은 표시장치들 내에 통합될 수도 있는 예시적인 유기전계발광(OLED) 디스플레이 패널(100)을 예시한다.
도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 평면도를 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하면, 유기전계발광 디스플레이 패널(100)은 내부에 발광소자들과 발광소자 구동을 위한 어레이가 형성된, 적어도 하나의 액티브 영역(AA)을 포함한다.
디스플레이 패널(100)은 액티브 영역(AA)의 주변부에 배치되는 인액티브 영역을 포함할 수 있고, 액티브 영역(AA)의 상하좌우를 인액티브 영역이라고 할 수 있다. 액티브 영역(AA)은 직사각형 형태, 또는 노치(Notch)가 있고 모서리가 둥근 형태일 수 있으며, 스마트 와치나 자동차용 표시장치에는 원형, 타원형, 또는 다각형 등의 다양한 형태의 표시장치가 적용될 수 있다. 따라서, 액티브 영역(AA)을 둘러싸고 있는 인액티브 영역의 배열이 도 1에 예시된 유기전계발광(OLED) 디스플레이 패널(100)로 한정되는 것은 아니다. 액티브 영역(AA)의 좌우측 인액티브 영역에는 액티브 영역(AA)내 형성된 발광소자들과 어레이들의 구동을 위한 다양한 컴포넌트들이 위치하여 안정적인 발광을 위한 기능을 제공할 수 있다. 예를 들면, GIP(Gate-in-Panel, 300) 및 ESD(Electrostatic Discharge, 500) 등의 회로들, 발광소자의 일부분인 상부 전극 또는 캐소드(Cathode)와 발광소자의 전압 기준점인 저전위 전압(VSS) 라인(410) 간의 접촉을 위한 영역, 발광소자를 외부의 투습이나 이물로부터 보호하기 위한 봉지층 중 이물보상층의 도포 공정 중에 디스플레이 패널(100)의 외측으로 넘쳐 흐르는 것을 방지하기 위한 다수의 댐(Dam) 구조가 있을 수 있다. 또한, 모기판에서 개별 디스플레이 패널(100)로 나누기 위한 절단공정(Scribing 공정) 중에 발생할 수 있는 크랙(Crack)이 디스플레이 패널(100) 내부로 전달되는 것을 방지하기 위한 크랙방지구조(Crack stopper structure, 460) 등이 배치될 수 있다.
본 명세서의 크랙방지구조(460)는 절단공정 중에 기판(110)의 절단면(Trimming line)에서 발생하는 충격이 인액티브 영역에 형성된 GIP(300)나 ESD(500) 또는 저전위 전원(VSS) 라인(410)에 도달하여 파괴하거나 액티브 영역(AA)에 형성된 발광소자나 어레이에 투습경로를 제공하여 흑점(Dark spot)이 성장하거나 화소 수축(Pixel Shrinkage)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
크랙방지구조(460)의 구성은 무기막 또는 유기막으로 구성될 수 있고, 무기막 및 유기막의 복층 구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 1에서는 크랙방지구조(460)를 디스플레이 패널(100)의 장변 양측과 단변 한측에만 배치되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
크랙방지구조(460)의 바깥측인 기판(110)의 절단면에 인접한 영역에서는 액티브 영역(AA)을 형성할 때 전면 증착되는 절연막들(GI, Buffer layer 등)의 부분 또는 전체를 에칭(etching)할 수 있다. 에칭을 통해 기판(110)의 상부에 소량의 절연막이 남거나 기판의 상부 표면이 완전히 노출되도록 하여 절단 충격이 해당 절연막에 전달되지 않도록 할 수 있다.
일 예에 따른 디스플레이 패널(100)은 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인에 의해 정의되는 복수의 픽셀과 각 픽셀을 구동하기 위해 각 픽셀에 마련된 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판, 박막 트랜지스터 어레이 기판 상에 마련된 유기 발광 소자층, 및 유기 발광 소자층을 덮는 봉지층(encapsulation layer) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 봉지층은 외부의 충격으로부터 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자층 등을 보호하고, 유기 발광 소자층으로 수분이 침투하는 것을 방지한다.
도 1을 참조하면, 디스플레이 패널(100)의 하부 영역에는 외부 전원과 데이터 구동 신호 등을 받거나 터치 신호를 주고 받기 위해 형성된 패드(450)와 전기적으로 연결되는 FPCB가 배치될 수 있다. FPCB로부터 연장되는 고전위 전원(VDD) 라인(420), 저전위 전원(VSS) 라인(410) 및/또는 데이터용 전압 배선들이 배치될 수 있다. 저전위 전원라인(410)은 액티브 영역(AA)에 있는 소자의 기준 전압을 형성하기 위한 용도이며, 저항을 낮추기 위해 액티브 영역(AA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 패드(450)가 배치된 일면을 제외한 액티브 영역(AA)의 삼면을 둘러싸도록 배치될 수 있고, 상부 전극과 연결되기 위한 연결구조를 가질 수 있다.
본 명세서의 데이터용 전압 배선은 발광소자의 발광신호를 발생시키는 데이터 드라이버 IC쪽으로 연결되어 배치될 수 있다.
앞서 설명한 패드(450)가 배치된 영역은 제2 컴포넌트 형성부일 수 있다. 제2 컴포넌트 형성부에는 고전위 전원라인(420) 및 저전위 전원라인(410)의 일부가 배치될 수 있다.
디스플레이 패널(100) 상면에 형성된 패드(450)에 연결되는 부재는 FPCB 로 한정되지 않고, 다양한 부재가 연결 가능하며 패드(450)의 위치는 디스플레이 패널(100)의 상면 혹은 배면에 배치하는 것도 가능하다.
디스플레이 패널(100)의 기반이 되는 기판(110)은 글라스, 금속, 또는 플라스틱 등과 같은 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다. 기판(110)이 플렉서블 기판일 경우, 예를 들면, 기판은 폴리에테르술폰(polyethersulphone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 또한, 기판(110)은 두 개의 플락스틱 기판과 두 개의 플라스틱 기판 사이의 무기층을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 두 개의 플라스틱 기판은 상술한 고분자 수지를 포함할 수 있으며, 서로 동일하거나 다른 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 두 개의 플라스틱 기판 각각은 폴리이미드(polyimide)를 포함하고, 3㎛ 내지 20㎛의 두께를 가질 수 있다. 무기층은 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로서, 질화규소(SiNx) 및/또는 산화규소(SiOx)와 같은 무기물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다. 무기층은 약 6000
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의 두께를 가질 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 2는 도 1의 절단면 I - I'의 단면을 도시하였다. 기판(110)의 액티브영역(AA)에는 박막트랜지스터(200)가 배치되는데, 박막트랜지스터(200) 외에 박막트랜지스터(200)에 전기적으로 연결되는 디스플레이 소자도 배치될 수 있다. 도 2에서는 디스플레이 소자로서 유기발광소자를 도시하고 있다. 이하에서는 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)은 디스플레이 소자로서 유기발광소자를 포함하는 경우에 대해 설명한다. 디스플레이소자인 유기발광소자가 박막트랜지스터(200)에 전기적으로 연결된다는 것은, 유기발광소자가 포함하는 애노드 전극(240)이 박막트랜지스터(200)에 전기적으로 연결되는 것으로 이해될 수 있다. 물론 기판(110)의 주변 인액티브 영역에도 박막트랜지스터(200)가 배치될 수 있다. 이러한 인액티브 영역에 위치하는 박막트랜지스터(200)는 예컨대 액티브 영역(AA) 내에 인가되는 전기적 신호를 제어하기 위한 회로부의 일부일 수 있다.
