JP2002208491A

JP2002208491A - 自己発光型表示装置

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Publication number: JP2002208491A
Application number: JP2001342820A
Authority: JP
Inventors: Yasumasa Goto; 康正後藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-11-09
Filing date: 2001-11-08
Publication date: 2002-07-26
Anticipated expiration: 2021-11-08
Also published as: JP3943900B2

Abstract

(57)【要約】【課題】光出射面への光の取り出し効率を向上させる
ことのできる有機自己発光型表示装置を提供する。【解決手段】島状に形成された複数の第１電極と、第
１電極に対向して配置される第２電極と、第１電極及び
第２電極間に保持され、少なくとも有機発光層を含む有
機薄膜層を備えた複数の表示画素をマトリクス状に配置
し、第１及び第２電極のいずれか一方を光出射面とする
有機自己発光型表示装置において、第１又は第２電極の
うち、有機薄膜層を介して出射面と対向配置される側の
電極の形成面が、個々の表示画素の端辺において、光出
射面に対して、鋭角をなすよう形成されることを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自己発光型表示装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】画素の光変調層として発光ダイオード、
液晶、有機ＥＬ（Electro Luminescence）等を用いた表
示装置は、表示部の薄型化が可能であるため、事務機器
やコンピュータ等の表示装置に限らず、その適用範囲を
拡大する傾向にある。これらの表示装置の中で、有機Ｅ
Ｌを用いた有機自己発光型表示装置はＬＣＤ（液晶表示
装置）と比較して次のａ〜ｄ項に示す利点を有してい
る。

【０００３】ａ．自己発光型であるため、鮮明な表示と
広い視野角が得られ、さらに、バックライトが不要にな
ることから低消費電力化、軽量化及び薄型化が可能であ
る。ｂ．応答速度が速く、例えば、ＬＣＤではミリ秒（mse
c）のオーダであるのに対して有機自己発光型表示装置
ではマイクロ秒（μsec）のオーダである。ｃ．固層による発光であるため、使用温度範囲が広がる
可能性がある。

【０００４】これらの利点のために、その開発が盛んに
進められている。特に、多結晶シリコンを用いたＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）と組み合わせることにより、高精
細表示が可能なアクティブマトリクス構成とした多結晶
シリコンＴＦＴ型有機自己発光型パネルの研究開発が盛
んに行われている。

【０００５】図７はこの種の従来の有機自己発光型表示
装置を構成するアレイ基板の概略断面図を示す。陽極１
０９及び陰極１１５間に有機発光層１１３を含む有機薄
膜層が保持され、この有機発光層１１３に電子及び正孔
を注入して再結合させることにより、励起子を生成し、
これが失活する際の光の放出を利用して発光する。

【０００６】有機自己発光型表示装置は、図７に示すよ
うに、多結晶シリコン層１０３、ゲート絶縁膜１０４、
ゲート電極１０５及びソース・ドレイン電極１０７でな
る駆動ＴＦＴに接続された陽極１０９上を開口するパッ
シベーション膜１１０及び隔壁絶縁膜１１１が形成され
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来、有機自己発光型
表示装置の発光強度は、ＬＣＤの発光強度（１００〜１
５０ｎｔ）の約半分であった。また、隣接画素間でのク
ロストークの発生、特にカラー表示に際してはＲ，Ｇ，
Ｂの各色が形成される表示画素の隣接画素間で、色が混
ざりコントラストが低下していた。

【０００８】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであって、光出射面への光の取り出し効率
を向上させることのできる自己発光型表示装置を提供す
ることを目的とする。また、この発明は隣接画素間での
クロストークが抑えられた自己発光型表示装置を提供す
ることを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
島状に形成された複数の第1電極と、前記第1電極に対向
配置される第2電極と、前記第１および第2電極間に保持
され、少なくとも発光層を含む自己発光部を備えた複数
の表示画素をマトリクス状に配置し、前記第1および第2
電極のいずれか一方を光出射面とする自己発光表示装置
において、一表示画素から隣接する他の表示画素に向か
う光を前記光出射面側に取り出す光反射面を前記一表示
画素と前記他の表示画素間に設けたことを特徴とする。
請求項２に係る発明は、請求項１記載の自己発光型表示
装置において、前記第1電極をそれぞれ電気的に絶縁す
る隔壁をさらに備え、前記第１又は第２電極のうち、前
記発光層を介して前記光出射面と対向配置される側の電
極の形成面が、個々の前記表示画素の端辺に形成された
前記隔壁の開口の傾斜角により、光出射面に対して鋭角
をなす前記光反射面を形成することを特徴とする。

