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TW201312742A - 有機發光顯示裝置以及製造該有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

有機發光顯示裝置以及製造該有機發光顯示裝置之方法 Download PDF

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TW201312742A
TW201312742A TW101111015A TW101111015A TW201312742A TW 201312742 A TW201312742 A TW 201312742A TW 101111015 A TW101111015 A TW 101111015A TW 101111015 A TW101111015 A TW 101111015A TW 201312742 A TW201312742 A TW 201312742A
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Seong-Kweon Heo
Ki-Nyeng Kang
Jong-Hyun Choi
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一種有機發光顯示裝置包含一薄膜電晶體，其係於基板之顯示區上且面對封裝件；一有機發光裝置，其係於顯示區上且包含具有有機發射層之中介層；一密封件，其係位於基板與封裝件之間且環繞顯示區；一內部電路單元，其係位於顯示區與密封件之間；一鈍化層，其係延伸以覆蓋內部電路單元；一像素定義層，其係於鈍化層上；以及一吸氣劑，其係位於基板與封裝件之間，且吸氣劑至少部分地重疊內部電路單元。

Description

有機發光顯示裝置以及製造該有機發光顯示裝置之方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年9月2日向韓國智慧財產局提出，申請號為10-2011-0089208之韓國專利申請案之優先權效益，其全部內容納於此處作為參考。
本發明係有關於一種有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置之方法，且更具體地說，係有關於一種具有良好耐用性與於基板上具有高空間可用率(spatial availability)之有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置之方法。
由於顯示器相關技術之發展，目前已導向具有可攜式、輕薄平板之顯示裝置。在現有的平板顯示裝置中，有機發光顯示裝置，其係為自發光顯示裝置，具有廣視角、高對比、與快速反應速度，因此被視為下一代之顯示裝置。
有機發光顯示裝置包含第一電極、第二電極與中介層。中介層包含當電壓施加至第一電極與第二電極時發射可見光之有機發射層。
有機發光顯示裝置包含複數個像素與驅動該些像素之電路單元。
構成有機發光顯示裝置之複數個像素與電路單元對於外部濕氣與氧氣極為脆弱，因此可能損害有機發光顯示裝置之耐用性。
實施例可藉由提供一種有機發光顯示裝置而實現，該有機發光顯示裝置包含具有顯示區之基板；設置以面對基板之封裝件；設置於基板之顯示區上以面對封裝件之薄膜電晶體，其包含主動層、閘極電極、源極電極與汲極電極；形成於顯示區上以電性連接至薄膜電晶體之有機發光裝置，其包含第一電極、第二電極以及插設於第一電極與第二電極之間的中介層，且中介層包含有機發射層；設置於基板與封裝件之間以環繞顯示區之密封件；設置於顯示區與密封件之間的內部電路單元；設置於薄膜電晶體上且延伸以覆蓋內部電路單元之鈍化層；設置於鈍化層上之像素定義層；以及吸氣劑，其設置於基板與封裝件之間以至少部分地重疊內部電路單元。
鈍化層可包含ㄧ無機材料。吸氣劑可設置以基板與封裝件之間以及密封件與顯示區之間。吸氣劑可形成於鈍化層上。吸氣劑可形成以與像素定義層接觸。吸氣劑可包含鋇(Ba)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、鈦(Ti)、釩(V)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、釷(Th)、鈰(Ce)、鋁(Al)與鎳(Ni)之至少其ㄧ。
像素定義層可包含ㄧ有機材料。中介層可與鈍化層分離且與像素定義層接觸。有機發光顯示裝置可更包含插設於主動層與閘極電極之間之閘極絕緣層、以及形成於閘極電極上的層間絕緣層。源極電極與汲極電極可形成於層間絕緣層上。
第一電極可形成於閘極絕緣層上。層間絕緣層可具有包含至少兩絕緣層之一堆疊結構。層間絕緣層可藉由交錯地堆疊無機材料與有機材料而形成。第一電極可形成於層間絕緣層之複數個絕緣層中之非為最上層之絕緣層上。
有機發光顯示裝置可更包含位於基板上之電容。電容可包含第一電容電極，其與主動層位於相同層上且與主動層包含相同材料、以及第二電容電極，其與閘極電極位於相同層上且與第一電極包含相同材料。第二電容電極相較於第ㄧ電容電極可具有較小尺寸。