박막트랜지스터(200)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(210), 게이트 전극(220), 소스/드레인전극(230)을 포함한다. 기판(110) 상에는 기판(110)의 면을 평탄화하기 위해 또는 반도체층(210)으로 불순물 등이 침투하는 것을 방지하기 위해, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등으로 형성된 버퍼층(120)이 배치되고, 이 버퍼층(120) 상에 반도체층(210)이 위치하도록 할 수 있다.
반도체층(210)의 상부에는 게이트 전극(220)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(220)은 인접층과의 밀착성, 적층되는 층의 표면 평탄성 그리고 가공성 등을 고려하여, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디윰(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이때 반도체층(210)과 게이트 전극(220)과의 절연성을 확보하기 위하여, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등으로 형성되는 게이트 절연층(130)이 반도체층(210)과 게이트 전극(220) 사이에 개재될 수 있다. 게이트 전극(220)의 상부에는 무기 절연층(140)이 배치될 수 있는데, 이는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 물질로 단층으로 형성되거나 또는 다층으로 형성될 수 있다.
무기 절연층(140)의 상부에는 소스/드레인전극(230)이 배치된다. 소스/드레인전극(230)은 무기 절연층(140)과 게이트 절연층(130)에 형성되는 컨택홀을 통하여 반도체층(210)에 각각 전기적으로 연결된다.
소스/드레인전극(230)은 도전성 등을 고려하여 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
이러한 구조의 박막트랜지스터(200) 등의 보호를 위해 박막트랜지스터(200)를 덮는 보호막(미도시)이 배치될 수 있다. 보호막은 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물로 형성될 수 있다. 이러한 보호막은 단층일 수도 있고 다층일 수도 있다.
보호막 상에는 평탄화층(150)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 것과 같이 박막트랜지스터(200) 상부에 유기발광소자가 배치될 경우, 평탄화층(150)은 박막트랜지스터(200)를 덮는 보호막 상부를 대체로 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 이러한 평탄화층(150)은, 예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethylmethacrylate, PMMA)나, 폴리스티렌(Polystylene, PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함하는 유기물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 도 2에서는 평탄화층(150)이 단층으로 도시되어 있으나, 다층일 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 물론 본 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)은 보호막과 평탄화층(150)을 모두 가질 수도 있고 필요에 따라 평탄화층(150)만을 가질 수도 있다. 평탄화층(150)은 제1절연층이라 할 수 있다.
기판(110)의 액티브 영역(AA) 내에 있어서, 평탄화층(150) 상에는, 애노드전극(240), 캐소드 전극(250) 및 그 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 유기발광소자가 배치된다. 여기서 유기발광소자(217)를 발광층을 포함하는 유기물층으로 기재하였으나, 좀 더 포괄적으로 발광을 하기 위한 필수 요소인 애노드 전극(240)과 캐소드 전극(250)을 포함하는 것으로 볼 수도 있다.
평탄화층(150)에는 박막트랜지스터(200)의 소스/드레인전극(230) 중 적어도 어느 하나를 노출시키는 개구부가 존재하며, 이 개구부를 통해 소스/드레인전극(230) 중 어느 하나와 컨택하여 박막트랜지스터(200)와 전기적으로 연결되는 애노드 전극(240)이 평탄화층(150) 상에 배치된다. 애노드 전극(240)은 (반)투명전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 애노드 전극(240)이 (반)투명 전극일 경우에는 예컨대 ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO를 포함할 수 있다. 애노드 전극(240)이 반사형 전극일 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO, In2O3, IGO 또는 AZO로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 애노드 전극(240)은 다양한 재질을 포함할 수 있으며, 그 구조 또한 단층 또는 다층이 될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 본 실시예에서는 애노드 전극으로 기재하였으나, 화소 전극, 픽셀 전극, 제1 전극이라 할 수 있다.
평탄화층(150) 상부에는 뱅크층(160)이 배치될 수 있다. 뱅크층(160)은 각 부화소들에 대응하는 개구, 즉 적어도 애노드 전극(240)의 중앙부가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 한다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같은 경우, 뱅크층(160)은 애노드 전극(240)의 가장자리와 애노드 전극(240) 상부의 캐소드 전극(250)과의 사이의 거리를 증가시킴으로써 애노드 전극(240)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 뱅크층(160)은 예를 들면, 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다. 이러한 뱅크층(160)은 제2절연층이나 화소정의막이라 할 수 있다.
유기발광소자(217)의 중간층은 저분자량 또는 고분자량 물질을 포함할 수 있다. 저분자량 물질을 포함할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine),N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 유기물질을 포함할 수 있다. 이러한 층들은 진공 증착의 방법으로 형성될 수 있다.
중간층이 고분자량 물질을 포함할 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 포함할 수 있다. 이러한 중간층은 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(LITI; Laser induced thermal imaging) 등으로 형성할 수 있다.
물론 중간층은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수도 있음은 물론이다.
캐소드 전극(250)은 액티브 영역(AA) 상부에 배치되는데, 도 2에 도시된 것과 같이 액티브 영역(AA)을 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 캐소드 전극(250)은 복수개의 유기발광소자들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 복수 개의 애노드 전극(240)들에 대응할 수 있다. 이러한 캐소드 전극(250)은 (반)투명 전극 또는 반사형 전극일 수 있다.
