JP2007184256A - デュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、電源端子の構造に起因したギャップ性不良の発生を防止することができるデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置を得る。
【解決手段】複数の画素領域、及び前記画素領域の外側に複数の電源端子が形成された第１基板と、有機電界発光ダイオードが形成された第２基板とを設けたデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置であって、前記電源端子は、前記画素領域と実質的に同じ構造のダミー画素領域を複数有する。これによって、従来と異なり、電源端子を他領域に比べて厚く形成されて生じるギャップ性不良を防止することができる。
【選択図】図７

Description

本発明は、有機電界発光表示装置（ＯＥＬＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）に係り、特にデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置に関する。

新しいフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ：Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）の一つである有機電界発光表示装置は、自発光型であるため、液晶表示装置に比べて、視野角、コントラストなどが優れている。また、バックライトが必要でないため、軽量薄形化が可能であり、消費電力でも有利である。さらに、直流低電圧駆動が可能で、応答速度が速く、全部固体であるため外部衝撃に強くて使用温度範囲も広く、特に製造費用が安価であるという長所を有している。

アクティブマトリックス型有機電界発光表示装置の基本的な構造及び動作特性について図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は、一般的なアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置の基本的な画素領域の構造を示す図である。

図１に示すように、横方向にゲート配線ＧＬが形成され、この横方向と直交する縦方向に、相互に一定間隔離れたデータ配線ＤＬと電源配線ＰＳＬ（Ｐｏｗｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ Ｌｉｎｅ）が形成されており、このとき、相互に直交するゲート配線ＧＬとデータ配線ＤＬにより画素領域Ｐが定義されている。

また、ゲート配線ＧＬとデータ配線ＤＬの交差地点にはスイッチング素子であるスイッチング薄膜トランジスタＳＴｒが形成され、このスイッチング薄膜トランジスタＳＴｒと電源配線ＰＳＬに接続されたストレージキャパシタＣ_ＳＴが形成され、このストレージキャパシタＣ_ＳＴと電源配線ＰＳＬに接続された駆動薄膜トランジスタＤＴｒが形成され、この駆動薄膜トランジスタＤＴｒに接続された有機電界発光ダイオードＥＬＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｏｄｅ）が形成されている。

この有機電界発光ダイオードＥＬＤは、有機発光物質に順方向に電流を供給すると、正孔提供層である陽極（ａｎｏｄｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）と電子提供層である陰極（ｃａｔｈｏｄｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）間のＰ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）―Ｎ（ｎｅｇａｔｉｖｅ）接合（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）部分を介して電子と正孔が移動しながら相互に再結合して、電子と正孔が離れている時より小さいエネルギーを有するようになるので、この時発生するエネルギー差によって光を放出する原理を利用するものである。

前述したような有機電界発光表示装置は、通常、スイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタを含むアレイ素子と、有機電界発光ダイオードが同一基板上に積層された構造で形成されている。

しかし、前述したアレイ素子と有機電界発光ダイオードが同一基板上に積層された構造の有機電界発光表示装置は、その製造において、アレイ素子及び有機電界発光ダイオードが形成された基板とカプセル封じ用基板を取り付けることにより装置を製作するが、この場合、アレイ素子の製造歩留まりと有機電界発光ダイオードの製造歩留まりの積が有機電界発光表示装置の製造歩留まりを決定するため、後半の製造工程に該当する有機電界発光ダイオード形成工程により全体工程の製造歩留まりが大きく制限されるという問題点があった。

そこで、このような問題点を解決するために、最近、アレイ素子と有機電界発光ダイオードを異なる基板にそれぞれ形成し、２つの基板を電気的に導通するように取り付けて構成したデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置が提案された。

図２は、従来のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置を示す平面図であり、図３は、従来のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の一つの画素領域の断面を示す図であり、図４は、図２の電源端子においてＩＶ−ＩＶ線に沿って切断した断面を示す図である。

まず、平面図である図２に示すように、従来のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置１はその中央部に複数の画素領域Ｐで構成され画像を表示する表示領域ＤＡが形成され、表示領域ＤＡの周辺の非表示領域に外部回路と接続するためのゲートパッド部ＧＰＡとデータパッド部ＤＰＡが形成されている。

