CN106449695A - 柔性显示装置 - Google Patents
柔性显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106449695A CN106449695A CN201610625717.4A CN201610625717A CN106449695A CN 106449695 A CN106449695 A CN 106449695A CN 201610625717 A CN201610625717 A CN 201610625717A CN 106449695 A CN106449695 A CN 106449695A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- display device
- insulating layer
- flexible display
- flexible
- cutout
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 31
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 27
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 167
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 101150037603 cst-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- -1 region Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0277—Bendability or stretchability details
- H05K1/028—Bending or folding regions of flexible printed circuits
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
- G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
- G06F1/1641—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being formed by a plurality of foldable display components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/05—Flexible printed circuits [FPCs]
- H05K2201/055—Folded back on itself
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10128—Display
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/411—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by materials, geometry or structure of the substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
提拱了一种柔性显示装置,所述柔性显示装置包括:柔性基底,包括弯曲区域;绝缘层,形成在柔性基底上并包括形成为与弯曲区域对应的至少一个切口;以及多条布线,沿弯曲区域中的绝缘层的表面形状形成。所述至少一个切口可以包括倾斜的侧壁,倾斜的侧壁的宽度可以等于或大于切口的深度。
Description
技术领域
所描述的技术总体涉及一种具有弯曲区域的柔性显示装置。
背景技术
与液晶显示器不同,由于具有自发光特性的有机发光二极管显示器不需要单独的光源,因此有机发光二极管显示器可以具有相对小的厚度和重量。另外,有机发光二极管显示器展现出诸如以低功耗、高亮度和高响应速度为例的高品质特性。
典型的有机发光二极管显示器包括:基底;薄膜晶体管,形成在基底上;有机发光二极管,通过薄膜晶体管控制其发光;以及多个绝缘层,设置在形成薄膜晶体管的电极之间。近来,已经开发了包括柔性基底并在其中形成弯曲区域的柔性有机发光二极管显示器。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用来增强对描述的技术的背景的理解,因此,以上信息可能包含不形成对本领域普通技术人员来说在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
所描述的技术已经致力于提供一种可以有效地防止由于柔性显示装置的弯曲而发生在绝缘层中的裂纹和布线之间的短路的柔性显示装置及其制造方法。
一个实施例提供了一种柔性显示装置,所述柔性显示装置包括:柔性基底,包括弯曲区域;绝缘层,形成在柔性基底上并包括形成为与弯曲区域对应的至少一个切口;以及多条布线,沿弯曲区域中的绝缘层的表面形状形成。所述至少一个切口可以包括倾斜的侧壁,倾斜的侧壁的宽度可以等于或大于切口的深度。
倾斜的侧壁可以具有朝向柔性基底的凸形状。倾斜的侧壁可以包括彼此隔开的第一侧壁和第二侧壁,所述至少一个切口的底表面可以设置在第一侧壁与第二侧壁之间。所述多条布线可以沿绝缘层的顶表面、第一侧壁、底表面和第二侧壁形成。
可以形成多个切口,多个切口可以沿多条布线的长度方向彼此隔开。弯曲区域可以基于弯曲轴而弯曲,所述至少一个切口可以沿与弯曲轴平行的方向延伸地形成。所述至少一个切口可以通过使用蚀刻糊的各向同性蚀刻来形成。
柔性基底可以包括显示区域和非显示区域,弯曲区域可以被包括在非显示区域中。柔性显示装置还可以包括在柔性基底上的形成在显示区域中的显示单元。
多条布线可以电连接到包括在显示单元中的多条信号线。
柔性显示装置还可以包括形成在非显示区域中并电连接到多条布线的驱动集成电路和多个焊盘电极。驱动集成电路和多个焊盘电极可以通过弯曲区域在显示单元的后侧与显示单元叠置。
绝缘层可以包括多层无机层,所述至少一个切口可以形成在包括多层无机层的最顶层的至少一个层中。非显示区域的绝缘层和多条布线可以被包括有机材料的钝化层覆盖。
另一实施例提供了一种柔性显示装置,所述柔性显示装置包括:显示区域,显示单元形成在其中;弯曲区域,接触显示区域的一侧;以及数据驱动器区域,接触弯曲区域的一侧并与显示区域叠置。包括切口的绝缘层和沿绝缘层的表面形状形成的多条布线可以设置在弯曲区域中。切口可以包括倾斜的侧壁,侧壁的宽度可以等于或大于切口的深度。
弯曲区域可以基于弯曲轴而弯曲,切口可以沿与弯曲轴平行的方向延伸地形成,侧壁可以具有面朝下的凸形状。
又一实施例提供了一种柔性显示装置的制造方法,其包括:在柔性基底上形成绝缘层;通过使用蚀刻糊在绝缘层中形成切口;沿其中形成切口的绝缘层的表面形状形成多条布线;以及通过使柔性基底的其中形成切口的部分弯曲来形成弯曲区域。
可以通过用蚀刻糊的各向同性蚀刻形成切口,可以通过调整蚀刻糊的蚀刻时间来控制切口的深度。
切口可以包括倾斜的侧壁,侧壁的宽度等于或大于切口的深度。侧壁可以具有朝向柔性基底的凸形状。弯曲区域可以基于弯曲轴而弯曲,切口可以沿与弯曲轴平行的方向延伸地形成。
根据各种实施例,能够有效地防止由于柔性显示装置的弯曲而在绝缘层中发生裂纹和在布线之间发生短路。
附图说明
图1示出根据实施例的柔性显示装置的示意性透视图。
图2示出根据实施例的柔性显示装置的示意性剖视图。
图3是示出图1中示出的柔性显示装置的未折叠状态的示意性透视图。
图4是示出图2中示出的柔性显示装置的未折叠状态的示意性剖视图。
图5A示出根据对比示例的柔性显示装置的非显示区域的局部俯视图。
图5B示出沿线V-V截取的图5A的柔性显示装置的示意性剖视图。
图5C是示出根据对比示例的柔性显示装置的弯曲区域的示意性剖视图。
图6A示出根据实施例的柔性显示装置的非显示区域的局部俯视图。
图6B示出沿线VI-VI截取的图6A的柔性显示装置的示意性剖视图。
图7示出根据另一实施例的柔性显示装置的示意性剖视图。
图8示出图1中示出的一个像素的等效电路图。
图9示出图1中示出的显示单元和非显示区域的放大剖视图。
图10示出根据实施例的柔性显示装置的制造方法的工艺流程图。
图11A示出图10中示出的在第一步时的柔性显示装置的示意性剖视图。
图11B示出图10中示出的在第二步时的柔性显示装置的示意性剖视图。
图11C示出图10中示出的在第三步时的柔性显示装置的示意性剖视图。
图11D示出图10中示出的在第四步时的柔性显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
以下将参照示出了本公开的特定实施例的附图对本公开进行更加充分地描述。如本领域技术人员将认识到的,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,描述的实施例可以以各种方式进行修改。
贯穿说明书,将理解的是,当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在所述另一元件上或者也可以存在中间元件。另外。词语“在……上”意味着位于对象部分上或下方,并不必然意味着基于重力方向位于对象部分的上侧上。
贯穿说明书,除非明确描述为相反,否则词语“包括”将被理解为暗示包括所述元件,但是不排除任何其它元件。在附图中,为了易于描述,任意示出各个元件的尺寸和厚度,本公开不必限于这样示出的尺寸和厚度。
图1和图2分别示出根据实施例的柔性显示装置的示意性透视图和示意性剖视图,图3和图4各自是分别示出图1和图2中示出的相应的柔性显示装置的未折叠状态的示意性透视图和示意性剖视图。
参照图1至图4,实施例的柔性显示装置100包括柔性基底110、形成在柔性基底110上的显示单元120、绝缘层130和多条布线140。另外,柔性显示装置100包括诸如印刷电路板(PCB)的外部驱动器150。
柔性基底110可以包括有机材料,有机材料包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯和聚丙烯酸酯中的至少一种。柔性基底110可以具有透光性质,并通过外力弯曲。柔性基底110包括其中形成显示单元120的显示区域(DA)和在显示区域(DA)的外侧形成的非显示区域(NDA)。