캐소드 전극(250)이 (반)투명 전극일 때에는 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층과 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 (반)투명 도전층을 가질 수 있다. 캐소드 전극(250)이 반사형 전극일 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물로 형성된 층을 가질 수 있다. 물론 캐소드 전극(250)의 구성 및 재료가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
유기발광소자와 같은 디스플레이소자는 캐소드 전극(250)을 구비하는바, 이미지의 디스플레이를 위해서는 이러한 캐소드 전극(250)에 사전 설정된 전기적 신호가 인가되어야 할 필요가 있다. 따라서 인액티브 영역에는 저전위 전원라인(410)이 위치하여, 캐소드 전극(250)에 사전 설정된 전기적 신호를 전달한다. 본 실시예에서 캐소드 전극(250)이라고 하였으나 캐소드, 음극, 대향 전극, 상부 전극, 제2 전극이라 할 수 있다.
도 2를 참조하면, 도 1의 절단선 I - I'을 따라 액티브 영역(AA)의 측면에 배치된 인액티브 영역(IA)의 단면을 확인 할 수 있다. 인액티브 영역(IA)에는 게이트 구동부(GIP, 300), 댐(DAM) 구조물(170), 크랙방지구조(460) 등이 액티브 영역(AA)과 인접한 순서대로 배치될 수 있다. 게이트 구동부(300)는 발광신호 구동부(310), 스캔신호 구동부(320), 및 링크부(330)로 구성될 수 있다. 유기 발광소자의 구성에 따라 회로구성이 달라질 수 있으며, 게이트 구동부(300)는 적어도 하나의 발광 제어신호와 적어도 하나의 스캔 제어신호를 유기 발광소자가 구성하는 서브 픽셀에 전달할 수 있다. 이러한 신호전달을 위해 발광신호 구동부(310), 스캔신호 구동부(320)와 유기 발광소자 사이에 링크부(330)가 배치될 수 있다. 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)는 복수 개의 트렌지스터와 적어도 하나 이상의 커패시터를 포함할 수 있다. 게이트 구동부(300) 상에는 액티브 영역(AA)에서 기재한 바와 같이 평탄화층(150)이 배치될 수 있고, 애노드 전극(240)과 동일한 물질의 금속층이 평탄화층(150)상에 배치될 수 있다. 애노드 전극(240)으로 형성된 금속층을 연결 전극(740)이라고 할 수 있다. 연결 전극(740)에 기체 배출 패턴(750)이 마련될 수 있다. 기체 배출 패턴(750)은 비표시 영역에 배치될 수 있는데, 디스플레이 패널(100)의 제작을 위한 공정 중 열처리 시 평탄화층(150)에서 발생할 수 있는 수소(H2) 가스의 배출을 위한 홀(Hole) 형태일 수 있다. 연결 전극(740)과 기체 배출 패턴(750)은 인액티브 영역(IA)의 게이트 구동부(300)와 적어도 일부 구간에서 중첩될 수 있다. 연결 전극(740)의 위에 액티브 영역(AA)에서 배치된 뱅크층(160)이 연장되어 배치될 수 있다. 뱅크층(160)상에 액티브 영역(AA)에서 배치된 캐소드 전극(250)이 연장되어 배치될 수 있다.
도 2를 참조하면, 게이트 구동부(300)를 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)로 구분할 수 있는데, 예를 들면, 발광신호 구동부(310)가 스캔신호 구동부(320)보다 외곽에 배치될 수 있다. 그러나, 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)의 위치가 이에 한정되지는 않는다. 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)의 사이 공간에 외부에서 비롯된 습기의 투습을 방지하기 위해, 주요 경로인 평탄화층(150)과 뱅크층(160)의 일부를 단절시키기 위한 단절 구조를 형성할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(150)과 뱅크층(160)을 엣칭(etching)하여 무기 절연층(140) 또는 게이트 절연층(130)을 노출하는 홀을 형성할 수 있다. 평탄화층(150)과 뱅크층(160)을 통해 이동하던 외부의 수분이 에칭된 부분에서 이동하지 못할 수 있다. 이렇게 형성된 홀 상에 연결 전극(740)과 캐소드 전극(250)이 배치될 수 있다. 평탄화층(150)과 뱅크층(160)을 엣칭한 곳에 연결 전극(740)과 캐소드 전극(250)을 배치하여 상호 연결되도록 하는 구조는 컨택 영역(600)일 수 있다. 컨택 영역(600)은 컨택 보증 영역(610)과 컨택 홀(620)을 포함할 수 있다. 여기서, 컨택 영역(600)은 연결 영역으로 일컬어질 수 있고, 컨택 보증 영역(610)은 연결 보조 영역으로 일컬어질 수도 있다. 컨택 영역(600)을 통해 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)이 전기적으로 접촉하고, 연결 전극(740)이 인액티브 영역(IA)의 외곽으로 연장되어 저전위 전원라인(410)에 연결될 수 있다. 연결 전극(740)과 저전위 전원라인(410)이 연결되는 인근에 다수 개의 댐 구조물(170)이 배치될 수 있다. 다수 개의 댐 구조물(170)은 유기 발광소자가 형성된 후 외부의 습기로부터 투습을 방지하고자 봉지층을 형성할 수 있다. 봉지층 중에 유기 봉지층이 기판(110)의 외곽까지 흘러 내리는 것을 댐 구조물(170)이 방지할 수 있다. 다수 개의 댐 구조물(170)에서 기판(110)의 외곽으로 일정 거리 이격되어, 앞서 기재한 크랙방지구조(460)가 배치될 수 있다.
컨택 영역(600)은 외부 습기로부터 투습을 방지하기 위해, 주요 투습 경로인 유기 절연층의 액티브 영역으로 연장을 끊어주는 역할을 할 수 있다. 또한, 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)의 전기적 연결 지점을 게이트 구동부(300)의 바깥쪽에서 안쪽으로 당길 수 있다. 게이트 구동부(300)의 바깥쪽에 배치되던 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)의 전기적 연결 지점을 게이트 구동부(300)가 있는 내부로 옮김으로써, 베젤 영역이 차지하는 공간을 줄일 수 있다. 게이트 구동부(300)가 배치된 영역과 중첩되게 컨택 영역(600)을 배치함으로써, 복수 개의 댐 구조물(170)과 크랙방지구조(460)가 액티브 영역(AA)에 보다 가깝게 배치될 수 있다.