第一電極可包含透射傳導材料。透射傳導材料可包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵以及氧化鋁鋅之至少其ㄧ。
第一電極可藉由依序堆疊第一透射傳導材料與半透射金屬層而形成。第一電極可更包含形成於半透射金屬層下的第二透射傳導材料。半透射金屬層可包含銀。中介層可不與薄膜電晶體重疊且與薄膜電晶體分離。
實施例亦可藉由提供ㄧ種製造有機發光顯示裝置之方法而實現，該方法包含：於基板之顯示區上形成包含主動層、閘極電極、源極電極與汲極電極之薄膜電晶體；於顯示區上形成有機發光裝置，有機發光裝置係電性連接至薄膜電晶體且包含第一電極、第二電極以及插設於第一電極與第二電極之間的中介層，且中介層包含有機發射層；於基板與封裝件之間形成密封件以環繞顯示區；於顯示區與密封件之間形成內部電路單元；於薄膜電晶體上形成鈍化層，鈍化層延伸以覆蓋內部電路單元；於鈍化層上形成像素定義層；以及形成吸氣劑以至少部分地重疊內部電路單元。
鈍化層與像素定義層可分別具有對應至第一電極之上表面的開口。鈍化層之開口可於形成像素定義層之開口之後形成。鈍化層之開口可為像素定義層所覆蓋。 
範例實施例現將參考附圖於下文中更完整地描述，然而其可以不同形式實施且不應理解為限於此處之實施例。相反的，此些實施例係提供而使本揭露更透徹與完整，且對所屬技術領域者更完整地傳達本發明之範疇。
在圖式中，層及區域之尺寸可能為了清晰描繪而誇大。其亦將了解的是，當層或元件被稱為在另一層或基板“上”時，其可直接位於另一層或基板上，或可存在有中介層。此外，其將了解的是，當層被稱為在另一層“下”時，其可直接位於其下方，或可存在ㄧ個或多個中介層。再者，其將了解的是，當一層被稱為位於兩層“之間”時，其可為兩層間的唯一層，或可存在ㄧ個或多個中介層。全文中相似的參考符號代表相似的元件。
如“至少其中之一”的表達方式，當置於所列舉之元件之前時，意指調整個所列舉之元件而不調整其中各別的元件。
第1圖係根據例示性實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖，第2圖係沿著第1圖之線段II-II所截取之剖面圖，第3圖係第2圖之A部分之放大圖。
請參閱第1圖至第3圖，有機發光顯示裝置100包含基板101、封裝件102、薄膜電晶體TFT、有機發光裝置120、密封件150、內部電路單元160、鈍化層118、像素定義層119與吸氣劑170。
薄膜電晶體可包含主動層112、閘極電極114、以及源極電極116與汲極電極117。有機發光裝置120可包含第一電極121、第二電極122與中介層123。
各個元件將於下文中詳細描述。
顯示區101a係形成於基板101上。複數個次像素可形成於顯示區101a上，且每一個次像素可包含發射可見光之有機發光裝置120，以及連接至有機發光裝置120之至少ㄧ薄膜電晶體TFT。
墊區域101b可形成於基板101之ㄧ側，以例如沿著水平方向與顯示區101a分離。積體電路晶片，例如資料驅動單元與複數個墊部位可安裝於墊區域101b上。
基板101可為其中使用二氧化矽(SiO2)為主原料之透明玻璃基板。然而實施例並不限於此，例如也可使用透明塑膠基板。在此情形下，用以形成基板101之塑膠材料可包含各種不同有機材料之至少其ㄧ。
密封件150可設置於基板101上且可延伸環繞顯示區101a。舉例而言，密封件150可完全環繞顯示區101a。密封件150可由各種材料形成且可連結基板101與封裝件102。
內部電路單元160可設置於顯示區101a與密封150件之間，例如內部電路單元160可完全地環繞顯示區101a。密封件150可完全地環繞內部電路單元160。內部電路單元160可為例如掃描驅動單元或發射控制驅動單元。第1圖之內部電路單元160可環繞顯示區101a之所有側邊，如完全環繞顯示區101a。然而實施例不限於此，例如內部電路單元160可形成以對應至顯示區101a之ㄧ側或顯示區101a之兩側。
鈍化層118可設置於顯示區101a之薄膜電晶體TFT上且可延伸以覆蓋內部電路單元160。此外，鈍化層118可形成以與密封件150接觸。因此可增加基板101與封裝件102之間的結合力。鈍化層118可包含例如無機材料。
像素定義層119可形成於鈍化層118上。像素定義層119可重疊內部電路單元160之上表面的ㄧ部分。此外，像素定義層119可與吸氣劑170接觸。像素定義層119可包含有機材料，如聚亞醯胺基聚合物(polyimide-based polymer)、聚丙烯基聚合物(acrylic polymer)及/或含矽烯基聚合物(olefin-based polymer)。
像素定義層119可定義形成有機發光裝置120之中介層123之區域。此將於稍後描述。
吸氣劑170可設置於基板101與封裝件102之間。吸氣劑170可降低及/或避免外部濕氣與外部氧氣傷害有機發光裝置120、薄膜電晶體TFT與其他薄膜。
吸氣劑170可與存在於基板101與封裝件102之間空間的濕氣或氧氣反應，以有效地移除濕氣或氧氣。因此，吸氣劑170降低及/或避免濕氣與氧氣傷害有機發光裝置120、薄膜電晶體TFT與其他薄膜。
吸氣劑170包含鋇(Ba)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、鈦(Ti)、釩(V)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、釷(Th)、鈰(Ce)、鋁(Al)、鎳(Ni)至少其ㄧ。舉例而言，吸氣劑可包含上述至少ㄧ材料之合金或氧化物。
