JP2004259692A - 配線基板、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明の目的は、バンクの左右非対称性を減らすことにある。
【解決手段】 配線基板は、基板１０と、基板１０の上方に設けられ複数の領域を区画するためのバンク３０と、バンク３０と基板１０との間に並列して形成された導電層５２並びに第１及び第２の配線５４，６２と、を有する。第１の配線５４は、第２の配線６２よりも基板１０に近い位置に形成されている。第１及び第２の配線５４，６２は、幅方向にずれるように配置されている。導電層５２は、第２の配線６２よりも基板１０に近い位置に形成されている。導電層５２及び第２の配線６２は、幅方向にずれるように配置されている。導電層５２及び第１の配線５４は、それぞれ、反対の幅方向に第２の配線６２からはみ出す部分を有するように配置されてなる。
【選択図】 図２

Description

本発明は、配線基板、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器に関する。

エレクトロルミネセンスパネルでは、隣同士の発光層を区画するためにバンクが形成される。バンクの下には、配線が形成されることがある。２つの配線を、できるだけ離して配置するために、異なる高さであって多少でもずれた位置に配置すると、その上に形成するバンクが左右非対象となる。その結果、バンクの傾斜が左右非対称になるので、各発光層の膜厚が不均一になることがあった。このことは、エレクトロルミネセンスパネルに限らず、複数の機能層を区画するためのバンクを形成し、バンクの下に複数の配線が通る構造を有する装置に該当することである。
特開平１１−２４６０６号公報

本発明の目的は、バンクの左右非対称性を減らすことにある。

（１）本発明に係る配線基板は、基板と、
前記基板の上方に設けられ、複数の領域を区画するためのバンクと、
前記バンクと前記基板との間に形成された導電層並びに第１及び第２の配線と、
を有し、
前記バンクは、上面と、前記上面を挟む一対の側面と、を含み、
前記一対の側面は、前記基板に対して対称角度で傾斜してなる。本発明によれば、バンクが左右対称になっているので、バンクによって区画された領域に均一な膜を形成することができる。
（２）この配線基板において、
前記第１の配線は、前記第２の配線よりも前記基板に近い位置に形成され、前記第１及び第２の配線は、幅方向にずれるように配置され、
前記導電層は、前記第２の配線よりも前記基板に近い位置に形成され、前記導電層及び前記第２の配線は、幅方向にずれるように配置され、
前記導電層及び前記第１の配線は、それぞれ、反対の幅方向に前記第２の配線からはみ出す部分を有するように配置されてなる。これによれば、第２の配線の両側から、導電層及び第１の配線がはみ出すので、その上のバンクの左右非対称性を減らすことができる。
（３）この配線基板において、
前記導電層が前記第２の配線からはみ出す長さと、前記第１の配線が前記第２の配線からはみ出す長さと、が等しくてもよい。
（４）この配線基板において、
前記第２の配線は、前記一対の側面間の方向において、前記バンクの中央を通るように形成されていてもよい。
（５）この配線基板において、
前記バンクは、無機材料からなる第１のバンク部と、有機材料からなり前記第１のバンク部の上に形成される第２のバンク部と、を含み、
前記第２の配線は、前記一対の側面間の方向において、前記第１及び第２のバンク部のそれぞれの中央を通るように形成されていてもよい。
（６）この配線基板において、
前記基板には、凹部が形成され、
前記導電層及び前記第１の配線は、前記凹部内に前記基板の表面を超えない高さで配置されていてもよい。
（７）この配線基板において、
前記導電層は、キャパシタの一方の電極であってもよい。
（８）この配線基板において、
前記第１及び第２の配線は、それぞれ、信号線及び電源線であってもよい。
（９）この配線基板において、
前記第１の配線は、第１の駆動回路の一部を構成し、
前記導電層及び前記第２の配線は、第２の駆動回路の一部を構成してもよい。
（１０）本発明に係る電気光学装置は、上記配線基板と、
前記配線基板の前記バンクによって区画された前記複数の領域の各々に配置された機能層と、
を含む。
（１１）本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置を備えたものである。
（１２）本発明に係る電気光学装置の製造方法は、上記配線基板を作成すること、及び、
前記配線基板の前記バンクによって区画された前記複数の領域の各々に機能層材料を含む液体材料を配することにより機能層を形成すること、
を含む。本発明によれば、バンクが左右対称になっているので、液体材料を使用しても、均一な機能層を形成することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。

図１は、本発明の実施の形態に係る電気光学装置を説明する図である。図２は、図１のII−II線断面図である。電気光学装置１は、表示装置（例えば表示パネル）などの電気光学装置や記憶装置であってもよい。図１に示す電気光学装置１は、有機ＥＬ（Electroluminescence）装置（例えば有機ＥＬパネル）である。電気光学装置１には、配線基板（例えばフレキシブル基板）２が取り付けられ、電気的に接続されている。その取り付け及び電気的接続には、異方性導電フィルムや異方性導電ペーストなどの異方性導電材料を使用してもよい。電気的に接続とは、接触することも含む。このことは以下の説明でも同じである。配線基板２には、図示しない配線パターン及び端子が形成されている。配線基板２には、集積回路チップ（あるいは半導体チップ）３が実装されている。集積回路チップ３は、電源回路や制御回路等を有していてもよい。その実装には、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）又はＣＯＦ(Chip On Film)を適用してもよく、そのパッケージ形態は、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）であってもよい。集積回路チップ３が実装された配線基板２を有する電気光学装置１を電子モジュール（例えば、液晶モジュールやＥＬモジュール等の表示モジュール）ということができる。

電気光学装置１は、基板１０を有する。基板１０は、リジッド基板（例えばガラス基板、シリコン基板）であってもよいし、フレキシブル基板（例えばフィルム基板）であってもよい。基板１０は、光透過性を有していてもよいし、遮光性を有していてもよい。例えば、ボトムエミッション（又はバックエミッション）型の表示装置（例えば有機ＥＬパネル）では、光透過性の基板１０を使用し、基板１０の側から光を取り出してもよい。トップエミッション型の有機ＥＬパネルでは、遮光性の基板１０を使用してもよい。なお、基板１０は、プレート形状のものに限定されるものではなく、それ以外の形状であっても、他の部材を支持できるものを含む。

基板１０は、動作領域（例えば表示領域）１２を含む。動作領域１２には、複数の（例えば、ｍ行ｎ列（例えばマトリクス状）の）画素が形成されていてもよい。カラー表示装置では、１つのカラー表示用画素が、複数のサブ画素（Ｒ，Ｇ，Ｂ）から構成されていてもよい。

基板１０には、１つ又は複数の駆動回路（例えば走査線駆動回路）１４が設けられてもよい。駆動回路１４は、動作領域１２での動作（例えば表示動作）を駆動する。一対の駆動回路１４が動作領域１２の両隣に配置されていてもよい。基板１０には、補助回路１６が設けられてもよい。補助回路１６は、動作領域１２での動作（例えば表示動作）が正常になされるかどうかを検査するための検査回路であってもよいし、動作領域１２での動作速度（表示速度）を速めるためのプリチャージ回路であってもよい。駆動回路１４及び補助回路１６の少なくとも一方は、基板１０上にポリシリコン膜などを使用して形成されたものであってもよいし、基板１０上に実装された集積回路チップであってもよい。なお、基板１０の外部にある集積回路チップ３が、動作領域１２での動作駆動を制御するようになっていてもよい。

基板１０には、複数の動作素子２０が設けられている。複数の動作素子２０が設けられた領域が動作領域１２である。１つの画素（例えばサブ画素）に１つの動作素子２０が設けられている。図２に示すように、複数の動作素子２０は、複数の機能層２２を有する。複数の機能層２２は、複数の発光色（例えば赤、緑、青）の複数の発光層であってもよい。その場合、それぞれの機能層２２は、いずれか１つの発光色の発光層である。機能層２２としての発光層を構成する材料は、ポリマー系材料又は低分子系材料あるいは両者を複合的に用いた材料のいずれであってもよい。機能層２２としての発光層は、電流が流れることで発光する。機能層２２としての発光層は、発光色に応じて、発光効率が異なっていてもよい。なお、機能層２２は、機能層材料を含む液体材料を配すること（例えばインクジェット法などの液滴吐出法）により形成してもよい。バンク３０が左右対称になっているので、液体材料を使用しても、均一な厚みの複数の機能層２２を形成することができる。

動作素子２０は、第１及び第２のバッファ層２４，２６の少なくとも一方を有していてもよい。第１のバッファ層２４は、機能層２２への正孔注入を安定化させる正孔注入層であってもよいし、正孔注入層を有していてもよい。第１のバッファ層２４は、正孔輸送層を有していてもよい。正孔輸送層は、機能層２２と正孔注入層との間に設けられてもよい。第２のバッファ層２６は、機能層２２への電子注入を安定化させる電子注入層であってもよいし、電子注入層を有していてもよい。第２のバッファ層２６は、電子輸送層を有していてもよい。電子輸送層は、機能層２２と電子注入層との間に設けられてもよい。

隣同士の機能層２２は、バンク３０によって区画（電気的に絶縁）されている。図３は、バンクの平面図である。バンク３０は、複数の機能層２２を区画するようになっている。バンク３０は、格子状に形成されてもよい。バンク３０は、それぞれの機能層２２が形成される領域がくぼむように形成されている。バンク３０は、樹脂で形成してもよい。

バンク３０は、上面３１と、上面３１を挟む一対の側面３３，３５を含む。図２に示すように、一対の側面３３，３５は、基板１０（例えばその表面）に対して対称角度で傾斜している。すなわち、基板１０（例えばその表面）に対して、一対の側面３３，３５が、上面３１の側（バンク３０の内部側）においてなす角α，βが等しい。

バンク３０は、第１のバンク部３６を含んでもよい。第１のバンク部３６は、無機材料（例えば、ＳｉＯ_２，ＳｉＮ_Ｘ）から形成されていてもよい。第１のバンク部３６は、複数層（例えば、全ての第２の配線６２を連続的に覆うように形成された層の一部と、個々の第２の配線５２上に設けられた層）から形成されていてもよい。バンク３０は、第１のバンク部３６の上に形成された第２のバンク部３８を含んでもよい。第２のバンク部３８は、有機材料（例えばアクリル等の有機樹脂）から形成されていてもよい。

電気光学装置１は、複数の第１の電極３２を有する。それぞれの第１の電極３２は、いずれかの動作素子２０に電気エネルギーを供給するためのものである。第１の電極３２は、動作素子２０（例えば第１のバッファ層２４（例えば正孔注入層））に接触していてもよい。

電気光学装置１は、複数又は１つの第２の電極３４を有する。第２の電極３４は、動作素子２０に電気エネルギーを供給するためのものである。第２の電極３４は、動作素子２０（例えば第２のバッファ層２６（例えば電子注入層））に接触していてもよい。第２の電極３４は、第１の電極３２に対向する部分を有する。複数の第１の電極３２、複数又は１つの第２の電極３４からなる一対の電極は、少なくとも複数の機能層２２の各々をはさんでなる。第２の電極３４は、第１の電極３２の上方に配置されてもよい。

基板１０には、半導体膜４０が形成されていてもよい。図４は、半導体膜の平面図である。半導体膜４０は、半導体材料（例えばシリコン）で形成してもよい。半導体膜４０は、単結晶、多結晶又は非晶質のいずれの構造を有していてもよい。半導体膜４０は、公知の低温（例えば６００℃以下）プロセスで形成された、いわゆる低温多結晶シリコン膜又は非晶質シリコン膜であってもよい。半導体膜４０は、ベース膜４２を有する。ベース膜４２には、Ｎ形又はＰ形の不純物が拡散されていてもよい。半導体膜４０は、不純物拡散膜４４を有する。不純物拡散膜４４は、ベース膜４２よりも高濃度の不純物が注入されていてもよい。不純物拡散膜４４は、ベース膜４２の領域内に形成されている。不純物拡散膜４４は、ベース膜４２となる部分及び不純物拡散膜４４となる部分を含む前駆膜に不純物を注入して形成してもよい。不純物拡散膜４４の少なくとも一部は、ＭＯＳ ＦＥＴのソース又はドレインとなってもよいし、キャパシタ８８（図７参照）などの電子部品の電極となってもよい。

電気光学装置１は、複数層からなる配線層を有する。図５は、複数層からなる配線層の１つの層に位置する配線パターンを説明する図である。配線パターン５０は、絶縁層（例えば、ＳｉＯ_２等の酸化膜）４６（図２参照）を介して、半導体膜４０上に形成されていてもよい。配線パターン５０は、導電層５２を含む。導電層５２は、絶縁層４６を介して、半導体膜４０（例えば、その不純物拡散膜４４）に対向するように形成されていてもよい。導電層５２は、電気的に複数の箇所を接続する配線であってもよいし、電極（又は端子）であってもよいし、一部が配線であり他の一部が電極になっていてもよい。導電層５２は、キャパシタ８８（図７参照）の一方の電極であってもよい。導電層５２は、図２及び図３に示すように、バンク３０の下に形成されている。導電層５２は、一対の機能層２２の間に形成されている。表示装置においては、導電層５２は画素間に形成されている。

配線パターン５０は、第１の配線５４を含む。第１の配線５４は、導電層５２と並んで延びていてもよい。第１の配線５４は、図２及び図３に示すように、バンク３０の下に形成されている。第１の配線５４は、一対の機能層２２の間を通るように形成されている。表示装置においては、第１の配線５４は画素間を通る。第１の配線５４は、その長さ方向において隣の第１の配線５４と電気的に接続されて、例えば、機能層２２を駆動するための信号線を構成してもよい。また、図７では第１の配線５４は信号線として示したが、第１の配線５４は、機能層２２を駆動するための走査線もしくは電源線であってもよい。

図６は、複数層からなる配線層の他の層に位置する配線パターンを説明する図である。上述した配線パターン５０の上に、絶縁層５６（図２参照）を介して、配線パターン６０が形成されていてもよい。配線パターン６０は、第２の配線６２を含む。第２の配線６２は、図２及び図３に示すように、バンク３０の下に形成されている。第２の配線６２は、バンク３０の一対の側面３３，３５間の方向において、バンク３０の中央を通るように形成されてもよい。その場合、バンク３０は、第２の配線６２から側面３３の方向へはみ出す長さ（平面的長さ）と、第２の配線６２から側面３５の方向へはみ出す長さ（平面的長さ）が等しくなる。さらに、第２の配線６２は、バンク３０の一対の側面３３，３５間の方向において、第１のバンク部３６の中央を通るように形成されてもよく、第２のバンク部３８の中央を通るように形成されてもよい。その場合、第１のバンク部３６（又は第２のバンク部３８）は、第２の配線６２から側面３３の方向へはみ出す長さ（平面的長さ）と、第２の配線６２から側面３５の方向へはみ出す長さ（平面的長さ）が等しくなる。

第２の配線６２は、一対の機能層２２の間を通るように形成されている。表示装置においては、第２の配線６２は画素間を通る。第２の配線６２は、機能層２２を駆動するための電源線であってもよい。また、図７では第２の配線６２は電源線として示したが、第２の配線６２は、機能層２２を駆動するための走査線もしくは信号線であってもよい。配線パターン６０は、隣同士の第１の配線５４を、その長さ方向に接続する配線６４を有していてもよい。

図２に示すように、導電層５２並びに第１及び第２の配線５４，６２は、バンク３０の下に並列して形成されている。第１の配線５４は、隣同士（並列する導電層５２並びに第１及び第２の配線５４，６２を挟んで隣同士。以下、同様。）の機能層２２，２２の一方（例えば第１の機能層）の駆動回路の一部を構成し、導電層５２は、隣同士の機能層２２，２２の他方（例えば第２の機能層）の駆動回路の一部を構成する。その場合、第２の配線６２は、隣同士の機能層２２，２２の他方（例えば第２の機能層）の駆動回路の一部を構成する。並列する導電層５２及び第２の配線６２は、同じ機能層２２の駆動回路の一部を構成する。

導電層５２は、第２の配線６２よりも低い（基板１０に近い）位置に形成されている。第１の配線５４は、第２の配線６２よりも低い（基板１０に近い）位置に形成されている。図２及び図３に示すように、第１及び第２の配線５４，６２は、幅方向にずれるように配置されている。導電層５２及び第２の配線６２は、幅方向にずれるように配置されている。導電層５２及び第１の配線５４は、それぞれ、反対の幅方向に第２の配線６２からはみ出す部分を有するように配置されている。導電層５２が第２の配線６２からはみ出す長さＬ_１と、第１の配線５４が第２の配線６２からはみ出す長さＬ_２と、が等しくなっていてもよい。

例えば、第１及び第２の配線５４，６２が、図２において右揃いで配置されると、第２の配線６２の右端の高さと、その右隣りに位置する絶縁層５６の高さの差が大きくなってしまい、第２の配線６２及び絶縁層５６上の絶縁膜に比較的大きな凹凸ができることがある。本実施の形態によれば、第１及び第２の配線５４、６２を幅方向にずらし、導電層５２及び第２の配線６２を幅方向にずらすことによって、第１及び第２の配線５４、６２並びに導電層５２上の絶縁膜の凹凸を少なくすることができ、その結果、バンク３０の左右非対称性を減らすことができる。

また、本実施の形態によれば、第２の配線６２の両側から、導電層５２及び第１の配線５４がはみ出すので、その上のバンク３０の左右非対称性を減らすことができる。その結果、機能層２２の膜厚の不均一性を減らすことができる。また、導電層５２の上方に第２の配線６２を形成するので、第２の配線６２を第１の配線５４から離すことができる。そして、第１及び第２の配線５４，６２間に形成されるキャパシタを小さく、あるいは無くすことができる。

図１及び図２に示すように、電気光学装置１は、動作素子２０の封止部材６６を有する。動作素子２０の少なくとも一部が水分や酸素等によって劣化しやすい場合には、封止部材６６によって動作素子２０を保護することができる。

図７は、本実施の形態に係る電気光学装置の動作を説明する回路図である。電気光学装置１は、図７に示す回路に対応する素子を有する。素子は、動作素子２０ごとに設けられる。回路構成（素子の接続状態）は、図７に示す通りであり説明を省略する。本実施の形態では、第１の配線５４には、信号電圧Ｖ_dataが供給されるようになっている。信号電圧Ｖ_dataは、動作素子２０に供給する電流に応じた信号である。第２の配線６２に電源電圧Ｖ_ddが供給される。配線（走査線）７１，７２には、相互に反対の選択信号が入力される。選択信号は、高電位のＨ信号又は低電位のＬ信号である。

プログラミング期間では、配線７１にＨ信号が入力され、配線７２にＬ信号が入力される。そして、スイッチング素子８０がＯＮになり、第１及び第２の配線５４，６２間の電位差に応じて、スイッチング素子８０，８６を通って電流が流れる。その電流に応じたスイッチング素子８６の制御電圧（スイッチング素子８６がＭＯＳトランジスタである場合はゲート電圧）が、キャパシタ８８に蓄えられる。なお、キャパシタ８８は、図５に示すように、導電層５２と、不純物拡散膜４４と、両者間の絶縁層４６と、を含む。

動作期間（例えば発光期間）では、配線７１にＬ信号が入力され、配線７２にＨ信号が入力される。そして、スイッチング素子８０，８４はＯＦＦになり、スイッチング素子８２がＯＮになる。その結果、プログラミング期間でキャパシタ８８に蓄えられた電荷に応じた制御電圧（スイッチング素子８６がＭＯＳトランジスタである場合はゲート電圧）によってスイッチング素子８６が制御（例えばＯＮ）され、制御電圧に応じた電流が、第２の配線６２からスイッチング素子８６，８２を通って、動作素子２０（又は機能層２２）を流れるようになっている。

図８は、本発明の実施の形態に係る電気光学装置の変形例を説明する図である。この変形例では、基板１０に凹部（又は彫り込み）１１２が形成されている。凹部１１２は、エッチングで形成することができる。凹部１１２内に、導電層５２及び第１の配線５４が形成されている。導電層５２及び第１の配線５４は、基板１１０の表面を超えない高さで（例えば凹部１１２の深さよりも薄く）形成されていてもよい。また、半導体膜４０も、凹部１１２内に形成されている。絶縁層４６は、凹部１１２の内面にも形成されている。

導電層５２及び第１の配線５４は、絶縁層１５６にて覆われてもよい。絶縁層１５６は、凹部１１２において、導電層５２及び第１の配線５４の周囲のスペースを埋めるように形成される。絶縁層１５６は、導電層５２及び第１の配線５４を覆ってもよい。その場合、絶縁層１５６の上面は、基板１１０あるいはその上の絶縁層４６の表面と面一であってもよい。こうすることで、導電層５２及び第１の配線５４の形状（バンク３０に対して左右非対称の形状）にかかわらず、バンク３０を左右対称の形状に形成することができる。

その他の内容は、上述した実施の形態で説明した内容が該当する。図８の変形例によれば、凹部１１２内に導電層５２及び第１の配線５４を形成するので、装置の薄型化が可能である。別の変形例として、絶縁層１５６の上面が基板１１０あるいはその上の絶縁層４６の表面と面一であれば、動作素子２０を導電層５２及び第１の配線５４の少なくとも一部と重ね合せることができる。動作素子２０の占有面積を図２の場合と比較して広くすることができるため、高輝度の電気光学装置を実現できる。

本発明の実施の形態に係る電気光学装置を有する電子機器として、図９にはノート型パーソナルコンピュータ１０００が示され、図１０には携帯電話２０００が示されている。

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

図１は、本発明の実施の形態に係る電気光学装置を説明する図である。 図２は、図１のII−II線断面図である。 図３は、バンクの平面図である。 図４は、半導体膜を示す図である。 図５は、複数層からなる配線層の１つの層に位置する配線パターンを説明する図である。 図６は、複数層からなる配線層の他の層に位置する配線パターンを説明する図である。 図７は、本発明の実施の形態に係る電気光学装置の動作を説明する回路図である。 図８は、本発明の実施の形態に係る電気光学装置の変形例を説明する図である。 図９は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。 図１０は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。

符号の説明

１ 電気光学装置、 ２ 配線基板、 ３ 集積回路チップ、 １０ 基板、
１２ 動作領域、 １４ 駆動回路、 １６ 補助回路、 ２０ 動作素子、
２２ 機能層、 ２４ 第１のバッファ層、 ２６ 第２のバッファ層、
３０ バンク、 ３１ 上面、 ３２ 第１の電極、 ３３ 側面、
３４ 第２の電極、 ３５ 側面、 ３６ 第１のバンク部、
３８ 第２のバンク部、 ４０ 半導体膜、
４２ ベース膜、 ４４ 不純物拡散膜、 ４６ 絶縁層、 ５０ 配線パターン、
５２ 導電層、 ５４ 第１の配線、 ６０ 配線パターン、 ６２ 第２の配線、
６４ 配線、 ６６ 封止部材、 ７１ 配線、 ７２ 配線、
８０，８２，８４，８６ スイッチング素子、 ８８ キャパシタ、
１１０ 基板、 １１２ 凹部

Claims (12)

1. 基板と、
   前記基板の上方に設けられ、複数の領域を区画するためのバンクと、
   前記バンクと前記基板との間に形成された導電層並びに第１及び第２の配線と、
   を有し、
   前記バンクは、上面と、前記上面を挟む一対の側面と、を含み、
   前記一対の側面は、前記基板に対して対称角度で傾斜してなる配線基板。
2. 請求項１記載の配線基板において、
   前記第１の配線は、前記第２の配線よりも前記基板に近い位置に形成され、前記第１及び第２の配線は、幅方向にずれるように配置され、
   前記導電層は、前記第２の配線よりも前記基板に近い位置に形成され、前記導電層及び前記第２の配線は、幅方向にずれるように配置され、
   前記導電層及び前記第１の配線は、それぞれ、反対の幅方向に前記第２の配線からはみ出す部分を有するように配置されてなる配線基板。
3. 請求項２記載の配線基板において、
   前記導電層が前記第２の配線からはみ出す長さと、前記第１の配線が前記第２の配線からはみ出す長さと、が等しい配線基板。
4. 請求項２又は請求項３記載の配線基板において、
   前記第２の配線は、前記一対の側面間の方向において、前記バンクの中央を通るように形成されてなる配線基板。
5. 請求項４記載の配線基板において、
   前記バンクは、無機材料からなる第１のバンク部と、有機材料からなり前記第１のバンク部の上に形成される第２のバンク部と、を含み、
   前記第２の配線は、前記一対の側面間の方向において、前記第１及び第２のバンク部のそれぞれの中央を通るように形成されてなる配線基板。
6. 請求項４又は請求項５記載の配線基板において、
   前記基板には、凹部が形成され、
   前記導電層及び前記第１の配線は、前記凹部内に前記基板の表面を超えない高さで配置されてなる配線基板。
7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の配線基板において、
   前記導電層は、キャパシタの一方の電極である配線基板。
8. 請求項１から請求項７のいずれかに記載の配線基板において、
   前記第１及び第２の配線は、それぞれ、信号線及び電源線である配線基板。
9. 請求項１から請求項８のいずれかに記載の配線基板において、
   前記第１の配線は、第１の駆動回路の一部を構成し、
   前記導電層及び前記第２の配線は、第２の駆動回路の一部を構成する配線基板。
10. 請求項１から請求項９のいずれかに記載の配線基板と、
    前記配線基板の前記バンクによって区画された前記複数の領域の各々に配置された機能層と、
    を含む電気光学装置。
11. 請求項１０に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
12. 請求項１から請求項９のいずれかに記載の配線基板を作成すること、及び、
    前記配線基板の前記バンクによって区画された前記複数の領域の各々に機能層材料を含む液体材料を配することにより機能層を形成すること、
    を含む電気光学装置の製造方法。

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