JP7077001B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

携帯電話やＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等に用いられる表示装置では、性能面や、デザイン性等の観点から、狭額縁化が要求されている。狭額縁化の一例として、他の配線基板などが実装される実装部が表示面の下側に位置するように、表示パネルの一部を折り曲げる方法が知られている。しかしながら、折り曲げ領域に設けられた配線は、折り曲げによる応力の影響を受けて断線する場合がある。

特開２０１６－６８９２６号公報 特開２０１７－９８０２０号公報

本実施形態の目的は、折り曲げによる断線の発生を抑制し、信頼性を向上することが可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態によれば、
表示領域を含む第１領域と、実装領域を含む第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する第３領域と、を有する基板と、前記第３領域において、前記基板上に設けられた第１有機膜と、前記第１有機膜上に第１方向に間隔をおいて配置され、前記第１方向と交差する第２方向に延出した複数の配線と、前記第３領域において、前記第１有機膜と前記複数の配線を覆う第２有機膜と、前記第２有機膜上に設けられた第１無機膜と、を備えている、表示装置が提供される。
また、一実施形態によれば、
表示領域を含む第１領域と、実装領域を含む第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する第３領域と、を有し、前記第１領域と前記第２領域とが対向するように前記第３領域で折り曲げられている基板と、前記第３領域において、前記基板上に形成された第１有機膜と、前記第１有機膜上に第１方向に間隔をおいて配置された配線と、前記配線と前記第１有機膜とを覆う第２有機膜と、前記第２有機膜上に形成された第１無機膜と、を備えている、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態に係る表示装置１の構成を示す平面図である。 図２は、図１に示す折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた状態を示す図である。 図３は、図１に示す表示装置１の表示領域ＤＡを示す断面図である。 図４は、図１に示すＡ－Ａ’線に沿った断面図である。 図５は、図１に示すＢ－Ｂ’線に沿った断面図である。 図６は、図５に示す表示装置１の製造方法の一例を示す断面図である。 図７は、図６に続く製造工程を示す断面図である。 図８は、図７に続く製造工程を示す断面図である。 図９は、図８に続く製造工程を示す断面図である。 図１０は、図９に続く製造工程を示す断面図である。 図１１は、図１０に続く製造工程を示す断面図である。 図１２は、図１１に続く製造工程を示す断面図である。 図１３は、図４に示す第１無機膜ＩＬ１の一例を示す平面図である。 図１４は、第１無機膜ＩＬ１の他の例を示す図である。 図１５は、第１無機膜ＩＬ１の他の例を示す図である。 図１６は、第１無機膜ＩＬ１の他の例を示す図である。 図１７は、第１無機膜ＩＬ１の他の例を示す図である。 図１８は、比較例としての折り曲げ領域ＢＡを示す断面図である。 図１９は、本実施形態の変形例に係る、図１に示すＢ－Ｂ’線に沿った断面図である。 図２０は、折り曲げ領域ＢＡの他の例を示す断面図である。 図２１は、折り曲げ領域ＢＡの他の例を示す断面図である。 図２２は、折り曲げ領域ＢＡの他の例を示す断面図である。 図２３は、折り曲げ領域ＢＡの他の例を示す断面図である。 図２４は、折り曲げ領域ＢＡの他の例を示す断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態に係る表示装置１の構成を示す平面図である。本実施形態において、表示装置１は、一例として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を有する有機ＥＬ表示装置である。しかしながら、表示装置１は、液晶層を有する液晶表示装置、あるいは電気泳動型素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、他の表示装置であってもよい。

図１は、第１方向Ｘと、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な第３方向Ｚによって規定される三次元空間を示している。なお、第１方向Ｘと第２方向Ｙとは、９０度以外の角度で交差していてもよい。また、本実施形態において、第３方向Ｚを上と定義し、第３方向Ｚと反対側の方向を下と定義する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。

表示装置１は、表示パネル２、配線基板３などを備えている。

表示パネル２は、一例では、四角形であり、図示した例では矩形状である。図示した例では、表示パネル２の短辺ＥＸは、第１方向Ｘと平行であり、表示パネル２の長辺ＥＹは、第２方向Ｙと平行である。第３方向Ｚは、表示パネル２の厚さ方向に相当する。表示パネル２の主面は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとにより規定されるＸ－Ｙ平面に平行である。なお、表示パネル２は、矩形以外の形状でもよく、例えば角部が曲線状に形成されていてもよい。

表示パネル２は、表示領域ＤＡと、非表示領域ＮＤＡと、実装領域ＭＴとを有している。表示領域ＤＡは、画像を表示する領域であり、例えばマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、後述する有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を駆動するためのスイッチング素子などを含んでいる。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの外側に位置し、表示領域ＤＡを囲んでいる。実装領域ＭＴは、表示パネル２の短辺ＥＸに沿って設けられている。実装領域ＭＴは、表示パネル２を外部装置等と電気的に接続するための複数の端子ＴＥを含んでいる。

表示パネル２は、画素ＰＸと電気的に接続された複数の配線ＷＬを備えている。配線ＷＬは、表示領域ＤＡから実装領域ＭＴへ向かって引き出され、端子ＴＥと接続されている。図示した例では、配線ＷＬは、第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに沿って並んでいる。外部装置から供給される電源電位や信号電位は、端子ＴＥ及び配線ＷＬを介して画素ＰＸに供給される。

配線基板３は、実装領域ＭＴに実装され、表示パネル２と電気的に接続されている。配線基板３は、例えばフレキシブルプリント回路基板である。配線基板３は、表示パネル２を駆動する駆動ＩＣチップ４などを備えている。駆動ＩＣチップ４は、端子ＴＥ及び配線ＷＬを介して、画素ＰＸと電気的に接続されている。なお、駆動ＩＣチップ４は、表示パネル２に実装されていてもよい。図示した例では、配線基板３の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、短辺ＥＸの長さと比べて小さいが、同等であってもよい。

本実施形態において、表示パネル２は、可撓性を有している。すなわち、表示パネル２は、図において斜線を付して示したように、非表示領域ＮＤＡにおいて、折り曲げ領域ＢＡ有している。折り曲げ領域ＢＡは、表示装置１が電子機器等の筐体に収容される際に表示パネル２が折り曲げられる領域である。上述の配線ＷＬは、折り曲げ領域ＢＡを通って画素ＰＸと端子ＴＥとを接続している。

本実施形態において、表示領域ＤＡを含む領域を第１領域Ａ１と称し、実装領域ＭＴを含む領域を第２領域Ａ２と称し、折り曲げ領域ＢＡを含む領域を第３領域Ａ３と称する。

図２は、図１に示す折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた状態を示す図である。図２は、Ｙ－Ｚ平面に平行な面を示している。ここでは、説明に必要な構成のみを示している。

表示装置１は、表示パネル２及び配線基板３に加え、支持基板ＰＰ及び支持部材５０を備えている。

支持基板ＰＰは、表示パネル２の表示面とは反対側の面に設けられている。ただし、支持基板ＰＰは、折り曲げ領域ＢＡには設けられていない。支持基板ＰＰは、例えば表示領域ＤＡにおいて表示パネル２が湾曲するのを抑制する支持層として機能する。また、支持基板ＰＰは、表示パネル２への水分等の侵入を抑制する防湿性、及びガスの侵入を抑制するガス遮断性を有し、バリア層としても機能する。支持基板ＰＰは、一例では、ポリエチレンテレフタラートを用いて形成されたフィルムである。なお、支持基板ＰＰと表示パネル２との間に他の薄膜が介在していてもよい。