显示单元120包括多个像素PX,并通过从多个像素PX发射的光的组合来显示图像。各个像素PX包括像素电路和有机发光二极管。像素电路包括至少两个薄膜晶体管和至少一个存储电容器,并控制有机发光二极管的发光。以下描述显示单元120的详细结构。
多个焊盘电极160和多条布线140形成在柔性基底110的非显示区域(NDA)中。多个焊盘电极160形成在柔性基底110的边缘上,多条布线140连接多个焊盘电极160和在显示单元120上形成的多条信号线(例如,包括扫描线、数据线和驱动电压线等)。
多个焊盘电极160连接到驱动器150的输出布线。驱动器150将用于显示器的功率和各种信号输出到多个焊盘电极160。
驱动集成电路170可以安装在柔性基底110的非显示区域(NDA)上。驱动集成电路170可以使用各向异性导电膜以塑料上芯片(chip on plastic,COP)方法安装在柔性基底110上。驱动集成电路170可以是数据驱动器。然而,驱动集成电路170的功能不限于数据驱动器。
当驱动集成电路170安装在柔性基底110上时,多条布线140可以被划分成连接多个焊盘电极160和驱动集成电路170的多条输入布线141以及连接驱动集成电路170和显示单元120的多条输出布线142。
当非显示区域(NDA)设置为与显示区域(DA)平行(参照图3)时,位于显示单元120外侧的无效空间(dead space)增加。弯曲区域(BA)包括在非显示区域(NDA)中。弯曲区域(BA)基于弯曲轴而弯曲,弯曲区域(BA)的曲率中心定位在弯曲轴(BX)处。参照图1和图2,弯曲轴(BX)与x轴平行。
弯曲区域(BA)可以是非显示区域(NDA)内的包括在显示单元120与驱动集成电路170之间的区域,例如,其中设置多条输出布线142的区域。驱动集成电路170和多个焊盘电极160通过弯曲区域(BA)在显示单元120的后侧处与显示单元120叠置。实施例的柔性显示装置100可以通过弯曲区域(BA)使位于显示单元120的外侧的无效空间最小化。
柔性基底110中的除了弯曲区域(BA)之外的剩余区域可以是平坦的,非显示区域(NDA)中的除了弯曲区域(BA)之外的剩余区域可以被称作“数据驱动器区域(DDA)”。
绝缘层130形成在整个柔性基底110上,多条布线140形成在绝缘层130上。绝缘层130设置在形成包括在显示单元120中的薄膜晶体管的电极之间,以使电极绝缘。绝缘层130可以包括多个层,多个层包括阻挡层、缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层等,并包括诸如以氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)为例的无机材料。多条布线140包括金属。
绝缘层130的柔性比多条布线140的柔性小,并且绝缘层130具有脆性(brittle)特性,从而其会被外力破坏。因此,弯曲区域(BA)的绝缘层130会被由弯曲引起的拉力破坏,从而会出现裂纹,最初出现的裂纹会蔓延到绝缘层130的其它区域。绝缘层130中的裂纹导致布线的断开,从而导致柔性显示装置100中的显示缺陷。
绝缘层130包括形成在弯曲区域(BA)上的切口180。切口180可以以预定的恒定宽度沿与弯曲轴(BX)平行的方向(x轴方向)延伸地形成在弯曲区域(BA)中。由于切口180形成在弯曲区域(BA)的绝缘层130中,因此,可以抑制由于弯曲应力而在绝缘层130中出现裂纹,还可以防止由于绝缘层130中的裂纹导致的布线140的断开。
图1至图4示出一个切口180形成在弯曲区域(BA)中的实施例。当一个切口180形成在弯曲区域(BA)中时,切口180的宽度w1(参照图4)可以等于或大于弯曲区域(BA)的在柔性基底110的顶表面处测量的宽度。然而,切口180的宽度w1不限于此。
切口180包括两个倾斜的侧壁(第一侧壁和第二侧壁)181和182以及设置在两个侧壁181和182之间的底表面183。多条输出布线142沿其中形成切口180的绝缘层130的表面形状形成在绝缘层130上。例如,多条输出布线142在驱动集成电路170与显示单元120之间沿绝缘层130的顶表面、第一侧壁181、底表面183和第二侧壁182延伸地形成。
在图3和图4中,多条输出布线142的每个长度方向与切口180的宽度方向(y轴方向)基本上相同。
切口180的第一侧壁181和第二侧壁182不是由竖直侧壁形成,而是由倾斜的侧壁形成,第一侧壁181和第二侧壁182的每个宽度w2(参照图4)等于或大于切口180的深度(d)(参照图4)。例如,第一侧壁181和第二侧壁182的每个宽度w2可以为切口180的深度(d)的大约10倍至大约50倍。
这样,切口180的第一侧壁181和第二侧壁182是缓倾斜的侧壁,由于第一侧壁181和第二侧壁182的每个宽度w2相对于切口180的深度(d)的比增加,因此第一侧壁181和第二侧壁182变成非常缓和地倾斜的侧壁。因此,沿切口180的表面形状形成的多条输出布线142可以防止在图案化工艺中发生短路。
通过在非显示区域(NDA)的绝缘层130上沉积金属层,然后通过经由除了干蚀刻工艺以外的光刻工艺使金属层图案化来形成多条布线140。如果金属层保留在不希望的区域(即,多条布线140)之间,则由于布线140之间会发生短路,因此信号不会准确地传输到显示单元120。
显示单元120通过密封部190来密封,从而不与外部空气接触,为了受到保护,非显示区域(NDA)的绝缘层130和多条布线140被钝化层195覆盖。
图5A示出根据对比示例的柔性显示装置的非显示区域的局部俯视图,图5B示出沿线V-V截取的图5A的柔性显示装置的示意性剖视图。在图5A和图5B中,假设:在形成弯曲区域之前,柔性基底是平坦的。
参照图5A和图5B,在对比示例的柔性显示装置中,绝缘层130a包括形成在非显示区域(NDA)中的切口180a,切口180a包括两个竖直侧壁184。在此情况下,在绝缘层130a上沉积金属层145a并形成光致抗蚀剂掩模(未示出)之后,当通过经由干蚀刻部分地去除金属层145a形成多条布线140a时,金属层145a的一部分未被去除并保留在竖直侧壁184周围。在图5A和图5B中,附图标记146表示剩余的金属。
与湿蚀刻不同,在干蚀刻中,蚀刻方向设定在一个方向(图5B的竖直方向)上,由于金属层145a的接触竖直侧壁184的部分具有比金属层145a的保留部分的厚度大的厚度,因此,尽管金属层145a的保留部分被完全去除,但是可以保留金属层145a的接触竖直侧壁184的部分。这样,剩余的金属146接触两条相邻的布线140a,从而引起布线140a之间的短路。
图5C是示出根据对比示例的柔性显示装置的弯曲区域的示意性剖视图。
参照图5C,非显示区域(NDA)的绝缘层130a和多条布线140a被包括有机材料的钝化层195a覆盖,当弯曲区域(BA)形成在柔性基底110a中作为对比示例时,钝化层195a会由于切口180a的竖直侧壁184的陡坡而脱离。
例如,一些钝化层195a会与绝缘层130a和多条布线140a分离。在图5C中,钝化层195a分离的部分由C箭头指出。在此情况下,包含在外部空气中的湿气和氧渗透钝化层195a的脱离的部分,使得钝化层195a劣化。
图6A示出根据实施例的柔性显示装置的非显示区域的局部俯视图,图6B示出沿线VI-VI截取的图6A的柔性显示装置的示意性剖视图。在图6A和图6B中,假设:在形成弯曲区域之前,柔性基底是平坦的。
参照图6A和图6B,实施例的柔性显示装置100的绝缘层130包括在非显示区域(NDA)中形成的切口180,切口180包括满足条件“w2≥d”的倾斜的第一侧壁181和第二侧壁182。附图标记w2表示第一侧壁181和第二侧壁182的每个宽度,附图标记d表示切口180的深度。
由于第一侧壁181和第二侧壁182形成为具有缓坡,沉积在第一侧壁181和第二侧壁182上的金属层145的厚度与沉积在绝缘层130的顶表面和切口180的底表面183上的金属层145的厚度基本上相同。因此,当在形成光致抗蚀剂掩模之后通过干蚀刻去除金属层145的一部分来形成多条布线140时,完全去除设置在第一侧壁181和第二侧壁182上的金属层145,而没有任何剩余,因此,可以防止布线140之间的短路。
返回参照图2,非显示区域(NDA)的绝缘层130和多条布线140被包括有机材料的钝化层195覆盖,在一个实施例中,当弯曲区域(BA)形成在柔性基底110中时,可以抑制钝化层195脱离的问题。即,因为钝化层195由于第一侧壁181和第二侧壁182的缓坡而对第一侧壁181和第二侧壁182具有优异的粘附性,所以可防止钝化层195在弯曲区域(BA)中脱离。
当通过弯曲柔性基底110来形成弯曲区域(BA)时,拉应力作用于包括在弯曲区域(BA)中的每个层。
在一个实施例的柔性显示装置100中,如图6B中所示,切口180的第一侧壁181和第二侧壁182可以具有朝向柔性基底110的凸形状(例如,面朝上的凹形状)。然后,由向下凸的形状引起的压应力施加到在第一侧壁181和第二侧壁182上形成的层,即,多条输出布线142和钝化层195。
当形成弯曲区域(BA)时,施加到多条输出布线142和钝化层195的压应力部分地抵消由于弯曲导致的拉应力。因此,施加到多条输出布线142和钝化层195的弯曲应力(拉应力)减小,多条输出布线142和钝化层195可以对弯曲应力具有高的抵抗力。
图7示出根据另一实施例的柔性显示装置的示意性剖视图。
参照图7,另一实施例的柔性显示装置101的绝缘层130包括形成在弯曲区域(BA)中的多个切口180。多个切口180沿多条布线140的长度方向彼此隔开。多个切口180中的每个沿与弯曲轴(BX)平行的方向延伸地形成,同时具有预定的恒定宽度。
尽管在图7中示出了两个切口180,但是切口180的数量不限于此。由于除了切口180的数量之外,根据另一实施例的柔性显示装置101的构造与上面描述的实施例的柔性显示装置的构造相同,因此将省略其重复的描述。
在下文中,将描述显示单元120和切口180的详细结构。然而,显示单元120的像素构造和切口180的剖面形状不限于下面的示例,它们可以进行各种修改。
图8示出图1中示出的一个像素的等效电路图。
