[go: up one dir, main page]

KR20210021133A - 박리 방법, 반도체 장치, 및 박리 장치 - Google Patents

박리 방법, 반도체 장치, 및 박리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210021133A
KR20210021133A KR1020217004693A KR20217004693A KR20210021133A KR 20210021133 A KR20210021133 A KR 20210021133A KR 1020217004693 A KR1020217004693 A KR 1020217004693A KR 20217004693 A KR20217004693 A KR 20217004693A KR 20210021133 A KR20210021133 A KR 20210021133A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
peeling
oxide
substrate
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020217004693A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102309244B1 (ko
Inventor
세이지 야스모토
마사타카 사토
신고 에구치
구니히코 스즈키
Original Assignee
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 filed Critical 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Publication of KR20210021133A publication Critical patent/KR20210021133A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102309244B1 publication Critical patent/KR102309244B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H01L51/003—
    • H01L51/0097—
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
    • Y10T156/1702—For plural parts or plural areas of single part
    • Y10T156/1712—Indefinite or running length work

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 박리성, 박리 공정에서의 수율, 플렉시블 디바이스의 제작 수율을 향상시킨다. 지지 기판 위에 텅스텐을 포함하는 박리층을 형성하는 제 1 공정; 박리층 위에, 산화질화 실리콘을 포함하는 제 1 층과 질화 실리콘을 포함하는 제 2 층을 이 순서로 포함하는 적층으로 형성되는 피박리층을 형성하고, 박리층과 피박리층 사이에 산화 텅스텐을 포함하는 산화물층을 형성하는 제 2 공정; 가열 처리에 의하여 산화물층 내에 텅스텐 및 질소를 포함하는 화합물을 형성하는 제 3 공정; 및 산화물층에서 피박리층으로부터 박리층을 박리하는 제 4 공정을 포함하는 박리 방법을 채용한다.

Description

박리 방법, 반도체 장치, 및 박리 장치{PEELING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PEELING APPARATUS}
본 발명은 물건, 방법, 또는 제작 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 일 형태는 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 이들의 구동 방법, 또는 이들의 제작 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 일 형태는 플렉시블 디바이스의 제작 방법에 관한 것이다.
근년, 가요성 기판 위에 반도체 소자 및 발광 소자 등이 제공된 플렉시블 디바이스가 개발되고 있다. 플렉시블 디바이스의 대표적인 예로서는, 조명 장치 및 화상 표시 장치 외에, 트랜지스터 등의 반도체 소자를 포함하는 다양한 반도체 회로를 들 수 있다.
가요성 기판을 포함하는 반도체 장치의 제작 방법으로서는, 유리 기판이나 석영 기판 등의 지지 기판 위에 박막 트랜지스터 등의 반도체 소자를 형성한 후, 가요성 기판에 반도체 소자를 전치(transfer)하는 기술이 개발되고 있다. 이 기술에서는, 반도체 소자를 포함한 층을 지지 기판으로부터 박리하는 공정이 필요하다.
예를 들어, 특허문헌 1에는 레이저 어블레이션(laser ablation)을 사용한 다음의 박리 기술이 개시(開示)되어 있다. 기판 위에 비정질 실리콘 등으로 형성되는 분리층을 형성하고, 분리층 위에 박막 소자로 형성되는 피박리층을 형성하고, 박리된 층을 접착층을 사용하여 전사체(transfer body)에 접착시킨다. 레이저 광 조사에 의하여 분리층을 제거(ablate)함으로써, 분리층에서 박리가 생기게 한다.
또한, 특허문헌 2에는 다음의 박리 기술이 개시되어 있다. 기판과 산화물층 사이에 금속층을 형성하고, 산화물층과 금속층의 계면의 결합이 약한 것을 이용하여 산화물층과 금속층의 계면에서 박리가 생기게 함으로써, 피박리층과 기판을 서로 분리한다.
일본국 공개 특허 제 H10-125931호 일본국 공개 특허 제 2003-174153호
반도체 소자를 지지 기판으로부터 박리할 때에 박리 계면에서 박리가 어렵거나 박리성이 낮으면, 반도체 소자에 큰 응력이 가해져, 반도체 소자를 파괴하는 경우가 있다.
상술한 것을 감안하여, 본 발명의 일 형태의 목적은 박리성이 향상된 박리 방법 등을 제공하는 것이다. 다른 목적은 박리 공정에서의 수율을 높이는 것이다. 다른 목적은 플렉시블 디바이스 등을 제작함에 있어서의 수율을 높이는 것이다. 다른 목적은 신뢰성이 높은 반도체 장치 등을 제공하는 것이다. 다른 목적은 가요성 기판이 제공되며 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이다. 다른 목적은 신규 반도체 장치 등을 제공하는 것이다. 다른 목적은 신규 반도체 장치 등의 제작 방법을 제공하는 것이다. 또한, 이들 목적의 기재는 다른 목적들의 존재를 방해하지 않는다. 본 발명의 일 형태에서는, 이들 목적 모두를 달성할 필요는 없다. 다른 목적들은, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 명백해지며 추출될 수 있다.
본 발명의 일 형태는 텅스텐을 포함하는 박리층을 지지 기판 위에 형성하는 제 1 공정; 박리층 위에, 산화질화 실리콘을 포함하는 제 1 층과 질화 실리콘을 포함하는 제 2 층이 순차적으로 적층된 피박리층, 및 박리층과 피박리층 사이에 산화 텅스텐을 포함하는 산화물층을 형성하는 제 2 공정; 가열 처리에 의하여 산화물층 내에 텅스텐과 질소를 포함하는 화합물을 형성하는 제 3 공정; 및 산화물층에서 피박리층으로부터 박리층을 박리하는 제 4 공정을 포함하는 박리 방법이다.
또한, 제 1 공정과 제 2 공정 사이에, 일산화 이질소를 포함하는 분위기에서 박리층의 표면에 플라즈마 처리를 수행하는 제 5 공정을 수행하는 것이 바람직하다.
제 2 공정에 있어서, SIMS(secondary ion mass spectrometry)에 의하여 측정되는 질소 함유량이 5.0×1020분자/cm3 이상 1.0×1023분자/cm3 이하인 영역과, 수소 함유량이 1.0×1020분자/cm3 이상 1.0×1022분자/cm3 이하인 영역을 포함한 산화질화 실리콘을 포함하는 제 1 층을 형성하는 것이 바람직하다.
제 2 공정에 있어서, 질량전하비(mass-to-charge ratio) 28에서의 TDS(thermal desorption spectrometry)에 의하여 얻어지는 스펙트럼에서, 100℃~450℃의 온도 범위에서 산화질화 실리콘으로부터 방출되는 질소의 양이, 질소 분자로 환산하였을 때 5×1017분자/cm3 이상이고, 질량전하비 2에서의 TDS에 의하여 얻어지는 스펙트럼에서, 100℃~450℃의 온도 범위에서 산화질화 실리콘으로부터 방출되는 수소의 양이, 수소 분자로 환산하였을 때 5×1019분자/cm3 이상인 산화질화 실리콘을 포함하는 제 1 층을 형성하는 것이 바람직하다.
또한 제 2 공정에 있어서, 질량전하비 28에서의 TDS에 의하여 얻어지는 스펙트럼에서, 100℃~450℃의 온도 범위에서 질화 실리콘으로부터 방출되는 질소의 양이, 질소 분자로 환산하였을 때 5×1019분자/cm3 이하이고, 질량전하비 2에서의 TDS에 의하여 얻어지는 스펙트럼에서, 100℃~450℃의 온도 범위에서 질화 실리콘으로부터 방출되는 수소의 양이, 수소 분자로 환산하였을 때 1×1020분자/cm3 이상인 질화 실리콘을 포함하는 제 2 층을 형성하는 것이 바람직하다.
제 4 공정에서, 박리층과 피박리층 사이에 물 또는 수용액을 침투시키면서 박리를 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 일 형태는, 가요성 기판 위의 접착층, 접착층 위의 산화 텅스텐을 포함하는 산화물층, 산화물층 위의 산화질화 실리콘을 포함하는 제 1 층, 제 1 층 위의 질화 실리콘을 포함하는 제 2 층, 및 제 2 층 위의 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치이다. 산화물층은, SIMS에 의하여 측정되는 질소 함유량이 제 1 층보다 높은 영역과 SIMS에 의하여 측정되는 수소 함유량이 제 1 층보다 높은 영역을 포함한다.
상술한 반도체 장치에서, SIMS에 의하여 측정되는 제 1 층의 질소 및 수소의 농도는, 제 2 층 측으로부터 산화물층 측으로 갈수록 저하되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 박리성이 향상된 박리 방법을 제공할 수 있다. 또한, 박리 공정에서의 수율을 높일 수 있다. 또한, 플렉시블 디바이스를 제작함에 있어서의 수율을 높일 수 있다. 또한, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공할 수 있다. 또한, 가요성 기판이 제공되며 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공할 수 있다.
도 1의 (A)~(E)는 실시형태에 따른 박리 방법을 도시한 도면.
도 2의 (A) 및 (B)는 실시형태에 따른 박리 방법을 도시한 도면.
도 3의 (A) 및 (B)는 실시형태에 따른 표시 장치의 구성예를 도시한 도면.
도 4는 실시형태에 따른 표시 장치의 구성예를 도시한 도면.
도 5의 (A) 및 (B)는 실시형태에 따른 발광 장치의 구성예를 도시한 도면.
도 6의 (A) 및 (B)는 실시형태에 따른 계산에 사용되는 모델을 도시한 도면.
도 7은 실시형태에 따른 결합 에너지의 계산 결과를 나타낸 도면.
도 8은 실시형태에 따른 결합 에너지의 계산 결과를 나타낸 도면.
도 9는 실시형태에 따른 결합 에너지의 계산 결과를 나타낸 도면.
도 10은 실시형태에 따른 박리 시험에 사용되는 장치의 구성예를 도시한 도면.
도 11은 실시형태에 따른 박리에 사용되는 용액의 종류와 박리성의 관계를 나타낸 도면.
도 12의 (A)~(C)는 실시형태에 따른 계산에 사용되는 모델을 나타낸 도면.
도 13의 (A) 및 (B)는 실시형태에 따른 가교 구조의 계산 결과를 나타낸 도면.
도 14의 (A) 및 (B)는 실시형태에 따른 가교 구조의 계산 결과를 나타낸 도면.
도 15는 실시형태에 따른 에너지 다이어그램의 계산 결과를 나타낸 도면.
도 16은 실시형태에 따른 박리 장치의 구성예를 도시한 도면.
도 17의 (A)~(E)는 실시형태에 따른 박리 방법을 도시한 도면.
도 18의 (A)~(C)는 실시형태에 따른 박리 방법을 도시한 도면.
도 19의 (A) 및 (B)는 실시형태에 따른 박리 방법을 도시한 도면.
도 20의 (A) 및 (B)는 실시형태에 따른 박리 방법을 도시한 도면.
도 21의 (A)~(E)는 실시형태에 따른 전자 기기의 구성예를 도시한 도면.
도 22는 실시예 1에 따른 박리성의 측정 결과를 나타낸 도면.
도 23의 (A) 및 (B)는 실시예 1에 따른 관찰된 샘플의 단면 이미지.
도 24는 실시예 1에 따른 관찰된 샘플의 단면 이미지.
도 25의 (A) 및 (B)는 실시예 1에 따른 SIMS 측정 결과를 나타낸 도면.
도 26의 (A) 및 (B)는 실시예 1에 따른 XPS 측정 결과를 나타낸 도면.
도 27의 (A) 및 (B)는 실시예 1에 따른 XPS 측정 결과를 나타낸 도면.
도 28의 (A) 및 (B)는 실시예 2에 따른 TDS 측정 결과를 나타낸 도면.
도 29의 (A) 및 (B)는 실시예 2에 따른 TDS 측정 결과를 나타낸 도면.
도 30은 실시예 3에 따른 박리성의 측정 결과를 나타낸 도면.
실시형태에 대하여 부속 도면을 참조하여 자세히 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 범위로부터 벗어남이 없이 다양하게 변경될 수 있는 것은 당업자에 의하여 쉽게 이해될 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하의 실시형태의 설명에 한정되어 해석되는 것이 아니다.
또한, 이하에서 설명하는 본 발명의 구성에 있어서, 같은 부분 또는 유사한 기능을 갖는 부분은, 다른 도면간에서도 동일한 부호로 나타내고, 이러한 부분의 설명은 반복하지 않는다. 또한, 유사한 기능을 갖는 부분에는 동일한 해치 패턴을 사용하고, 이 부분은 부호로 특별히 나타내지 않는 경우가 있다.
또한, 본 명세서에서 설명하는 각 도면에 있어서, 크기, 층 두께, 또는 각 구성 요소의 영역은 명료화를 위하여 과장되는 경우가 있다. 따라서, 각 구성의 스케일은 도면에 도시된 것에 반드시 한정되지 않는다.
또한 본 명세서 등에 있어서, '제 1', '제 2' 등의 서수는 구성 요소 간의 혼동을 피하기 위하여 사용되고, 숫자를 한정하는 것은 아니다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 박리 방법의 일례에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
[제작 방법의 예]
<박리층의 형성>
우선, 지지 기판(101) 위에 박리층(102)을 형성한다(도 1의 (A) 참조).
지지 기판(101)으로서는, 적어도 나중의 공정의 가열에 견딜 수 있을 정도의 저항을 갖는 기판을 사용한다. 지지 기판(101)의 예로서는, 유리 기판 및 수지 기판 외에 반도체 기판, 금속 기판, 및 세라믹 기판을 들 수 있다.
박리층(102)에는, 텅스텐, 타이타늄, 또는 몰리브데넘 등의 고융점 금속을 사용할 수 있다. 텅스텐을 사용하는 것이 바람직하다.
박리층(102)은 예를 들어 스퍼터링법에 의하여 형성할 수 있다. 박리층(102)의 두께는 10nm 이상 200nm 이하, 바람직하게는 20nm 이상 100nm 이하이다.
<피박리층 및 산화물층의 형성>
다음에, 박리층(102) 위에 피박리층(110)을 형성하고, 박리층(102)과 피박리층(110) 사이에 산화물층(111)을 형성한다(도 1의 (B) 참조).
피박리층(110)은, 산화질화 실리콘을 포함하는 제 1 층(103) 및 질화 실리콘을 포함하는 제 2 층(104)을 이 순서로 포함하는 적층 구조를 갖는다.
또한, 본 명세서 등에 있어서, '산화질화 실리콘'은 질소보다 산소를 많이 포함하고, '질화산화 실리콘'은 산소보다 질소를 많이 포함한다.
제 1 층(103)은 나중의 가열 공정에서 수소와 질소를 방출할 수 있다. 제 2 층(104)은 나중의 가열 공정에서 수소를 방출하고, 제 1 층(103)으로부터 외부로 질소가 방출되는 것을 억제(즉, 질소 방출을 블로킹)하는 기능을 갖는다.
제 1 층(103)은, SIMS에 의하여 검출되는 질소 함유량이 5.0×1020분자/cm3 이상 1.0×1023분자/cm3 이하, 바람직하게는 1.0×1021분자/cm3 이상 5.0×1022분자/cm3 이하인 영역과, 수소 함유량이 1.0×1020분자/cm3 이상 1.0×1022분자/cm3 이하, 바람직하게는 5.0×1020분자/cm3 이상 5.0×1021분자/cm3 이하인 영역을 포함하는 산화질화 실리콘막을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 제 1 층(103)은, 질량전하비 28에서의 TDS에 의하여 얻어지는 스펙트럼에 있어서, 100℃~450℃의 온도 범위에서 산화질화 실리콘막으로부터 방출되는 질소의 양이, 질소 분자로 환산하였을 때 5×1017분자/cm3 이상, 바람직하게는 1×1018분자/cm3 이상이고, 질량전하비 2에서의 TDS에 의하여 얻어지는 스펙트럼에 있어서, 100℃~450℃의 온도 범위에서 산화질화 실리콘막으로부터 방출되는 수소의 양이, 수소 분자로 환산하였을 때 5×1019분자/cm3 이상, 바람직하게는 1×1020분자/cm3 이상인 산화질화 실리콘막을 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 제 2 층(104)은, 질량전하비 28에서의 TDS에 의하여 얻어지는 스펙트럼에 있어서, 100℃~450℃의 온도 범위에서 질화 실리콘막으로부터 방출되는 질소의 양이, 질소 분자로 환산하였을 때 5×1019분자/cm3 이하, 바람직하게는 1×1019분자/cm3 이하이고, 질량전하비 2에서의 TDS에 의하여 얻어지는 스펙트럼에 있어서, 100℃~450℃의 온도 범위에서 질화 실리콘막으로부터 방출되는 수소의 양이, 수소 분자로 환산하였을 때 1×1020분자/cm3 이상, 바람직하게는 5×1020분자/cm3 이상인 질화 실리콘막을 포함하는 것이 바람직하다.
제 1 층(103)은 스퍼터링법 또는 플라즈마 CVD법 등에 의하여 형성할 수 있다. 특히, 제 1 층(103)에 포함되는 산화질화 실리콘막은, 실레인 가스 및 일산화 이질소 가스를 포함하는 성막 가스를 사용하여 플라즈마 CVD법에 의하여 형성하면, 막에 다량의 수소 및 질소를 포함시킬 수 있어 바람직하다. 또한, 성막 가스에서의 실레인 가스의 비율이 높을수록 나중의 가열 공정에서 막으로부터 방출되는 수소의 양이 증가되어 바람직하다.
제 2 층(104)은 스퍼터링법 또는 플라즈마 CVD법 등에 의하여 형성할 수 있다. 특히, 제 2 층(104)에 포함되는 질화 실리콘막을 실레인 가스, 질소 가스, 암모니아 가스를 포함하는 성막 가스를 사용하여 플라즈마 CVD법에 의하여 형성하면, 막에 다량의 수소를 함유시킬 수 있다.
제 1 층(103)의 두께는 방출되는 수소 및 질소의 양의 증가를 위하여 두꺼운 것이 바람직하지만, 생산성을 고려하여 결정되는 것이 바람직하다. 한편, 제 1 층(103)의 두께가 지나치게 얇으면, 방출되는 수소 및 질소의 양이 불충분해진다. 제 1 층(103)의 두께는 200nm 이상 1μm 이하, 바람직하게는 400nm 이상 800nm 이하이다.
제 2 층(104)의 두께는 적어도 질소의 방출을 블로킹할 수 있는 한 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 50nm 이상 600nm 이하, 바람직하게는 100nm 이상 300nm 이하의 두께인 것이 바람직하다.
박리층(102)의 표면은, 제 1 층(103) 형성 시에 산화되어, 박리층(102)과 제 1 층(103) 사이에 산화물층(111)이 형성된다.
산화물층(111)은 박리층(102)에 포함되는 금속의 산화물을 포함한다. 산화물층(111)은 산화 텅스텐을 포함하는 것이 바람직하다.
산화 텅스텐은 일반적으로 WO(3-x)로 표시되고, 대표적으로는 WO3, W2O5, W4O11, 및 WO2 등 다양한 조성을 가질 수 있는 비화학량적 화합물이다. 산화 타이타늄 TiO(2-x) 및 산화 몰리브데넘 MoO(3-x)도 비화학량적 화합물이다.
이 단계에서 산화물층(111)은 다량의 산소를 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 박리층(102)에 텅스텐을 사용한 경우에는, 산화물층(111)은 그 주성분으로서 WO3을 포함하는 산화 텅스텐층인 것이 바람직하다.
제 1 층(103)을 형성하기 전에, 일산화 이질소 가스를 포함하는 분위기에서 박리층(102)의 표면에 플라즈마 처리를 수행하여, 박리층(102)의 표면에 산화물층(111)을 미리 형성할 수도 있다. 이와 같은 방법을 사용하면, 플라즈마 처리의 조건에 따라 산화물층(111)의 두께를 변화시킬 수 있고, 플라즈마 처리를 수행하지 않는 경우에 비하여 산화물층(111)의 두께를 더 효율적으로 제어할 수 있다.
산화물층(111)의 두께는 예를 들어 0.1nm 이상 100nm 이하, 바람직하게는 0.5nm 이상 20nm 이하이다. 또한, 두께가 매우 얇은 산화물층(111)은 단면 이미지에 있어서 관찰할 수 없는 경우가 있다.
<가열 처리>
다음에, 가열 처리를 수행하여 산화물층(111)의 성질을 변화시킨다.
가열 처리에 의하여, 제 1 층(103) 및 제 2 층(104)으로부터 수소가 방출되어 산화물층(111)에 공급된다. 또한, 제 1 층(103)으로부터 질소가 방출되어 산화물층(111)에 공급된다. 이 때, 제 2 층(104)은 질소의 방출을 블로킹하기 때문에, 산화물층(111)에 질소를 효율적으로 공급할 수 있다.
가열 처리는 제 1 층(103)으로부터 질소 및 수소가 방출되는 온도 이상, 지지 기판(101)이 유연해지는 온도 이하에서 수행하면 좋다. 또한, 가열 처리는, 산화물층(111) 내의 수소와 금속 산화물 간의 환원 반응이 일어나는 온도 이상에서 수행하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 박리층(102)에 텅스텐을 사용한 경우에는, 가열 온도는 420℃ 이상, 450℃ 이상, 600℃ 이상, 또는 650℃ 이상이다.
가열 처리의 온도가 높을수록, 제 1 층(103)으로부터 방출되는 질소의 양과 제 1 층(103) 및 제 2 층(104)으로부터 방출되는 수소의 양이 많아져, 박리성을 향상시킬 수 있다. 그러나, 지지 기판(101)의 내열성 및 생산성을 고려하여 가열 온도를 낮추더라도, 상술한 바와 같이 박리층(102)에 플라즈마 처리를 수행하여 산화물층(111)을 미리 형성함으로써, 높은 박리성을 실현할 수 있다.
가열 처리를 수행하는 분위기는 특별히 한정되지 않고 대기 분위기일 수도 있지만, 질소 분위기 또는 희가스 분위기 등의 불활성 분위기에서 수행하는 것이 바람직하다.
가열 처리에 의하여 피박리층(110)으로부터 방출된 수소 및 질소는 제 1 층(103)과 박리층(102) 사이에 트랩된다. 결과적으로, 제 1 산화물층(103)과 박리층(102) 사이의 산화물층(111)에, 수소 농도가 높은 영역과 질소 농도가 높은 영역이 형성된다.
예를 들어, SIMS에 의하여 측정되는 수소 농도가 제 1 층(103)보다 높은 영역이 산화물층(111)에 형성된다. 또한, SIMS에 의하여 측정되는 질소 농도가 제 1 층(103)보다 높은 영역이 산화물층(111)에 형성된다.