表示パネル２は、支持部材５０を挟み込むように折り曲げられ、接着剤５１によって支持部材５０と貼り付けられている。図示した例では、支持基板ＰＰと接着剤５１とが接している。折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた状態において、配線基板３は、表示パネル２の下側に位置し、表示パネル２及び支持部材５０とほぼ平行に対向している。なお、支持部材５０は、省略されてもよい。

本実施形態において、折り曲げ領域ＢＡは、第１方向Ｘに沿った折り曲げ軸ＡＸを中心として折り曲げられている。折り曲げ領域ＢＡは、曲面状である。図示した例では、折り曲げ領域ＢＡは、円周に沿って湾曲している。折り曲げ領域ＢＡが形成する曲面の母線は、折り曲げ軸ＡＸと平行である。すなわち、折り曲げ領域ＢＡの母線は、第１方向Ｘと平行である。ここで、折り曲げ領域ＢＡの曲面に沿って第１領域Ａ１側から第２領域Ａ２側へ向かう方向を周方向Ｃと定義する。また、折り曲げ領域ＢＡの曲率半径Ｒ１は、例えば折り曲げ軸ＡＸから表示パネル２の内面までの距離として定義される。一例では、曲率半径Ｒ１は、０．３ｍｍである。

図３は、図１に示す表示装置１の表示領域ＤＡを示す断面図である。表示パネル２は、絶縁基板１０、絶縁膜１１乃至１６、スイッチング素子ＳＷ（ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３）、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ（ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３）、封止膜１７、などを備えている。図示した例では、支持基板ＰＰは、絶縁基板１０の下に貼り付けられている。

絶縁基板１０は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料によって形成されている。絶縁膜１１は、絶縁基板１０の上に形成されている。絶縁膜１１は、絶縁基板１０から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへ向かう水分等の侵入を抑制するためのバリア層を含んでいてもよい。なお、絶縁膜１１は、省略されてもよい。また、後述するように絶縁基板１０は、有機絶縁材料によって無機絶縁材料を挟んだ積層構造でもよい。

スイッチング素子ＳＷは、絶縁膜１１の上に形成されている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；thin-film-transistor）により構成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷはトップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもよい。以下では、スイッチング素子ＳＷ１を例として、その構成を説明する。

スイッチング素子ＳＷ１は、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、及び、ドレイン電極ＤＥを備えている。

半導体層ＳＣは、絶縁膜１１の上に形成され、絶縁膜１２により覆われている。ゲート電極ＧＥは、絶縁膜１２の上に形成され、絶縁膜１３により覆われている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、それぞれ絶縁膜１３の上に形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、絶縁膜１３を半導体層ＳＣまで貫通するコンタクトホールにおいて、半導体層ＳＣにそれぞれ接触している。

ゲート電極ＧＥは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを形成する材料は、上記の金属材料が適用可能である。

スイッチング素子ＳＷは、絶縁膜１４により覆われている。絶縁膜１４は、絶縁膜１５により覆われている。絶縁膜１１乃至１３、及び絶縁膜１５は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁材料により形成されている。絶縁膜１４は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料により形成されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、絶縁膜１５の上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、絶縁基板１０とは反対側に光を出射する所謂トップエミッションタイプであるが、この例に限らず、絶縁基板１０の側に光を出射する所謂ボトムエミッションタイプであってもよい。一例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、赤色に発光する有機発光層ＯＲＧ１を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、青色に発光する有機発光層ＯＲＧ２を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、緑色に発光する有機発光層ＯＲＧ３を備えている。以下では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を例として、その構成を説明する。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、画素電極ＰＥ１、共通電極ＣＥ、及び有機発光層ＯＲＧ１により構成されている。

画素電極ＰＥ１は、絶縁膜１５の上に設けられている。画素電極ＰＥ１は、絶縁膜１５及び絶縁膜１４内に設けられたコンタクトホールにおいて、スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＤＥと接触している。これにより、画素電極ＰＥ１とスイッチング素子ＳＷ１とは、互いに電気的に接続される。有機発光層ＯＲＧ１は、画素電極ＰＥ１の上に形成されている。有機発光層ＯＲＧ１は、発光効率を向上するために、電子注入層、正孔注入層、電子輸送層、正孔輸送層等をさらに含んでいてもよい。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧ１の上に形成されている。共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されている。

以上のように構成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、画素電極ＰＥ１と共通電極ＣＥとの間に印加される電圧（あるいは電流）に応じた輝度で発光する。なお、図示は省略するが、トップエミッションタイプの場合には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、絶縁膜１５と画素電極ＰＥ１との間に反射層を含んでいることが望ましい。反射層は、例えばアルミニウム、銀等の反射率の高い金属材料により形成されている。なお、反射層の反射面、すなわち有機発光層ＯＲＧ１側の面は、平坦であってもよいし、光散乱性を付与するために凹凸が形成されていてもよい。

各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、有機絶縁材料からなる絶縁膜（リブ）１６により、画素ＰＸごとに区画されている。絶縁膜１６は、画素電極ＰＥの上に形成されている。図示した例では、絶縁膜１６は、絶縁膜１５とも接している。絶縁膜１６は、例えばポリイミドによって形成されている。

有機発光層ＯＲＧ１、ＯＲＧ２、及びＯＲＧ３は、絶縁膜１６が設けられていない領域、すなわち絶縁膜１６と絶縁膜１６との間において、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、及びＰＥ３とそれぞれ接している。図示した例では、共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡの全体に亘って形成されている。すなわち、共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧ１、ＯＲＧ２、及びＯＲＧ３と接するとともに、絶縁膜１６を覆っている。

なお、表示パネル２は、複数の画素ＰＸに亘って共通の有機発光層を有していてもよい。このような構成においては、表示パネル２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと対向する位置にカラーフィルタを備える。カラーフィルタは、例えば赤色、緑色、青色等に着色された樹脂材料によって形成される。

封止膜１７は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆っている。封止膜１７は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分や酸素の侵入を抑制し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を抑制する。封止膜１７は、無機膜１７１、有機膜１７２、及び無機膜１７３を備えている。

無機膜１７１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に形成されている。図示した例では、無機膜１７１は、共通電極ＣＥと接している。無機膜１７３は、無機膜１７１の上方に位置している。有機膜１７２は、無機膜１７１と無機膜１７３の間に位置し、無機膜１７１及び無機膜１７３と接している。

無機膜１７１及び無機膜１７３は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ側への水分の侵入を遮断する機能を有している。無機膜１７１及び無機膜１７３は、透明であり、例えば窒化シリコンによって形成されている。有機膜１７２は、透明な有機材料によって形成されている。なお、ここでの透明とは、透過光が表示に影響のない範囲で着色されることを許容するものである。

図４は、図１に示すＡ－Ａ’線に沿った断面図である。図４は、第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ－Ｚ平面と平行な面を示している。折り曲げ領域ＢＡにおいて、表示パネル２は、絶縁基板１０、配線ＷＬ、第１有機膜ＯＬ１、第２有機膜ＯＬ２、第３有機膜ＯＬ３、第４有機膜ＯＬ４、第１無機膜ＩＬ１、第２無機膜ＩＬ２、及び樹脂層ＲＳＮを備えている。

第１有機膜ＯＬ１は、絶縁基板１０の上に位置している。配線ＷＬは、第１有機膜ＯＬ１の上に位置し、第２有機膜ＯＬ２によって覆われている。第１方向Ｘにおいて、第１有機膜ＯＬ１の第１端部Ｅ１１と第２端部Ｅ１２とは、第２有機膜ＯＬ２によって覆われている。換言すると、第２有機膜ＯＬ２は、配線ＷＬ及び第１有機膜ＯＬ１と接するとともに、第１有機膜ＯＬ１を挟んで絶縁基板１０とも接している。