【００１０】請求項３に係る発明は、請求項２記載の自
己発光型表示装置において、第２電極は、複数の表示画
素に亘って、連続して形成されることを特徴とする。

【００１１】請求項４に係る発明は、請求項２記載の自
己発光型表示装置において、光出射面と対向配置される
側の電極の形成面が、個々の表示画素の端辺全周におい
て、光出射面に対して、鋭角をなすよう形成されること
を特徴とする。

【００１２】請求項５に係る発明は、請求項２記載の自
己発光型表示装置において、複数の第１電極は、それぞ
れ隔壁絶縁膜により電気的に絶縁されており、隔壁絶縁
膜を覆う全面に第２電極が形成され、表示画素端辺の隔
壁絶縁膜に形成された開口の傾斜角により、第２電極が
個々の表示画素の端辺において、光出射面に対して、鋭
角をなすよう形成されることを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の
第１の実施形態を示す有機自己発光型表示装置の概略平
面図、図２はその概略断面図を示す。この自己発光型表
示装置の表示領域は、図３（ａ）に拡大図を示すように
マトリクス状に配置された複数の表示画素１より構成さ
れており、図３（ｂ）は１表示画素分の概略平面図であ
り、また、図４（ａ）は１表示画素分の概略断面図、図
４（ｂ）はその特徴部分の拡大断面図である。

【００１４】有機自己発光型表示装置は、表示画素が構
成されたアレイ基板と、アレイ基板に対向配置される対
向基板とが、窒素雰囲気中で封止されて構成される。本
実施形態において、表示面はアレイ基板側で、光は陽極
を介して外部に取り出される。

【００１５】アレイ基板は、図１に示すように、表示画
素がマトリクス状に形成される表示領域１２０と、基板
の２辺に配置されるＸ方向駆動回路１２１、Ｙ方向駆動
回路１２３を備えた周辺領域とから構成され、各表示画
素は、図５に示すように、ソースが信号線４１に接続さ
れ、ゲートがゲート線４３に接続されて表示画素を選択
する画素スイッチである画素ＴＦＴ４４と、画素ＴＦＴ
４４のドレインにゲートが接続され、ソースが電流供給
線４２に接続された駆動素子である駆動ＴＦＴ４５から
供給された電流により発光する表示素子４６とを備えて
構成される。

【００１６】図４（ａ）には各表示画素の一部概略断面
図を示す。ここで図示されるＴＦＴは、駆動ＴＦＴであ
り、表示画素部の一部略縦断面図である。図４（ａ）に
おいて、光透過性を有する基板１０１にアンダーコート
層１０２が積層され、このアンダーコート層１０２上に
島状に形成された多結晶シリコン層１０３はソース領域
１０３a、チャネル領域１０３ｂ、ドレイン領域１０３
ｃに区画されている。この多結晶シリコン層１０３を含
めたアンダーコート層１０２の全面にゲート絶縁膜１０
４が成膜され、多結晶シリコン層１０３のチャネル領域
１０３ｂに対応する位置にゲート絶縁膜１０４を介して
ゲート電極１０５が形成されている。また、多結晶シリ
コン層のソース領域１０３a、ドレイン領域１０３ｂに
それぞれ接続されるソース電極及びドレイン電極は、層
間絶縁膜１０６によりゲート電極と電気的に絶縁されて
いる。この層間絶縁膜１０６上の所定の画素領域に透明
部材、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）でなる陽極
１０９が島状に形成され、ドレイン電極と電気的に接続
されている。

【００１７】そして、この陽極上を開口した無機材料で
なるパッシベーション膜１１０、有機材料からなる隔壁
絶縁膜１１１が形成され、少なくとも有機発光層１１３
を備えた有機薄膜層が陽極上に積層され、この有機薄膜
層を介して陽極と対向して陰極１１５が複数の画素に亘
って、連続して形成されている。有機薄膜層は、例え
ば、陽極バッファ層１１２、有機発光層１１３及び陰極
バッファ層１１４で構成され、陽極バッファ層１１２及
び陰極バッファ層１１４は、無機材料又は有機材料の積
層膜で構成される。

【００１８】隔壁絶縁膜１１１は、図３（ｂ）、図４
（ａ）及び（ｂ）に示すように、隣接表示画素間に開口
を有する。つまり、各表示画素の縁端よりも内側の全周
に亘って隔壁絶縁膜１１１の開口（斜線領域）３１が形
成され、この開口３１は隔壁絶縁膜の陽極１０９側の壁
面を基板に対して鋭角（θ＜９０°）に、好ましくは４
５度以上に傾斜して形成される。これによって、横方向
に進む光すなわち図４中の光成分Ｐ2，Ｐ3を、金属膜で
なる陰極１１５で屈折させて表示面方向に進ませるた
め、表示パネルの発光強度が高められる。

【００１９】以下、本実施形態に係る有機自己発光型表
示装置の製造方法について説明する。

【００２０】最初に、ガラス基板１０１を用意し、この
ガラス基板１０１の一主面に、例えば、膜厚が５０ｎｍ
のＳｉＮｘと膜厚が１００ｎｍのＳｉＯｘとを積層して
なるアンダーコート層１０２を形成し、続いて、アンダ
ーコート層１０２上に、例えば、膜厚５０ｎｍの多結晶
シリコン層１０３を形成し、これをパターニングするこ
とによって薄膜トランジスタの島領域を形成する。

【００２１】次に、多結晶シリコン層１０３を含めたア
ンダーコート層１０２の全面に、例えば、膜厚が１４０
ｎｍのＳｉＯｘでなるゲート絶縁膜１０４を成膜し、さ
らに、ゲート絶縁膜１０４上に、膜厚が３００ｎｍのＭ
ｏＷを堆積すると共に、これをパターニングすることに
よってゲート電極１０５を形成する。

【００２２】次に、ゲート絶縁膜１０４上からゲート電
極１０５をマスクとしてイオン注入を行うことによっ
て、多結晶シリコン層１０３のゲート電極の下部に位置
する領域をチャネル領域としてその両側にソース領域及
びドレイン領域を形成する。

【００２３】次に、ゲート電極１０５を含めたゲート絶
縁膜１０４の全面に、例えば、膜厚が６６０ｎｍのＳｉ
Ｏｘでなる層間絶縁膜１０６を成膜し、続いて、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）を成膜し、このＩＴＯをパターニ
ングすることによって、所定の領域に広がった島状の第
1電極として陽極１０９を形成する。

【００２４】次に、層間絶縁膜１０６及びゲート絶縁膜
１０４を貫きソース領域、ドレイン領域に達する孔を開
け、この孔に金属膜、例えば、膜厚５０ｎｍのＭｏと膜
厚４５０ｎｍのＡｌと膜厚１００ｎｍのＭｏの積層膜を
埋め込むことにより、ソース・ドレイン電極１０７を形
成する。これによって、陽極１０９が駆動ＴＦＴのドレ
インに接続される。

【００２５】次に、陽極１０９の表面を含む層間絶縁膜
１０６上に、例えば、膜厚４５０ｎｍのＳｉＮｘでなる
パッシベーション膜１１０を成膜し、陽極１０９の表面
が露呈する開口を設ける。さらに、陽極１０９の露呈面
及びパッシベーション膜１１０上に、絶縁性の隔壁絶縁
膜１１１を設け、矢印Ｍで示した部位、すなわち、陽極
１０９の表面を露呈させる第１の開口を設けると共に、
矢印Ｓで示した部位、すなわち、表示画素の縁端の内側
に第２の開口を形成する。この隔壁絶縁膜１１１の開口
は陽極１０９の端部を覆うように設けられ、後述する陰
極との短絡を防止する。また、矢印Ｓで示した部位の開
口は、図４（ｂ）に示したように、隔壁絶縁膜１１１の
陽極１０９側の壁面１１１Ｆが基板に対して鋭角に、例
えば、θ＝４５°に傾斜させている。

【００２６】次に、陽極１０９表面を含む隔壁絶縁膜１
１１上に、正孔輸送層、正孔注入層等を膜厚１１０nmに
積層してなる陽極バッファ層１１２を堆積した後、膜厚
３０nmの有機発光層１１３を積層し、さらに、電子注入
層等よりなる膜厚３０nmの陰極バッファ層１１４を堆積
した後、全面に陰極１１５を形成する。

【００２７】この結果、有機発光層１１３から放射され
る光成分Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3のうち、光成分Ｐ1は直接表示面
方向に進み、光成分Ｐ2，Ｐ3は隔壁絶縁膜１１１を通し
て横方向に進み、矢印Ｓで示した隔壁絶縁膜１１１の開
口の陽極１０９側の壁面における陰極１１５によって表
示面方向に屈折せしめられ、表示パネルの発光強度を高
めることになる。

【００２８】なお、表示画素間には図示したように配線
１０８が配置されることがあり、この構造では配線１０
８よりも内側に光成分Ｐ2，Ｐ3を屈折させる傾斜面を設
けることが望ましい。

【００２９】また、本実施形態では光成分Ｐ2，Ｐ3を屈
折させる傾斜面を基板面に対して４５度としたが発光強
度を高めるという観点では９０°より小さい鋭角にする
だけでもかなりの効果が得られる。

【００３０】ところで、上記の実施形態中、図４（ａ）
又は図４（ｂ）の矢印Ｓに示した部分に着目すると、光
成分Ｐ３は隔壁絶縁膜１１１を抜けてから、陽極バッフ
ァ層１１２を介して陰極１１５で反射され、表示面方向
に向かう。この構成によれば陽極バッファ層１１２の吸
収係数（吸光係数）に従って光成分Ｐ３は減衰されて表
示面方向に進むため、表示パネルの発光強度を高めると
いう観点では効率が低下する。これを防ぐためには、矢
印Ｓで示す隔壁絶縁膜１１１の開口の傾斜した壁面１１
１Ｆに陰極１１５を直接被着すれば、光成分Ｐ３に対す
る陽極バッファ層１１２による２回に亘る減衰作用を回
避することができる。

【００３１】図６はこの点に着目してなされた本発明に
係る有機自己発光型表示装置の第２の実施形態の表示画
素の縦断面図である。図６中、図４と同一の要素には同
一の符号を付してその説明を省略する。これは第１の実
施形態と同様に、隔壁絶縁膜１１１に開口を形成する際
に、矢印Ｓで示した部位にも陽極１０９側の壁面１１１
Ｆが例えば略４５度をなすような第２の開口を形成す
る。ここに示した表示画素１１Ａは、前述の第１の開
口、つまり、陽極１０９上の隔壁絶縁膜で囲まれる領域
に、陽極バッファ層１１２、有機発光層１１３、陰極バ
ッファ層１１４が形成され、これらを覆う全面に陰極１
１５が形成されている。従って、矢印Ｓで示した部位で
略４５度に傾斜する隔壁絶縁膜１１１の壁面１１１Ｆに
は陰極１１５が直接被着される。

【００３２】このように、構成することによって、有機
発光層１１３から横方向に進む光成分Ｐ3（及びＰ2）は
隔壁絶縁膜１１１の傾斜面で陰極１１５により直接反射
されるため、前述した陽極バッファ層１１２によって減
衰されることがなくなり、図２に示した実施形態よりも
表示パネルの発光強度を高めることができる。

【００３３】以上のように、有機自己発光型表示装置の
隔壁絶縁膜の隣接表示画素間に開口を設け、この隔壁絶
縁膜の開口の壁面を光り出射面に対して鋭角となるよう
に形成するので、表示画素内で、光出射面と平行な方向
に漏れていた光を効率よく取り出すことが可能となる。

【００３４】つまり、有機発光層を介して光出射面と対
向する側の電極を高反射率の部材で形成し、この電極が
個々の表示画素の端部において光出射面と鋭角を成すよ
うに形成されるので、有機発光層からの発光光を効率よ
く光出射面側に取り出すことができる。

【００３５】また、この開口を個々の表示画素の縁端内
側全面に亘って形成すれば、隣接画素間への光漏れを防
止することが可能となり、クロストークを抑え、コント
ラストを向上させ、また、カラー表示の場合には隣接画
素間の混色を防止することができる。

【００３６】全体構成を把握するために示した図１は、
図４又は図６に示した表示画素を３個並設して画素１を
構成し、さらに、これらの画素１をマトリクス状に多数
個配置して表示領域１２０とした有機自己発光パネルア
レイ１００の平面図である。この場合、表示領域１２０
に対してガラス基板１０１は縦横両方とも寸法が大きく
形成され、特に図面の右側及び下側に大きくはみ出さ
せ、このうち、右側にＸ方向駆動回路１２１が搭載され
ると共に、各画素から導出される配線１２２に接続さ
れ、下側にＹ方向駆動回路１２３が搭載されると共に、
各画素から導出される配線１２４に接続される。

【００３７】さらに、図２は、図１に示した有機自己発
光パネルアレイ１００を構成要素として組立てられた有
機自己発光パネルの縦断面図であり、有機自己発光パネ
ルアレイ１００の表示領域１２０、Ｘ方向駆動回路１２
１及びＹ方向駆動回路１２３を取り囲むように、その縁
端部に封止部材１３１が設けられている。この封止部材
１３１上に、その内面に、例えば、ゼオライトやＢａＯ
等の乾燥剤１３２を塗着してなるガラス基板１３３が装
着され、さらに、内部に乾燥窒素が充填される。これに
よって図面の下方が表示面となる有機自己発光パネル２
００が構成される。そして、この有機自己発光パネル２
００によって有機自己発光型表示装置を構成することが
できる。

【００３８】上記第１および第2の実施形態における有
機発光層は例えばAlq₃等の低分子系の有機発光材料を用
いて蒸着等により構成される。

【００３９】次に第3の実施形態について説明する。図
９は、本発明の第3の実施形態に係る有機自己発光表示
装置のアレイ基板の概略断面図である。本実施形態にお
いては、有機発光層１１３は例えばポリフルオレン等の
高分子系の有機発光材料を用いてインクジェット法によ
りＲ，Ｇ，Ｂに対応して形成される。つまり、高分子系
の有機発光材料を順次吐出し、第1電極である陽極１０
９上の隔壁絶縁膜１１１の開口に対応する位置に膜厚３
０nmの陽極バッファ層１１２を介して有機発光層１１３
が選択的に形成される。本実施形態においては、有機発
光層１１３は例えば膜厚８０nmに形成される。このよう
に高分子系の有機発光材料を用いて有機発光層１１３を
形成することにより、アレイ基板の基板サイズの設計変
更に対して容易に対応することができる。また、必要な
箇所にのみ選択的に発光材料を吐出することができるの
で、材料利用効率が改善される。

【００４０】次に第4の実施形態について説明する。図
９は、本願発明の第4の実施形態に係る有機自己発光表
示装置のアレイ基板の概略断面図である。本実施形態
は、駆動TFT（駆動素子）４５と接続する第１電極、こ
こでは陽極１０９が絶縁膜１１６を介して駆動TFT４５
のドレイン電極１０７ｂと接続するものである。このよ
うに信号線４１、TFT４４，４５上に絶縁膜１１６を介
して第１電極を配置するので、第１乃至３の実施形態の
ように信号線４１と第１電極とが同一平面上に配置され
る場合と比し、第１電極の配置位置の自由度を向上させ
ることができ、また発光面積を増大させることも可能と
なる。

【００４１】また、各表示画素１は上記構造に限定され
ず、例えば図１０に示すようにX方向駆動回路１２１か
ら供給される走査信号に基づき、Y方向駆動回路１２３
から供給される映像信号が書き込まれる表示画素を選択
する画素スイッチ４４と、画素スイッチ４４を介して信
号線４１から書き込まれた映像信号を１水平走査期間保
持する第１コンデンサ４７と、映像信号に基づく駆動電
流を表示素子４６に供給する駆動素子４５と、リセット
回路４８とから構成されてもよい。

【００４２】ここで画素スイッチ４４は例えばｎ型TFT
により構成され、駆動素子４５はｐ型TFTにより構成さ
れる。また、リセット回路４８は、画素スイッチのドレ
イン-駆動素子のゲート間に配置される第2コンデンサ４
８aと、駆動素子４５のゲート-ドレイン間に配置される
第1スイッチ４８ｂと、駆動素子４５のドレインと表示
素子４６の第1電極間に配置される第2スイッチ４８ｃと
から構成される。

【００４３】尚、ここでは表示素子とは第1電極、第1電
極に対向配置される第2電極、第1電極および第2電極間
に保持される自己発光部で構成される積層体をいう。
尚、自己発光部（有機薄膜層）は、各色共通に形成され
る陽極バッファ層、陰極バッファ層、及び各色毎に形成
される発光層の３層積層で構成されてもよく、機能的に
複合された２層または単層で構成されてもよい。

【００４４】また、上述の実施形態においては、陽極を
透明電極として光出射面側に、陰極を光反射電極として
非光出射面側に配置したが、陰極を光透過性を有する導
電膜で形成して光出射面側に、陽極を導電膜と金属層と
の積層構造にするなどして非光出射面側に配置してもよ
い。

【００４５】また、上述の実施形態においては、TFT等
の配置されたアレイ基板を介して外部に光を取り出す方
式の自己発光表示装置について説明したが、第2電極を
光透過性を有する導電膜で形成し、第2電極を介して外
部に光を取り出すものであってもよく、いずれの場合も
一表示画素から隣接する他の表示画素に向かう光を光出
射面側に取り出す光出射面を一表示画素と他の表示画素
との間に設けることが重要である。また、上述の実施形
態においては、隔壁絶縁膜の開口は各表示画素の全周に
わたって形成される場合について説明したが、これに限
定されず表示画素の列方向に沿ってストライプ状に形成
してもよい。特にカラー表示の場合には、R,G,Bの各色
がストライプ状に形成されていれば隣接画素間の混色を
抑制することができる。

【００４６】また、自己発光表示装置として有機自己発
光装置のうちエレクトロルミネセンス表示装置を例にと
り説明したがこれに限定されない。

【００４７】

【発明の効果】以上の説明によって明らかなように、本
発明によれば、光出射面への光の取り出し効率を向上さ
せることのできる自己発光型表示装置を提供することが
できる。また、本発明によれば隣接画素間でのクロスト
ークが抑えられた自己発光型表示装置を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る有機自己発光型表示装置の有機自
己発光パネルアレイの構成を示す平面図。

【図２】図１に示した有機自己発光パネルアレイの構成
を示す縦断面図。

【図３】一般的な有機自己発光型表示装置の一つの画素
の平面図及び本発明の概要を説明するための表示画素の
平面図。

【図４】本発明に係る有機自己発光型表示装置の第１の
実施形態を説明するために、表示画素の構成を示す縦断
面図及びその特徴部の詳細な構成を示す縦断面図。

【図５】本発明に係る有機自己発光型表示装置のパネル
アレイの構成要素を平面的に配置した回路図。

【図６】本発明に係る有機自己発光型表示装置の第２の
実施形態を説明するために、表示画素の構成を示す縦断
面図。

【図７】従来の有機自己発光型表示装置の構成を説明す
るための表示画素の縦断面図。

【図８】本発明に係る有機自己発光型表示装置の第3の
実施形態を説明するための表示画素の縦断面図。

【図９】本発明に係る有機自己発光型表示装置の第4の
実施形態を説明するための表示画素の縦断面図。

【図１０】本発明に係る有機自己発光型表示装置のパネ
ルアレイの構成要素を平面的に配置した回路図。

【符号の説明】

１画素１１，１１Ａ，１２，１３表示画素２１陽極３１開口１００有機自己発光パネルアレイ１０１ガラス基板１０２アンダーコート層１０３多結晶シリコン層１０４ゲート絶縁膜１０６層間絶縁膜１０７ソース・ドレイン電極１０８配線１０９陽極１１０パッシベーション膜１１１隔壁絶縁膜１１１Ｆ壁面１１２陽極バッファ層１１３有機発光層１１４陰極バッファ層１１５陰極１２１Ｘ方向駆動回路１２３Ｙ方向駆動回路１３１封止部材１３３ガラス基板２００有機自己発光パネル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】島状に形成された複数の第1電極と、前記
第1電極に対向配置される第2電極と、前記第１および第
2電極間に保持され、少なくとも発光層を含む自己発光
部を備えた複数の表示画素をマトリクス状に配置し、前
記第1および第2電極のいずれか一方が光出射面内に配置
される自己発光表示装置において、一表示画素から隣接
する他の表示画素に向かう光を前記光出射面側に取り出
す光反射面を前記一表示画素と前記他の表示画素間に設
けたことを特徴とする自己発光型表示装置。
【請求項２】前記自己発光型表示装置は、前記第1電極
をそれぞれ電気的に絶縁する隔壁をさらに備え、前記第
１又は第２電極のうち、前記発光層を介して前記光出射
面と対向配置される側の電極の形成面が、個々の前記表
示画素の端辺に形成された前記隔壁の開口の傾斜角によ
り、光出射面に対して鋭角をなす前記光反射面を形成す
ることを特徴とする請求項１記載の自己発光型表示装
置。
【請求項３】前記第２電極は、複数の前記表示画素に亘
って連続して形成されることを特徴とする請求項２記載
の自己発光型表示装置。
【請求項４】前記光出射面と対向配置される側の前記電
極の形成面が、個々の前記表示画素の端辺全周におい
て、光出射面に対して鋭角をなすよう形成されることを
特徴とする請求項２記載の自己発光型表示装置。
【請求項５】前記複数の第１電極は、それぞれ隔壁によ
り電気的に絶縁されており、前記隔壁を覆う全面に前記
第２電極が形成され、前記表示画素端辺の前記隔壁に形
成された開口の傾斜角により、前記第２電極が個々の前
記表示画素の端辺において、光出射面に対して、鋭角を
なすよう形成されることを特徴とする請求項２記載の自
己発光型表示装置。