산화물층(111)에 공급된 수소에 의하여 산화물층(111) 내의 금속 산화물이 환원되어, 산소의 비율이 다른 복수의 영역이 산화물층(111) 중에 혼합된다. 예를 들어, 박리층(102)에 텅스텐을 사용한 경우에는, 산화물층(111)의 WO3이 환원되어 WO3보다 산소의 비율이 낮은 산화물(예를 들어 WO2)이 형성되고, 그 결과 산소의 비율이 낮은 산화물과 WO3이 혼합된 상태가 된다. 이러한 금속 산화물의 결정 구조는 산소의 비율에 의존하기 때문에, 산소의 비율이 다른 복수의 영역이 산화물층(111)에 제공되면, 산화물층(111)의 기계적 강도가 저하된다. 그 결과, 산화물층(111)은 내부에서 손상되기 쉬워져, 나중의 박리 공정에서의 박리성을 향상시킬 수 있다.
또한, 산화물층(111)에 질소가 공급되기 때문에, 산화물층(111) 내의 금속과 질소를 포함하는 화합물도 생성된다. 예를 들어, 박리층(102)에 텅스텐을 사용한 경우에는, W-N 결합을 갖는 화합물이 산화물층(111)에 생성된다.
가열 처리된 산화물층(111)에 포함되는 W-N 결합을 갖는 화합물은, 예를 들어, 박리 후에 잔존한 산화물층(111)의 일부의 표면에 수행되는 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)를 사용한 분석에 의하여 확인할 수 있다.
산화물층(111) 내의 금속과 질소를 포함하는 화합물은, 산화물층(111)의 기계적 강도를 더 저하시킬 수 있어, 박리성을 향상시킬 수 있다.
가열 처리의 전후에서 산화물층(111)의 단면 형상에 현저한 차이를 볼 수 있다. 이하에서는 가열 처리 전후에서의 산화물층(111)의 단면 형상에 대하여 설명한다.
도 2의 (A) 및 (B)는 각각 가열 처리 전후에서의, 도 1의 (B)의 파선으로 둘러싼 영역을 확대한 단면 개략도를 도시한 것이다.
가열 처리 전에서는, 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이 단면에서 박리층(102)과 제 1 층(103) 사이에 산화물층(111)이 관찰된다.
한편, 가열 처리 후의 박리층(102)과 산화물층(111)의 단면 관찰에서는, 도 2의 (B)에 도시된 바와 같이, 이들의 계면 부근에 박리층(102) 및 산화물층(111)과는 그레이 레벨(gray level)이 다른 영역(112)을 관찰할 수 있다. 그레이 레벨이 다른 영역(112)은 TEM(transmission electron microscope)에 의하여 관찰할 수 있다.
영역(112)은, 박리층(102)과 산화물층(111)이 서로 부분적으로 분리되었을 때 형성된 공동(cavity)일 가능성이 있다. 또는, 영역(112)은, 산화물층(111)에 포함되는 원소를 포함하며 산화물층(111)보다 밀도가 낮은 영역일 가능성도 있다. 또는, 영역(112)은, 박리층(102)과 산화물층(111)과 피박리층(110)의 각각의 구성 요소 중 여러 개를 포함한 층, 또는 산화물층(111)으로부터 방출된 질소, 산소, 또는 수소 등이 기체 상태로 존재하는 영역일 가능성도 있다.
예를 들어, 피박리층(110)으로서 제 1 층(103)만 또는 제 2 층(104)만을 사용한 경우에는, 가열 처리를 수행하더라도 영역(112)은 형성되지 않는다. 또한, 제 1 층(103)과 제 2 층(104)의 순서를 교대한 경우에도 영역(112)을 관찰할 수 없다. 이는 산화물층(111)으로부터 방출된 질소, 수소, 또는 산소 등의 원소가 영역(112)의 형성에 관여하는 것을 가리킨다.
가열 처리를 수행하는 경우와 가열 처리를 수행하지 않는 경우, 즉 영역(112)의 존재 여부에 따라, 나중의 박리 공정에서 박리에 요구되는 외력이 현저히 달라진다. 가열 처리에 의하여 영역(112)이 형성되었을 때 더 약한 힘으로 박리를 수행할 수 있다. 이는 영역(112)이 박리성의 향상에 크게 기여하는 것을 가리킨다.
예를 들어, 영역(112)이 공동이거나 가스로 충전된 경우, 산화물층(111)과 박리층(102)의 접촉 면적이 축소되어 접착성이 낮아지므로 박리성이 향상될 것으로 생각된다. 또한, 영역(112)이 박리층(102)과 산화물층(111)과는 다른 조성을 갖거나 또는 영역(112)의 밀도가 낮은 경우에는, 산화물층(111)과 박리층(102) 사이의 접착성과 영역(112)과 박리층(102) 사이의 접착성의 차이에 의하여 박리성이 향상될 것으로 생각된다.
<접착>
다음에, 지지 기판(101)과 기판(121)을 접착층(122)에 의하여 서로 접착시킨다(도 1의 (C) 참조).
기판(121)으로서는 가요성 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 또는 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 수지 외에, 가요성을 가질 정도로 얇은 금속 기판 또는 유리 기판을 사용할 수 있다. 금속, 유리, 및 수지 중 2개 이상이 적층된 복합 재료를 사용할 수도 있다.
기판(121)은 반드시 가요성을 가질 필요는 없고, 이 경우에는 지지 기판(101)과 같은 재료를 기판(121)에 사용할 수 있다. 트랜지스터 등의 반도체 소자, 유기 일렉트로루미네선스(EL) 소자 등의 발광 소자, 또는 액정 소자 등의 광학 소자가 형성된 기판을 기판(121)으로서 사용할 수도 있다.
수지가 피접착면들을 고착시킬 수 있는 한, 열 경화 수지 또는 자외선 경화 수지를 접착층(122)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 에폭시 수지, 또는 실록산 결합을 갖는 수지를 사용할 수 있다. 나중에 기판(121)을 제거하는 경우에는, 수용성(水溶性) 수지 또는 유기 용매에 가용(可溶)인 수지 등을 사용할 수 있다.
<박리>
다음에, 산화물층(111)에서 피박리층(110)으로부터 박리층(102)을 박리한다(도 1의 (D) 참조).
박리를 위하여, 예를 들어 지지 기판(101) 또는 기판(121)을 흡인 스테이지에 고정하고, 박리층(102)과 피박리층(110) 사이에 박리 기점을 형성한다. 박리 기점은, 예를 들어 층들 사이에 칼 등의 예리한 기구를 넣음으로써 형성하여도 좋다. 또는, 박리 기점은, 박리층(102)의 일부를 레이저 광으로 조사하여 용해시킴으로써 형성하여도 좋다. 또는, 박리 기점은, 액체(예를 들어 알코올, 물, 또는 이산화 탄소를 포함한 물)를 예를 들어 박리층(102) 또는 피박리층(110)의 단부에 적하하여, 모세관 현상(capillary action)을 사용하여 상기 액체를 박리층(102)과 피박리층(110)의 경계에 침투시킴으로써 형성하여도 좋다.
그리고, 박리 기점이 형성된 부분에 접착면에 실질적으로 수직인 방향으로 물리적인 힘을 약하게 가함으로써, 피박리층(110)에 대한 대미지 없이 박리를 일으킬 수 있다. 이 때, 지지 기판(101) 또는 기판(121)에 테이프 등을 부착시키고 이 테이프를 상술한 방향으로 당기거나, 또는 갈고리 형상 부재로 지지 기판(101) 또는 기판(121)의 단부를 당김으로써 박리를 일으켜도 좋다. 또는, 지지 기판(101) 또는 기판(121)의 이면에 부착된 접착 부재나 진공 흡인이 가능한 부재를 당김으로써 박리를 일으켜도 좋다.
여기서, 물 또는 수용액 등 물을 포함한 액체를 박리 계면에 첨가하여 이 액체를 상기 박리 계면에 침투시켜 박리를 수행함으로써, 박리성을 향상시킬 수 있다. 액체를 첨가한 경우에 박리성이 향상되는 이유에 대해서는 다른 실시형태에서 자세히 설명한다.
박리는, 산화물층(111) 내부, 및 산화물층(111)과 박리층(102)의 계면에서 주로 생긴다. 따라서, 도 1의 (D)에 도시된 바와 같이, 박리 후에 산화물층(111)의 일부는 박리층(102) 및 제 1 층(103)의 각 표면에 부착되는 경우가 있다. 또한, 박리층(102)의 표면 위의 산화물층(111)의 두께는 제 1 층(103)의 표면 위의 산화물층(111)의 두께와는 달라도 좋다. 산화물층(111)과 박리층(102)의 계면에서 박리가 생기기 쉽기 때문에, 제 1 층(103) 측의 산화물층(111)의 두께는 박리층(102) 측의 산화물층(111)의 두께보다 두꺼운 경우가 많다.
상술한 방법에 의하여, 박리층(102)과 피박리층(110)을 수율 좋게 서로 분리할 수 있다.
<접착>
그 후, 도 1의 (E)에 도시된 바와 같이, 피박리층(110)의 박리된 표면에 접착층(132)을 개재(介在)하여 기판(131)을 접착시켜도 좋다. 접착층(132) 및 기판(131)에 대해서는 접착층(122) 및 기판(121)의 기재를 각각 참조할 수 있다.
기판(121) 및 기판(131)으로서 가요성 기판을 사용함으로써 플렉시블 적층체를 형성할 수 있다.
[적용예]
상기 제작 방법의 예에서 설명한 박리 방법은 다양한 플렉시블 디바이스에 적용할 수 있다.
예를 들어, 트랜지스터를 포함하는 플렉시블 디바이스에 상기 박리 방법을 사용하는 경우에는, 피박리층(110)을 형성한 후에 트랜지스터를 형성하여도 좋다.
예를 들어, 보텀 게이트 트랜지스터를 제작하는 경우, 피박리층(110) 위에, 게이트 전극, 게이트 절연층, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 이 순서로 형성한다. 그 후, 기판(121)을 접착시키는 공정, 박리 공정, 기판(131)을 접착시키는 공정을 수행한다. 이와 같이 함으로써, 트랜지스터를 포함하는 플렉시블 디바이스를 제작할 수 있다.
또한, 스태거형 트랜지스터 또는 역 스태거형 트랜지스터 등을 사용하여도 좋다. 또한, 톱 게이트 트랜지스터 또는 보텀 게이트 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 또한 채널 에치(channel-etched)형 트랜지스터 또는 채널 보호형 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 채널 보호형 트랜지스터의 경우, 채널 영역 위에만 채널 보호막을 제공하여도 좋다. 또는, 소스 전극 및 드레인 전극과 반도체층이 접하는 부분에만 개구를 형성하고, 그 개구 이외의 부분에 채널 보호막을 제공하여도 좋다.
트랜지스터의 채널이 형성되는 반도체층에 적용할 수 있는 반도체로서 예를 들어 실리콘이나 저마늄 등의 반도체 재료, 화합물 반도체 재료, 유기 반도체 재료, 또는 산화물 반도체 재료를 사용하여도 좋다.
또한, 트랜지스터에 사용하는 반도체의 결정성에 대한 제한은 특별히 없고, 비정질 반도체, 또는 결정성을 갖는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체, 또는 결정 영역을 부분적으로 포함한 반도체)를 사용하여도 좋다. 결정성을 갖는 반도체를 사용하면, 트랜지스터 특성의 열화를 저감할 수 있어 바람직하다.
예를 들어, 상기 반도체로서 실리콘을 사용하는 경우, 비정질 실리콘, 미결정 실리콘, 다결정 실리콘, 또는 단결정 실리콘 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기 반도체로서 산화물 반도체를 사용하는 경우, 인듐, 갈륨, 및 아연 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체를 사용하는 것이 바람직하다. 대표적으로는 In-Ga-Zn계 금속 산화물을 들 수 있다. 실리콘보다 밴드 갭이 넓고 캐리어 밀도가 낮은 산화물 반도체를 사용하면, 오프 상태에서의 누설 전류를 저감할 수 있어 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 따른 박리 방법에서는, 지지 기판 위에 소자를 형성한 후에 박리를 수행하여 가요성을 얻을 수 있기 때문에, 소자 형성 공정에서의 온도에 거의 제한이 없다. 그러므로, 고온 프로세스를 거쳐 제작되며 신뢰성이 매우 높은 반도체 소자를, 내열성이 떨어지는 가요성 기판 위에 높은 수율로 제작할 수 있다.
발광성 유기 화합물을 포함한 층이 한 쌍의 전극 사이에 개재된 발광 소자를 피박리층(110) 위에 형성함으로써, 플렉시블 발광 장치를 제작할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자를 포함하는 플렉시블 조명 장치(또는 광원)를 제작할 수 있고, 또는 트랜지스터와, 발광 소자 및 액정 소자 등의 표시 소자를 포함하는 복수의 화소를 피박리층(110) 위에 형성함으로써, 화상 표시 장치를 제작하여도 좋다. 플렉시블 화상 표시 장치의 예에 대해서는 다른 실시형태에서 설명한다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에서 설명하는 다른 실시형태 및 실시예 중 어느 것과 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 박리 방법에 의하여 제작할 수 있는 플렉시블 디바이스에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 플렉시블 디바이스의 예로서, 유기 EL 소자를 포함하는 화상 표시 장치(이하에서 표시 장치) 및 조명 장치 등의 발광 장치에 대하여 설명한다.
또한, 본 명세서에서의 발광 장치는 화상 표시 장치 또는 광원(조명 장치를 포함함)을 말한다. 또한, 발광 장치는, FPC(Flexible Printed Circuit) 또는 TCP(Tape Carrier Package) 등의 커넥터가 발광 장치에 부착된 모듈, TCP 끝에 인쇄 배선판이 제공된 모듈, 발광 소자가 형성된 기판에 COG(Chip On Glass)법에 의하여 직접 탑재된 IC(Integrated Circuit)를 갖는 모듈, 터치 센서가 탑재된 모듈 중 어느 것을 그 범주에 포함할 수 있다.
본 명세서 등에서 '반도체 장치'는 반도체 특성을 이용함으로써 동작할 수 있는 모든 장치를 뜻한다. 트랜지스터, 반도체 회로, 기억 장치, 촬상 장치, 전기 광학 장치, 발전 장치(예를 들어, 박막 태양 전지 및 유기 박막 태양 전지), 및 전자 기기 등은 반도체 장치에 포함되거나 반도체 장치를 포함하여도 좋다.
따라서, 이하에서 설명하는 발광 장치들 중, 반도체 특성을 갖는 소자(예를 들어 트랜지스터)를 포함하는 발광 장치도 반도체 장치의 일 형태이다. 즉, 이러한 발광 장치는 발광 소자 및 반도체 장치를 포함한다.
[표시 장치의 구성예 1]
도 3의 (A)는 톱 이미션 구조를 갖는 표시 장치(200)의 상면 개략도이다.
표시 장치(200)는 가요성 기판(254) 상면에 표시부(201), 주사선 구동 회로(202), 및 신호선 구동 회로(203)를 포함한다. 또한, 표시 장치(200)는 표시부(201)를 덮는 밀봉층(252) 및 밀봉층(252) 위의 가요성 기판(253)을 포함한다. 표시 장치(200)에서, 가요성 기판(254) 위에, 주사선 구동 회로(202) 및 신호선 구동 회로(203)에 전기적으로 접속되는 외부 접속 단자(204)가 제공된다. 외부 접속 단자(204)에 전기적으로 접속되는 FPC(205)를 통하여, 주사선 구동 회로(202) 및 신호선 구동 회로(203) 등을 구동하기 위한 전원 전위 및 구동 신호 등의 신호를 외부로부터 입력할 수 있다.
도 3의 (B)는, 도 3의 (A)에 도시된 외부 접속 단자(204), 주사선 구동 회로(202), 및 표시부(201)를 포함하는 영역을 자른 선 A-B 및 C-D를 따른 단면 개략도이다.
표시 장치(200)에서, 제 1 층(103) 및 제 2 층(104)을 포함한 피박리층(110)이 접착층(132)을 개재하여 가요성 기판(254) 위에 제공된다. 또한, 발광 소자(240), 주사선 구동 회로(202)(및 신호선 구동 회로(203)), 및 외부 접속 단자(204)가 제 2 층(104) 위에 제공된다.
외부 접속 단자(204)는, 표시 장치(200)의 트랜지스터 또는 발광 소자에 포함되는 도전층과 같은 재료를 사용하여 형성된다. 본 구성예에서는, 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 도전층과 같은 재료를 사용하여 형성된 층과, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 도전층과 같은 재료를 사용하여 형성된 층이 적층된다. 외부 접속 단자(204)는 복수의 층을 포함하는 이러한 적층을 포함함으로써, 기계적 강도가 높아지고 전기 저항이 저감될 수 있어 바람직하다. 커넥터(206)는 외부 접속 단자(204)와 접하여 제공된다. FPC(205)는 커넥터(206)를 통하여 외부 접속 단자(204)에 전기적으로 접속된다. 커넥터(206)는, 열 경화성 수지에 도전성 입자가 혼합되며 열 압착에 의하여 이방성의 도전성을 나타내는 페이스트상의 재료, 또는 열 경화성 수지의 내부에 도전성 입자가 포함되며 열 압착에 의하여 이방성의 도전성을 나타내는 시트상 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 도전성 입자의 예로서는, 금속으로 피복된 니켈 입자, 및 금속으로 피폭된 수지를 들 수 있다.
도 3의 (B)에서, 주사선 구동 회로(202)는 예를 들어 n채널형 트랜지스터(211)와 n채널형 트랜지스터(212)가 조합된 회로를 부분적으로 포함한다. 또한, 주사선 구동 회로(202)는, n채널형 트랜지스터들이 조합된 회로에 한정되지 않고, n채널형 트랜지스터와 p채널형 트랜지스터가 조합된 CMOS 회로나 p채널형 트랜지스터가 조합된 회로 등 다양한 회로를 포함하여도 좋다. 또한, 신호선 구동 회로(203)에 대해서도 마찬가지이다. 본 구성예에서는, 표시부(201)가 형성된 절연 표면 위에 주사선 구동 회로(202) 및 신호선 구동 회로(203)가 형성된 드라이버 일체형 구조를 설명하였지만, 예를 들어, 주사선 구동 회로(202) 및 신호선 구동 회로(203) 중 하나 또는 양쪽으로서 사용되는 구동 회로 IC를 COG법에 의하여 탑재하여도 좋고, 또는 COF(Chip On Film)법에 의하여 구동 회로 IC가 탑재된 가요성 기판(FPC)을 탑재하여도 좋다.
도 3의 (B)는, 표시부(201)의 일례로서 하나의 화소의 단면 구조를 도시한 것이다. 화소는 스위칭 트랜지스터(213), 전류 제어 트랜지스터(214), 및 전류 제어 트랜지스터(214)의 전극(소스 전극 또는 드레인 전극)에 전기적으로 접속된 제 1 전극(233)을 포함한다. 제 1 전극(233)의 단부를 덮도록 절연층(219)이 제공된다.
발광 소자(240)는, 제 1 전극(233), EL층(235), 및 제 2 전극(237)이 절연층(217) 위에 순차적으로 적층된 적층 구조를 갖는다. 본 구성예에서 설명하는 표시 장치(200)는 톱 이미션 표시 장치이기 때문에, 제 2 전극(237)에는 투광성 재료를 사용한다. 제 1 전극(233)에는 반사성 재료를 사용하는 것이 바람직하다. EL층(235)은 적어도 발광성 유기 화합물을 포함한다. EL층(235)을 개재한 제 1 전극(233)과 제 2 전극(237) 사이에 전압이 인가되어 EL층(235)에 전류가 흐름으로써 발광 소자(240)는 발광할 수 있다.
제 1 층(243) 및 제 2 층(244)을 포함한 피박리층(245)은, 접착층(242)을 개재하여, 기판(254)과 대향하는 가요성 기판(253) 표면 측에 제공된다. 또한, 발광 소자(240)와 중첩되는 제 2 층(244) 부분에는 컬러 필터(221)가 제공되고, 절연층(219)과 중첩되는 위치에는 블랙 매트릭스(222)가 제공된다. 제 1 층(243) 및 제 2 층(244)은 제 1 층(103) 및 제 2 층(104)과 같은 재료를 사용하여 형성한다. 또한, 기판(254)과 대향하지 않는 기판(253) 표면 위에 투명 도전막을 형성하여 터치 센서를 형성하여도 좋다.
제 2 층(104) 및 제 2 층(244)은 기판(254) 및 기판(253)에 포함되는 불순물의 확산을 억제하는 기능을 각각 갖는다. 트랜지스터의 반도체층에 접하는 절연층(216) 및 절연층(218)은 반도체층에 대한 불순물 확산을 억제하는 것이 바람직하다. 이들 절연층은 예를 들어, 실리콘 등의 반도체나 알루미늄 등의 금속의 산화물 또는 질화물을 사용하여 형성할 수 있다. 또는, 이러한 무기 절연 재료를 포함하는 적층, 또는 이러한 무기 절연 재료 및 유기 절연 재료를 포함하는 적층을 사용하여도 좋다.
무기 절연 재료로서는, 예를 들어, 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 질화산화 알루미늄, 산화질화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 갈륨, 질화 실리콘, 산화 실리콘, 질화산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 산화 저마늄, 산화 지르코늄, 산화 란타넘, 산화 네오디뮴, 산화 탄탈럼에서 선택되는 하나 이상의 재료의 단층 또는 적층을 들 수 있다. 본 명세서에서는, 질화산화물은 산소보다 질소의 양이 많은 재료를 가리키고, 산화질화물은 질소보다 산소의 양이 많은 재료를 가리킨다. 원소 함유량은 예를 들어 RBS에 의하여 측정할 수 있다.
무기 절연 재료로서 하프늄 실리케이트(HfSiOx), 질소가 첨가된 하프늄 실리케이트(HfSixOyNz), 질소가 첨가된 하프늄 알루미네이트(HfAlxOyNz), 산화 하프늄, 또는 산화 이트륨 등의 high-k 재료를 사용하여도 좋다.
피박리층(110)은, 실시형태 1에서 설명한 박리 방법에 의하여 박리를 수행함으로써 형성할 수 있다. 피박리층(110) 위에 트랜지스터 및 발광 소자(240)를 형성하고, 박리를 수행한 후에, 접착층(132)을 개재하여 피박리층(110) 이면에 기판(254)을 접착시킴으로써, 도 3의 (B)에 도시된 구조를 얻을 수 있다. 피박리층(245)도 마찬가지로 실시형태 1에서 설명한 박리 방법에 의하여 박리를 수행함으로써 형성할 수 있다. 피박리층(245) 위에 컬러 필터(221) 및 블랙 매트릭스(222)를 형성하고, 박리를 수행한 후에, 접착층(242)을 개재하여 피박리층(245) 이면에 기판(253)을 접착시킴으로써, 도 3의 (B)에 도시된 구조를 얻을 수 있다.
도 3의 (B)에 도시된 바와 같이, 제 1 층(103)과 접착층(132) 사이에 산화물층(111)을 제공하거나, 또는 제 1 층(243)과 접착층(242) 사이에 산화물층(241)을 제공하여도 좋다. 산화물층(111) 및 산화물층(241)은 매우 얇고 투광성을 갖기 때문에, 발광 소자(240)로부터 사출되는 광이 추출되는 측에 제공되더라도 발광 효율을 저하시키는 일이 거의 없다.
