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JP2000357584A - 発光素子用回路基板、電子機器および表示装置 - Google Patents

発光素子用回路基板、電子機器および表示装置

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JP2000357584A
JP2000357584A JP11167556A JP16755699A JP2000357584A JP 2000357584 A JP2000357584 A JP 2000357584A JP 11167556 A JP11167556 A JP 11167556A JP 16755699 A JP16755699 A JP 16755699A JP 2000357584 A JP2000357584 A JP 2000357584A
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Japan
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emitting element
light emitting
circuit board
common electrode
light
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JP11167556A
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Mutsumi Kimura
睦 木村
Hiroshi Maeda
浩 前田
Yojiro Matsueda
洋二郎 松枝
Kiyobumi Kitawada
清文 北和田
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 共通電極における電圧降下を防止し明るい画
像表示が可能な発光素子用回路基板を提供する。 【解決手段】 本発明は、電流を供給することにより発
光する電界発光素子を形成するために適する発光素子用
回路基板である。特に外部への取出端子６１が当該基板
の一辺に集積された取出端子群６と、共通した電流が流
れる共通電極１０と取出端子群との間に、取出端子群６
の一部の取出端子６１と共通電極１０とを電気的に接続
するコンタクトパターン２と、を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、いわゆる電界発光
（Electro-Luminescence）素子を形成するために適する
回路基板の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】電界発光素子を用いた表示装置における
基板配置に関する公知技術としては、本願出願人の発明
に係る特開平１１−２４６０４号公報に記載されるよう
なものがあった。この公報には、電界発光素子の形成領
域を取り囲んで、駆動回路を配した回路基板が開示され
ていた。
【０００３】電界発光素子は電流を供給して発光させる
ものであるため、配線の抵抗が高いと電圧降下が大きく
なり、輝度が低くなり易い。これに対処するために、従
来、技術常識から抵抗率の低い金属を配線層の材料とし
て使用することが必要であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、回路基板の全
体的な電圧降下の防止について十分に考慮されていなか
った。
【０００５】特に、最も大きな電流が流れるのは、複数
の電界発光素子からの電流が流れる共通電極である陰極
である。この陰極パターンにおいて、抵抗率が高いと多
量の電流により大きな電圧降下を生じ、画像表示全体を
暗くしかねない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、共通電
極における電圧降下を少なくし、明るい画像表示を可能
にするための発光素子用回路基板およびその基板を使用
した電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】本発明は、発光素子の形成に用いられる発
光素子用回路基板において、外部への取出端子が当該基
板の一辺に集積された取出端子群と、所定の共通電極が
配置される領域と前記取出端子群との間に、前記取出端
子群の一部の取出端子と前記共通電極とを電気的に接続