컨택 영역(600)은 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)이 잘 접촉할 수 있도록 계단형 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(150)을 단절 시키기 위한 제1 단절 구조의 폭과 뱅크층(160)을 단절 시키기 위한 제2 단절 구조의 폭을 달리할 수 있다. 평탄화층(150)의 제1 단절 구조 폭보다 뱅크층(160)의 제2 단절 구조 폭을 더 넓게 하여 연결 전극(740)이 평탄화층(150)의 제1 단절 구조를 따라 성막될 수 있다. 캐소드 전극(250)은 뱅크층(160)의 제2 단절 구조를 따라 성막되면, 도 2에 도시된 바와 같이, 연결 전극(740)과 캐소드 전극(250)이 일정한 계단 형태를 띄고 서로 접촉되는 것을 알 수 있다. 뱅크층(160)의 제2 단절 구조 폭과 평탄화층(150)의 제1 단절 구조 폭이 다른 곳을 컨택 보증 영역(610)이라고 할 수 있다. 평탄화층(150)과 뱅크층(160)을 한번에 에칭하면, 공정이 단순할 수 있으나, 연결 전극(740)과 캐소드 전극(250)이 단절 구조의 세로 측벽을 통해 연결되어야 할 수 있다. 또한, 단절 구조의 바닥 영역은 매우 좁을 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(150)의 제1 단절 구조 형성 시 평탄화층(150)에 잔막이 남을 수 있음을 고려하여, 평탄화층(150)의 아래에 있는 무기 절연층(140)까지 오버엣칭을 할 수 있다. 이때 엣칭된 무기 절연층(140)의 단절 구조는 작게 형성될 수 있다. 캐소드 전극(250)이 약 100~200 Å 내외로 매우 얇게 성막되는 특징을 감안하면, 단절 구조의 측벽이나 바닥을 통하여 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)이 안정적인 전기적 접촉을 못할 수 있다. 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)이 안정적으로 접촉할 수 있도록 하기 위해, 컨택 보증 영역(610)을 배치할 수 있다. 평탄화층(150)과 뱅크층(160)의 단절 구조 형성을 별도의 공정으로 분리할 수 있다. 단절 구조의 중심을 서로 달리 하거나, 단절 구조의 폭을 달리하여, 평탄화층(150)상에 연결 전극(740)이 평평하게 성막된 지점을 만들 수 있다. 이렇게 연결 전극(740)이 평평하게 성막된 지점에 캐소드 전극(250)을 성막하면, 보다 안정적인 접촉을 할 수 있다.
컨택 보증 영역(610)은 컨택 영역(600)의 중심을 기준으로 액티브 영역(AA)에 가까운 곳에 배치될 수 있다. 액티브 영역(AA)에 가깝게 컨택될수록 캐소드 전극(250)의 저항에 유리하고, 외부 수분의 침투에 대해서도 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)의 연결지점을 보호할 수 있다.
컨택 영역(600)은 게이트 구동부(300)의 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)의 사이에 배치될 수 있다. 발광신호 구동부(310)의 공간만큼 컨택 영역(600)이 액티브 영역(AA)에 가까워 짐으로써 베젤 영역의 공간 절약과 함께, 외부 수분의 침투를 게이트 구동부(300)의 비교적 외곽에서 방지할 수 있는 장점이 있다. 다만, 이러한 공간 배치를 위해 게이트 구동부(300)의 설계를 변경하여 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)간의 간격을 일부 조정하여 컨택 영역(600)을 배치할 필요가 있다.
컨택 영역(600)은 도 1을 참조할 때, 게이트 구동부(300)가 배치된 액티브 영역(AA)의 좌우측에 배치될 수 있다. 또한 액티브 영역(AA)의 상측과 패드(450)가 배치된 하측에도 배치할 수 있다. 다만, 액티브 영역(AA)의 상측과 하측에는 게이트 구동부(300)가 배치되지 않을 수 있으므로 게이트 구동부(300)의 위치에 제약없이 설계할 수 있다.
도 3은 도 1의 절단선 I - I'을 따라 액티브 영역(AA)의 측면에 배치된 인액티브 영역(IA)의 단면을 확인 할 수 있다. 도 3의 액티브 영역(AA)에 대한 설명은 도 2와 중복되므로 생략하겠다. 도 3을 참조하면, 인액티브 영역(IA)에는 게이트 구동부(GIP, 300), 댐(DAM) 구조물(170), 크랙방지구조(460) 등이 액티브 영역(AA)과 인접한 순서대로 배치될 수 있다. 게이트 구동부(300)는 발광신호 구동부(310), 스캔신호 구동부(320), 링크부(330)로 구성될 수 있다. 유기 발광소자의 구성에 따라 회로구성이 달라질 수 있는데, 게이트 구동부(300)는 적어도 하나의 발광 제어신호와 적어도 하나의 스캔 제어신호를 유기 발광소자가 구성하는 서브 픽셀에 전달할 수 있다. 이러한 신호전달을 위해 발광신호 구동부(310), 스캔신호 구동부(320)와 유기 발광소자 사이에 링크부(330)가 배치될 수 있다. 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)는 복수 개의 트렌지스터와 적어도 하나 이상의 커패시터를 포함할 수 있다. 게이트 구동부(300) 상에는 액티브 영역(AA)에서 기재한 바와 같이 평탄화층(150)이 배치될 수 있고, 애노드 전극(240)과 동일한 물질의 금속층이 평탄화층(150)상에 배치될 수 있다. 애노드 전극(240)으로 형성된 금속층을 연결 전극(740)이라고 할 수 있다. 연결 전극(740)에 기체 배출 패턴(750)이 마련될 수 있다. 기체 배출 패턴(750)은 비표시 영역에 배치될 수 있는데, 디스플레이 패널(100)의 제작을 위한 공정 중 열처리 시 평탄화층(150)에서 발생할 수 있는 수소(H2) 가스의 배출을 위한 홀(Hole) 형태일 수 있다. 연결 전극(740)과 기체 배출 패턴(750)은 인액티브 영역(IA)의 게이트 구동부(300)와 적어도 일부 구간에서 중첩될 수 있다. 연결 전극(740)의 위에 액티브 영역(AA)에서 배치된 뱅크층(160)이 연장되어 배치될 수 있다. 뱅크층(160)상에 액티브 영역(AA)에서 배치된 캐소드 전극(250)이 연장되어 배치될 수 있다.