트랜지스터 등이 제공된 피박리층(110) 및 컬러 필터(221) 등이 제공된 피박리층(245)을 각각 지지 기판이 제공된 상태로 밀봉층(252)에 의하여 서로 접착시키고, 접착 후에 각 지지 기판으로부터 피박리층(110, 245)을 박리하는 것이 바람직하다. 특히, 고정세(高精細)의 표시부(201)를 포함하는 표시 장치와 같이 컬러 필터(221)와 화소가 높은 정밀도로 배치되는 경우, 유리 기판 등의 지지 기판에 고정된 상태로 피박리층을 접착시킴으로써, 컬러 필터(221)와 화소를 높은 정밀도로 배치할 수 있다. 상술한 방법에 의하여 고정세의 플렉시블 표시 장치를 제작할 수 있다.
또한, 도 3의 (A) 및 (B)는 발광 소자가 표시 소자로서 사용되는 경우를 도시한 것이지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 표시 소자로서 액정 소자 또는 전기 영동 소자(전자 종이) 등을 사용할 수 있다. 전기 영동 소자는 백 라이트를 필요로 하지 않기 때문에, 플렉시블 표시 장치의 일 형태로서 바람직하다.
[표시 장치의 구성예 2]
본 구성예에서는, 보텀 이미션 구조를 갖는 표시 장치에 대하여 설명한다. 또한, 구성예 1과 같은 부분은 여기서는 설명하지 않는다.
도 4는 본 구성예에서 설명하는 표시 장치(250)의 단면 개략도이다.
표시 장치(250)는 구성예 1에서 설명한 표시 장치(200)와는 이하의 점에서 주로 다르다. 표시 장치(250)에서는, 기판(254)과 발광 소자(240) 사이에 컬러 필터가 제공된다. 또한, 가요성 기판(253)은 밀봉층(252)과 직접 접하고, 표시 장치(200)에 제공된 피박리층(245) 및 접착층(242) 등은 제공되지 않는다.
발광 소자(240)에서, 제 1 전극(233)에는 투광성 재료를 사용하고, 제 2 전극(237)에는 반사성 재료를 사용한다. 따라서, EL층(235)으로부터의 발광은 기판(254)을 투과한다.
또한, 트랜지스터를 덮는 절연층(218) 위의, 발광 소자(240)와 중첩되는 위치에 컬러 필터(221)가 제공된다. 절연층(217)은 컬러 필터(221)를 덮도록 제공된다.
기판(253)으로서는, 기판(253) 외부로부터의 물 등의 불순물을 투과시키지 않는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또는, 밀봉층(252)과 접하는 기판(253) 표면에, 불순물 등의 확산을 억제하는 기능을 가지며 절연 재료로 형성되는 막이 제공되는 것이 바람직하다. 이러한 재료로서, 제 2 층(104, 244)에 사용할 수 있는 무기 절연 재료를 사용할 수 있다.
[재료 및 형성 방법]
상술한 각 구성 요소에 사용할 수 있는 재료 및 형성 방법에 대하여 이하에서 설명한다.
<가요성 기판>
가요성 기판의 재료로서는, 유기 수지, 또는 가요성을 가질 정도로 얇은 유리 기판 등을 사용할 수 있다.
이러한 재료의 예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)와 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터 수지, 폴리아크릴로나이트릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리카보네이트(PC) 수지, 폴리에터설폰(PES) 수지, 폴리아마이드 수지, 사이클로올레핀 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 및 폴리염화바이닐 수지를 들 수 있다. 특히, 열팽창 계수가 낮은(예를 들어 열팽창 계수가 30×10-6/K 이하인) 재료가 바람직하고, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리이미드 수지, 또는 PET를 사용할 수 있다. 또한, 섬유체에 수지가 함침(含浸)된 기판(프리프레그라고도 함), 또는 무기 필러(filler)를 유기 수지와 혼합하여 열팽창 계수를 낮춘 기판을 사용할 수도 있다.
상술한 재료 중에 섬유체가 포함되어 있는 경우에는, 섬유체로서 유기 화합물 또는 무기 화합물의 고강도 섬유를 사용한다. 고강도 섬유는, 구체적으로 인장 탄성률(tensile modulus of elasticity) 또는 영률(Young's modulus)이 높은 섬유이다. 대표적인 예로서는 폴리바이닐알코올계 섬유, 폴리에스터계 섬유, 폴리아마이드계 섬유, 폴리에틸렌계 섬유, 아라미드계 섬유, 폴리파라페닐렌벤조비스옥사졸 섬유, 유리 섬유, 및 탄소 섬유를 들 수 있다. 유리 섬유의 일례로서는 E유리, S유리, D유리, 또는 Q유리 등을 사용한 유리 섬유를 들 수 있다. 이들 섬유는, 직포 또는 부직포의 상태로 사용하고, 이 섬유체에 수지가 함침되고 수지가 경화된 구조물을 가요성 기판으로서 사용하여도 좋다. 가요성 기판으로서 섬유체와 수지를 포함하는 구조물을 사용하면 휨이나 국소적 가압으로 인한 파손에 대한 신뢰성을 높일 수 있어 바람직하다.
발광 소자(240)로부터 사출되는 광을 투과시키는 가요성 기판에는, EL층(235)으로부터 사출되는 광을 투과시킬 수 있는 재료를 사용한다. 광을 추출하는 측에 제공하는 재료의 광 추출 효율을 향상시키기 위하여, 가요성 및 투광성의 재료의 굴절률이 높은 것이 바람직하다. 예를 들어, 유기 수지에 굴절률이 높은 무기 필러를 분산시켜 얻어진 기판은, 상기 유기 수지만으로 형성된 기판보다 높은 굴절률을 가질 수 있다. 특히, 입경 40nm 이하의 작은 무기 필러를 사용하면, 광학적인 투명성을 유지할 수 있어 바람직하다.
광을 투과시키는 측과 반대 측에 제공되는 기판은 투광성을 가질 필요가 없기 때문에, 상술한 기판 외에도 금속 기판 등을 사용할 수 있다. 가요성 및 굽힘성(bendability)을 얻기 위해서는, 금속 기판의 두께는 바람직하게는 10μm 이상 200μm 이하, 더 바람직하게는 20μm 이상 50μm 이하이다. 금속 기판의 재료에 대하여 특별한 제한은 없지만, 예를 들어, 알루미늄, 구리, 니켈, 알루미늄 합금이나 스테인리스 강 등의 금속의 합금을 사용하는 것이 바람직하다. 광을 투과시키지 않는 측에 제공되는 가요성 기판으로서는 금속 또는 합금 재료를 포함하는 도전성 기판을 사용하면, 발광 소자(240)로부터 발생되는 열에 대한 방열성을 향상시킬 수 있어 바람직하다.
도전성 기판을 사용하는 경우에는, 이 기판의 표면을 산화시키거나, 또는 기판의 표면에 절연막을 형성하는 등의 절연 처리를 수행한 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 전착법, 스핀 코팅법이나 딥법(dip method) 등의 도포법, 스크린 인쇄법 등의 인쇄법, 또는 증착법이나 스퍼터링법 등의 퇴적법 등의 방법에 의하여 도전성 기판 표면에 절연막을 형성하여도 좋다. 또는, 산소 분위기에 노출시키거나, 산소 분위기에서 가열하거나, 또는 양극 산화법에 의하여 기판 표면을 산화시켜도 좋다.
가요성 기판이 비평탄면을 갖는 경우에는, 평탄한 절연 표면을 형성하기 위하여 상기 비평탄면을 덮도록 평탄화층을 제공하여도 좋다. 평탄화층에는 절연 재료를 사용할 수 있고 유기 재료 또는 무기 재료를 사용할 수 있다. 평탄화층은 스퍼터링법 등의 퇴적법, 스핀 코팅법이나 딥법 등의 도포법, 잉크젯법이나 디스펜서법 등의 토출법, 또는 스크린 인쇄법 등의 인쇄법 등에 의하여 형성할 수 있다.
가요성 기판으로서 복수 층을 적층한 재료를 사용할 수도 있다. 예를 들어, 유기 수지로 형성되는 2종류 이상의 층을 적층한 재료, 유기 수지로 형성되는 층과 무기 재료로 형성되는 층을 적층한 재료, 또는 무기 재료로 형성되는 2종류 이상의 층을 적층한 재료를 사용한다. 무기 재료로 형성되는 층을 사용함으로써, 수분 등이 내부에 들어오는 것을 방지하고, 그 결과 발광 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
무기 재료로서는, 금속이나 반도체의 산화물 재료, 질화물 재료, 또는 산화질화물 재료 등을 사용할 수 있다. 예를 들어, 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화질화 실리콘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 또는 산화질화 알루미늄을 사용하여도 좋다.
예를 들어, 유기 수지로 형성되는 층 및 무기 재료로 형성되는 층을 적층하는 경우, 무기 재료로 형성되는 층을 유기 수지로 형성되는 층 위 또는 아래에 스퍼터링법, CVD법, 또는 도포법 등에 의하여 형성할 수 있다.
가요성 기판으로서는, 가요성을 가질 정도로 얇은 유리 기판을 사용할 수도 있다. 특히, 발광 소자(240)에 가까운 측으로부터 유기 수지층, 접착층, 및 유리층을 순차적으로 적층한 시트를 사용하는 것이 바람직하다. 유리층의 두께는 20μm 이상 200μm 이하, 바람직하게는 25μm 이상 100μm 이하이다. 이러한 두께로 함으로써, 유리층은 높은 가요성과, 물 및 산소에 대한 높은 배리어성의 양쪽을 갖게 된다. 유기 수지층의 두께는 10μm 이상 200μm 이하, 바람직하게는 20μm 이상 50μm 이하이다. 이러한 유기 수지층이 유리층과 접함으로써, 유리층의 깨짐이나 크랙이 억제되어, 그 결과 기계적 강도를 향상시킬 수 있다. 이러한 유리 재료와 유기 수지의 복합 재료를 사용하여 가요성 기판을 형성함으로써, 신뢰성이 매우 높은 플렉시블 발광 장치를 얻을 수 있다.
<발광 소자>
발광 소자(240)에서는, EL층(235)으로부터 사출되는 광을 투과시킬 수 있는 투광성 재료를, 광을 투과시키는 측에 제공되는 전극에 사용한다.
투광성을 갖는 재료로서는, 산화 인듐, 산화 인듐 산화 주석, 산화 인듐 산화 아연, 산화 아연, 및 갈륨이 첨가된 산화 아연을 사용할 수 있다. 그래핀을 사용하여도 좋다. 다른 예로서는, 금, 은, 백금, 마그네슘, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 및 타이타늄 등의 금속 재료, 및 이들 금속 재료 중 어느 것을 포함하는 합금 재료를 들 수 있다. 상기 금속 재료의 질화물(예를 들어 질화 타이타늄) 등을 사용하여도 좋다. 상기 금속 재료(또는 이들의 질화물)을 사용하는 경우에는, 그 두께를 광을 투과시킬 수 있을 정도로 얇게 설정한다. 또는, 상술한 재료 중 어느 것을 포함하는 적층을 상기 도전층에 사용할 수도 있다. 예를 들어, 은 마그네슘 합금과 산화 인듐 산화 주석을 포함하는 적층막을 사용하면, 전기 도전성을 높일 수 있어 바람직하다.
이러한 전극은 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의하여 형성한다. 잉크젯법 등의 토출법, 스크린 인쇄법 등의 인쇄법, 또는 도금법을 사용하여도 좋다.
또한, 투광성을 갖는 상술한 도전성 산화물을 스퍼터링법에 의하여 형성하는 경우, 아르곤 및 산소를 포함하는 성막 분위기를 사용하면, 투광성을 높일 수 있다.
또한, EL층 위에 도전성 산화물막을 형성하는 경우에는, 산소 농도가 저감되며 아르곤을 포함하는 분위기에서 형성된 제 1 도전성 산화물막과, 아르곤 및 산소를 포함하는 분위기에서 형성된 제 2 도전성 산화물막을 적층함으로써, EL층에 대한 막 형성 대미지를 저감할 수 있어 바람직하다. 이 경우, 제 1 도전성 산화물막의 형성에 있어서, 고순도의 아르곤 가스, 예를 들어 이슬점이 -70℃ 이하, 바람직하게는 -100℃ 이하인 아르곤 가스를 사용하는 것이 바람직하다.
광을 투과시키는 측과 반대 측에 제공되는 전극에는, EL층(235)으로부터 사출되는 광을 반사할 수 있는 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
광 반사성 재료로서는 예를 들어, 알루미늄, 금, 백금, 은, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 또는 팔라듐 등의 금속, 또는 이들 금속 중 어느 것을 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 또는, 이들 금속 재료를 포함하는 금속 또는 합금에 란타넘, 네오디뮴, 또는 저마늄 등이 첨가되어도 좋다. 또한, 알루미늄과 타이타늄의 합금, 알루미늄과 니켈의 합금, 알루미늄과 네오디뮴의 합금 등 알루미늄을 포함한 합금(알루미늄 합금), 및 은과 구리의 합금, 은과 팔라듐과 구리의 합금, 은과 마그네슘의 합금 등 은을 포함한 합금을 사용할 수 있다. 은과 구리의 합금은 내열성이 높기 때문에 바람직하다. 또한, 알루미늄 합금막과 접하도록 금속막 또는 금속 산화물막을 적층함으로써 알루미늄 합금막의 산화를 억제할 수 있다. 상기 금속막 또는 금속 산화물막의 재료의 예로서는 타이타늄 및 산화 타이타늄을 들 수 있다. 또는, 상술한 투광성을 갖는 재료 중 어느 것을 포함한 막과, 상술한 금속 재료 중 어느 것을 포함한 막을 포함하는 적층을 사용하여도 좋다. 예를 들어, 은과 산화 인듐 산화 주석을 포함한 적층막, 또는 은 마그네슘 합금과 산화 인듐 산화 주석을 포함한 적층막 등을 사용할 수 있다.
이러한 전극은 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의하여 형성한다. 잉크젯법 등의 토출법, 스크린 인쇄법 등의 인쇄법, 또는 도금법을 사용하여도 좋다.
EL층(235)은 발광성 유기 화합물을 포함한 층(이하에서 발광층이라고도 부름)을 적어도 포함하고, 단층이어도 좋고, 복수의 층을 포함하는 적층이어도 좋다. 복수의 층이 적층된 구성의 일례로서는, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층이 양극 쪽으로부터 이 순서로 적층된 구성을 들 수 있다. 또한, 발광층을 제외한 이들 층 모두는 EL층(235)에 반드시 제공할 필요는 없다. 또한, 이들 층 각각은 2층 이상으로 제공하여도 좋다. 구체적으로는, EL층(235)에서, 복수의 발광층을 서로 중첩시켜도 좋고, 다른 정공 주입층을 상기 전자 주입층과 중첩시켜도 좋다. 또한, 중간층으로서 전하 발생층 외에 전자 릴레이층 등 다른 구성 요소를 추가하여도 좋다. 또는, 상이한 색을 나타내는 복수의 발광층을 적층하여도 좋다. 예를 들어, 보색 관계의 광을 사출하는 2개 이상의 층을 적층하여 백색 발광을 얻을 수 있다.
EL층(235)은 진공 증착법, 잉크젯법이나 디스펜스법 등의 토출법, 또는 스핀 코팅법 등의 도포법에 의하여 형성할 수 있다.
<접착층 및 밀봉층>
접착층 및 밀봉층으로서, 예를 들어 실온에서 경화될 수 있는 2액 혼합형 수지(two-component-mixture type resin), 열 경화 수지, 또는 광 경화 수지 등의 경화성 재료나, 겔을 사용할 수 있다. 예를 들어, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘(silicone) 수지, 페놀 수지, 폴리이미드, 폴리바이닐클로라이드(PVC), 폴리바이닐뷰티랄(PVB), 또는 에틸렌바이닐아세테이트(EVA)를 사용할 수 있다. 특히, 에폭시 수지 등 투습성이 낮은 재료가 바람직하다.
접착층 및 밀봉층에 건조제가 포함되어도 좋다. 예를 들어, 알칼리 토금속의 산화물(예를 들어 산화 칼슘 또는 산화 바륨) 등, 화학 흡착에 의하여 수분을 흡착하는 물질을 사용할 수 있다. 또는, 제올라이트 또는 실리카 겔 등, 물리 흡착에 의해 수분을 흡착하는 물질을 건조제로서 사용하여도 좋다. 건조제를 조명 장치에 사용하는 경우에는, 입자상의 건조제를 채용하면, 상기 건조제에 의하여 발광 소자(240)로부터 사출되는 광이 난반사되기 때문에, 신뢰성이 높으며 시야각 의존성이 개선된, 특히 조명 등에 유용한 발광 장치를 실현할 수 있다.
<트랜지스터>
표시부(201), 주사선 구동 회로(202), 및 신호선 구동 회로(203)에 포함되는 트랜지스터의 구조에 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 스태거형 트랜지스터 또는 역 스태거형 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 또한, 톱 게이트 트랜지스터 또는 보텀 게이트 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 트랜지스터에 사용되는 반도체 재료로서는, 예를 들어 실리콘, 저마늄 등의 반도체 재료, 인듐, 갈륨, 및 아연 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체, 또는 유기 반도체를 사용하여도 좋다. 인듐, 갈륨, 및 아연 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체의 대표적인 예로서는 In-Ga-Zn계 금속 산화물을 들 수 있다. 실리콘보다 밴드 갭이 넓고 캐리어 밀도가 낮은 산화물 반도체를 사용하면, 오프 전류가 낮은 트랜지스터를 얻을 수 있고 나중에 형성되는 발광 소자의 오프 상태의 누설 전류를 저감할 수 있어 바람직하다. 또한, 트랜지스터에 사용하는 반도체의 결정성에 특별한 제한은 없고, 비정질 반도체, 또는 결정성을 갖는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 또는 결정 영역을 부분적으로 포함한 반도체)를 사용하여도 좋다. 결정성을 갖는 반도체를 사용하면, 트랜지스터 특성의 열화를 저감할 수 있어 바람직하다.
<컬러 필터 및 블랙 매트릭스>
컬러 필터(221)는, 발광 소자(240)로부터 사출되는 광의 색을 조절하고 색순도를 높이기 위하여 제공된다. 예를 들어, 백색 발광 소자를 사용한 풀 컬러 표시 장치에는 상이한 색의 컬러 필터가 제공된 복수의 화소를 사용한다. 이 경우, 컬러 필터는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3색이어도 좋고, 4색(상술한 3색에 황색(Y)을 추가함)이어도 좋다. 또한, R, G, B(및 Y) 화소에 백색(W) 화소를 추가하여도 좋다. 즉, 4색(또는 5색)의 컬러 필터를 사용하여도 좋다.
블랙 매트릭스(222)는 인접한 컬러 필터(221)들 사이에 제공된다. 블랙 매트릭스(222)는, 인접한 화소의 발광 소자(240)로부터 사출되는 광으로부터 화소를 보호함으로써, 인접한 화소들 간의 혼색을 방지한다. 단부가 블랙 매트릭스(222)와 중첩되도록 컬러 필터(221)를 제공하면, 광 누설을 저감할 수 있다. 블랙 매트릭스(222)는 발광 소자(240)로부터 사출되는 광을 블로킹하는 재료(예를 들어 금속, 또는 안료를 포함하는 유기 수지)를 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 블랙 매트릭스(222)는 예를 들어 주사선 구동 회로(202) 등 표시부(201) 이외의 영역에 제공하여도 좋다.
컬러 필터(221) 및 블랙 매트릭스(222)를 덮는 오버코트를 형성하여도 좋다. 오버코트는 컬러 필터(221) 및 블랙 매트릭스(222)를 보호하고, 이들에 포함되는 불순물이 확산되는 것을 억제한다. 오버코트는 발광 소자(240)로부터 사출되는 광을 투과시키는 재료(예를 들어 무기 절연막 또는 유기 절연막)를 사용하여 형성할 수 있다.
[조명 장치의 구성예]
본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 다른 예로서, 유기 EL 소자를 포함하는 조명 장치의 구성예에 대하여 이하에서 설명한다. 또한, 상술한 것과 같은 부분은 여기서는 설명하지 않는다.
도 5의 (A)는 본 실시예에서 설명하는 발광 장치(500)의 상면 개략도이다. 도 5의 (B)는 도 5의 (A)의 절단선 E-F를 따른 단면 개략도이다. 발광 장치(500)는 톱 이미션 구조를 갖는 조명 장치이다. 조명 장치는 도 4에 도시된 바와 같은 보텀 이미션 구조를 가져도 좋다.
조명 장치(500)에서, 제 1 층(103) 및 제 2 층(104)을 포함한 피박리층(110)이 접착층(132)을 개재하여 가요성 기판(254) 위에 제공된다. 또한, 제 2 층(104) 위에 발광 소자(240)가 제공된다. 또한, 밀봉층(252)을 개재하여 발광 소자(240) 위에 가요성 기판(253)이 제공된다.
제 2 층(104) 위에서 기판(253)과 중첩되지 않는 위치에, 발광 소자(240)의 제 1 전극(233)에 전기적으로 접속되는 추출 전극(503) 및 제 2 전극(237)에 전기적으로 접속되는 추출 전극(507)이 제공된다.
도 5의 (B)는 추출 전극(503) 및 추출 전극(507)이, 같은 표면 위에 제 1 전극(233)과 같은 도전막을 가공하여 형성된 경우를 도시한 것이다. 도 5의 (B)에서 제 1 전극(233)의 일부가 추출 전극(503)을 구성한다.
제 2 전극(237)은, 제 1 전극(233) 및 추출 전극(507)의 단부를 덮는 절연층(509)을 넘어 연장되어 추출 전극(507)과 접함으로써, 추출 전극(507)에 전기적으로 접속된다.
또한, 추출 전극(503) 및 추출 전극(507)을, 제 1 전극(233)의 도전막과 다른 도전막을 사용하여 다른 공정에서 형성하여도 좋다. 이 때, 상기 도전막은 구리를 포함하면 도전성을 높일 수 있어 바람직하다.
절연층(509)은, 제 2 전극(237)과 제 1 전극(233) 사이의 단락을 피하기 위하여 제 1 전극(233)의 단부를 덮는다. 절연층(509)의 상단부 또는 하단부는, 절연층(509) 위에 형성되는 제 2 전극(237)에 의하여 적절히 덮일 수 있도록, 예를 들어 0.2μm 이상 3μm 이하의 곡률 반경을 갖는 곡면을 갖는 것이 바람직하다. 절연층(509)의 재료로서는, 네거티브형 감광성 수지나 포지티브형 감광성 수지 등의 유기 화합물, 또는 산화 실리콘이나 산화질화 실리콘 등의 무기 화합물을 사용할 수 있다.