吸氣劑170可重疊內部電路單元160之至少ㄧ部分。舉例而言，吸氣劑170可懸垂於內部電路單元160、以及內部電路單元160上之鈍化層118與像素定義層119之部分上。吸氣劑170包含例如上述之金屬或金屬氧化物。若吸氣劑170重疊，如直接位於內部電路單元160上，則包含於吸氣劑170中之材料可能滲入內部電路單元160中，故可能於內部電路單元160中產生短路或造成其他傷害。然而，根據例示性實施例，由於鈍化層118覆蓋內部電路單元160，因此包含於吸氣劑170中之材料可避免滲入內部電路單元160中。舉例而言，當鈍化層118包含無機材料時，包含於吸氣劑層170中之材料將難以滲入鈍化層118中，故可有效率地保護內部電路單元160。
現將參考第3圖更詳細地描述顯示區101a。緩衝層111可形成於基板101上。緩衝層111可包含例如二氧化矽及/或矽氮化物。緩衝層111可於基板101上提供平坦表面且降低及/或避免雜質滲入基板101。
主動層112可形成緩衝層111上。主動層112包含半導體材料例如非晶矽或多晶矽。
閘極絕緣層113可形成於主動層112上，且閘極電極114可形成於閘極絕緣層113之預定區域中。閘極絕緣層113可絕緣主動層112與閘極電極114，且可包含有機材料或如矽氮化物或二氧化矽之無機材料。
閘極電極114可由例如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)與鉬(Mo)之金屬形成，或如鋁:釹(Al:Nd)與鉬:鎢(Mo:W)之合金。然而本發明並不限於此。在考慮到貼附性、表面光滑度、電阻值、與可操作性之下，閘極電極114可以各種材料形成。閘極電極114可連接至傳輸電子訊號之閘極線(圖未示)。
層間絕緣層115可形成於閘極電極114上。層間絕緣層115與閘極絕緣層113可形成以暴露主動層112之源極區與汲極區，且源極電極116與汲極電極117可與主動層112所暴露之區域接觸。
源極電極116與汲極電極117可包含金屬，例如金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、銠(Rh)、釕(Ru)、銥(Ir)、鋨(Os)或鋁或鉬之合金，例如鋁:釹(Al:Nd)與鉬:鎢(Mo:W)。然而本發明並不限於此。
鈍化層118可形成以覆蓋源極電極116與汲極電極117。如上所述，鈍化層118可為包含二氧化矽(SiO2)、矽氮化物(SiNx)、矽氧氮化物(SiON)、三氧化二鋁(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化二鉭(Ta2O5)、二氧化鉿
(HfO2)、二氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鋇鍶(Barium Strontium Titanate, BST)與鈦酸鉛鋯(Lead Zirconate Titanate, PZT)之至少其ㄧ之無機絕緣材料。然而本發明並不限於此，例如鈍化層118可包含各種無機材料。
鈍化層118可形成以暴露汲極電極117，且有機發光裝置120可形成以連接至暴露之汲極電極117。有機發光裝置120可包含第一電極121、第二電極122、與中介層123。具體地說，第一電極121可與汲極電極117接觸。
中介層123可包含有機發射層，其係於電壓施加於第一電極121與第二電極122時發射可見光。
像素定義層119可使用絕緣材料形成於第一電極121上。如上所述，像素定義層119可包含有機材料。ㄧ開口可形成於像素定義層119中以暴露第一電極121。中介層123可形成於暴露之第一電極121上。接著，第二電極122可形成以連接中介層123。
第一電極121與第二電極122可分別具有陽極與陰極之極性。第一電極121與第二電極122之極性可對調。
封裝件102可設置於第二電極122上。根據例示性實施例，在有機發光顯示裝置100中，封裝件102可設置於基板101上。基板101與封裝件102可藉由使用密封件150而相互接合。此結構可降低及/或避免有機發光裝置120、薄膜電晶體TFT、與其他薄膜受到外部撞擊、濕氣、與氧氣之傷害。
吸氣劑170可設置於基板101與封裝件102之間。吸氣劑170可移除滲入基板101與封裝件102之間空間的濕氣與氧氣，以有效地保護有機發光裝置120、薄膜電晶體TFT、與其他薄膜免於濕氣與氧氣之傷害。
此外，當覆蓋薄膜電晶體TFT之鈍化層118形成時，鈍化層118可延伸以覆蓋內部電路單元160。具體地說，鈍化層118可包含無機材料。因此，即便吸氣劑170重疊內部電路單元160，形成吸氣劑170之材料，例如金屬或金屬氧化物，可被避免滲入內部電路單元160而傷害內部電路單元160。
因此，由於吸氣劑170可形成以與內部電路單元160重疊，如位於其上，而非與內部電路單元160水平地分離，因此可降低顯示區101a與密封件150之間的空間。藉此，有機發光顯示裝置100之基板101上的空間可有效地使用。
除此之外，像素定義層119可形成以重疊內部電路單元160之上表面，因此可藉由鈍化層118與像素定義層119之堆疊結構有效地降低及/或避免內部電路單元160之傷害。
