JP4475379B2

JP4475379B2 - 電気光学装置及び電子機器

Info

Publication number: JP4475379B2
Application number: JP2003042319A
Authority: JP
Inventors: 早人中西
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-02-20
Filing date: 2003-02-20
Publication date: 2010-06-09
Anticipated expiration: 2023-02-20
Also published as: JP2004253241A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−２４６０６号公報
【０００４】
【背景技術】
有機エレクトロルミネセンス素子のような電流駆動する素子では、安定した電流の供給が要求される。しかしながら、複数の素子を並べてあるために、素子の位置によって、印加される電圧が異ならないようにすることが難しかった。
【０００５】
本発明の目的は、印加される電圧の差を小さくすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る電気光学装置は、基板と、
前記基板の画素領域に設けられた複数の電気光学素子と、
前記複数の電気光学素子に電気エネルギーを供給するための複数の画素電極と、
前記画素電極に対向する部分を有する共通電極と、
前記複数の画素電極に電気的に接続された複数の配線と、
前記複数の配線に電気的に接続された、前記配線の本数よりも少ない本数の共通配線と、
前記共通電極に電気的に接続されたサイド配線と、
を有し、
前記配線と前記共通配線を電気的に接続する第１のコンタクト部は、前記画素領域の外側を通る第１の直線によって前記画素領域側の領域から区別された第１の端部領域に位置し、
前記共通電極と前記サイド配線を電気的に接続する第２のコンタクト部は、前記画素領域の外側を通る第２の直線によって前記画素領域側の領域から区別された第２の端部領域に位置してなる。本発明によれば、第１及び第２のコンタクト部が、それぞれ、異なる領域（第１及び第２の端部領域）に形成されている。したがって、第１のコンタクト部を介して共通配線に電気的に接続された配線の最も電位変化（例えば電圧降下）の小さい部分と、第２のコンタクト部を介してサイド配線に電気的に接続された共通電極の最も電位変化（例えば電圧降下）の小さい部分と、が重複しない。その結果、画素電極及び共通電極間に印加される電圧の、画素領域内の位置によって生じる差が小さくなる。なお、本発明で、基板は、プレート形状のものに限定されるものではなく、それ以外の形状であっても、他の部材を支持できるものを含む。また、本発明で、「電気的に接続」とは、直接接続されている場合のみならず、他の素子（トランジスタやダイオード等）を介して接続することを含む。
（２）本発明に係る電気光学装置は、基板と、
前記基板の画素領域に設けられた複数の電気光学素子と、
前記複数の電気光学素子に電気エネルギーを供給するための複数の画素電極と、
前記画素電極に対向する部分を有する共通電極と、
前記複数の画素電極に電気的に接続された複数の配線と、
前記複数の配線に電気的に接続された、前記配線の本数よりも少ない本数の共通配線と、
前記共通電極に電気的に接続されたサイド配線と、
を有し、
前記共通配線は、前記画素領域の外側を通る第１の直線によって前記画素領域側の領域から区別された第１の端部領域内に、前記画素領域の幅方向に延びる部分を有し、
前記サイド配線は、前記画素領域の外側を通る第２の直線によって前記画素領域側の領域から区別された第２の端部領域内に、前記画素領域の幅方向に延びる部分を有する。本発明によれば、共通配線及びサイド配線が、それぞれ、異なる領域（第１及び第２の端部領域）に形成されている。したがって、共通配線に電気的に接続される配線の最も電位変化（例えば電圧降下）の小さい部分と、サイド配線に電気的に接続される共通電極の最も電位変化（例えば電圧降下）の小さい部分と、が重複しない。その結果、画素電極及び共通電極間に印加される電圧の、画素領域内の位置によって生じる差が小さくなる。なお、本発明で、基板は、プレート形状のものに限定されるものではなく、それ以外の形状であっても、他の部材を支持できるものを含む。また、本発明で、「電気的に接続」とは、直接接続されている場合のみならず、他の素子（トランジスタやダイオード等）を介して接続することを含む。
（３）この電気光学装置において、
前記第１及び第２の端部領域は、対向するように位置してもよい。
（４）この電気光学装置において、
前記配線は、前記第１の端部領域から前記第２の端部領域に向けて延びるように形成され、
前記共通電極は、前記第２の端部領域から前記第１の端部領域に向けて延びるように形成されていてもよい。
（５）この電気光学装置において、
１本の前記共通配線が設けられていてもよい。
（６）この電気光学装置において、
前記複数の配線は、複数のグループに分けられ、
少なくとも１グループの前記配線には抵抗が接続されていてもよい。
（７）この電気光学装置において、
それぞれの前記電気光学素子は、複数の発光色の発光層のいずれか１つを有してもよい。
（８）本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置を有する。
