KR100736577B1

KR100736577B1 - 전계발광소자 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR100736577B1
Application number: KR1020060032090A
Authority: KR
Inventors: 김상전
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2006-04-07
Filing date: 2006-04-07
Publication date: 2007-07-06
Anticipated expiration: 2026-04-07

Abstract

본 발명은 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

본 발명에 따른 전계발광소자는, 기판; 기판 상에 형성된 제1전극; 제1전극 상에 형성된 절연막; 절연막 상에 형성되며 상면에 홈이 형성된 격벽; 제1전극 상에 형성된 발광부; 및 발광부 및 격벽의 측면에 형성되며 격벽의 홈에 의해 패터닝된 제2전극을 포함한다.

이에 따라, 본 발명은 격벽의 측면까지 전극을 넓게 적층하여 전극에 형성되는 저항 증가를 줄일 수 있는 효과가 있다.

전계발광소자, 격벽, 저항

Description

전계발광소자 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE and METHOD FOR MANUFACTURING the same}

도 1a는 종래 전계발광소자를 나타낸 도면.

도 1b는 도 1a에 나타낸 A-A까지의 절단면도.

도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 전계발광소자를 나타낸 도면.

도 2b는 도 2a에 나타낸 B-B까지의 절단면도.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 전계발광소자의 일부를 나타낸 단면도.

도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 전계발광소자의 일부를 나타낸 단면도.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>

210,310,410: 기판 220,320,420: 제1전극

230,330,430: 절연막 240,340,440: 격벽

250,350,450: 발광부 260,360,460: 제2전극

H: 홈

본 발명은 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

전계발광표시장치에 사용되는 전계발광소자는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다. 전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기전계발광소자와 유기전계발광소자로 나눌 수 있었다.

또한, 전계발광소자는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식과 배면발광(Bottom-Emission) 방식이 있고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix)으로 나누어져 있다.

이하, 도시된 도면을 참조하여 종래 전계발광소자를 설명한다.

도 1a는 종래 전계발광소자를 나타낸 도면이고, 도 1b는 도 1a에 나타낸 A-A까지의 절단면도이다.

도 1a를 참조하면, 종래 전계발광소자(100)는, 기판(110) 상에 도전층(예: 인듐틴옥사이드; ITO) 재질의 애노드전극(120)이 형성되어 있고, 애노드전극(120)은 절연막(130)에 의해 절연되어 있다. 절연막(130)은 애노드전극(120) 상에 오픈부(135)가 형성되어 있으며, 오픈부(135)와 구분하여 격벽(140)이 형성되어 있다. 오픈부(135)에는 유기 발광부(150)가 형성되어 있고, 발광부(150) 상에는 금속(예: 알루미늄; Al) 재질의 캐소드전극(160)이 형성되어 있다.

도 1b를 참조하여 자세하게 설명하면, 절연막(130) 상에 형성된 격벽(140)이 오버행 또는 역 테이퍼 형상으로 패턴되어 있었고, 캐소드전극(160)은 진공챔버 내에서 증착 공정시 위와 같은 격벽(140)에 의해 각각 분리 형성되었다. 여기서, 종래 격벽(140)은 단순히 캐소드전극(160)을 용이하게 분리시킬 수 있는 격리부(separator) 역할을 했었다.

또한, 전면 발광형 또는 배면 발광형 전계발광소자로 한정되지 않지만, 전면 발광형 전계발광소자의 경우, 캐소드전극(160) 방향으로 발광을 해야 하기 때문에 캐소드전극(160)의 두께를 얇게 형성해야 투과율이 확보되어 원하는 휘도를 얻을 수 있었다. 그러나 캐소드전극(160)의 두께가 얇게 형성됨에 따라, 신호 전송 용량에 따른 발열 및 부하로 인한 저항 등이 증가하는 문제가 발생하였다.

그리고 배변 발광형 전계발광소자의 경우, 캐소드전극(160)을 분리 형성하는 격벽(140)의 구조가 역 테이퍼 형상이기 때문에 캐소드전극(160)의 면적이 좁게 형성됨에 따라, 전면 발광형과 같은 발열 및 저항 등이 증가하는 문제가 발생하였다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 격벽의 구조를 개선하고, 격벽의 측면까지 전극을 더욱 넓게 증착하여 전극의 저항을 줄임으로써, 소자의 신뢰성이 확보된 전계발광소자를 제공하는 것이다.

상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명에 따른 전계발광소자는, 기판; 기판 상에 형성된 제1전극; 제1전극 상에 형성된 절연막; 절연막 상에 형성되며 상면에 홈이 형성된 격벽; 제1전극 상에 형성된 발광부; 및 발광부 및 격벽의 측면에 형성되며 격벽의 홈에 의해 패터닝된 제2전극을 포함한다.

여기서, 격벽은, 발광부와 구분형성되고, 정 테이퍼 또는 직각 형상인 것일 수 있다.

여기서, 홈은, 그 내부가 정 테이퍼 형상일 수 있다.

한편, 또 다른 측면에서 본 발명에 따른 전계발광소자는, 기판; 기판 상에 형성된 제1전극; 제1전극 상에 형성된 절연막; 절연막 상에 형성되고 상 하부의 형상이 다르며 상부가 역 테이퍼 형상으로 형성된 격벽; 제1전극 상에 형성된 발광부; 및 발광부 상에 형성되고 격벽의 하부 측면에 형성된 제2전극을 포함한다.

여기서, 격벽은, 발광부와 구분형성된 정 테이퍼 형상의 하부격벽과, 역 테이퍼 형상의 상부격벽으로 나뉘는 것일 수 있다.

여기서, 상부격벽은, 하부격벽 상에 두 개 이상 형성되어 상부격벽 간의 내부가 정 테이퍼 형상의 홈을 이루는 것일 수 있다.

여기서, 발광부는 유기층으로 형성된 것일 수 있다.

한편, 본 발명에 따른 전계발광소자의 제조방법은, 기판 상에 제1전극을 형성하는 제1전극 형성단계; 제1전극을 상에 제1전극을 노출시키는 오픈부를 갖도록 절연막을 형성하는 절연막 형성단계; 절연막 상에 상면에 홈이 형성된 격벽을 형성하는 격벽 형성단계; 오픈부에 발광부를 형성하는 발광부 형성단계; 및 격벽의 홈을 이용하여 발광부 및 격벽의 측면에 제2전극을 패터닝하는 제2전극 형성단계를 포함한다.

여기서, 격벽 형성단계에서, 레이저, 샌드블라스팅 또는 에칭 중 어느 하나를 이용하여 격벽의 상면에 홈을 형성하는 것일 수 있다.

여기서, 격벽 형성단계에서, 격벽은, 서로 다른 재료를 이용하여 정 테이퍼 형상의 하부격벽과 역 테이퍼 형상의 상부격벽으로 나누어 형성하며, 하부격벽 상에 상부격벽을 두 개 이상 형성하여 상부격벽 간의 내부가 정 테이퍼 형상의 홈을 갖도록 형성하는 것을 포함할 수 있다.

여기서, 발광부 형성단계에서, 발광부는 유기층으로 형성하는 것일 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

<제1실시예>

도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 전계발광소자를 나타낸 도면이고, 도 2b는 도 2a에 나타낸 B-B까지의 절단면도이다.

도 2a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 전계발광소자(200)는, 기판(210) 상에는 제1전극(220)이 형성되고, 제1전극(220)을 절연하며 오픈부(235)를 갖는 절연막(230)이 형성된다. 절연막(230) 상에는 상면에 홈(H)을 갖는 격벽(240)이 형성된다. 절연막(230)에 형성된 오픈부(235)에 유기 발광부(250)가 형성되며, 발광부(250) 상에서 제1전극(220)과 교차하도록 제2전극(260)이 형성된다.

여기서, 전계발광소자(200)가 배면 발광형일 경우, 제1전극(220)을 투과성 전극으로 형성하며, 전면 발광형일 경우, 제2전극(260)을 투과성 전극으로 형성한다.

도 2b를 참조하여 자세하게는, 절연막(230) 상에 형성된 격벽(240)은 발광부(250)와 구분형성되고, 격벽(240)의 상면에 홈(H)이 형성된다. 격벽(240) 및 홈(H)은 정 테이퍼 형상이다.

격벽(240)과 홈(H)이 정 테이퍼 형상으로 형성됨에 따라, 제2전극(260)은 경사진 격벽(240)의 측면까지 더욱 넓게 형성되며, 내부가 정 테이퍼 형상인 격 벽(240)의 홈(H)에 의해 제2전극(260)은 각각 분리 형성된다.

이와 같은 격벽(240) 및 제2전극(260)의 구조는, 배면 발광형뿐만 아니라 전면 발광형 전계발광소자의 전극 형성에도 효과적이다.

특히, 전면 발광형의 경우, 제2전극(260) 방향으로 발광을 해야 하기 때문에 제2전극(260)을 얇은 투과성 재질로 형성해야 하는데, 이에 파생된 문제는 두께가 얇게 형성됨에 따라, 전극의 저항이 증가한다는 것이다.

그러나 본 발명과 같이 격벽(240)의 경사진 측면까지 더욱 넓게 제2전극(260)을 형성하면, 제2전극(260)의 신호 전송 용량에 따른 발열 및 부하 등에 의해 저항이 증가하는 문제를 구조적으로 해결할 수 있게 된다.

또한, 배변 발광형의 경우에도, 신호 전송 용량에 따른 발열 및 부하 등에 의한 저항 증가가 일어나지만, 본 발명과 같이 격벽(240)의 경사진 측면까지 제2전극(260)을 넓게 형성하면 이와 같은 문제를 구조적으로 해결할 수 있게 된다.

한편, 본 발명의 제1실시예에 따른 전계발광소자의 제조방법은 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명하며, 공정상의 특징적인 방법만 구체적으로 설명한다.

먼저, 제1전극 형성단계로써, 기판(210) 상에 제1전극(220)을 형성한다. 제1전극(220)은 도전성을 갖는 도전층 또는 금속을 비롯한 보조전극 등으로 기판(210) 상에 형성되어 띠 형태로 패턴한다.

이후, 절연막 형성단계로써, 제1전극(220) 상에 제1전극(220)을 노출시키는 오픈부(235)를 갖도록 절연막(230)을 형성한다. 절연막(230)은 제1전극(220) 간의 도전성분을 절연함은 물론 상부를 평탄화하는 평탄막 역할을 할 수 있고, 이후 제1전극(220) 상에 발광부(250)를 형성할 수 있도록 오픈부(235)를 패턴한다.

이후, 격벽 형성단계로써, 절연막(230) 상에 상면에 홈(H)이 형성된 격벽(240)을 형성한다. 격벽(240)은 오픈부(235)와 구분하여 정 테이퍼 형상으로 형성하며, 홈(H)은 격벽(240)의 상면에 정 테이퍼 형상으로 형성한다.

상세하게는, 격벽(240)의 상면을 레이저, 샌드블라스팅 또는 에칭 중 어느 하나를 이용하여 홈(H)을 형성할 수 있지만, 정 테이퍼 형상의 홈(H)을 형성할 수 있다면 이에 한정되지는 않는다.

이후, 발광부 형성단계로써, 오픈부(235)에 발광부(250)를 형성한다. 발광부(250)는 제1전극(220) 상에 유기층을 이용하여 형성할 수 있으나 재료에 한정되지 않는다.

이후, 제2전극 형성단계로써, 격벽(240)의 홈(H)을 이용하여 발광부(250) 및 격벽(240)의 측면에 제2전극(260)을 패터닝을 한다. 여기서, 제2전극(260)은 격벽(240)의 상면에 형성된 홈(H)에 의해 패터닝되어 발광부(250) 및 격벽(240)의 측면에 제2전극(260)이 형성된다.

참고로, 제2전극(260) 형성 이후, 레이저, 샌드블라스팅 또는 에칭 등의 방법을 이용하여 격벽(240)의 홈(H)에 형성된 소량의 조각(particle)(예: 제2전극(260))을 재차 분리할 수도 있다. 이는 격벽(240) 상면(예: 홈)에 남아 있는 소량의 조각을 제거하여 제2전극(260) 간의 쇼트를 방지하기 위함이다.

앞서 설명한 본 발명과 같이, 격벽(240)의 측면까지 제2전극(260)을 넓게 형 성하면, 제2전극(260)의 발열 또는 부하 등에 의해 발생하는 저항을 줄일 수 있게 된다.

<제2실시예>

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 전계발광소자의 일부를 나타낸 단면도이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 전계발광소자(300)는, 기판(310) 상에는 제1전극(320)이 형성되고, 제1전극(320)을 절연하며 오픈부(335)를 갖는 절연막(330)이 형성된다. 절연막(330) 상에는 상 하부가 서로 다르며 상부가 역 테이퍼 형상으로 형성된 격벽(340)이 형성된다. 절연막(330)에 형성된 오픈부(335)에는 유기 발광부(350)가 형성된다. 발광부(350) 상에서 제1전극(320)과 교차하며 발광부(350) 및 격벽(340)의 하부 측면에 제2전극(360)이 형성된다.

여기서, 전계발광소자(300)가 배면 발광형일 경우, 제1전극(320)을 투과성 전극으로 형성하지만, 전면 발광형일 경우, 제2전극(360)을 투과성 전극으로 형성한다.

자세하게는, 절연막(330) 상에 형성된 격벽(340)은 발광부(350)와 구분형성되고, 격벽(340)은 서로 다른 형상으로 형성되는데, 하부격벽(340a)은 정 테이퍼 형상을 갖고, 상부격벽(340b)은 역 테이퍼 형상을 갖도록 패턴된다. 여기서, 하부격벽(340a) 상에는 두 개 이상의 상부격벽(340b)이 형성되어 그 내부에는 구조적인 홈(H)이 마련된다.

이에 따라, 하부와 상부로 나뉜 격벽(340a, 340b)의 구조에 의해 하부격벽(340a)의 측면에는 제2전극(360)이 넓게 형성될 수 있고, 두 개 이상의 상부격벽(340b)의 정 테이퍼 형상의 홈(H)에 의해 제2전극(360)은 각각 분리된다.

이와 같은 격벽(340) 및 제2전극(360)의 구조는, 배면 발광형뿐만 아니라 전면 발광형 전계발광소자의 전극 형성에 효과적이다.

특히, 전면 발광형의 경우, 제2전극(360) 방향으로 발광을 해야 하기 때문에 제2전극(360)을 얇은 투과성 재질로 형성해야 하는데, 이에 파생된 문제는 두께가 얇게 형성됨에 따라, 전극의 저항이 증가한다는 것이다.

그러나 본 발명과 같이 격벽(340)의 경사진 측면까지 더욱 넓게 제2전극(360)을 형성하면, 제2전극(360)의 신호 전송 용량에 따른 발열 및 부하 등에 의해 저항이 증가하는 문제를 구조적으로 해결할 수 있게 된다.

또한, 배변 발광형의 경우에도, 신호 전송 용량에 따른 발열 및 부하 등에 의한 저항 증가가 일어나지만, 본 발명과 같이 격벽(340)의 경사진 측면까지 제2전극(360)을 넓게 형성하면 이와 같은 문제를 구조적으로 해결할 수 있게 된다.

한편, 본 발명의 제2실시예에 따른 전계발광소자의 제조방법은 도 3을 참조하여 설명하며, 공정상의 특징적인 방법만 구체적으로 설명한다.

먼저, 제1전극 형성단계로써, 기판(310) 상에 제1전극(320)을 형성한다. 제1전극(320)은 도전성을 갖는 도전층 또는 금속을 비롯한 보조전극 등으로 기판(310) 상에 형성되어 띠 형태로 패턴한다.

이후, 절연막 형성단계로써, 제1전극(320) 상에 제1전극(320)을 노출시키는 오픈부(335)를 갖도록 절연막(330)을 형성한다. 절연막(330)은 제1전극(320) 간의 도전성분을 절연함은 물론 상부를 평탄화하는 평탄막 역할을 할 수 있고, 이후 제1전극(320) 상에 발광부(350)를 형성할 수 있도록 오픈부(335)를 패턴한다.

이후, 격벽 형성단계로써, 절연막(330) 상에 홈(H)을 갖는 격벽(340)을 형성한다. 격벽(340)은 오픈부(335)와 구분하여 하부격벽(340a)과 상부격벽(340b)으로 나누어 형성한다. 하부격벽(340a) 상에 두 개 이상의 상부격벽(340b)을 형성하여 그 내부에 구조적인 정 테이퍼 형상의 홈(H)을 마련한다. 이때, 격벽(340)은 서로 다른 재료(예: 포토레지스터)를 이용하여 하부격벽(340a)은 정 테이퍼 형상으로 형성하며, 상부격벽(340b)은 역 테이퍼 형상으로 형성한다.

상세하게는, 양성 포토레지스터를 이용하여 하부격벽(340a)을 정 테이퍼 형상으로 패턴하고, 음성 포토레지스터를 이용하여 상부격벽(340b)를 역 테이퍼 형상으로 두 개 이상 형성하여 구조적인 홈(H)을 마련한다.

이후, 발광부 형성단계로써, 오픈부(335)에 발광부(350)를 형성한다. 발광부(350)는 제1전극(320) 상에 유기층을 이용하여 형성할 수 있으나 재료에 한정되지 않는다.

이후, 제2전극 형성단계로써, 격벽(340)의 홈을 이용하여 발광부(350) 및 격벽(340)의 측면에 제2전극(360)을 패터닝을 한다. 여기서, 제2전극(360)은 상부격벽(340b)의 상면에 형성된 구조적인 홈(H)에 의해 패터닝되어 발광부(350) 및 하부 격벽(340a)의 측면에 제2전극(360)이 형성된다.

참고로, 제2전극(360) 형성 이후, 레이저, 샌드블라스팅 또는 에칭 등의 방법을 이용하여 상부격벽(340b) 상면에 형성된 소량의 조각(particle)(예: 제2전극(360))을 재차 분리할 수도 있다. 이는 상부격벽(340b) 상에 남아 있는 소량의 조각을 제거하여 제2전극(360) 간의 쇼트를 방지하기 위함이다.

앞서 설명한 본 발명과 같이, 하부격벽(340a)의 측면까지 제2전극(360)을 넓게 형성하면, 제2전극(360)에서 발생하는 저항을 줄일 수 있게 된다.

<제3실시예>

도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 전계발광소자의 일부를 나타낸 단면도이다.

제3실시예에서는 제1실시예 또는 제2실시예와는 달리 홈을 형성하지 않고, 하부격벽과 상부격벽의 형상을 달리하여 하부격벽의 측면까지 전극을 형성할 수 있음을 실시예로 설명한다. 또한, 설명의 중복을 피하고자 본 실시예의 특징부를 중심으로 설명한다.

도 4를 참조하여 제3실시예를 설명하면, 격벽(440)은, 하부와 상부가 서로 다른 형상이나 재료(예: 포토레지스터)에 의해 형성되며, 하부격벽(440a) 상에는 하나의 상부격벽(440b)가 형성된다. 여기서, 하부격벽(440a)은 정 테이퍼 형상으로 형성되고, 상부격벽(440b)은 역 테이퍼 형상으로 형성된다.

이에 따라, 제1실시예 또는 제2실시예와 같이 홈을 마련하지 않고도, 하부격 벽(440a)의 측면까지는 제2전극(460)이 넓게 형성될 수 있고, 상부격벽(440b)의 역 테이퍼 형상에 의해 제2전극(460)은 각각 분리된다.

여기서, 상부격벽(440b)의 상면을 레이저, 샌드블라스팅 또는 에칭 중 어느 하나를 이용하여 상부격벽(440b)의 상면에 형성된 소량의 조각(particle)(예: 제2전극(460))을 재차 분리할 수도 있다. 이는 상부격벽(440b) 상에 남아 있는 소량의 조각을 제거하여 제2전극(460) 간의 쇼트를 방지하기 위함이다.

이와 같은 격벽(440) 및 제2전극(460)의 구조는, 배면 발광형뿐만 아니라 전면 발광형 전계발광소자의 전극 형성에 효과적이다.

이는, 하부격벽(440a)의 경사진 측면까지 더욱 넓게 제2전극(460)을 형성하여, 제2전극(460)의 신호 전송 용량에 따른 발열 및 부하 등에 의해 저항이 증가하는 문제를 구조적으로 해결할 수 있게 된다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

상술한 본 발명의 구성에 따르면, 격벽의 측면까지 전극을 넓게 증착하여 전극에 형성되는 저항을 줄일 수 있는 효과가 있다.

Claims

기판;

상기 기판 상에 형성된 제1전극;

상기 제1전극 상에 형성된 절연막;

상기 절연막 상에 형성되며 상면에 홈이 형성된 격벽;

상기 제1전극 상에 형성된 발광부; 및

상기 발광부 및 상기 격벽의 측면에 형성되며 상기 격벽의 홈에 의해 패터닝된 제2전극을 포함하는 전계발광소자.
제1항에 있어서, 상기 격벽은,

상기 발광부와 구분형성되고, 정 테이퍼 또는 직각 형상인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
제1항에 있어서, 상기 홈은,

그 내부가 정 테이퍼 형상인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
기판;

상기 기판 상에 형성된 제1전극;

상기 제1전극 상에 형성된 절연막;

상기 절연막 상에 형성되고 상 하부의 형상이 다르며 상부가 역 테이퍼 형상으로 형성된 격벽;

상기 제1전극 상에 형성된 발광부; 및

상기 발광부 상에 형성되고 상기 격벽의 하부 측면에 형성된 제2전극을 포함하는 전계발광소자.
제4항에 있어서, 상기 격벽은,

상기 발광부와 구분형성된 정 테이퍼 형상의 하부격벽과, 역 테이퍼 형상의 상부격벽으로 나뉘는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
제5항에 있어서, 상기 상부격벽은,

상기 하부격벽 상에 두 개 이상 형성되어 상기 상부격벽 간의 내부가 정 테이퍼 형상의 홈을 이루는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
제1항 또는 제4항에 있어서,

상기 발광부는 유기층으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
기판 상에 제1전극을 형성하는 제1전극 형성단계;

상기 제1전극을 상에 상기 제1전극을 노출시키는 오픈부를 갖도록 절연막을 형성하는 절연막 형성단계;

상기 절연막 상에 상면에 홈이 형성된 격벽을 형성하는 격벽 형성단계;

상기 오픈부에 발광부를 형성하는 발광부 형성단계; 및

상기 격벽의 홈을 이용하여 상기 발광부 및 상기 격벽의 측면에 제2전극이 형성되도록 패터닝하는 제2전극 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 격벽 형성단계에서,

레이저, 샌드블라스팅 또는 에칭 중 어느 하나를 이용하여 상기 격벽의 상면에 상기 홈을 형성하는 것을 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 격벽 형성단계에서, 상기 격벽은,

서로 다른 재료를 이용하여 정 테이퍼 형상의 하부격벽과 역 테이퍼 형상의 상부격벽으로 나누어 형성하며,

상기 하부격벽 상에 상기 상부격벽을 두 개 이상 형성하여 상기 상부격벽 간의 내부가 정 테이퍼 형상의 홈을 갖도록 형성하는 것을 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
제8항에 있어서, 상기 발광부 형성단계에서,

상기 발광부는 유기층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.