도 3을 참조하면, 게이트 구동부(300)를 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)로 구분할 수 있는데, 예를 들면, 발광신호 구동부(310)가 스캔신호 구동부(320)보다 외곽에 배치될 수 있다. 하지만 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)의 위치가 이에 한정되지는 않는다. 스캔신호 구동부(320)와 링크부(330)의 사이 공간에 외부에서 비롯된 습기의 투습을 방지하기 위해, 주요 경로인 평탄화층(150)과 뱅크층(160)의 일부를 단절시키기 위한 단절 구조를 형성할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(150)과 뱅크층(160)을 엣칭(etching)하여 무기 절연층(140) 또는 게이트 절연층(130)을 노출하는 홀을 형성할 수 있다. 평탄화층(150)과 뱅크층(160)을 통해 이동하던 외부의 수분이 에칭된 부분에서 이동하지 못할 수 있다. 이렇게 형성된 홀 상에 연결 전극(740)과 캐소드 전극(250)이 배치될 수 있다. 평탄화층(150)과 뱅크층(160)을 엣칭한 곳에 연결 전극(740)과 캐소드 전극(250)을 배치하여 상호 연결되도록 하는 구조는 컨택 영역(600)일 수 있다. 컨택 영역(600)은 컨택 보증 영역(610)과 컨택 홀(620)을 포함할 수 있다. 컨택 영역(600)을 통해 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)이 전기적으로 접촉하고, 연결 전극(740)이 인액티브 영역(IA)의 외곽으로 연장되어 저전위 전원라인(410)에 연결될 수 있다. 연결 전극(740)과 저전위 전원라인(410)이 연결되는 인근에 다수 개의 댐 구조물(170)이 배치될 수 있다. 다수 개의 댐 구조물(170)은 유기 발광소자가 형성된 후 외부의 습기로부터 투습을 방지하고자 봉지층을 형성할 수 있다. 봉지층 중에 유기 봉지층이 기판(110)의 외곽까지 흘러 내리는 것을 댐 구조물(170)이 방지할 수 있다. 다수 개의 댐 구조물(170)에서 기판(110)의 외곽으로 일정 거리 이격되어, 앞서 기재한 크랙방지구조(460)가 배치될 수 있다.
컨택 영역(600)은 외부 습기로부터 투습을 방지하기 위해, 주요 투습 경로인 유기 절연층의 액티브 영역으로 연장을 끊어주는 역할을 할 수 있다. 또한, 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)의 전기적 연결 지점을 게이트 구동부(300)의 바깥쪽에서 안쪽으로 당길 수 있다. 게이트 구동유닛(300)의 바깥쪽에 배치되던 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)의 전기적 연결 지점을 게이트 구동부(300)가 있는 내부로 옮김으로써, 베젤 영역이 차지하는 공간을 줄일 수 있다. 게이트 구동부(300)가 배치된 영역과 중첩되게 컨택 영역(600)을 배치함으로써, 복수 개의 댐 구조물(170)과 크랙방지구조(460)가 액티브 영역(AA)에 보다 가깝게 배치될 수 있다.
컨택 영역(600)은 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)이 잘 접촉할 수 있도록 계단형 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(150)을 단절 시키기 위한 제1 단절 구조의 폭과 뱅크층(160)을 단절 시키기 위한 제2 단절 구조의 폭을 달리할 수 있다. 평탄화층(150)의 제1 단절 구조 폭보다 뱅크층(160)의 제2 단절 구조 폭을 더 넓게 하여 연결 전극(740)이 평탄화층(150)의 제1 단절 구조를 따라 성막될 수 있다. 캐소드 전극(250)은 뱅크층(160)의 제2 단절 구조를 따라 성막되면, 도 3에 도시된 바와 같이, 연결 전극(740)과 캐소드 전극(250)이 일정한 계단 형태를 띄고 서로 접촉되는 것을 알 수 있다. 뱅크층(160)의 제2 단절 구조 폭과 평탄화층(150)의 제1 단절 구조 폭이 다른 곳을 컨택 보증 영역(610)이라고 할 수 있다. 평탄화층(150)과 뱅크층(160)을 한번에 에칭하면, 공정이 단순할 수 있으나, 연결 전극(740)과 캐소드 전극(250)이 단절 구조의 세로 측벽을 통해 연결되어야 할 수 있다. 또한, 단절 구조의 바닥 영역은 매우 좁을 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(150)의 제1 단절 구조 형성 시 평탄화층(150)에 잔막이 남을 수 있음을 고려하여, 평탄화층(150)의 아래에 있는 무기 절연층(140)까지 오버엣칭을 할 수 있다. 이때 엣칭된 무기 절연층(140)의 단절 구조는 작게 형성될 수 있다. 캐소드 전극(250)이 약 100~200 Å 내외로 매우 얇게 성막되는 특징을 감안하면, 단절 구조의 측벽이나 바닥을 통하여 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)이 안정적인 전기적 접촉을 못할 수 있다. 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)이 안정적으로 접촉할 수 있도록 하기 위해, 컨택 보증 영역(610)을 배치할 수 있다. 평탄화층(150)과 뱅크층(160)의 단절 구조 형성을 별도의 공정으로 분리할 수 있다. 단절 구조의 중심을 서로 달리 하거나, 단절 구조의 폭을 달리하여, 평탄화층(150)상에 연결 전극(740)이 평평하게 성막된 지점을 만들 수 있다. 이렇게 연결 전극(740)이 평평하게 성막된 지점에 캐소드 전극(250)을 성막하면, 보다 안정적인 접촉을 할 수 있다.
컨택 보증 영역(610)은 컨택 영역(600)의 중심을 기준으로 액티브 영역(AA)에 가까운 곳에 배치될 수 있다. 액티브 영역(AA)에 가깝게 컨택될수록 캐소드 전극(250)의 저항에 유리하고, 외부 수분의 침투에 대해서도 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)의 연결지점을 보호할 수 있다.
컨택 영역(600)은 게이트 구동부(300)의 스캔신호 구동부(320)와 링크부(330)의 사이에 배치될 수 있다. 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)의 공간만큼 컨택 영역(600)이 액티브 영역(AA)에 가까워 짐으로써 베젤 영역의 공간 절약과 함께, 외부 수분의 침투를 게이트 구동부(300)의 중간에서 방지할 수 있는 장점이 있다. 그리고, 컨택 영역(600)을 도 2와 비교하여 액티브 영역(AA)에 가깝게 배치함으로써, 침투한 수분이 유기 발광소자와 비교적 가까운 영역까지 전파될 수 있는 상대적인 단점이 있다. 그러나, 캐소드 전극(250)이 도 2와 비교하여 액티브 영역(AA)에 가까운 곳에서 연결 전극(740)과 접촉하는 것은, 디스플레이 패널(100)의 전기적 저항측면에서 장점이 될 수 있다. 예를 들면, 캐소드 전극(250)과 대비하여 낮은 저항을 갖는 연결전극(740)이 도 2의 구조보다 더 긴 거리를 가짐으로써, 전체적인 저전위 전원라인(410)의 저항이 낮아지는 효과를 가질 수 있다.
컨택 영역(600)은 도 1을 참조할 때, 게이트 구동부(300)가 배치된 액티브 영역(AA)의 좌우측에 배치될 수 있다. 또한 액티브 영역(AA)의 상측과 패드(450)가 배치된 하측에도 배치할 수 있다. 다만, 액티브 영역(AA)의 상측과 하측에는 게이트 구동부(300)가 배치되지 않을 수 있으므로 게이트 구동부(300)의 위치에 제약없이 설계할 수 있다.