（９）本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の画素領域に複数の電気光学素子を設けること、
前記基板に、前記複数の電気光学素子に電気エネルギーを供給するための複数の画素電極を設けること、
前記基板に、前記画素電極に対向する部分を有する共通電極を設けること、
前記基板に、前記複数の画素電極に電気的に接続されるように複数の配線を設けること、
前記基板に、前記複数の配線に電気的に接続されるように、前記配線の本数よりも少ない本数の共通配線を設けること、及び、
前記基板に、前記共通電極に電気的に接続されるようにサイド配線を設けること、
を含み、
前記配線と前記共通配線を電気的に接続する第１のコンタクト部を、前記画素領域の外側を通る第１の直線によって前記画素領域側の領域から区別された第１の端部領域に配置し、
前記共通電極と前記サイド配線を電気的に接続する第２のコンタクト部を、前記画素領域の外側を通る第２の直線によって前記画素領域側の領域から区別された第２の端部領域に配置する。本発明によれば、第１及び第２のコンタクト部を、それぞれ、異なる領域（第１及び第２の端部領域）に形成する。したがって、第１のコンタクト部を介して共通配線に電気的に接続された配線の最も電位変化（例えば電圧降下）の小さい部分と、第２のコンタクト部を介してサイド配線に電気的に接続された共通電極の最も電位変化（例えば電圧降下）の小さい部分と、が重複しない。その結果、画素電極及び共通電極間に印加される電圧の、画素領域内の位置によって生じる差が小さくなる。なお、本発明で、基板は、プレート形状のものに限定されるものではなく、それ以外の形状であっても、他の部材を支持できるものを含む。また、本発明で、「電気的に接続」とは、直接接続されている場合のみならず、他の素子（トランジスタやダイオード等）を介して接続することを含む。
（１０）本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の画素領域に複数の電気光学素子を設けること、
前記基板に、前記複数の電気光学素子に電気エネルギーを供給するための複数の画素電極を設けること、
前記基板に、前記画素電極に対向する部分を有する共通電極を設けること、
前記基板に、前記複数の画素電極に電気的に接続されるように複数の配線を設けること、
前記基板に、前記複数の配線に電気的に接続されるように、前記配線の本数よりも少ない本数の共通配線を設けること、及び、
前記基板に、前記共通電極に電気的に接続されるようにサイド配線を設けること、
を含み、
前記共通配線を、前記画素領域の外側を通る第１の直線によって前記画素領域側の領域から区別された第１の端部領域内に、前記画素領域の幅方向に延びる部分を有するように形成し、
前記サイド配線を、前記画素領域の外側を通る第２の直線によって前記画素領域側の領域から区別された第２の端部領域内に、前記画素領域の幅方向に延びる部分を有するように形成する。本発明によれば、共通配線及びサイド配線を、それぞれ、異なる領域（第１及び第２の端部領域）に形成する。したがって、共通配線に電気的に接続される配線の最も電位変化（例えば電圧降下）の小さい部分と、サイド配線に電気的に接続される共通電極の最も電位変化（例えば電圧降下）の小さい部分と、が重複しない。その結果、画素電極及び共通電極間に印加される電圧の、画素領域内の位置によって生じる差が小さくなる。なお、本発明で、基板は、プレート形状のものに限定されるものではなく、それ以外の形状であっても、他の部材を支持できるものを含む。また、本発明で、「電気的に接続」とは、直接接続されている場合のみならず、他の素子（トランジスタやダイオード等）を介して接続することを含む。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００８】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置を説明する図であり、図２は、電気光学装置の詳細を示す図である。図１に示す電気光学装置１は、有機ＥＬ（Electroluminescence）装置（例えば有機ＥＬパネル）である。電気光学装置１には、基板（例えばフレキシブル基板）２が取り付けられ、電気的に接続されている。その取り付け及び電気的接続には、異方性導電フィルムや異方性導電ペーストなどの異方性導電材料を使用してもよい。電気的に接続とは、接触することも含む。このことは以下の説明でも同じである。基板２は配線基板であって、図示しない配線パターン及び端子が形成されている。基板２には、集積回路チップ（あるいは半導体チップ）３が実装されている。集積回路チップ３は、電源回路や制御回路等を有していてもよい。その実装には、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）又はＣＯＦ(Chip On Film)を適用してもよく、そのパッケージ形態は、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）であってもよい。集積回路チップ３が実装された基板２を有する電気光学装置１を電子モジュール（例えば、液晶モジュールやＥＬモジュール等の表示モジュール）ということができる。
【０００９】