するコンタクトパターンと、を備えていることを特徴と
する発光素子用回路基板である。
【０００８】「取出端子」は、必ずしも基板の一辺にの
み設けられることを意味しない。「回路基板」は、電界
発光素子のように多量に電流を消費する素子の例示であ
り、回路基板に設けられる回路がこれに限定されること
はない。「共通電極」は、後の工程で設けられるもので
あり、回路基板に共通電極が既に形成されていることに
限定されない。「共通電極」が形成されることになるで
あろう「領域」に対応してコンタクトパターンを設けて
あることに意味がある。したがって共通電極などの表示
に関わる構造を備えない回路基板のまま流通する態様も
考えられる。
【０００９】例えば、この回路基板は、電流を供給する
ことにより発光する発光素子の形成に用いられ、前記コ
ンタクトパターンは、前記取出端子群の一部と前記発光
素子の電流が共通して流れる共通電極とを電気的に接続
するように形成される。
【００１０】また発光素子は、有機電界発光素子などに
適用される。
【００１１】ここでコンタクトパターンは、共通電極の
有する面積の１０％以上の面積を備えていることが好ま
しい。「１０％」は一応の目安であり、これに限定され
ることはない。
【００１２】上記取出端子群は、同一の形状を備えた取
出端子を連設されている。同一形態の取出端子であれ
ば、コネクタなどによる基板との接続が規格化でき経済
的かつ容易だからである。
【００１３】形成される共通電極は方形であり、前記共
通電極を介して前記コンタクトパターンと対向する領域
に、走査配線に走査信号を供給するための走査駆動回路
を備えている。
【００１４】またコンタクトパターンおよび走査駆動回
路が設けられる前記共通電極の周辺領域以外の領域に、
信号配線に画像信号を供給するための信号駆動回路およ
び／または周辺回路を形成する領域を備えている。信号
駆動回路や周辺回路がいずれの辺に位置するかに限定は
ない。
【００１５】いずれの回路も設けられてない前記共通電
極を形成する領域の四隅にアライメントマークを備えて
いることは好ましい。共通電極の四周に設けられる回路
の間隙を有効利用する趣旨である。
【００１６】本発明は、本発明の発光素子用回路基板を
備えていることを特徴とする電子機器でもある。電子機
器に限定はないが、携帯情報端末、ビューファインダ、
ヘッドマウントディスプレイ、などを含む。
【００１７】例えば表示装置である場合、本発明の発光
素子用回路基板と、前記回路基板上に各画素に対応して
設けられた複数の発光素子と、を備え、前記発光素子に
対する制御により画像を表示するように構成される。
【００１８】このような表示装置では、各画素の発光素
子に対応して当該画素の発光素子の駆動制御を行うトラ
ンジスタを備える。
【００１９】発光素子が電流制御型の発光素子である場
合、各画素において、前記発光素子の制御用トランジス
タと駆動用トランジスタとを備える。
【００２０】各画素における発光素子は、画素電極と、
当該画素電極と前記共通電極との間に少なくとも有機発
光材料からなる発光層を備えている。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に本発明の好適な実施の形態
を、図面を参照して説明する。
【００２２】図１に本実施形態の発光表示素子用回路基
板の平面図を示す。本回路基板は、図１に示すように、
表示領域１、コンタクトパターン２、信号駆動回路３、
走査駆動回路４、周辺回路５、取出端子群６およびアラ
イメントマーク７を備えて構成される。
【００２３】表示領域１は、複数の画素領域で構成され
ており、その上面（図面手前）には総ての画素領域を覆
って共通した電流が流れる共通電極１０が形成されてい
る。各画素領域に形成される素子に限定はないが、本実
施形態では例えば図２に示すような構造の電界発光素子
１２を例示する。共通電極１０は通常の表示装置では、
方形に形成されている。
【００２４】外部端子群６は、外部への取出端子が複
数、この基板の一辺に集積されたものである。取出端子
群６は、同一の形状を備えた取出端子６１を連設するこ
とに構成されている。同一形態の取出端子であれば、端
子を実装したテープからインサートマシンなどにより纏
めて実装することができる。このためコネクタなどによ
る基板との接続が規格化でき経済的かつ容易だからであ
る。各取出端子６１は、導電性の端子が機械的に後付け
されるものでも、フォトリソグラフィなどのプロセスで