このとき、表示領域ＤＡには複数のゲート配線１３とデータ配線３０が交差して形成され、これらゲート配線１３とデータ配線３０はその終端がそれぞれゲートパッド部ＧＰＡ及びデータパッド部ＤＰＡまで延長してゲートパッド１４とデータパッド３１に接続されている。

また、図２に示していないが、第１基板１０は、スイッチング薄膜トランジスタＳＴｒ、駆動薄膜トランジスタＤＴｒなどを含み、第２基板６０は、有機電界発光ダイオードＥＬＤを含む。さらに、表示領域ＤＡ内に形成された有機電界発光ダイオード（図示せず）の水分浸透を防止するための手段であるシールパターン９０が形成されている。表示領域ＤＡの上側及び下側に電源端子ＰＳＴがそれぞれ形成され、この電源端子ＰＳＴから延長してゲートパッド部ＧＰＡ及びデータパッド部ＤＰＡに電源パッド５１が形成されている。

次に、従来の有機電界発光表示装置の断面構造について説明する。

図３に示すように、第１基板１０と第２基板６０が相互に一定間隔離隔されるように配置され、第１基板１０の内部面には画素領域Ｐ毎に駆動薄膜トランジスタＤＴｒとスイッチング薄膜トランジスタ（図示せず）を含むアレイ素子がアレイ素子部ＡＤＡに形成され、アレイ素子部ＡＤＡ内の駆動薄膜トランジスタＤＴｒのソース電極３３に接触して第１接続電極４５が形成されている。このとき、アレイ素子部ＡＤＡの駆動薄膜トランジスタＤＴｒは、第１基板１０の上部に、順次積層された、ゲート電極１５、ゲート絶縁膜２０、半導体層２３、相互に離れたソース電極３３及びドレイン電極３６、並びにソース電極３３及びドレイン電極３６を覆う保護層４０で構成されている。

次に、第１基板１０と向き合う第２基板６０の内部面には、全面に第１電極６３が形成され、第１電極６３の下部面には画素領域Ｐの境界（図示せず）にバッファーパターン６６及び隔壁（図示せず）が、そして画素領域Ｐ内には下部の第１接続電極４５に対応して第１電極６３の下部にバッファーパターン６６と第１スペーサー７０が順次形成され、各画素領域Ｐ毎に独立した形態で有機発光層７６及び第２電極８０が第１電極６３の下部に順次形成され、このとき、第１電極６３、第２電極８０及び有機発光層７６は有機電界発光ダイオードＥＬＤを形成している。

また、各画素領域Ｐ毎に第２電極８０から延長され第１スペーサー７０を覆う第２接続電極８３が形成されており、この第２接続電極８３は、第２基板６０の第２電極８０と、第１基板１０の駆動薄膜トランジスタＤＴｒのソース電極３３に接続された第１接続電極４５と接触してこれら両方を電気的に接続させている。

一方、電源端子ＰＳＴが形成された部分の断面を示した図４に示すように、第１基板１０上には、表示領域ＤＡの画素領域Ｐ内に形成された駆動薄膜トランジスタＤＴｒ、またはスイッチング薄膜トランジスタ（図示せず）と同じ積層構造が形成されている。すなわち、第１基板１０の最下部から第１金属パターン１６、ゲート絶縁膜２０、半導体パターン２４、第２金属パターン３８、保護層４０及び第３金属パターン４６で積層された構造が形成されている。第３金属パターン４６は、データパッド部ＤＰＡに形成された電源パッド（図２の５１）に接続されている。

また、第２基板６０においても、画素領域Ｐ内の第２接続電極８３が形成された部分と同一積層構造が形成される。第２基板６０の内側面に接触する第１電極６３と、この第１電極６３の下部にバッファーパターン６６と、第２スペーサー７３と、有機発光層パターン７７と、第１電極６３に接続された第３接続電極８６が順次形成され、第２スペーサー７３を覆うように形成された第３接続電極８６が、第１基板１０上の電源パッド（図２の５１）に接続された第３金属パターン４６と接触する構造になっている。