此外，像素定義層119可形成與吸氣劑170接觸，因此可有效地降低及/或避免濕氣及氧氣透過有機發光顯示裝置100之側邊滲透。亦即，吸氣劑170、像素定義層119與鈍化層118可依序對齊以作為對抗濕氣與氧氣之障壁。
第4圖係根據另一例示性實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖，且第5圖係沿著第4圖之線段V-V所截取之剖面圖。
請參閱第4圖與第5圖，有機發光顯示裝置200包含基板201、封裝件202、薄膜電晶體TFT、有機發光裝置217、密封件250、內部電路單元260、鈍化層218、像素定義層219、吸氣劑270以及電容214。
薄膜電晶體TFT可包含主動層203、閘極電極205、以及源極電極207與汲極電極208。有機發光裝置217可包含第一電極210、第二電極216以及中介層212。
基板201可包含顯示區201a。複數個次像素可形成於顯示區201a上，且各次像素可包含發射可見光之有機發光裝置217以及連接至有機發光裝置217之至少ㄧ薄膜電晶體TFT。
墊區域201b係形成於基板201之ㄧ側以與顯示區201a分離。例如資料驅動單元之積體電路晶片與複數個墊可安裝於墊區域201b上。
密封件250可設置以圍繞，例如完全環繞基板201上之顯示區201a。密封件250可以各種不同材料形成且可接合基板201與封裝件202。
內部電路單元260可設置於顯示區201a與密封件250之間。內部電路單元260可完全地環繞顯示區201a且密封件250可完全地環繞內部電路單元260。內部電路單元260可為，例如掃描驅動單元或發射控制驅動單元。第4圖之內部電路單元260可環繞顯示區201a之所有側邊，但實施例並不限於此。亦即，內部電路單元260可形成以對應至顯示區201a之ㄧ側或對應至顯示區201a之相對兩側。
顯示於第5圖之內部電路單元260包含電路單元主動層261、電路單元閘極電極262、電路單元源極電極263以及電路單元汲極電極264。然而內部電路單元於此處僅為例示性，且實施例並不限於此。舉例而言，內部電路單元260亦可具有各種不同結構。
鈍化層218可設置於顯示區201a之薄膜電晶體TFT上且可延伸以覆蓋內部電路單元260。鈍化層218可形成以接觸密封件250。鈍化層218可包含無機材料。
像素定義層219可形成於鈍化層218上。像素定義層219可定義有機發光裝置217之中介層212形成之區域。
吸氣劑270係設置於基板201與封裝件202之間。吸氣劑270重疊內部電路單元260之至少ㄧ部分。用以形成吸氣劑270之材料係如上所述，因此此處將省略其詳細描述。
現將參考第5圖更詳細地描述顯示區201a。緩衝層215可形成於基板201上。緩衝層215可不僅對應至顯示區201a亦可對應至密封件250。
主動層203可形成於緩衝層215上。第一電容電極211可形成於緩衝層215上。第一電容電極211可與主動層203以相同材料形成。此外，電路單元主動層261可形成於緩衝層215上，例如電路單元主動層261可與主動層203以相同材料形成。
閘極絕緣層204可形成於緩衝層215上以覆蓋主動層203與第一電容電極211。閘極絕緣層204亦可形成以覆蓋顯示區201a與電路單元主動層261以對應至包含密封件250之ㄧ區域。
閘極電極205、第一電極210以及第二電容電極213可形成於閘極絕緣層204上。閘極電極205可包含第一傳導層205a與第二傳導層205b。第一傳導層205a可包含透射傳導材料，且透射傳導材料之範例可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)以及氧化鋁鋅(AZO)之至少其ㄧ。第二傳導層205b可使用一金屬或其合金，例如鉬、鉬鎢合金、與鋁基合金而形成於第一傳導層205a上，但實施例並不限於此。
第一電極210可包含透射傳導材料且可與第一傳導層205a以相同材料形成。傳導單元210a可設置於第一電極210之預定區域上且可與第二傳導層205b以相同材料形成。
此外，第一電極210可具有多層結構而非單層結構。透射傳導層可形成於包含例如銀之金屬的半透射金屬層上。亦即，第一電極210可具有例如氧化銦錫(ITO)/銀之結構。在此情形下，可使用氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)以及氧化鋁鋅(AZO)之至少其ㄧ取代氧化銦錫(ITO)。
第一電極210亦可具有三層結構，例如氧化銦錫/銀/氧化銦錫結構。在此情形下，可使用氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)以及氧化鋁鋅(AZO)之至少其ㄧ取代氧化銦錫(ITO)。
因此，產生於中介層212之可見光線可於第一電極210與第二電極216之間共振(resonate)。因此可以改善有機發光顯示裝置200之發光效率。
閘極電極205之第一傳導層205a亦可如第一電極210具有雙層或三層結構。第二電容電極213可包含第一層213a與第二層213b。第一層213a可與第一傳導層205a以相同材料形成，且第二層213b可與第二傳導層205b以相同材料形成。第一層213a亦可如第一電極210具有雙層或三層之結構。