参照图8,一个像素包括多条信号线(201、202、203、204、205、206和207)、连接到多条信号线的多个晶体管(T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7)、存储电容器(Cst)和有机发光二极管(OLED)。
多个晶体管(T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7)包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7。
多条信号线(201、202、203、204、205、206和207)包括传输扫描信号(Sn)的扫描线201、将前一扫描信号Sn-1传输到初始化晶体管T4的前一扫描线202、将发光控制信号(EM)传输到操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6的发光控制线203、将旁路信号(BP)传输到旁路晶体管T7的旁路控制线204、与扫描线201交叉并传输数据信号(Dm)的数据线205、传输驱动电压(ELVDD)并形成为与数据线205基本上平行的驱动电压线206以及传输用于使驱动晶体管T1初始化的初始化电压(Vint)的初始化电压线207。
驱动晶体管T1的栅电极G1连接到存储电容器Cst的一个端子Cst1。驱动晶体管T1的源电极S1经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线206。驱动晶体管T1的漏电极D1经由发光控制晶体管T6电连接到有机发光二极管(OLED)的阳极。驱动晶体管T1根据开关晶体管T2的开关操作接收数据信号(Dm),以向有机发光二极管(OLED)供应电流(Id)。
开关晶体管T2的栅电极G2连接到扫描线201,开关晶体管T2的源电极S2连接到数据线205。开关晶体管T2的漏电极D2连接到驱动晶体管T1的源电极S1,并经由操作控制晶体管T5连接到驱动电压线206。开关晶体管T2根据通过扫描线201传输的扫描信号(Sn)而导通,然后执行将传输到数据线205的数据信号(Dm)传输到驱动晶体管T1的源电极S1的开关操作。
补偿晶体管T3的栅电极G3连接到扫描线201。补偿晶体管T3的源电极S3连接到驱动晶体管T1的漏电极D1,并经由发光控制晶体管T6连接到有机发光二极管(OLED)的阳极。补偿晶体管T3的漏电极D3连接到初始化晶体管T4的漏电极D4、存储电容器Cst的所述一个端子Cst1和驱动晶体管T1的栅电极G1。补偿晶体管T3根据通过扫描线201传输的扫描信号(Sn)而导通,然后连接驱动晶体管T1的栅电极G1和漏电极D1,从而以二极管连接驱动晶体管T1。
初始化晶体管T4的栅电极G4连接到前一扫描线202,初始化晶体管T4的源电极S4连接到初始化电压线207。初始化晶体管T4的漏电极D4经由补偿晶体管T3的漏电极D3连接到存储电容器Cst的所述一个端子Cst1和驱动晶体管T1的栅电极G1。初始化晶体管T4根据通过前一扫描线202传输的前一扫描信号Sn-1而导通,然后将初始化电压(Vint)传输到驱动晶体管T1的栅电极G1,以执行用于使驱动晶体管T1的栅电极G1的栅极电压初始化的初始化操作。
操作控制晶体管T5的栅电极G5连接到发光控制线203,操作控制晶体管T5的源电极S5连接到驱动电压线206。操作控制晶体管T5的漏电极D5连接到驱动晶体管T1的源电极S1和开关晶体管T2的漏电极S2。
发光控制晶体管T6的栅电极G6连接到发光控制线203。发光控制晶体管T6的源电极S6连接到驱动晶体管T1的漏电极D1和补偿晶体管T3的源电极S3。发光控制晶体管T6的漏电极D6电连接到有机发光二极管(OLED)的阳极。操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6根据通过发光控制线203传输的发光控制信号(EM)而同时导通,驱动电压(ELVDD)通过以二极管连接的驱动晶体管T1来补偿,以传输到有机发光二极管(OLED)。
旁路晶体管T7的栅电极G7连接到旁路控制线204。旁路晶体管T7的源电极S7连接到发光控制晶体管T6的漏电极D6和有机发光二极管(OLED)的阳极。旁路晶体管T7的漏电极D7连接到初始化电压线207和初始化晶体管T4的源电极S4。由于旁路控制线204连接到前一扫描线202,因此旁路信号(BP)与前一扫描信号Sn-1相同。
存储电容器Cst的另一个端子Cst2连接到驱动电压线206,有机发光二极管(OLED)的阴极连接到传输共电压(ELVSS)的共电压线208。尽管图8中示出了7个晶体管和1个电容器,但是像素的结构不限于此,晶体管和电容器的数量在其它实施例中可以不同。
图9示出图1中示出的显示单元和非显示区域的放大剖视图。为了更好地理解和方便起见,图9示出了柔性基底是平坦的这一情况,图8中示出的7个晶体管之中的驱动晶体管T1和开关晶体管T2选择性地示出在图9中。
图9中示出的驱动晶体管T1、开关晶体管T2、存储电容器Cst和有机发光二极管(OLED)的剖面结构可以与实际的柔性显示装置的剖面结构不同。下面描述驱动晶体管T1、开关晶体管T2、存储电容器Cst和有机发光二极管(OLED)的构造。
参照图9,阻挡层131和缓冲层132形成在柔性基底110上。阻挡层131和缓冲层132用来阻挡在用于形成多晶硅(半导体)的结晶工艺期间来自柔性基底110的杂质并减小施加到柔性基底110的应力。阻挡层131可以包括包含氧化硅层和氮化硅层的多层,缓冲层132可以包括氧化硅或氮化硅的单层。
包括驱动沟道211和开关沟道221的半导体形成在缓冲层132上。驱动源电极212和驱动漏电极213形成在驱动沟道211的相对侧处,以接触驱动沟道211。开关源电极222和开关漏电极223形成在开关沟道221的相对侧处,以接触开关沟道221。
第一栅极绝缘层133形成在半导体上,驱动栅电极214和驱动栅电极224形成在第一栅极绝缘层133上。第二栅极绝缘层134形成在驱动栅电极214和开关栅电极224上,第二存储电极232形成在第二栅极绝缘层134上。第一栅极绝缘层133和第二栅极绝缘层134可以包括氧化硅、氮化硅等。
存储电容器Cst包括第一存储电极231和第二存储电极232,第二栅极绝缘层134设置在第一存储电极231和第二存储电极232之间。第一存储电极231可以与驱动栅电极214对应。第二栅极绝缘层134是介电材料,存储电容器由在存储电容器Cst中充入的电荷和在第一存储电极231与第二存储电极232之间的电压来确定。
驱动晶体管T1、开关晶体管T2和存储电容器Cst被层间绝缘层135覆盖。层间绝缘层135可以包括氧化硅或氮化硅。数据线205形成在层间绝缘层135上。数据线205通过形成在层间绝缘层135、第一栅极绝缘层133和第二栅极绝缘层134中的接触孔连接到开关晶体管T2的源电极222。
数据线205被钝化层195覆盖,有机发光二极管(OLED)形成在钝化层195上。钝化层195可以包括有机材料。驱动晶体管T1的漏电极213经由发光控制晶体管(未示出)电连接到有机发光二极管(OLED)的阳极。
有机发光二极管(OLED)包括像素电极241、有机发射层242和共电极243。像素电极241可以是作为空穴注入电极的阳极,共电极243可以是作为电子注入电极的阴极。像素电极241和共电极243分别将空穴和电子注入到有机发射层242中,当作为有机发射层242中的注入的空穴和电子的组合的激子从激发态进入基态时发光。
附图标记196表示用于限定图9中的每个像素的发光区域的像素限定层。像素限定层196可以包括聚丙烯酸酯类树脂、聚酰亚胺类树脂或硅石类无机材料。显示单元120可以被未示出的密封部覆盖。密封部可以包括覆盖共电极243的第一无机层、覆盖第一无机层的有机层和覆盖有机层的第二无机层。
阻挡层131、缓冲层132、第一栅极绝缘层133、第二栅极绝缘层134和层间绝缘层135形成绝缘层130,绝缘层130形成在整个柔性基底110上。切口180形成在包括层间绝缘层135(其是由多个层形成的绝缘层130的最顶层)的至少一个层中。
例如,切口180可以形成在层间绝缘层135中,形成在层间绝缘层135和第二栅极绝缘层134中,形成在层间绝缘层135、第一栅极绝缘层133和第二栅极绝缘层134中,形成在层间绝缘层135、第一栅极绝缘层133、第二栅极绝缘层134和缓冲层132中,或者形成在从层间绝缘层135至阻挡层131的全部的多个层中。图9示出切口180形成在层间绝缘层135、第一栅极绝缘层133和第二栅极绝缘层134中的一个示例。
切口180包括倾斜的第一侧壁181和第二侧壁182,第一侧壁181和第二侧壁182中每个的宽度w2等于或大于切口180的深度(d)。在图9中,切口180的深度(d)等于层间绝缘层135、第一栅极绝缘层133和第二栅极绝缘层134的总厚度。第一侧壁181和第二侧壁182中的每个可以具有朝向柔性基底110的凸形状(例如,面朝上的凹形状)。
多条输出布线142(图9示出一条输出布线)接触数据线205,并可以包括与数据线205的材料相同的材料。输出布线142沿层间绝缘层135的顶表面、第一侧壁181、切口180的底表面183(图9中的缓冲层132的顶表面)、第二侧壁182和层间绝缘层135的顶表面从数据线205延伸到驱动集成电路(未示出)。钝化层195覆盖非显示区域(NDA)的多条输出布线142和绝缘层130。
图10示出根据实施例的柔性显示装置的制造方法的工艺流程图。
参照图10,柔性显示装置的制造方法包括:在柔性基底的显示区域和非显示区域中形成绝缘层(S10);通过使用蚀刻糊(etching paste)在非显示区域的绝缘层中形成切口(S20);在其中形成切口的绝缘层上形成多条布线(S30);以及通过使其中形成切口的非显示区域弯曲来形成弯曲区域(S40)。
图11A示出在图10中示出的S10时的柔性显示装置的示意性剖视图。
参照图11A,在S10,准备柔性基底110。接着,柔性基底110被划分成其中设置显示单元的显示区域(DA)和位于显示区域(DA)外侧的非显示区域(NDA)。在柔性基底110的显示区域(DA)和非显示区域(NDA)两者上形成绝缘层130。尽管未示出,但是在形成绝缘层130的同时,在显示区域(DA)中形成多个晶体管和存储电容器。
图11B示出图10中示出的S20时的柔性显示装置的示意性剖视图。
参照图11B,通过在非显示区域(NDA)的绝缘层130上涂覆蚀刻糊301在绝缘层130中形成切口180。蚀刻糊301可以通过诸如丝网印刷或喷墨印刷的方法来涂覆,蚀刻糊301选择性地涂覆在形成切口180的部分上。蚀刻糊301可以选择性地蚀刻诸如以氧化硅或氮化硅为例的无机绝缘材料。