しかし、前述したような構造を有するデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置において、電源端子ＰＳＴ内に形成された第２基板６０の下部の第３接続電極８６と、各画素領域Ｐ内に形成された第２基板６０の下部の第２接続電極８３が形成された部分が同じ積層構造を有して形成されているにもかかわらず、第１基板１０面から最上部に形成された構成要素、すなわち画素領域Ｐにおいては第１接続電極４５、そして電源端子ＰＳＴにおいては第３金属パターン４６のそれぞれの高さｈ１、ｈ２に差が発生し、さらに、正確には電源端子ＰＳＴに形成された第３金属パターン４６の第１基板１０面からの高さｈ２が、画素領域Ｐ内の第１接続電極４５の第１基板１０面からの高さｈ１より高く形成されることによって有機電界発光表示装置１の両側面終端部にギャップ性不良が現われるという問題点があった。

これは、第１基板１０において電源端子ＰＳＴが画素領域Ｐよりも数十ないし数百倍大きく形成され、第１基板１０上に積層されたパターン５５が同一形態で段差なしに一つの柱状構造で形成されることに反し、各画素領域Ｐ内には画素領域Ｐ毎に配線及び電極等の異なる幅と大きさを有するパターン形態を有する複数の構成要素が積層されるので、これにより各画素領域Ｐ内で各積層された構成要素間に段差が発生する。従って、最上部に形成された第１接続電極４５の第１基板１０面から高さｈ１が、電源端子ＰＳＴの第３金属パターン４６の第１基板１０面からの高さｈ２より低く形成されることによってギャップ性不良を発生するようになる。

さらに、このような現象により各画素領域の有機電界発光ダイオードが駆動薄膜トランジスタに接続されなくなり、有機電界発光表示装置の駆動不良を発生させるという問題点があった。

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、電源端子の構造に起因したギャップ性不良の発生を防止することができるデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置及びその製造方法を得るものである。

本発明に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置は、複数の画素領域と、前記画素領域外側に複数の電力供給接触端が形成された第１及び第２基板を含むデュアルパネルタイプ有機電界発光素子において、前記複数の電力供給接触端に前記画素領域と実質的に同じ形状のダミー画素領域を形成することを特徴とするデュアルパネルタイプ有機電界発光素子を提供する。

本発明に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置は、画素領域と電源端子の積層構造を実質的に同一にすることによって、ギャップ性不良の発生を防止することができるという効果を奏する。

以下、本発明の最良の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。

本発明の実施の形態に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置において、最も特徴的なことは、第１基板に電源端子を形成する場合に、その下部に画素領域内の駆動及びスイッチング薄膜トランジスタと同じ大きさ及び構造を有し、ゲート配線及びデータ配線に接続されない複数のダミー薄膜トランジスタを形成し、その最上部に接続電極を形成することによって、画素領域の接続電極の高さと同じくなるように構成したものである。

図５は、本発明の実施の形態に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の平面を示す図である。また、図６は、本発明の実施の形態に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の一つの画素領域の断面を示す図である。さらに、図７は、本発明の実施の形態に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の電源端子の断面を示す図である。

まず、図５を参照して本発明の実施の形態に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の平面構造について説明する。

本発明の実施の形態に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置１０１は、その中央部にゲート配線１１３とデータ配線１３０が交差して定義される複数の画素領域Ｐで構成される、画像を表示する表示領域ＤＡが形成され、表示領域ＤＡの周辺の非表示領域にはゲート配線１１３とデータ配線１３０にそれぞれ接続され、外部回路と接続するためのゲートパッド部ＧＰＡとデータパッド部ＤＰＡが形成されている。

なお、図面には示さなかったが、表示領域ＤＡ内の各画素領域Ｐの第１基板１１０上には、ゲート配線１１３及びデータ配線１３０に接続された複数のスイッチング薄膜トランジスタ及びこれに接続された駆動薄膜トランジスタが複数形成され、第１基板１１０に対応する第２基板１６０には、各画素領域Ｐに対応して第１電極、有機発光層及び第２電極の積層構造を有する有機電界発光ダイオードが形成され、これら有機電界発光ダイオードの第２電極と、第１基板上の駆動薄膜トランジスタに接続された接続電極が接続されて電気的に導通する構成となっている。このような構成については以降断面図を参照しながら詳細に説明する。