第二層213b可形成於第一層213a上以具有小於第一層213a之尺寸。此外，第二電容電極213可重疊第一電容電極211以具有小於第一電容電極211之尺寸。
內部電路單元260之電路單元閘極電極262可形成於閘極絕緣層204上。電路單元閘極電極262可如同閘極電極205包含兩層262a與262b，且此兩層262a與262b可分別與閘極電極205之第一傳導層205a與第二傳導層205b之以相同材料形成。
層間絕緣層206可形成於第一電極210、閘極電極205、與第二電容電極213上。層間絕緣層206可包含各種絕緣材料例如有機材料或無機材料。層間絕緣層206可形成以不僅對應至顯示區201a亦對應至密封件250以覆蓋電路單元閘極電極262。
雖然此處並未顯示，層間絕緣層206可具有多層結構。舉例而言，層間絕緣層206可具有包含兩層之堆疊結構，例如無機層/有機層。因此，可改善層間絕緣層206之絕緣與保護效果。在此情形下，構成層間絕緣層206之無機層可包含例如矽氧化物或矽氮化物。
若層間絕緣層206具有多層結構，則第一電極210可形成於層間絕緣層206之複數個絕緣層中之ㄧ非最上層之絕緣層上。
因此，閘極電極205與第二電容電極213可與第一電極210形成於不同層上。藉此，當形成閘極電極205與第二電容電極213時可不傷害第一電極210。
源極電極207與汲極電極208可形成於層間絕緣層206上。源極電極207與汲極電極208可形成以接觸主動層203。
此外，源極電極207與汲極電極208其中之一可電性連接至第一電極210。在第5圖中，汲極電極208可電性連接至第一電極210。具體地說，汲極電極208可與傳導單元210a接觸。
電路單元源極電極263與電路單元汲極電極264可形成於層間絕緣層206上以連接電路單元主動層261。電路單元源極電極263與電路單元汲極電極264可分別與源極電極207或汲極電極208以相同材料形成。
鈍化層218可形成於層間絕緣層206上以覆蓋薄膜電晶體TFT與電容214。鈍化層218可具有對應至第一電極210上表面之一開口218a。鈍化層218可形成於電路單元源極電極263與電路單元汲極電極264上。亦即，鈍化層218可形成以對應至密封件250，例如位於密封件250下方。
像素定義層219可形成於鈍化層218上。像素定義層219可形成以具有對應至第一電極210上表面之一開口219a，且中介層212可形成於透過像素定義層219之開口所暴露之第一電極210上。更詳細地說，像素定義層219之開口219a可對應至鈍化層218之開口218a，且相較於鈍化層218之開口218a可具有較小尺寸。因此，鈍化層218之開口218a可為像素定義層219覆蓋。因此，中介層212可不與鈍化層218接觸而與像素定義層219接觸。
像素定義層219可包含如上所述之有機材料。像素定義層219可重疊內部電路單元260之上表面的ㄧ部分，且可與吸氣劑270接觸。
第二電極216可形成於中介層212上。封裝件202可設置於第二電極216上。
在根據例示性實施例之有機發光顯示裝置200中，封裝件202可設置於基板201上，且基板201與封裝件202可藉由使用密封件250而相互接合。此結構可降低及/或避免有機發光裝置217、薄膜電晶體TFT、以及其他薄膜受到外部撞擊、濕氣、與氧氣的傷害。
此外，吸氣劑270可設置於基板201與封裝件202之間。吸氣劑270可移除滲入基板201與封裝件202之間空間的濕氣與氧氣，以有效地避免有機發光裝置220、薄膜電晶體TFT與其他薄膜受到濕氣與氧氣的傷害。
此外，當覆蓋薄膜電晶體TFT之鈍化層218形成之時，鈍化層218可延伸以覆蓋內部電路單元260。因此，即使當吸氣劑270重疊內部電路單元260，形成吸氣劑270的材料，例如金屬或金屬氧化物，可從根本上避免滲入內部電路單元260且傷害內部電路單元260。
如此，由於內部電路單元260可穩定地被保護，且吸氣劑270可形成以重疊內部電路單元260，故可減少顯示區201a與密封件250之間的空間。此外，由於閘極電極205與電容214可使用相同材料形成於相同層上，故可有效地減少有機發光顯示裝置200之厚度。再者，由於第一電極210可包含半透射金屬層，於中介層212產生之可見光線可於第一電極210與第二電極216間共振，此可改善有機發光顯示裝置200之發光效率。
第6A圖至第6F圖係根據例示性實施例依序描繪製造有機發光顯示裝置之方法中各個階段之示意圖。具體地說，第6A圖至第6F圖描繪製造顯示於第4圖與第5圖之有機發光顯示裝置200之方法各個階段之示意圖。
請參閱第6A圖，緩衝層215、主動層203、第一電容電極211、與電路單元主動層261可形成於基板201上。更詳細地說，緩衝層215可形成於基板201上，主動層203可形成於顯示區201a上以具有形成於緩衝層215上之一預定圖樣。第一電容電極211可形成例如沿著水平方向與主動層203分離。電路單元主動層261可形成例如沿著水平方向與顯示區201a分離。
閘極絕緣層204可形成於緩衝層215上以覆蓋主動層203與第一電容電極211。閘極絕緣層204可不僅覆蓋顯示區201a亦覆蓋電路單元主動層261而形成。
