JP4448148B2 - 有機発光装置 - Google Patents
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 41
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 25
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 232
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 10
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- -1 specifically Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
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Description
前記有機発光素子は、陽極と、発光層を含む有機化合物層と、陰極と、を有し、
前記有機化合物層は、前記陰極に接しており、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか1つを含む電子注入層を有し、
前記素子分離層は、前記基材面上に複数の開口部を有していて、前記複数の開口部に前記複数の有機発光素子が配置されることによって発光領域が形成されている、有機発光装置において、
前記電子注入層と同じ組成の吸湿層が、前記発光領域の周辺で前記素子分離層上に形成されていることを特徴とする有機発光装置を提供する。
前記有機発光素子は、陽極と、発光層を含む有機化合物層と、陰極と、を有し、
前記有機化合物層は、前記陰極に接しており、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか1つを含む電子注入層を有し、
前記素子分離層は、前記基材面上に複数の開口部を有する、樹脂からなる層であり、前記複数の開口部に前記複数の有機発光素子が配置されることによって発光領域が形成されている、有機発光装置において、
前記電子注入層と同じ組成の吸湿層が、前記発光領域の周辺で前記素子分離層上に形成されていることを特徴とする有機発光装置を提供する。
本実施例は図1に示す有機発光装置の実施例である。
ガラス基板1上に、TFT(スイッチング素子)2を作製し、さらに、TFT(スイッチング素子)2を保護すべく絶縁層3を形成した。つづいて、前記TFTバックプレーン形成により生じた凹凸を平坦化すべく樹脂層4をJSR社製アクリル材料PC415Gを用い、スピンコート法にて成膜し、その後、ウエットプロセスを用いて周辺領域のみ除去した。
前記したTFTバックプレーン内に形成された各ドレイン端子と電気的コンタクトを取るべく、絶縁層3および樹脂層4にコンタクトホールを形成後、Cr電極100nmの厚さに成膜した。その後、ウエットプロセスを用いてアノード電極(陽極)を形成した。
続いて、アノード電極間(端)に素子分離層10を形成すべく、JSR社製アクリル材料PC415Gを用い、スピンコート法にて成膜し、その後、ウエットプロセスを用いて素子分離層10を形成した。
まず、UV/オゾン洗浄をしたのち、1×10−2Pa 50℃で7時間、真空ベークを行った。
基板を前処理室より成膜室へ搬送し、成膜室の真空度が1×10−4Paまで排気した後、正孔輸送性を有するαNPDを抵抗加熱蒸着法により成膜した。成膜速度は0.2nm/secで、膜厚35nmで正孔輸送層を形成した。なお、正孔輸送層はすべての画素にそれぞれ蒸着されるよう、格子状のメタルマスクを用いて蒸着した。
続いて正孔輸送層の上にアルキレート錯体であるAlq3を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層と同様の成膜条件で膜厚15nmの厚さで形成した。前記した発光層を、正孔輸送層と同様にすべての画素に蒸着すべく格子状のメタルマスクを用いて蒸着した。
次に、発光層上に抵抗加熱共蒸着法によりAlq3と炭酸セシウム(Cs2CO3)を膜厚比9:1の割合で混合され、かつ、蒸着速度が0.3nm/secになるよう、夫々の蒸着速度を調整して、膜厚が35nmになるよう電子注入層を形成した。
最後に陰極電極を形成するために電極形成用のスパッタ室に基板を搬送し、電子注入層の上にITOターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により膜厚が130nmになるようメタルマスク成膜を用いて透明電極であるカソード電極を形成した。
本実施例では、以上の工程によって作成された有機発光素子基板の上に、封止層を設けた。封止層を設けることで、有機発光素子基板の外部であるたとえば空気中に含まれる水分が有機化合物層に浸入することを防ぐことができる。封止層としては、封止基板である平板ガラスや、接着領域のみを凸型にしたいわゆるエッチングガラスを用い、接着には、カチオン硬化型の紫外線硬化樹脂を用いて設けてもよいし、有機発光素子基板上に直接、無機膜を形成してもよい。封止層としての無機膜の材料としては、例えばSiN等の防湿性が高く、かつ、透過率の高い材料を用いることが好ましい。
長期信頼性を確認すべく、有機発光装置作製直後の発光状態を確認したのち、60℃/90%RHの雰囲気条件で1000時間の耐久試験を行った。発光領域周辺Oに配置された素子分離層に、吸湿層を設けたことにより、発光領域Iの最外周に配置された画素においても課題であった特性劣化は見られなかった。
本実施例は図2に示す有機発光装置の実施例である。
続いて正孔輸送層の上にアルキレート錯体であるAlq3を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層と同様の成膜条件で膜厚15nmの厚さで形成した。前記した発光層を、正孔輸送層と同様にすべての画素に蒸着すべく格子状のメタルマスクを用いて蒸着した。
次に、発光層上に抵抗加熱共蒸着法によりAlq3と炭酸セシウム(Cs2CO3)を膜厚比9:1の割合で混合され、かつ、蒸着速度が0.3nm/secになるよう、夫々の蒸着速度を調整して、膜厚が35nmになるよう電子注入層を形成した。
本実施例の条件において試作した有機発光装置においても長期信頼性を確認すべく、有機発光素子基板作製直後の発光状態を確認したのち、60℃/90%RHの雰囲気条件で1000時間の耐久試験を行った。その結果、本実施例においても、発光領域Iの最外周に配置された画素においても課題であった輝度劣化、駆動電圧上昇等の特性劣化の発生は見られなかった。
2 TFT(スイッチング素子)
3 絶縁膜
4 樹脂層(平坦化層)
5 不透明電極
6 発光層
7 透明電極
8 吸湿材
9 不活性ガス
10 素子分離層
11 封止ガラス
12 接着材
13 カソード・グラウンドコンタクト
Claims (8)
- 基材と、前記基材上に配置されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上を平坦化する樹脂層と、前記樹脂層の上に配置されている複数の有機発光素子と、前記樹脂層の上に形成されており前記複数の有機発光素子を絶縁する素子分離層と、を有し、
前記有機発光素子は、陽極と、発光層を含む有機化合物層と、陰極と、を有し、
前記有機化合物層は、前記陰極に接しており、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか1つを含む電子注入層を有し、
前記素子分離層は、前記基材面上に複数の開口部を有していて、前記複数の開口部に前記複数の有機発光素子が配置されることによって発光領域が形成されている、有機発光装置において、
前記電子注入層と同じ組成の吸湿層が、前記発光領域の周辺で前記素子分離層上に形成されていることを特徴とする有機発光装置。 - 基材と、前記基材上に設けられている複数の有機発光素子と、前記基材上に配置されており、前記複数の有機発光素子間を絶縁する素子分離層と、を有し、
前記有機発光素子は、陽極と、発光層を含む有機化合物層と、陰極と、を有し、
前記有機化合物層は、前記陰極に接しており、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか1つを含む電子注入層を有し、
前記素子分離層は、前記基材面上に複数の開口部を有する、樹脂からなる層であり、前記複数の開口部に前記複数の有機発光素子が配置されることによって発光領域が形成されている、有機発光装置において、
前記電子注入層と同じ組成の吸湿層が、前記発光領域の周辺で前記素子分離層上に形成されていることを特徴とする有機発光装置。 - 前記発光領域の周辺での前記素子分離層の幅は、隣り合う前記有機発光素子間での前記素子分離層の幅よりも広いことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記発光領域の周辺でかつ前記基材と前記素子分離層との間に、前記有機発光素子の駆動を制御する駆動回路が配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記電子注入層と前記吸湿層とは、連続して成膜された1つの層であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記吸湿層は、前記発光領域の周囲4辺に形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記吸湿層は、前記発光領域の周辺で前記素子分離層の幅の50%以上を覆っていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の有機発光装置。
- 前記吸湿層は、前記発光領域から前記発光領域の周辺に向かって前記素子分離層の40μm以上を覆っていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の有機発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007030727A JP4448148B2 (ja) | 2006-03-29 | 2007-02-09 | 有機発光装置 |
US11/691,696 US7872255B2 (en) | 2006-03-29 | 2007-03-27 | Organic light-emitting device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006091226 | 2006-03-29 | ||
JP2007030727A JP4448148B2 (ja) | 2006-03-29 | 2007-02-09 | 有機発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007294405A JP2007294405A (ja) | 2007-11-08 |
JP4448148B2 true JP4448148B2 (ja) | 2010-04-07 |
Family
ID=38557485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007030727A Expired - Fee Related JP4448148B2 (ja) | 2006-03-29 | 2007-02-09 | 有機発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7872255B2 (ja) |
JP (1) | JP4448148B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4991634B2 (ja) | 2008-06-09 | 2012-08-01 | キヤノン株式会社 | 有機el発光装置 |
KR20100043011A (ko) * | 2008-10-17 | 2010-04-27 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 el 장치, 유기 el 장치의 제조 방법, 전자 기기 |
JP6049279B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2016-12-21 | キヤノン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法、電子機器 |
KR101808300B1 (ko) * | 2011-06-21 | 2017-12-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20130025717A (ko) * | 2011-09-02 | 2013-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102360783B1 (ko) | 2014-09-16 | 2022-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US9753195B2 (en) | 2015-06-25 | 2017-09-05 | Apple Inc. | Border structures for displays |
JP6557601B2 (ja) * | 2015-12-29 | 2019-08-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、表示装置の製造方法 |
US11404656B2 (en) * | 2017-12-22 | 2022-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device |
CN109087935B (zh) * | 2018-08-20 | 2021-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板 |
CN111697153B (zh) * | 2019-03-15 | 2023-03-03 | 纳晶科技股份有限公司 | 发光器件 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6049167A (en) * | 1997-02-17 | 2000-04-11 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same |
JP3288242B2 (ja) | 1997-02-17 | 2002-06-04 | ティーディーケイ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
US6879110B2 (en) * | 2000-07-27 | 2005-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
JP4618862B2 (ja) | 2000-10-30 | 2011-01-26 | 大日本印刷株式会社 | バリア性積層構造体を用いて封止された封止el素子 |
SG111923A1 (en) * | 2000-12-21 | 2005-06-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2004342336A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US7221095B2 (en) * | 2003-06-16 | 2007-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for fabricating light emitting device |
US20070001590A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light source using organic electroluminescent device |
JP2007059128A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4504300B2 (ja) * | 2005-11-11 | 2010-07-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR20080013300A (ko) * | 2006-08-08 | 2008-02-13 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
-
2007
- 2007-02-09 JP JP2007030727A patent/JP4448148B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-27 US US11/691,696 patent/US7872255B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7872255B2 (en) | 2011-01-18 |
US20070228380A1 (en) | 2007-10-04 |
JP2007294405A (ja) | 2007-11-08 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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