与干蚀刻不同,蚀刻糊301具有各向同性蚀刻特性。蚀刻进行的方向由图11B中的箭头示出。由于蚀刻糊301的各向同性蚀刻特性,在绝缘层130上形成的切口180的宽度w1比最初涂覆的蚀刻糊301的宽度大,切口180的第一侧壁181和第二侧壁182分别具有缓坡。
例如,第一侧壁181和第二侧壁182中的每个的宽度w2等于或大于切口180的深度(d),更具体地,第一侧壁181和第二侧壁182中的每个的宽度w2可以为切口180的深度(d)的大约10倍至大约50倍。另外,由于蚀刻糊301的各向同性蚀刻特性,通过蚀刻糊301形成的第一侧壁181和第二侧壁182具有朝向柔性基底110的凸形状(例如,面朝上的凹形状)。
可以通过蚀刻糊301控制蚀刻深度,例如,通过调整S20时的蚀刻时间控制切口180的深度。由于使用蚀刻糊301的蚀刻工艺在大约15℃至大约25℃的室温下执行,所以在蚀刻期间,不向柔性基底110和绝缘层130施加热应力。
如上所述,当使用蚀刻糊301时,可以容易地形成非常缓的侧壁181和182(其倾斜度小于大约45°的角),并可以容易地形成具有朝向柔性基底110的凸形状的侧壁181和182。
图11C示出图10中示出的第三步时的柔性显示装置的示意性剖视图。
参照图11C,在S30,在非显示区域(NDA)的绝缘层130上形成多条布线140(图11C示出一条布线)。如参照图6A和图6B描述的,当通过使金属层图案化形成多条布线140时,由于金属层不保留在非预期的部分中,因此可以防止布线140之间的短路。
另外,驱动集成电路170安装在非显示区域(NDA)上,钝化层195形成在整个非显示区域(NDA)上。由于切口180的第一侧壁181和第二侧壁182具有朝向柔性基底110的凸形状,因此压应力施加到形成在第一侧壁181和第二侧壁182上的多条输出布线142和钝化层195。
图11D示出图10中示出的S40时的柔性显示装置的示意性剖视图。
参照图11D,通过非显示区域(NDA)的通过在S40被弯曲而形成切口180的部分来形成弯曲区域(BA)。由于除了弯曲区域(BA)之外的剩余的非显示区域(NDA)(例如,数据驱动器区域)在显示区域(DA)的后侧处与显示区域(DA)叠置,因此在显示单元120外侧的无效空间减小。
当形成弯曲区域(BA)时,在弯曲部分地抵消由弯曲导致的拉应力之前,拉应力施加到多条输出布线142和钝化层195,压应力施加到多条输出布线142和钝化层195。因此,施加到多条输出布线142和钝化层195的弯曲应力减小。
另外,如参照图6C描述的,由于切口180的第一侧壁181和第二侧壁182的缓坡,因此,可以改善钝化层195的粘附性,并且能够抑制弯曲区域(BA)的钝化层195脱离的缺陷。
尽管已经结合特定实施例描述了本公开,但是将理解的是,本发明不限于公开的实施例,而是相反,本发明意图覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
Claims (12)
1.一种柔性显示装置,所述柔性显示装置包括:
柔性基底,包括弯曲区域;
绝缘层,形成在所述柔性基底上并包括形成为与所述弯曲区域对应的至少一个切口;以及
多条布线,沿所述弯曲区域中的所述绝缘层的表面形状形成,
其中,所述至少一个切口包括倾斜的侧壁,
其中,所述倾斜的侧壁的宽度等于或大于所述切口的深度。
2.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其中,
所述倾斜的侧壁具有朝向所述柔性基底的凸形状。
3.根据权利要求2所述的柔性显示装置,其中,
所述倾斜的侧壁包括彼此隔开的第一侧壁和第二侧壁,
所述至少一个切口的底表面设置在所述第一侧壁与所述第二侧壁之间,
所述多条布线沿所述绝缘层的顶表面、所述第一侧壁、所述底表面和所述第二侧壁形成。
4.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其中,
形成多个切口,
所述多个切口沿所述多条布线的长度方向彼此隔开。
5.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其中,
所述弯曲区域基于弯曲轴而弯曲,
所述至少一个切口沿与所述弯曲轴平行的方向延伸地形成。
6.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其中,
所述至少一个切口通过使用蚀刻糊的各向同性蚀刻来形成。
7.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其中,
所述柔性基底包括显示区域和非显示区域,
所述弯曲区域被包括在所述非显示区域中。
8.根据权利要求7所述的柔性显示装置,所述柔性显示装置还包括:
形成在所述显示区域中的显示单元,位于所述柔性基底上,
其中,所述多条布线电连接到包括在所述显示单元中的多条信号线。
9.根据权利要求8所述的柔性显示装置,所述柔性显示装置还包括:
驱动集成电路和多个焊盘电极,形成在所述非显示区域中并电连接到所述多条布线。
10.根据权利要求9所述的柔性显示装置,其中,
所述驱动集成电路和所述多个焊盘电极通过所述弯曲区域在所述显示单元的后侧与所述显示单元叠置。
11.根据权利要求7所述的柔性显示装置,其中,
所述绝缘层包括多层无机层,
所述至少一个切口形成在包括所述多层无机层的最顶层的至少一个层中。
12.根据权利要求7所述的柔性显示装置,其中,
所述非显示区域的所述绝缘层和所述多条布线被包括有机材料的钝化层覆盖。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211115248.3A CN115312576A (zh) | 2015-08-06 | 2016-08-02 | 柔性显示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2015-0111136 | 2015-08-06 | ||
KR1020150111136A KR102381285B1 (ko) | 2015-08-06 | 2015-08-06 | 가요성 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211115248.3A Division CN115312576A (zh) | 2015-08-06 | 2016-08-02 | 柔性显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106449695A true CN106449695A (zh) | 2017-02-22 |
CN106449695B CN106449695B (zh) | 2022-09-30 |
Family
ID=58053573
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211115248.3A Pending CN115312576A (zh) | 2015-08-06 | 2016-08-02 | 柔性显示装置 |
CN201610625717.4A Active CN106449695B (zh) | 2015-08-06 | 2016-08-02 | 柔性显示装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211115248.3A Pending CN115312576A (zh) | 2015-08-06 | 2016-08-02 | 柔性显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9865670B2 (zh) |
KR (2) | KR102381285B1 (zh) |
CN (2) | CN115312576A (zh) |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106653796A (zh) * | 2015-10-30 | 2017-05-10 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN107424520A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
CN108054188A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-05-18 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置 |
CN108198842A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置 |
CN108305880A (zh) * | 2018-02-27 | 2018-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板及其制作方法、显示装置 |
CN108389876A (zh) * | 2018-02-08 | 2018-08-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及柔性显示器 |
CN108962917A (zh) * | 2017-05-18 | 2018-12-07 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN109273506A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-25 | 云谷(固安)科技有限公司 | 可拉伸显示装置及其制作方法、电子设备 |
CN109378325A (zh) * | 2018-09-14 | 2019-02-22 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
CN109524572A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-03-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示装置的制作方法 |