電気光学装置１は、基板１０を有する。基板１０は、リジッド基板（例えばガラス基板、シリコン基板）であってもよいし、フレキシブル基板（例えばフィルム基板）であってもよい。基板１０は、光透過性を有していてもよいし、遮光性を有していてもよい。例えば、ボトムエミッション（又はバックエミッション）型の表示装置（例えば有機ＥＬパネル）では、光透過性の基板１０を使用し、基板１０の側から光を取り出してもよい。トップエミッション型の有機ＥＬパネルでは、遮光性の基板１０を使用してもよい。なお、基板１０は、プレート形状のものに限定されるものではなく、それ以外の形状であっても、他の部材を支持できるものを含む。
【００１０】
基板１０は、画素領域（例えば表示領域）１２を含む。画素領域１２には、複数の（例えば、ｍ行ｎ列（例えばマトリクス状）の）画素Ｐが形成されていてもよい。カラー表示装置では、画素Ｐは、１つのカラー表示用画素を構成するためのサブ画素である。
【００１１】
基板１０には、１つ又は複数の駆動回路（例えば走査線駆動回路）１４が設けられてもよい。駆動回路１４は、画素領域１２での動作（例えば表示動作）を駆動する。一対の駆動回路１４が画素領域１２の両隣に配置されていてもよい。基板１０には、補助回路１６が設けられてもよい。補助回路１６は、画素領域１２での動作（例えば表示動作）が正常になされるかどうかを検査するための検査回路であってもよいし、画素領域１２での動作速度（表示速度）を速めるためのプリチャージ回路であってもよい。駆動回路１４及び補助回路１６の少なくとも一方は、基板１０上にポリシリコン膜などを使用して形成されたものであってもよいし、基板１０上に実装された集積回路チップであってもよい。なお、基板１０の外部にある集積回路チップ３が、画素領域１２での動作駆動を制御するようになっていてもよい。
【００１２】
図２に示すように、基板１０は、画素領域１２の外側を通る第１の直線Ｌ_１によって画素領域１２側の領域から区別された第１の端部領域１８を有する。基板１０は、画素領域１２の外側を通る第２の直線Ｌ_２によって画素領域１２側の領域から区別された第２の端部領域２８を有する。第１及び第２の端部領域１８，２８を区画する第１及び第２の直線Ｌ_１，Ｌ_２は、平行であってもよい。第１及び第２の端部領域１８，２８（又は第１及び第２の直線Ｌ_１，Ｌ_２）は、画素領域１２を挟むように位置してもよいし、対向するように位置してもよい。第１及び第２の端部領域１８，２８は、全体的にも部分的にも重複しないようになっていてもよい。第１又は第２の端部領域１８，２８は、基板１０の周縁領域の一部である。第１及び第２の端部領域の定義は、以下の説明でも同じである。画素領域１２は基板１０の中央領域（周縁領域を除く領域）であってもよい。
【００１３】
変形例として、第１及び第２の直線Ｌ_１，Ｌ_２は、交差する方向に延びていてもよい。その場合、基板１０上で、第１及び第２の直線Ｌ_１，Ｌ_２は交差しないように位置してもよい。あるいは、基板１０上で、第１及び第２の直線Ｌ_１，Ｌ_２が交差するように位置していれば、第１及び第２の端部領域１８，２８は、部分的に重複する。
【００１４】
基板１０には、複数の外部端子２０が形成されていてもよい。複数の外部端子２０は、基板１０の一辺に沿って配列されていてもよい。外部端子２０は、第１の端部領域１８に設けられていてもよい。
【００１５】
基板１０には、複数本又は１本のサイド配線（例えば陰極線）２２が形成されていてもよい。サイド配線２２は、少なくとも１つ（例えば２つ以上）の外部端子２０に電気的に接続されていてもよい。サイド配線２２は、第２の端部領域（例えば外部端子２０を有しない端部領域）２８に、画素領域１２の幅方向（例えば、第２の直線Ｌ_２に沿った方向）に延びるように設けられた第１の部分２４を有していてもよい。第１の部分２４は、サイド配線２２のそれ以外の部分である第２の部分２６よりも広い幅を有するように形成されていてもよい。サイド配線２２（例えばその第１の部分２４）は、共通電極（図７参照）と電気的に接続されていてもよい。サイド配線２２は、共通配線３０，３２，３４よりも広い幅を有するように形成されていてもよい。
【００１６】
サイド配線２２の第１の部分２４を除いてなる第２の部分２６は、第２の端部領域２８以外の領域（例えば、第１の端部領域１８と、第１及び第２の端部領域１８，２８を除く領域と、の少なくとも一方）を通ってもよい。第２の部分２６は、外部端子２０に電気的に接続されていてもよい。第２の部分２６は、例えば第２の端部領域２８内で、第１の部分２４に電気的に接続されていてもよい。第２の部分２６は、屈曲部を有していてもよい。
【００１７】
基板１０には、１本又は複数本の共通配線（例えば共通陽極線）３０，３２，３４が形成されていてもよい。共通配線３０，３２，３４のそれぞれ又はいずれか１つは、２つ以上の外部端子２０に電気的に接続されていてもよい。共通配線３０，３２，３４のそれぞれ又はいずれか１つは、第１の端部領域１８に、画素領域１２の幅方向（例えば、第１の直線Ｌ_１に沿った方向）に延びるように設けられた第１の部分３６を有していてもよい。共通配線３０，３２，３４のそれぞれ又はいずれか１つは、第１の部分３６から外部端子２０の方向に延びる第２の部分３８を有していてもよい。
【００１８】
共通配線３０，３２，３４のうちいずれか１つ（例えば共通配線３０（詳しくはその第１の部分３６））は、他の１つ（例えば共通配線３２又は３４（詳しくはその第１の部分３６））よりも画素領域１２の近くに配置されてもよい。共通配線３０，３２，３４のうちいずれか１つ（例えば共通配線３０）の第２の部分３８は、他の１つ（例えば共通配線３２又は３４）の第２の部分３８の外側（基板１０の端部に近い位置）に配置されてもよい。