도 4는 도 1의 절단선 I - I'을 따라 액티브 영역(AA)의 측면에 배치된 인액티브 영역(IA)의 단면을 확인 할 수 있다. 도 4의 액티브 영역(AA)에 대한 설명은 도 2 내지 도 3과 중복되므로 생략하겠다. 도 4를 참조하면, 인액티브 영역(IA)에는 게이트 구동부(GIP, 300), 댐(DAM) 구조물(170), 크랙방지구조(460) 등이 액티브 영역(AA)과 인접한 순서대로 배치될 수 있다. 게이트 구동부(300)는 발광신호 구동부(310), 스캔신호 구동부(320), 링크부(330)로 구성될 수 있다. 유기 발광소자의 구성에 따라 회로구성이 달라질 수 있으며, 게이트 구동부(300)는 적어도 하나의 발광 제어신호와 적어도 하나의 스캔 제어신호를 유기 발광소자가 구성하는 서브 픽셀에 전달할 수 있다. 이러한 신호전달을 위해 발광신호 구동부(310), 스캔신호 구동부(320)와 유기 발광소자 사이에 링크부(330)가 배치될 수 있다. 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)는 복수 개의 트렌지스터와 적어도 하나 이상의 커패시터를 포함할 수 있다. 게이트 구동부(300)상에는 액티브 영역(AA)에서 기재한 바와 같이 평탄화층(150)이 배치될 수 있고, 애노드 전극(240)과 동일한 물질의 금속층이 평탄화층(150)상에 배치될 수 있다. 애노드 전극(240)으로 형성된 금속층을 연결 전극(740)이라고 할 수 있다. 연결 전극(740)에 기체 배출 패턴(750)이 마련될 수 있다. 기체 배출 패턴(750)은 비표시 영역에 배치될 수 있는데, 디스플레이 패널(100)의 제작을 위한 공정 중 열처리시 평탄화층(150)에서 발생할 수 있는 수소(H2) 가스의 배출을 위한 홀(Hole) 형태일 수 있다. 연결 전극(740)과 기체 배출 패턴(750)은 인액티브 영역(IA)의 게이트 구동부(300)와 적어도 일부 구간에서 중첩될 수 있다. 연결 전극(740)의 위에 액티브 영역(AA)에서 배치된 뱅크층(160)이 연장되어 배치될 수 있다. 뱅크층(160)상에 액티브 영역(AA)에서 배치된 캐소드 전극(250)이 연장되어 배치될 수 있다.
도 4를 참조하면, 게이트 구동부(300)를 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)로 구분할 수 있는데, 예를 들면, 발광신호 구동부(310)가 스캔신호 구동부(320)보다 외곽에 배치될 수 있다. 하지만 발광신호 구동부(310)와 스캔신호 구동부(320)의 위치가 이에 한정되지는 않는다. 스캔신호 구동부(320)와 링크부(330)의 사이 공간에 외부에서 비롯된 습기의 투습을 방지하기 위해, 주요 경로인 평탄화층(150)과 뱅크층(160)의 일부를 단절시키기 위한 단절 구조를 형성할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(150)과 뱅크층(160)을 에칭(etching)하여 무기 절연층(140) 또는 게이트 절연층(130)을 노출하는 홀을 형성할 수 있다. 평탄화층(150)과 뱅크층(160)을 통해 이동하던 외부의 수분이 에칭된 부분에서 이동하지 못할 수 있다. 이렇게 형성된 홀 상에 연결 전극(740)과 캐소드 전극(250)이 배치될 수 있다. 평탄화층(150)과 뱅크층(160)을 엣칭한 곳에 연결 전극(740)과 캐소드 전극(250)을 배치하여 상호 연결되도록 하는 구조는 컨택 영역(600)일 수 있다. 컨택 영역(600)은 컨택 보증 영역(610)과 컨택 홀(620)을 포함할 수 있다. 컨택 영역(600)을 통해 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)이 전기적으로 접촉하고, 연결 전극(740)이 인액티브 영역(IA)의 외곽으로 연장되어 저전위 전원라인(410)에 연결될 수 있다. 연결 전극(740)과 저전위 전원라인(410)이 연결되는 인근에 다수 개의 댐 구조물(170)이 배치될 수 있다. 다수 개의 댐 구조물(170)은 유기 발광소자가 형성된 후 외부의 습기로부터 투습을 방지하고자 봉지층을 형성할 수 있다. 봉지층 중에 유기 봉지층이 기판(110)의 외곽까지 흘러 내리는 것을 댐 구조물(170)이 방지할 수 있다. 다수 개의 댐 구조물(170)에서 기판(110)의 외곽으로 일정 거리 이격되어, 앞서 기재한 크랙방지구조(460)가 배치될 수 있다.
컨택 영역(600)은 외부 습기로부터 투습을 방지하기 위해, 주요 투습 경로인 유기 절연층의 액티브 영역으로 연장을 끊어주는 역할을 할 수 있다. 또한, 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)의 전기적 연결 지점을 게이트 구동부(300)의 바깥쪽에서 안쪽으로 당길 수 있다. 게이트 구동부(300)의 바깥쪽에 배치되던 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)의 전기적 연결 지점을 게이트 구동부(300)가 있는 내부로 옮김으로써, 베젤 영역이 차지하는 공간을 줄일 수 있다. 게이트 구동부(300)가 배치된 영역과 중첩되게 컨택 영역(600)을 배치함으로써, 복수 개의 댐 구조물(170)과 크랙방지구조(460)가 액티브 영역(AA)에 보다 가깝게 배치될 수 있다.