一方、表示領域ＤＡの周辺の非表示領域には表示領域ＤＡを囲むようにシールパターン１９０が形成され、このシールパターン１９０の外側の表示領域ＤＡの上側と下側に電源端子ＰＳＴが形成されている。また、ゲートパッド部ＧＰＡ及びデータパッド部ＤＰＡには、電源端子ＰＳＴに接続された電源パッド１５１がそれぞれ形成されている。

このとき、電源端子ＰＳＴには、表示領域ＤＡ内の画素領域Ｐ内に形成された駆動薄膜トランジスタ及びスイッチング薄膜トランジスタと同一形態を有する複数のダミー薄膜トランジスタ（図示せず）が形成され、このような複数のダミー薄膜トランジスタの上部に接続電極（図示せず）が形成されていることが特徴である。

すなわち、あたかも複数の画素領域Ｐを電源端子ＰＳＴに具現した形態を有するよう形成されていることによって、第１基板１１０の最上部にそれぞれ形成される第１接続電極１４５（図示せず）及び第２接続電極１５０（図示せず）の下部の構成要素が相互に等しくなって、第１基板１１０からの高さが等しくなる。

以降、図６と図７を参照して本発明の実施の形態に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の断面構造についてさらに詳細に説明する。

まず、スイッチング薄膜トランジスタ（図示せず）、駆動薄膜トランジスタＤＴｒ等のアレイ素子及び電源端子ＰＳＴが形成された第１基板１１０の構造について説明する。

まず、表示領域（図５のＤＡ）内の各画素領域Ｐにおいては、第１基板１１０上にゲート電極１１５が形成され、このゲート電極１１５上の全面にゲート絶縁膜１２０が形成されている。

また、ゲート絶縁膜１２０上にアクティブ層１２３ａとオーミックコンタクト層１２３ｂで構成された半導体層１２３が形成され、この半導体層１２３上の相互に離れた箇所にソース電極１３３とドレイン電極１３６が形成されている。

また、ソース及びドレイン電極１３３、１３６上に、ソース電極１３３の一部を露出させる第１コンタクトホール１４３を有する保護層１４０が形成され、この保護層１４０上に第１コンタクトホール１４３を介してソース電極１３３に接続された第１接続電極１４５が形成されている。この第１接続電極１４５と第１基板１１０間には、ゲート絶縁膜１２０、半導体層１２３、ソース電極１３３及び保護層１４０が形成されており、第１接続電極１４５は第１基板１１０から第３高さｈ３を有する。

一方、第１基板１１０上の電源端子ＰＳＴの断面構造をよく見ると、この電源端子ＰＳＴも表示領域ＤＡと同様に複数のダミー画素領域ＤＰが設けられている。このような複数のダミー画素領域ＤＰのうち、隣接した３個のダミー画素領域ＤＰを図示したものが図７である。図７に示すように、第１基板１１０上にダミーゲート電極１１６が形成され、このダミーゲート電極１１６上にダミーゲート絶縁膜１２１が形成され、このダミーゲート絶縁膜１２１上に順次、ダミーアクティブ層１２４ａとダミーオーミックコンタクト層１２４ｂを含むダミー半導体層１２４、ダミーソース電極１３４及びダミードレイン電極１３７が形成され、その上にダミー保護層１４１が形成されている。このとき、ダミー保護層１４１にはダミーソース電極１３４及びダミードレイン１３７電極のうちいずれかの一部を露出させる第２コンタクトホール１４４が形成されている。

また、ダミー保護層１４１上に、第２コンタクトホール１４４を介してダミーソース電極１３４またはダミードレイン電極１３７と接触し、第１接続電極１４５を形成した同じ金属物質で、電源パッド１５１（図５）に接続された第２接続電極１５０が形成されている。ここで、第１接続電極１４５と第２接続電極１５０は、インジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）、インジウム−亜鉛−オキサイド（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）、インジウム−スズ−亜鉛−オキサイド（ＩＴＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電性物質である。

このとき、電源端子ＰＳＴにおいて、アレイ素子部ＡＤＡの構造と異なる部分は、第２接続電極１５０の構造である。アレイ素子部ＡＤＡの最上層には、ソース電極１３３に接続され、各画素領域Ｐ毎に独立した構造の第１接続電極１４５が形成されているが、電源端子ＰＳＴにおいては、第２接続電極１５０が各ダミー画素領域ＤＰ毎に独立しないで電源端子ＰＳＴの全領域に形成される。そして、第２接続電極１５０は、ゲートパッド部ＧＰＡとデータパッド部ＤＰＡに形成された電源パッド１５１（図５）に接続されるように形成されるので、表示領域ＤＡ内の各画素領域毎に独立したパターン形態に形成された第１接続電極１４５とは異なる構造になる。

