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KR102429676B1 - 표시 장치 - Google Patents

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KR102429676B1
KR102429676B1 KR1020170152094A KR20170152094A KR102429676B1 KR 102429676 B1 KR102429676 B1 KR 102429676B1 KR 1020170152094 A KR1020170152094 A KR 1020170152094A KR 20170152094 A KR20170152094 A KR 20170152094A KR 102429676 B1 KR102429676 B1 KR 102429676B1
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윤영호
여준호
김영균
박남길
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소, 비표시 영역에 있으며, 표시 영역의 적어도 일 측에 인접하도록 배치된 게이트 구동부 및 비표시 영역에 있으며, 게이트 구동부의 최외곽과 표시 영역 사이에 배치된 차단 구조물을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 비표시 영역으로부터의 투습에 의한 표시 영역으로의 투습을 차단하는 구조물을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라, 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있다. 이에, 다양한 표시 장치들이 개발 및 시판되고 있다. 예를 들어, 액정 표시 장치(liquid crystal display device; LCD), 전계 방출 표시 장치(field emission display device; FED), 전기 영동 표시 장치(electro phoretic display device; EPD), 전기 습윤 표시 장치(electro-wetting display device; EWD) 및 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device; OLED), 양자점 표시 장치(quantum dot display device; QD) 등의 표시 장치가 있다.
특히, 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 명암비(Contrast Ratio)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다. 하지만 이러한 장점에도 불구하고, 유기 발광 표시 장치는 수분 및 산소에 특히 취약한 단점이 존재하기 때문에, 다른 표시 장치들에 비해서 신뢰성 확보가 어려운 문제점이 존재했다.
본 발명의 발명자들은 표시 장치의 비표시 영역에서 기판 하부로부터의 투습에 의하여 표시 영역에 배치된 소자들이 손상되는 문제점을 인식하였다. 구체적으로, 비표시 영역에서 기판 상에 존재할 수 있는 이물이나 외부 충격에 의하여 비표시 영역에서 기판 상에 배치된 무기물로 이루어진 층들이 크랙(crack)될 수 있고, 이에, 비표시 영역에서 기판 하부로부터 수분 등이 침투될 수 있다. 또한, 비표시 영역에서 기판 하부로부터 침투된 수분이 평탄화층과 같은 유기물로 이루어진 층을 통하여 표시 영역으로 침투될 수 있으며, 이러한 수분에 의해 유기 발광 소자의 캐소드가 산화되는 등의 문제가 발생할 수 있다.
이에, 본 발명의 발명자들은, 비표시 영역에 배치되는 유기물로 이루어지는 층과 표시 영역에 배치되는 유기물로 이루어지는 층을 분리하여, 비표시 영역에서 발생할 수 있는 투습 현상에 의해 표시 영역에 배치된 다양한 소자들이 손상되는 것을 방지하기 위한, 새로운 구조의 표시 장치를 발명하였다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 비표시 영역의 평탄화층과 표시 영역의 평탄화층을 분리하는 구조물을 배치함으로써 비표시 영역으로부터 표시 영역으로의 투습을 차단할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 비표시 영역으로부터 표시 영역으로의 투습을 차단하는 구조물에 정전압을 인가하여 구조물과 비표시 영역에 배치된 다른 도전성 구성요소간의 기생 커패시터를 저감할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 비표시 영역으로부터 표시 영역으로의 투습을 차단하는 구조물과 중첩되며, 구조물과 전기적으로 연결된 저전위 공급 배선을 복수의 층으로 형성하여 저전위 공급 배선의 전체 저항을 감소시키며, 표시 영역 전체에 안정적인 저전위 전압이 공급될 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 비표시 영역의 게이트 구동부의 최외곽과 표시 영역 사이에 배치된 투습을 억제하는 구조물에 저전위 전압을 인가하여, 구조물이 투습 억제 기능과 저전위 공급 배선의 기능을 동시에 수행함으로써 투습을 억제하는 구조물의 배치로 인한 추가적인 베젤 크기의 증가를 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소, 비표시 영역에 있으며, 표시 영역의 적어도 일 측에 인접하도록 배치된 게이트 구동부 및 비표시 영역에 있으며, 게이트 구동부의 최외곽과 표시 영역 사이에 배치된 투습 억제 구조물을 포함한다. 이에, 비표시 영역의 유기물로 이루어진 평탄화층을 표시 영역에 배치된 평탄화층과 분리할 수 있고, 따라서, 비표시 영역으로부터 표시 영역으로의 수분의 침투를 억제할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역 및 비표시 영역에 배치된 평탄화층, 비표시 영역에 있으며, 표시 영역의 적어도 일 측에 배치된 게이트 구동부 및 비표시 영역에 있으며, 평탄화층 중 게이트 구동부와 중첩하는 부분과 표시 영역에 배치된 부분을 분리하여 비표시 영역으로부터 표시 영역으로의 투습을 차단하는 차단 구조물을 포함할 수 있다. 이에, 표시 영역으로의 수분의 침투를 억제할 수 있고, 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 비표시 영역으로부터 표시 영역으로의 투습을 억제하여, 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
그리고, 본 발명은 표시 영역으로의 투습을 억제하는 구조물에 정전압을 인가하여, 구조물과 다른 도전 물질 간의 기생 커패시터의 형성을 저감시킬 수 있다.
그리고, 본 발명은 베젤 영역의 크기를 증가시키지 않으면서도 표시 영역으로의 투습을 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II'에 대한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 V-V'에 대한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 7은 도 6의 VII-VII'에 대한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도 6의 VII-VII'에 대한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II'에 대한 단면도이다. 도 1 내지 도 2를 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 게이트 구동부(120), 저전위 공급 배선(130), 차단 구조물(140) 및 패드 영역(PA)을 포함한다.
기판(110)은 표시 장치(100)의 여러 구성 요소들을 지지하고 보호하기 위한 기판(110)이다. 기판(110)은 유리, 또는 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)이 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide; PI)로 이루어질 수도 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.
기판(110)은 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)을 둘러싸는 비표시 영역(NA)을 포함한다.
표시 영역(AA)은 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역으로서, 표시 영역(AA)에는 표시 소자 및 표시 소자를 구동하기 위한 다양한 구동 소자들이 배치된다. 표시 영역(AA)은 복수의 화소(PX)를 포함한다. 복수의 화소(PX)는 표시 영역(AA)에 있으며, 트랜지스터(150) 등의 소자를 구비한다. 복수의 화소(PX) 각각은 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL) 및 전원 배선(VDDL)과 연결된다. 게이트 배선(GL)은 복수의 화소(PX)에 게이트 신호를 전달하는 배선이고, 데이터 배선(DL)은 복수의 화소(PX)에 데이터 신호를 전달하는 배선이며, 전원 배선(VDDL)은 복수의 화소(PX)에 고전위 전압(VDD)을 공급하는 배선이다.
표시 영역(AA)의 각각의 화소(PX)에 대한 구조 설명을 위해 도 2를 참조하면, 기판(110) 상에는 트랜지스터(150)가 배치된다.
구체적으로, 기판(110) 상에는 트랜지스터(150)의 채널이 형성되는 액티브층(151)이 형성된다. 액티브층(151)은 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; LTPS) 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 액티브층(151) 상에는 게이트 절연층(111)이 형성된다. 게이트 절연층(111)은 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥사이드(SiOx) 등과 같은 무기물로 이루어지고, 단일층이거나 이들의 복수의 층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
게이트 절연층(111) 상에는 게이트 전극(152)이 형성된다. 게이트 전극(152)은 도전성 물질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(152) 상에는 제1 층간 절연층(112)이 형성된다. 제1 층간 절연층(112)은 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥사이드(SiOx) 등과 같은 무기물로 이루어지고, 단일층이거나 이들의 복수의 층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 층간 절연층(112) 상에는 제2 층간 절연층(113)이 형성된다. 제2 층간 절연층(113)은 제1 층간 절연층(112)과 동일하게 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥사이드(SiOx) 등과 같은 무기물로 이루어지고, 단일층이거나 이들의 복수의 층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 층간 절연층(113) 상에는 트랜지스터(150)의 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)이 형성될 수 있다. 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)은 게이트 절연층(111), 제1 층간 절연층(112), 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 액티브층(151)과 전기적으로 연결된다. 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)은 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)은 동일한 공정을 통하여 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
도 2에서는 트랜지스터(150)가 탑 게이트(top gate) 타입의 코플라나(coplanar) 구조의 트랜지스터인 것으로 도시되었으나, 트랜지스터(150)의 적층 구조는 이에 제한되지 않는다.
제1 층간 절연층(112)과 제2 층간 절연층(113) 사이에는 도전층(160)이 배치된다. 예를 들면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 2개의 층간 절연층(112,113)을 사용하여 제1 층간 절연층(112)과 제2 층간 절연층(113) 사이에 추가적인 도전층(160)이 배치됨에 따라, 도전층(160)은 트랜지스터(150)의 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)과 트랜지스터(150)의 게이트 전극(152) 사이에 배치될 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 추가적으로 배치할 수 있는 도전 패턴 및 배선의 개수가 증가됨에 따라, 보다 고해상도의 표시 장치로 구현될 수 있고, 보다 저항이 낮은 배선을 제공할 수도 있다. 그리고, 도전층(160)을 사용하여 추가적인 커패시터를 구현할 수 있으므로, 표시 장치(100)에서 사용될 수 있는 커패시터의 커패시턴스가 증가될 수도 있다.