導電性材料を薄膜形成して設けられるものでもよい。
【００２５】コンタクトパターン２は、本発明に係り、
共通電極１０と取出端子群６との間に設けられ、コンタ
クト配線２１を介して取出端子群６の一部の取出端子６
１と共通電極１０とを電気的に接続するパターンとなっ
ている。コンタクト配線２１は、取出端子６１と同じ材
料で同一の層にパターニングされている。ただしコンタ
クトパターン２と各取出端子６１とを直接接続してあっ
てもよい。
【００２６】ここでコンタクトパターン２は、共通電極
の有する面積の１０％以上の面積を備えていることが好
ましい。すなわち、電界発光素子の駆動電流は１０ｍＡ
／ｃｍ２程度である。一方コンタクトパターン２の接触
抵抗は、５Ω・ｃｍ２程度である。全電界発光素子の発
光面積をＡｃｍ２とし、共通電極１０に対するコンタク
トパターンの面積比をｋとすると、コンタクトパターン
２中で生じる電圧降下Ｖdrop[mV]は、Ａ×１０・５／ｋ
Ａとなる。
【００２７】ここで電界発光素子に適する駆動電圧から
考えてコンタクトパターンで許容される電圧降下は０．
５Ｖ程度までであるので、ｋ＞＝０．１となり、画素領
域の面積に対するコンタクトパターンの面積の割合は、
１０％程度は必要となるのである。
【００２８】信号駆動回路３は、表示領域１に配置され
る信号配線ｓｉｇに画像信号を供給するための駆動回路
である。信号駆動回路３は、バス配線３１により取出端
子６１の幾つかと接続されている。周辺回路５は、表示
領域１に配置される給電配線ｃｏｍに電源を供給したり
信号配線ｓｉｇの信号を検出したりするための回路群で
ある。周辺回路５は、バス配線５１により取出端子６１
の幾つかと接続されている。なお信号駆動回路３および
周辺回路５の配置はこれに限定されず、信号駆動回路３
と周辺回路５との位置が逆に配置されていても構わな
い。
【００２９】走査駆動回路４は、表示領域に配置される
走査配線ｇａｔｅに走査信号を供給するための駆動回路
である。この走査駆動回路４は、共通電極を介してコン
タクトパターンと対向する領域に設けられる。走査駆動
回路４は、バス配線４１により取出端子６１の幾つかと
接続されている。走査駆動回路４をこの位置に設けるの
は、走査配線と信号配線とを比べ信号配線方向に電源供
給のための回路をより多く必要とするため基板の信号配
線方向の端子となる二辺にその回路を設け、走査配線方
向の一辺からコンタクトパターンにより共通電極１０の
引出配線を配置するようにしたためである。このため信
号駆動回路４から取出端子群６までの距離は長くなる
が、走査信号の走査周波数が比較的遅いため、配線抵抗
の影響を少なくできるからである。また、走査駆動回路
４に必要とされるバス配線４１の本数はそれほど多くな
いので、大きな面積を占有されることはない。
【００３０】アライメントマーク７は、これらの回路が
設けられていない共通電極１０の四隅に設けられてい
る。電界発光素子では、回路形成工程以降において蒸
着、スパッタ、インクジェットプロセス、陰極（共通電
極）蒸着やスパッタなどの各工程を経る必要がある。基
板の位置決めを正確に行うために、アライメント精度向
上のためのアライメントマークを設けることが好ましい
のである。電界発光素子の形成工程ではフォトリソグラ
フィ法が適用され、露光のためのフォトマスクの他に、
表示領域１より若干大きいフィジカルマスクを施す。ま
た、当該回路基板では、表示領域１の四周には回路が設
けられるが、その四隅は回路が存在していない。アライ
メントマーク７は、このような表示領域１の四隅であっ
てフィジカルマスクで覆われることのない位置に設けら
れる。このように配置すれば、基板スペースの効率的利
用を図ることができ、マークのために基板外形の寸法を
増加することを防止できる。
【００３１】図２に図１のＡ−Ａ切断面における断面図
を示す。図２は一つの取出端子と画素領域について拡大
して示したものである。
【００３２】当該回路基板の層構造は、図２に示すよう
に、下層から順に、透明基板１００、半導体層１０１、
ゲート絶縁膜１０２、第１層間絶縁膜１０３、第２層間
絶縁膜１０４、バンク層１０５および１０６が形成され
ている。表示領域１には、さらに発光層１０７が形成さ
れている。配線に関与する層として、タンタル配線層２
０１、アルミニウム配線層２０２およびＩＴＯ層２０
３、陰極層２０４が形成されている。
【００３３】材料に関し、透明基板１００は、光透過性