CN109698220A (zh) * | 2017-10-24 | 2019-04-30 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN109755256A (zh) * | 2017-11-01 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及制备方法、柔性显示装置 |
WO2019105035A1 (zh) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 昆山国显光电有限公司 | 可分离的柔性显示结构、柔性显示屏及其制造方法、显示装置 |
WO2019104657A1 (zh) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 柔性显示装置、柔性显示装置的制造方法和电子装置 |
CN109980121A (zh) * | 2017-12-12 | 2019-07-05 | 三星显示有限公司 | 柔性有机发光显示装置 |
WO2019228421A1 (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 连接结构及其制作方法、阵列基板及其制作方法 |
CN110809793A (zh) * | 2017-07-12 | 2020-02-18 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
US10707289B2 (en) | 2018-02-08 | 2020-07-07 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible display panel and flexible display |
WO2020155942A1 (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、柔性显示面板及其制作方法 |
CN111566719A (zh) * | 2018-01-11 | 2020-08-21 | 夏普株式会社 | 显示设备 |
CN112351571A (zh) * | 2019-08-06 | 2021-02-09 | 奥特斯(中国)有限公司 | 半柔性部件承载件及其制造方法 |
CN112820766A (zh) * | 2018-03-28 | 2021-05-18 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板及显示装置 |
CN113066364A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-07-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示装置及其制备方法 |
JPWO2020145296A1 (ja) * | 2019-01-09 | 2021-10-14 | 株式会社Joled | 表示パネルおよび表示装置 |
CN114758582A (zh) * | 2022-05-17 | 2022-07-15 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105467648A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 背板组件和具有该背板组件的显示装置 |
US11374184B2 (en) | 2016-09-08 | 2022-06-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus |
CN112289838A (zh) * | 2016-09-08 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法、柔性显示装置 |
JP6770859B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2020-10-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
KR102631989B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2024-01-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
JP2018155999A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2018180110A (ja) * | 2017-04-06 | 2018-11-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6947550B2 (ja) * | 2017-06-27 | 2021-10-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
DE102017114553A1 (de) * | 2017-06-29 | 2019-01-03 | Osram Oled Gmbh | Organische Leuchtdiode und Verfahren zum elektrischen Anschließen einer organischen Leuchtdiode |
KR102370406B1 (ko) | 2017-07-10 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US20200066822A1 (en) * | 2017-07-28 | 2020-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, manufacturing method for display device, and manufacturing device for display device |
WO2019021466A1 (ja) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
WO2019030891A1 (ja) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | シャープ株式会社 | 可撓性表示装置及び可撓性表示装置の製造方法 |
US20190372032A1 (en) * | 2017-08-28 | 2019-12-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Non-flexible substrate including display element, and method of manufacturing flexible display device |
CN207134068U (zh) * | 2017-08-31 | 2018-03-23 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性显示面板和柔性显示装置 |
JP2019061007A (ja) * | 2017-09-26 | 2019-04-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2019064439A1 (ja) * | 2017-09-28 | 2019-04-04 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR102417112B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2022-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP7220320B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2023-02-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
JP7068800B2 (ja) | 2017-10-30 | 2022-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102414940B1 (ko) | 2017-10-31 | 2022-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조방법 |
KR102454262B1 (ko) * | 2017-11-15 | 2022-10-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 전계발광 표시장치 |
JP7077001B2 (ja) * | 2017-12-15 | 2022-05-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102173434B1 (ko) | 2017-12-19 | 2020-11-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102126553B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2020-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102414597B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2022-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102126552B1 (ko) | 2017-12-19 | 2020-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102367823B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2022-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102185116B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2020-12-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2019150503A1 (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