도 5의 (A) 및 (B)에 도시된 바와 같이, 발광 소자(240)와 대향하지 않는 기판(253) 표면에는 렌즈 형상의 돌출부들이 형성되는 것이 바람직하다. 이 돌출부들은, 기판(253)과 외부(공기)의 계면에서, 발광 소자(240)로부터 사출되는 광의 전반사가 발생하는 것을 억제하기 위하여 형성된다. 굴절률이 높은 재료를 사용하여 형성되는 렌즈 어레이, 마이크로렌즈 어레이, 확산 시트, 또는 확산 필름 등을 기판(253)의 표면에 제공할 수 있다. 특히, 마이크로렌즈 어레이를 사용하면, 광 추출 효율을 효율적으로 향상시킬 수 있고, 시야각 의존성도 향상시킬 수 있기 때문에, 균일한 발광 휘도를 갖는 조명 장치를 구현할 수 있다.
기판(253)의 표면에 돌출부들을 형성하는 방법으로서는, 포토리소그래피법, 나노 임프린트법(nano-imprinting method), 또는 샌드블라스트(sandblasting method) 등을 채용할 수 있다.
여기서, 기판(253)의 굴절률은 밀봉층(252)의 굴절률 이상인 것이 바람직하다. 즉, 재료가 발광 소자(240)로부터 멀어질수록 더 높은 굴절률을 갖도록, 굴절률을 설정하는 것이 바람직하다. 이 구조로 함으로써, 층들의 각 계면에서의 전반사의 발생을 방지하여, 실질적으로 발광 소자(240)로부터 사출되는 모든 광을 추출할 수 있다.
상술한 내용이 본 구성예의 설명이다.
본 실시형태에 따른 표시 장치는 가요성 및 신뢰성의 양쪽이 높다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에서 설명하는 다른 실시형태 및 실시예 중 어느 것과 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 박리 방법에 관련한 박리 메커니즘에 대하여 설명한다.
[박리 개소의 검토]
본 발명의 일 형태에 따른 박리 방법에서, 박리층과 피박리층 사이의 산화물층에서 박리가 생긴다. 이 때, 박리 메커니즘을 조사함에 있어서, 박리층과 산화물층의 계면, 산화물층과 피박리층의 계면, 및 산화물층 내부의 세 군데 중 어느 개소에서 결합이 가장 끊어지기 쉬운지를 조사하는 것이 중요하다. 어느 개소에서 박리가 생기기 쉬운지를 조사하기 위하여 상기 세 군데의 각 결합 에너지를 어림잡았다.
본 실시형태에서, 박리층은 텅스텐(W)막, 피박리층은 산화 실리콘(SiO2)막으로 가정한다. W은 4가의 W의 산화물인 WO2 및 6가의 W의 산화물인 WO3의 두 가지 상태가 되기 쉬우므로, 산화물층은 이 두 가지 상태를 갖는 산화물인 것으로 가정한다.
도 6의 (A)는 계산에 사용되는 박리 개소를 도시한 것이다. 도 6의 (A)에 도시된 구성에서, 4가의 텅스텐의 산화물인 WO2 및 6가의 텅스텐의 산화물인 WO3은 W 및 SiO2 사이에 포함된다.
도 6의 (A)에서, 박리에 의하여 결합이 끊어질 수 있는 개소는, (1)SiO2/WO2 계면, (2)SiO2/WO3 계면, (3)WO2 내부, (4)WO3 내부, (5)WO2/WO3 계면, (6)WO2/W 계면, (7)WO3/W 계면의 일곱 군데가 있다. 각 개소의 결합 에너지는 이하에서 설명하는 바와 같이 계산하였다.
계산 모델로서는 클러스터 모델을 사용하였다. 도 6의 (B)는 클러스터 모델의 일례를 나타낸 것이다. 도 6의 (B)는 SiO2와 WO2 사이의 결합 에너지의 계산에 사용되는 클러스터 모델을 나타낸 것이다. 도 6의 (B)에 나타낸 클러스터 모델에서, Si 및 W에 결합된 산소 원자가 수소 원자(H)로 종단된다. 클러스터 모델에서, Si과 W을 가교하는 산소 원자를 개재하여, Si원자 측(A) 및 W원자 측(B)의 두 군데의 결합 에너지를 계산한다.
결합 에너지를 계산하기 위하여, 밀도범함수 이론을 사용하여 구조 최적화 및 진동 해석을 수행하였다. 범함수로서는 B3LYP를 사용하였다. 전하는 0, 스핀 다중도에는 일중항 상태, 이중항 상태, 및 오중항 상태를 고려하였다. 또한, 모든 원자에 LanL2DZ를 기저함수로서 사용하였다. 또한, 양자 화학 계산 프로그램으로서는 Gaussian 09를 사용하였다. 계산에는 하이 퍼포먼스 컴퓨터(Altix 4700, SGI Japan, Ltd.제조)를 사용하였다. 계산한 결합 에너지에는 영점 보정을 추가하였다.
또한, 클러스터 모델에서, 가교하는 산소 원자 이외의 원자는 높은 움직임 자유도를 갖고, 에너지를 안정화시키도록 위치한다. 그러나 실제로는, 이들 원자는 인접한 원자에 의하여 자유롭게 움직일 수는 없다. 따라서, 움직임 자유도의 차이에 의하여, 클러스터 모델과 실제의 시스템 사이에서 에너지 값에 약간의 차이가 있을 수 있다는 것을 알 필요가 있다.
6가의 W원자를 갖는 WO3 및 4가의 W원자를 갖는 WO2 각각에서 W원자 및 O원자 사이의 결합 에너지를 계산한 것을 도 7에 나타내었다. 특별히 명시되지 않는 한, 이하의 설명에서는 O원자의 댕글링 본드(dangling bond)가 H원자로 종단된 클러스터 모델을 사용한다.
도 7에 따르면, 4가의 W원자를 갖는 산화물에서의 W-O 결합의 결합 에너지는 6가의 W원자를 갖는 산화물에서의 W-O 결합의 결합 에너지보다 작다. 이는, 6가의 W원자를 갖는 산화물에서의 W-O 결합이 끊어지기 쉬운 것을 뜻한다.
도 8은 도 6의 (A)에 나타낸 개소들을 고려하여 계산한 결합 에너지를 나타낸 것이다.
도 8은, (1)SiO2/WO2 계면에서는 Si-O 결합(A) 에너지는 W-O 결합(B) 에너지보다 작고, (2)SiO2/WO3 계면에서는 B는 A보다 작다는 것을 가리킨다. (1)에서는 (2)에서보다 Si과의 결합 에너지가 작으므로, (1)에서 박리가 생기기 쉽다는 것을 가리킨다.
(5)WO2/WO3 계면에서의 W-O 결합(B) 에너지는 1.09eV이며 (3)WO2 내부, (4)WO3 내부, 및 (5) 중에서 가장 작다. 이는, WO3 및 WO2이 혼합된 산화물층에서 박리가 생기기 쉽다는 것을 가리킨다. (5)에 관해서는, 4가의 W원자를 갖는 산화물에서의 W-O 결합(A) 에너지는 도 7에 나타낸 것보다 크고, 6가의 W원자를 갖는 산화물에서의 W-O 결합(A) 에너지는 도 7에 나타낸 것보다 작다. 이는 전자가 4가의 W원자를 갖는 산화물에 끌리기 때문일 가능성이 있다. 따라서, O원자와 6가의 W원자 사이의 결합은 O원자와 4가의 W원자 사이의 결합보다 끊어지기 쉽다.
(6)WO2/W 계면의 W-O 결합 에너지는 1.46eV이며, (7)WO3/W 계면의 W-O 결합 에너지보다 작다. 이는 (6)에서 박리가 생기기 쉽다는 것을 가리킨다.
상기 결과는, W원자들이 O원자로 가교된 W-O-W 결합은 4가의 W원자가 산화물층에 포함되는 경우에 끊어지기 쉽다는 것을 보여준다. 이는, WO2/WO3 계면 및 WO2/W 계면에서 박리가 생기기 쉽다는 것을 가리킨다. 즉, 산화물층이 WO2를 많이 포함할 때 박리가 생기기 쉽다.
따라서, 박리성을 향상시키기 위해서는, WO3이 WO2로 환원되어 산화물층 중의 WO2의 함유량이 증가되는 것이 중요하다.
본 발명의 일 형태에 따른 박리 방법에서는, 가열 처리에 의하여 수소가 방출되는 제 1 층 및 제 2 층을 사용하여 산화물층 위의 피박리층을 형성한다. 또한, 가열 처리에 의하여 피박리층으로부터 방출된 수소에 의하여 산화물층 중의 WO3이 환원되어, 산화물층은 높은 WO2 함유량을 가질 수 있다. 결과적으로 박리성을 향상시킬 수 있다.
[질소(N) 원자의 효과]
상술한 바와 같이, 박리 시에 W-O 결합이 가장 끊어지기 쉽다. 이를 감안하여, W원자들을 가교하는 O원자가 N원자로 치환된 경우의 결합 에너지를 해석한다.
여기서, W원자들을 가교하는 O원자 대신에 NH기를 도입한 경우의 W-N 결합의 결합 에너지를 계산하였다.
6가의 W원자를 갖는 WO3에서 하나의 O원자가 NH기로 치환된 클러스터 모델과, 4가의 W원자를 갖는 WO2에서 하나의 O원자가 NH기로 치환된 클러스터 모델을 도 9의 위쪽 부분에 나타내었다. WO2 및 WO3 각각의 W-O 결합 에너지 및 W-N 결합 에너지를 계산하였다.
도 9에 따르면, 가수(valence)에 상관없이 W-N 결합의 결합 에너지는 W-O 결합의 결합 에너지보다 작다. 또한, W-O 결합 에너지는, N원자가 도입되지 않은 도 7에서의 모델의 결합 에너지보다 작다. 즉, 이는 W-N 결합뿐만 아니라 W-O 결합도 N원자를 도입함으로써 끊어지기 쉬워지는 것을 가리킨다.
다음에, 도 6의 (A)에 나타낸 (3)WO2 내부, (4)WO3 내부, 및 (5)WO2/WO3 계면을 상정한 클러스터 모델 각각에서 가교하는 O원자가 NH기로 치환된 경우의 W-N 결합을 계산한 결과를 도 9의 아래쪽 부분에 나타내었다.
W원자들이 NH기로 가교된 경우에도, 도 9에 나타낸 W-O 결합 에너지의 대소 관계는 도 8에 나타낸 것과 같다. (4)에 관해서는, W원자가 NH기로 가교된 경우의 결합 에너지는 W원자들이 O원자로 가교된 경우의 결합 에너지보다 작다. 특히, (5)에 관하여, 6가의 W원자를 갖는 산화물에서의 W-O 결합(B)은 0.42eV로 매우 작은 결합 에너지를 갖는다.
상기 결과는, W원자들을 가교하는 O원자를 N원자로 치환함으로써 결합이 더 끊어지기 쉬워진다는 것을 보여준다. 이는, 산화물층에 질소를 공급함으로써 박리가 생기기 더 쉬워지는 것을 가리킨다.
따라서, 박리성을 향상시키기 위해서는 산화물층에 많은 질소 원자를 공급하는 것이 중요하다.
본 발명의 일 형태에 따른 박리 방법에서는, 산화물층 위에 제공되는 피박리층으로서, 가열에 의하여 질소가 방출되는 제 1 층과, 질소가 외부로 방출되는 것을 억제(즉 질소의 방출을 블로킹)하는, 제 1 층 위의 제 2 층을 제공한다. 또한, 가열 처리에 의하여 피박리층으로부터 방출된 다량의 질소가 산화물층에 공급되어, 산화물층은 다량의 질소를 포함할 수 있다. 결과적으로 박리성을 향상시킬 수 있다.
[물 주입 시의 박리성 향상의 검토]
실시형태 1에서 설명한 바와 같이, 박리 시에 물을 포함한 액체를 박리 계면에 첨가하고 액체가 박리 계면에 침투함으로써 박리성이 향상된다. 박리에 있어서의 물의 역할에 대하여 이하에서 설명한다.
[액체의 종류와 박리성의 관계]
박리 시에 주입하는 액체의 종류에 따라 박리에 요구되는 힘이 달라지는지 살피는 평가를 수행하고 그 평가 결과에 대하여 설명한다.
박리에 요구되는 힘은 도 10에 도시된 지그(jig)를 사용하여 평가하였다. 도 10에 도시된 지그는 복수의 가이드 롤러(154) 및 복수의 서포트 롤러(153)를 포함한다. 지지 기판(101) 위에 형성된 피박리층을 포함한 층(150) 위에 테이프(151)를 부착시키고 미리 테이프(151)의 단부를 부분적으로 박리한다. 그리고, 테이프(151)가 서포트 롤러(153)에 걸리도록 지지 기판(101)을 지그에 고정하고, 지지 기판(101)에 대하여 수직으로 테이프(151) 및 피박리층을 포함한 층(150)을 배치한다. 지지 기판(101)에 대하여 수직으로 테이프(151)를 당겨 피박리층을 포함한 층(150)을 지지 기판(101)으로부터 박리할 때에, 수직 방향으로 당기기 위하여 요구되는 힘을 측정함으로써, 박리에 요구되는 힘을 측정할 수 있다. 박리하는 동안, 박리층(102)이 노출된 상태에서 지지 기판(101)은 가이드 롤러(154)를 따라 면 방향으로 이동한다. 서포트 롤러(153) 및 가이드 롤러(154)는, 피박리층을 포함한 층(150) 및 지지 기판(101)이 이동 시의 마찰에 영향받지 않도록 회전할 수 있다.
사용된 샘플은 이하와 같이 제작하였다. 우선, 플라즈마 CVD법에 의하여 유리 기판 위에 두께 약 100nm의 산화질화 실리콘막을 형성하고, 그 후에 스퍼터링법에 의하여 박리층으로서 두께 약 50nm의 W막을 형성하였다. 다음에, 제 1 층으로서 두께 약 600nm의 산화질화 실리콘막을 형성하고 제 2 층으로서 두께 약 50nm의 질화산화 실리콘막을 형성하고 나서, 이 질화산화 실리콘막 위에 두께 약 100nm의 산화질화 실리콘막과 두께 약 66nm의 실리콘막을 형성하였다. 그 후, 650℃로 6분간 가열 처리를 수행하였다. 이어서, 실리콘막을 레이저광으로 조사하여 폴리실리콘을 형성하고, 게이트 절연막, 게이트 전극, 층간 절연층, 소스 전극, 드레인 전극, 층간 절연층, 및 전극 등을 형성하여 트랜지스터를 제작하였다. 650℃로 6분간 수행되는 상기 가열 처리 후의 공정에 있어서는, 650℃ 이상의 온도의 공정은 수행되지 않는다.
상술한 바와 같이 하여, 유리 기판 위에 박리층 및 피박리층이 제공된 샘플을 제작한다.
다음에, 지지 기판을 20mm×126.6mm의 크기로 분단하고, 테이프(151)로서 UV 필름(UHP-0810MC, DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA제조)을 테이프 마운터에 의하여 분단된 지지 기판에 부착시켰다. 그리고, UV 필름의 단부의 약 20mm를 박리하고 샘플을 지그에 고정하였다.
박리 시험에는, 소형 탁상 만능 시험기(EZ-TEST EZ-S-50N, Shimadzu Corporation제조)를 사용하였다. 박리 시험에는, 일본 공업 규격(JIS)의 규격 번호 JIS Z0237에 준거한 접착 테이프/접착 시트 시험 방법을 채용하였다. 또한, 샘플을 지그에 고정한 후에 박리되는 부분에 액체를 적하하였다.
도 11은 박리 시에 공급되는 액체의 종류를 바꾸어 측정한 박리에 요구되는 힘을 나타낸 것이다.
측정에 사용하는 액체는 물/수용액, 프로톤성 극성 용매, 비프로톤성 극성 용매, 무극성 용매의 4종류로 대별된다. 물/수용액으로서는 순수, CO2 수용액, HCl 수용액, 및 NaHCO3 수용액을 사용하였다. 프로톤성 극성 용매로서는, 개미산(formic acid), 에탄올, 메탄올, 2-프로판올, 에틸렌 글라이콜, 및 아닐린을 사용하였다. 비프로톤성 극성 용매로서는, 아세톤, 아세토나이트릴, DMSO, DMF, 아세트산 에틸, N-메틸피롤리돈, 클로로폼, 및 이온 액체인 N-메틸-N-n-펜틸피롤리디늄 비스(트라이플루오로메틸설폰일)이미드를 사용하였다. 무극성 용매로서는, 톨루엔, 헥산, 플루어리너트(등록상표), 및 벤젠을 사용하였다. 또한, 비교예를 위하여 액체를 주입하지 않는 박리에 요구되는 힘을 측정하였다.
도 11에 나타낸 결과에 따르면, 물을 포함한 액체인 물/수용액을 사용한 박리에 요구되는 힘은, 액체를 사용하지 않은 경우에 비하여 낮은, 즉 박리성이 향상될 경향이 있다. 한편, 프로톤성 극성 용매, 비프로톤성 극성 용매, 및 무극성 용매의 순서로 박리에 요구되는 힘이 크게 될 경향이 있다. 특히, 무극성 용매의 사용은 박리성에 대하여 역효과를 갖는다.
이들 결과는, 박리 표면에 액체를 주입함으로써 박리성을 향상시킬 때 수소 이온의 존재가 관련되는 것을 가리킨다. 특히, 물이나 수용액계의 액체가 선택된 경우에 수소 이온의 존재가 더 효율적으로 작용할 가능성이 있다.
<물 분자의 효과>
물 분자를 주입한 경우의 박리 공정을 평가함으로써 얻어지는, 물 분자와 박리성의 관계의 해석 결과에 대하여 이하에서 설명한다.
상술한 바와 같이, WO2의 계면보다 WO3의 계면에서 박리가 더 생기기 어려울 가능성이 있다. 따라서, WO2보다 결합 에너지가 높은 WO3에서의 W-O 결합 에너지에 중점을 두고 계산하였다.
도 12의 (A)는 계산에 사용한 모델을 나타낸 것이다. WO3 결정 구조에서의 (001)면에서 박리가 생긴다. 여기서, 주목하는 2개의 W원자들을 가교하는 O원자에서 박리가 생기고 도 12의 (A)의 왼쪽으로부터 박리가 진행되는 경우를 생각한다. 도 12의 (A)에서 O원자의 왼쪽에서는 위층 및 아래층이 분단되어 있는 한편, 도 12의 (A)에서 O원자를 포함한 오른쪽에서는 위층과 아래층이 결합되어 있다. 여기서, 파선으로 둘러싼 물 분자는 주목하는 O원자와 가까이 위치한다.
다음에, 검토한 박리 공정에 대하여 설명한다. 물 분자가 존재하지 않는 경우에는, 도 12의 (B)에 나타낸 바와 같이 박리 시에, O원자가 W원자들을 가교하는 W-O 결합이 쪼개진다. 쪼개진 후에 W원자들 및 O원자는 댕글링 본드를 갖지만, 이 댕글링 본드를 종단하는 원자는 존재하지 않는다.
한편, 도 12의 (C)에 나타낸 바와 같이 물 분자가 존재하는 경우에는, 박리 전에 물 분자는 W원자들을 가교하는 O원자와 수소 결합을 형성할 것이다. 수소 결합이 형성됨으로써, 가교하는 O원자는 수소 결합이 형성되지 않는 경우에 비하여 더 음으로 대전되고, 수소 결합에 관여한 하나의 H원자는 다른 하나의 H원자에 비하여 더 양으로 대전된다. 그 결과, O원자 및 H원자는 서로 정전적으로 작용하여 완화 효과를 일으켜, W-O 결합이 약해질 가능성이 있다. 또한, W-O 결합은 박리에 의하여 쪼개지고 W원자 및 O원자는 댕글링 본드를 갖지만, 이 댕글링 본드는 물 분자에서 유래하는 H기 및 OH기에 의하여 종단될 것이다. 이 종단에 의하여 2개의 OH기의 입체 효과가 생겨, 쪼개질 W-O 결합을 약하게 할 가능성이 있다.
상술한 바와 같이, 박리에 있어서의 물 분자의 역할로서는, 박리 전의 정전적인 상호 작용에 의한 완화 효과 및 박리 후의 OH기들의 입체 효과 등을 들 수 있다. 이하의 설명에서는, 이들 효과에 의하여 박리가 생기기 쉬워지는 가정을 증명한다.
계산에는 양자역학/분자역학법(quantum mechanics/molecular mechanics method)의 하나인 ONIOM법을 사용하였다. 도 12의 (A)의 계산 모델에서 원자를 동그라미로 나타낸 QM 영역에는 밀도범함수 이론을 사용하고, 범함수로서 B3LYP를 사용하고, 기저함수로서 LanL2DZ를 사용하였다. 원자를 막대기로 나타낸 MN 영역에는 힘의 장으로서 universal force field를 사용하였다. 전하는 0이고, 스핀 다중도에는 일중항 상태를 고려하였다.
우선, 물 분자가 존재할 때 및 물 분자가 존재하지 않을 때의 전하 분포 및 구조의 변화를 해석하였다. 도 13의 (A) 및 (B)는, 물 분자가 존재하지 않을 때 및 물 분자가 존재할 때 각각의 가교 구조를 나타낸 것이다. 표 1은 도 13의 (A) 및 (B)에서 번호가 붙은 원자에서의 전하(Mulliken 전하) 분포를 나타낸 것이다.
Figure pat00001
표 1에 따르면, 박리 전의 가교 구조에서는 2로 나타낸 가교 원자(이하에서 2O)의 전하는 물 분자 때문에 음 방향으로 변동된다. 이는, 물 분자와 가교하는 O원자 사이에 수소 결합이 형성되고, 전자가 2O원자에 끌리는 것을 가리킨다. 또한, 가교 구조에서 1로 나타낸 원자(이하에서 1W)와 2O의 결합 길이에 관하여, 도 13의 (A) 및 (B)에 나타낸 바와 같이, 물 분자가 존재할 때의 결합 길이는 물 분자가 존재하지 않을 때의 결합 길이보다 길다.
상기 결과로부터, 물 분자 내의 4H원자와 가교하는 2O원자 사이의 수소 결합의 전자 밀도가 증가되면, 1W-2O 결합의 전자 밀도가 저하되기 때문에, 1W-2O 결합은 끊어지기 쉬워질 것으로 추정된다. 이 결과는, 물 분자의 정전적인 상호 작용이 구조 완화를 일으킴으로써, 박리가 생기기 쉬워지는 것을 가리킨다.
다음에, OH기들의 입체 효과를 조사하였다. 댕글링 본드가 물 분자로부터의 H기 및 OH기로 종단되는 것으로 가정하면, 도 14의 (A)에 도시된 바와 같이, W원자의 댕글링 본드가 OH기들로 종단된 경우(오른쪽 도면)는 W원자들이 O원자로 가교되는 경우(왼쪽 도면)에 비하여, OH기들의 입체적인 반발에 의하여 위층과 아래층 사이의 거리가 길어질(즉 입체 효과) 것으로 추정된다.
도 14의 (B)는 해석된 구조 및 에너지 변화를 나타낸 것이다. 도 14의 (B)에서 타원으로 둘러싼 영역은 OH기들의 입체 효과를 갖는다. 도 14의 (B)의 아래 부분은, 입체 효과를 갖는 영역에 인접한 개소 및 이 영역으로부터 충분히 떨어진 개소의 가교 구조를 확대하여 나타낸 것이다.