도 2를 참조하면, 트랜지스터(150) 및 제2 층간 절연층(113) 상에는 평탄화층(114)이 배치된다. 평탄화층(114)은 트랜지스터(150)의 상부를 평탄화하기 위한 절연층으로서, 유기막층으로 이루어질 수 있다.
그리고, 도 2에서는 평탄화층(114)이 단일층으로 도시되어 있으며, 평탄화층(114)은 이중층으로 형성될 수도 있다. 평탄화층(114)이 이중층으로 형성되는 경우, 평탄화층(114)의 하부층 상에는 연결전극이 추가로 형성될 수 있으며, 연결전극은 하부층의 컨택홀을 통하여 트랜지스터(150)의 드레인 전극(154)과 연결될 수 있다. 그리고, 평탄화층(114)의 상부층 상에는 애노드(171)가 배치되며, 상부층의 컨택홀을 통하여 애노드(171)와 연결전극은 연결될 수 있다. 따라서, 평탄화층(114)의 하부층 상에 형성된 연결전극은 트랜지스터(150)의 드레인 전극(154)과 애노드(171)를 전기적으로 연결할 수 있다.
평탄화층(114) 상에는 유기 발광 소자(170)가 배치된다. 유기 발광 소자(170)는 트랜지스터(150)의 드레인 전극(154)과 전기적으로 연결된 애노드(171), 애노드(171) 상에 배치된 유기층(172) 및 유기층(172) 상에 형성된 캐소드(173)를 포함한다. 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치일 경우, 애노드(171)는 발광된 광을 캐소드(173) 측으로 반사시키기 위한 반사층 및 유기층(172)에 정공을 공급하기 위한 투명 도전층을 더 포함할 수 있다. 도 2에서는 유기층(172)이 FMM(Fine Metal Mask) 방식으로 형성되어 녹색, 청색 또는 적색 등의 특정 색의 광을 발광하기 위한 유기층으로 화소(PX) 별로 패터닝된 것으로 도시되었으나, 이에 제한되지 않고 유기층(172)은 표시 영역(AA) 전체에 걸쳐 형성될 수도 있다.
애노드(171) 및 평탄화층(114) 상에는 뱅크(115)가 배치된다. 뱅크(115)는 표시 영역(AA)에서 서로 인접하는 화소(PX)를 구분하기 위한 구조물로서, 복수의 화소(PX)를 정의할 수 있다. 뱅크(115)는 유기물로 이루어질 수 있다.
도 1을 참조하면, 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에 인접하여 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역이다. 비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역이며, 배선 및 회로부가 형성된다. 패드 영역(PA)은 복수의 패드가 형성되는 영역이다. 패드 영역(PA)은 비표시 영역(NA)의 일 측에 배치된다. 패드 영역(PA)은 복수의 패드와 외부 모듈, 예를 들어 COF(chip on film) 등이 본딩되는 영역이다. 비표시 영역(NA)에는 저전위 공급 배선(130), 게이트 구동부(120), 차단 구조물(140) 및 패드 영역(PA)이 배치될 수 있다.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 저전위 공급 배선(130)은 복수의 화소(PX)에 저전위 전압을 인가하기 위한 배선이다. 저전위 공급 배선(130)은 비표시 영역(NA)의 일 측에 배치된 패드 영역(PA)으로 연장하여 패드 영역(PA)에 배치된 패드와 연결될 수 있다. 도 2를 참조하면, 저전위 공급 배선(130)은 차단 구조물(140)을 통하여 복수의 화소(PX)의 캐소드(173)와 전기적으로 연결되어 복수의 화소(PX)에 저전위 전압을 인가할 수 있다. 저전위 공급 배선(130)은 트랜지스터(150)의 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)과 동일한 물질일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
평탄화층(114)이 이중층인 경우에는, 평탄화층(114)의 하부층 상에는 보조 차단 구조물이 추가로 형성될 수 있으며, 보조 차단 구조물은 하부층의 컨택홀을 통하여 저전위 공급 배선(130)과 연결될 수 있다. 그리고, 평탄화층(114)의 상부층 상에는 차단 구조물(140)이 배치되며, 상부층의 컨택홀을 통하여 차단 구조물(140)과 보조 차단 구조물은 연결될 수 있다. 따라서, 평탄화층(114)의 하부층 상에 형성된 보조 차단 구조물은 저전원 공급 배선(130)과 차단 구조물(140)을 전기적으로 연결할 수 있다. 그리고, 보조 차단 구조물은 저전위 공급 배선(130) 및 차단 구조물(140)과 중첩되어 형성될 수 있다.
표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 유기 발광 표시 장치일 경우, 캐소드(173)는 유기층(172)으로부터 발광되는 광을 투과시키기 위해 투명 도전성 산화물로 이루어지거나 매우 얇은 금속 박막층으로 이루어질 수 있다. 따라서, 캐소드(173)의 전기적 저항값이 높을 수 있으며, 캐소드(173)에서의 저전위 전압에 대한 전압 강하 현상이 발생될 수 있고, 표시 영역(AA)에서 발생하는 캐소드(173)에서의 전위차에 의해 표시되는 영상의 품위가 저하될 수 있다. 따라서, 저전위 공급 배선(130)은 도 1에 도시된 바와 같이, 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 배치되어 복수의 화소(PX)에 공급되는 저전위 전압의 강하를 방지할 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 저전위 공급 배선(130)은 표시 영역(AA)의 적어도 일 면에만 인접하여 배치될 수도 있다.
게이트 구동부(120)는 화소(PX)에 게이트 신호를 공급하기 위한 회로이다. 게이트 구동부(120)는 도 1에 도시된 바와 같이, 표시 영역(AA)의 양 측에 인접하여 배치될 수 있으나, 표시 영역(AA)의 일 측에 인접하여 배치될 수도 있다. 게이트 구동부(120)는 게이트 배선(GL)을 통하여 표시 영역(AA)의 각각의 화소(PX)에 게이트 신호를 공급할 수 있다.
게이트 구동부(120)는 제1 서브 게이트 구동부(121) 및 제2 서브 게이트 구동부(122)를 포함할 수 있다. 제1 서브 게이트 구동부(121)와 제2 서브 게이트 구동부(122)의 사이에는 저전위 공급 배선(130)이 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 서브 게이트 구동부(121)는 저전위 공급 배선(130)의 일측에 배치되고, 제2 서브 게이트 구동부(122)는 저전위 공급 배선(130)의 타측에 배치될 수 있다. 예를 들면, 도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 서브 게이트 구동부(121)는 저전위 공급 배선(130)보다 외측에 배치되고, 제2 서브 게이트 구동부(122)는 저전위 공급 배선(130)보다 내측에 배치되어 제1 서브 게이트 구동부(121)보다 표시 영역(AA)에 인접하게 배치될 수 있다.
차단 구조물(140)은 비표시 영역(NA)으로부터 표시 영역(AA)으로의 투습을 차단하는 구조물이다. 그리고, 차단 구조물(140)은 비표시 영역(NA)에 위치하는 평탄화층(114)에서 발생한 아웃가스(out-gas)가 비표시 영역(NA)으로부터 표시 영역(AA)으로 확산하는 것을 차단할 수 있다.
평탄화층(114)이 이중층으로 형성되는 경우에 평탄화층(114)의 하부층 상에 형성되는 보조 차단 구조물은 차단 구조물(140)과 함께 비표시 영역(NA)으로부터 표시 영역(AA)으로의 투습을 차단할 수 있으며, 비표시 영역(NA)에 위치하는 평탄화층(114)에서 발생한 아웃가스(out-gas)가 비표시 영역(NA)으로부터 표시 영역(AA)으로 확산하는 것을 차단할 수 있다.
차단 구조물(140)은 게이트 구동부(120)의 최외곽과 표시 영역(AA) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들면, 차단 구조물(140)은 표시 영역(AA)과의 이격된 거리가 가장 먼 게이트 구동부(120)의 최외곽과 비표시 영역(NA) 중 표시 영역(AA)과 가장 인접한 영역 사이에 어디든지 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 2에 도시된 실시예에서는 차단 구조물(140)이 제1 서브 게이트 구동부(121)와 제2 서브 게이트 구동부(122) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 제1 서브 게이트 구동부(121)는 차단 구조물(140)의 일측에 배치되고, 제2 서브 게이트 구동부(122)는 차단 구조물(140)의 타측에 배치될 수 있다. 그리고, 차단 구조물(140)은 도 1에 도시된 바와 같이, 표시 영역(AA)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 비표시 영역(NA)의 기판(110)의 하부 투습에 의한 표시 영역(AA)으로의 투습이 효과적으로 억제될 수 있다.
도 2를 참조하면, 차단 구조물(140)은 애노드(171)와 동일한 물질일 수 있고, 캐소드(173)와 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 차단 구조물(140)에는 저전위 전압, 즉, 정전압이 인가될 수 있다. 구체적으로, 차단 구조물(140)은 차단 구조물(140)과 중첩되어 배치된 저전위 공급 배선(130)과 평탄화층(114)에 형성된 컨택홀을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 차단 구조물(140)에는 저전위 전압이 인가될 수 있다. 따라서, 차단 구조물(140)은 저전위 공급 배선(130)과 캐소드(173)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 이에, 저전위 공급 배선(130)에 의하여 차단 구조물(140)에 저전위 전압이 인가되며, 동시에, 차단 구조물(140)을 통하여 캐소드(173)에 저전위 전압이 인가될 수 있다.
