TWI244056B - Wiring substrate, electro-optic device and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

1244056 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於配線基板，光電裝置及該製造方法。 【先前技術】

在於電致發光面板，爲了區劃相鄰的發光層起見形成 間隔壁（B ank )。有時在於間隔壁的下面會形成配線，爲 了設法使二條配線盡可能離開狀地予以配置起見，配置爲 不同的高度，且稍爲偏倚之位置時，即形成於該上面的間 隔壁會變爲左右非對稱，結果間隔壁的傾斜將呈現左右非 對稱因而各發光層的膜厚有時呈顯不均一。此現象不限於 電致發光面板’在於具有爲了區劃（劃分）複數的功能層 而形成間隔壁’而在該間隔壁的下面通過複數的配線的構 造的裝置也是同樣。

本發明的目的係設法減少間隔壁的左右非對稱性。 (1)有關本發明的配線基板係備有、基板，及 設於上述基板的上方，用於區劃複數的領域的間隔壁 ，及 形成於上述間隔壁與上述基板間的導電層以及第1及 第2配線， 上述間隔壁係包括，上面、及挾著上述上面的一對的 側面， -4- (2) 1244056 上述一對的側面乃對於上述基板呈現以對稱角度地被 傾斜形成者。 依本發明時由於間隔壁呈左右對稱，所以在由間隔壁 所區劃的領域上，可以形成均一的膜。 (2 )在此配線基板中， 上述第1配線係形成於比上述第2配線較靠近於上述 基板的位置，上述第1及第2配線係偏倚於寬方向地予以 配置。 上述導電層係形成爲比上述第2配線較靠近於上述基 板的位置，上述導電層及上述第2配線係偏倚於寬方向地 予以配置， 上述導電層及上述第1配線係分別備有，由上述第2 配線溢出於相反的寬方向的部份地予以配置。依此構成， 由第2的配線的兩側有導電層及第1配線會溢出所以可減 少並且可以減少間隔壁的非對稱性。 (3 )在此配線基板上， 使上述導電層的，由上述第2配線所溢出的長度，與 上述第1配線的，由上述第2配線所溢出的長度係相等亦 可以。 (4 )在此配線基板上， 上述第2配線係在於上述一對的側面間的方向而能通 過上述間隔壁的中央狀地被形成也可以。 (5 )在此配線基板上， 上述間隔壁係包含：由無機材料所形成的第1間隔壁 (3) 1244056 部’及由有機材料所形成且形成於上述第1間隔壁部的上 面的第2間隔壁部， 上述第2配線係被形成爲，在於上述一對的側面間的 方向，分別通過上述第1及第2間隔壁部的中央地形成亦 可以。 (6 )在此配線基板上， 在於上述基板，形成有凹部， 上述導電層及上述第1配線係，不超出上述基板的表 面的高度地配置於上述凹部內地形成亦可以。 (7 )在此配線基板上， 上述導電層係電容器的一方的電極亦可以。 (8 )在此配線基板上， 上述第1及第2配線係分別爲訊號線及電源線亦可以 〇 (9 )在此配線基板上， 上述第1配線係構成第1驅動電路的一部份， 上述導電層及上述第2配線係構成第2驅動電路的一 部份亦可以。 (1 0 )有關本發明的光電裝置係包括，上述配線基板 ，及 分別地配置於上述配線基板的由上述間隔壁所區劃的 上述複數的領域的功能層° (11) 電子機器係具備上述光電裝置也可以。 (12) 有關本發明的光電裝置的製造方法係包含有：製 (4) 1244056 作上述配線基板，以及 分別對於上述配線基板的由上述間隔壁所區劃白 數的領域配置包含功能層材料的液體材料來形成功 依本發明時由於間隔壁可以成爲左右對稱，两 液體材料也可以形成均一的功能層。 【實施方式】 下面參照附圖說明本發明的實施形態。 第1圖係說明本發明的實施形態的光電裝置的 2圖係第1圖的Π - Π線剖視圖。光電裝置1係羅 (例如顯示面板）等的光電裝置或記憶裝置亦可以 第 1 圖所示的光電裝置 1 係有機 Electroluminescence)裝置（有機場致發光裝置） 機EL面板。