컨택 영역(600)은 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)이 잘 접촉할 수 있도록 계단형 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(150)을 단절 시키기 위한 제1 단절 구조의 폭과 뱅크층(160)을 단절 시키기 위한 제2 단절 구조의 폭을 달리할 수 있다. 평탄화층(150)의 제1 단절 구조 폭보다 뱅크층(160)의 제2 단절 구조 폭을 더 넓게 하여 연결 전극(740)이 평탄화층(150)의 제1 단절 구조를 따라 성막될 수 있다. 캐소드 전극(250)은 뱅크층(160)의 제2 단절 구조를 따라 성막되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 연결 전극(740)과 캐소드 전극(250)이 일정한 계단 형태를 띄고 서로 접촉되는 것을 알 수 있다. 뱅크층(160)의 제2 단절 구조 폭과 평탄화층(150)의 제1 단절 구조 폭이 다른 곳을 컨택 보증 영역(610)이라고 할 수 있다. 평탄화층(150)과 뱅크층(160)을 한번에 에칭하면, 공정이 단순할 수 있으나, 연결 전극(740)과 캐소드 전극(250)이 단절 구조의 세로 측벽을 통해 연결되어야 할 수 있다. 또한, 단절 구조의 바닥 영역은 매우 좁을 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(150)의 제1 단절 구조 형성 시 평탄화층(150)에 잔막이 남을 수 있음을 고려하여, 평탄화층(150)의 아래에 있는 무기 절연층(140)까지 오버엣칭을 할 수 있다. 이때 엣칭된 무기 절연층(140)의 단절 구조는 작게 형성될 수 있다. 캐소드 전극(250)이 약 100~200 Å 내외로 매우 얇게 성막되는 특징을 감안하면, 단절 구조의 측벽이나 바닥을 통하여 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)이 안정적인 전기적 접촉을 못할 수 있다. 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)이 안정적으로 접촉할 수 있도록 하기 위해, 컨택 보증 영역(610)을 배치할 수 있다. 평탄화층(150)과 뱅크층(160)의 단절 구조 형성을 별도의 공정으로 분리할 수 있다. 단절 구조의 중심을 서로 달리 하거나, 단절 구조의 폭을 달리하여, 평탄화층(150)상에 연결 전극(740)이 평평하게 성막된 지점을 만들 수 있다. 이렇게 연결 전극(740)이 평평하게 성막된 지점에 캐소드 전극(250)을 성막하면, 보다 안정적인 접촉을 할 수 있다.
컨택 보증 영역(610)은 컨택 영역(600)의 중심을 기준으로 액티브 영역(AA)에 가까운 곳에 배치될 수 있다. 액티브 영역(AA)에 가깝게 컨택될수록 캐소드 전극(250)의 저항에 유리하고, 외부 수분의 침투에 대해서도 캐소드 전극(250)과 연결 전극(740)의 연결지점을 보호할 수 있다.
컨택 영역(600)은 게이트 구동부(300)의 링크부(330)와 액티브 영역(AA)의 사이에 배치될 수 있다. 게이트 구동부(300)의 공간만큼 컨택 영역(600)이 액티브 영역(AA)에 가까워 짐으로써, 베젤 영역의 공간 절약과 함께, 외부 수분의 침투를 게이트 구동부(300)의 중간에서 방지할 수 있는 장점이 있다. 그리고, 컨택 영역(600)을 도 2 또는 도 3과 비교하여 액티브 영역(AA)에 가깝게 배치함으로써, 침투한 수분이 유기 발광소자와 가까운 영역까지 전파될 수 있는 상대적인 단점이 있다. 그러나, 캐소드 전극(250)이 도 2 또는 도 3과 비교하여 액티브 영역(AA)에 가까운 곳에서 연결 전극(740)과 접촉하는 것은, 디스플레이 패널(100)의 전기적 저항측면에서 장점이 될 수 있다. 예를 들면, 캐소드 전극(250)대비 낮은 저항을 갖는 연결전극(740)이 도 2 또는 도 3의 구조보다 더 긴 거리를 가짐으로써, 전체적인 저전위 전원라인(410)의 저항이 낮아지는 효과를 가질 수 있다. 그리고 게이트 구동부(300)와 액티브 영역(AA)사이의 비교적 넓은 영역에 컨택 영역(600)을 형성할 수 있으므로 게이트 구동부(300)의 설계변경을 최소화 할 수 있다. 또한, 베젤 공간의 절약을 극대화 할 수 있어 네로우 베젤을 위한 극한 설계를 할 수 있다.
컨택 영역(600)은 도 1을 참조할 때, 액티브 영역(AA)의 사면을 모두 둘러싸도록 배치할 수 있다.
도 5는 도 1에서 생략된 컨택 영역(600)을 디스플레이 패널(100)의 평면에 도시하였다. 컨택 영역(600)은 게이트 구동부(300가이 배치된 액티브 영역(AA)의 좌측 및 우측면에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 컨택 영역(600)은 액티브 영역(AA)의 상측과 하측면에도 배치되어 액티브 영역의 4면을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 양자점 표시장지(Quantum Dot Display Device)를 포함한다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, LCM, OLED 모듈 등을 포함하는 완제품(complete product 또는 final product)인 노트북 컴퓨터, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 자동차용 장치(automotive display apparatus) 또는 차량(vehicle)의 다른 형태 등을 포함하는 전장장치(equipment display apparatus), 스마트폰 또는 전자패드 등의 모바일 전자장치(mobile electronic device apparatus) 등과 같은 세트 전자 장치(set electronic device apparatus) 또는 세트 장치(set device 또는 set apparatus)도 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는 아래와 같이 설명될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 액티브 영역과 인액티브 영역을 포함하는 기판, 액티브 영역은 애노드 전극, 유기발광층, 및 캐소드 전극을 포함하고, 인액티브 영역은 게이트 구동부와 크랙방지구조를 포함하고, 게이트 구동부와 인접한 영역에 배치된 컨택 영역, 컨택 영역은 캐소드 전극과 연결 전극이 접촉할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 애노드 전극과 연결 전극은 같은 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 게이트 구동부는 발광신호 구동부, 스캔신호 구동부, 링크부를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 컨택 영역은 발광신호 구동부와 스캔신호 구동부 사이에 배치될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 컨택 영역은 컨택 홀과 컨택 보증 영역을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 컨택 보증 영역은 컨택 홀보다 액티브 영역에 더 가깝게 배치될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 컨택 영역은 스캔신호 구동부와 링크부 사이에 배치될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 인액티브 영역은 저전위 전원라인과 댐 구조물을 더 포함하고, 연결 전극은 댐 구조물에 인접한 영역에서 저전위 전원라인과 연결될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 인액티브 영역은 액티브 영역에서 연장된 평탄화층과 뱅크층을 포함하고, 컨택 영역은 인액티브 영역에서 평탄화층을 제거한 제1 단절부와 뱅크층을 제거한 제2 단절부를 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 제1 단절부와 제2 단절부는 서로 다른 폭을 가질 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 액티브 영역과 인액티브 영역을 포함하는 기판, 액티브 영역은 박막트랜지스터를 포함하고, 박막트랜지스터 상에 배치된 평탄화층, 제1 전극, 뱅크층, 유기발광층, 제2 전극이 순차적으로 배치되고, 인액티브 영역은 게이트 구동부, 댐 구조물, 크랙방지구조를 포함하고, 게이트 구동부 위에 배치된 연결 전극이 제2 전극의 연장부와 연결되는 컨택 영역을 가질 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 게이트 구동부는 발광신호 구동부, 스캔신호 구동부, 링크부를 더 포함하고, 컨택 영역은 발광신호 구동부와 스캔신호 구동부 사이에 배치될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 게이트 구동부는 발광신호 구동부, 스캔신호 구동부, 링크부를 더 포함하고, 컨택 영역은 스캔신호 구동부와 링크부 사이에 배치될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 컨택 영역은 제1 단절부와 제2 단절부를 더 포함하고, 제1 단절부는 제1 폭을 가지고, 제2 단절부는 제2 폭을 가지며, 제1 폭과 제2 폭의 차이로 인해 생기는 뱅크층이 없는 평탄화층의 영역에 배치되는 컨택 보증 영역을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 컨택 보증 영역은 컨택 영역을 기준으로 액티브 영역에 가까운 영역에 배치될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 제1 전극과 연결 전극은 같은 물질로 배치될 수 있다.