第１無機膜ＩＬ１は、第２有機膜ＯＬ２の上に位置している。図示した例では、第１無機膜ＩＬ１は、第２有機膜ＯＬ２の上面全体を覆っている。第３有機膜ＯＬ３は、第１無機膜ＩＬ１の上に位置している。図示した例では、第３有機膜ＯＬ３は、第１無機膜ＩＬ１の上面全体を覆っている。第２無機膜ＩＬ２は、第３有機膜ＯＬ３の上に位置している。図示した例では、第２無機膜ＩＬ２は、第３有機膜ＯＬ３の上面全体を覆っている。第４有機膜ＯＬ４は、第２無機膜ＩＬ２の上に位置している。図示した例では、第４有機膜ＯＬ４は、第２無機膜ＩＬ２の上面全体を覆っている。

樹脂層ＲＳＮは、第４有機膜ＯＬ４の上に位置している。樹脂層ＲＳＮは、第２無機膜ＩＬ２、第３有機膜ＯＬ３、第１無機膜ＩＬ１、及び第２有機膜ＯＬ２を覆うとともに、絶縁基板１０とも接している。

第１有機膜ＯＬ１、第２有機膜ＯＬ２、及び第３有機膜ＯＬ３は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料によって形成されている。密着性を向上するために、第１有機膜ＯＬ１と第２有機膜ＯＬ２とは、同一材料で形成されることが好ましい。また、ポリイミドによって形成される場合、第１有機膜ＯＬ１、第２有機膜ＯＬ２、及び第３有機膜ＯＬ３のうち、少なくとも第１有機膜ＯＬ１と第２有機膜ＯＬ２とは、フッ素を含んでいる。第３有機膜ＯＬ３は、フッ素を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。第４有機膜ＯＬ４は、一例では、レジスト膜である。樹脂層ＲＳＮは、一例では、アクリル系の樹脂であり、紫外線の照射によって硬化される。このような樹脂層ＲＳＮは、配線ＷＬを保護する保護層として機能する。また、第１無機膜ＩＬ１及び第２無機膜ＩＬ２は、酸化シリコン又は窒化シリコン等の無機絶縁材料によって形成されている。

第１有機膜ＯＬ１、第２有機膜ＯＬ２、第３有機膜ＯＬ３、及び第４有機膜ＯＬ４のヤング率は、いずれも樹脂層ＲＳＮのヤング率より大きい。さらに、第１無機膜ＩＬ１及び第２無機膜ＩＬ２のヤング率は、いずれも第１乃至第４有機膜ＯＬ１乃至ＯＬ４のヤング率より大きい。

上記の構成において、折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた際の中立面ＮＰは、破線で示すように、絶縁基板１０と第１有機膜ＯＬ１との境界近傍に位置している。ここで、中立面ＮＰとは、折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた際の引っ張り応力と圧縮応力とがつり合う面である。

図５は、図１に示すＢ－Ｂ’線に沿った断面図である。図５は、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ－Ｚ平面と平行な面を示している。第１領域Ａ１、第３領域Ａ３、及び第２領域Ａ２は、この順で第２方向Ｙに沿って並んでいる。

表示パネル２は、絶縁基板１０、配線ＷＬ、絶縁膜１１乃至１６、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、封止膜１７、第１乃至第４有機膜ＯＬ１乃至ＯＬ４、第１無機膜ＩＬ１、第２無機膜ＩＬ２、及び樹脂層ＲＳＮに加え、配線ＧＬ、レジスト膜１８、粘着層１９、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２、導電層ＣＬ、及び端子ＴＥを備えている。

第１領域Ａ１は、絶縁基板１０に支持基板ＰＰ１が貼り付けられた領域に相当する。支持基板ＰＰ１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと重なる支持基板ＰＰである。実装領域ＭＴは、絶縁基板１０に支持基板ＰＰ２が貼り付けられた領域に相当する。支持基板ＰＰ２は、端子ＴＥと重なる支持基板ＰＰである。折り曲げ領域ＢＡは、支持基板ＰＰが設けられていない領域、すなわち支持基板ＰＰ１と支持基板ＰＰ２との間の領域に相当する。なお、支持基板ＰＰ１は第１支持基板に相当し、支持基板ＰＰ２は第２支持基板に相当する。

絶縁基板１０は、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び、第３領域Ａ３に亘って位置している。絶縁膜１１乃至１３は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２のほぼ全体に亘って形成されているが、第３領域Ａ３には設けられていない。図示した例では、絶縁膜１１乃至１３は、第３領域Ａ３よりも若干広い領域において除去されている。

配線ＧＬは、第１領域Ａ１において、絶縁膜１２の上に位置し、絶縁膜１３によって覆われている。このような配線ＧＬは、図３に示すスイッチング素子ＳＷのゲート電極ＧＥと同時に形成することができる。

絶縁膜１４は、第１領域Ａ１に形成されている。絶縁膜１４は、絶縁膜１３を露出する溝１４Ｔを有している。これにより、実装領域ＭＴ側から表示領域ＤＡ側への絶縁膜１４を介した水分の浸入が抑制され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化が抑制される。このような溝１４Ｔは、表示領域ＤＡを囲む環状に形成されていることが望ましい。第１領域Ａ１において、上述の配線ＧＬと絶縁膜１１乃至１３とは、絶縁膜１４よりも実装領域ＭＴ側へ延出している。

絶縁膜１５は、絶縁膜１４の上に位置している。絶縁膜１５は、溝１４Ｔにおいて、絶縁膜１３と接している。また、絶縁膜１５は、絶縁膜１４よりも実装領域ＭＴ側に延出し、絶縁膜１３とも接している。絶縁膜１６は、溝１４Ｔよりも内側の領域、すなわち溝１４Ｔよりも実装領域ＭＴから離間した側（もしくは表示領域ＤＡ側）に位置している。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、絶縁膜１５の上で、且つ絶縁膜１６と絶縁膜１６との間に位置している。

第１有機膜ＯＬ１は、第３領域Ａ３の全体に位置するとともに、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２にも位置している。第１有機膜ＯＬ１は、第３領域Ａ３において、絶縁基板１０と接している。また、第１有機膜ＯＬ１は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において、絶縁基板１０と接するとともに、絶縁膜１１乃至１３の少なくとも一部を覆っている。第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において、第１有機膜ＯＬ１が絶縁膜１１乃至１３を覆うことにより、絶縁膜１１乃至１３よって形成される段差が緩和される。

配線ＷＬは、第１領域Ａ１の端部から第２領域Ａ２まで延出している。配線ＷＬは、第３領域Ａ３において、第１有機膜ＯＬ１の上に形成されている。また、配線ＷＬは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において、絶縁膜１３の上に形成されている。配線ＷＬは、第１領域Ａ１において、絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールＣＨ１において、配線ＧＬと接している。配線ＷＬは、図３に示すスイッチング素子ＳＷのソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと同時に形成することができる。

第２有機膜ＯＬ２は、配線ＷＬのすべてを覆っている。第２有機膜ＯＬ２は、第３領域Ａ３の全体に位置するとともに、一部が第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２にも位置している。図示した例では、第２有機膜ＯＬ２は、第１領域Ａ１において配線ＷＬ及び絶縁膜１３と接するとともに、配線ＧＬとも接している。第２有機膜ＯＬ２は、第２領域Ａ２において、配線ＷＬと接するとともに、絶縁膜１３とも接している。第２有機膜ＯＬ２は、絶縁膜１４と同時に形成することができる。

第２有機膜ＯＬ２は、第２領域Ａ２において、配線ＷＬを露出するコンタクトホールＣＨ２を有している。導電層ＣＬは、このコンタクトホールＣＨ２内に設けられ、配線ＷＬと接している。導電層ＣＬは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極ＰＥと同時に形成することができる。