그리고, 차단 구조물(140)과 저전위 공급 배선(130)을 전기적으로 연결시키는 평탄화층(114)에 형성된 컨택홀은 표시 영역(AA)을 둘러싸며 연장되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 차단 구조물(140)과 저전위 공급 배선(130)은 차단 구조물(140)이 배치되어 있는 영역에 대응되어 표시 영역(AA)을 둘러싸며 연장되어 형성된 컨택홀에 의하여 서로 연결될 수 있다. 따라서, 차단 구조물(140) 에 의하여 비표시 영역(NA)의 평탄화층(114)은 분리될 수 있다. 따라서, 제1 서브 게이트 구동부(121)와 중첩되는 평탄화층(114)의 부분과 표시 영역(AA)에 배치된 평탄화층(114)의 부분은 분리될 수 있다. 그리고, 차단 구조물(140)을 기준으로 내측에 위치한 평탄화층(114)과 외측에 위치한 평탄화층(114)은 분리될 수 있다.
평탄화층(114)이 이중층인 경우에는, 평탄화층(114)의 하부층에 형성된 컨택홀 및 평탄화층(114)의 상부층에 형성된 컨택홀은 표시 영역(AA)을 둘러싸며 연장되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(114)의 하부층에 형성된 컨택홀 및 평탄화층(114)의 상부층에 형성된 컨택홀은 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 연장되어 형성될 수 있다. 그리고, 평탄화층(114)의 상부층에 상에 형성된 차단 구조물(140)과 평탄화층(114)의 하부층 상에 형성된 보조 차단 구조물과 중첩하여 연결되고, 평탄화층(114)의 하부층 상에 형성된 보조 차단 구조물은 저전원 공급 배선(130)과 중첩하여 연결된다. 따라서, 차단 구조물(140) 및 보조 차단 구조물에 의하여 비표시 영역(NA)의 평탄화층(114)은 분리될 수 있다. 따라서, 제1 서브 게이트 구동부(121)와 중첩되는 평탄화층(114)의 부분과 표시 영역(AA)에 배치된 평탄화층(114)의 부분은 분리될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 차단 구조물(140)이 배치됨으로써 비표시 영역(NA)으로부터 표시 영역(AA)으로의 투습이 차단될 수 있다. 예를 들면, 기판(110)과 평탄화층(114) 사이에는 하나 이상의 무기물층이 포함될 수 있다. 즉, 도 2를 참조하면, 기판(110)과 평탄화층(114) 사이에 배치된 게이트 절연층(111), 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)은 무기물로 이루어진 층일 수 있다. 이때, 표시 장치(100)에 가해지는 외부 충격에 의하여 기판(110)과 평탄화층(114) 사이에 배치된 무기물층에는 크랙이 발생될 수 있다. 그리고, 기판(110)과 평탄화층(114) 사이의 하나 이상의 무기물층이 증착되는 과정에서 이물이 형성될 수도 있고, 이러한 이물에 의하여 무기물층에는 크랙이 발생될 수 있다. 무기물층에 발생된 크랙에 의하여 비표시 영역(NA)의 기판(110) 하부로부터 투습이 발생될 수 있다. 이때, 비표시 영역(NA)의 기판(110) 하부로부터 유입된 수분은 평탄화층(114)을 통하여 표시 영역(AA)으로 유입될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(114)은 유기물로 이루어진 층일 수 있고, 평탄화층(114) 하부에 배치된 무기물층으로 유입된 수분은 평탄화층(114)을 통하여 표시 영역(AA)으로 유입될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 차단 구조물(140)이 비표시 영역(NA)에 배치된 평탄화층(114)과 표시 영역(AA)에 배치된 평탄화층(114)을 분리할 수 있다. 차단 구조물(140) 은 표시 영역(AA)을 둘러싸며 형성될 수 있고, 이에, 차단 구조물(140)을 기준으로 평탄화층(114)은 분리될 수 있다. 따라서, 비표시 영역(NA)의 기판(110) 하부로 유입되는 수분이 평탄화층(114)을 통하여 표시 영역(AA)에 유입되는 것이 억제될 수 있다. 이에 의해, 표시 장치(100)의 신뢰성은 향상될 수 있다.
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는, 차단 구조물(140)에 정전압이 인가됨으로써, 차단 구조물(140)과 비표시 영역(NA)에 배치된 다른 도전성 구성요소간의 기생 커패시터가 저감될 수 있다. 예를 들면, 차단 구조물(140)은 저전위 공급 배선(130)과 연결될 수 있고, 이에, 저전위 전압이 인가될 수 있다. 이 경우, 비표시 영역(NA)에는 복수의 도전성 구성요소가 존재할 수 있다. 차단 구조물(140)이 정전압이 인가되지 않아 플로팅(floating)될 경우, 차단 구조물(140)과 비표시 영역(NA)에 배치된 도전 구성요소 간에 기생 커패시터가 발생할 수 있다. 이와 같이, 차단 구조물(140)과 도전 물질간의 기생 커패시터는 비표시 영역(NA)에 배치된 다양한 배선들의 신호 전달을 방해할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는, 차단 구조물(140)에 정전압이 인가됨으로써, 차단 구조물(140)과 비표시 영역(NA)에 배치된 도전 물질간의 기생 커패시터가 저감되고, 이에, 기생 커패시터에 의하여 비표시 영역(NA)에 배치된 배선의 신호 전달이 방해되는 것이 차단될 수 있다.
그리고, 평탄화층(114)은 복수의 평탄화층으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 도 2에서는 평탄화층(114)이 하나의 층으로 도시되었으나, 평탄화층(114)은 복수의 층일 수도 있다. 평탄화층(114)이 복수의 층으로 구성됨으로써, 표시 장치(100)의 배선 또는 소자의 배치에 필요한 추가적인 공간이 확보될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 3의 표시 장치(300)는, 도 1 내지 도 2의 표시 장치(100)와 비교하여 저전위 공급 배선(330)의 구조에 차이가 있으며, 실질적으로 동일한 내용에 대해서는 중복 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 저전위 공급 배선(330)은 제1 층(331), 제2 층(332) 및 제3 층(333)을 포함한다. 제1 층(331), 제2 층(332) 및 제3 층(333)은 차단 구조물(140)과 모두 중첩될 수 있다. 예를 들면, 제1 층(331)은 도 2에 도시된 저전위 공급 배선(330)과 실질적으로 동일한 구성이다. 즉, 제1 층(331)은 제2 층간 절연층(113)과 평탄화층(114) 사이에 배치되며, 트랜지스터(150)의 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)과 동일한 물질이다. 제1 층(331)은 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 제2 층(332)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 층(332)은 제1 층간 절연층(112)과 제2 층간 절연층(113) 사이에 배치되며, 도전층(160)과 동일한 물질이다. 제2 층(332)은 제1 층간 절연층(112)에 형성된 컨택홀을 통하여 제3 층(333)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 제3 층(333)은 게이트 절연층(111)과 제1 층간 절연층(112) 사이에 배치되며, 트랜지스터(150)의 게이트 전극(152)과 동일한 물질이다. 이 경우, 제1 층(331)과 제2 층(332)을 연결하는 컨택홀은 제1 층(331) 전체와 중첩되어 연장됨으로써, 표시 영역(AA)을 둘러싸며 형성될 수 있다. 그리고, 제2 층(332)과 제3 층(333)을 연결하는 컨택홀은 제2 층(332) 전체와 중첩되어 연장됨으로써, 표시 영역(AA)을 둘러싸며 형성될 수 있다.
그리고, 제1 층(331)과 제2 층(332)을 연결하는 컨택홀 및 제2 층(332)과 제3 층(333)을 연결하는 컨택홀은 표시 영역(AA)을 둘러싸며 연장되어 형성되는 것에 제한되지 않으며, 표시 영역(AA) 전체를 둘러싸며 연장되어 형성되지 않고 각각의 층(331, 332, 333)을 연결하는 복수의 컨택홀을 포함할 수도 있다.