請參閱第6B圖，包含第一傳導層205a與第二傳導層205b之閘極電極205、包含第一層262a與第二層262b之電路單元閘極電極262以及包含第一層213a與第二層213b之第二電容電極213可形成於閘極絕緣層204上。第一電極210與傳導單元210a亦可形成。
閘極電極205、第一電極21、以及傳導單元210a之圖樣可同時形成。
第一電極210、閘極電極205之第一傳導層205a、第二電容電極213之第一層213a以及電路單元閘極電極262之第一層262a可包含透射傳導材料。透射傳導材料之範例包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)之至少其ㄧ。
第一電極210、閘極電極205之第一傳導層205a、第二電容電極213之第一層213a以及電路單元閘極電極262之第一層262a可具有多層結構而非單層結構。透射傳導層可形成於包含例如銀之半透射傳導層上。舉例而言，傳導材料層可具有氧化銦錫/銀之結構。在此情形下，可使用氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)以及氧化鋁鋅(AZO)之至少其ㄧ取代氧化銦錫(ITO)。
第一電極210、閘極電極205之第一傳導層205a、第二電容電極213之第一層213a以及電路單元閘極電極262之第一層262a可具有三層結構，例如氧化銦錫/銀/氧化銦錫之結構。在此情形下，可使用氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、以及氧化鋁鋅(AZO)之至少其ㄧ取代氧化銦錫(ITO)。
接著，摻雜物D可以箭頭所示之方向注入。摻雜物可為各種元素，例如第三族元素硼(B)或第五族元素磷(P)。
接下來請參閱第6C圖，層間絕緣層206可形成於傳導單元210a、閘極電極205、與第二電容電極213上。在此情形下，可藉由移除層間絕緣層206對應至傳導單元210aㄧ預定區域的部分而形成一開口。層間絕緣層206之ㄧ部分可被移除以暴露第二電容電極213之第二層213b之上表面的預定區域。
層間絕緣層206與閘極絕緣層204之部分可被移除以暴露主動層203、電路單元主動層261、以及第一電容電極211之預定區域。
接著請參閱第6D圖，透過層間絕緣層206之開口所暴露之傳導單元210a之區域可被移除以暴露第一電極210。透過層間絕緣層206之開口所暴露之第二電容電極213之第二層213b的區域可被移除以暴露第二電容電極213之第一層213a。
源極電極207與汲極電極208可形成以連接至主動層203，且電路單元源極電極263與電路單元汲極電極264可形成以連接至電路單元主動層261。因此可完成薄膜電晶體TFT與內部電路單元260之準備。
接著，摻雜物D可以箭頭所示之方向注入第一電容電極211。亦即，摻雜物D可透過第二電容電極213之第一層213a而注入第一電容電極211。
接下來請參閱第6E圖，鈍化層218可形成於層間絕緣層206上以覆蓋薄膜電晶體TFT與電容214。
鈍化層218可具有對應至第一電極210之上表面的開口218a。鈍化層218可形成於電路單元源極電極263與電路單元汲極電極264上。亦即，鈍化層218可形成以覆蓋內部電路單元260。
像素定義層219可形成於鈍化層218上。像素定義層219可形成以具有對應至第一電極210上表面之開口219a，且像素定義層219之開口219a可對應至鈍化層218之開口218a而較鈍化層218之開口218a具有較小尺寸。藉此，鈍化層218之開口218a可為像素定義層219所覆蓋。
像素定義層219可重疊內部電路單元260之上表面的ㄧ部分。
鈍化層218之開口218a可使用像素定層219之開口219a形成而不需另外使用獨立遮罩。舉例而言，用以形成鈍化層218之材料與用以形成像素定義層219之材料可依序堆疊。接著，用以形成像素定義層219之材料可被圖樣化以形成像素定義層219之開口219a。而後，用以形成鈍化層218之材料可透過像素定義層219之開口219a被蝕刻以形成鈍化層218之開口218a。在此情形下，鈍化層218可透過像素定義層219之開口219a而部分地暴露。像素定義層219之部分可藉由熱處理而熔化以流入鈍化層218之開口218a中，故鈍化層218之開口218a可被像素定義層219所覆蓋，且鈍化層218可不被像素定義層219之開口219a所暴露。
亦即，如第6E圖所示，像素定義層219之開口219a的尺寸係小於鈍化層218對應於第一電極210之開口218a的尺寸，且鈍化層218之開口218a可與像素定義層219之開口219a分離。
接著請參考第6F圖，中介層212可形成於第一電極210上，且第二電極216可形成於中介層212上以完成有機發光裝置217之準備。
密封件250可設置於基板201上以環繞顯示區201a。封裝件202可設置以面對基板201，且基板201與封裝件202可藉由使用密封件250而相互接合。
吸氣劑270可設置於基板201與封裝件202之間。吸氣劑270可重疊內部電路單元260之至少ㄧ部分。吸氣劑270可形成於鈍化層218上。吸氣劑270可形成以接觸像素定義層219。
如上所述，根據ㄧ個或多個上述例示性實施例，有機發光顯示裝置可具有良好的耐用性與於基板上之高空間可用度。