第１無機膜ＩＬ１は、第３領域Ａ３において、第２有機膜ＯＬ２の上に位置している。図示した例では、第１無機膜ＩＬ１は、第３領域Ａ３の範囲を覆っているが、第１有機膜ＯＬ１及び第２有機膜ＯＬ２の両端部を覆っていない。すなわち、第１無機膜ＩＬ１は、第３方向Ｚにおいて、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に位置する絶縁膜１１乃至１３と重なっていない。第１無機膜ＩＬ１は、絶縁膜１５と同時に形成することができる。

第３有機膜ＯＬ３は、第１無機膜ＩＬ１のすべてを覆っている。第３有機膜ＯＬ３は、第３領域Ａ３の全体に位置するとともに、一部が第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２にも位置している。第３有機膜ＯＬ３は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において、第２有機膜ＯＬ２と接している。第３有機膜ＯＬ３は、絶縁膜１６と同時に形成することができる。すなわち、表示パネル２を折り曲げる際に、特に応力が加わりやすい第１領域Ａ１の第３領域Ａ３側の端部には、第１無機膜ＩＬ１は形成されていない。第２有機膜ＯＬ２と第１無機膜ＩＬ１との密着性、及び、第３有機膜ＯＬ３と第１無機膜ＩＬ１との密着性は、第２有機膜ＯＬ２と第３有機膜ＯＬ３との密着性に比べて悪い。このため、表示パネル２を折り曲げた際に、第３領域Ａ３の第１無機膜ＩＬ１の剥離が発生しやすい。第１領域Ａ１の第３領域Ａ３側の端部に第１無機膜ＩＬ１が形成されていた場合、応力が加わりやすい領域で第２有機膜ＯＬ２と第３有機膜ＯＬ３とが接しないこととなる。それゆえ、当該領域で第１無機膜ＩＬ１が剥離し、第１無機膜ＩＬ１の剥離に伴って無機膜１７１等の剥離を招き、さらには、表示領域ＤＡ内における部材の剥離を招くおそれがある。

本実施形態においては、第１無機膜ＩＬ１は第２有機膜ＯＬ２及び第３有機膜ＯＬ３よりも小さく形成されている。そのため、第１領域Ａ１は、その第３領域Ａ３側で、第２有機膜ＯＬ２と第３有機膜ＯＬ３とが接する部分を有することで、表示パネル２を折り曲げる際に第３領域Ａ３の第１無機膜ＩＬ１が剥離したとしても、第２有機膜ＯＬ２と第３有機膜ＯＬ３とが十分に密着しているため、剥離の影響の伝播を抑制することができる。

第３有機膜ＯＬ３は、第２領域Ａ２において、導電層ＣＬを露出するコンタクトホールＣＨ３を有している。端子ＴＥは、このコンタクトホールＣＨ３内に設けられ、導電層ＣＬと接している。これにより、端子ＴＥと配線ＷＬとは、導電層ＣＬを介して電気的に接続される。端子ＴＥは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの共通電極ＣＥと同時に形成することができる。

封止膜１７は、第１領域Ａ１において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆うとともに、一部が第２有機膜ＯＬ２及び第３有機膜ＯＬ３の端面も覆っている。具体的には、無機膜１７１は、絶縁膜１４よりも実装領域ＭＴ側へ延出し、第２有機膜ＯＬ２及び第３有機膜ＯＬ３の端面と接している。図示した例では、絶縁膜１４と第２有機膜ＯＬ２との間において、無機膜１７１は、絶縁膜１５、絶縁膜１３、及び配線ＧＬと接している。有機膜１７２は、絶縁膜１４が設けられた領域内に位置している。無機膜１７３は、有機膜１７２よりも実装領域ＭＴ側に延出し、無機膜１７１と接している。

第２無機膜ＩＬ２は、第３領域Ａ３の第３有機膜ＯＬ３の上で、第１無機膜ＩＬ１とほぼ重なる領域に設けられている。すなわち、第２無機膜ＩＬ２は、第３領域Ａ３の範囲を覆っているが、第３有機膜ＯＬ３の両端部を覆っていない。また、第２無機膜ＩＬ２は、第３方向Ｚにおいて、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に位置する絶縁膜１１乃至１３と重なっていない。第２無機膜ＩＬ２は、一例では、封止膜１７を構成する無機膜１７１と無機膜１７３とによって形成される。なお、第２無機膜ＩＬ２は、無機膜１７１及び１７３のいずれか一方によって形成されてもよく、他の無機膜によって形成されてもよい。

レジスト膜１８は、封止膜１７の上に形成されている。図示した例では、第１領域Ａ１におけるレジスト膜１８の端部の位置は、無機膜１７１の端部及び無機膜１７３の端部の位置とほぼ揃っている。

第４有機膜ＯＬ４は、第３領域Ａ３の第２無機膜ＩＬ２の直上に位置している。換言すると、第２無機膜ＩＬ２は、第４有機膜ＯＬ４が設けられた領域に形成されている。第４有機膜ＯＬ４は、レジスト膜１８と同時に形成することができる。

光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、粘着層１９によってレジスト膜１８と接着されている。光学素子ＯＤ１は、一例では、位相差板等の光学部材であり、光学素子ＯＤ２は、一例では、偏光板等の光学部材である。

以上のように構成された表示パネル２は、第２領域Ａ２において、異方性導電膜ＡＣＦを介して、配線基板３と接着されている。異方性導電膜ＡＣＦは、接着剤中に導電性粒子ＣＰを含んでいる。端子ＴＥと配線基板３との間に異方性導電膜ＡＣＦを介在させた状態で、表示パネル２と配線基板３とを互いに近づくように加圧し、加熱することで、両者が電気的及び物理的に接続される。樹脂層ＲＳＮは、少なくとも第３領域Ａ３に設けられ、第４有機膜ＯＬ４を覆っている。図示した例では、樹脂層ＲＳＮは、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２の端部から配線基板３の端部に亘って設けられており、粘着層１９、レジスト膜１８、無機膜１７１及び１７３、第３有機膜ＯＬ３、第２無機膜ＩＬ２、第４有機膜ＯＬ４に接するとともに、配線基板３の端部を覆っている。

すなわち、表示パネル２を折り曲げる際に、特に応力が加わりやすい第１領域Ａ１の第３領域Ａ３側の端部には、第２無機膜ＩＬ２は形成されていない。第３有機膜ＯＬ３と第２無機膜ＩＬ２との密着性、及び、第４有機膜ＯＬ４と第２無機膜ＩＬ２との密着性は、第３有機膜ＯＬ３と樹脂層ＲＳＮとの密着性に比べて悪い。このため、表示パネル２を折り曲げた際に、第３領域Ａ３の第２無機膜ＩＬ２の剥離が発生しやすい。第２無機膜ＩＬ２が、封止膜１７を構成する無機膜１７１と無機膜１７３とによって第１領域Ａ１から第３領域Ａ３に亘って連続して形成されていた場合、第３領域Ａ３で発生した第２無機膜ＩＬ２の剥離が無機膜１７１及び無機膜１７３の剥離を招き、さらには、表示領域ＤＡ内においても部材の剥離を招くおそれがある。また、表示パネル２を折り曲げる際に、第２無機膜ＩＬ２にクラックが発生した場合、クラックも伝播し、表示領域ＤＡ内にクラックが伝播するおそれがある。

本実施形態においては、第２無機膜ＩＬ２は、封止膜１７を構成する無機膜１７１と無機膜１７３とによって形成されているが、第１領域Ａ１から第３領域Ａ３に亘って連続して形成されていない。そのため、表示パネル２を折り曲げる際に、第２無機膜ＩＬ２が剥離したりクラックが発生したりしたとしても、他の部材の剥離及びクラックの伝播を抑制することができる。