이들 두 군데의 가교 구조를 비교하면, OH기들의 입체 효과는 W-W 결합 길이가 0.031nm 정도, W-O 결합 길이가 0.011nm 정도 각각 길어지는 것이 밝혀진다. 이는 W-O 결합이 약하고 끊어지기 쉽다는 것을 뜻한다. 또한, 입체 효과를 갖는 영역에 인접한 개소의 가교 구조에서는, 위층과 아래층이 입체 효과에 의하여 반대 방향으로 연장되어 시스템의 에너지가 0.95eV 정도 활성화되기 때문에, W-O 결합은 쪼개지기 쉬워진다.
상기 결과는, 댕글링 본드가 OH기들로 종단될 때 생기는 OH기들의 입체 효과에 의하여 박리가 생기기 쉬워지는 것을 가리킨다.
다음에, 댕글링 본드가 OH기들로 종단된다는 가정에 대하여 조사하였다. 여기서는, 물 분자가 존재할 때의 박리 공정에서 물 분자의 해리가 어떻게 일어나는지에 대하여 검토하였다. 해석한 반응 경로 및 에너지 다이어그램을 도 15에 나타내었다.
반응 경로로서는, 반응이 상태 1로부터 상태 2를 거쳐 상태 3으로 진행되는 도 15에서의 과정(process)을 검토하였다. 상태 1에서, 가교하는 O원자와 물 분자는 약한 상호 작용을 갖는다. 상태 2는 물 분자 내의 O원자가 W원자와 결합을 형성하고, 물 분자에서 유래하는 H원자가 가교하는 O원자 근방으로 이동하는 전이 상태이다. 상태 3에서, W-O 결합이 쪼개지고 W원자의 댕글링 본드가 OH기들로 종단되어 있다.
도 15의 아래 부분에서 나타낸 에너지 다이어그램에서, 상태 1은 기준으로서 사용된다. 박리 및 OH기들에 의한 종단이 동시에 일어나는 전이 상태인 상태 2에서, 활성화 에너지는 2.28eV이다. 활성화 에너지는 물 분자가 존재하지 않을 때의 박리 에너지(3.61eV)보다 낮고, 이는 물 분자에 의하여 박리가 생기기 쉬워지는 것을 가리킨다.
전이 후의 상태 3에서는 활성화 에너지는 2.06eV이고, 이는 상태 3이 상태 1만큼 안정적이지 않은 것을 뜻한다. 이는 OH기들의 입체 효과에 의할 것이다.
상기 결과는, 박리와 OH기들에 의한 댕글링 본드의 종단을 동시에 수행하는 것이 에너지의 관점에서는 유리하다는 것을 밝힌다. 상술한 물 분자의 역할에 의하여 박리 공정에서의 박리성이 향상될 것이다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에서 설명하는 다른 실시형태 및 실시예 중 어느 것과 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 박리 방법을 적용할 수 있는 박리 장치에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
[박리 장치의 구성예]
플렉시블 디바이스의 양산에 있어서, 대형 지지 기판을 사용하여 박막 집적 회로를 형성하고, 이 지지 기판으로부터 회로를 자동적으로 박리함으로써, 작업 시간의 단축, 제품의 제작 수율 향상, 및 제조 비용 삭감의 효과를 얻을 수 있다.
박막 집적 회로를 포함한 피박리층을 지지 기판으로부터 박리할 때, 피박리층에 미리 부착시킨 캐리어 테이프를 당긴다. 이 캐리어 테이프는 박리 후에 필요하지 않기 때문에 제거한다.
캐리어 테이프의 당김 및 제거에 의하여 캐리어 테이프에 힘이 가해질 때, 캐리어 테이프의 속도 또는 캐리어 테이프를 보내는 방향에 따라 박리 불량 및 박막 집적 회로의 크랙이 생길 수 있다.
캐리어 테이프에 가해지는 힘, 캐리어 테이프의 속도, 및 캐리어 테이프를 보내는 방향이 조절되는 박리 장치를 이용함으로써, 피박리층에 캐리어 테이프를 부착시키는 공정 및 캐리어 테이프를 박리하는 공정을 자동화한다. 도 16은 이들 공정을 자동화할 수 있는 박리 장치의 일례를 도시한 것이다.
도 16에 도시된 박리 장치는, 지지 기판을 반송하는 복수의 반송 롤러, 캐리어 테이프(601)를 보내는 테이프 릴(602), 캐리어 테이프(601)를 권취(捲取)하는 제 1 권취 릴(603), 캐리어 테이프(601)를 제 1 권취 릴(603)까지 안내하는 복수의 가이드 롤러(예를 들어 가이드 롤러(631, 632, 633)), 및 박막 집적 회로를 포함한 피박리층을 지지 기판으로부터 박리하는 제 1 프레스 롤러(606)를 적어도 포함한다.
도 16에 도시된 박리 장치에서는, 캐리어 테이프(601)의 접착면을 노출시키기 위하여, 캐리어 테이프(601)의 분리 테이프(세퍼레이트 필름이라고도 함)(600)를 제 2 권취 릴(613)에 의하여 당겨 박리한다.
분리 테이프(600)를 박리하여 노출된 캐리어 테이프(601)의 접착면은 제 2 프레스 롤러(605) 및 반송 롤러(644)에 의하여 지지 기판에 프레스된다.
박막 집적 회로를 포함한 피박리층을 지지 기판으로부터 박리할 때, 박막 집적 회로에서의 크랙 발생을 억제하기 위하여, 반송 롤러(644)에 의하여 판재를 반송하는 방향(즉 수평 방향)과, 제 1 프레스 롤러(606)에 의하여 변환되는 캐리어 테이프(601)를 보내는 방향 사이의 각도, 제 1 프레스 롤러(606)의 직경, 제 1 프레스 롤러(606)의 소재, 및 캐리어 테이프(601)의 속도 등이 중요하다.
또한 도 16에 도시된 박리 장치는, 캐리어 테이프(601)를 보내는 방향을 수평 방향으로 변환하는 롤러(607), 캐리어 테이프(601)를 되접어 꺾는(turn back) 방향으로 당기는 텐션 롤러(608), 및 캐리어 테이프(601)를 되접어 꺾는 위치에 배치된 제 1 쐐기 부재(611)를 포함한다.
박막 집적 회로를 포함한 피박리층을 캐리어 테이프(601)로부터 박리할 때, 박막 집적 회로에서의 크랙 발생을 억제하기 위하여, 캐리어 테이프(601)를 되접어 꺾는 예각, 캐리어 테이프(601)와 접하는 제 1 쐐기 부재(611)의 선단의 각도, 및 제 1 권취 릴(603)에 캐리어 테이프(601)를 권취하는 속도 등이 중요하다.
도 16에 도시된 박리 장치에서, 박막 집적 회로를 포함한 피박리층을 지지 기판으로부터 박리할 때, 피박리층의 노출된 면이 위쪽을 향하고, 박막 집적 회로를 포함한 피박리층을 테이블(637)과 접하지 않도록 반송하고, 테이블(637) 상에 배치한다.
테이블(637)과, 캐리어 테이프(601)를 보내는 방향을 수평 방향으로 변환하는 롤러(607) 사이에 제 1 캐리어 플레이트(610)가 배치된다. 제 1 쐐기 부재(611)는 캐리어 플레이트(610)에 고정된다. 제 2 쐐기 부재(612)는 테이블(637)에 고정된다. 캐리어 테이프(601)는 제 1 쐐기 부재(611)와 제 2 쐐기 부재(612) 사이의 공간을 통과하고 제 1 권취 릴(603)에 권취된다.
박리는 실행자가 손으로 수행할 수 있지만, 시간이 걸리고 또한 빠른 박리에는 기술이 요구된다. 따라서, 도 16에 도시된 박리 장치에 의하여 박리를 자동화할 필요가 있다. 도 16에 도시된 박리 장치에 의하여 자동화함으로써, 일정 속도로 기판을 반송하고 박리를 수행할 수 있고, 캐리어 테이프(601)에 균일하게 힘을 가할 수 있고, 박리 불량 및 박막 집적 회로에서의 크랙 발생을 억제할 수 있다.
바꿔 말하면, 본 발명의 일 형태는, 분리 테이프가 한쪽 면에 제공된 캐리어 테이프를 보내는 테이프 릴, 캐리어 테이프를 권취하는 제 1 권취 릴, 분리 테이프를 당겨 박리하고 캐리어 테이프의 접착면을 노출시키는, 테이프 릴과 제 1 권취 릴 사이의 제 2 권취 릴, 박막 집적 회로를 포함한 피박리층이 한쪽 면에 제공된 지지 기판을 반송하는 반송 수단, 및 박막 집적 회로를 포함한 피박리층을 지지 기판으로부터 분리하는 제 1 프레스 롤러를 적어도 포함하는 박리 장치이다.
상기 구성에서, 지지 기판을 반송하는 반송 수단으로서, 반송 롤러, 벨트 컨베이어, 또는 반송 로봇 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 테이프 릴과 제 1 프레스 롤러 사이에, 캐리어 테이프의 접착면에 지지 기판을 접착시키는 제 2 프레스 롤러가 제공된다. 지지 기판을 반송하면서 제 2 프레스 롤러에 의하여 캐리어 테이프 및 지지 기판에 균일하게 힘을 가할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서, 제 1 프레스 롤러와 제 1 권취 롤러 사이에, 캐리어 테이프를 보내는 방향을 수평 방향으로 변환하는 롤러가 제공된다. 캐리어 테이프를 보내는 방향을 수평 방향으로 변환하는 롤러와 제 1 프레스 롤러 사이의 캐리어 테이프 반송 방향은 수평 방향에 대하여 비스듬하다. 캐리어 테이프를 비스듬한 방향으로 반송함으로써, 캐리어 테이프에 접착된 박막 집적 회로를 포함한 피박리층은 블로우 드라이(blow dry)되어 불필요한 수분이 제거되므로, 워터마크의 발생을 억제할 수 있다. 박막 집적 회로는 정전적으로 민감하다. 따라서, 박막 집적 회로를 포함한 피박리층과 지지 기판의 계면에 미리 수분을 공급한 상태에서 박막 집적 회로를 포함한 피박리층을 지지 기판으로부터 박리하는 것이 바람직하다. 따라서, 지지 기판으로부터 박리한 직후에 박막 집적 회로를 포함한 피박리층을 블로우 드라이하고, 캐리어 테이프의 비스듬한 방향을 따라 아래로 기류를 흘려, 물을 떨어뜨리는 것이 효과적이다.
캐리어 테이프를 보내는 방향을 수평 방향으로 변환하는 롤러와 제 1 프레스 롤러 사이의 캐리어 테이프 반송 방향은 수평 방향과 수직일 수도 있다. 그러나, 그러한 경우, 캐리어 테이프는 불안정적이고 반송될 때 흔들린다. 따라서, 캐리어 테이프를 비스듬한 방향으로 반송하는 것은 효과적이다.
본 발명의 다른 일 형태는, 분리 테이프가 한쪽 면에 제공된 캐리어 테이프를 보내는 테이프 릴, 캐리어 테이프를 권취하는 제 1 권취 릴, 테이프 릴과 제 1 권취 릴 사이의, 캐리어 테이프를 보내는 방향을 수평 방향으로 변환하는 롤러, 캐리어 테이프를 되접어 꺾는 방향으로 당기는 롤러, 및 캐리어 테이프를 되접어 꺾는 위치에 배치된 제 1 쐐기 부재를 적어도 포함하는 박리 장치이다.
또한, 상기 구성에 있어서, 평면을 갖는 테이블 및 이 테이블에 고정된 제 2 쐐기 부재가 제공된다. 캐리어 테이프는 제 1 쐐기 부재와 제 2 쐐기 부재 사이의 공간을 통과하고 제 1 권취 릴에 권취된다. 또한, 캐리어 테이프로부터 박리된 박막 집적 회로를 포함한 피박리층은 평면을 갖는 테이블 상에 배치된다.
상기 구성에 있어서, 캐리어 테이프를 되접어 꺾는 방향은, 제 1 쐐기 부재가 고정된 캐리어 플레이트의 제 1 평면과 제 1 쐐기 부재의 테이퍼 부분 사이의 각도에 의하여 결정된다. 이 각도는 예각이다. 또한, 제 2 평면을 갖는 테이블 및 이 테이블에 고정된 제 2 쐐기 부재가 제공된다. 제 1 평면은 제 2 평면보다 높은 위치에 있다. 캐리어 테이프는 제 1 쐐기 부재와 제 2 쐐기 부재 사이의 공간을 통과하고 제 1 권취 릴에 권취된다. 또한, "제 1 평면은 제 2 평면보다 높은 위치에 있다"란, 단면에 있어서 제 1 평면 및 제 2 평면은 같은 면에 존재하지 않고 이들 사이에 단차가 형성되는 것을 뜻한다. 이들 사이에 단차가 형성되는 한, 위에서 볼 때 제 1 쐐기 부재 및 제 2 쐐기 부재는 서로 중첩되어도 되고 중첩되지 않아도 된다. 제 1 쐐기 부재 및 제 2 쐐기 부재가 서로 중첩되는 경우, 제 2 쐐기 부재의 선단은 제 1 쐐기 부재 아래에 위치한다.
또한, 상기 구성에 있어서, 테이퍼 릴과 제 1 권취 릴 사이에, 분리 테이프를 당겨 박리하여 캐리어 테이프의 접착면을 노출시키는 제 2 권취 릴, 박막 집적 회로를 포함한 피박리층이 한쪽 표면에 제공된 지지 기판을 반송하는 반송 수단, 및 박막 집적 회로를 포함한 피박리층을 지지 기판에 접착시키는 제 2 프레스 롤러가 제공된다.
상술한 박리 장치에서, 캐리어 테이프를 사용하여 판재인 유리 기판을 자동적으로 박리 및 제거할 수 있고, 그 후에 박막 집적 회로를 포함한 피박리층으로부터 캐리어 테이프를 자동적으로 분리하기 때문에, 작업 시간을 단축하고 제품의 제작 수율을 향상시킬 수 있다.
[공정예]
본 발명의 일 형태에 따른 박리 장치를 사용하여 지지 기판으로부터 피박리층을 분리하는 공정에 대하여 이하에서 설명한다.
우선, 지지 기판으로서 대형 유리 기판(401)을 준비한다. 기판이 크면 기판당 제품 수도 많아 제작 비용을 삭감할 수 있다. 유리 기판(401)의 크기는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 600mm×720mm의 크기의 유리 기판을 사용한다. 또한, 지지 기판은 유리 기판에 한정되지 않고, 반도체 웨이퍼, 동판, 또는 수지 기판 등을 사용할 수 있다.
다음에, 실시형태 1에서 설명한 방법에 의하여 유리 기판 위에 절연층(402)을 형성한다. 절연층(402)은, 나중에 형성되는 박리층(403)을 에칭할 때에 유리 기판(401)이 에칭되는 것을 방지하고, 질화 실리콘막, 산화 실리콘막, 질화산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막 중 하나 이상을 포함하는 적층 구조를 가질 수 있다.
박리층(403)을 형성한 후, 선택적으로 에칭하여 기판의 가장자리에서의 박리층(403)의 일부를 제거한다. 그리고, 피박리층(404)을 형성하고 그 위에 박막 집적 회로를 포함한 층(405)을 형성한다. 도 17의 (A)는 이 단계에서의 단면 개략도이고, 도 18의 (A)는 유리 기판(401)의 평면 개략도이다. 도 17의 (A)는 도 18의 (A)의 일점 쇄선 G-H를 따른 단면도이다.
본 실시형태에서는 나중의 공정에서 유리 기판(401)을 4개로 분단하는 예에 대하여 설명하기 때문에, 도 18의 (A)에 도시된 바와 같이 4개의 박리층(403)을 형성한다.
본 발명의 일 형태에 따른 박리 장치는 실시형태 1에서 설명한 박리 방법 이외의 박리 방법에 적용할 수 있다.
다음에, 스크라이버 또는 브레이커를 사용하여 유리 기판(401)을 4개로 분단한다. 이 후, 박막 집적 회로를 포함한 층(405)이 유리 기판(401)과 제 1 가요성 기판(406) 사이에 위치하도록 제 1 가요성 기판(406)을 배치한다. 또한 여기서는, 핫 프레스(열 압착)에 의하여 접착될 수 있는 프리프레그 시트를 제 1 가요성 기판(406)으로서 사용하는 경우를 설명한다. 또한, 제 1 가요성 기판(406)은, 실시형태 1에서 설명한 접착층이 제공된 가요성 기판으로 치환할 수 있다.
제 1 가요성 기판(406)에는, 박막 집적 회로를 포함한 층(405)에 고정하기 위하여, 예를 들어 195℃로 2시간(30분의 승온 시간을 포함함)의 진공 핫 프레스를 수행한다. 또한, 진공 핫 프레스는, 제 1 가요성 기판(406)이 프레스 플레이트에 접착되는 것을 방지하기 위하여 제 1 가요성 기판(406)을 완충제들 사이에 끼워서 수행하는 것이 바람직하다.
다음에, 박리가 시작하는 홈(407)을 형성한다. 여기서, 홈(407)은 CO2 레이저(파장: 266nm) 장치를 사용하여 형성한다. 레이저 광에 의하여, 박리층(403)이 노출되는 홈(407)이 형성된다. 파장 266nm의 레이저 광을 사용하여 조사를 수행하는 경우, 금속막은 제거되지 않지만, 이 금속막 위의 절연막 등을 선택적으로 제거할 수 있다. 도 18의 (B)는 이 단계에서의 상면 개략도이고, 도 17의 (B)는 도 18의 (B)에서의 일점 쇄선 I-J를 따른 단면 개략도이다.
도 18의 (B)에 도시된 바와 같이, 레이저 광 조사에 의하여 박리층(403)의 가장자리 주위 전체에 홈(407)을 형성하지 않고, 박리층(403)의 네 모서리에 홈이 형성되지 않는 개소를 제공하는 것이 중요하다. 여기서, 인접한 2개의 홈은 이들 사이에 예를 들어 1cm 이상 2cm 이하의 거리를 갖는 것이 바람직하다. 레이저 광 조사에 의하여 박리층(403)의 가장자리 주위 전체에 홈을 형성하면, 이 직후에 박리가 시작하여 홈으로 둘러싸인 영역이 완전히 박리될 우려가 있다. 또한, 레이저 광 조사에 의하여 박리층(403)의 가장자리 주위 전체에 홈을 형성할 때 홈으로 둘러싸인 영역의 일부가 박리되면, 나중의 공정에서 서포터 필름을 접착시키기가 어려워질 수 있다.
다음에, 제 1 가요성 기판(406)에 서포터 필름(411)을 접착시킨다. 서포터 필름(411)의 한쪽 면에는 보호 시트가 제공된다. 보호 시트를 박리하여 서포터 필름(411)의 접착면을 노출시킨다. 본 실시형태에서는, 도 18의 (C)에 도시된 바와 같이, 서포터 필름(411)의 중앙이 노출되도록 서포터 필름(411)의 가장자리 주위에 보호 시트(412)를 남긴다. 도 17의 (C)는, 평면도인 도 18의 (C)의 쇄선 K-L을 따른 단면을 도시한 것이다. 또한, 보호 시트(412)는 홈(407)과 중첩되도록 접착시키는 것이 바람직하다. 도 17의 (D)에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 롤러(413, 414) 사이를 통과시킴으로써, 제 1 가요성 기판(406)에 서포터 필름(411)을 균일하게 접착시킬 수 있다.
또한, 서포터 필름(411)은 감압 편측 접착 테이프인 한 특별히 한정되지 않고, 폴리에틸렌 등으로 이루어진 막(예를 들어 PET 필름) 또는 폴리프로필렌 필름 등으로 이루어진 막일 수 있다. 서포터 필름(411)은 정전기 파괴를 방지할 뿐만 아니라, 박막 집적 회로를 포함한 층(405)의 지지체로서도 기능한다.
다음에, 도 17의 (E)에 도시된 바와 같이, 스포이트 또는 주사기의 형태인 주입기(415)를 사용하여 홈(407)에 수적(416)을 주입한다. 또한, 공급되는 수적(416)의 양이 작더라도, 나중의 박리 공정에서의 정전기 발생을 억제할 수 있다. 보호 시트(412)를 개재하여 서포터 필름(411)과 중첩되는 부분(즉, 홈(407)과 중첩되는 부분, 및 그 외측 영역)은 제 1 가요성 기판(406)에 접착되지 않는다. 수적(416)은, 보호 시트(412)와 제 1 가요성 기판(406) 사이의 공간에 주입기(415)에 의하여 주입한다. 또한, 수적(416)으로서 순수를 사용하면 박리성이 향상되어 바람직하다. 그러나, 정전기 파괴의 방지가 주된 목적인 경우에는 산성 용액 및 알칼리성 용액 등의 다른 용액을 사용할 수 있다.
또한, 필요하면 박리를 원활하게 하는 목적으로, 홈(407)에 수적(416)을 주입하기 전에 칼 등의 예리한 도구를 사용하여 홈(407)을 따라 압력을 가하는 전처리를 수행하여도 좋다.
다음에, 서포터 필름(411)이 제공된 유리 기판(401)을, 도 16에 도시된 박리 장치의 기판 로드 카세트(641)에 설치한다. 그 후에, 기판 반송 수단(도 16에 도시되지 않았음)을 사용하여 제 1 기판(401)을 제 1 반송 롤러(643) 상에 배치한다. 제 1 반송 롤러(643) 상의 유리 기판(401)은 제 2 반송 롤러(644) 및 제 3 반송 롤러(645)에 의하여 기판 언로드 카세트(642)에 반송된다.
각각이 배열된 반송 롤러들 중 하나인 제 1 반송 롤러(643), 제 2 반송 롤러(644), 및 제 3 반송 롤러(645)는 소정의 간격으로 제공되고, 유리 기판(401)의 반송 방향인 실선 화살표로 나타낸 시계바늘 방향으로 회전한다. 배열된 복수의 반송 롤러는 구동부(예를 들어 모터)(미도시)에 의하여 각각 회전된다. 또한, 반송 롤러에 한정되지 않고, 벨트 컨베이어를 사용하여도 좋다.
제 2 반송 롤러(644)에 의하여 유리 기판(401)이 반송되는 도중에, 도 19의 (A)에 도시된 바와 같이 서포터 필름(411)에 캐리어 테이프(601)가 접착된다. 캐리어 테이프(601)는 테이프 릴(602)로부터 풀리고, 복수의 가이드 롤러(631, 632, 633) 등에 의하여 제 1 권취 릴(603)까지 안내된다.
분리 테이프(600)(세퍼레이트 필름이라고도 함)는 테이프 릴(602)로부터 풀린 캐리어 테이프(601)로부터 박리되어 캐리어 테이프(601)의 접착면이 노출되고, 캐리어 테이프(601)는 서포터 필름(411)에 접착된다. 분리 테이프(600)는 가이드 롤러(634)를 통하여 제 2 권취 릴(613)에 의하여 당김으로써 박리한다. 또한, 접착면이 노출된 캐리어 테이프(601)는 되접혀 꺾이고, 구동부(예를 들어 모터)(미도시)에 의하여 회전되는 제 1 프레스 롤러(606)에 의하여 당겨지고 방향 전환 롤러(604)에 의하여 유리 기판(401)의 반송 방향과 실질적으로 같은 방향으로 이동된다.