그리고, 도 3의 표시 장치(300)의 저전위 공급 배선(330)은 제1 층(331), 제2 층(332) 및 제3 층(333)을 모두 포함하는 것으로 도시되었으나, 이에 제안되지 않고, 제1 층(331), 제2 층(332) 및 제3 층(333) 중 적어도 2개 이상의 층을 포함할 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(300)는, 저전위 공급 배선(330)이 제1 층(331), 제2 층(332) 및 제3 층(333)을 포함함으로써, 저전위 공급 배선(330)의 전체 저항을 감소시킬 수 있다. 제1 층(331), 제2 층(332) 및 제3 층(333)이 중첩되어 서로 전기적으로 연결될 경우, 저전위 공급 배선(330) 전체의 저항은 제1 층(331), 제2 층(332) 및 제3 층(333) 각각의 저항보다 감소된다. 제1 층(331), 제2 층(332) 및 제3 층(333)은 병렬 연결되므로, 저항의 병렬 연결에 의하여 저전위 공급 배선(330) 전체의 저항은 감소된다. 저전위 공급 배선(330) 전체의 저항이 감소될 경우, 저전위 공급 배선(330)에서 표시 장치(300)의 복수의 화소(PX)에 전달되는 저전위 전압의 전압 강하량은 감소될 수 있다. 예를 들면, 저전위 공급 배선(330) 전체의 저항이 감소될 경우, 저전위 공급 배선(330) 각각의 위치에서의 저전위 전압의 크기의 차이는 감소될 수 있다. 저전위 공급 배선(330) 중 패드 영역(PA)과 인접한 부분에서 측정된 저전위 전압의 크기는 저전위 공급 배선(330) 중 패드 영역(PA)과 인접하지 않은 부분에서 측정된 저전위 전압의 크기와 상이할 수 있다. 이는 저전위 공급 배선(330)의 저항에 의한 저전위 전압의 강하 현상이 원인일 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(300)는, 저전위 공급 배선(330)이 제1 층(331), 제2 층(332) 및 제3 층(333) 중 적어도 하나를 포함함으로써, 저전위 공급 배선(330)의 전체 저항을 감소시킬 수 있다. 이에, 저전위 공급 배선(330) 전체에 고른 저전위 전압이 인가될 수 있다. 따라서, 표시 영역(AA)의 복수의 화소(PX)에 공급 되는 저전위 전압의 크기의 차이가 감소될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 저전위 공급 배선(330)의 제1 층(331)은 표시 영역(AA)을 둘러싸는 하나의 층으로 형성되는 반면, 저전위 공급 배선(330)의 제2 층(332) 및 제3 층(333) 각각은 표시 영역(AA) 전체를 둘러싸는 하나의 층으로 형성되지 않고, 복수의 패턴을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 층(332)은 도전층(160)과 동일한 물질인 복수의 패턴을 포함하며, 차단 구조물(140)과 중첩하며 표시 영역(AA)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 그리고, 제3 층(333)은 트랜지스터(150)의 게이트 전극(152)과 동일한 물질인 복수의 패턴을 포함하며, 차단 구조물(140)과 중첩하여 표시 영역(AA)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 이 경우, 게이트 구동부(120) 중 저전위 공급 배선(330)보다 외곽에 위치한 제1 서브 게이트 구동부(121)에 연결되는 게이트 배선(GL)은 도전층(160)과 동일한 물질이거나, 트랜지스터(150)의 게이트 전극(152)과 동일한 물질일 수 있다. 제1 서브 게이트 구동부(121)에 연결되는 게이트 배선(GL)이 도전층(160)과 동일한 물질인 경우, 게이트 배선(GL)은 제2 층(332)과 동일한 위치에 형성되지 않아야 한다. 따라서, 제2 층(332)은 게이트 배선(GL)이 배치된 영역을 제외한 영역에 배치된 복수의 패턴을 포함하며, 제1 층(331)과 중첩되어 형성될 수 있다. 그리고, 제1 서브 게이트 구동부(121)에 연결되는 게이트 배선(GL)이 트랜지스터(150)의 게이트 전극(152)과 동일한 물질인 경우, 게이트 배선(GL)은 제3 층(333)과 동일한 위치에 형성되지 않아야 한다. 따라서, 제3 층(333)은 게이트 배선(GL)이 배치된 영역을 제외한 영역에 배치된 복수의 패턴을 포함하며, 제1 층(331)과 중??되어 형성될 수 있다. 제2 층(332)이 복수의 패턴을 포함하는 경우, 제1 층(331)과 제2 층(332)을 전기적으로 연결하는 컨택홀 및 제2 층(332)과 제3 층(333)을 전기적으로 연결하는 컨택홀은 표시 영역(AA) 전체를 둘러싸며 형성될 수 없으므로, 복수의 컨택홀을 포함할 수 있다. 그리고, 제3 층(333)이 복수의 패턴을 포함하는 경우, 제2 층(332)과 제3 층(333)을 전기적으로 연결하는 컨택홀은 표시 영역(AA) 전체를 둘러싸며 형성될 수 없으므로, 복수의 컨택홀을 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 5는 도 4의 V-V'에 대한 단면도이다. 도 4 내지 도 5의 표시 장치(400)는 도 1 내지 도 2의 표시 장치(100)와 비교하여 차단 구조물(440) 및 저전위 공급 배선(430)에 차이가 있으며, 실질적으로 동일한 부분에 대해서는 중복 설명은 생략한다.
도 4 내지 도 5를 참조하면, 차단 구조물(440)은 게이트 구동부(420)와 표시 영역(AA) 사이에 배치된다. 예를 들면, 차단 구조물(440)은 표시 영역(AA)을 둘러싸며, 게이트 구동부(420)보다 표시 영역(AA)에 인접하여 배치된다.
저전위 공급 배선(430)은 제1 저전위 공급 배선(431)과 제2 저전위 공급 배선(432)을 포함한다. 제1 저전위 공급 배선(431)은 게이트 구동부(420)와 표시 영역(AA) 사이에 배치된다. 제1 저전위 공급 배선(431)은 차단 구조물(440)과 중첩하고, 표시 영역(AA)을 둘러싸며 배치된다. 제1 저전위 공급 배선(431)은 표시 영역(AA)의 복수의 화소(PX)에 저전위 전압을 공급할 수 있다.
제1 저전위 공급 배선(431)은 차단 구조물(440)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제1 저전위 공급 배선(431)은 차단 구조물(440)과 중첩된다. 이 경우, 차단 구조물(440)은 평탄화층(114)에 형성된 컨택홀을 통하여 제1 저전위 공급 배선(431)과 전기적으로 연결된다. 차단 구조물(440)은 제1 저전위 공급 배선(431)과 전기적으로 연결되어 저전위 전압, 즉, 정전압이 인가될 수 있다. 제1 저전위 공급 배선(431)은 차단 구조물(440)을 통하여 유기 발광 소자(170)의 캐소드(173)와 연결된다. 이에, 제1 저전위 공급 배선(431)을 통하여 캐소드(173)에 저전위 전압이 인가되고, 따라서, 제1 저전위 공급 배선(431)은 복수의 화소(PX)에 저전위 전압을 공급할 수 있다. 제1 저전위 공급 배선(431)과 차단 구조물(440)을 연결하는 컨택홀은 표시 영역(AA)을 둘러싸며 형성될 수 있다. 예를 들면, 차단 구조물(440)과 제1 저전위 공급 배선(431)은 차단 구조물(440)이 배치되어 있는 영역에 대응되어 표시 영역(AA)을 둘러싸는 컨택홀에 의하여 서로 연결될 수 있다. 따라서, 차단 구조물(440)과 제1 저전위 공급 배선(431)을 연결시키는 컨택홀에 의하여 비표시 영역(NA)의 평탄화층(114)은 분리될 수 있다. 따라서, 게이트 구동부(420)와 중첩되는 평탄화층(114)의 부분과 표시 영역(AA)에 배치된 평탄화층(114)의 부분은 분리될 수 있다. 즉, 차단 구조물(440)과 제1 저전위 공급 배선(431)을 연결시키는 컨택홀을 기준으로 내측에 위치한 평탄화층(114)과 외측에 위치한 평탄화층(114)은 분리될 수 있다.
도 5에서는 평탄화층(114)이 단일층으로 도시되어 있으나, 평탄화층(114)은 이중층으로 형성될 수 있다. 평탄화층(114)이 이중층으로 형성되는 경우, 평탄화층(114)의 하부층 상에는 보조 차단 구조물이 추가로 형성될 수 있으며, 보조 차단 구조물은 하부층의 컨택홀을 통하여 제1 저전위 공급 배선(431)과 연결될 수 있다. 그리고, 평탄화층(114)의 상부층 상에는 차단 구조물(440)이 배치되며, 상부층의 컨택홀을 통하여 차단 구조물(440)과 보조 차단 구조물은 연결될 수 있다. 따라서, 평탄화층(114)의 하부층 상에 형성된 보조 차단 구조물은 제1 저전원 공급 배선(431)과 차단 구조물(440)을 전기적으로 연결할 수 있다. 그리고, 보조 차단 구조물은 제1 저전위 공급 배선(431)및 차단 구조물(440)과 중첩되어 형성될 수 있다.
예를 들면, 평탄화층(114)이 이중층인 경우에는, 평탄화층(114)의 하부층에 형성된 컨택홀 및 평탄화층(114)의 상부층에 형성된 컨택홀은 표시 영역(AA)을 둘러싸며 연장되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(114)의 하부층에 형성된 컨택홀 및 평탄화층(114)의 상부층에 형성된 컨택홀은 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 연장되어 형성될 수 있다. 그리고, 상부층의 콘택홀에 형성된 차단 구조물(440)과 하부층의 컨택홀에 형성된 보조 차단 구조물은 서로 중첩하여 연결되고, 평탄화층(114)의 하부층의 컨택홀에 형성된 보조 차단 구조물은 제1 저전원 공급 배선(431)과 서로 중첩하여 연결된다. 따라서, 차단 구조물(440) 및 보조 차단 구조물에 의하여 비표시 영역(NA)의 평탄화층(114)은 분리될 수 있다. 그리고, 차단 구조물(440)과 보조 차단 구조물을 연결시키는 상부층의 컨택홀 및 보조 차단 구조물과 제1 저전위 공급 배선(431)을 연결시키는 하부층의 컨택홀을 기준으로 내측에 위치한 평탄화층(114)과 외측에 위치한 평탄화층(114)은 분리될 수 있다.