光電裝置1上安裝有配線基板2 (例 性基板2)。而電氣的予以連接。該安裝及電氣的 使用，各向異性導電薄片或各向異性導電糊漿等各 導電材料亦可以。所謂電氣的連接亦包含接觸。（ 中亦同）。 在於配線基板2上，形成有不圖示的配線基板 。配線基板2上，安裝有積體電路片3 (或半導體 積體電路片3係具備電源電路或控制電路等也可以 裝上適用·· TAB (Tape Automated Bonding)或 Chip on Film )亦可，該封包形態係TCP ( Tape Package )亦可以。具有安裝了積體電路片3的配 J上述複 能層。 •以使用 圖。第 示裝置 〇 EL ( 例如有 如可撓 連接乃 向異性 在下述 及端子 片）。 。該安 COF ( Carrier 線基板 1244056 (5) 2的光電裝置1可呼稱謂“電子模組”。（例如液晶模組或 E L模組等的顯示模組）。 光電裝置1係具有基板1 〇 ’基板1 0係剛性基板（例 如玻璃基板 '矽基板）亦可，可撓性基板亦可。基板J 〇 係具有光透過性亦可，具有遮光性亦可用。例如底反射（ 或背面反射）型的顯示裝置（例如有機EL面板）係使用 光透過性基板1 0，由基板1 〇側取出光線亦可以。在於頂 反射型的有機EL面板即使用遮光性基板1 〇。基板1 〇不 限定爲板形狀，其他形狀包括可支承其他構件者。 基板1 0係包含動作領域（例如顯示領域）1 2。動作 領域1 2係形成有複數（例如m行η列（例如矩陣狀）畫 素也可以。在彩色顯示裝置中，一個彩色顯示用畫素係由 複數的副畫素（R、G、Β )所構成亦可以。 在於基板10設有一個或複數的驅動電路（例如掃描 線驅動電路）1 4亦可以。驅動電路〗4係驅動動作領域J 2 內的動作（例如顯示動作）。在於一動作領域1 2的兩鄰 配置一對驅動電路1 4亦可以。 基板1 〇上設有補助電路1 〇亦可。補助電路1 〇係用 於檢查動作領域1 2中的動作（例如顯示動作）是否正常 的實施的檢查電路亦可，或爲了加速動作領域1 2的動作 速度（顯示速度）的預充電電路亦可以。 驅動電路14及補助電路16的至少一方係，在於基板 上使用多晶膜等所形成者亦行。或安裝於基板1 〇上的積 體電路片也可以。再者利用在於基板1〇外部的積體電路 -8- (6) 1244056 片3來控制動作領域1 2的動作驅動也可以。 在於基板10上設有複數的動作元件20。設有複數的 動作元件20的領域係動作領域1 2。在於一個畫素（例如 副畫素）設有一個動作元件2 0。如第2圖所示，複數的 動作元件20係具有複數的功能層22。複數的功能層22 係複數的發光色（例如紅、綠、藍）的複數的發光層也可 以。此時各個的功能層22係，其中之一的發光色的發光 層。 構成功能層2 2的發光層的材料係聚合物系材料或低 分子系材料或複合兩者的材料的材料的任一者亦可以。屬 於功能層22的發光層係藉電流的流過來發光。屬於功能 層22的發光層係隨應於發光層係隨應於發光色而發光效 率有所不同也可行。又做爲功能層的發光層係藉由配置含 有功能層材料的液體材料（例如射注法等液滴吐出法）來 形成。由於間隔壁3 0係被形成爲左右對稱，所以使用液 體材料之下仍然可以形成具有均一厚度的複數的功能層 22 〇 動作元件20係具有第1及第2儲存層（緩衝層）24 、26的至少一方也可以。第1儲存層24係爲了對於功能 層22的空穴注入安定化的空穴注入層也可以或具有空穴 注入層亦可。 第1儲存層24係備有空穴輸送層亦可，正孔輸送層 係設於功能層22與空穴注入層之間也可以。第2儲存層 26係爲了對於功能層22的電子注入安定化的電子注入層 -9- 1244056 (7) 也可以，或具有電子注入層也可以。第2的緩衝層2 6係 備有電子輸送層也可以，電子輸送層係設於功能層22與 電子注入層之間也可以。 相鄰的功能層22係以間隔壁3 0來區劃（電氣的絕緣 )。第3圖係間隔壁的平面圖。由間隔壁3 0來區劃複數 的功能層2 2。間隔壁3 0係形成爲格子狀亦可以。