도 19의 (A)에 도시된 바와 같이, 분리 테이프(600)를 박리함으로써 노출된 캐리어 테이프(601)의 접착면은, 제 2 프레스 롤러(605) 및 제 2 반송 롤러(644)에 의하여 서포터 필름(411)에 프레스된다.
서포터 필름(411)이 접착된 유리 기판(401)은, 제 1 프레스 롤러(606)와 물을 갖는 홈(407)이 중첩되는 위치에 복수의 반송 롤러에 의하여 반송된다. 유리 기판(401)을 프레스하면서 제 1 프레스 롤러(606)를 회전시킴으로써, 유리 기판(401)과 박리층(403) 사이의 접착력과, 캐리어 테이프(601)와 서포터 필름(411) 사이의 접착력의 차이에 의하여, 박막 집적 회로를 포함한 층(405)은 유리 기판(401)으로부터 박리된다.
또한, 박막 집적 회로를 포함한 층(405)과 서포터 필름(411) 사이의 접착력은 캐리어 테이프(601)와 서포터 필름(411) 사이의 접착력보다 강하다. 하지만, 박리 공정은 캐리어 테이프(601)의 접착력에 의존하지 않는다.
제 1 프레스 롤러(606)의 직경은 제 2 롤러(605)보다 크고, 예를 들어 30cm이면 좋다. 15cm 미만의 직경을 갖는 제 1 프레스 롤러(606)를 사용한 경우, 박막 집적 회로를 포함한 층(405)에 크랙이 형성될 우려가 있다. 또한, 제 1 프레스 롤러(606)는 유리 기판(401)이 파괴되지 않는 압력을 가한다. 본 실시형태에서는, 지지 기판인 유리 기판(401)의 두께는 0.7mm이고, 캐리어 테이프(601)의 두께는 0.1mm이다. 제 2 프레스 롤러(605)와 제 2 반송 롤러(644) 사이의 거리를 0.75mm 미만으로 설정하면 유리 기판(401)이 파손될 우려가 있다.
유리 기판(401)의 파손을 방지하기 위하여 제 1 프레스 롤러(606) 및 제 2 프레스 롤러(605)에는 고무 부재를 사용한다. 고무를 사용함으로써 금속을 사용하는 경우보다 더 균일하게 가압할 수 있다.
제 1 프레스 롤러(606)에 의하여 캐리어 테이프(601)가 되접혀 꺾이는 각도 α는 45° 이상 60° 이하이다. 본 실시형태에서는, 각도 α는 약 49°로 설정한다. 각도 α는 도 19의 (B)에 도시된 바와 같이, 제 1 프레스 롤러(606)와 접하는 캐리어 테이프(601)의 표면(하나의 가상 점선으로 나타낸 수평면)과, 되접혀 꺾인 후의 캐리어 테이프(601)의 표면(다른 하나의 가상 점선으로 나타냄) 사이의 각도이다. 또한, 도 19의 (B)에 2개의 가상 점선의 제 1 교점(651)을 나타내었다.
박리 공정에서는, 홈에 저장된 액체(바람직하게는 순수)가, 캐리어 테이프(601)의 반송과 동시에 모세관 현상에 의하여 박리층(403)과 피박리층(404)의 계면에 침투하여, 박리되는 면적이 확대된다. 홈에 저장된 액체는, 박리가 시작하는 부분에 생기는 정전기를 억제하는 기능도 갖는다.
박리 후에 유리 기판(401)으로부터의 분리가 완료될 때, 박막 집적 회로를 포함한 층(405)에는 액체가 잔존한다. 따라서, 수평면에 비스듬하게(바람직하게는 약 60°의 각도로) 유지된 상태에서 박막 집적 회로를 포함한 층(405)을 한 방향으로부터 블로우 드라이하여 액체를 떨어뜨린다. 도 16에서는, 블로우 드라이를 수행하는 건조 수단(614)과 캐리어 플레이트(609) 사이를 캐리어 테이프(601)가 비스듬한 방향으로 이동하는 예가 도시되었다. 캐리어 플레이트(609)는 캐리어 테이프(601)가 말리는 것을 방지하기 위하여 제공된다. 층(405) 상에 잔존하는 액체가 휘발되면 워터마크가 형성될 수 있기 때문에, 액체는 박리 직후에 제거하는 것이 바람직하다.
블로우 드라이 후, 캐리어 테이프(601)를 보내는 방향을 수평 방향으로 변환하는 롤러(607)에 의하여 캐리어 테이프(601)의 이동 방향을 비스듬한 방향으로부터 수평 방향으로 변환한다. 고무 부재를 갖는 제 1 프레스 롤러(606)와 달리, 롤러(607)는 금속으로 형성되어도 좋다. 롤러(607)의 직경은 제 1 프레스 롤러(606)의 직경보다 작아도 좋고, 예를 들어 약 20cm이면 좋다. 롤러(607)와 접하는 캐리어 테이프(601)의 표면(하나의 가상 점선으로 나타낸 수평면)과, 되접혀 꺾인 후의 캐리어 테이프(601)의 표면(다른 가상 점선으로 나타냄) 사이의 각도 β는 180°로부터 각도 α를 빼서 얻어진다. 본 실시형태에서 각도 β는 약 131°이다. 도 19의 (B)에서, 롤러(607)와 접하는 캐리어 테이프(601)의 표면(수평면)과, 되접혀 꺾인 후의 캐리어 테이프(601)의 표면을 나타내는 2개의 가상 점선의 제 2 교점(652)은 캐리어 테이프(601) 내에 위치한다.
도 19의 (B)에서, 유리 기판(401)으로부터의 층(405)의 박리 전에 수평 방향으로 이동하는 캐리어 테이프(601)와, 유리 기판(401)으로부터의 층(405)의 박리 후에 수평 방향으로 이동하는 캐리어 테이프(601) 사이의 거리(650)는 예를 들어 약 77cm이면 좋다. 또한, 제 1 교점(651)과 제 2 교점(652) 사이의 거리는 약 102.07cm이면 좋고, 이들 교점 사이의 수평 거리는 약 67cm이면 좋다.
박리 공정에서, 직경 30cm의 제 2 프레스 롤러(605)와 접하는 캐리어 테이프(601)를 비교적 느린 속도로 이동시킴으로써, 박리 잔존물이나 크랙 발생을 억제할 수 있다. 박리 잔존물이나 크랙 발생은 각도 α에도 의존하기 때문에, 각도 α는 상술한 범위인 것이 바람직하다.
박리 공정 후, 다시 수평 방향으로 이동하는 캐리어 테이프(601)를 캐리어 플레이트(610)에 고정된 제 1 쐐기 부재(611)의 선단에 접하게 하고, 제 1 쐐기 부재의 선단을 따라 캐리어 테이프(601)를 되접어 꺾음으로써, 박막 집적 회로를 포함한 층(405)을 캐리어 테이프(601)로부터 박리한다.
도 20의 (A)는 제 1 쐐기 부재(611)의 선단 및 그 주변의 확대도이다.
제 1 쐐기 부재(611)의 선단의 각도 γ는, 도 20의 (A)에 도시된 캐리어 플레이트(610)의 평면에 수평한 면(가상 점선으로 나타낸 면)에 대하여 90° 미만의 예각인 것이 바람직하다. 본 실시형태에서는, 각도 γ는 69°로 설정한다. 제 1 쐐기 부재(611)의 선단을 예리하고 얇게 하면, 실패 없이 캐리어 테이프(601)를 박리할 수 있다. 또한, 캐리어 테이프(601)는 제 1 쐐기 부재(611)의 선단으로 잘라지지 않는다. 제 1 쐐기 부재(611)의 선단의 각도 γ가 90° 이상의 둔각이면 캐리어 테이프(601)를 박리하기 어렵다.
캐리어 테이프(601)의 장력은 텐션 롤러(608)에 의하여 제어된다. 텐션 롤러(608)의 축은 상하로 이동할 수 있고, 캐리어 테이프(601)의 장력은 이 축의 위치에 의하여 제어할 수 있다. 제 1 쐐기 부재(611)의 선단을 따라 되접혀 꺾이고 층(405)이 박리된 후의 캐리어 테이프(601)는 가이드 롤러(635, 636)에 의하여 제 1 권취 릴(603)까지 안내된다.
캐리어 테이프(601)로부터 박리된 박막 집적 회로를 포함한 층(405)이 배치되는 평면을 갖는 테이블(637)에는 제 2 쐐기 부재(612)가 제공된다. 테이블(637)의 평면에 평행한 표면과 캐리어 플레이트(610)의 평면에 평행한 표면은 나란하지 않은 것, 즉 이들 표면의 높이가 같지 않은 것이 바람직하다. 이들 표면의 높이가 같으면, 박막 집적 회로를 포함한 층(405)이 캐리어 테이프(601)와 함께 되접혀 꺾일 수 있고, 캐리어 테이프(601)로부터 박리되지 않을 수도 있다. 본 실시형태에서는, 도 20의 (A)에 도시된 바와 같이, 캐리어 플레이트(610)와 테이블(637) 사이에 단차를 제공함으로써, 테이블(637)의 평면에 평행한 표면을 캐리어 플레이트(610)의 평면에 평행한 표면보다 낮게 한다. 이들 표면들 사이의 단차의 높이(653)를 2mm 정도로 설정하지만, 이에 한정되지 않는다. 이 단차의 높이(653)는 캐리어 테이프(601)의 두께 및 재료, 제 1 쐐기 부재(611)와 제 2 쐐기 부재(612) 사이의 거리(654) 등에도 관계가 있기 때문에, 이들 요소를 고려하여 적절히 설정한다.
본 실시형태에서는, 제 1 쐐기 부재(611)와 제 2 쐐기 부재(612) 사이의 거리(654)를 2mm로 설정하지만, 거리(654)는 이에 특별히 한정되지 않는다. 제 1 쐐기 부재(611) 및 제 2 쐐기 부재(612)의 높이가 다른 경우, 위에서 볼 때 이들이 부분적으로 서로 중첩되어도 좋다.
도 20의 (A)에 도시된 구성으로 함으로써, 박막 집적 회로를 포함한 층(405)에 부하가 가해질 일이 없이 캐리어 테이프(601)를 안정적으로 박리할 수 있다.
캐리어 테이프(601)로부터 박리된 박막 집적 회로를 포함한 층(405)은, 서포터 필름(411)이 테이블(637)과 접하도록 테이블(637) 상에 배치된다. 도 20의 (B)는, 박막 집적 회로를 포함한 층(405)이, 캐리어 테이프(601)로부터 박리된 후에 테이블(637) 상에 배치된 상태를 도시한 것이다. 도 20의 (B)에 도시된 바와 같이, 서포터 필름(411) 위에 제 1 가요성 기판(406), 박막 집적 회로를 포함한 층(405), 및 피박리층(404)을 포함하는 적층은, 피박리층(404)의 이면이 노출된 상태로 테이블(637) 상에 배치된다. 또한, 서포터 필름(411)의 가장자리에 보호 시트(412)가 제공된다. 제 1 가요성 기판(406), 박막 집적 회로를 포함한 층(405), 및 피박리층(404)은, 보호 시트(412)의 노출된 표면과 중첩되지 않는다.
도 16에 도시된 바와 같이, 정전기가 발생할 수 있는 위치에는 이온화 장치(638, 639, 620, 621, 622)를 제공하고, 이온화 장치로부터 박막 집적 회로를 포함한 층(405)에 대하여 공기 분사 또는 질소 가스 분사 등에 의하여 정전기 제거 처리를 수행하여, 박막 집적 회로에 대한 정전기의 악영향을 저감하는 것이 바람직하다.
도 16에서, 전기 모터 등에 의하여 회전되는 구동 롤러는 제 1 반송 롤러(643)와 제 2 반송 롤러(644)와 제 3 반송 롤러(645) 등의 반송 롤러, 제 1 프레스 롤러(606), 및 제 2 프레스 롤러(605)이다. 캐리어 테이프(601)의 이동 속도 및 장력은, 이들 구동 롤러, 테이프 릴(602), 및 제 1 권취 릴(603)에 의하여 조정된다. 또한, 종동 롤러는 복수의 가이드 롤러(631, 632, 633, 634, 635, 636), 방향 전환 롤러(604), 제 2 프레스 롤러(605), 및 텐션 롤러(608)이다.
본 실시형태에서, 캐리어 테이프(601)의 반송 경로의 전반부 및 후반부에 배치되는 롤러의 개수는 도 16에 도시된 것에 한정되지 않고, 더 많아도 좋다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에서 설명하는 다른 실시형태 및 실시예 중 어느 것과 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 박리 방법에 의하여 제작할 수 있는 플렉시블 디바이스를 각각 포함하는 전자 기기에 대하여 설명한다.
여기서는 특히, 플렉시블 발광 장치를 각각 포함하는 전자 기기 및 조명 장치의 예에 대하여 설명한다. 전자 기기의 예로서는, 텔레비전 세트(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터의 모니터, 전자 종이, 디지털 카메라 또는 디지털 비디오 카메라 등의 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화 또는 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대 게임기, 휴대 정보 단말, 음성 재생 장치, 파친코기 등의 대형 게임기를 들 수 있다. 또한, 조명 장치 또는 표시 장치는, 집이나 빌딩의 휘어진 내측/외측 벽면 또는 자동차의 휘어진 내장/외장 표면을 따라 제공될 수 있다.
도 21의 (A)는 휴대 전화의 일례를 도시한 것이다. 휴대 전화(7400)는 하우징(7401)에 제공된 표시부(7402), 조작 버튼(7403), 외부 접속 포트(7404), 스피커(7405), 및 마이크로폰(7406) 등을 포함한다. 또한, 휴대 전화(7400)는 표시부(7402)에 발광 장치를 사용하여 제작된다.
도 21의 (A)에 도시된 휴대 전화(7400)의 표시부(7402)를 손가락 등으로 터치하면, 휴대 전화(7400)에 데이터를 입력할 수 있다. 또한, 전화를 걸거나 문자를 입력하는 등의 조작을 손가락 등으로 표시부(7402)를 터치함으로써 수행할 수 있다.
조작 버튼(7403)을 사용하여 전원을 켜거나 끌 수 있다. 또한, 표시부(7402)에 표시되는 화장의 종류를 전환할 수 있고 예를 들어, 메일 작성 화면으로부터 메인 메뉴 화면으로 화상을 전환한다.
여기서, 표시부(7402)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치를 포함한다. 따라서, 휴대 전화는 휘어진 표시부 및 높은 신뢰성을 가질 수 있다.
도 21의 (B)는 리스트밴드(wristband)형 표시 장치의 일례이다. 휴대 표시 장치(7100)는 하우징(7101), 표시부(7102), 조작 버튼(7103), 및 송수신 장치(7104)를 포함한다.
휴대 표시 장치(7100)는 송수신 장치(7104)를 사용하여 영상 신호를 수신할 수 있고, 이 수신한 영상을 표시부(7102)에 표시할 수 있다. 또한, 휴대 표시 장치(7100)는 송수신 장치(7104)를 사용하여 다른 수신 장치에 음성 신호를 송신할 수 있다.
조작 버튼(7103)을 사용하여, 전원 ON/OFF, 표시되는 영상의 변환, 및 음량 조정 등을 수행할 수 있다.
여기서, 표시부(7102)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치를 포함한다. 따라서, 휴대 표시 장치는 휘어진 표시부 및 높은 신뢰성을 가질 수 있다.
도 21의 (C)~(E)는 조명 장치의 예를 도시한 것이다. 조명 장치(7200, 7210, 7220)는 각각 조작 스위치(7203)가 제공된 스테이지(7201), 및 스테이지(7201)로 지지된 발광부를 포함한다.
도 21의 (C)에 도시된 조명 장치(7200)는 물결 형상의 발광면을 갖는 발광부(7202)를 포함하고, 따라서 디자인이 좋은 조명 장치이다.
도 21의 (D)에 도시된 조명 장치(7210)에 포함된 발광부(7212)는 대칭적으로 배치된 2개의 볼록하게 휘어진 발광부를 갖는다. 따라서, 빛은 조명 장치(7210)로부터 모든 방향으로 사출된다.
도 21의 (E)에 도시된 조명 장치(7220)는 오목하게 휘어진 발광부(7222)를 포함한다. 이것은 발광부(7222)로부터 사출된 빛이 조명 장치(7220) 앞으로 집중되기 때문에 특정 영역을 비추기에 적합하다.
조명 장치(7200, 7210, 7220) 각각에 포함된 발광부는 가요성을 갖기 때문에, 발광부를 플라스틱 부재 또는 가동 프레임 등에 고정하여 발광부의 발광면을 용도에 따라 자유로이 휠 수 있다.
또한, 여기서는 발광부가 스테이지로 지지된 조명 장치를 일례로서 설명하였지만, 발광부가 제공된 하우징을 천장에 고정하거나 천장으로부터 매달 수도 있다. 발광면은 휘어질 수 있기 때문에, 발광면을 오목하게 휨으로써 특정 영역을 밝게 비출 수 있거나, 또는 발광면을 볼록하게 휨으로써 방 전체를 밝게 비출 수 있다.
여기서, 발광부(7202, 7212, 7222)는 각각 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치를 포함한다. 따라서, 조명 장치는 휘어진 발광면 및 높은 신뢰성을 가질 수 있다.
본 실시형태는 본 명세서에서 개시한 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시예 1)
본 실시형태에서는, 피박리층의 형성 후의 가열 처리 유무에 의하여 얻어지는 효과의 조사 결과에 대하여 설명한다.
[샘플의 제작]
우선 하지막으로서, 플라즈마 CVD법에 의하여 유리 기판 위에 두께 약 200nm의 산화질화 실리콘막을 형성하였다. 그리고, 박리층으로서 스퍼터링법에 의하여 두께 약 30nm의 텅스텐막을 형성하였다. 그 후에, 플라즈마 CVD법에 의하여, 제 1 층으로서 두께 약 600nm의 산화질화 실리콘막 및 제 2 층으로서 두께 약 200nm의 질화 실리콘막을 이 순서로 형성하였다.
제 1 층인 산화질화 실리콘막은, 실레인 가스 및 N2O 가스의 유량을 각각 75sccm 및 1200sccm, 전원 주파수를 13.56MHz, 전력을 120W, 압력을 70Pa, 기판 온도를 330℃로 한 조건에서 형성하였다. 또한, 산화질화 실리콘막 형성 직전에, N2O 가스 분위기에서 500W로 240초간 N2O 플라즈마 처리를 수행하였다.
제 2 층인 질화 실리콘막은, 실레인 가스, N2 가스, 및 NH3 가스의 유량을 각각 75sccm, 5000sccm, 및 100sccm, 전원 주파수를 13.56MHz, 전력을 1kW, 압력을 70Pa, 기판 온도를 330℃로 한 조건에서 형성하였다.
그 후, 450℃로 1시간 가열 처리를 수행하였다.
상술한 공정을 거쳐 샘플 1을 제작하였다. 또한, 마지막 가열 처리가 수행되지 않은 샘플을 샘플 2로서 제작하였다.
[박리성의 측정]
가열 처리된 샘플 1 및 가열 처리가 수행되지 않은 샘플 2의 박리에 요구되는 힘을 측정하였다. 여기서 측정 방법은 실시형태 3에서 설명한 방법과 같게 하였다.
여기서, 박리에 요구되는 힘이 0.14N 이상인 경우, 박리 시험 후에 지지 기판에 피박리층이 잔존한다. 한편, 이 힘이 0.14N 미만인 경우, 지지 기판 측에 피박리층이 잔존할 일 없이 바람직하게 박리를 수행할 수 있다. 따라서, 이하의 박리 시험에서는 0.14N 미만의 조건에서 박리가 가능하다.
도 22는 각 샘플에 있어서 6지점(a~f)에서 박리에 요구되는 힘을 측정한 결과를 나타낸 것이다.
가열 처리된 샘플 1에서, 힘은 모든 지점에서 0.1N 이하이었고, 이것은 샘플 1이 뛰어난 박리성을 갖는 것을 가리킨다. 한편, 가열 처리가 수행되지 않은 샘플 2에서, 6지점 중 3지점에서 박리를 수행할 수 없었다. 박리할 수 있었던 3지점의 힘은 모두 0.25N 이상이었고, 박리 가능한 조건인 0.14N 미만의 힘과 크게 다르다.
상술한 결과는 가열 처리에 의하여 박리성이 향상될 수 있다는 것을 보여준다.
[단면 관찰 결과]
다음에, 가열 처리된 샘플 1 및 가열 처리가 수행되지 않은 샘플 2의 단면 관찰 결과에 대하여 설명한다. 단면은 STEM(scanning transmission electron microscopy)에 의하여 관찰하였다.
도 23의 (A)는 샘플 1의 관찰된 단면을 나타낸 것이다. 텅스텐막(박리층)과 산화질화 실리콘막(제 1 층) 사이에 두께 약 10nm의 산화 텅스텐층을 관찰할 수 있다.
도 23의 (B)는 샘플 2의 관찰된 단면을 나타낸 것이다. 샘플 1과 마찬가지로, 텅스텐막과 산화질화 실리콘막 사이에 두께 약 10nm의 산화 텅스텐층을 관찰할 수 있다.
또한, 샘플 1에서는, 산화 텅스텐층과 텅스텐막 사이에, 산화 텅스텐층과 텅스텐막의 그레이레벨과 다른 그레이레벨의 영역(도 23의 (A)에서 파선으로 둘러싼 영역)을 관찰할 수 있다.
도 24에는 샘플 1의 관찰된 단면을 확대한 것을 나타내었다. 산화 텅스텐층과 텅스텐막 사이의 도 24의 파선으로 둘러싼 콘트라스트를 갖는 영역에는 중원자(텅스텐)의 밀도가 낮은 영역이 형성된 모양이다.
상술한 결과에 따르면, 텅스텐막에 N2O 플라즈마 처리를 수행함으로써 텅스텐막 표면에 산화 텅스텐층이 형성되는 것이 확인되었다. 또한, 가열 처리를 수행함으로써 텅스텐막과 산화 텅스텐층 사이에 밀도가 낮은 영역이 형성되는 것이 확인되었다.
박리성에 대한 상기 결과는, 가열 처리에 의하여 텅스텐막과 산화 텅스텐층 사이에 밀도가 낮은 영역을 형성함으로써 박리성을 향상시킬 수 있는 것을 보여준다.
[SIMS 분석 결과]
SIMS에 의하여 측정된 샘플 1 및 샘플 2 각각의 깊이 방향에서의 수소 및 질소의 농도 프로파일에 대하여 설명한다.