도 5를 참조하면, 제2 저전위 공급 배선(432)은 게이트 구동부(420)보다 외측에 배치된다. 제2 저전위 공급 배선(432)은 트랜지스터(150)의 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 또한, 제2 저전위 공급 배선(432)은 캐소드 연결부(450)를 통하여 캐소드(173)와 전기적으로 연결될 수 있다. 캐소드 연결부(450)는 제2 저전위 공급 배선(432) 및 평탄화층(114) 상에 배치되며, 애노드(171)와 동일한 물질일 수 있다. 캐소드 연결부(450)는 제2 저전위 공급 배선(432) 상에 배치되고, 캐소드(173) 하부에 배치된다.
이 경우, 제1 저전위 공급 배선(431)과 제2 저전위 공급 배선(432)은 전기적으로 연결된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 저전위 공급 배선(431)과 제2 저전위 공급 배선(432)은 표시 장치(400)의 비표시 영역(NA)의 일 측에서 전기적으로 연결된다. 따라서, 제1 저전위 공급 배선(431) 및 제2 저전위 공급 배선(432)에는 동일한 저전위 전압이 인가될 수 있다. 제2 저전위 공급 배선(432)은 표시 영역(AA)의 복수의 화소(PX)에 저전위 전압을 공급할 수 있다.
평탄화층(114)이 이중층으로 형성되는 경우, 평탄화층(114)의 하부층 상에는 보조 공급배선이 추가로 형성될 수 있으며, 보조 공급배선은 제2 저전위 공급 배선(432)과 연결될 수 있다. 그리고, 평탄화층(114)의 상부층 상에는 캐소드 연결부(650)가 배치되며, 캐소드 연결부(650)는 하부층 상의 보조 공급배선과 연결될 수 있다. 따라서, 제2 저전원 공급 배선(432)은 평탄화층(114)의 하부층 상에 형성된 보조 공급배선을 통하여 캐소드 연결부(650)와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는, 차단 구조물(440)이 게이트 구동부(420)와 표시 영역(AA) 사이에 배치됨으로써 비표시 영역(NA) 으로부터 표시 영역(AA)으로의 투습 및 아웃가스(out-gas)가 더욱 효과적으로 차단될 수 있다. 도 4 내지 도 5의 표시 장치(400)의 경우, 차단 구조물(440)은 표시 영역(AA)과 가장 인접한 비표시 영역(NA)에 배치된다. 예를 들면, 차단 구조물(440)은 게이트 구동부(420)보다 표시 영역(AA)에 인접하게 배치되며, 차단 구조물(440)과 표시 영역(AA) 사이에는 다른 구성이 배치되지 않을 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 표시 장치(400)에 가해지는 외부 충격 또는 기판(110)과 평탄화층(114) 사이에 배치된 무기물층에 존재하는 이물에 의하여 무기물층에는 크랙이 발생될 수 있다. 무기물층에 발생된 크랙에 의하여 비표시 영역(NA)의 기판(110)의 하부로부터 투습이 발생될 수 있고, 유입된 수분은 유기물로 이루어진 평탄화층(114)을 통하여 표시 영역(AA)로 유입될 수 있다. 이 경우, 평탄화층(114)은 표시 영역(AA)으로의 수분 유입의 경로일 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)에서는, 표시 영역(AA)과 가장 인접한 비표시 영역(NA)에 차단 구조물(440)을 배치함으로써, 표시 영역(AA)으로의 투습을 보다 효과적으로 차단할 수 있다. 그리고, 차단 구조물(140)은 비표시 영역(NA)에 위치하는 평탄화층(114)에서 발생한 아웃가스(out-gas)가 비표시 영역(NA)으로부터 표시 영역(AA)으로 확산하는 것을 차단할 수 있다. 따라서, 차단 구조물(440)은 차단 구조물(440)보다 외곽에 위치한 비표시 영역(NA)으로부터의 투습 및 아웃가스(out-gas)를 차단할 수 있으므로, 표시 영역(AA)으로의 투습이 효과적으로 억제될 수 있다. 이에, 표시 장치(400)의 신뢰성은 향상될 수 있다.
그리고, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는, 차단 구조물(440)에 정전압이 인가됨으로써, 차단 구조물(440)과 비표시 영역(NA)에 배치된 다른 도전성 구성요소간의 기생 커패시터가 저감될 수 있다. 구체적으로, 차단 구조물(440)은 제1 저전위 공급 배선(431)과 연결될 수 있고, 이에, 저전위 전압이 인가될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 차단 구조물(440)이 정전압이 인가되지 않아 플로팅될 경우, 차단 구조물(440)과 비표시 영역(NA)에 배치된 도전성 구성요소는 커패시터로 동작될 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는, 차단 구조물(440)에 정전압, 구체적으로 저전위 전압이 인가됨으로써, 기생 커패시터에 의하여 비표시 영역(NA)에 배치된 배선의 신호 전달이 방해되는 것이 차단될 수 있다.
그리고, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는 저전위 공급 배선(430)이 제1 저전위 공급 배선(431) 및 제2 저전위 공급 배선(432)을 포함하며, 제1 저전위 공급 배선(431) 및 제2 저전위 공급 배선(432)은 전기적으로 연결됨으로써, 저전위 전압의 강하를 감소시킬 수 있다. 제1 저전위 공급 배선(431)과 제2 저전위 공급 배선(432)은 도 4에 도시된 바와 같이 표시 장치(400)의 일면에서 전기적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 제1 저전위 공급 배선(431)의 저항과 제2 저전위 공급 배선(432)의 저항은 병렬 연결된다. 따라서, 저전위 공급 배선(430) 전체의 저항은 감소된다. 저전위 공급 배선(430) 전체의 저항이 감소될 경우, 저항에 의한 저전위 전압의 강하는 감소될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 저전위 공급 배선(431) 및 제2 저전위 공급 배선(432) 각각은 제1 층, 제2 층 및 제3 층을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 저전위 공급 배선(431) 및 제2 저전위 공급 배선(432)은 각각 트랜지스터(150)의 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)과 동일한 물질인 제1 층, 도전층(160)과 동일한 물질인 제2 층 및 트랜지스터(150)의 게이트 전극(152)과 동일한 물질인 제3 층을 포함할 수 있다. 제1 층, 제2 층 및 제3 층은 도 3에서 설명한 제1 층(331), 제2 층(332) 및 제3 층(333)과 실질적으로 동일한 바, 중복 설명은 생략한다. 이 경우, 제1 저전위 공급 배선(431) 및 제2 저전위 공급 배선(432) 각각은 제1 층, 제2 층 및 제3 층 모두를 포함하지 않고 일부 층만을 포함할 수도 있다.
그리고, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는, 제1 저전위 공급 배선(431) 및 제2 저전위 공급 배선(432) 각각이 제1 층, 제2 층 및 제3 층을 포함함으로써, 저전위 공급 배선(430)의 전체 저항을 감소시킬 수 있다. 제1 층, 제2 층 및 제3 층은 병렬 연결되며, 저항의 병렬 연결에 의하여 제1 저전위 공급 배선(431) 및 제2 저전위 공급 배선(432) 각각의 전체 저항은 감소된다. 이에, 저전위 공급 배선(430) 전체의 저항 또한 감소될 수 있다. 저전위 공급 배선(430) 전체의 저항이 감소될 경우, 저전위 공급 배선(430)에서 표시 장치(400)의 복수의 화소(PX)에 전달되는 저전위 전압이 강하량은 감소될 수 있다. 따라서, 저전위 공급 배선(430)의 저전위 전압의 균일성을 개선될 수 있고, 이에, 복수의 화소(PX)에 공급되는 저전위 전압은 보다 균일할 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 7은 도 6의 VII-VII'에 대한 단면도이다. 도 6 내지 도 7의 표시 장치(600)는 도 1 내지 도 2의 표시 장치(100)와 비교하여 저전위 공급 배선(630)이 상이하며, 실질적으로 동일한 내용에 대해서는 중복 설명은 생략한다.
도 6 내지 도 7을 참조하면, 저전위 공급 배선(630)은 제1 저전위 공급 배선(631)과 제2 저전위 공급 배선(632)을 포함한다. 제1 저전위 공급 배선(631)은 제1 서브 게이트 구동부(121)와 제2 서브 게이트 구동부(122) 사이에 배치된다. 제1 저전위 공급 배선(631)은 차단 구조물(140)과 중첩하고, 표시 영역(AA)을 둘러싸며 배치된다. 제1 저전위 공급 배선(631)은 표시 영역(AA)의 복수의 화소(PX)에 저전위 전압을 공급할 수 있다.
제1 저전위 공급 배선(631)은 차단 구조물(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제1 저전위 공급 배선(631)은 차단 구조물(140)과 중첩된다. 이 경우, 차단 구조물(140)은 평탄화층(114)에 형성된 컨택홀을 통하여 제1 저전위 공급 배선(631)과 전기적으로 연결된다. 차단 구조물(140)은 제1 저전위 공급 배선(631)과 전기적으로 연결되어 저전위 전압, 예를 들면, 정전압이 인가될 수 있다. 제1 저전위 공급 배선(631)은 차단 구조물(140)을 통하여 유기 발광 소자(170)의 캐소드(173)와 연결된다. 이에, 제1 저전위 공급 배선(631)을 통하여 캐소드(173)에 저전위 전압이 인가되고, 따라서, 제1 저전위 공급 배선(631)은 복수의 화소(PX)에 저전위 전압을 공급할 수 있다.