間隔壁 3 〇係以形成爲各功能層22的領域地凹陷狀。間隔壁3 0 乃以樹脂來形成亦可以。 間隔壁3 0係包含上面3 1，及挾著上面3 1的一對的 側面3 3、3 5。 如第2圖所示，一對的側面3 3、3 5係對於基板1 〇 ( 例如該表面，以對稱角度地傾斜狀形成。換言之，對於基 板1 〇 (例如對於該表面），一對的側面3 3、3 5係在於上 面3 1側（間隔壁3 0 )之內部側）所呈顯的角度α、占係 相等。 間隔壁3 0係可以包含有第丨間隔壁部3 6。第1間隔 壁部36係得由無機材料（例如Si〇2，SiNx )所形成。第 1間隔壁部3 6得由複數層（例如連續的覆罩全部的第2 配線62地形成的層的一部份，及由設於各個第2配線62 上的層）所形成。 間隔壁3 0係包含形成於第丨間隔壁部3 6上的第2間 隔壁部3 8也可以。第2間隔壁部3 8係得由有機材料（例 如丙嫌酣基等有機樹脂）形成。 1電極 光電裝置1係具有複數的第1電極32。各第 -10 - (8) 1244056 32係對於其中之一的動作元件20供給電能者。第1電極 32係接觸於動作元件20 (例如第1緩衝層24 (例如空穴 注入層）亦可以。 光電裝置1係備有複數或1個第2電極34。第2電 極34係對於動作元件20供給電能者。第2電極34係接 觸於動作元件2 0 (例如第2儲存層2 6 (例如電子注入層 )也可以。第2電極34係備有面向於第i電極32的部份 。由複數的第1電極32，複數或一個第2電極34所構成 的一對的電極係至少挾著複數的各功能層所形成。第2電 極34係可以配置於第1電極32的上方。 在於基板1 0得形成半導體膜40。第4圖係半導體膜 的平面圖。半導體膜40得由半導體材料（例如矽）來形 成。半導體膜40得具有單晶、多晶或非晶質其中的一的 構造。 半導體膜係得由以習知的低溫（例如6 0 0 °C以下）方 法所形成的所謂低溫多晶矽膜或非晶質矽膜。 半導體膜40係備有基底膜42。在於基底膜42擴散 有N形或P形的摻質亦可以。半導體膜40備有摻質擴散 膜44對於摻質擴散膜44注入比基底膜42高濃度的摻質 也可以。摻質擴散膜44係形成於基底膜42的領域。摻質 擴散膜4 4係對於包含，將成爲基底膜4 2的部份及做爲摻 質擴散膜44的部份的前驅膜注入摻質來形成亦可以。摻 質擴散膜44的至少一部份係得成爲MOSFET的源極或漏 極也可以或成爲電容器88(參照第7圖）等電氣零件的 -11 - (9) 1244056 電極。 光電裝置1係具有由複數層所形成的配線層。第5圖 係說明由複數層所形成的配線層的一個層位置的配線圖樣 的圖。 配線圖樣50係得介著絕緣層46 (例如Si02等的氧化 膜（參照第2圖）而形成於半導體膜40上。配線圖樣50 係包含導電層52。導電層52係介著絕緣層46而面向於 半導體膜40 (例如該摻質擴散膜）地形成亦可以。導電 層5 2係電氣的連接複數的處所的配線也可以，或電極（ 或端子）也可以或一部份係配線，另一部份係電極也可以 。導電層52係電容器88(參照第7圖）的一方的電極也 可以。導電層5 2係如第2圖及第3圖所示，形成於間隔 壁30的下面。導電層52係形成於一對的功能層22之間 。在於顯示裝置中，導電層52係形成於畫元間。 配線圖樣50係包含第1配線54，第1配線54係並 行於導電層5 2地延伸也可以。第1配線5 4係如第2圖及 第3圖所示形成於間隔壁3 0的下面。第1配線5 4係通過 一對的功能層22間地予以形成。在於顯示裝置中第1配 線54係通過畫素間。第1配線54係在其長度方向而電氣 的連接於相鄰的第1配線，例如構成用於驅動功能層22 的訊號線也可。又，第7圖中第1配線5 4係以訊號線來 顯示，惟第1配線54係做爲驅動功能層22的掃描線或電 源線亦可。 第6圖係說明據於由複數層所形成的配線層的其他層 •12· (10) 1244056 位置的配線圖樣的圖。在於上述配線圖樣5 0上，介著絕 緣層5 6 (參照第2圖）形成配線圖樣6 0也可以。