도 25의 (A)는 깊이 방향에서의 수소 농도 프로파일, 도 25의 (B)는 깊이 방향에서의 질소 농도 프로파일을 각각 나타낸 것이다. 또한, 분석은 질화 실리콘(제 2 층) 측으로부터 수행하였다. 도 25의 (A) 및 (B) 각각에서, 샘플 1은 실선, 샘플 2는 파선으로 각각 나타낸다.
수소 농도에 관하여, 샘플 1의 산화 텅스텐층의 수소 농도는 가열 처리가 수행되지 않은 샘플 2에 비하여 높다. 또한, 제 1 층인 산화질화 실리콘막에 관하여, 샘플 1의 수소 농도는, 텅스텐막과의 계면으로부터 약 400nm까지의 영역에서 샘플 2에 비하여 낮다. 샘플 1의 질화 실리콘막의 수소 농도도 샘플 2에 비하여 낮다.
샘플 1의 산화 텅스텐층의 질소 농도도 가열 처리가 수행되지 않은 샘플 2에 비하여 높다. 또한, 샘플 1의 제 1 층인 산화질화 실리콘막의 질소 농도는, 텅스텐막과의 계면으로부터 약 400nm까지의 영역에서 샘플 2에 비하여 낮다. 한편, 샘플 1의 질소 농도는 샘플 2와 거의 같다.
상술한 결과에 따르면, 가열 처리에 의하여 텅스텐막과 산화질화 실리콘막의 계면에 수소 농도 및 질소 농도가 매우 높은 영역들이 형성된다. 상술한 결과는, 질화 실리콘막 및 산화질화 실리콘막으로부터 수소가 공급되고, 산화질화 실리콘막으로부터 질소가 공급되는 것을 가리킨다. 또한, 질화 실리콘막의 질소 농도가 거의 변화되지 않는다는 사실로부터, 산화질화 실리콘막으로부터 방출된 질소는 질화 실리콘막에 의하여 효율적으로 블로킹될 것이다.
박리성에 대한 상기 결과에 따르면, 가열 처리에 의한 산화 텅스텐층의 수소 농도 및 질소 농도의 증가는 박리성의 향상에 기여하는 것이 확인되었다.
[XPS 분석 결과]
다음에, 박리 후의 샘플 1 및 샘플 2의 박리 표면에 수행된 XPS에 의한 조성 분석의 결과에 대하여 설명한다.
우선, 도 26의 (A)를 참조하여 샘플에 대하여 간단하게 설명한다. 샘플 1에서, 텅스텐막과 산화질화 실리콘막 사이에서 박리가 수행될 때, 텅스텐막 측의 샘플이 샘플 1A이고, 산화질화 실리콘막 측의 샘플이 샘플 1B이다. 마찬가지로, 샘플 2에서 텅스텐막 측의 샘플이 샘플 2A이고, 산화질화 실리콘막 측의 샘플이 샘플 2B이다.
샘플 1A 및 샘플 2A 각각에서 텅스텐막에 잔존하는 산화 텅스텐은 수nm이었고, 매우 얇다. 이는, 텅스텐막과 산화 텅스텐층의 계면에서 박리가 생기기 쉬운 것을 가리킨다.
도 26의 (B)는 XPS 분석에 의하여 얻어진 텅스텐에 대한 산소 및 질소의 원자수비를 나타낸 것이다.
도 26의 (B)에 따르면, 가열 처리된 샘플 1A 및 샘플 1B의 산소 농도는 가열 처리가 수행되지 않은 샘플 2A 및 샘플 2B에 비하여 낮고, 샘플 1A 및 샘플 1B의 질소 농도는 샘플 2A 및 샘플 2B에 비하여 높다. 특히, 가열 처리가 수행되지 않은 샘플 2A 및 샘플 2B에서 질소 농도가 매우 낮다.
다음에, 고분해능 XPS 측정의 결과에 대하여 설명한다. 또한, 샘플 1A 및 샘플 2A에서 잔존하는 산화 텅스텐층은 그 두께가 매우 얇아 분석하기 어려웠기 때문에, 여기서는 샘플 1B 및 샘플 2B의 결과에 대하여 설명한다.
도 27의 (A)는 W4f 고분해능 측정의 결과를 나타낸 것이다. 가열 처리가 수행되지 않은 샘플 2B는 WO3에서 유래하는 현저한 피크를 갖고, 다른 피크는 거의 갖지 않는다. 한편, 가열 처리된 샘플 1B는 WO3에서 유래하는 피크에 더하여, WOx(2<x<3) 및 WO2에서 유래하는 피크를 갖는다. 이는, 가열 처리에 의하여 산화질화 실리콘막 및 질화 실리콘막으로부터 공급된 수소에 의하여 WO3이 환원되어 산화수가 작은 산화물이 된 것을 가리킨다.
또한, 도 27의 (A)에서는 질화 텅스텐 및 질소를 포함하는 산화 텅스텐 등 질소를 포함하는 화합물에서 유래하는 피크가 관찰되었다.
도 27의 (B)는 N1s 고분해능 측정의 결과를 나타낸 것이다. 샘플 2B는 노이즈가 많고, 현저한 피크를 갖지 않는다. 한편, 가열 처리된 샘플 1B는 W-N 결합에서 유래하는 현저한 피크를 갖는다.
이는, 가열 처리에 의하여 산화질화 실리콘막으로부터 공급된 질소가 텅스텐과 반응하여, 산화물층에 W-N 결합을 갖는 영역이 형성되는 것을 보여준다. 박리성에 대한 상기 결과 및 실시형태 3은 산화물층에 형성된 W-N 결합을 갖는 영역이 박리성을 향상시키는 것을 명확하게 가리킨다.
상술한 내용이 본 실시예에 대한 설명이다.
[실시예 2]
본 실시예에서는, 피박리층 및 피박리층에 포함될 수 있는 층에 수행한 TDS 분석의 결과에 대하여 설명한다.
[샘플의 제작]
본 실시예에서는, 이하의 방법에 의하여 4개의 샘플을 제작하였다.
제 1 층으로서 사용할 수 있는 두께 약 600nm의 산화질화 실리콘막을 실리콘 웨이퍼 위에 형성한 샘플을 샘플 3으로서 제작하였다. 이 산화질화 실리콘막은, 실레인 가스 및 N2O 가스의 유량을 각각 75sccm 및 1200sccm, 전원 주파수를 13.56MHz, 전력을 120W, 압력을 70Pa, 기판 온도를 330℃로 한 조건에서 형성하였다.
제 2 층으로서 사용할 수 있는 두께 약 200nm의 질화 실리콘막을 실리콘 웨이퍼 위에 형성한 샘플을 샘플 4로서 제작하였다. 이 질화 실리콘막은, 실레인 가스, N2 가스, 및 NH3 가스의 유량을 각각 75sccm, 5000sccm, 및 100sccm, 전원 주파수를 13.56MHz, 전력을 1kW, 압력을 70Pa, 기판 온도를 330℃로 한 조건에서 형성하였다.
실리콘 웨이퍼 위에 산화질화 실리콘막을 형성하고 그 후에 질화 실리콘막을 형성한 샘플을 샘플 5로서 제작하였다. 이들 산화질화 실리콘막 및 질화 실리콘막은 샘플 3 및 샘플 4와 같은 조건에서 같은 두께로 형성하였다.
실리콘 웨이퍼 위에 질화 실리콘막을 형성하고 그 후에 산화질화 실리콘막을 형성한 샘플을 샘플 6으로서 형성하였다. 이들 산화질화 실리콘막 및 질화 실리콘막은 샘플 3 및 샘플 4와 같은 조건에서 같은 두께로 형성하였다.
[TDS 분석 결과]
다음에, 4개의 샘플(샘플 3, 샘플 4, 샘플 5, 샘플 6)에 대하여 TDS 분석을 수행하였다.
도 28의 (A)는 질량전하비(m/z) 2에서 검출되는 샘플 3 및 샘플 4에서의 TDS 측정 결과를 나타낸 것이다. 여기서, 질량전하비 2에서 검출되는 모든 스펙트럼이 수소 분자에서 유래하는 것으로 가정한다.
도 28의 (A)에 따르면, 400℃ 이상에서 산화질화 실리콘막(샘플 3) 및 질화 실리콘막(샘플 4)으로부터 질소가 방출된다. 도 28의 (A)의 스펙트럼으로부터 얻어지는, 샘플 3에서의 단위체적당 수소 분자의 방출량은, 50℃~450℃의 온도 범위에서 약 2.53×1020분자/cm3, 50℃~550℃의 온도 범위에서 약 5.95×1020분자/cm3이다. 샘플 4에서 수소 분자의 방출량은, 50℃~450℃의 온도 범위에서 약 1.30×1021분자/cm3, 50℃~550℃의 온도 범위에서 약 3.52×1021분자/cm3이다.
도 28의 (B)는 질량전하비(m/z) 2에서 검출되는 샘플 5 및 샘플 6에서의 TDS 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 28의 (B)에 따르면, 산화질화 실리콘막과 질화 실리콘막의 적층 순서에 상관없이 양쪽 샘플에서 400℃ 부근에서 다량의 수소 분자가 방출된다. 도 28의 (B)의 스펙트럼으로부터 얻어지는, 샘플 5에서의 단위체적당 수소 분자의 방출량은, 50℃~450℃의 온도 범위에서 약 9.50×1019분자/cm3, 50℃~550℃의 온도 범위에서 약 4.61×1020분자/cm3이다. 샘플 6에서 수소 분자의 방출량은, 50℃~450℃의 온도 범위에서 약 3.46×1020분자/cm3, 50℃~550℃의 온도 범위에서 약 1.02×1021분자/cm3이다.
상술한 결과는, 피박리층으로서 사용할 수 있는 산화질화 실리콘막과 질화 실리콘막을 포함하는 적층은 400℃ 이상에서 다량의 수소 분자를 방출할 수 있는 것을 보여준다.
도 29의 (A)는 질량전하비(m/z) 28에서 검출되는 샘플 3 및 샘플 4에서의 TDS 측정 결과를 나타낸 것이다. 여기서, 질량전하비 28에서 검출되는 모든 스펙트럼이 질소 분자에서 유래하는 것으로 가정한다.
도 29의 (A)에 따르면, 산화질화 실리콘막(샘플 3)으로부터의 질소 분자의 방출을 나타내는 스펙트럼은, 600℃ 미만의 온도 범위에서 200℃ 부근 및 450℃ 부근에 2개의 피크를 갖는다. 질화 실리콘막(샘플 4)으로부터의 방출을 나타내는 스펙트럼은 450℃ 부근에 하나의 피크를 갖는다. 양쪽 샘플에서 600℃ 이상의 온도 범위에서 많은 질소 분자가 방출된다.
도 29의 (A)의 스펙트럼으로부터 얻어지는, 샘플 3에서의 단위체적당 질소 분자의 방출량은, 50℃~450℃의 온도 범위에서 약 2.23×1018분자/cm3, 50℃~550℃의 온도 범위에서 약 2.64×1018분자/cm3이다. 샘플 4에서 질소 분자의 방출량은, 50℃~450℃의 온도 범위에서 약 6.86×1018분자/cm3, 50℃~550℃의 온도 범위에서 약 1.17×1019분자/cm3이다.
도 29의 (B)는 질량전하비(m/z) 28에서 검출되는 샘플 5 및 샘플 6에서의 TDS 측정 결과를 나타낸 것이다.
샘플 6에서 질소 분자의 방출을 나타내는 스펙트럼은, 샘플 3의 경우와 마찬가지로 200℃ 부근 및 450℃ 부근에 2개의 피크를 갖는다. 한편, 샘플 5에서 질소 분자의 방출을 나타내는 스펙트럼은, 샘플 4의 경우와 마찬가지로 450℃ 부근에 하나의 피크를 갖는다. 이들 결과는, 산화질화 실리콘막과 그 위에 질화 실리콘막을 포함하는 적층은, 질화 실리콘막에 의하여 산화질화 실리콘막으로부터의 질소 분자의 방출을 블로킹할 수 있는 것을 보여준다.
도 29의 (B)의 스펙트럼으로부터 얻어지는, 샘플 5에서의 단위체적당 질소 분자의 방출량은, 50℃~450℃의 온도 범위에서 약 1.78×1018분자/cm3, 50℃~550℃의 온도 범위에서 약 1.91×1018분자/cm3이다. 샘플 6에서 질소 분자의 방출량은, 50℃~450℃의 온도 범위에서 약 1.61×1018분자/cm3, 50℃~550℃의 온도 범위에서 약 2.33×1019분자/cm3이다.
상술한 결과는, 박리층 위에, 산화질화 실리콘막과 그 위에 질화 실리콘막을 포함하는 적층을 피박리층으로서 형성하고 가열 처리를 수행함으로써, 다량의 수소 및 질소를 피박리층 측에 공급할 수 있는 것을 보여준다. 또한, 위층인 질화 실리콘막은 산화질화 실리콘막으로부터 외부로 질소 분자가 방출되는 것을 억제할 수 있어, 다량의 질소를 피박리층 측에 효율적으로 공급할 수 있다.
상술한 내용이 본 실시예에 대한 설명이다.
[실시예 3]
본 실시예에서는, 제 1 층에 사용할 수 있는 산화질화 실리콘막의 성막 조건과 박리성의 관계에 대하여 설명한다.
[샘플의 제작]
여기서는, 산화질화 실리콘막의 형성에서 실레인 가스의 유량을 다르게 하여 샘플을 제작하고 샘플의 박리성을 조사하였다.
각 샘플은, 산화질화 실리콘막의 형성 조건에서 실레인 가스의 유량 이외는 실시예 1에서 설명한 샘플 1의 제작 방법에 의하여 제작하였다. 여기서, 실레인 가스의 유량 50sccm로 제작한 샘플이 샘플 7, 실레인 가스의 유량 75sccm로 제작한 샘플이 샘플 8, 실레인 가스의 유량 100sccm로 제작한 샘플이 샘플 9이다.
[박리성의 측정]
샘플 7, 샘플 8, 샘플 9 각각에서의 박리에 요구되는 힘을 실시예 1에서 설명한 방법에 의하여 측정하였다.
도 30은 각 샘플의 6지점에서의 박리에 요구되는 힘을 측정한 결과를 나타낸 것이다.
샘플 7에서는, 6지점 모두에서 박리를 수행할 수 없었다. 샘플 8에서는, 6지점에서의 박리에 요구되는 평균 힘은 0.083N이었고, 이것은 샘플 8의 박리성이 양호한 것을 가리킨다. 샘플 9에서는, 박리에 요구되는 힘은 샘플 8보다 낮고, 6지점에서의 박리에 요구되는 평균 힘은 0.072N이었다.
상술한 결과는, 제 1 층에 사용할 수 있는 산화질화 실리콘막의 형성 조건은 박리성에 크게 영향을 미치는 것을 보여준다. 상술한 결과로부터, 막 형성에서의 실레인 가스의 유량을 저감하면, 산화질화 실리콘막의 수소 농도가 저감되고, 산화질화 실리콘막으로부터 방출되는 수소의 양이 저감되기 때문에, 박리성이 저하된다.
상술한 내용이 본 실시예에 대한 설명이다.
101: 지지 기판, 102: 박리층, 103: 층, 104: 층, 110: 피박리층, 111: 산화물층, 112: 영역, 121: 기판, 122: 접착층, 131: 기판, 132: 접착층, 150: 층, 151: 테이프, 153: 서포터 롤러, 154: 가이드 롤러, 200: 표시 장치, 201: 표시부, 202: 주사선 구동 회로, 203: 신호선 구동 회로, 204: 외부 접속 단자, 205: FPC, 206: 커넥터, 211: 트랜지스터, 212: 트랜지스터, 213: 트랜지스터, 214: 트랜지스터, 216: 절연층, 217: 절연층, 218: 절연층, 219: 절연층, 221: 컬러 필터, 222: 블랙 매트릭스, 233: 전극, 235: EL층, 237: 전극, 240: 발광 소자, 241: 산화물층, 242: 접착층, 243: 층, 244: 층, 245: 피박리층, 250: 표시 장치, 252: 밀봉층, 253: 기판, 254: 기판, 401: 유리 기판, 402: 절연층, 403: 박리층, 404: 피박리층, 405: 층, 406: 가요성 기판, 407: 홈, 411: 서포터 필름, 412: 보호 시트, 413: 롤러, 414: 롤러, 415: 주입기, 416: 수적, 500: 발광 장치, 503: 전극, 507: 전극, 509: 절연층, 600: 분리 테이프, 601: 캐리어 테이프, 602: 테이프 릴, 603: 릴, 604: 방향 전환 롤러, 605: 프레스 롤러, 606: 프레스 롤러, 607: 롤러, 608: 텐션 롤러, 609: 캐리어 플레이트, 610: 캐리어 플레이트, 611: 쐐기 부재, 612: 쐐기 부재, 613: 릴, 614: 건조 수단, 620: 이온화 장치, 621: 이온화 장치, 622: 이온화 장치, 631: 가이드 롤러, 632: 가이드 롤러, 633: 가이드 롤러, 634: 가이드 롤러, 635: 가이드 롤러, 636: 가이드 롤러, 637: 테이블, 638: 이온화 장치, 639: 이온화 장치, 641: 기판 로드 카세트, 642: 기판 언로드 카세트, 643: 반송 롤러, 644: 반송 롤러, 645: 반송 롤러, 650: 거리, 651: 교점, 652: 교점, 653: 단차의 높이, 654: 거리, 7100: 휴대 전화, 7101: 하우징, 7102: 표시부, 7103: 조작 버튼, 7104: 송수신 장치, 7200: 조명 장치, 7201: 스테이지, 7202: 발광부, 7203: 조작 스위치, 7210: 조명 장치, 7212: 발광부, 7220: 조명 장치, 7222: 발광부, 7400: 휴대 전화, 7401: 하우징, 7402: 표시부, 7403: 조작 버튼, 7404: 외부 접속 포트, 7405: 스피커, 및 7406: 마이크로폰.
본 출원은 2013년 2월 20일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2013-031401의 일본 특허 출원에 기초하고, 본 명세서에 그 전문이 참조로 통합된다.

Claims (5)

  1. 반도체 장치로서,
    가요성을 갖는 제1 기판 위의 제1 접착층;
    상기 제1 접착층 위의 텅스텐산화물을 포함하는 산화물층;
    상기 산화물층 위의 산화질화실리콘을 포함하는 제1층;
    상기 제1층 위의 질화실리콘을 포함하는 제2층;
    상기 제2층 위의 트랜지스터;
    상기 트랜지스터 위의 제2 접착층; 및
    상기 제2 접착층 위의 가요성을 갖는 제2 기판
    을 포함하고,
    상기 산화물층은, 2차 이온 질량 분석법으로 검출되는 질소의 함유량이 상기 제1층보다도 높은 영역, 및 2차 이온 질량 분석법으로 검출되는 수소의 함유량이 상기 제1층보다도 높은 영역을 포함하는, 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1층은, 2차 이온 질량 분석법으로 검출되는 질소 및 수소의 농도가, 제2층 측으로부터 산화물층 측으로 갈수록 저하되는 구배를 갖는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1층은, 승온 탈리 가스 분광법 분석으로 검출되는 질량 전하비 28에 있어서의 스펙트럼에서, 100℃ 이상 450℃ 이하의 범위에서의 방출량이, 질소 분자로 환산하여 5Х1017분자/cm3 이상이며, 또한 질량 전하비 2에 있어서의 스펙트럼에서, 100℃ 이상 450℃ 이하의 범위에서의 방출량이, 수소 분자로 환산하여 5Х1019분자/cm3 이상인, 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2층은, 승온 탈리 가스 분광법 분석으로 검출되는 질량 전하비 28에 있어서의 스펙트럼에서, 100℃ 이상 450℃ 이하의 범위에서의 방출량이, 질소 분자로 환산하여 5Х1019분자/cm3 이하이고, 또한 질량 전하비 2에 있어서의 스펙트럼에서, 100℃ 이상 450℃ 이하의 범위에서의 방출량이, 수소 분자로 환산하여 1Х1020분자/cm3 이상인, 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 산화물층은 텅스텐-질소 결합을 갖는 화합물을 포함하는, 반도체 장치.