제1 저전위 공급 배선(631)과 차단 구조물(140)을 연결하는 컨택홀은 표시 영역(AA)을 둘러싸며 형성될 수 있다. 구체적으로, 차단 구조물(140)과 제1 저전위 공급 배선(631)은 차단 구조물(140)이 배치되어 있는 영역에 대응되어 표시 영역(AA)을 둘러싸는 컨택홀에 의하여 서로 연결될 수 있다. 따라서, 차단 구조물(140) 에 의하여 비표시 영역(NA)의 평탄화층(114)은 분리될 수 있다. 따라서, 제1 서브 게이트 구동부(121)와 중첩되는 평탄화층(114)의 부분과 표시 영역(AA)에 배치된 평탄화층(114)의 부분은 분리될 수 있다. 따라서, 차단 구조물(140)을 기준으로 내측에 위치한 평탄화층(114)과 외측에 위치한 평탄화층(114)은 분리될 수 있다.그리고, 제2 저전위 공급 배선(632)은 게이트 구동부(120)보다 외측에 배치된다. 제2 저전위 공급 배선(632)은 트랜지스터(150)의 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 또한, 제2 저전위 공급 배선(632)은 캐소드 연결부(650)를 통하여 캐소드(173)와 전기적으로 연결될 수 있다. 캐소드 연결부(650)는 제2 저전위 공급 배선(632) 및 평탄화층(114) 상에 배치되며, 애노드(171)와 동일한 물질일 수 있다. 캐소드 연결부(650)는 제2 저전위 공급 배선(632) 상에 배치되고, 캐소드(173) 하부에 배치된다.
이 경우, 제1 저전위 공급 배선(631)과 제2 저전위 공급 배선(632)은 전기적으로 연결된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 저전위 공급 배선(631)과 제2 저전위 공급 배선(632)은 표시 장치(600)의 하부 영역의 비표시 영역(NA)에서 전기적으로 연결된다. 따라서, 제1 저전위 공급 배선(631) 및 제2 저전위 공급 배선(632)에는 동일한 저전위 전압이 인가될 수 있다. 제2 저전위 공급 배선(632)은 표시 영역(AA)의 복수의 화소(PX)에 저전위 전압을 공급할 수 있다.
그리고, 제1 저전위 공급 배선(631)의 폭(W1)과 제2 저전위 공급 배선(632)의 폭(W2)의 합은 저전위 공급 배선(630)의 기능을 유지하기 위한 최소의 배선의 폭과 동일할 수 있다. 예를 들면, 제1 저전위 공급 배선(631) 의 폭(W1) 및 제2 저전위 공급 배선(632)의 폭(W2)의 합이 감소될 경우, 저전위 공급 배선(630)의 전체 저항은 증가될 수 있다. 저전위 공급 배선(630)의 전체 저항이 증가될 경우, 저전위 공급 배선(630)에 인가되는 저전위 전압의 강하량은 증가될 수 있고, 이에, 복수의 화소(PX)에는 균일한 크기의 저전위 전압이 공급되지 못할 수 있다. 따라서, 저전위 공급 배선(630)의 전체 저항이 특정 값을 초과하지 않아야 저전위 공급 배선(630)의 기능이 유지될 수 있다. 이에, 저전위 공급 배선(630)의 기능을 유지하기 위한 최소의 배선의 폭이 존재할 수 있다.
따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)에서는, 제1 저전위 공급 배선(631)의 폭(W1) 및 제2 저전위 공급 배선(632)의 폭(W2)의 합이 저전위 공급 배선(630)의 기능을 유지하기 위한 최소의 배선의 폭과 동일하게 형성된다. 이에, 비표시 영역(NA)의 크기, 즉, 베젤의 크기가 증가되지 않고 유지될 수 있다. 그리고, 저전위 공급 배선(630) 전체의 저항은 앞서 설명한 특정 값을 초과하지 않을 수 있다. 이에, 저전위 전압을 공급하는 저전위 공급 배선(630)의 기능이 유지될 수 있다. 예를 들어, 제1 저전위 공급 배선(631)의 폭(W1) 및 제2 저전위 공급 배선(632)의 폭(W2)의 합은 약 320nm일 수 있다.
그리고, 제2 저전위 공급 배선(632)의 폭(W2)은 저전위 공급 배선(630)의 기능을 유지하기 위한 최소의 배선의 폭과 동일할 수 있다. 예를 들면, 제2 저전위 공급 배선(632)의 폭(W2)이 저전위 공급 배선(630)의 기능을 유지하기 위한 최소의 배선의 폭과 동일하며, 저전위 공급 배선(630)은 제1 저전위 공급 배선(631)의 폭(W1)만큼 증가된 배선의 폭을 가질 수 있다. 저전위 공급 배선(630)의 전체 저항은 제1 저전위 공급 배선(631) 및 제2 저전위 공급 배선(632)의 각각의 저항의 병렬 연결에 의한 저항이다. 따라서, 저전위 공급 배선(630)의 전체 저항은 저전위 공급 배선(630)의 기능을 유지하기 위한 최대의 저항값보다 낮을 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)에서는, 제2 저전위 공급 배선(632)의 폭(W2)이 저전위 공급 배선(630)의 기능을 유지하기 위한 최소의 배선의 폭과 동일하게 형성된다. 따라서, 저전위 공급 배선(630)이 제1 저전위 공급 배선(631)을 더 포함함으로써 베젤의 크기는 증가될 수 있다. 그러나, 제1 저전위 공급 배선(631)과 전기적으로 연결되는 차단 구조물(140)에 의하여 비표시 영역(NA)으로부터 표시 영역(AA)으로의 투습이 억제될 수 있다. 그리고, 저전위 공급 배선(630)이 제1 저전위 공급 배선(631) 및 제2 저전위 공급 배선(632)를 포함함으로써, 저전위 공급 배선(630) 전체 저항의 크기가 저전위 공급 배선(630)의 기능을 유지하기 위한 전체 저항의 최대값보다 낮을 수 있다. 따라서, 저전위 공급 배선(630)에서의 저전위 전압의 강하량은 감소될 수 있다. 이에, 복수의 화소(PX)에는 보다 균일한 저전위 전압이 공급될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 8의 표시 장치(800)는 도 4 내지 도 5의 표시 장치(400)와 비교하여 차단 구조물(440)과 연결된 배선과 저전위 공급 배선(830)의 구조가 상이하며, 실질적으로 동일한 내용에 대해서는 중복 설명은 생략한다.
도 8을 참조하면, 차단 구조물(440)은 트랜지스터(150)의 소스 전극(153)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 트랜지스터(150)는 구동 트랜지스터(150)일 수 있으며, 소스 전극(153)은 고전위 전압이 인가되는 전극일 수 있다. 즉, 소스 전극(153)이 전원 배선(VDDL)에 연결될 수 있고, 전원 배선(VDDL)이 고전위 전압을 소스 전극(153)에 인가함으로써, 복수의 화소(PX)에 고전위 전압이 인가될 수 있다. 이 경우, 소스 전극(153)은 비표시 영역(NA)으로 연장되어 차단 구조물(440)과 중첩되는 일부분을 포함할 수 있다. 차단 구조물(440)은 평탄화층(114)에 형성된 컨택홀을 통하여 소스 전극(153)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에, 차단 구조물(440)에는 고전위 전압, 예를 들면, 정전압이 인가될 수 있다.
이 경우, 도 8에 도시된 화소(PX)는 더미 화소일 수도 있다. 더미 화소는 표시 영역(AA)의 최외곽에 배치된 화소(PX)로서, 영상을 표시하지 않는 화소(PX)를 의미한다. 표시 장치(800)는 더미 화소를 포함함으로써, 표시 영역(AA)의 최외곽에서의 빛샘 현상이 방지될 수 있다. 차단 구조물(440)은 표시 영역(AA)의 최외곽에 배치된 더미 화소의 소스 전극(153)과 전기적으로 연결되어 고전위 전압이 인가될 수 있다. 도 8에서는 더미 화소가 표시 영역(AA)에 배치된 것으로 설명하였으나, 더미 화소는 표시 영역(AA)이 아닌 비표시 영역(NA)에 배치되는 것으로 정의될 수도 있다. 또한, 도 8에 도시된 화소(PX)는 더미 화소일 수도 있으나, 이에 제한되지 않으며, 영상이 표시되는 화소(PX)일 수도 있다.
도 8을 참조하면, 저전위 공급 배선(830)은 게이트 구동부(120)보다 외측에 배치된다. 저전위 공급 배선(830)은 게이트 구동부(120) 보다 외측에 배치되고, 표시 영역(AA)을 둘러싼다. 저전위 공급 배선(830)은 트랜지스터(150)의 소스 전극(153) 및 드레인 전극(154)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 또한, 캐소드 연결부(450)를 통하여 캐소드(173)와 전기적으로 연결될 수 있다. 저전위 공급 배선(830)은 표시 영역(AA)의 복수의 화소(PX)에 저전위 전압을 공급할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(800)는, 차단 구조물(440)에 고전위 전압, 즉, 정전압이 인가됨으로써, 차단 구조물(440)과 비표시 영역(NA)에 배치된 다른 도전성 구성요소간의 기생 커패시터가 저감될 수 있다. 예를 들면, 차단 구조물(440)은 표시 영역(AA)의 최외곽에 배치된 화소(PX)가 포함하는 소스 전극(153)과 연결될 수 있고, 소스 전극(153)은 전원 배선(VDDL)을 통하여 저전위 전압이 인가된다. 이에, 차단 구조물(440)은 저전위 전압이 인가될 수 있다. 차단 구조물(440)이 정전압이 인가되지 않아 플로팅될 경우, 차단 구조물(440)과 비표시 영역(NA)에 배치된 도전성 구성요소는 커패시터로 동작될 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(800)는, 차단 구조물(440)에 고전위 전압, 예를 들면, 정전압이 인가됨으로써, 기생 커패시터에 의하여 비표시 영역(NA)에 배치된 배선의 신호 전달이 방해되는 것이 차단될 수 있다.