があり、一定の機械的強度を有するガラス、石英などで
形成される。半導体層１０１は、パターン化されたアモ
ルファスシリコンにエネルギーを加えることで重合化さ
せたポリシリコンで形成され、ソース・ドレインの各領
域に不純物がドーピングされている。ゲート絶縁膜１０
２、第１層間絶縁膜１０３、第２層間絶縁膜１０４は、
酸化珪素または窒化珪素で形成されている。バンク層１
０５および１０６は、酸化珪素、窒化珪素、ポリイミド
当の絶縁膜で形成されている。タンタル配線層２０１
は、主として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Tr
ansistor）のゲート配線に使う他、コンタクトパターン
２の構成材料の一つになっている。アルミニウム配線層
２０２は、主としてスルーホールおよび配線に利用され
る。この層の材料として、アルミニウムの他、タンタ
ル、モリブデン、チタン、タングステンなどを使用可能
である。ＩＴＯ電極２０３は、ＩＴＯなど光透過性と導
電性を有する材料で形成される。陰極層２０４は、共通
電極１０の配線を担う層であって、エネルギー順位から
電界発光素子の陰極として使用可能な材料、アルミニウ
ムまたはアルミニウムと他の元素（リチウムなど）の合
金、カルシウムなどで形成される。電界発光層１０７と
しては、陽極から輸送された正孔と陰極から輸送された
電子とが結合して電界発光現象を生じるような有機発光
材料などの材料であり、発光層の他に正孔輸送層および
／または電子輸送層を備えていてもよい。電界発光層１
０７は、画素ごとにパターニングされていてもよい。
【００３４】一つの画素領域１１に対しては、電界発光
素子１２と駆動用トランジスタ１３と制御用トランジス
タ（制御用トランジスタは図２に図示しない）が設けら
れている。説明を簡単にするため、制御用トランジスタ
の図示を省略してある。
【００３５】電界発光素子１２は、画素電極１２１と陰
極層２０４とで電界発光層１０７を挟み込んだ構造を備
えている。陰極層２０４は総ての画素領域１１に共通し
た連続した膜として形成されている。画素電極１２１は
陽極となっている。
【００３６】駆動用トランジスタ１３は、薄膜トランジ
スタであり、不純物導入によりソース領域およびドレイ
ン領域が形成された半導体層１０１上に、ソース電極１
３１、ドレイン電極１３２およびゲート電極１３３を備
えて構成されている。ソース電極１３１およびドレイン
電極１３２はスルーホール３０１および３０２の開口中
にアルミニウム配線層２０２を形成して構成される。ゲ
ート電極１３３は、制御用トランジスタ１４のドレイン
に電気的に接続され、タンタル配線層２０１で形成され
ている。
【００３７】コンタクトパターン２は、層構造上、陰極
層２０４とコンタクト配線２１とを、スルーホール３０
３を介して、ＩＴＯ層２０３、アルミニウム配線層２０
２およびタンタル配線層２０１により電気的に相互に接
続された構造である。ＩＴＯ層２０３は、表示領域１側
の電界発光素子の画素電極１２１、アルミニウム配線層
２０２はソース電極１３１とドレイン電極１３２、タン
タル配線層２０１はゲート電極１３３と同じ材料からな
る層であって、これらの電極がパターニングされる際に
同時にパターン形成される。陰極層２０４とコンタクト
配線２１との接続に用いられているのは、総て導電性層
であるため、極めて低抵抗で電気的な接続をすることが
可能になっている。また、ＩＴＯ層２０３、アルミニウ
ム配線層２０２、タンタル配線層２０１のうちいずれか
の層が存在しなくてもよい。コンタクト配線２１の表示
領域１側と反対側の端部は、スルーホール３０４内でＩ
ＴＯ層２０３、アルミニウム配線層２０２およびタンタ
ル配線層２０１が積層された構造で、取出端子６１実装
テープに接続されている。
【００３８】図３に上記画素領域１１の集合である電界
発光表示素子全体回路図を示す。
【００３９】当該電界発光表示装置において、信号配線
ｓｉｇは信号駆動回路３に接続され、バス配線３１を介
して画像信号を信号配線ｓｉｇに供給するようになって
いる。給電配線ｃｏｍは、周辺回路５に接続され一定電
圧に電流を給電配線に供給するようになっている。走査
配線ｇａｔｅは走査駆動回路４に接続され、バス配線４
１を介して走査信号を走査配線ｇａｔｅに供給するよう
になっている。信号駆動回路３および走査駆動回路４
は、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタとで相補