總結與回顧，在平板裝置中，有機發光顯示裝置，其係為自發光顯示裝置，具有廣視角、高對比與快速的反應速度，因此被視為下一代之顯示裝置。有機發光顯示裝置可包含第一電極、第二電極以及中介層。中介層包含當電壓施加至第一電極與第二電極時發射可見光之有機發射層。有機發光顯示裝置包含複數個像素與驅動該些像素之電路單元。構成有機發光顯示裝置之複數個薄膜與電路單元相對於外部濕氣與氧氣極為脆弱。因此可能損壞有機發光顯示裝置之耐用性。
相對地，上述之例示性實施例係有關於一種具有良好的耐用性且於基板上具有高空間可用度之有機發光顯示裝置，以及製造該有機發光顯示裝置之方法。
此處已揭露範例實施例，且雖然使用特定辭彙，其僅使用且詮釋為通用與描述意義，非為限制之目的。對本申請案所屬技術領域者係為顯而易知的是，在ㄧ些範例中，除非明確定義，與特定實施例相關聯而描述之特徵、性質及/或元件可單獨使用，或與其他實施例所描述之特徵、性質及/或元件結合。因此其將為所述技術領域者理解的是，任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其形式與細節上的各種修改，均應包含於後附之申請專利範圍中。
100、200．．．有機發光顯示裝置
101、201．．．基板
101a、201a．．．顯示區
101b、201b．．．墊區域
102、202．．．封裝件
111、215．．．緩衝層
112、203．．．主動層
113、204．．．閘極絕緣層
114、205．．．閘極電極
115、206．．．層間絕緣層
116、207．．．源極電極
117、208．．．汲極電極
118、218．．．鈍化層
119、219．．．像素定義層
120、217．．．有機發光裝置
121、210．．．第一電極
122、216．．．第二電極
123、212．．．中介層
150、250．．．密封件
160、260．．．內部電路單元
170、270．．．吸氣劑
205a．．．第一傳導層
205b．．．第二傳導層
210a．．．傳導單元
211．．．第一電容電極
213．．．第二電容電極
213a．．．第一層
213b．．．第二層
214．．．電容
218a、219a．．．開口
261．．．電路單元主動層
262．．．電路單元閘極電極
262a．．．第一層
262b．．．第二層
263．．．電路單元源極電極
264．．．電路單元汲極電極
D．．．摻雜物
TFT．．．薄膜電晶體
藉由參考附圖詳細描述其例示性實施例，特徵對於所屬技術領域者將更為顯而易見，其中：
第1圖係根據例示性實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖；
第2圖係沿著第1圖之線段II-II所截取之剖面圖；
第3圖係第2圖之A部分之放大圖；
第4圖係根據例示性實施例之有機發光顯示裝置之平面示意圖；
第5圖係沿著第4圖之線段V-V所截取之剖面圖；以及
第6A圖至第6F圖係根據例示性實施例依序描繪製造有機發光顯示裝置之方法中各個階段之示意圖。
201．．．基板
201a．．．顯示區
202．．．封裝件
215．．．緩衝層
203．．．主動層
204．．．閘極絕緣層
205．．．閘極電極
206．．．層間絕緣層
207．．．源極電極
208．．．汲極電極
218．．．鈍化層
219．．．像素定義層
217．．．有機發光裝置
210．．．第一電極
216．．．第二電極
212．．．中介層
250．．．密封件
260．．．內部電路單元
270．．．吸氣劑
205a．．．第一傳導層
205b．．．第二傳導層
210a．．．傳導單元
211．．．第一電容電極
213．．．第二電容電極
213a．．．第一層
213b．．．第二層
214．．．電容
218a、219a．．．開口
261．．．電路單元主動層
262．．．電路單元閘極電極
262a．．．第一層
262b．．．第二層
263．．．電路單元源極電極
264．．．電路單元汲極電極
TFT．．．薄膜電晶體

Claims (24)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：
    ㄧ基板，其包含ㄧ顯示區；
    ㄧ封裝件，其面對該基板；
    ㄧ薄膜電晶體，其位於該基板之該顯示區上，該薄膜電晶體面對該封裝件，且包含ㄧ主動層、ㄧ閘極電極、ㄧ源極電極與ㄧ汲極電極；
    ㄧ有機發光裝置，其位於該顯示區上，該有機發光裝置係電性連接至該薄膜電晶體且包含ㄧ第一電極、ㄧ第二電極、以及插設於該第一電極與該第二電極之間的ㄧ中介層，且該中介層包含ㄧ有機發射層；
    ㄧ密封件，其位於該基板與該封裝件之間，該密封件環繞該顯示區；
    ㄧ內部電路單元，其位於該顯示區與該密封件之間；
    ㄧ鈍化層，其位於該薄膜電晶體上且延伸以覆蓋該內部電路單元；
    一像素定義層，其位於該鈍化層上；以及