次に、図６乃至図１２を参照して、図５に示す表示装置１の製造方法の一例について説明する。

図６に示すように、ガラス基板ＧＳの上に、たとえばポリイミド等の有機絶縁材料からなる絶縁基板１０が形成される。次いで、絶縁基板１０の上の全体に亘って、例えばプラズマ化学的気相成長法（プラズマＣＶＤ）によって、例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる絶縁膜１１が形成される。その後、第３領域Ａ３において、絶縁膜１１が例えばエッチングによって除去される。

次いで、絶縁膜１１及び絶縁基板１０の上に、例えばプラズマＣＶＤによって、例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる絶縁膜１２が形成される。次いで、絶縁膜１２の上に、例えばスパッタによって、配線ＧＬが形成される。配線ＧＬは、第１領域Ａ１内に形成される。配線ＧＬは、図３に示すスイッチング素子ＳＷのゲート電極ＧＥと同一材料で同時に形成することができる。次いで、配線ＧＬ及び絶縁膜１２の上に、例えばプラズマＣＶＤによって、例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる絶縁膜１３が形成される。

次いで、第３領域Ａ３において、絶縁膜１２及び絶縁膜１３がエッチングによって除去される。このとき、配線ＧＬの端部を露出するコンタクトホールＣＨ１も同時に形成される。絶縁膜１２及び絶縁膜１３の除去は、図３に示すスイッチング素子ＳＷのソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを半導体層ＳＣと接続させるためのコンタクトホールの形成と同時に行うことができる。

その後、第３領域Ａ３において、フッ素を含むポリイミドからなる第１有機膜ＯＬ１が形成される。次いで、例えばスパッタによって、配線ＧＬの端部から第２領域Ａ２まで延在した配線ＷＬが形成される。配線ＷＬは、第３領域Ａ３において、第１有機膜ＯＬ１の上に形成される。配線ＷＬの両端部は、絶縁膜１３の上に形成される。第１領域Ａ１において、配線ＷＬは、コンタクトホールＣＨ１において、配線ＧＬと接触される。

次に、図７に示すように、絶縁基板１０の上の全体に亘って、例えばフッ素を含むポリイミドからなる絶縁膜１４が形成される。その後、リソグラフィによって、絶縁膜１４は、部分的に除去される。すなわち、第１領域Ａ１において、絶縁膜１４内に、絶縁膜１３を露出する溝１４Ｔが形成される。溝１４Ｔが形成されることより、第２領域Ａ２側から第１領域Ａ１側への絶縁膜１４を介した水分等の浸入を抑制することができる。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を抑制することができる。

一方、第３領域Ａ３の全体において、絶縁膜１４は、除去されない。すなわち、第３領域Ａ３における絶縁膜１４は、第２有機膜ＯＬ２に相当する。図示した例では、第２有機膜ＯＬ２は、第１領域Ａ１まで延在し、配線ＷＬの端部を覆っている。また、第２有機膜ＯＬ２は、第２領域Ａ２まで延在している。第２領域Ａ２において、第２有機膜ＯＬ２には、配線ＷＬの端部を露出するコンタクトホールＣＨ２が形成される。

次に、図８に示すように、絶縁基板１０の上の全体に亘って、例えばプラズマＣＶＤによって、例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる絶縁膜１５が形成される。その後、エッチングによって、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において、絶縁膜１５が部分的に除去される。これにより、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において、第２有機膜ＯＬ２が部分的に露出される。換言すると、絶縁膜１５は、第３領域Ａ３に形成される。第３領域Ａ３における絶縁膜１５は、第１無機膜ＩＬ１に相当する。図示した例では、第１無機膜ＩＬ１は、第１領域Ａ１の近傍まで延出しているが、コンタクトホールＣＨ１と重なっていない。また、第１無機膜ＩＬ１は、第２領域Ａ２の近傍まで延出しているが、コンタクトホールＣＨ２を覆っていない。なお、絶縁膜１５は、第１領域Ａ１において、絶縁膜１４を覆うとともに、絶縁膜１３とも接している。第１領域Ａ１における絶縁膜１５は、第１無機膜ＩＬ１と連続していない。そのため、折り曲げた際に、第１無機膜ＩＬ１にクラックが発生したとしても、表示領域ＤＡまで伝播することを抑制できる。

次いで、例えばスパッタによって、絶縁膜１５の上に画素電極ＰＥが形成される。このとき、第２領域Ａ２において、導電層ＣＬが形成される。導電層ＣＬは、コンタクトホールＣＨ２に形成され、配線ＷＬと接触する。

次に、図９に示すように、絶縁基板１０の上の全体に亘って、例えばポリイミドからなる絶縁膜１６が形成される。絶縁膜１６がポリイミドから形成される場合、フッ素を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。その後、リソグラフィによって、絶縁膜１６は、部分的に除去される。これにより、第１領域Ａ１において、リブとしての絶縁膜１６が形成される。一方、第３領域Ａ３において、絶縁膜１６は、除去されず、第３有機膜ＯＬ３が形成される。すなわち、第３領域Ａ３における絶縁膜１６は、第３有機膜ＯＬ３に相当する。第３有機膜ＯＬ３は、第１無機膜ＩＬ１を覆うとともに、第２有機膜ＯＬ２とも接している。第２領域Ａ２において、導電層ＣＬを露出するコンタクトホールＣＨ３が形成される。

その後、第１領域Ａ１において、リブとリブとの間に、例えばマスク蒸着法や印刷法によって有機発光層ＯＲＧが形成される。次いで、例えばスパッタによって、共通電極ＣＥが形成される。共通電極ＣＥは、第１領域Ａ１において、リブとしての絶縁膜１６と絶縁膜１６との間において、有機発光層ＯＲＧと接している。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが形成される。図示した例では、共通電極ＣＥは、絶縁膜１６も覆っている。また、このとき、第２領域Ａ２において、端子ＴＥが形成される。端子ＴＥは、コンタクトホールＣＨ３内に形成され、導電層ＣＬと接している。これにより、配線ＷＬと端子ＴＥとが電気的に接続される。

次に、図１０に示すように、絶縁基板１０の上の全体に亘って、封止膜１７が形成される。具体的には、まず、例えばプラズマＣＶＤによって、例えば窒化シリコンからなる無機膜１７１が形成される。無機膜１７１は、絶縁基板１０の上の全体に亘って形成される。次いで、透明な有機絶縁材料からなる有機膜１７２が無機膜１７１の上に形成される。有機膜１７２は、第１領域Ａ１内に形成される。図示した例では、有機膜１７２は、絶縁膜１４と重なっているが、第２有機膜ＯＬ２と重なっていない。次いで、例えばプラズマＣＶＤによって、例えば窒化シリコンからなる無機膜１７３が形成される。無機膜１７３は、絶縁基板１０の上の全体に亘って形成される。すなわち、無機膜１７３は、有機膜１７２を覆うとともに、無機膜１７１とも接している。

次に、図１１に示すように、レジスト膜１８が、無機膜１７３の上に選択的に塗布される。レジスト膜１８は、配線ＷＬよりも有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ側の領域全体に設けられている。また、レジスト膜１８は、第３領域Ａ３の全体に亘って設けられ、第４有機膜ＯＬ４を形成している。すなわち、第３領域Ａ３におけるレジスト膜１８は、第４有機膜ＯＬ４に相当する。図示した例では、第４有機膜ＯＬ４は、第１無機膜ＩＬ１とほぼ重なる領域に位置している。