【００１９】
共通配線３０，３２，３４は、複数の配線４４，４６，４８と電気的に接続されていてもよい。共通配線３０，３２，３４の本数（例えば３）は、複数の配線４４，４６，４８の本数（例えば３×ｎ（ｎ＝２，３，４，…））よりも少なくてもよい。共通配線３０，３２，３４のそれぞれに、配線４４，４６，４８の１グループが電気的に接続されていてもよい。
【００２０】
サイド配線２２の第１の部分２４と、共通配線３０，３２，３４のそれぞれ又はいずれか１つの第１の部分３６とは、画素領域１２を挟むように、あるいは対向するように形成されてもよい。または、サイド配線２２の第１の部分２４と、共通配線３０，３２，３４のそれぞれ又はいずれか１つの第１の部分３６とは、画素領域１２の周囲の領域において、最も離れるように形成されてもよい。
【００２１】
電気光学装置１（例えば基板１０）は、複数層の導電パターンを含む多層構造を有する。図３〜図５は、下から上への順に、各層の導電パターンを示す図である。図６は、図２のVI−VI線断面図である。
【００２２】
共通配線３０，３２，３４のそれぞれ又はいずれか１つは、２層以上の導電パターンの積層部分を含む。例えば、図６に示すように、導電パターン４１（図３参照）の一部と、その上の導電パターン４２（図４参照）の一部と、さらにその上の導電パターン４３（図５参照）の一部と、の積層部分によって、共通配線３０，３２又は３４の少なくとも一部が構成されている。こうすることで、共通配線３０，３２又は３４を少なくとも部分的に厚く形成することができ、電気的抵抗を減らすことができる。この内容は、外部端子２０及びサイド配線２２の少なくとも一方についても適用することができる。
【００２３】
基板１０には、共通配線３０，３２，３４に電気的に接続された複数の配線（例えば陽極線）４４，４６，４８が形成されている。配線４４，４６，４８のそれぞれは、共通配線３０，３２，３４のうちいずれか１つの第１の部分３６に電気的に接続されている。マトリクス状に配列された画素Ｐ（図１参照）を有するマトリクス表示装置では、配線４４，４６，４８の数は、画素の列数（ｎ本）と同じでもよい。配線４４，４６，４８のそれぞれと、共通配線３０，３２，３４のいずれかを電気的に接続する第１のコンタクト部５０は、第１の端部領域１８に位置していてもよい。
【００２４】
配線４４，４６，４８は、第１の端部領域１８から第２の端部領域２８に向けて延びるように形成されている。また、配線４４，４６，４８は、画素領域１２を通るように形成されている。配線４４，４６，４８のそれぞれの一部は、第１の端部領域１８に位置し、他の一部は、画素領域１２に位置する。配線４４，４６，４８のそれぞれの一部は、第２の端部領域２８に位置しないように形成されてもよいが、位置してもよい。
【００２５】
図７は、図２のVII−VII線断面図である。配線４４，４６，４８のそれぞれは、２層以上の導電パターンのそれぞれの一部によって形成されてもよい。例えば、導電パターン４１（図３参照）の一部とその上の導電パターン４２（図４参照）の一部とが電気的に接続され、導電パターン４２（図４参照）の一部とその上の導電パターン４３（図５参照）の一部とが電気的に接続されて、配線４４，４６，４８が構成されてもよい。配線４４，４６，４８は、複数の画素電極７０に電気的に接続されていてもよい。
【００２６】
図２に示すように、共通配線３０，３２，３４のそれぞれは、配線４４，４６，４８のうちいずれかのグループの配線と電気的に接続されるが、残りのグループの配線とは電気的に接続されない。例えば、第１グループの配線４４が共通配線３０に電気的に接続され、第２グループの配線４６が共通配線３２に電気的に接続され、第３グループの配線４８が共通配線３４に電気的に接続されてもよい。その場合、共通配線３０は第２及び第３のグループの配線４６，４８には電気的に接続されず、共通配線３２は第１及び第３のグループの配線４４，４８には電気的に接続されず、共通配線３４は第１及び第２のグループの配線４４，４６には電気的に接続されない。
【００２７】
配線４４，４６，４８と共通配線３０，３２，３４とは立体交差するように配置してもよい。その場合、オーバーラップする部分のうち、電気的に接続すべき部分間に第１のコンタクト部５０を設け、電気的に接続させない部分間には絶縁体を設ける。例えば、配線４４，４６，４８と共通配線３０，３２，３４とを電気的に接続する第１のコンタクト部５０を、図４に示す導電パターン４２の一部によって形成してもよい。その場合、導電パターン４２とは異なる層（例えば隣接する上下層）に位置する導電パターン４１，４３（図３及び図５参照）の両方の部分によって、配線４４，４６，４８及び共通配線３０，３２，３４のオーバーラップする部分を形成してもよい。本実施の形態では、共通配線３０，３２，３４の下を通るように配線４４，４６，４８を形成してある。
【００２８】
図８は、図２のVIII−VIII線断面図である。基板１０には、複数本の配線（例えば信号線）５２が形成されている。配線５２は、２層以上の導電パターンのそれぞれの一部によって形成されてもよい。例えば、導電パターン４１（図３参照）の一部とその上の導電パターン４２（図４参照）の一部とが電気的に接続され、導電パターン４２（図４参照）の一部とその上の導電パターン４３（図５参照）の一部とが電気的に接続されて、配線５２が構成されてもよい。
【００２９】