본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 인액티브 영역은 저전위 전원라인을 더 포함하고, 저전위 전원라인의 적어도 일부가 댐 구조물 아래에 배치되고, 연결 전극은 댐 구조물의 인근에서 저전위 전원라인과 연결될 수 있다.
상술한 본 출원의 예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원의 적어도 하나의 예에 포함되며, 반드시 하나의 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 본 출원의 적어도 하나의 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 본 출원이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 표시패널
AA: 액티브 영역 IA: 인액티브 영역
110: 기판 120: 버퍼층
130 : 게이트 절연층 140: 무기 절연층
150: 평탄화층 160: 뱅크층
200 : 트렌지스터
210 : 반도체층 220 : 게이트전극
230 : 소스/드레인전극
240 : 애노드 전극 250 : 캐소드 전극
300 : 게이트 구동부
600 : 컨택 영역
610 : 컨택 보증 영역 620 : 컨택 홀
740 : 연결 전극

Claims (20)

  1. 액티브 영역, 상기 액티브 영역의 주변에 배치되는 인액티브 영역, 및 인액티브 영역의 주변에 배치되는 연결영역을 포함하는 기판을 포함하며,
    상기 액티브 영역은 애노드 전극, 발광층, 및 캐소드 전극을 포함하고;
    상기 인액티브 영역은 게이트 구동부와 크랙방지구조를 포함하고;
    상기 연결 영역은 상기 게이트 구동부와 인접한 영역에 배치되며, 상기 캐소드 전극과 연결 전극이 접하고,
    상기 기판과 상기 연결 전극 사이에 무기 절연층과 평탄화층을 더 포함하며,
    상기 연결 영역은 컨택 홀을 포함하고, 상기 컨택 홀은 상기 평탄화층과 상기 평탄화층 하부의 상기 무기 절연층까지 연장되는, 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 애노드 전극과 상기 연결 전극은 동일한 물질로 이루어진, 표시장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 게이트 구동부는 발광신호 구동부, 스캔신호 구동부, 및 링크부를 더 포함하는, 표시장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 연결 영역은 상기 발광신호 구동부와 상기 스캔신호 구동부 사이에 배치된, 표시장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 연결 영역은 연결 보조 영역을 더 포함하는, 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 연결 보조 영역은 상기 컨택 홀과 상기 액티브 영역 사이에 배치된, 표시장치.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 연결 영역은 상기 스캔신호 구동부와 상기 링크부 사이에 배치된, 표시장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 인액티브 영역은 저전위 전원라인과 댐 구조물을 더 포함하고,
    상기 연결 전극은 상기 댐 구조물에 인접한 영역에서 저전위 전원라인과 연결되는, 표시장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 인액티브 영역은 상기 액티브 영역에서 연장된 상기 평탄화층과 뱅크층을 포함하고,
    상기 연결 영역은 상기 인액티브 영역에서 상기 평탄화층을 제거한 제1 부분과 상기 뱅크층을 제거한 제2 부분을 포함하는 표시장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 서로 다른 폭을 가지는, 표시장치.
  11. 액티브 영역과 인액티브 영역을 포함하는 기판;
    상기 액티브 영역은 박막트랜지스터를 포함하고,
    상기 박막트랜지스터 상에 배치된 평탄화층, 제1 전극, 뱅크층, 발광층, 제2 전극이 배치되고,
    상기 인액티브 영역은 게이트 구동부, 댐 구조물, 크랙방지구조를 포함하고,
    상기 게이트 구동부 위에 배치된 연결 전극이 상기 제2 전극의 연장부와 연결되는 연결 영역을 가지며,
    상기 기판과 상기 평탄화층 사이에 무기 절연층을 더 포함하며,
    상기 연결 영역은 컨택 홀을 포함하고, 상기 컨택 홀은 상기 평탄화층과 상기 평탄화층 하부의 상기 무기 절연층까지 연장되는, 표시장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 게이트 구동부는 발광신호 구동부, 스캔신호 구동부, 링크부를 더 포함하고,
    상기 연결 영역은 상기 발광신호 구동부와 상기 스캔신호 구동부 사이에 배치된, 표시장치.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 게이트 구동부는 발광신호 구동부, 스캔신호 구동부, 링크부를 더 포함하고,
    상기 연결 영역은 상기 스캔신호 구동부와 상기 링크부 사이에 배치된, 표시장치.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 연결 영역은 제1 부분과 제2 부분을 더 포함하고,
    상기 제1 부분은 제1 폭을 가지고, 상기 제2 부분은 제2 폭을 가지며,
    상기 제1 폭과 상기 제2 폭은 서로 다르며, 상기 제1 폭과 상기 제2 폭의 차이에 의해 상기 뱅크층이 없는 상기 평탄화층의 영역에 배치되는 연결 보조 영역을 더 포함하는, 표시장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 연결 보조 영역은 상기 연결 영역보다 상기 액티브 영역에 가까운 영역에 배치되는, 표시장치.
  16. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 연결 전극은 같은 물질로 배치된, 표시장치.
  17. 제11 항에 있어서,
    상기 인액티브 영역은 저전위 전원라인을 더 포함하고,
    상기 저전위 전원라인의 적어도 일부는 상기 댐 구조물 아래에 배치되고,
    상기 연결 전극은 상기 댐 구조물의 인근에서 상기 저전위 전원라인과 연결되는, 표시장치.
  18. 제8 항 또는 제11 항에 있어서,
    상기 댐 구조물은 상기 크랙방지구조와 상기 게이트 구동부 사이에 위치하는 표시장치.
  19. 제8 항 또는 제11 항에 있어서,
    상기 크랙방지구조의 높이 및 두께는 상기 댐 구조물의 높이 및 두께보다 작은 표시장치.
  20. 제1 항 또는 제11 항에 있어서,
    상기 인액티브 영역은 ESD 회로를 더 포함하며, 상기 ESD 회로는 상기 액티브 영역의 라운드된 모서리에 대응하여 위치하는 표시장치.
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