次に、このレジスト膜１８をマスクとして、エッチングが行われる。これにより、第３領域Ａ３において、第４有機膜ＯＬ４によって覆われた第２無機膜ＩＬ２が形成される。すなわち、第３領域Ａ３における無機膜１７１及び１７３は、第２無機膜ＩＬ２に相当する。すなわち、第２無機膜ＩＬ２は、無機膜１７１及び１７３と連続していない。そのため、折り曲げた際に、第２無機膜ＩＬ２にクラックが発生したとしても、表示領域ＤＡまで伝播することを抑制できる。なお、図示した例では、第２無機膜ＩＬ２は、無機膜１７１及び１７３の双方を含んでいるが、無機膜１７１及び１７３のいずれか一方によって形成されてもよい。

次に、図１２に示すように、ガラス基板ＧＳが剥離された後、絶縁基板１０の下面に支持基板ＰＰが貼り付けられる。一例では、支持基板ＰＰは、第３領域Ａ３に相当する領域に開口ＡＰを有している。なお、絶縁基板１０の下面の全体に亘って支持基板ＰＰが貼り付けられた後、例えばレーザー光の照射によって第３領域Ａ３に相当する領域の支持基板ＰＰが除去されてもよい。

次いで、第１領域Ａ１において、レジスト膜１８の上に粘着層１９を介して光学素子ＯＤ１及びＯＤ２が貼り付けられる。光学素子ＯＤ１は、例えば位相差板であり、光学素子ＯＤ２は、例えば偏光板である。その後、図５に示すように、異方性導電膜ＡＣＦを介して、端子ＴＥに配線基板３が接着された後、光学素子ＯＤ２の側面から第２領域Ａ２までを覆う樹脂層ＲＳＮが塗布される。樹脂層ＲＳＮは、例えば紫外線を照射することによって硬化される。

なお、表示装置１の製造方法は、上記の方法に限定されない。例えば、後述するように、第１無機膜ＩＬ１、第３有機膜ＯＬ３、第２無機膜ＩＬ２、及び第４有機膜ＯＬ４のうち少なくとも一つは、形成されなくてもよい。

図１３は、図４に示す第１無機膜ＩＬ１の一例を示す平面図である。図１３は、便宜的に第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ－Ｙ平面を示しているが、第３領域Ａ３が折り曲げられた状態においては、第２方向Ｙは、周方向Ｃに相当する。なお、ここでは、第１無機膜ＩＬ１を代表して示しているが、第２無機膜ＩＬ２が同様の形状を有していてもよい。

第１無機膜ＩＬ１は、一例では、略矩形状に形成されている。第１無機膜ＩＬ１は、第２方向Ｙ（又は周方向Ｃ）において、第３領域Ａ３の全体に亘って形成されている。一方、第１無機膜ＩＬ１は、第１方向Ｘにおいて、絶縁基板１０の幅Ｗ１０より小さい幅ＷＩＬ１を有している。図示した例では、第１無機膜ＩＬ１は、第１方向Ｘにおいて、絶縁基板１０の略中央に位置している。

なお、図５等を参照して説明したように、絶縁膜１１は、図中に右上がりの斜線で示したように、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２にそれぞれ位置している。図示を省略するが、絶縁膜１２及び１３も同様に、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２にそれぞれ位置している。また、樹脂層ＲＳＮは、図中に右下がりの斜線で示したように、第３領域Ａ３に位置し、且つ、第１領域Ａ１の一部及び第２領域Ａ２の一部にそれぞれ延在している。

平面視において、第１無機膜ＩＬ１は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２にそれぞれ位置する絶縁膜１１と離間している。樹脂層ＲＳＮは、第３領域Ａ３において第１無機膜ＩＬ１と重なり、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２においてそれぞれ絶縁膜１１と重なっている。

図１４は、第１無機膜ＩＬ１の他の例を示す図である。図１４に示す例は、第１無機膜ＩＬ１が第２方向Ｙに沿って延出した帯状に形成されている点で、図１３に示す例と相違している。第１無機膜ＩＬ１は、ほぼ一定の幅ＷＩを有し、間隔ＳＩをおいて第１方向Ｘに沿って並んでいる。ここで、幅ＷＩ及び間隔ＳＩは、第１方向Ｘに沿った長さに相当する。幅ＷＩは、第１無機膜ＩＬ１の下方に位置する配線ＷＬの幅ＷＷＬとほぼ等しい。また、間隔ＳＩは、配線ＷＬの間隔ＳＷＬとほぼ等しい。図示した例では、第１無機膜ＩＬ１は、配線ＷＬとほぼ重なっているが、部分的に重なっていてもよいし、重なっていなくてもよい。

本例によれば、図１３に示す例と比較して、第１無機膜ＩＬ１の剛性が低くなるため、第１無機膜ＩＬ１におけるクラックの発生を抑制することができる。

図１５は、第１無機膜ＩＬ１の他の例を示す図である。図１５に示す例は、第１無機膜ＩＬ１が格子状に形成されている点で、図１３に示す例と相違している。一例では、第１無機膜ＩＬ１は、略正方形の開口部ＯＰを有している。開口部ＯＰは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってマトリクス状に配置されている。開口部ＯＰを構成する４辺の長さは、いずれも上述の間隔ＳＩと等しい。また、第１方向Ｘに隣り合う開口部ＯＰの間隔、及び第２方向Ｙに隣り合う開口部ＯＰの間隔は、いずれも上述の幅ＷＩと等しい。

図１５に示す第１無機膜ＩＬ１の構造は、図１４に示す第１無機膜ＩＬ１を第２方向Ｙに沿って分割した構造とみなすことができる。すなわち、開口部ＯＰを含む構造を基本パターンとして、この基本パターンが第２方向Ｙに沿って並んでいる。図１５に示す例では、第１無機膜ＩＬ１の実効的な長さ、すなわち基本パターンの第２方向Ｙに沿った長さが図１４に示す第１無機膜の長さよりも短い。このため、第３領域Ａ３が折り曲げられた際、第１無機膜ＩＬ１の実効的な曲率半径は、図１４に示す例よりも大きくなる。このため、応力の増大を緩和することができ、第１無機膜ＩＬ１におけるクラックの発生を抑制することができる。

図１６は、第１無機膜ＩＬ１の他の例を示す図である。図１６に示す例は、第１無機膜ＩＬ１が第２方向Ｙと交差する方向に沿って延出している点で、図１４に示す例と相違している。第１無機膜ＩＬ１は、ほぼ一定の幅ＷＩを有し、間隔ＳＩをおいて並んでいる。ここで、幅ＷＩ及び間隔ＳＩは、第１無機膜ＩＬ１の延出方向と直交する方向に沿った長さに相当する。

本例によれば、第１無機膜ＩＬ１が第２方向Ｙに対して傾いているため、第３領域Ａ３が折り曲げられた際、第１無機膜ＩＬ１の実効的な曲率半径が大きくなる。このため、応力の増大を緩和することができ、第１無機膜ＩＬ１におけるクラックの発生を抑制することができる。

図１７は、第１無機膜ＩＬ１の他の例を示す図である。図１７に示す例は、第１無機膜ＩＬ１が格子状に形成されている点で、図１３に示す例と相違している。一例では、第１無機膜ＩＬ１は、略平行四辺形の開口部ＯＰを有している。開口部ＯＰは、図１６に示す第１無機膜ＩＬ１の延出方向に沿って、等間隔で配置されている。開口部ＯＰを構成する４辺の長さは、いずれも上述の間隔ＳＩと等しい。また、隣り合う開口部ＯＰの間隔は、上述の幅ＷＩと等しい。