    ㄧ吸氣劑，其位於該基板與該封裝件之間，該吸氣劑至少部分地重疊該內部電路單元。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該鈍化層包含ㄧ無機材料。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該吸氣劑係更位於該密封件與該顯示區之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該吸氣劑係位於該鈍化層上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該吸氣劑係與該像素定義層接觸。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該吸氣劑包含鋇(Ba)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、鈦(Ti)、釩(V)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、釷(Th)、鈰(Ce)、鋁(Al)與鎳(Ni)之至少其ㄧ。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素定義層包含ㄧ有機材料。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該中介層係與該鈍化層分離且與該像素定義層接觸。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含：
    ㄧ閘極絕緣層，其位於該主動層與該閘極電極之間；以及
    ㄧ層間絕緣層，其位於該閘極電極上，該源極電極與該汲極電極係位於該層間絕緣層上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極係位於該閘極絕緣層上。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該層間絕緣層具有包含至少兩絕緣層之一堆疊結構。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該層間絕緣層包含交錯地堆疊於其中之ㄧ無機材料與ㄧ有機材料。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極係位於該層間絕緣層之複數個絕緣層中之非最上層的絕緣層上。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含位於該基板上之ㄧ電容，其中該電容包含：
    ㄧ第一電容電極，其與該主動層位於相同層上且與該主動層包含相同材料；以及
    ㄧ第二電容電極，其與該閘極電極位於相同層上且與該第一電極包含相同材料。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電容電極相較於該第ㄧ電容電極具有較小尺寸。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極包含ㄧ透射傳導材料。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光顯示裝置，其中該透射傳導材料包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵、以及氧化鋁鋅之至少其ㄧ。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極包含依序堆疊於其中之ㄧ第一透射傳導材料與一半透射金屬層。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極包含位於該半透射金屬層下的ㄧ第二透射傳導材料。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，其中該半透射金屬層包含銀。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該中介層與該薄膜電晶體係為非重疊關係，且該中介層與該薄膜電晶體分離。
  22. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：
    於ㄧ基板之ㄧ顯示區上形成包含ㄧ主動層、ㄧ閘極電極、ㄧ源極電極、與ㄧ汲極電極之ㄧ薄膜電晶體；
    於該顯示區上形成一有機發光裝置，該有機發光裝置係電性連接至該薄膜電晶體且包含ㄧ第一電極、ㄧ第二電極、以及插設於該第一電極與該第二電極之間的ㄧ中介層，且該中介層包含ㄧ有機發射層；
    於該基板與ㄧ封裝件之間形成ㄧ密封件，該密封件環繞該顯示區，且該薄膜電晶體係位於該基板與該封裝件之間；
    於該顯示區與該密封件之間形成ㄧ內部電路單元；
    於該薄膜電晶體上形成ㄧ鈍化層，該鈍化層係延伸以覆蓋該內部電路單元；
    於該鈍化層上形成一像素定義層；以及
    形成一吸氣劑以至少部分地重疊該內部電路單元。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該鈍化層與該像素定義層分別具有形成其中而對應至該第一電極之ㄧ上表面的一開口，該鈍化層之該開口係於形成該像素定義層之該開口後形成。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中該鈍化層之該開口係由該像素定義層所覆蓋。
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