配線５２は、共通配線３０，３２，３４と立体交差するように配置してもよい。その場合、オーバーラップする部分間には絶縁体を設ける。例えば、積層された複数層又は１層を飛び越した層に位置する複数の導電パターン４１，４３（図３及び図５参照）の両方の部分によって、配線５２及び共通配線３０，３２，３４のオーバーラップする部分を形成してもよい。本実施の形態では、共通配線３０，３２，３４の下を通るように配線５２を形成してある。配線５２は、サイド配線２２と交差しないようになっていてもよい。その場合、配線５２及びサイド配線２２の間にキャパシタが形成されない、あるいはキャパシタの影響が小さくなる。そうすることで、配線５２を流れる信号に対する容量インピーダンスを小さくすることができる。
【００３０】
基板１０には、複数本の配線（例えば走査線）５４が形成されている。配線５４は、駆動回路（例えば走査線駆動回路）１４に電気的に接続されている。配線５４のそれぞれの端部に駆動回路１４が電気的に接続されてもよい。配線５４と配線４４，４６，４８，５２とで、マトリクス領域を区画してもよい。配線５４は、配線４４，４６，４８，５２と立体交差するように配置してもよい。その場合、オーバーラップする部分間には絶縁体を設ける。例えば、積層された複数層又は１層を飛び越える層に位置する複数の導電パターン４１，４３（図３及び図５参照）の両方の部分によって、配線５４及び配線４４，４６，４８，５２のオーバーラップする部分を形成してもよい。本実施の形態では、配線４４，４６，４８，５２の下を通るように配線５４を形成してある。
【００３１】
図９は、図２のIX−IX線断面図である。基板１０には、複数の電気光学素子６０が設けられている。電気光学素子６０が設けられた領域が画素領域１２である。１つの画素（例えばサブ画素）Ｐに１つの電気光学素子６０が設けられている。複数の電気光学素子６０は、複数の発光色（例えば赤、緑、青）の複数の発光層６２を有する。それぞれの電気光学素子６０は、いずれか１つの発光色の発光層６２を有する。発光層６２を構成する材料は、ポリマー系材料又は低分子系材料あるいは両者を複合的に用いた材料のいずれであってもよい。発光層６２は、電流が流れることで発光する。発光層６２は、発光色に応じて、発光効率が異なっていてもよい。１つの同じ共通配線３０，３２又は３４に電気的に接続された１グループの配線４４，４６又は４８は、同じ発光色の発光層６２に対応している（具体的には電気的に接続されている）。
【００３２】
電気光学素子６０は、第１及び第２のバッファ層６４，６６の少なくとも一方を有していてもよい。第１のバッファ層６４は、発光層６２への正孔注入を安定化させる正孔注入層であってもよいし、正孔注入層を有していてもよい。第１のバッファ層６４は、正孔輸送層を有していてもよい。正孔輸送層は、発光層６２と正孔注入層との間に設けられてもよい。第２のバッファ層６６は、発光層６２への電子注入を安定化させる電子注入層であってもよいし、電子注入層を有していてもよい。第２のバッファ層６６は、電子輸送層を有していてもよい。電子輸送層は、発光層６２と電子注入層との間に設けられてもよい。隣同士の電気光学素子６０は、バンク６８によって区画（電気的に絶縁）されている。
【００３３】
基板１０には、複数の画素電極７０が設けられている。それぞれの画素電極７０は、いずれかの電気光学素子６０に電気エネルギーを供給するためのものである。画素電極７０は、電気光学素子６０（例えば第１のバッファ層６４（例えば正孔注入層））に接触していてもよい。それぞれの画素電極７０は、配線４４，４６，４８のいずれかに電気的に接続されている。配線４４，４６，４８のそれぞれは、１グループの画素電極７０に電気的に接続されてもよい。
【００３４】
基板１０には、複数又は１つの共通電極７２が設けられている。共通電極７２は、電気光学素子６０に電気エネルギーを供給するためのものである。共通電極７２は、電気光学素子６０（例えば第２のバッファ層６６（例えば電子注入層））に接触していてもよい。共通電極７２は、画素電極７０に対向する部分を有する。共通電極７２は、画素電極７０の上方に配置されてもよい。
【００３５】
図７に示すように、共通電極７２は、サイド配線２２（詳しくはその第１の部分２４）に電気的に接続されている。共通電極７２とサイド配線２２との第２のコンタクト部７６は、第２の端部領域２８に位置していてもよい。なお、共通電極７２とサイド配線２２とが接触している場合、両者の接触部が第２のコンタクト部７６である。第２のコンタクト部７６は画素領域１２の幅方向に延びていてもよい。例えば、画素領域１２の幅方向において、両端に位置する画素電極７０の間隔長さと同じ又はそれ以上の長さを有するように第２のコンタクト部７６が形成されていてもよい。このように第２のコンタクト部７６を長くすることで、共通電極７２とサイド配線２２との電気的抵抗を小さくすることができる。その結果、サイド配線２２から共通電極７２への電子の流れがスムーズになる。
【００３６】
共通電極７２は、第２の端部領域２８から第１の端部領域１８に向けて延びるように形成されている。また、共通電極７２は、画素領域１２を通るように形成されている。共通電極７２の一部は、第２の端部領域２８に位置し、他の一部は、画素領域１２に位置する。共通電極７２の一部は、第１の端部領域１８に位置しないように形成されてもよいが、位置してもよい。
【００３７】
本実施の形態によれば、第１及び第２のコンタクト部５０，７６（あるいは共通配線３０，３２，３４及びサイド配線２２）が、それぞれ、異なる領域（第１及び第２の端部領域１８，２８）に形成されている。したがって、共通配線３０，３２，３４に（第１のコンタクト部５０を介して）電気的に接続された配線４４，４６，４８の最も電位変化（例えば電圧降下）の小さい部分と、サイド配線２２に（第２のコンタクト部７６を介して）電気的に接続された共通電極７２の最も電位変化（例えば電圧降下）の小さい部分と、が重複しない。
【００３８】
例えば、図１に示すように、ｍ行の画素Ｐ_１〜Ｐ_ｍを有する場合を説明する。図２に示すように、配線４４，４６，４８は、第１の端部領域１８から第２の端部領域２８に向けて延びている。配線４４，４６，４８には共通配線３０，３２，３４から電圧が供給される。配線４４，４６，４８と共通配線３０，３２，３４との第１のコンタクト部５０は、第１の端部領域１８に位置する。したがって、配線４４，４６，４８（詳しくはこれらに接続される画素電極７０）の電位変化（例えば電圧降下）は、第１の端部領域１８（あるいは第１のコンタクト部５０）に最も近い１行目の画素Ｐ_１において最も小さく、最も離れたｍ行目の画素Ｐ_ｍにおいて最も大きい。
【００３９】
一方、共通電極７２は、第２の端部領域２８から第１の端部領域１８に向けて延びている。共通電極７２にはサイド配線２２から電圧が供給される。共通電極７２とサイド配線２２との第２のコンタクト部７６は、第２の端部領域２８に位置する。したがって、共通電極７２の電位変化（例えば電圧降下）は、第２の端部領域２８（あるいは第２のコンタクト部７２）に最も近いｍ行目の画素Ｐ_ｍにおいて最も小さく、最も離れた１行目の画素Ｐ_１において最も大きい。
【００４０】
以上のことから、１行目の画素Ｐ_１では、画素電極及び共通電極７０，７２間に印加される電圧は、最も電位変化（例えば電圧降下）の小さい画素電極７０と、最も電位変化（例えば電圧降下）の大きい共通電極７２と、の電位差によって形成される。また、ｍ行目の画素Ｐ_ｍでは、画素電極及び共通電極７０，７２間に印加される電圧は、最も電位変化（例えば電圧降下）の大きい画素電極７０と、最も電位変化（例えば電圧降下）の小さい共通電極７２と、の電位差によって形成される。すなわち、画素電極及び共通電極７０，７２間に印加される電圧の、画素領域１２内の位置によって生じる差が小さくなる。
【００４１】
図６〜図９に示すように、基板１０には、サイド配線２２及び共通配線３０，３２，３４上に被覆層８０が設けられている。サイド配線２２の少なくとも第１の部分２４は、被覆層８０から露出している。被覆層８０は、１つ又は複数の層で形成してもよい。被覆層８０は、電気的絶縁材料で形成してもよい。被覆層８０の少なくとも表面は酸化物又は窒化物で形成されていてもよい。
【００４２】
共通配線３０，３２，３４の隣（例えば、画素領域１２から離れた位置あるいは基板１０の端部に近い位置）には、図７及び図８に示すように、スペーサ８２が設けられている。スペーサ８２は、共通配線３０，３２，３４、サイド配線２２、配線４４，４６，４８，５２の少なくとも１つと同じ材料で形成されたダミー配線であってもよい。スペーサ８２は被覆層８０の下に形成されている。スペーサ８２を設けることで、共通配線３０，３２，３４の隣の領域で被覆層８０の表面を高くしてある。こうすることで、被覆層８０の表面において、共通配線３０，３２，３４の上方の領域と、スペーサ８２の上方の領域との高さの差（段差）を減らして、あるいはなくしてもよい。または、共通配線３０，３２，３４の上方の領域からスペーサ８２の上方の領域にかけて、被覆層８０の表面の傾斜又は凹凸を減らしてもよいし、平らにしてもよい。
【００４３】
基板１０には、電気光学素子６０の封止部材８４が設けられている。電気光学素子６０の少なくとも一部が水分や酸素等によって劣化しやすい場合には、封止部材８４によって電気光学素子６０を保護することができる。封止部材８４の基板１０（例えば被覆部８０）に対する取付部は、図７に示すように、共通電極７２のサイド配線２２との接合部を避けて（接触しないように）配置してもよい。そのためには、封止部材８４の取付部を、共通電極７２よりも外側（画素領域１２から離れた位置あるいは基板１０の端部に近い位置）に配置してもよい。こうすることで、共通電極７２の少なくとも表面が接着剤との密着性の低い材料（例えば金属）で形成された場合でも、接着剤を使用して、封止部材８４を基板１０（例えば被覆部８０）に確実に固定することができる。なお、被覆部８０は、接着剤との密着性が金属よりも高いものであってもよい。
【００４４】
本実施の形態では、封止部材８４の取付部と共通配線３０，３２，３４の少なくとも一部がオーバーラップしている。これにより、電気光学装置１を小型化することができる。封止部材８４の取付部は、スペーサ８２の少なくとも一部と共通配線３０，３２，３４の少なくとも一部との両方の上方に位置してもよい。これによれば、被覆層８０の表面において傾斜又は凹凸が小さい領域（例えば平坦領域）に封止部材８４の取付部を配置するので、その良好な取り付けが可能である。
【００４５】