図１７に示す第１無機膜ＩＬ１の構造は、図１６に示す第１無機膜ＩＬ１を第２方向Ｙに沿って分割した構造とみなすことができる。したがって、本例においても、第１無機膜ＩＬ１の実効的な長さが図１６に示す第１無機膜の長さよりも短い。このため、第３領域Ａ３が折り曲げられた際、第１無機膜ＩＬ１の実効的な曲率半径は、図１６に示す例よりも大きくなる。このため、応力の増大を緩和することができ、第１無機膜ＩＬ１におけるクラックの発生を抑制することができる。

図１８は、比較例としての第３領域Ａ３の構成を示す断面図である。図１８に示す例は、配線ＷＬが無機絶縁膜によって覆われている点で、図４に示す例と相違している。さらに、図１８においては、配線ＷＬの各々が無機膜によって覆われている。すなわち、隣り合う配線ＷＬとの間で、樹脂層ＲＳＮは、絶縁基板１０と接している。

このような構成において、第３領域Ａ３が折り曲げられた際に、中立面ＮＰＥは、破線で示すように、図４に示す中立面ＮＰよりも下側に位置している。換言すると、比較例における中立面ＮＰＥは、図４に示す中立面ＮＰよりも、配線ＷＬから離間している。したがって、比較例において、配線ＷＬの近傍には図４に示す例よりも大きな引っ張り応力が掛かる。

一般に、無機膜は、有機膜よりも脆性が高いため、応力によってクラックが生じやすい。このようなクラックは、配線ＷＬが無機膜上に直接形成されている場合、配線ＷＬに伝播し、配線ＷＬの断線を引き起すおそれがある。また、配線ＷＬを覆う無機膜にクラックが生じた場合、水分が浸入し、配線ＷＬが腐食するおそれがある。

一方、本実施形態によれば、配線ＷＬは、少なくとも第３領域Ａ３において、有機絶縁材料からなる第１有機膜ＯＬ１と第２有機膜ＯＬ２とによって挟まれている。そのため、図１８に示す比較例と比較して、配線ＷＬを覆う有機膜におけるクラックの発生を抑制できる。また、配線ＷＬは、直接第１無機膜ＩＬ１及び第２無機膜ＩＬ２と接していないため、無機膜にクラックが発生したとしても、配線ＷＬと無機膜との間の有機膜がクラックの衝撃を吸収し、クラックの伝播を抑制できる。この結果、配線ＷＬの断線が抑制され、信頼性を向上することができる表示装置が提供される。

また、配線ＷＬと接する第１有機膜ＯＬ１と第２有機膜ＯＬ２とは、フッ素を含むポリイミドによって形成されている。ポリイミドがフッ素を含む場合、透湿性及び吸湿性が低下するため、配線ＷＬの腐食を抑制することができる。

さらに本実施形態によれば、配線ＷＬよりも上側（折り曲げた際の外周側）に、第１有機膜ＯＬ１及び第２有機膜ＯＬ２よりヤング率の大きい第１無機膜ＩＬ１及び第２無機膜ＩＬ２が設けられている。これにより、樹脂層ＲＳＮが塑性変形した場合であっても、中立面ＮＰの位置が配線ＷＬから離間する方向へ変動することを抑制することができる。より具体的には、最外周に位置する樹脂層ＲＳＮは、第３領域Ａ３を折り曲げた際に、歪み（伸び率）が大きいために塑性変形される場合が多い。塑性変形が生じると、樹脂層ＲＳＮのヤング率が著しく減少する。このとき、樹脂層ＲＳＮの中立面への寄与は、ほとんどなくなる。しかしながら、本実施形態によれば、配線ＷＬよりも上側に第１無機膜ＩＬ１及び第２無機膜ＩＬ２を設けることによって、中立面ＮＰの位置を、配線ＷＬ側へ近づけることができる。したがって、配線ＷＬ近傍の応力の増大を抑制することができ、配線ＷＬの破断を抑制することができる。

また、図１４乃至図１７に示すように、第１無機膜ＩＬ１及び第２無機膜ＩＬ２を、配線ＷＬのピッチとほぼ等しいピッチで配置された帯状又は格子状に形成することにより、第１無機膜ＩＬ１及び第２無機膜ＩＬ２におけるクラックの発生を抑制することができる。この結果、第３領域Ａ３を折り曲げた際に、中立面の位置を維持することができる。したがって、配線ＷＬ近傍の応力の増大を抑制することができ、配線ＷＬの破断を抑制することができる。

さらに、第２有機膜ＯＬ２、第１無機膜ＩＬ１、第３有機膜ＯＬ３、第２無機膜ＩＬ２、及び第４有機膜ＯＬ４は、第１領域Ａ１における絶縁膜１４、絶縁膜１５、絶縁膜１６、封止膜１７、及びレジスト膜１８と同時に形成することができる。したがって、製造工程の増加なく、容易に形成することができる。

次いで、図１９を参照して、本実施形態の変形例について説明する。

図１９は、図１に示すＢ－Ｂ’線に沿った断面図である。図示した変形例は、第４有機膜ＯＬ４が第３有機膜ＯＬ３上の全面に形成されている点で、図５に示す構成例と相違している。

図５に示した構成例では、第２無機膜ＩＬ２は、封止膜１７を構成する無機膜１７１と無機膜１７３とによって形成されていたが、本変形例においては、他の無機膜によって形成されている。

この場合、封止膜１７を形成する工程とは別工程で、第２無機膜ＩＬ２を例えばプラズマＣＶＤにより形成する。その後、第４有機膜ＯＬ４を、第２無機膜ＩＬ２を覆うとともに、第３有機膜ＯＬ３とも接するように形成する。第２領域Ａ２において、導電層ＣＬを露出するように第４有機膜ＯＬ４及び第３有機膜ＯＬ３を貫通するコンタクトホールＣＨ３が形成される。端子ＴＥは、このコンタクトホールＣＨ３内に設けられ、導電層ＣＬと接している。これにより、端子ＴＥと配線ＷＬとは、導電層ＣＬを介して電気的に接続される。なお、図示した例では、第３領域Ａ３において、第４有機膜ＯＬ４まで形成した後に、封止膜１７及びレジスト膜１８を形成しているが、これに限定されない。

前述の実施形態と同様に、表示パネル２を折り曲げる際に、特に応力が加わりやすい第１領域Ａ１の第３領域Ａ３側の端部には、第２無機膜ＩＬ２は形成されていない。第３有機膜ＯＬ３と第２無機膜ＩＬ２との密着性、及び、第４有機膜ＯＬ４と第２無機膜ＩＬ２との密着性は、第３有機膜ＯＬ３と第４有機膜ＯＬ４との密着性に比べて悪く、折り曲げた際に、第２無機膜ＩＬ２の剥離が発生しやすい。第２無機膜ＩＬ２が、封止膜１７を構成する無機膜１７１等によって第１領域Ａ１から第３領域Ａ３に亘って連続して形成されていた場合、第３領域Ａ３で発生した第２無機膜ＩＬ２の剥離が無機膜１７１等の剥離を招き、さらには、表示領域ＤＡ内においても部材の剥離を招くおそれがある。

本変形例においても、第２無機膜ＩＬ２は、第３有機膜ＯＬ３及び第４有機膜ＯＬ４よりも小さく形成している。そのため、第１領域Ａ１は、その第３領域Ａ３側で、第３有機膜ＯＬ３と第４有機膜ＯＬ４とが接する部分を有することで、表示パネル２を折り曲げる際に第２無機膜ＩＬ２が剥離したとしても、第３有機膜ＯＬ３と第４有機膜ＯＬ４とが十分に密着しているため、剥離の影響の伝播を抑制することができる。