US11508797B2 (en) * | 2018-02-22 | 2022-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device including island-shaped inorganic films |
KR102524340B1 (ko) * | 2018-02-22 | 2023-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2019168642A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 電気光学装置 |
CN108336124B (zh) * | 2018-04-19 | 2023-11-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示装置及其制备方法、应用方法 |
KR102649144B1 (ko) | 2018-06-25 | 2024-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN109192737B (zh) * | 2018-09-10 | 2021-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板 |
CN109300948A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-01 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示装置及其柔性oled面板 |
CN208766968U (zh) * | 2018-09-29 | 2019-04-19 | 昆山国显光电有限公司 | 一种柔性显示面板及柔性显示装置 |
KR102615116B1 (ko) * | 2018-10-10 | 2023-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102578498B1 (ko) * | 2018-10-24 | 2023-09-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN109659345B (zh) * | 2018-12-19 | 2021-02-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled面板 |
CN110137186B (zh) * | 2019-05-30 | 2021-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制造方法 |
US12127338B2 (en) | 2019-08-06 | 2024-10-22 | AT&S(China) Co. Ltd. | Semi-flex component carrier with dielectric material surrounding an embedded component and having locally reduced young modulus |
KR20210025160A (ko) * | 2019-08-26 | 2021-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102774200B1 (ko) | 2019-09-17 | 2025-03-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP7341863B2 (ja) * | 2019-11-12 | 2023-09-11 | 新光電気工業株式会社 | 電子機器 |
KR20210086285A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20210117376A (ko) * | 2020-03-18 | 2021-09-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 장치, 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 |
KR20200077477A (ko) * | 2020-06-18 | 2020-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN114079206B (zh) * | 2020-08-13 | 2023-10-20 | 深南电路股份有限公司 | 一种刚挠结合板及电路连接器 |
CN112968042B (zh) * | 2021-02-02 | 2022-06-28 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板及显示装置 |
KR20220136540A (ko) * | 2021-03-30 | 2022-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 윈도우 제조 방법, 및 표시 장치 제조 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101872780A (zh) * | 2009-04-23 | 2010-10-27 | 统宝光电股份有限公司 | 显示面板及应用该显示面板的图像显示系统 |
EP2413363A2 (en) * | 2010-07-28 | 2012-02-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Display device and organic light emitting diode display device |
US20130169515A1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Valeriy Prushinskiy | Flexible display apparatus and method of manufacturing the same |
US20140232956A1 (en) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible organic light emitting display device and method for manucaturing the same |
US20140353670A1 (en) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device and method for manufacturing the same |
CN104733498A (zh) * | 2013-12-24 | 2015-06-24 | 乐金显示有限公司 | 柔性有机发光显示器及其制造方法 |
CN104795403A (zh) * | 2015-04-16 | 2015-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086356A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
US7928654B2 (en) * | 2003-08-29 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US20100304521A1 (en) * | 2006-10-09 | 2010-12-02 | Solexel, Inc. | Shadow Mask Methods For Manufacturing Three-Dimensional Thin-Film Solar Cells |
KR101464001B1 (ko) * | 2008-12-15 | 2014-11-21 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지의 제조 방법 및 에칭 페이스트 |
KR20120009682A (ko) | 2010-07-20 | 2012-02-02 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 제조 방법 |
TWI613822B (zh) * | 2011-09-29 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101965257B1 (ko) | 2012-10-08 | 2019-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 표시 장치 |
US9349969B2 (en) * | 2013-02-01 | 2016-05-24 | Lg Display Co., Ltd. | Electronic devices with flexible display and method for manufacturing the same |