図１０は、本実施の形態に係る電気光学装置の動作を説明する回路図である。電気光学装置１は、図１０に示す回路に対応する素子を有する。回路構成（素子の接続状態）は、図１０に示す通りであり説明を省略する。本実施の形態では、サイド配線２２を低電位（例えばグランド電位）に接続し、それよりも高電位に共通配線３０，３２，３４を接続する。共通配線３０，３２，３４には、それぞれ、異なる電圧Ｖ_dd1，Ｖ_dd2，Ｖ_dd3が供給される。電圧Ｖ_dd1，Ｖ_dd2，Ｖ_dd3は、それぞれ、発光層６２の発光効率に応じた電圧である。配線５２には、電流Ｉ_dataが流れるようになっている。電流Ｉ_dataは、電気光学素子６０に供給する電流に応じた信号である。なお、図１０には、ｍ行目の画素Ｐ_ｍ（図１参照）に設けられた電気光学素子６０を示してある。配線（走査線）５４には、選択信号が入力される。選択信号は、高電位のＨ信号又は低電位のＬ信号である。
【００４６】
プログラミング期間では、例えば配線４６に電圧Ｖ_dd2が供給され、配線５２に電流Ｉ_dataが流れるようになっている。また、プログラミング期間では、配線５４にＨ信号が入力されて、スイッチング素子１１０、１１６がＯＮになり、スイッチング素子１１２がＯＦＦになる。そして、配線４６から、スイッチング素子１１４，１１６を通って、配線５２に電流Ｉ_dataが流れると、スイッチング素子１１４の制御電圧（スイッチング素子１１４がＭＯＳトランジスタである場合はゲート電圧）は、電流Ｉ_dataに対応した値になり、その制御電圧に応じた電荷がキャパシタ１２０に蓄えられる。
【００４７】
動作期間（例えば発光期間）では、配線５４にＬ信号が入力されて、スイッチング素子１１０、１１６がＯＦＦになり、スイッチング素子１１２がＯＮになる。そして、プログラミング期間でキャパシタ１２０に蓄えられた電荷に応じた制御電圧（スイッチング素子１１４がＭＯＳトランジスタである場合はゲート電圧）によってスイッチング素子１１４が制御（例えばＯＮ）され、制御電圧に応じた電流が、配線４６からスイッチング素子１１４，１１２を通って、電気光学素子６０を流れるようになっている。
【００４８】
なお、上述した素子は、電気光学素子６０ごとに設けられる。スイッチング素子１１０，１１２，１１４，１１６等は、ポリシリコン薄膜などによって形成してもよい。
【００４９】
本実施の形態に係る電気光学装置の製造方法では、基板１０の画素領域１２に複数の電気光学素子６０を設ける。基板１０に、複数の電気光学素子６０に電気エネルギーを供給するための複数の画素電極７０を設ける。基板１０に、画素電極７０に対向する部分を有する共通電極７２を設ける。基板１０に、複数の画素電極７０に電気的に接続されるように複数の配線４４，４６，４８を設ける。基板１０に、複数の配線４４，４６，４８に電気的に接続されるように、配線４４，４６，４８の本数よりも少ない本数の共通配線３０，３２，３４を設ける。基板１０に、共通電極７２に電気的に接続されるようにサイド配線２２を設ける。
【００５０】
配線４４，４６，４８と共通配線３０，３２，３４を電気的に接続する第１のコンタクト部５０を、第１の端部領域１８に配置してもよい。共通電極７２とサイド配線２２を電気的に接続する第２のコンタクト部７６を、第２の端部領域２８に配置してもよい。
【００５１】
共通配線３０，３２，３４を、第１の端部領域１８内に、画素領域１２の幅方向に延びる第１の部分３６を有するように形成してもよい。サイド配線２２を、第２の端部領域２８内に、画素領域１２の幅方向に延びる第１の部分２４を有するように形成してもよい。
【００５２】
（第２の実施の形態）
図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置の詳細を示す図である。図１２は、図１１のXII−XII線断面図であり、図１３は、図１１のXIII−XIII線断面図である。本実施の形態では、基板１０に１つの共通配線２１０が形成されている。基板１０には複数の配線２１２，２１４，２１６が形成されている。全ての配線２１２，２１４，２１６は、１つの共通配線２１０に電気的に接続されている。
【００５３】
図１２及び図１３に示すように、共通電極２１８の画素電極７０と対向しない部分が、絶縁体を介して、共通配線２１０の上方に位置している。こすることで、共通電極２１８と共通配線２１０との間にキャパシタが形成され、共通配線２１０の急激な電圧降下を防止することができる。このことは、第１の実施の形態にも適用可能である。
【００５４】
図１４は、本実施の形態に係る電気光学装置の回路図である。配線２１２，２１４，２１６は、電気光学素子６０の構造又は機能（例えばその発光効率）に応じて、複数のグループに分けられる。１つ又は複数のグループの配線２１２，２１４には、抵抗２２０，２２２が電気的に接続されていてもよい。例えば、１つの配線２１２には抵抗２２０が電気的に接続され、１つの配線２１４には、抵抗２２０とは異なる抵抗値の抵抗２２２が電気的に接続されていてもよい。なお、１グループの配線２１６には、抵抗が電気的に接続されていなくてもよいが、配線２１６自体が抵抗を有する場合には、その抵抗値とは異なるように、抵抗２２０，２２２の抵抗を設定する。これによれば、電気光学素子６０に、その発光効率に応じて、異なる電圧を印加することができる。その結果、電気光学素子６０による発光の輝度を、発光色が異なっていても、均一にすることができる。本実施の形態に係る電気光学装置には、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。また、本実施の形態に係る電気光学装置の製造方法も、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００５５】
本発明の実施の形態に係る電気光学装置を有する電子機器として、図１５にはノート型パーソナルコンピュータ１０００が示され、図１６には携帯電話２０００が示されている。