配線圖 樣60係包含第2配線62。第2配線62係如第2圖及第3 圖所示地形成於間隔壁3 0的下面。第2配線62係在於間 隔壁3 0的一對的側面3 3、3 5間的方向而通過間隔壁3 0 的中央地形成亦可以。此時間隔壁3 0係，由第2配線3 2 而溢出於側面33的方向的長度（平面長度）與，由第2 配線62而溢出於側面3 5的方向的長度（平面的長度）係 會相等。又第2配線62係在於間隔壁3 0的一對的側面 3 3、3 5間的方向而能通過第1間隔壁部3 6的中央狀地予 以形成，或能通過第2間隔壁部3 8的中央狀地被形成亦 可以，此時第1間隔壁部3 6 (或第2間隔壁部3 8 )係， 由第2配線62而溢出於側面3 3的方向的長度（平面長度 )與由第2配線62而溢出於側面3 5的方向的長度（平面 長度）乃會相等。 第2配線6 2係能通過一對的功能層2 2間狀地予以形 成。顯示裝置中，第2配線62係通過畫素間。第2配線 62係用於驅動功能層22用的電源線亦可以。又在於第7 圖中，第2配線6 2係以電源線顯示’惟第2配線6 2係用 於驅動功能層22的掃描線，或訊號線也可以。 配線圖樣60係備有將相鄰的第1配線54在其長度方 向地將它連接的配線64也可以。 如第2圖所示，導電層52及第1及第2配線54係並 列狀地形成於間隔壁3 0下面。 -13- (11) 1244056 第1配線5 4係構成相鄰（並列的導電層5 2及挾著 1及第2配線5 4、6 2的相鄰，下面也同樣）的功能層 、2 2的一方（例如第1的功能層）的驅動電路的一部 。導電層5 2係構成相鄰的功能層2 2、2 2的另一方（例 第2功能層）的驅動電路的一部份。此時第2配線6 2 構成相鄰的功能層2 2、2 2的另一方（例如第2功能層 的驅動電路的一部份，呈並列的導電層5 2及第2配線 係構成同功能層22的驅動電路的一部份。 導電層52係形成於比第2配線62低（靠近基板 )的位置。 第1配線54係形成於比第2配線62低（靠近基 10)的位置。如第2圖及第3圖所示，第1及第2配 54、62係偏倚於寬方向狀地被配置，導電層52及第2 線62係偏倚於寬方向狀地予以配置。導電層52及第1 線54係分別在於相反的寬方向溢出於第2配線62的部 狀地予以配置。導電層52之由第2配線62溢出的長 ，與第1配線54之由第2配線62溢出的長度係相等 可以。 例如第1及第2配線54、62之第2圖上靠右側地 置時，第2配線62的右端高度與據於該右鄰位置的絕 層5 6的高度的差距會變大，在於第2配線62及絕緣 56上的絕緣膜上呈現比較大的凹凸的可能。而依本實 形態時，得藉第1及第2配線54、62偏移至寬方向， 將導電層52及第2配線62偏移至寬方向，由而可以減 第 2 2 份 如 係 ) 62 10 板 線 配 配 份 度 也 配 緣 層 施 又 少 -14- (12) 1244056 第1及第2配線54、62及導電層52上的絕緣膜上的凹凸 ，該結果可以減少間隔壁3 0的左右非對稱性。 又，依本實施形態時，導電層5 2及第1配線5 4係由 第2配線62兩側而溢出，所以可以減少該上面的間隔壁 的左右非對稱性。該結果可以減少功能層2 2的膜厚的不 均一性。又由於導電層5 2的上方形成第2配線6 2，所以 可以從第1配線54脫離第2配線62，並且可以將形成於 第1及第2配線54、62間之電容量變小或消失。 如第1圖及第2圖所示，光電裝置1係具有動作元件 2 0的封密構件6 6。動作元件2 0的至少一部份係由水份或 氧氣等而容易劣化時得由封密構件66來保護動作元件20 〇 第7圖係說明有關本實施形態的光電裝置的動作的電 路圖。光電裝置1係備有相應於第7圖所示的電路的元件 。元件係每一動作元件2 0地予以設置。電路構成（元件 連接狀態）係如第7圖所示，省略其說明。 本實施形態中，對於第1配線5 4將供給訊號電壓 Vdata。訊號電壓Vdata係回應於供給於動作元件20的電流 的訊號。 