しかし、電源端子ＰＳＴにおいて、第２接続電極１５０以外のその下部の構造は、表示領域ＤＡ内の各画素領域Ｐと同じ積層構造なので、最上層の第２接続電極１５０は、表示領域ＤＡ内に形成された第１接続電極１４５と同じ高さｈ４（＝ｈ３）を有している。

次に、有機電界発光ダイオードＥＬＤと第１基板１１０及び第２基板１６０間を導通させる第３接続電極１８３及び第４接続電極１８６が形成された第２基板１６０の構造について説明する。

有機電界発光ダイオードＥＬＤが形成された第２基板１６０の第１基板１１０と向い合う面、すなわち内側面には、例えば仕事関数が比較的高い透明導電性物質であるインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）からなる第１電極１６３が、表示領域ＤＡ及び非表示領域の全面に形成され、この第１電極１６３の下部のアレイ素子部ＡＤＡの境界とダミー画素領域ＤＰの境界にバッファーパターン１６６が形成されている。

バッファーパターン１６６のうち、各画素領域Ｐの境界に形成されたバッファーパターン１６６の下部には隔壁（図示せず）が形成されている。また、アレイ素子部ＡＤＡに形成されたバッファーパターン１６６の下部には所定高さを有する第１スペーサー１７０が形成され、ダミー画素領域ＤＰに形成されたバッファーパターン１６６の下部には第１スペーサー１７０と同じ高さと幅を有する複数の第２スペーサー１７３が形成されている。

このとき、複数の第２スペーサー１７３は、従来の電源端子ＰＳＴに対応して一つの厚い柱状で形成されたスペーサーと異なり、電源端子ＰＳＴ上で相互に所定間隔離れて各ダミー画素領域ＤＰ毎にあたかも表示領域ＤＡ内の各画素領域Ｐに形成された第１スペーサー１７０が配列された構造のように形成されており、これが特徴である。

次に、第１電極１６３の下部の表示領域ＤＡ内の各画素領域Ｐ及びダミー画素領域ＤＰに有機発光層１７６が形成されている。この有機発光層１７６は、表示領域ＤＡ内で隔壁（図示せず）により各画素領域Ｐ毎に独立して形成され、さらに、有機発光層１７６は、第１スペーサー１７０と第２スペーサー１７３の底面及び隔壁（図示せず）の底面にも形成されている。

なお、図示していないが、有機発光層１７６の上部及び下部にそれぞれ第１有機物質層及び第２有機物質層が形成されている。これら第１有機物質層及び第２有機物質層の機能は、第１電極１６３及び第２電極１８０の配置によって決まり、第１電極１６３が陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）、第２電極１８０が陽極（ａｎｏｄｅ）の場合には、第１有機物質層は電子注入層、電子輸送層として働き、第２有機物質層は正孔注入層、正孔輸送層として働く。反対に、第１電極１６３が陽極（ａｎｏｄｅ）、第２電極１８０が陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）の場合には、第１有機物質層は正孔注入層、正孔輸送層として働き、第２有機物質層は電子注入層、電子輸送層として働く。これら第１及び２有機物質層は、発光効率を高めるために形成するものであって、省略することができる。

次に、有機発光層１７６の下部に、第２電極１８０が形成されており、この第２電極１８０が、各画素領域Ｐ内に形成された第１スペーサー１７０、有機発光層１７６の側面及び有機発光層１７６の底面まで覆う形態に延長されることによってこの覆う部分が第３接続電極１８３を形成している。

また、電源端子ＰＳＴにおいても、第２電極１８０を形成した同じ金属物質で第２スペーサー１７３、有機発光層１７６の側面及び有機発光層１７６の底面を覆っており、この覆う部分が第４接続電極１８６を形成している。

第３接続電極１８３及び第４接続電極１８６の第２基板１６０下面からの高さは、その下部環境（積層構造）が表示領域と電源端子ＰＳＴで同じなので、同じであることが分かる。