KR101796812B1 (ko) * | 2013-02-15 | 2017-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102076666B1 (ko) * | 2013-04-11 | 2020-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시패널 |
KR102047729B1 (ko) * | 2013-04-30 | 2019-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR102077525B1 (ko) * | 2013-07-30 | 2020-02-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR102039496B1 (ko) * | 2013-08-19 | 2019-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 접이식 표시 장치 |
KR102151235B1 (ko) * | 2013-10-14 | 2020-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 표시 장치 |
-
2015
- 2015-08-06 KR KR1020150111136A patent/KR102381285B1/ko active Active
-
2016
- 2016-07-18 US US15/212,859 patent/US9865670B2/en active Active
- 2016-08-02 CN CN202211115248.3A patent/CN115312576A/zh active Pending
- 2016-08-02 CN CN201610625717.4A patent/CN106449695B/zh active Active
-
2022
- 2022-03-28 KR KR1020220038089A patent/KR102498201B1/ko active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101872780A (zh) * | 2009-04-23 | 2010-10-27 | 统宝光电股份有限公司 | 显示面板及应用该显示面板的图像显示系统 |
EP2413363A2 (en) * | 2010-07-28 | 2012-02-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Display device and organic light emitting diode display device |
US20130169515A1 (en) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Valeriy Prushinskiy | Flexible display apparatus and method of manufacturing the same |
US20140232956A1 (en) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible organic light emitting display device and method for manucaturing the same |
US20140353670A1 (en) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device and method for manufacturing the same |
CN104733498A (zh) * | 2013-12-24 | 2015-06-24 | 乐金显示有限公司 | 柔性有机发光显示器及其制造方法 |
CN104795403A (zh) * | 2015-04-16 | 2015-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制作方法、显示装置 |
Cited By (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106653796A (zh) * | 2015-10-30 | 2017-05-10 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN108962917A (zh) * | 2017-05-18 | 2018-12-07 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN108962917B (zh) * | 2017-05-18 | 2023-10-27 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN110809793A (zh) * | 2017-07-12 | 2020-02-18 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
US11049885B2 (en) | 2017-07-26 | 2021-06-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device |
CN107424520B (zh) * | 2017-07-26 | 2019-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
CN107424520A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
WO2019019618A1 (zh) * | 2017-07-26 | 2019-01-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
CN109698220B (zh) * | 2017-10-24 | 2024-04-09 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN109698220A (zh) * | 2017-10-24 | 2019-04-30 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
CN109755256A (zh) * | 2017-11-01 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及制备方法、柔性显示装置 |
CN109755256B (zh) * | 2017-11-01 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及制备方法、柔性显示装置 |
WO2019104657A1 (zh) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 柔性显示装置、柔性显示装置的制造方法和电子装置 |
US11087647B2 (en) | 2017-11-30 | 2021-08-10 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. | Detachable flexible display structures, flexible display screens, methods of manufacturing the same, and display devices |
WO2019105035A1 (zh) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 昆山国显光电有限公司 | 可分离的柔性显示结构、柔性显示屏及其制造方法、显示装置 |
CN109980121A (zh) * | 2017-12-12 | 2019-07-05 | 三星显示有限公司 | 柔性有机发光显示装置 |
CN109980121B (zh) * | 2017-12-12 | 2023-12-26 | 三星显示有限公司 | 柔性有机发光显示装置 |
US10340326B2 (en) | 2017-12-20 | 2019-07-02 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Flexible display apparatus having a bending area cutout |
CN108054188A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-05-18 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置 |
CN108054188B (zh) * | 2017-12-20 | 2020-11-20 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置 |
CN108198842A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置 |
CN108198842B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-10-16 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置 |
US10693089B2 (en) | 2017-12-29 | 2020-06-23 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Flexible display device |
CN111566719A (zh) * | 2018-01-11 | 2020-08-21 | 夏普株式会社 | 显示设备 |
US10707289B2 (en) | 2018-02-08 | 2020-07-07 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible display panel and flexible display |