對於第2配線62係供給電源電壓Vdd ’對於配線（ 掃描線）7 1、7 2即輸入相反的選擇訊號。選擇信號係高 電位的Η訊號或低電位的L訊號。 在於編程序期間（Programming) Η訊號係輸入於配 線71，L訊號係輸入於配線72。然後開關元件80成爲 -15- (13) 1244056 ON，回應於第1及第2配線54、62間的電位差電流係通 過開關元件8 0、8 6而流通。而，在於電容（器）8 8儲蓄 、回應於該電流的開關元件8 6的控制電壓（開關元件8 6 係Μ Ο S電晶體時即閘極電壓）。 又電容（器）8 8係如第5圖所示包含導電層5 2及摻 質擴散膜44以及兩者間的絕緣層46。 在於動作期間（例如發光期間），L訊號係輸入於配 線71，Η訊號係輸入於配線72，於是開關元件80、84成 爲OFF，開關元件82成爲ON，由此結果，由回應於在於 編程序期間儲蓄於電容器88的電荷的控制電壓（開關元 件86係MOS電晶體時係閘電電壓）來控制開關元件86 (例如ON )，回應於控制電壓的電流係從第2配線62通 過開關元件86、82流通於動作元件20 (或功能層22 )。 第8圖係說明本發明的實施形態的光電裝置的變形例 的圖。本變形例中，在於基板1 〇形成有凹部（或刻入） 1 1 2 〇 凹部1 1 2得以蝕刻形成。在於凹部1 1 2內，形成有導 電層5 2及第1配線54。導電層5 2及第1配線5 4係不超 過基板1 1 〇的表面狀的高度（例如比凹部11 2的深度的薄 地）地形成亦可以。 半導體膜40係在於凹部1 12內也有形成。絕緣層46 係也形成於凹部1 1 2的內面。 導電層5 2及第1配線5 4也可以用絕緣層1 5 6覆罩。 絕緣層1 5 6乃在於凹部1 1 2中，以埋設導電層5 2及第1 -16- (14) l244〇56 配線5 4的周圍空間狀地被形成。絕緣層】5 6也可以覆罩 導電層5 2及第1配線54。此時絕緣層1 5 6的上面係得與 基板110或該上面的絕緣層46的表面呈同一面。採此方 式時，即不拘於導電層5 2及第1配線5 4的形狀（對於間 _鼕3 〇的左右非對稱的形狀地）地可以將間隔壁3 0形成 爲左右對稱的形狀。 其他內容即與在於上述實施形態所說明的內容相當。 依第8圖的變形例時，由於在於凹部112內形成導電 層52及第1配線54，所以得做到裝置的薄型化。 做爲別的（其它的）變形例，如果絕緣層1 5 6的上面 係與基板110或該上面的絕緣層46的表面呈同一面時， 可以將動件元件20疊合於導電層52及第1配線54的至 少〜部份。由而可以使動作元件20的佔有面積，比第2 圖所示的狀態比較時可以寬闊（擴大），所以可以實現高 輝度的光電裝置。 具有本發明實施形態的光電裝置的電子機器，可舉例 爲如第9圖所示的筆記型個人電腦，第1 0圖所示手提行 動電話2 0 0 0。 本發明乃不侷限於上述實施形態，仍可能有種種變形 。例如本發明係包含與本實施形態中所說明的構成，實質 上同一構成（例如功能、方法及結果同一的構成、或目的 及結果同一的構成）。又本發明也包含，將實施形態所說 明的構成的非本質的部份予以置換的構成。 又本發明也包含可以奏效與本實施形態所說明的構成 -17- (15) 1244056 的同一作用效果的構成，或可以達成同一的目的構成。 又’本發明也包含在於實施形態所說明的構成附加了 習用技術的構成。 【圖式簡單說明】 第1圖係說明本發明的實施形態的光電裝置的圖。 第2圖係第1圖的Π - Π線剖面圖。 第3圖係間隔壁的平面圖。 第4圖係表示半導體膜的圖。 第5圖係說明據於由複數層所形成的配線層的一個層 位置的配線圖樣圖。 第6圖係說明據於由複數層所形成的配線層的其他層 位置的配線圖樣的圖。 第7圖係說明本發明的實施形態的光電裝置的動作的 電路圖。 第8圖係說明本發明的實施形態的光電裝置的變形例 圖。 第9圖係表示本發明的實施形態的電子機器圖。 第1 0圖係表示本發明的實施形態的電子機器圖。 