【００５６】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置を説明する図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置の詳細を説明する図である。
【図３】図３は、複数層のうち１層の導電パターンを示す図である。
【図４】図４は、複数層のうち１層の導電パターンを示す図である。
【図５】図５は、複数層のうち１層の導電パターンを示す図である。
【図６】図６は、図２のVI−VI線断面図である。
【図７】図７は、図２のVII−VII線断面図である。
【図８】図８は、図２のVIII−VIII線断面図である。
【図９】図９は、図２のIX−IX線断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置の動作を説明する回路図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置の詳細を示す図である。
【図１２】図１２は、図１１のXII−XII線断面図である。
【図１３】図１３は、図１１のXIII−XIII線断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置の回路図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１電気光学装置、１０基板、１２画素領域、１８第１の端部領域、２０外部端子、２２サイド配線、２４第１の部分、２６第２の部分、２８第２の端部領域、３０、３２，３４共通配線、３６第１の部分、３８第の２部分、４４，４６，４８配線、５０第１のコンタクト部、６０電気光学素子、７０画素電極、７２共通電極、７６第２のコンタクト部

Claims

基板と、前記基板上に複数の画素電極が設けられた画素領域と、前記複数の画素電極のうち、第１画素電極に対して設けられた第１電気光学素子と、前記複数の画素電極のうち、第２画素電極に対して設けられた第２電気光学素子と、前記第１及び第２電気光学素子に対して共通に設けられた共通電極と、を含み、前記第１及び第２電気光学素子の各々は、前記第１画素電極または前記第２画素電極及び前記共通電極のそれぞれに印加される電圧によって駆動される電気光学装置であって、
前記第１画素電極に電気的に接続された第１配線と、
前記第２画素電極に電気的に接続された第２配線と、
前記第１及び第２配線に電気的に接続された共通配線と、
前記共通電極に電気的に接続されたサイド配線と、
を有し、
前記画素領域の外側を通る第１の直線によって前記画素領域側の領域から区別された第１の端部領域において、前記共通配線は前記第１の直線に沿った方向に延在する第１の部分を有し、前記第１配線と前記共通配線の前記第１の部分とを電気的に接続する第１のコンタクト部が設けられ、
前記画素領域を挟んで前記第１の直線と対向し、かつ前記画素領域の外側を通る第２の直線によって前記画素領域側の領域から区別された第２の端部領域において、前記サイド配線は前記第２の直線に沿った方向に延在する第１の部分を有し、前記共通電極と前記サイド配線の前記第１の部分とを電気的に接続する第２のコンタクト部が設けられ、
前記サイド配線の前記第１の部分と、前記共通配線の前記第１の部分とは、前記画素領域を挟み、かつ、対向しており、
前記第１の直線と前記第２の直線との間の領域と前記第１の端部領域においては、前記共通電極は前記サイド配線と電気的に接続されず、
前記第１の直線と前記第２の直線との間の領域と前記第２の端部領域においては、前記第１配線は前記共通配線と電気的に接続されていないことを特徴とする電気光学装置。
請求項１記載の電気光学装置において、
前記複数の画素電極は、前記画素領域の幅方向における一端に位置する第３画素電極と前記画素領域の幅方向における他端に位置する第４画素電極とを有し、
前記第２のコンタクト部は、前記画素領域の幅方向に延びており、
前記第２のコンタクト部は、前記画素領域の幅方向において、前記第３画素電極と前記第４画素電極との間隔の長さ以上の長さを有する、電気光学装置。
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、
前記第１及び第２の端部領域は、前記画素領域を挟んで対向するように位置する電気光学装置。
請求項１から請求項３のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記第１配線は、前記第１の端部領域から前記第２の端部領域に向けて延びるように形成され、
前記共通電極は、前記第２の端部領域から前記第１の端部領域に向けて延びるように形成されてなる電気光学装置。
請求項１から請求項４のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記共通配線は１本のみ設けられてなる電気光学装置。
請求項５記載の電気光学装置において、
前記第１配線には第１抵抗が接続されており、前記第２配線には前記第１抵抗とは異なる抵抗値を有する第２抵抗が接続されるかまたは抵抗が接続されない電気光学装置。
請求項１から請求項６のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記第１電気光学素子は前記第２電気光学素子とは異なる色を発光する発光層を有する電気光学装置。
請求項１から請求項７のいずれかに記載の電気光学装置を有する電子機器。