도 9는 도 6의 VII-VII'에 대한 단면도이다. 도 9의 표시장치(900)에 관한 단면도는 도 7의 표시 장치(600)에 관한 단면도와 비교하여 평탄화층(114) 및 차단 구조물(140)이 이중층으로 형성되는 것과 연결전극(155) 보조 공급 배선(633)이 추가 형성된 것이며, 실질적으로 동일한 내용에 대해서는 중복 설명은 생략한다.
도 9를 참조하면, 차단 구조물(140)은 제1 평탄화층(116) 상에 형성된 제1 차단 구조물(141)과 제2 평탄화층(117) 상에 형성된 제2 차단 구조물(142)를 포함할 수 있다. 제1 차단 구조물(141)은 제1 평탄화층(116)의 컨택홀을 통하여 제1 저전위 공급 배선(631)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 제2 차단 구조물(142)은 제2 평탄화층(117)의 컨택홀을 통하여 제1 차단 구조물(141)과 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 제1 저전위 공급 배선(631)은 제1 평탄화층(116) 상에 형성된 제1 차단 구조물(141)을 통하여 제 2 평탄화층(117)상에 형성된 제2 차단 구조물(142)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 제2 차단 구조물은(142)은 유기 발광 소자(170)의 캐소드(173)와 연결될 수 있다. 그러므로, 제1 저전위 공급 배선(631)은 제1 차단 구조물(141) 및 제2 차단 구조물(142)을 통하여 유기 발광 소자(170)의 캐소드(173)와 연결될 수 있다.
예를 들면, 제1 차단 구조물(141)과 제2 차단 구조물(142)을 포함하는 차단 구조물(140)은 제1 저전위 공급 배선(631)과 전기적으로 연결되어 저전위 전압, 즉, 정전압이 인가될 수 있다. 제1 저전위 공급 배선(631)은 차단 구조물(140)을 통하여 유기 발광 소자(170)의 캐소드(173)와 연결될 수 있다. 이에, 제1 저전위 공급 배선(631)을 통하여 캐소드(173)에 저전위 전압이 인가되고, 따라서, 제1 저전위 공급 배선(631)은 복수의 화소(PX)에 저전위 전압을 공급할 수 있다.
제1 저전위 공급 배선(631)과 제1 차단 구조물(141)을 연결하는 컨택홀 및 제1 차단 구조물(141)과 제2 차단 구조물(142)을 연결하는 컨택홀은 표시 영역(AA)을 둘러싸며 형성될 수 있다. 따라서, 제1 평탄화층(116)의 컨택홀 및 제2 평탄화층(117)의 컨택홀은 표시 영역(AA)을 둘러싸며 연장되어 형성될 수 있다.
예를 들면, 제1 평탄화층(116)에 형성된 컨택홀 및 제2 평탄화층(117)에 형성된 컨택홀은 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 연장되어 형성되고, 제2 평탄화층(117)의 콘택홀에 형성된 제2 차단 구조물(142)과 제1 평탄화층(116)의 컨택홀에 형성된 제1 차단 구조물(141)은 서로 중첩하여 연결되고, 제1 평탄화층(116)의 컨택홀에 형성된 제1 차단 구조물(141)은 제1 저전원 공급 배선(631)과 서로 중첩하여 연결된다. 따라서, 제1 차단 구조물(141) 에 의하여 비표시 영역(NA)의 제1 평탄화층(116)은 분리될 수 있고, 제2 차단 구조물(142)에 의하여 비표시 영역(NA)의 제2 평탄화층(117)은 분리될 수 있다.
따라서, 차단 구조물(140) 에 의하여 비표시 영역(NA)의 제1 평탄화층(116) 및 제2 평탄화층(117)은 분리될 수 있다. 그리고, 제1 서브 게이트 구동부(121)와 중첩되는 제1 평탄화층(116) 및 제2 평탄화층(117)의 부분과 표시 영역(AA)에 배치된 제1 평탄화층(116) 및 제2 평탄화층(117)의 부분은 분리될 수 있다. 그리고, 차단 구조물(140)을 기준으로 내측에 위치한 제1 평탄화층(116) 및 제2 평탄화층(117)과 외측에 위치한 제1 평탄화층(116) 및 제2 평탄화층(117)은 분리될 수 있다. 예를 들면, 제1 차단 구조물(141)을 기준으로 내측에 위치한 제1 평탄화층(116)과 외측에 위치한 제1 평탄화층(116)은 분리 될 수 있으며, 제2 차단 구조물(142)을 기준으로 내측에 위치한 제1 평탄화층(116)과 외측에 위치한 제1 평탄화층(116)은 분리될 수 있다.
그리고, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 평탄화층(117) 상에 형성된 제2 저전위 공급 배선(632)은 제1 평탄화층(116) 상에 형성된 보조 공급배선(633)을 통하여 캐소드 연결부(650)와 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 보조 공급 배선(633)은 캐소드 연결부(650)를 통하여 캐소드(173)와 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 제2 저전위 공급 배선(632)은 보조 공급배선(633) 및 캐소드 연결부(650)를 통하여 캐소드(173)와 전기적으로 연결될 수 있다.
예를 들면, 보조 공급 배선(633)은 제1 평탄화층(116) 및 제2 저전위 공급 배선(632) 상에 형성될 수 있다. 그리고, 캐소드 연결부(650)는 제2 평탄화층(117) 및 보조 공급 배선(633) 상에 형성될 수 있다. 그리고, 캐소드 연결부(650)는 애노드(171)와 동일한 물질일 수 있으며, 보조 공급 배선(633)은 제1 차단 구조물(141)과 동일한 물질일 수 있다. 캐소드 연결부(650)는 제2 평탄화층(117)상에 배치되고, 캐소드(173) 하부에 배치될 수 있다. 그리고, 보조 공급 배선(633)은 캐소드 연결부(650)와 제 2 저전위 공급배선(632) 사이에 배치될 수 있다.
이 경우, 제1 저전위 공급 배선(631)과 제2 저전위 공급 배선(632)은 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 저전위 공급 배선(631)과 제2 저전위 공급 배선(632)은 표시 장치(600)의 하부 영역의 비표시 영역(NA)에서 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 제1 저전위 공급 배선(631) 및 제2 저전위 공급 배선(632)에는 동일한 저전위 전압이 인가될 수 있다. 제2 저전위 공급 배선(632)은 표시 영역(AA)의 복수의 화소(PX)에 저전위 전압을 공급할 수 있다. 도 9에 도시된 바와 같이, 트랜지스터(150)의 드레인 전극(154)은 제 1 평탄화층(116) 상에 형성된 연결 전극(155)을 통하여 제2 평탄화층(117) 상에 형성된 애노드(115)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 평탄화층(116)과 제2 평탄화층(117)은 유기물질로 형성된 유기막층으로 이루어질 수 있다. 그리고, 제1 평탄화층(116)과 제2 평탄화층(117)은 서로 다른 유기물질로 이루어진 제1 유기막층과 제2 유기막층으로 이루어질 수 있다. 그리고, 제1 평탄화층(116)과 제2 평탄화층(117)은 동일한 유기물질로 이루어진 제1 유기막층과 제2 유기막층으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소, 비표시 영역에 있으며, 표시 영역의 적어도 일 측에 인접하도록 배치된 게이트 구동부 및 비표시 영역에 있으며, 게이트 구동부의 최외곽과 표시 영역 사이에 배치된 제1 차단 구조물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 차단 구조물은 정전압이 인가되도록 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 차단 구조물은 게이트 구동부와 표시 영역 사이에 배치되고, 고전위 전압 또는 저전위 전압이 인가되도록 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 표시 영역의 외측에 배치된 복수의 더미 화소를 더 포함하고, 제1 차단 구조물은 복수의 더미 화소를 통해 고전위 전압이 인가되도록 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 게이트 구동부는 제1 차단 구조물의 일 측에 있는 제1 서브 게이트 구동부 및 제1 차단 구조물의 타 측에 있는 제2 서브 게이트 구동부를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 비표시 영역에 배치되며, 게이트 구동부보다 외측에 있는 저전위 공급 배선을 더 포함하고, 제1 차단 구조물은 저전위 공급 배선으로부터 저전위 전압이 인가되도록 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 화소에 각각 배치되고, 애노드, 유기층 및 캐소드를 포함하는 복수의 유기 발광 소자를 더 포함하고, 제1 차단 구조물은 애노드와 동일한 물질일 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 차단 구조물은 캐소드와 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 차단 구조물과 중첩하는 제1 저전위 공급 배선 및 제1 저전위 공급 배선과 제1 차단 구조물 사이에 있는 평탄화층을 더 포함하고, 제1 차단 구조물은 평탄화층에 있는 컨택홀을 통해 제1 저전위 공급 배선과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 게이트 구동부는 제1 저전위 공급 배선 양 측에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 게이트 구동부 외측에 있고, 제1 저전위 공급 배선과 연결된 제2 저전위 공급 배선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 있는 도전층을 더 포함하며, 제1 저전위 공급 배선 및 제2 저전위 공급 배선 각각은 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 제1 층, 도전층과 동일한 물질인 제2 층 및 트렌지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 제3 층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하며, 트랜지스터 상에 평탄화층을 포함하며, 제1 차단 구조물은 평탄화층의 컨택홀을 통하여 소스 전극과 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 차단 구조물과 중첩하는 제1 저전위 공급 배선, 제1 저전위 공급 배선 상에 있는 제1 평탄화층, 제1 차단 구조물 상에 있는 제2 평탄화층, 및 제2 평탄화층 상에 있는 제 2 차단 구조물을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 차단 구조물은 제1 평탄화층의 컨택홀을 통하여 제1 저전위 공급 배선과 연결되며, 제 2 차단 구조물은 제2 평탄화층의 컨택홀을 통하여 제 1 차단 구조물과 