符號說明 1 :光電裝置 2 :配線基板 3 :積體電路片 -18- (16) (16)1244056 1 0 :基板 1 2 :動作領域 1 4 :驅動電路 1 6 :補助電路 2 0 :動作元件 2 2 :功能層 24 :第1儲存層 2 6 :第2儲存層 3 0 :間隔壁 3 1 :上面 3 2 :第1電極 3 3 :側面 3 4 :第2電極 3 5 :側面 3 6 :第1儲存層 3 8 :第2間隔壁 40 :半導體膜 42 :基底膜 44 :摻質擴散膜 4 6 :絕緣層 5 0 :配線圖樣 52 :導電層 5 4 :第1配線 5 6 :配線圖樣 -19 (17) 1244056 60 :配線圖樣 62 :第2配線 64 :配線 66 :封密構件 7 1 :配線 7 2 :配線

8 0、8 2、8 4、8 6 :開關元件 8 8 :電容器 1 1 〇 :基板 1 1 2 :凹部

•20-

Claims (1)

1. (1) 1244056 拾、申請專利範圍 1 · 一種配線基板，其特徵爲·· 備有、基板，及 設於上述基板的上方，用於區劃複數的領域的間隔壁 ，及 形成於上述間隔壁與上述基板間的導電層以及第1及 第2配線， 上述間隔壁係包括，上面、及挾著上述上面的一對的 側面， 上述一對的側面乃對於上述基板呈現以對稱角度地被 傾斜形成者。 2 ·如申請專利範圍第丨項所述的配線基板，其中 上述第1配線係形成於比上述第2配線較靠近於上述 基板的位置，上述第1及第2配線係偏倚於寬方向地予以 配置， 上述導電層係形成爲比上述第2配線較靠近於上述基 板的位置，上述導電層及上述第2配線係偏倚於寬方向地 予以配置， 上述導電層及上述第1配線係分別備有，由上述第2 配線溢出於相反的寬方向的部份地予以配置。 3 .如申請專利範圍第2項所述的配線基板，其中 上述導電層的，由上述第2配線所溢出的長度，與上 述第1配線的，由上述第2配線所溢出的長度係相等。 4.如申請專利範圍第2項所述的配線基板，其中 -21 - (2) 1244056 上述第2配線係在於上述一對的側面間的方向而能通 過上述間隔壁的中央狀地被形成。 5 .如申請專利範圍第4項所述的配線基板，其中 上述間隔壁係包含：由無機材料所形成的第1間隔壁 部，及由有機材料所形成且形成於上述第1間隔壁部的上 面的第2間隔壁部， 上述第2配線係被形成爲，在於上述一對的側面間的 方向，分別通過上述第1及第2間隔壁部的中央。 6.如申請專利範圍第4項所述的配線基板，其中 在於上述基板，形成有凹部， 上述導電層及上述第1配線係，不超出上述基板的表 面的高度地配置於上述凹部內。 7 ·如申請專利範圍第1項乃至第6項其中的任一項所 述的配線基板，其中上述導電層係電容器的一方的電極。 8 ·如申請專利範圍第1項乃至第6項其中的任一項所 述的配線基板，其中上述第1及第2配線係分別爲訊號線 及電源線。 9 ·如申請專利範圍第1項乃至第6項其中的任一項所 述的配線基板，其中 上述第1配線係構成第1驅動電路的一部份， 上述導電層及上述第2配線係構成第2驅動電路的一 部份。 10.—種光電裝置，其特徵爲： 備有基板、及設於上述基板的上方，用於區劃複數的 -22- (3) 1244056 領域的間隔壁、及形成於上述間隔壁與上述基板間的導電 層以及第1及第2配線’及分別配置於由上述間隔壁所區 劃的上述複數的領域的功能層’ 上述間隔壁係包含上面，及挾著上述上面的一對的側 面， 上述一對的側面係，對於上述基板以對稱角度地傾斜 狀地形成。 11. 一種光電裝置的製造方法，其特徵爲： 包含、製作：備有基板、及設於上述基板的上方用於 區劃複數的領域的間隔壁、及形成於上述間隔壁與上述基 板間的導電層以及第1及第2配線，上述間隔壁係包含， 上面、及挾著上述上面的一對的側面，上述一對的側面乃 對於上述基板呈現以對稱角度地被傾斜形成的配線基板， 以及 對於由上述配線基板的上述間隔壁所區劃的上述複數 的領域分別配設含有功能層材料的液體材料來形成功能層 -23-