第１基板１１０と第２基板１６０を相互に向かい合わせて、第１基板１１０及び第２基板１６０間の縁に沿ってシールパターン１９０を形成した後、取り付け（合着す）れば、表示領域ＤＡと電源端子ＰＳＴの構成要素が同じなので、第１接続電極１４５と第２接続電極１５０の高さの差によるギャップ性不良が発生しなくなる。

一般的なアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置の基本的な画素領域の構造を示す図である。 従来のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置を示す平面図である。 従来のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の一つの画素領域の断面を示す図である。 図２の電源端子においてＩＶ−ＩＶ線に沿って切断した断面を示す図である。 本発明の実施の形態に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の平面を示す図である。 本発明の実施の形態に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の一つの画素領域の断面を示す図である。 本発明の実施の形態に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の電源端子の断面を示す図である。

符号の説明

１１０ 第１基板、１１６ ダミーゲート電極、１２０ ゲート絶縁膜、１２４ ダミー半導体層、１３４ ダミーソース電極、１３７ ダミードレイン電極 １４０ 保護層、１４４ 第２コンタクトホール、１４５ 第１接続電極、１５０ 第２接続電極、１６０ 第２基板、１６３ 第１電極、１６６ バッファーパターン、１７６ 有機発光層、１８０ 第２電極、１８３ 第３接続電極、１８６ 第４接続電極、ＤＰ ダミー画素領域、ＰＳＴ 電源端子。

Claims (17)