CN108389876A (zh) * | 2018-02-08 | 2018-08-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及柔性显示器 |
US11367842B2 (en) | 2018-02-27 | 2022-06-21 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Flexible substrate, manufacturing method for flexible substrate and display device |
CN108305880A (zh) * | 2018-02-27 | 2018-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板及其制作方法、显示装置 |
CN108305880B (zh) * | 2018-02-27 | 2021-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板及其制作方法、显示装置 |
WO2019165792A1 (zh) * | 2018-02-27 | 2019-09-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板及其制作方法、显示装置 |
US11871647B2 (en) | 2018-02-27 | 2024-01-09 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Flexible substrate, manufacturing method for flexible substrate and display device |
CN112820766A (zh) * | 2018-03-28 | 2021-05-18 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板及显示装置 |
US11348952B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-05-31 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Connection structure and fabrication method thereof, array substrate and fabrication method thereof |
WO2019228421A1 (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 连接结构及其制作方法、阵列基板及其制作方法 |
CN109378325A (zh) * | 2018-09-14 | 2019-02-22 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
TWI689089B (zh) * | 2018-09-14 | 2020-03-21 | 大陸商昆山國顯光電有限公司 | 陣列基板、顯示面板及陣列基板的製造方法 |
US11189683B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-11-30 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd | Array substrate, display panel and manufacturing method for array substrate |
CN109378325B (zh) * | 2018-09-14 | 2020-06-16 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
CN109273506A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-25 | 云谷(固安)科技有限公司 | 可拉伸显示装置及其制作方法、电子设备 |
CN109524572A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-03-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示装置的制作方法 |
JPWO2020145296A1 (ja) * | 2019-01-09 | 2021-10-14 | 株式会社Joled | 表示パネルおよび表示装置 |
JP7064157B2 (ja) | 2019-01-09 | 2022-05-10 | 株式会社Joled | 表示パネルおよび表示装置 |
WO2020155942A1 (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、柔性显示面板及其制作方法 |
US11963431B2 (en) | 2019-01-30 | 2024-04-16 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Mask, flexible display panel and manufacturing method thereof |
CN112351571A (zh) * | 2019-08-06 | 2021-02-09 | 奥特斯(中国)有限公司 | 半柔性部件承载件及其制造方法 |
CN113066364A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-07-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示装置及其制备方法 |
US12016139B2 (en) | 2021-03-15 | 2024-06-18 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
CN114758582A (zh) * | 2022-05-17 | 2022-07-15 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170018184A (ko) | 2017-02-16 |
KR20220044180A (ko) | 2022-04-06 |
CN106449695B (zh) | 2022-09-30 |
KR102498201B1 (ko) | 2023-02-09 |
KR102381285B1 (ko) | 2022-03-31 |
US20170040406A1 (en) | 2017-02-09 |
US9865670B2 (en) | 2018-01-09 |
CN115312576A (zh) | 2022-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102498201B1 (ko) | 가요성 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
CN110364549B (zh) | 显示设备 | |
US20220223821A1 (en) | Flexible display and manufacturing method thereof | |
US10937838B2 (en) | Organic light emitting display device | |
KR102568631B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US11417722B2 (en) | Display device including a low resistance cathode wiring | |
KR20160085987A (ko) | 표시 장치 | |
US20200219961A1 (en) | Display device and method of manufacturing display device | |
WO2020189047A1 (ja) | 表示装置 | |
US10615246B2 (en) | Display device | |
US11955492B2 (en) | Display device | |
US20180366531A1 (en) | Display device | |
KR102483321B1 (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR102532973B1 (ko) | 표시 장치와 그의 제조 방법 | |
CN102972094B (zh) | 有机el显示装置 | |
US11765951B2 (en) | TFT array substrate including a heat dissipation layer in a curved region | |
CN114256299A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
KR20060058515A (ko) | 발광 표시장치 및 그의 제조방법 | |
US20230197765A1 (en) | Display device | |
JP2004260133A (ja) | 配線基板及び電気光学装置並びにこれらの製造方法並びに電子機器 | |
KR20240072383A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20240095549A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20110105354A (ko) | 유기 발광 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |