CN105446031A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示面板及显示装置。显示面板具有一显示区及邻设于显示区的一周边区，并包括一第一基板、一第二基板、一第一绝缘层、一有机层以及一第二绝缘层。第二基板与第一基板相对设置。第一绝缘层设置于第一基板面对第二基板的一侧。有机层覆盖第一绝缘层。第二绝缘层覆盖有机层，并具有至少一第一贯穿部，第一贯穿部位于周边区，且第一贯穿部曝露出有机层。当水气于工艺中由外部渗入有机层时，可在进行后续的面板组装工艺前先进行脱水气的步骤，以通过第一贯穿部使水气进行逸散，降低有机层的水气含量，因此，使后续工艺而完成的显示面板可有效降低有机层吸附水气的程度，进而增加显示面板的元件可靠度。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本发明关于一种显示面板及显示装置，特别关于一种具有较高可靠度的显示面板及显示装置。

背景技术

随着科技的进步，平面显示面板已经广泛地被运用在各种领域，因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类的电子产品中，例如移动电话、可携式多媒体装置、笔记本电脑、液晶电视及液晶屏幕等等。

以液晶显示面板为例，现有一种液晶显示面板包含一薄膜晶体管基板及一彩色滤光基板，两者相对而设。其中，薄膜晶体管基板具有多个薄膜晶体管及多个像素电极设置于一基板上，可借由控制薄膜晶体管而将数据输入像素电极，借此可控制液晶的转向而显示影像。

由于市场的快速竞争，显示面板及装置的尺寸与显示色彩饱和度的需求也快速增加，同时也增加对薄膜晶体管电性表现与稳定度的要求。其中，以金属氧化物(Metaloxide-based，MOSs)作为半导体层材料的薄膜晶体管可在室温中制备，并且拥有良好的电流输出特性、较低的漏电流与高于非晶硅薄膜晶体管(amorphoussiliconthinfilmtransistor，a-SiTFT)十倍以上的电子迁移率，可分别降低显示面板的功率消耗与提升显示面板的操作频率，因此，已成为下一代显示面板及装置中主流的驱动元件。

然而，虽然金属氧化物半导体层具有较佳的电性，但是却容易受环境的水气及氧气的影响，导致显示面板的可靠性变差；另外，在高清晰的产品应用上，为了提高显示面板的开口率，也会导入有机平坦层的材料，由于有机材料阻隔水气的能力较无机材料差，因此可能在工艺过程即会吸附水气，进而影响显示区内薄膜晶体管及其他元件的可靠度。因此，在现有技术中，一般会在有机平坦层上再覆盖一层无机绝缘层，借此隔绝水气，避免有机平坦层于工艺中吸附水气而影响元件特性。但是，若于有机平坦层的工艺期间已吸入水气时，后续的无机绝缘层覆盖后，水气可能会被无机绝缘层封住而无法散失，反而会影响显示面板的元件特性而降低产品可靠度。

因此，如何提供一种显示面板及显示装置，可有效降低有机平坦层吸附水气的程度，进而增加显示面板及显示装置的元件可靠度，已成为重要课题之一。

发明内容

本发明的目的为提供一种显示面板及显示装置，用以有效降低有机平坦层吸附水气的程度，进而增加显示面板及显示装置的元件可靠度。。

本发明的技术方案是提供一种显示面板具有一显示区及邻设于显示区的一周边区，并包括一第一基板、一第二基板、一第一绝缘层、一有机层、一第二绝缘层、一框胶以及一显示层。第二基板与第一基板相对设置。第一绝缘层设置于第一基板及第二基板之间。第二绝缘层设置于第一绝缘层及第二基板之间，框胶设置于周边区，并封闭第一基板与第二基板的外围，显示层设置于第二绝缘层及第二基板之间，有机层设置于第一绝缘层及第二绝缘层之间，其中，第二绝缘层具有至少一第一贯穿部，第一贯穿部位于周边区，且第一贯穿部曝露出有机层，使有机层接触框胶或显示层。

本发明还提供一种显示装置，包括一背光模块以及一显示面板，显示面板具有一显示区及邻设于显示区的一周边区，并包含一第一基板、一第二基板、一第一绝缘层、一有机层、一第二绝缘层、一框胶以及一显示层。第二基板与第一基板相对设置。第一绝缘层设置于第一基板及第二基板之间。第二绝缘层设置于第一绝缘层及第二基板之间，框胶设置于周边区，并封闭第一基板与第二基板的外围，显示层设置于第二绝缘层及第二基板之间，有机层设置于第一绝缘层及第二绝缘层之间，其中，第二绝缘层具有至少一第一贯穿部，第一贯穿部位于周边区，且第一贯穿部曝露出有机层，使有机层接触框胶或显示层。

在一实施例中，第一贯穿部为穿孔，或为环绕周边区的沟槽。

在一实施例中，第一贯穿部位于框胶宽度范围之内。

在一实施例中，第一贯穿部位于框胶与显示区之间。

在一实施例中，第二绝缘层还具有至少一第二贯穿部，第二贯穿部曝露出有机层，且第二贯穿部位于框胶宽度范围之内。

在一实施例中，显示面板，还包括一薄膜晶体管及一第一电极层。薄膜晶体管设置于第一基板上，并具有一漏极、一源极及一通道层，漏极及源极分别与通道层接触，且第一绝缘层覆盖薄膜晶体管。第一电极层设置于第二绝缘层上，且第一电极层填入位于有机层及第一绝缘层的一通孔内而连接漏极。

在一实施例中，薄膜晶体管还具有一刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层设置于通道层上。

在一实施例中，漏极及源极分别经由刻蚀阻挡层的一开口与通道层接触。

在一实施例中，通道层材料为金属氧化物半导体。

在一实施例中，显示面板还包括一电子元件，其邻设于第一贯穿部，并位于周边区内。

在一实施例中，电子元件为一薄膜晶体管，薄膜晶体管设置于第一基板上，并具有一漏极、一源极及一通道层，漏极及源极分别与通道层接触，且漏极接触通道层的位置与源极接触通道层的位置之间具有一最短距离，第一贯穿部于垂直第一基板的方向上与最短距离的位置为不重叠。

承上所述，因本发明的显示面板及显示装置中，于周边区范围之内的部分移除第二绝缘层而形成至少一第一贯穿部，以曝露出有机层，因此，当水气于工艺中由外部渗入有机层时，可在进行后续的面板组装工艺前先进行脱水气的步骤，以通过第一贯穿部使水气进行逸散，降低有机层的水气含量，因此，使后续工艺而完成的显示面板可有效降低有机层吸附水气的程度，进而增加显示面板的元件可靠度。

附图说明

图1为一种有机材料的吸水率与时间的关系示意图。

图2A为本发明较佳实施例的一种显示面板的俯视示意图。

图2B为图2A中，直线P-P’的剖视示意图。

图3A至图3E分别为本发明不同实施态样的显示面板的示意图。

图3F为图2A的显示面板另一侧的直线Q-Q’的剖视示意图。

图4为本发明较佳实施例的一种显示装置的示意图。

具体实施方式

以下将参照相关图式，说明依本发明较佳实施例的显示面板及显示装置，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。

为了降低显示面板的功率消耗、提升操作频率以及提高开口率，于显示面板的工艺中导入氧化物薄膜晶体管及有机的平坦化层材料，但是氧化物薄膜晶体管容易受环境的水气及氧气的影响，且有机材料的水气吸附能力也大于无机材料，因此容易造成薄膜晶体管的特性偏移，进而降低显示面板的可靠度。

请参照图1所示，其为一种有机材料的吸水率(waterabsorptionrate)与时间的关系示意图。由图1可知，大约5分钟之后，有机材料的吸水率就上升至1.8％左右。因此，本发明提出一种较佳实施例的显示面板及显示装置，可有效降低有机层吸附水气的程度，进而增加显示面板及显示装置的元件可靠度。

请参照图2A及图2B所示，其中，图2A为本发明较佳实施例的一种显示面板1的俯视示意图，而图2B为图2A中，直线P-P’的剖视示意图。显示面板1可为液晶显示面板或为有机发光二极管显示面板。本实施例是以液晶显示面板为例。其中，液晶显示面板可为边缘电场切换(FringeFieldSwitching，FFS)型液晶显示面板，或者如水平切换型(InPlaneSwitching，IPS)或者如扭转向列型(TwistedNematic，TN)液晶显示面板，或者垂直配向型(VerticalAlignment，VA)液晶显示面板。于此，以边缘电场切换型(FFS)液晶显示面板为例。

显示面板1具有一显示区AA(activearea)及邻设于显示区AA的一周边区PA(peripheralarea)。其中，显示区AA即为多数光线可穿过显示面板1的区域，借此显示影像画面，而周边区PA为部署周边驱动元件及走线的区域，因有黑色矩阵图案，故光线难以穿透。本实施例的周边区PA是以环设于显示区AA的外围为例。

如图2B所示，显示面板1包括一第一基板11、一第二基板12及一显示层13。第一基板11与第二基板12相对而设，而显示层13则夹设于第一基板11与第二基板12之间。其中，第一基板11及第二基板12为透光材质所制成，并例如为一玻璃基板、一石英基板或一塑料基板，并不限定。本实施例的显示层13为一液晶层，并具有多个液晶分子(图未显示)。在另一实施例中，若显示面板1为有机发光二极管显示面板时，则显示层13可为一有机发光二极管堆叠结构，此时，第二基板12可为一保护盖板(Coverplate)，以保护有机发光层不受外界水气或异物的污染。

另外，本实施例的显示面板1还可包括一薄膜晶体管T、一第一绝缘层14、一有机层15、一第一电极层16、一第二电极层17、一第二绝缘层18及一框胶F。

薄膜晶体管T设置于第一基板11上，并位于显示区AA内。于此，薄膜晶体管T为显示区AA内的像素的开关元件。薄膜晶体管T包含一栅极G、一栅极绝缘层G1、一通道层C、一源极S及一漏极D。栅极G设置于第一基板11上，且栅极G的材质可为金属(例如为铝、铜、银、钼、或钛)或其合金所构成的单层或多层结构。部分用以传输驱动讯号的导线，可以使用与栅极G同层且同一工艺的结构，彼此电性相连，例如扫描线(图未显示)。栅极绝缘层G1设置并覆盖于栅极G上，且栅极绝缘层G1可为有机材质例如为有机硅氧化合物，或无机材质例如为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质的多层结构。栅极绝缘层G1需完整覆盖栅极G，并可选择部分或全部覆盖第一基板11。

通道层C相对栅极G位置设置于栅极绝缘层G1上。在实施上，通道层C例如可包含一氧化物半导体。其中，前述的氧化物半导体包括氧化物，且氧化物包括铟、镓、锌及锡其中之一，例如为氧化铟镓锌(IndiumGalliumZincOxide，IGZO)。源极S与漏极D分别设置于通道层C上，且源极S和漏极D分别与通道层C接触。于薄膜晶体管T的通道层C未导通时，源极S和漏极D电性分离。其中，源极S与漏极D的材质可为金属(例如铝、铜、银、钼、或钛)或其合金所构成的单层或多层结构。此外，部分用以传输驱动信号的导线，可以使用与源极S与漏极D同层且同一工艺的结构，例如数据线(图未显示)。

另外，本实施例的薄膜晶体管T还具有一刻蚀阻挡(etchstop)层ESL，刻蚀阻挡层ESL设置于通道层C上。而源极S与漏极D的一端可分别自刻蚀阻挡层ESL的开口与通道层C接触。其中，刻蚀阻挡层ESL可为有机材质例如为有机硅氧化合物，或单层无机材质例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质组合的多层结构，并不限定。不过，在其他的实施态样中，也可将源极S与漏极D直接设置于通道层C上，而不需刻蚀阻挡层ESL。

第一绝缘层14设置于第一基板11及第二基板12之间。于此，第一绝缘层14设置于源极S及漏极D上，并覆盖薄膜晶体管T，且延伸至周边区PA。另外，有机层15设置并覆盖于第一绝缘层14上，且延伸至周边区PA。于此，有机层15设置于第一绝缘层14及第二绝缘层18之间。有机层15的材料可例如为全氟烷基乙烯基醚共聚物(Polyfluoroalkoxy，PFA)，而第二电极层17设置于有机层15上，且第二绝缘层18设置于第一绝缘层14及第二基板12之间，并覆盖有机层15及第二电极层17，并延伸至周边区PA。其中，第一绝缘层14及第二绝缘层18的材料为无机材料，并例如为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的单层或多层结构，并不限定。

第一电极层16设置于第二绝缘层18上，且第一电极层16亦填入位于有机层15及第一绝缘层14的一通孔H内而连接漏极D。在本实施例中，第一电极层16例如为像素电极，而第二电极层17为共同电极。不过，在不同的实施例中，第一电极层16可为共同电极，且第二电极层17可为像素电极，本发明并不限定。第一电极层16及第二电极层17的材质例如可为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、镉锡氧化物(CTO)、氧化锡(SnO2)、或氧化锌(ZnO)等透明导电材料，并不限定。

另外，显示面板1还可包括一黑色矩阵层及一滤光层(图未显示)。黑色矩阵层设置于第一基板11或第二基板12上，并对应于薄膜晶体管T设置，而滤光层则设置于第一基板11面对第二基板12的一侧上，或设置于第二基板12上，且滤光层对应于第一电极层16设置。由于黑色矩阵层为不透光材质，因此于第一基板11上可形成一不透光的区域(周边区PA)，进而界定出可透光的区域(显示区AA)。本实施例的黑色矩阵层与滤光层可分别设置于第二基板12上，不过，在其他的实施态样中，黑色矩阵层或滤光层也可分别设置于第一基板11上，使其成为一BOA(BMonarray)基板，或成为一COA(colorfilteronarray)基板。于此，并不加以限制。此外，显示面板1还可包括一保护层(例如为over-coating，图未显示)，保护层可覆盖黑色矩阵层及滤光层。保护层的材质可为光刻胶材料、树脂材料或是无机材料(例如SiOx/SiNx)等，用以保护黑色矩阵层及滤光层不受后续工艺的影响而被破坏。

另外，框胶F设置于周边区PA，并封闭第一基板11与第二基板12的外围。本实施例的框胶F例如可为光固化胶(例如UV胶)，并例如但不限于大气中以涂布方式环设于第一基板11上，且位于第二绝缘层18上为例，使得液晶分子可填充于框胶F所围设的容置空间内而形成一个液晶显示面板。其中，例如但不限于以滴下式注入法(OneDropFilling，ODF)分别填入液晶分子到框胶F所围设的区域内。

因此，当显示面板1的多条扫描线接收一扫描信号时可分别使各扫描线对应的这些薄膜晶体管T导通，并将对应每一行像素的一数据信号借由多条数据线传送至对应的像素的第一电极层16，使显示面板1可显示影像画面。

请再参照图2B所示，在本实施例中，第二绝缘层18具有至少一第一贯穿部181，第一贯穿部181邻设于框胶F，并介于显示区AA与框胶F之间，且位于周边区PA内，第一贯穿部181曝露出有机层15，使有机层15可接触显示层13。于实施上，可借由例如刻蚀方式移除周边区PA的部分第二绝缘层18来形成第一贯穿部181，使得俯视第一贯穿部181时，可直接曝露出有机层15，使有机层15可接触显示层13。在本实施例中，显示面板1以具有二个第一贯穿部181，并位于框胶F与显示区AA之间为例。不过，在不同的实施例中，第一贯穿部181的数量也可为一或其他数量。另外，第一贯穿部181可为穿孔，或为环绕周边区PA的沟槽，并不限定。

另外，在本实施例中，显示面板1还具有一走线L，走线L设置于第一基板11上，并邻近于框胶F。于此，走线L的材料与栅极G的材料(俗称第一金属层M1)相同，当然，也可使用与源极S或漏极D相同的材料来制作走线L。另外，本实施例的走线L由下而上依序覆盖有栅极绝缘层G1、刻蚀阻挡层ESL、第一绝缘层14、有机层15及第二绝缘层18。走线L可用于元件间的连接之用，或应用于静电防止(Anti-ElectrostaticDischarge)上。

承上，在本实施例的显示面板1中，于周边区PA范围之内的部分移除第二绝缘层18而形成至少一第一贯穿部181，以曝露出有机层15，因此，当水气于工艺中由外部渗入有机层15时，可在进行后续的面板组装工艺前先进行脱水气的步骤(例如加热)，以通过第一贯穿部181使水气进行逸散(第一贯穿部181可提供有机层15吸水气后的逸散路径，降低水气含量)，因此，使后续工艺而完成的显示面板1可有效降低有机层15吸附水气的程度，进而增加显示面板1的元件可靠度。

另外，请分别参照图3A至图3E所示，其分别为本发明不同实施态样的显示面板1a～1e的示意图。

如图3A所示，显示面板1a与图2B的显示面板1主要的不同在于，显示面板1a的两个第一贯穿部181位于框胶F宽度范围之内(被框胶F密封)，使有机层15可接触框胶F。不过，在其他实施态样中，也可将第一贯穿部181的部分结构设置于框胶F范围内，部分结构设置于框胶F与显示区AA之间，并不限定。

另外，如图3B所示，显示面板1b与图2B的显示面板1主要的不同在于，显示面板1b除了两个第一贯穿部181位于框胶F与显示区AA之间外，第二绝缘层18还具有至少一第二贯穿部182，第二贯穿部182位于框胶F的宽度范围之内，且第二贯穿部182亦曝露出有机层15。于此，第二贯穿部182的数量亦为二，而且同样曝露出有机层15。借此，可提供更多的水气散逸路径。

另外，如图3C所示，显示面板1c与图2B的显示面板1主要的不同在于，显示面板1c不具有刻蚀阻挡层ESL，源极S与漏极D是直接设置于通道层C上。因此，走线L由下而上依序覆盖有栅极绝缘层G1、第一绝缘层14、有机层15及第二绝缘层18。

另外，如图3D所示，显示面板1d与图2B的显示面板1主要的不同在于，显示面板1d除了一样不具有刻蚀阻挡层ESL之外，显示面板1d的源极S、漏极D与通道层C的设置顺序为相反。换言之，先于栅极绝缘层G1上形成源极S、漏极D的图案之后，再形成通道层C于源极S及漏极D上，且分别使通道层C接触源极S与漏极D。

另外，如图3E所示，显示面板1e与图2B的显示面板1主要的不同在于，显示面板1e除了不具有刻蚀阻挡层ESL，显示面板1e的薄膜晶体管T为顶栅极式(Topgate)的结构，其栅极G位于通道层C之上，且源极S与漏极D分别通过栅极绝缘层G1与第一绝缘层14的通孔而与通道层C接触。

另外，请参照图3F所示，其为图2A的显示面板另一侧的直线Q-Q’的剖视示意图。于此，直线Q-Q’的位置可例如为栅极驱动电路(gatedrivercircuit)直接形成于第一基板11上的区域(即GateOnPanel，GOP)，使得图3F为显示面板的栅极驱动电路的设置区域的剖视示意图。其中，图3F以显示面板1f来表示。

与图2B的显示面板1主要的不同在于，图3F的显示面板1f还可包括一电子元件19，电子元件19邻设于第一贯穿部181，并位于周边区PA内，而且电子元件19可电连接薄膜晶体管T。于此，电子元件19为一驱动元件，用以驱动显示面板1f的显示区AA内的元件。电子元件19例如为一薄膜晶体管，其结构可参照上述的薄膜晶体管T的相同元件，不再多作说明。不过，在其他的实施例中，电子元件19可不为薄膜晶体管，而是其他类型的元件，例如二极管(diode)或电容。

此外，显示面板1a～1f其它元件的技术特征可参照显示面板1的相同元件，不再赘述。

不过，特别注意的是，在图3F中，由于电子元件19为薄膜晶体管，因此为了保护薄膜晶体管的通道层C，第一贯穿部181的设置位置需有所限制。如图3F所示，于漏极D接触通道层C的位置与源极S接触通道层C的位置之间具有一最短距离d，且第一贯穿部181于垂直第一基板11的方向上与最短距离d的位置为不重叠(即第一贯穿部181不可包含在最短距离d的垂直上方)。

再一提的是，上述的显示面板1c～1f的第一贯穿部181也可位于框胶F的宽度范围之内，或者除了第一贯穿部181位于框胶F与显示区AA之间外，显示面板1c～1f亦可具有第二贯穿部182位于框胶F内，且第二贯穿部182亦曝露出有机层15，本发明均不限定。

另外，请参照图4所示，其为本发明较佳实施例的一种显示装置2的示意图。

显示装置2包括一显示面板3以及一背光模块4(BacklightModule)，显示面板3与背光模块4相对设置。其中，显示装置2为一液晶显示装置，且显示面板3包含上述的显示面板1、1a～1f的其中之一，或其变化态样，具体技术内容可参照上述，不再多作说明。当背光模块4发出的光线E穿过显示面板3时，可通过显示面板3的各像素显示色彩而形成影像。

综上所述，因本发明的显示面板及显示装置中，于周边区范围之内的部分移除第二绝缘层而形成至少一第一贯穿部，以曝露出有机层，因此，当水气于工艺中由外部渗入有机层时，可在进行后续的面板组装工艺前先进行脱水气的步骤，以通过第一贯穿部使水气进行逸散，降低有机层的水气含量，因此，使后续工艺而完成的显示面板可有效降低有机层吸附水气的程度，进而增加显示面板的元件可靠度。

以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于权利要求中。

Claims (19)

1.一种显示面板，具有一显示区及邻设于该显示区的一周边区，其特征在于，包括：

一第一基板；

一第二基板，与该第一基板相对设置；

一第一绝缘层，设置于该第一基板及该第二基板之间；

一第二绝缘层，设置于该第一绝缘层及该第二基板之间；

一框胶，设置于该周边区，并封闭该第一基板与该第二基板的外围；

一显示层，设置于该第二绝缘层及该第二基板之间；以及

一有机层，设置于该第一绝缘层及该第二绝缘层之间，

其中，该第二绝缘层具有至少一第一贯穿部，该第一贯穿部位于该周边区，且该第一贯穿部曝露出该有机层，使该有机层接触该框胶或该显示层。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一贯穿部为穿孔，或为环绕该周边区的沟槽。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一贯穿部位于该框胶宽度范围之内。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一贯穿部位于该框胶与该显示区之间。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，该第二绝缘层还具有至少一第二贯穿部，该第二贯穿部曝露出该有机层，且该第二贯穿部位于该框胶宽度范围之内。

6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

一薄膜晶体管，设置于该第一基板上，并具有一漏极、一源极及一通道层，该漏极及该源极分别与该通道层接触，且该第一绝缘层覆盖该薄膜晶体管；及

一第一电极层，设置于该第二绝缘层上，且该第一电极层填入位于该有机层及该第一绝缘层的一通孔内而连接该漏极。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该薄膜晶体管还具有一刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层设置于该通道层上。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，该漏极及该源极分别经由该刻蚀阻挡层的一开口与该通道层接触。

9.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该通道层材料为金属氧化物半导体。

10.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

一电子元件，邻设于该第一贯穿部，并位于该周边区内。

11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该电子元件为一薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置于该第一基板上，并具有一漏极、一源极及一通道层，该漏极及该源极分别与该通道层接触，且该漏极接触该通道层的位置与该源极接触该通道层的位置之间具有一最短距离，该第一贯穿部于垂直该第一基板的方向上与该最短距离的位置为不重叠。

12.一种显示装置，其特征在于，包括：

一背光模块；以及

一显示面板，具有一显示区及邻设于该显示区的一周边区，该显示面板包含：

一第一基板；

一第二基板，与该第一基板相对设置；

一第一绝缘层，设置于该第一基板及该第二基板之间；

一第二绝缘层，设置于该第一绝缘层及该第二基板之间；

一框胶，设置于该周边区，并封闭该第一基板与该第二基板的外围；

一显示层，设置于该第二绝缘层及该第二基板之间；以及

一有机层，设置于该第一绝缘层及该第二绝缘层之间，

其中，该第二绝缘层具有至少一第一贯穿部，该第一贯穿部位于该周边区，且该第一贯穿部曝露出该有机层，使该有机层接触该框胶或该显示层。

13.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，该第一贯穿部位于该框胶宽度范围之内。

14.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，该第一贯穿部位于该框胶与该显示区之间。

15.如权利要求14所述的显示装置，其特征在于，该第二绝缘层还具有至少一第二贯穿部，该第二贯穿部曝露出该有机层，且该第二贯穿部位于该框胶宽度范围之内。

16.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，还包括：

一薄膜晶体管，设置于该第一基板上，并具有一漏极、一源极及一通道层，该漏极及该源极分别与该通道层接触，且该第一绝缘层覆盖该薄膜晶体管；及

一第一电极层，设置于该第二绝缘层上，且该第一电极层填入位于该有机层及该第一绝缘层的一通孔内而连接该漏极。

17.如权利要求16所述的显示装置，其特征在于，该薄膜晶体管还具有一刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层设置于该通道层上。

18.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，还包括：

一电子元件，邻设于该第一贯穿部，并位于该周边区内。

19.如权利要求18所述的显示装置，其特征在于，该电子元件为一薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置于该第一基板上，并具有一漏极、一源极及一通道层，该漏极及该源极分别与该通道层接触，且该漏极接触该通道层的位置与该源极接触该通道层的位置之间具有一最短距离，该第一贯穿部于垂直该第一基板的方向上与该最短距离的位置为不重叠。