1. 複数の画素領域、及び前記画素領域の外側に複数の電源端子が形成された第１基板と、有機電界発光ダイオードが形成された第２基板とを備えたデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置であって、
   前記電源端子は、前記画素領域と実質的に同じ構造のダミー画素領域を複数有する
   ことを特徴とするデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。
2. 前記第１基板上の複数の画素領域は、それぞれ、相互に交差して前記画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線及びデータ配線に接続された複数の薄膜トランジスタとを有し、
   前記第１基板上の複数のダミー画素領域は、それぞれ、前記画素領域に形成された薄膜トランジスタと実質的に同一構造を有するダミー薄膜トランジスタを有する
   ことを特徴とする請求項１記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。
3. 前記画素領域は、前記複数の薄膜トランジスタのうちの一つの薄膜トランジスタの１電極に接続され、前記薄膜トランジスタの最上層に形成された第１接続電極を有し、
   前記電源端子は、前記複数のダミー画素領域を覆う第２接続電極を有する
   ことを特徴とする請求項２記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。
4. 前記第１接続電極と前記第２接続電極は、前記第１基板から実質的に同じ高さに位置する
   ことを特徴とする請求項３記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。
5. 前記複数の薄膜トランジスタのうち少なくとも一つは、
   前記第１基板上にパターニングされた形状のゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート電極より大きい幅を有し前記ゲート絶縁膜上部に形成された半導体層と、前記半導体層上部に相互に離されて形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極のうちのいずれか一つを露出させるコンタクトホールが形成され前記ソース電極及びドレイン電極上部に形成された保護層とを有し、前記第１接続電極は、前記コンタクトホールを介して前記ソース電極または前記ドレイン電極に接続され、
   前記複数のダミー薄膜トランジスタは、それぞれ、
   前記第１基板上に形成され前記ゲート電極と実質的に同じ形状のダミーゲート電極と、前記ダミーゲート電極を覆うダミーゲート絶縁膜と、前記ダミーゲート電極より大きい幅を有し前記ダミーゲート絶縁膜上部に形成されたダミー半導体層と、前記ダミー半導体層上部に形成されたダミーソース電極及びダミードレイン電極と、前記ダミーソース電極及びダミードレイン電極上部に形成されたダミー保護層とを有する
   ことを特徴とする請求項３記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。
6. 前記ダミーソース電極及びダミードレイン電極は相互に離されて形成され、前記ダミー保護層は前記ダミーソース電極または前記ダミードレイン電極を露出させるダミーコンタクトホールがあり、前記第２接続電極は前記ダミーコンタクトホールを介して前記ダミーソース電極または前記ダミードレイン電極に接続された
   ことを特徴とする請求項５記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。
7. 前記第２基板は、
   前記第２基板内面に形成された第１電極と、前記複数の画素領域及び複数のダミー画素領域の境界毎に、前記第１電極の下部に形成されたバッファーパターンと、前記バッファーパターン下部に形成されたスペーサーと、前記第１電極下部に形成された有機発光層と、前記有機発光層下部に形成され、前記第１電極及び前記有機発光層と共に前記有機電界発光ダイオードを形成する第２電極と、前記第２電極から延長され前記スペーサーを覆う第３接続電極及び第４接続電極とを有し、
   前記画素領域の第３接続電極は前記第１基板上の第１接続電極と接触し、前記ダミー画素領域の第４接続電極は前記第１基板上の第２接続電極と接触する
   ことを特徴とする請求項３記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。
8. 前記第１及び第２接続電極は、透明導電性物質からなる
   ことを特徴とする請求項３記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。
9. 前記透明導電性物質は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯのいずれかである
   ことを特徴とする請求項８記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。
10. 前記第１基板は、前記画素領域の外側に、
    前記ゲート配線に接続するゲートパッドが形成されたゲートパッド部と、
    前記データ配線に接続するデータパッドが形成されたデータパッド部とをさらに有する
    ことを特徴とする請求項２記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。
11. 前記ゲートパッド部及びデータパッド部は、それぞれ前記ダミー薄膜トランジスタに接続する電源パッドが形成された
    ことを特徴とする請求項１０記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。
12. 前記画素領域の外側で前記第１及び第２基板間の縁に配置されて合着された状態を維持させるシールパターンがさらに形成された
    ことを特徴とする請求項１記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。
13. 複数の画素領域、及び前記複数の画素領域の外側に複数の電源端子が形成された第１基板と、有機電界発光ダイオードが形成された第２基板とを備えたデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の製造方法であって、
    前記第１基板の複数の画素領域に駆動薄膜トランジスタをそれぞれ形成するとともに、同時に前記複数の電源端子をそれぞれ構成する複数のダミー画素領域に前記駆動薄膜トランジスタと実質的に同じ構造のダミー薄膜トランジスタをそれぞれ形成する工程と、
    前記駆動薄膜トランジスタにそれぞれ独立して接触する第１接続電極を形成するとともに、同時に前記複数のダミー薄膜トランジスタに接触する第２接続電極を形成する工程とを含み、
    前記第１及び第２接続電極は、透明導電性物質からなる
    ことを特徴とするデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の製造方法。
14. 前記第１接続電極と前記第２接続電極は、前記第１基板から実質的に同じ高さに位置するように形成される
    ことを特徴とする請求項１３記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の製造方法。
15. 前記第２基板の内側面に第１電極を形成する工程と、
    前記第１電極下部の前記複数の画素領域境界及び前記複数のダミー画素領域境界に複数のバッファーパターンを形成する工程と、
    前記複数のバッファーパターン下部にスペーサーを形成する工程と、
    前記複数のバッファーパターン間に、前記第１電極と接触する有機発光層を形成する工程と、
    前記有機発光層を覆う第２電極を形成する工程と、
    前記第２電極から延長され、前記複数のスペーサーをそれぞれ覆う第３及び第４接続電極を形成する工程と、
    前記第１接続電極と前記画素領域の第３接続電極が接触し、前記第２接続電極と前記ダミー画素領域の第４接続電極が接触するように前記第１及び第２基板を合着する工程とをさらに含む
    ことを特徴とする請求項１３記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の製造方法。
16. 前記透明導電性物質は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯのいずれかである
    ことを特徴とする請求項１３記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の製造方法。
17. 前記駆動薄膜トランジスタ及び前記ダミー薄膜トランジスタを形成する工程は、
    前記第１基板の複数の画素領域及び複数のダミー画素領域にパターニングされたゲート電極をそれぞれ形成する工程と、
    前記ゲート電極が形成された第１基板の全面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
    前記ゲート電極に対応して、前記ゲート絶縁膜上部に半導体層を形成する工程と、
    前記半導体層上部に、相互に離れるソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
    前記ソース電極及びドレイン電極を覆い、前記駆動薄膜トランジスタのドレイン電極を露出させるコンタクトホールを含む保護層を形成する工程とを含み、
    前記第１接続電極は、前記コンタクトホールを介して前記駆動薄膜トランジスタのドレイン電極に接触する
    ことを特徴とする請求項１３記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の製造方法。

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