型トランジスタ回路が形成されている。相補型トランジ
スタによって、駆動回路として機能させるためのシフト
レジスタ、レベルシフタ、アナログスイッチ、ラッチな
どの基本回路が構成されている。
【００４０】信号配線ｓｉｇ、走査配線ｇａｔｅおよび
給電配線ｃｏｍで囲まれているのが画素領域１１であっ
て、各々が等価回路として、電界発光素子１２、駆動用
トランジスタ１３、制御用トランジスタ１４および保持
容量ｃａｐを備えている。
【００４１】上記構成において、走査配線ｇａｔｅを介
して走査信号が制御用トランジスタ１４のゲートに供給
されると、制御用トランジスタ１４がオン状態になり、
信号配線ｓｉｇを介して画像信号の電位がそのドレイン
に供給される。この電位は保持容量ｃａｐにおいて保持
される。画像信号として画素を点灯させる電位が供給さ
れていると、駆動用トランジスタ１３がオン状態にな
り、ソースを介して画素電極１２１に電源電流が供給さ
れるようになる。電界発光素子１２では、電界発光層１
０７では、画素電極１２１から輸送された正孔と共通電
極１０から輸送された電子とが結合して電界発光現象を
生じ発光する。電界発光層１０７からの光は透明電極で
ある画素電極１２１を介して透明基板１００より射出さ
れる。
【００４２】上記構成によれば、電界発光素子１２の陰
極は、共通電極１０となっており、コンタクトパターン
２を介して一定数の取出端子６１に接続されているの
で、陰極における抵抗値が低くなり、電圧降下を少なく
することができ、明るい画像表示が可能になる。抵抗値
の軽減により、消費電力が少なくなり発熱を抑制でき
る。
【００４３】回路数の少ない走査方向の一辺から陰極パ
ターンを引き出し、走査駆動回路をその対向する辺に配
置し、他の回路を残された辺に配置したので、電流量が
大きい陰極パターンを相対的に短く配線でき、上記した
効果を奏する。また給電配線を提供する周辺回路までの
配線長を比較的短くできるので、その電圧降下を最小限
にとどめることができる。
【００４４】また、取出端子を同一形状で形成したの
で、製造の容易化と経済化を図ることができる。その取
出端子を基板の一辺に配置したので、他の基板との接続
を容易にすることができる。
【００４５】さらに、回路の隙間になっておりフィジカ
ルマスクの外側に相当する表示領域の四隅にアライメン
トマークを設けたので、パネル外形を大きくすることな
く、回路の隙間を有効利用して適切なアライメント配置
を提供でき、スペースの効率的利用を図ることができ
る。
【００４６】なお、上記したような発光素子用回路基板
は、公知の薄膜プロセスを経て形成することが可能であ
る。つまり、酸化膜類をＣＶＤ法で形成し、フォトリソ
グラフィを適用してスルーホールを開口させ、スパッタ
法等で導電性膜を形成し、パターニングするという工程
を繰り返すことで製造される。 （その他の変形例）本発明は、上記実施形態に限定され
ることなく種々に変形して適用することが可能である。
【００４７】例えば、上記表示素子は電界発光素子であ
ったが、これに限定なく、比較的大きな電流を消費する
あらゆる素子の回路配置に本発明を適用可能である。
【００４８】また、本発明の発光素子用回路基板は、あ
らゆる電子機器に適用可能である。電子機器に限定はな
いが、小型表示装置、ビューファインダ、ヘッドマウン
トディスプレイなどを含む。
【００４９】
【発明の効果】本発明の発光素子用回路基板によれば、
共通電極と引出端子との間にコンタクトパターンを設け
たので、電圧降下を極力少なくすることができ、複数の
発光素子を備える明るい画像表示を提供する表示装置の
基板として使用することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態の発光素子用回路基板の平面図。
【図２】実施形態の発光素子用回路基板の断面図。
【図３】電界発光素子を用いた表示装置の全体回路図。
【符号の説明】
１ 画素領域 ２ コンタクトパターン ３ 信号駆動回路 ４ 走査駆動回路 ５ 周辺回路 ６ 取出端子群 ６１ 取出端子 １０ 共通電極 １１ 電界発光素子 １２ 薄膜トランジスタ １０１ 半導体層（ｐ−Ｓｉ） １０２ ゲート絶縁膜 １０３、１０４ 層間絶縁膜 １０５、１０６ バンク層 １０７ 電界発光層（必要に応じて電子・正孔輸送層含