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역 및 비표시 영역에 배치된 평탄화층, 비표시 영역에 있으며, 표시 영역의 적어도 일 측에 배치된 게이트 구동부 및 비표시 영역에 있으며, 평탄화층 중 게이트 구동부와 중첩하는 부분과 표시 영역에 배치된 부분을 분리하여 비표시 영역으로부터 표시 영역으로의 투습을 차단하는 차단 구조물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 비표시 영역에서 기판과 평탄화층 사이에 배치된 하나 이상의 무기물층을 더 포함하고, 차단 구조물은 무기물층이 크랙(crack)됨에 따라 기판 하부로부터 침투하는 수분이 평탄화층을 통해 표시 영역으로 침투하는 것을 차단하도록 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 차단 구조물은 차단 구조물과 비표시 영역에 배치된 다른 도전 물질간의 기생 커패시터를 저감하기 위해 정전압이 인가되도록 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 차단 구조물은 게이트 구동부와 표시 영역 사이에 배치되고, 고전위 전압 또는 저전위 전압이 인가되도록 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 평탄화층 하부에 배치되고, 차단 구조물과 연결된 저전위 공급 배선을 더 포함하고, 차단 구조물은 저전위 공급 배선과 함께 평탄화층을 통한 투습 경로를 차단할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역 및 표시 영역에 인접하여 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판; 기판의 표시 영역 및 비표시 영역에 배치된 유기막층; 비표시 영역에서 표시영역의 적어도 일 측에 배치되는 제1 서브 게이트 구동부; 표시영역과 제1 서브 게이트 구동부 사이에 배치되는 제2 서브 게이트 구동부; 제1 서브 게이트 구동부와 제2 서브 게이트 구동부 사이에 배치되는 제1 전원 공급배선; 유기막층상에 배치되며 유기막층의 컨택홀을 통하여 제1 전원 배선과 연결되는 차단 구조물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 유기막층은 기판상에 배치된 제1 유기막층과 제1 유기막층상에 배치된 제2 유기막층을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 차단 구조물은 제1 유기막층상에 배치된 제1 차단 구조물과 제2 유기막층 상에 배치된 제2 차단 구조물을 포함할 수 있으며, 제1 차단 구조물은 제1 유기막층의 컨택홀을 통하여 제1 전원 공급 배선과 연결되고 제2 차단 구조물은 제2 유기막층의 컨택홀을 통하여 제1 차단 구조물과 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 유기막층의 컨택홀은 제 1 전원 공급 배선과 중첩하는 영역에 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 유기막층의 컨택홀은 제1 유기막층의 컨택홀과 중첩하는 영역에 형성될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 300, 400, 600, 800: 표시 장치
110: 기판
111: 게이트 절연층
112: 제1 층간 절연층
113: 제2 층간 절연층
114: 평탄화층
115: 뱅크
120, 420: 게이트 구동부
121: 제1 서브 게이트 구동부
122: 제2 서브 게이트 구동부
130, 330, 430, 630, 830: 저전위 공급 배선
140, 440: 차단 구조물
150: 트랜지스터
151: 액티브층
152: 게이트 전극
153: 소스 전극
154: 드레인 전극
160: 도전층
170: 유기 발광 소자
171: 애노드
172: 유기층
173: 캐소드
331: 제1 층
332: 제2 층
333: 제3 층
431, 631: 제1 저전위 공급 배선
432, 632: 제2 저전위 공급 배선
450, 650: 캐소드 연결부
PA: 패드 영역
AA: 표시 영역
NA: 비표시 영역
PX: 화소
VDDL: 전원 배선
DL: 데이터 배선
GL: 게이트 배선
W1: 제1 저전위 공급 배선의 폭
W2: 제2 저전위 공급 배선의 폭

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역에 있으며, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소;
    상기 비표시 영역에 있으며, 상기 표시 영역의 적어도 일 측에 인접하도록 배치된 게이트 구동부;
    상기 트랜지스터 상에 배치되는 평탄화층;
    상기 비표시 영역에 있으며, 상기 평탄화층 상에 배치된 제1 차단 구조물; 및
    상기 제1 차단 구조물과 중첩하고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일 층에 배치되는 저전위 공급 배선을 포함하고,
    상기 제1 차단 구조물은 상기 표시 영역을 둘러싸면서 상기 평탄화층을 사이에 두고 상기 저전위 공급 배선과 연결되는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 차단 구조물은 정전압이 인가되도록 구성된, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 차단 구조물은 상기 게이트 구동부와 상기 표시 영역 사이에 배치되고, 저전위 전압이 인가되도록 구성된, 표시 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 게이트 구동부는 상기 제1 차단 구조물의 일 측에 있는 제1 서브 게이트 구동부 및 상기 제1 차단 구조물의 타 측에 있는 제2 서브 게이트 구동부를 포함하는, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 저전위 공급 배선은 상기 비표시 영역에 배치되며, 상기 게이트 구동부보다 외측에 있는 제2 저전위 공급 배선을 포함하고,
    상기 제1 차단 구조물은 상기 제2 저전위 공급 배선으로부터 저전위 전압이 인가되도록 구성된, 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소에 각각 배치되고, 애노드, 유기층 및 캐소드를 포함하는 복수의 유기 발광 소자를 더 포함하고,
    상기 제1 차단 구조물은 상기 애노드와 동일한 물질인, 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 차단 구조물은 상기 캐소드와 전기적으로 연결된, 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 저전위 공급 배선은 상기 게이트 구동부의 최외곽과 상기 표시 영역 사이에 배치되는 제1 저전위 공급 배선을 포함하고,
    상기 제1 차단 구조물은 상기 평탄화층에 있는 컨택홀을 통해 상기 제1 저전위 공급 배선과 연결되는, 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 게이트 구동부는 상기 제1 저전위 공급 배선 양 측에 배치된, 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 저전위 공급 배선은 상기 게이트 구동부 외측에 있고, 상기 제1 저전위 공급 배선과 연결된 제2 저전위 공급 배선을 더 포함하는, 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 있는 도전층을 더 포함하며,
    상기 제1 저전위 공급 배선 및 상기 제2 저전위 공급 배선 각각은 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 제1 층에, 상기 도전층과 동일한 물질인 제2 층 및 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 제3 층 중 적어도 하나를 더 포함하는, 표시 장치.
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서,
    상기 평탄화층은 상기 저전위 공급 배선 상에 있는 제1 평탄화층 및 상기 제1 차단 구조물 상에 있는 제2 평탄화층을 포함하고,
    상기 제2 평탄화층 상에 있는 제2 차단 구조물을 더 포함하는, 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 차단 구조물은 상기 제1 평탄화층의 컨택홀을 통하여 상기 저전위 공급 배선과 연결되며,
    상기 제2 차단 구조물은 상기 제2 평탄화층의 컨택홀을 통하여 상기 제1 차단 구조물과 연결되는, 표시 장치.
  16. 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역에 배치되고, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터;
    상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역에 배치된 적어도 하나의 평탄화층;
    상기 비표시 영역에 있으며, 상기 표시 영역의 적어도 일 측에 배치된 게이트 구동부;
    상기 비표시 영역에 있으며, 상기 적어도 하나의 평탄화층 중 상기 게이트 구동부와 중첩하는 부분과 상기 표시 영역에 배치된 부분을 분리하여 상기 비표시 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 투습을 차단하는 적어도 하나의 차단 구조물; 및
    상기 적어도 하나의 평탄화층 하부에 배치되는 저전위 공급 배선을 포함하고,
    상기 저전위 공급 배선은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일 층에 배치되고,
    상기 적어도 하나의 차단 구조물은 상기 표시 영역을 둘러싸면서 상기 평탄화층을 사이에 두고 상기 저전위 공급 배선과 연결되어, 상기 저전위 공급 배선과 함께 적어도 하나의 평탄화층을 통한 투습 경로를 차단하는, 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 비표시 영역에서 상기 기판과 상기 적어도 하나의 평탄화층 사이에 배치된 하나 이상의 무기물층을 더 포함하고,
    상기 적어도 하나의 차단 구조물은 상기 무기물층이 크랙(crack)됨에 따라 상기 기판 하부로부터 침투하는 수분이 상기 적어도 하나의 평탄화층을 통해 상기 표시 영역으로 침투하는 것을 차단하도록 구성된, 표시 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 차단 구조물은 상기 차단 구조물과 상기 비표시 영역에 배치된 다른 도전 물질간의 기생 커패시터를 저감하기 위해 정전압이 인가되도록 구성된, 표시 장치.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 차단 구조물은 상기 게이트 구동부와 상기 표시 영역 사이에 배치되고, 저전위 전압이 인가되도록 구성된, 표시 장치.
  20. 삭제
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