以下では、図２０乃至図２４を参照して、第３領域Ａ３の他の例について説明する。

図２０は、第３領域Ａ３の他の例を示す断面図である。図２０に示す例は、第３有機膜ＯＬ３の上に第２無機膜ＩＬ２及び第４有機膜ＯＬ４が設けられていない点で、図４に示す例と相違している。第１乃至第３有機膜ＯＬ１乃至ＯＬ３よりもヤング率の大きい第１無機膜ＩＬ１が配線ＷＬよりも上側に位置しているため、中立面ＮＰは、図１８に示す比較例よりも、配線ＷＬ側に位置している。

図２１は、第３領域Ａ３の他の例を示す断面図である。図２１に示す例は、絶縁基板１０内に無機膜１０２が設けられている点で、図２０に示す例と相違している。すなわち、絶縁基板１０は、有機膜１０１及び１０３と、有機膜１０１と有機膜１０３との間に位置する無機膜１０２とを有する積層構造となっている。有機膜１０１及び１０３は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料によって形成されている。無機膜１０２は、例えば酸化シリコン又は窒化シリコン等の無機絶縁材料によって形成されている。

ヤング率の大きい無機膜１０２が配線ＷＬより下方に位置しているため、本例における中立面ＮＰは、図２０における中立面よりも若干配線ＷＬから離間している。しかしながら、本例においても、中立面ＮＰは、図１８に示す比較例よりも配線ＷＬ側に位置している。

図２２は、第３領域Ａ３の他の例を示す断面図である。図２２に示す例は、第２有機膜ＯＬ２と第３有機膜ＯＬ３との間に第１無機膜ＩＬ１が設けられていない点及び第３有機膜ＯＬ３の上に第２無機膜ＩＬ２及び第４有機膜ＯＬ４が設けられている点で、図２０に示す例と相違している。第２無機膜ＩＬ２は、図２０に示す第１無機膜ＩＬ１と比較して、上側、言い換えると、折り曲げた際の外周側に配置されている。本例のような構成とすることで、図２０に示す例よりも、中立面ＮＰを配線ＷＬ側に位置させることができる。

図２３は、第３領域Ａ３の他の例を示す断面図である。図２３に示す例は、絶縁基板１０内に無機膜１０２が設けられている点で、図２２に示す例と相違している。ヤング率の大きい無機膜１０２が配線ＷＬより下方に位置しているため、本例における中立面ＮＰは、図２２における中立面よりも若干配線ＷＬから離間している。しかしながら、本例においても、中立面ＮＰは、図１８に示す比較例よりも配線ＷＬ側に位置している。

図２４は、第３領域Ａ３の他の例を示す断面図である。図２４に示す例は、絶縁基板１０内に無機膜１０２が設けられている点で、図４に示す例と相違している。ヤング率の大きい無機膜１０２が配線ＷＬより下方に位置しているため、本例における中立面ＮＰは、図４における中立面ＮＰよりも若干配線ＷＬから離間している。しかしながら、本例においても、中立面ＮＰは、図１８に示す比較例よりも配線ＷＬ側に位置している。

以上のように、図２０乃至図２４に示す例においても、中立面ＮＰは、比較例における中立面ＮＰＥよりも配線ＷＬ側に位置している。したがって、配線ＷＬ近傍の応力の増大を抑制することができる。この結果、配線ＷＬの破断を抑制することができ、信頼性を向上することができる表示装置が提供される。

また、図２２及び図２３に示す例によれば、配線ＷＬとより離間した上側（折り曲げた際の外周側）にのみ、有機膜よりヤング率の大きい無機膜が設けられている。これにより、樹脂層ＲＳＮが塑性変形した場合であっても、図２０及び図２１に示す例より、さらに中立面ＮＰの位置が配線ＷＬから離間する方向へ変動することを抑制することができる。具体的には、最外周に位置する樹脂層ＲＳＮは、第３領域Ａ３を折り曲げた際に、歪み（伸び率）が大きいために塑性変形される場合が多い。塑性変形が生じると、樹脂層ＲＳＮのヤング率が著しく減少する。このとき、樹脂層ＲＳＮの中立面への寄与は、ほとんどなくなる。しかしながら、本実施形態によれば、配線ＷＬとより離間した上側に第２無機膜ＩＬ２を設けることによって、配線ＷＬと近い上側に第１無機膜ＩＬ１しか設けられていない場合と比べて、中立面ＮＰの位置をより配線ＷＬ側へ近づけることができる。したがって、配線ＷＬ近傍の応力の増大を抑制することができ、配線ＷＬの破断を抑制することができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…表示装置、２…表示パネル、３…配線基板、１０…絶縁基板、１１…絶縁膜、１２…絶縁膜、１３…絶縁膜、１４…絶縁膜、１５…絶縁膜、１６…絶縁膜（リブ）、１７…封止膜、１８…レジスト膜、ＯＬ１…第１有機膜、ＯＬ２…第２有機膜、ＯＬ３…第３有機膜、ＯＬ４…第４有機膜、ＲＳＮ…樹脂層、ＩＬ１…第１無機膜、ＩＬ２…第２無機膜、ＷＬ…配線、ＴＥ…端子、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、Ａ３…第３領域、ＢＡ…折り曲げ領域、ＭＴ…実装領域。

Claims (14)

1. 表示領域を含む第１領域と、実装領域を含む第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する第３領域と、を有する基板と、
   前記第３領域において、前記基板上に設けられた第１有機膜と、
   前記第１有機膜上に第１方向に間隔をおいて配置され、前記第１方向と交差する第２方向に延出した複数の配線と、
   前記第３領域において、前記第１有機膜と前記複数の配線を覆う第２有機膜と、
   前記第２有機膜上に設けられた第１無機膜と、
   前記第１無機膜を覆う第３有機膜と、
   前記第３有機膜上において前記第１無機膜と重畳する位置に設けられた第２無機膜と、
   前記第２無機膜上に設けられた第４有機膜と、
   を備えている、表示装置。
2. 前記第２有機膜の一部は、前記第１領域及び前記第２領域に重畳している、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１無機膜は、前記第１領域及び前記第２領域に形成された無機膜と重畳しない、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第３有機膜は、前記第１無機膜より前記第１領域側及び前記第１無機膜より前記第２領域側で、前記第２有機膜と接している、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第３有機膜の一部は、前記第１方向において、前記第２有機膜の一部と接している、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第１無機膜は、前記第２方向に沿って延出した帯状に形成されている、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第１無機膜は、格子状に形成されている、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記第４有機膜は、前記第２無機膜より前記第１領域側及び前記第２無機膜より前記第２領域側で、前記第３有機膜と接している、請求項１に記載の表示装置。
9. 前記第４有機膜の一部は、前記第１方向において、前記第３有機膜の一部と接している、請求項１又は８に記載の表示装置。
10. さらに、前記第１領域上に設けられた光学部材と、
    前記実装領域に接続された配線基板と、
    前記光学部材の端部から前記配線基板の端部に亘って設けられた樹脂層と、を備える、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. さらに、前記第１領域上に設けられた光学部材と、
    前記実装領域に接続された配線基板と、
    前記光学部材の端部から前記配線基板の端部に亘って設けられた樹脂層と、
    を備え、
    前記樹脂層は、前記第４有機膜を覆い、前記第３有機膜の一部と接している、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記第１有機膜のヤング率と前記第２有機膜のヤング率とは、前記樹脂層のヤング率より大きい、請求項１０に記載の表示装置。
13. 前記第１有機膜と前記第２有機膜とは、フッ素を含んでいる、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の表示装置。
14. 前記基板は、前記第１領域と前記第２領域とが対向するように、前記第３領域で折り曲げられている、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。

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