む） １２１ 画素電極 １３１ ソース電極 １３２ ドレイン電極 １３３ ゲート電極 ２０１ タンタル配線層（Ｔａ） ２０２ アルミ配線層（Ａｌ） ２０３ ＩＴＯ層 ２０４ 陰極層 ３０１〜３０４ コンタクトホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松枝 洋二郎 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 北和田 清文 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB05 BB07 CA01 CA02 CB01 CC00 CC05 DA00 DB03 EB00 GA00 5C094 AA02 AA21 BA27 DA09 EA05 EA07 EB02 FB01

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 発光素子の形成に用いられる発光素子用
    回路基板において、 外部への取出端子が当該基板の一辺に集積された取出端
    子群と、 所定の共通電極が配置される領域と前記取出端子群との
    間に、前記取出端子群の一部の取出端子と前記共通電極
    とを電気的に接続するコンタクトパターンと、を備えて
    いることを特徴とする発光素子用回路基板。
  2. 【請求項２】 電流を供給することにより発光する発光
    素子の形成に用いられ、前記コンタクトパターンは、前
    記取出端子群の一部と前記発光素子の電流が共通して流
    れる共通電極とを電気的に接続するように形成される請
    求項１に記載の発光素子用回路基板。
  3. 【請求項３】 前記発光素子は、有機電界発光素子であ
    る請求項２に記載の発光素子用回路基板。
  4. 【請求項４】 前記コンタクトパターンは、 前記共通電極の面積の１０％以上の面積を備えている請
    求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光素子用
    回路基板。
  5. 【請求項５】 前記取出端子群は、 同一の形状を備えた取出端子を連設されている請求項１
    乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光素子用回路基
    板。
  6. 【請求項６】 形成される共通電極は方形であり、 前記共通電極を介して前記コンタクトパターンと対向す
    る領域に、走査配線に走査信号を供給するための走査駆
    動回路を備えている請求項１乃至請求項３のいずれか一
    項に記載の発光素子用回路基板。
  7. 【請求項７】 前記コンタクトパターンおよび走査駆動
    回路が設けられる前記共通電極の周辺領域以外の領域
    に、信号配線に画像信号を供給するための信号駆動回路
    および／または周辺回路を形成する領域を備えている請
    求項６に記載の発光素子用回路基板。
  8. 【請求項８】 いずれの回路も設けられてない前記共通
    電極を形成する領域の四隅にアライメントマークを備え
    ている請求項５に記載の発光素子用回路基板。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至請求項８のいずれか一項に
    記載の発光素子用回路基板を備えていることを特徴とす
    る電子機器。
  10. 【請求項１０】 請求項１乃至請求項８のいずれか一項
    に記載の発光素子用回路基板と、 前記回路基板上に各画素に対応して設けられた複数の発
    光素子と、を備え、 前記発光素子に対する制御により画像を表示する表示装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記各画素の発光素子に対応して当該
    画素の発光素子の駆動制御を行うトランジスタを備える
    請求項１０に記載の表示装置。
  12. 【請求項１２】 前記発光素子は、電流制御型の発光素
    子であり、各画素において、前記発光素子の制御用トラ
    ンジスタと駆動用トランジスタとを備える請求項１１に
    記載の表示装置。
  13. 【請求項１３】 各画素における発光素子は、画素電極
    と、当該画素電極と前記共通電極との間に少なくとも有
    機発光材料からなる発光層を備えている請求項１１また
    は請求項１２のいずれかに記載の表示装置。
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