KR1020217004693A 2013-02-20 2014-02-13 반도체 장치 Active KR102309244B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013031401 2013-02-20
JPJP-P-2013-031401 2013-02-20
PCT/JP2014/053958 WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-02-13 Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
KR1020157022581A KR20150120376A (ko) 2013-02-20 2014-02-13 박리 방법, 반도체 장치, 및 박리 장치

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157022581A Division KR20150120376A (ko) 2013-02-20 2014-02-13 박리 방법, 반도체 장치, 및 박리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210021133A true KR20210021133A (ko) 2021-02-24
KR102309244B1 KR102309244B1 (ko) 2021-10-05

Family

ID=51351402

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217004693A Active KR102309244B1 (ko) 2013-02-20 2014-02-13 반도체 장치
KR1020157022581A Ceased KR20150120376A (ko) 2013-02-20 2014-02-13 박리 방법, 반도체 장치, 및 박리 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157022581A Ceased KR20150120376A (ko) 2013-02-20 2014-02-13 박리 방법, 반도체 장치, 및 박리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (3) US9947568B2 (ko)
JP (5) JP6286225B2 (ko)
KR (2) KR102309244B1 (ko)
TW (2) TWI705505B (ko)
WO (1) WO2014129519A1 (ko)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012043971A2 (ko) * 2010-09-29 2012-04-05 포항공과대학교 산학협력단 롤 형상의 모기판을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판
TWI705861B (zh) * 2013-08-30 2020-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 支撐體供應裝置及供應支撐體的方法
US9105854B2 (en) * 2013-09-20 2015-08-11 International Business Machines Corporation Transferable transparent conductive oxide
CN104516577B (zh) 2013-09-29 2016-06-01 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板
KR102215364B1 (ko) 2013-12-02 2021-02-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
US9427949B2 (en) 2013-12-03 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and stack manufacturing apparatus
KR102107456B1 (ko) * 2013-12-10 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN105793957B (zh) 2013-12-12 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 剥离方法及剥离装置
US9229481B2 (en) 2013-12-20 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9676175B2 (en) 2014-06-20 2017-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus
JP6603486B2 (ja) 2014-06-27 2019-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US9799829B2 (en) * 2014-07-25 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, light-emitting device, module, and electronic device
US9515272B2 (en) * 2014-11-12 2016-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Display device manufacture using a sacrificial layer interposed between a carrier and a display device substrate
JP6815096B2 (ja) 2015-05-27 2021-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離装置
WO2017025835A1 (en) 2015-08-07 2017-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, information processing device, and driving method of display panel
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
US10847758B2 (en) * 2015-12-29 2020-11-24 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Method for releasing resin film and method for manufacturing organic EL display device
CN105552225B (zh) * 2016-01-20 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 用于制造柔性基板的方法、柔性基板和显示装置
US20170271380A1 (en) * 2016-03-16 2017-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method
US10586817B2 (en) 2016-03-24 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus
KR102340066B1 (ko) 2016-04-07 2021-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
US10181424B2 (en) 2016-04-12 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
US10003023B2 (en) 2016-04-15 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2017182909A1 (en) * 2016-04-22 2017-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method and manufacturing method of flexible device
US10185190B2 (en) 2016-05-11 2019-01-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, module, and electronic device
US10804407B2 (en) 2016-05-12 2020-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus and stack processing apparatus
KR102554183B1 (ko) 2016-07-29 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
TW201808628A (zh) * 2016-08-09 2018-03-16 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
KR102425705B1 (ko) * 2016-08-31 2022-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR20230107411A (ko) * 2016-10-07 2023-07-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유리 기판의 세정 방법, 반도체 장치의 제작 방법,및 유리 기판
JP6815159B2 (ja) * 2016-10-14 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
EP3593384A1 (en) * 2017-03-08 2020-01-15 King Abdullah University Of Science And Technology Wavy channel flexible thin-film-transistor on a flexible substrate and method of producing such a thin-film-transistor
JP7079606B2 (ja) * 2017-04-17 2022-06-02 天馬微電子有限公司 剥離膜、表示装置の製造方法及びデバイス
US10751985B2 (en) * 2017-08-17 2020-08-25 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible substrate lifting device and method
KR101939493B1 (ko) 2017-09-13 2019-01-16 고려대학교 산학협력단 재활용을 위한 태양전지 모듈의 해체 방법
JP7283867B2 (ja) * 2018-02-05 2023-05-30 日東電工株式会社 粘着シート剥離方法
CN108828863B (zh) * 2018-08-23 2020-09-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性液晶面板的tft阵列基板及其制作方法
CN110444117B (zh) * 2019-07-24 2021-09-28 苏州清越光电科技股份有限公司 封装基板及显示面板的制备方法
TWI724592B (zh) * 2019-10-25 2021-04-11 大陸商北京集創北方科技股份有限公司 散熱元件及半導體封裝件
FR3103313B1 (fr) * 2019-11-14 2021-11-12 Commissariat Energie Atomique Procédé de démontage d’un empilement d’au moins trois substrats
US12044965B2 (en) * 2020-02-12 2024-07-23 Hutchinson Technology Incorporated Method for forming components without adding tabs during etching
CN114174435B (zh) * 2020-05-28 2023-04-25 迪睿合株式会社 导热片及其制造方法以及散热结构体和电子设备
WO2022073108A1 (en) 2020-10-06 2022-04-14 Omniply Technologies Inc. Techniques for fabricating and separating flexible microelectronics devices from rigid substrates
CN112420742B (zh) * 2020-11-05 2022-11-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示装置及制备方法
KR102391237B1 (ko) * 2021-10-14 2022-04-27 알파그래핀 주식회사 열처리 모듈을 이용한 그래핀 전사 시스템 및 이를 이용한 그래핀 전사 방법
KR102391236B1 (ko) * 2021-10-14 2022-04-27 알파그래핀 주식회사 그래핀 전사 시스템 및 이를 이용한 그래핀 전사 방법
US20240159949A1 (en) * 2022-11-16 2024-05-16 Visera Technologies Company Limited Optical filter
TWI826330B (zh) * 2023-06-02 2023-12-11 台亞半導體股份有限公司 半導體製程系統及其半導體製程方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0125931B1 (ko) 1988-01-11 1997-12-26 요시다 쇼오지 기관내 허혈병의 치료용 조성물
JP2003174153A (ja) 2001-07-16 2003-06-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置
JP2004214281A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法、剥離方法並びに転写方法

Family Cites Families (227)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3322382A1 (de) 1983-06-22 1985-01-10 Preh, Elektrofeinmechanische Werke Jakob Preh Nachf. Gmbh & Co, 8740 Bad Neustadt Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen
US4883561A (en) 1988-03-29 1989-11-28 Bell Communications Research, Inc. Lift-off and subsequent bonding of epitaxial films
JP2742057B2 (ja) 1988-07-14 1998-04-22 シャープ株式会社 薄膜ｅｌパネル
US5189405A (en) 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
US5156720A (en) 1989-02-02 1992-10-20 Alcan International Limited Process for producing released vapor deposited films and product produced thereby
JPH02257618A (ja) 1989-03-29 1990-10-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0329291A (ja) 1989-06-27 1991-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 有機分散型ｅｌランプ用捕水フィルム
JP2904560B2 (ja) * 1990-08-17 1999-06-14 日本石油化学株式会社 ウエブ製造装置および積層体製造装置
US5206749A (en) 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
US5499124A (en) 1990-12-31 1996-03-12 Vu; Duy-Phach Polysilicon transistors formed on an insulation layer which is adjacent to a liquid crystal material
US5256562A (en) 1990-12-31 1993-10-26 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US5661371A (en) 1990-12-31 1997-08-26 Kopin Corporation Color filter system for light emitting display panels
US6320568B1 (en) 1990-12-31 2001-11-20 Kopin Corporation Control system for display panels
US5528397A (en) 1991-12-03 1996-06-18 Kopin Corporation Single crystal silicon transistors for display panels
US6072445A (en) 1990-12-31 2000-06-06 Kopin Corporation Head mounted color display system
US5861929A (en) 1990-12-31 1999-01-19 Kopin Corporation Active matrix color display with multiple cells and connection through substrate
US5258325A (en) 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US5317436A (en) 1990-12-31 1994-05-31 Kopin Corporation A slide assembly for projector with active matrix moveably mounted to housing
US5300788A (en) 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
US5331149A (en) 1990-12-31 1994-07-19 Kopin Corporation Eye tracking system having an array of photodetectors aligned respectively with an array of pixels
US5362671A (en) 1990-12-31 1994-11-08 Kopin Corporation Method of fabricating single crystal silicon arrayed devices for display panels
US5396304A (en) 1990-12-31 1995-03-07 Kopin Corporation Slide projector mountable light valve display
US6627953B1 (en) 1990-12-31 2003-09-30 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US6593978B2 (en) 1990-12-31 2003-07-15 Kopin Corporation Method for manufacturing active matrix liquid crystal displays
US5376561A (en) 1990-12-31 1994-12-27 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
US7075501B1 (en) 1990-12-31 2006-07-11 Kopin Corporation Head mounted display system
US5258320A (en) 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Single crystal silicon arrayed devices for display panels
US5475514A (en) 1990-12-31 1995-12-12 Kopin Corporation Transferred single crystal arrayed devices including a light shield for projection displays
US5666175A (en) 1990-12-31 1997-09-09 Kopin Corporation Optical systems for displays
US5376979A (en) 1990-12-31 1994-12-27 Kopin Corporation Slide projector mountable light valve display
US5743614A (en) 1990-12-31 1998-04-28 Kopin Corporation Housing assembly for a matrix display
US5444557A (en) 1990-12-31 1995-08-22 Kopin Corporation Single crystal silicon arrayed devices for projection displays
US5751261A (en) 1990-12-31 1998-05-12 Kopin Corporation Control system for display panels
US6143582A (en) 1990-12-31 2000-11-07 Kopin Corporation High density electronic circuit modules
JPH04280094A (ja) 1991-03-07 1992-10-06 Sony Corp 薄膜発光素子
JP2701629B2 (ja) 1991-11-01 1998-01-21 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US5420055A (en) 1992-01-22 1995-05-30 Kopin Corporation Reduction of parasitic effects in floating body MOSFETs
US6511187B1 (en) 1992-02-20 2003-01-28 Kopin Corporation Method of fabricating a matrix display system
US5467154A (en) 1992-02-20 1995-11-14 Kopin Corporation Projection monitor
US5692820A (en) 1992-02-20 1997-12-02 Kopin Corporation Projection monitor
WO1993018428A2 (en) 1992-03-13 1993-09-16 Kopin Corporation Head-mounted display system
JP3242452B2 (ja) 1992-06-19 2001-12-25 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
JPH0677447A (ja) 1992-08-26 1994-03-18 Seiko Instr Inc 半導体薄膜素子の製造方法
US5705424A (en) 1992-09-11 1998-01-06 Kopin Corporation Process of fabricating active matrix pixel electrodes
US6608654B2 (en) 1992-09-11 2003-08-19 Kopin Corporation Methods of fabricating active matrix pixel electrodes
CA2143647C (en) 1992-09-11 2005-11-15 Mark B. Spitzer Color filter system for display panels
US5781164A (en) 1992-11-04 1998-07-14 Kopin Corporation Matrix display systems
JPH06280026A (ja) 1993-03-24 1994-10-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
US5589406A (en) 1993-07-30 1996-12-31 Ag Technology Co., Ltd. Method of making TFT display
KR100333153B1 (ko) 1993-09-07 2002-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치제작방법
JPH07109573A (ja) 1993-10-12 1995-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ガラス基板および加熱処理方法
US5391257A (en) 1993-12-10 1995-02-21 Rockwell International Corporation Method of transferring a thin film to an alternate substrate
KR100321541B1 (ko) 1994-03-09 2002-06-20 야마자끼 순페이 능동 매트릭스 디스플레이 장치의 작동 방법
JP3150840B2 (ja) 1994-03-11 2001-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE4415132C2 (de) 1994-04-29 1997-03-20 Siemens Ag Verfahren zur formgebenden Bearbeitung von dünnen Wafern und Solarzellen aus kristallinem Silizium
EP0689085B1 (en) 1994-06-20 2003-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Display device and manufacture method for the same
KR100213603B1 (ko) 1994-12-28 1999-08-02 가나이 쯔또무 전자회로기판의 배선수정방법 및 그 장치와 전자회로기판
JP3698749B2 (ja) 1995-01-11 2005-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶セルの作製方法およびその作製装置、液晶セルの生産システム
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5757456A (en) 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
US5834327A (en) 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
US5771562A (en) 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
JP4063896B2 (ja) 1995-06-20 2008-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 有色シースルー光起電力装置
US5817548A (en) 1995-11-10 1998-10-06 Sony Corporation Method for fabricating thin film transistor device
TWI228625B (en) 1995-11-17 2005-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US5811177A (en) 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
TW309633B (ko) 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
DE19547691C1 (de) 1995-12-20 1997-04-24 Lohmann Therapie Syst Lts Verfahren zur Herstellung transdermaler therapeutischer Pflaster (TTS)
WO1997046052A1 (en) 1996-05-28 1997-12-04 Philips Electronics N.V. Organic electroluminescent device
US6027958A (en) 1996-07-11 2000-02-22 Kopin Corporation Transferred flexible integrated circuit
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
CN1143394C (zh) 1996-08-27 2004-03-24 精工爱普生株式会社 剥离方法、溥膜器件的转移方法和薄膜器件
JP4619462B2 (ja) 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜素子の転写方法
US6340641B1 (en) 1996-11-11 2002-01-22 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Substrate flattening method and film-coated substrate made thereby
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US5895228A (en) 1996-11-14 1999-04-20 International Business Machines Corporation Encapsulation of organic light emitting devices using Siloxane or Siloxane derivatives
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
ATE261612T1 (de) 1996-12-18 2004-03-15 Canon Kk Vefahren zum herstellen eines halbleiterartikels unter verwendung eines substrates mit einer porösen halbleiterschicht
US5981306A (en) 1997-09-12 1999-11-09 The Trustees Of Princeton University Method for depositing indium tin oxide layers in organic light emitting devices
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
EP0851513B1 (en) 1996-12-27 2007-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell
US6013346A (en) 1997-01-28 2000-01-11 Buztronics, Inc. Display sticker with integral flasher circuit and power source
JPH10223608A (ja) 1997-02-04 1998-08-21 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US5952778A (en) 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
CA2233096C (en) 1997-03-26 2003-01-07 Canon Kabushiki Kaisha Substrate and production method thereof
US6356376B1 (en) 1997-04-02 2002-03-12 Gentex Corporation Electrochromic rearview mirror incorporating a third surface metal reflector and a display/signal light
US6432516B1 (en) 1997-04-17 2002-08-13 Kureha Kagaku Kogyo K.K. Moistureproofing film and electroluminescent device
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
JP3290375B2 (ja) 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
US6198220B1 (en) 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
US5956181A (en) 1997-07-18 1999-09-21 Lin; William Two way mirror with dual functions of rear view mirror and video displayer
JP3116085B2 (ja) 1997-09-16 2000-12-11 東京農工大学長 半導体素子形成法
JP3139426B2 (ja) 1997-10-15 2001-02-26 日本電気株式会社 半導体装置
JPH11135882A (ja) 1997-10-28 1999-05-21 Sharp Corp 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
EP0917409B1 (en) 1997-11-17 2005-03-16 Molex Incorporated Electroluminescent lamp and method of fabrication
KR100249784B1 (ko) 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
JPH11160734A (ja) 1997-11-28 1999-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶電気光学装置
US5888712A (en) 1997-12-16 1999-03-30 Eastman Kodak Company Electrically-conductive overcoat for photographic elements
EP0926709A3 (en) 1997-12-26 2000-08-30 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing an SOI structure
CA2319550A1 (en) 1998-02-02 1999-08-05 Uniax Corporation Image sensors made from organic semiconductors
US6476783B2 (en) 1998-02-17 2002-11-05 Sarnoff Corporation Contrast enhancement for an electronic display device by using a black matrix and lens array on outer surface of display
JP3809733B2 (ja) 1998-02-25 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの剥離方法
JP4126747B2 (ja) 1998-02-27 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 ３次元デバイスの製造方法
EP0989778B1 (en) 1998-03-17 2008-09-10 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing a patterned thin film device
WO1999055517A1 (en) * 1998-04-29 1999-11-04 Sancoa International Company, L.P. Clear or opaque labels
JP3619058B2 (ja) 1998-06-18 2005-02-09 キヤノン株式会社 半導体薄膜の製造方法
US6152068A (en) * 1998-06-22 2000-11-28 Hunter Douglas Inc. Apparatus for manufacturing an adjustable covering for architectural openings
US6423614B1 (en) 1998-06-30 2002-07-23 Intel Corporation Method of delaminating a thin film using non-thermal techniques
US6582996B1 (en) 1998-07-13 2003-06-24 Fujitsu Limited Semiconductor thin film forming method
US6146225A (en) 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
US6117797A (en) 1998-09-03 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant
US6080663A (en) 1998-11-13 2000-06-27 United Microelectronics Corp. Dual damascene
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP4073107B2 (ja) 1999-03-18 2008-04-09 三洋電機株式会社 アクティブ型ｅｌ表示装置
EP1041624A1 (en) 1999-04-02 2000-10-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Method of transferring ultra-thin substrates and application of the method to the manufacture of a multilayer thin film device
US6504524B1 (en) 2000-03-08 2003-01-07 E Ink Corporation Addressing methods for displays having zero time-average field
US6531997B1 (en) 1999-04-30 2003-03-11 E Ink Corporation Methods for addressing electrophoretic displays
US6664169B1 (en) 1999-06-08 2003-12-16 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus
TW473783B (en) 1999-08-13 2002-01-21 Semiconductor Energy Lab Laser apparatus, laser annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device
US6391220B1 (en) 1999-08-18 2002-05-21 Fujitsu Limited, Inc. Methods for fabricating flexible circuit structures
JP2001085715A (ja) 1999-09-09 2001-03-30 Canon Inc 半導体層の分離方法および太陽電池の製造方法
JP3942770B2 (ja) 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置及び電子装置
JP4009923B2 (ja) 1999-09-30 2007-11-21 セイコーエプソン株式会社 Ｅｌパネル
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US6455397B1 (en) 1999-11-16 2002-09-24 Rona E. Belford Method of producing strained microelectronic and/or optical integrated and discrete devices
JP4727029B2 (ja) 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
JP2001177101A (ja) 1999-12-20 2001-06-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US6566808B1 (en) 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making
US7576496B2 (en) 1999-12-22 2009-08-18 General Electric Company AC powered OLED device
US7768210B2 (en) 1999-12-22 2010-08-03 General Electric Company Hybrid electroluminescent devices
US20020190661A1 (en) 2000-01-27 2002-12-19 General Electric Company AC powered oled device
US7060153B2 (en) 2000-01-17 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US6700322B1 (en) 2000-01-27 2004-03-02 General Electric Company Light source with organic layer and photoluminescent layer
US6515417B1 (en) 2000-01-27 2003-02-04 General Electric Company Organic light emitting device and method for mounting
US6543507B2 (en) * 2000-01-31 2003-04-08 Fargo Electronics, Inc. Peel-off roller for laminated layer
TW494447B (en) 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
AU2001241764A1 (en) 2000-02-26 2001-09-03 Federal Mogul Corporation Vehicle interior lighting systems using electroluminescent panels
US6882102B2 (en) 2000-02-29 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
TW507258B (en) 2000-02-29 2002-10-21 Semiconductor Systems Corp Display device and method for fabricating the same
JP2001265251A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Minolta Co Ltd 表示素子及び積層型表示素子
JP2001267578A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
US6661029B1 (en) 2000-03-31 2003-12-09 General Electric Company Color tunable organic electroluminescent light source
US6777871B2 (en) 2000-03-31 2004-08-17 General Electric Company Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction
US6492026B1 (en) 2000-04-20 2002-12-10 Battelle Memorial Institute Smoothing and barrier layers on high Tg substrates
US6611108B2 (en) 2000-04-26 2003-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and driving method thereof
JP3265301B2 (ja) 2000-06-05 2002-03-11 株式会社東芝 半導体装置とその製造方法
JP2002026182A (ja) 2000-07-07 2002-01-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US6940223B2 (en) 2000-07-10 2005-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
US6683333B2 (en) 2000-07-14 2004-01-27 E Ink Corporation Fabrication of electronic circuit elements using unpatterned semiconductor layers
SG143972A1 (en) 2000-09-14 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6548751B2 (en) 2000-12-12 2003-04-15 Solarflex Technologies, Inc. Thin film flexible solar cell
US6774010B2 (en) 2001-01-25 2004-08-10 International Business Machines Corporation Transferable device-containing layer for silicon-on-insulator applications
US6448152B1 (en) 2001-02-20 2002-09-10 Silicon Genesis Corporation Method and system for generating a plurality of donor wafers and handle wafers prior to an order being placed by a customer
US6649433B2 (en) 2001-06-26 2003-11-18 Sigma Technologies International, Inc. Self-healing flexible photonic composites for light sources
US6664730B2 (en) 2001-07-09 2003-12-16 Universal Display Corporation Electrode structure of el device
TW564471B (en) 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
US6677254B2 (en) 2001-07-23 2004-01-13 Applied Materials, Inc. Processes for making a barrier between a dielectric and a conductor and products produced therefrom
US6814832B2 (en) 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
JP2003109773A (ja) 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
JP5057619B2 (ja) 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW554398B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
US6699597B2 (en) 2001-08-16 2004-03-02 3M Innovative Properties Company Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein
JP4209606B2 (ja) 2001-08-17 2009-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW558743B (en) 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
TWI282126B (en) 2001-08-30 2007-06-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
US7112517B2 (en) 2001-09-10 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method
US7317205B2 (en) 2001-09-10 2008-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing a semiconductor device
US6875671B2 (en) 2001-09-12 2005-04-05 Reveo, Inc. Method of fabricating vertical integrated circuits
JP2003091245A (ja) 2001-09-18 2003-03-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US6737753B2 (en) 2001-09-28 2004-05-18 Osram Opto Semiconductor Gmbh Barrier stack
KR100944886B1 (ko) 2001-10-30 2010-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
US6509282B1 (en) * 2001-11-26 2003-01-21 Advanced Micro Devices, Inc. Silicon-starved PECVD method for metal gate electrode dielectric spacer
US6851841B2 (en) 2001-11-28 2005-02-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Illumination device
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
US6953735B2 (en) 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
US6835950B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Universal Display Corporation Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer
JP4215998B2 (ja) * 2002-04-30 2009-01-28 リンテック株式会社 半導体ウエハの処理方法およびそのための半導体ウエハの転写装置
EP1363319B1 (en) 2002-05-17 2009-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of transferring an object and method of manufacturing a semiconductor device
JP4380966B2 (ja) * 2002-05-20 2009-12-09 富士フイルム株式会社 感光層転写方法および装置
TWI272641B (en) 2002-07-16 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
CN100391004C (zh) 2002-10-30 2008-05-28 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及半导体装置的制作方法
JP4637477B2 (ja) 2002-12-27 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法
TWI330269B (en) 2002-12-27 2010-09-11 Semiconductor Energy Lab Separating method
US7973313B2 (en) 2003-02-24 2011-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device, IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container
TWI328837B (en) 2003-02-28 2010-08-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2004349513A (ja) 2003-05-22 2004-12-09 Seiko Epson Corp 薄膜回路装置及びその製造方法、並びに電気光学装置、電子機器
TWI221010B (en) 2003-08-07 2004-09-11 Ind Tech Res Inst A method for transferably pasting an element
US7052978B2 (en) 2003-08-28 2006-05-30 Intel Corporation Arrangements incorporating laser-induced cleaving
US7229900B2 (en) 2003-10-28 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material
JP4749074B2 (ja) * 2004-07-30 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｉｃチップの作製方法及び装置
CN100530575C (zh) 2004-07-30 2009-08-19 株式会社半导体能源研究所 层压系统、ic薄片、ic薄片卷、以及ic芯片的制造方法
JP4954515B2 (ja) * 2004-09-10 2012-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8040469B2 (en) * 2004-09-10 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same
US7736964B2 (en) * 2004-11-22 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing the same
KR100634528B1 (ko) 2004-12-03 2006-10-16 삼성전자주식회사 단결정 실리콘 필름의 제조방법
US7482248B2 (en) 2004-12-03 2009-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR100696282B1 (ko) 2005-02-17 2007-03-19 주식회사 대우일렉트로닉스 유기 이엘 백라이트를 이용한 액정표시장치
US8783577B2 (en) * 2005-03-15 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device having the same
US7465674B2 (en) 2005-05-31 2008-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP4916680B2 (ja) * 2005-06-30 2012-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法
US7660145B2 (en) * 2005-07-01 2010-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and semiconductor device
EP1920459A4 (en) * 2005-08-12 2012-07-25 Semiconductor Energy Lab METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT
JP4622765B2 (ja) * 2005-09-15 2011-02-02 住友化学株式会社 複合位相差板及び複合光学部材の製造方法
JP5008299B2 (ja) * 2005-11-30 2012-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7719872B2 (en) * 2005-12-28 2010-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Write-once nonvolatile memory with redundancy capability
JP5335443B2 (ja) * 2006-03-01 2013-11-06 シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト ウエハ支持構造体及び該ウエハ支持構造体の製造に用いられる層システム
CN102243807B (zh) * 2006-09-22 2014-10-29 株式会社半导体能源研究所 速度测量系统以及速度测量方法
JP4402144B2 (ja) 2006-09-29 2010-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8137417B2 (en) 2006-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
JP4459992B2 (ja) * 2006-09-29 2010-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離装置
TWI433306B (zh) 2006-09-29 2014-04-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
JP5455299B2 (ja) * 2007-11-08 2014-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7855153B2 (en) 2008-02-08 2010-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5368014B2 (ja) 2008-06-24 2013-12-18 共同印刷株式会社 フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法
WO2010035625A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semi conductor device
US8911653B2 (en) * 2009-05-21 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
TWI589042B (zh) * 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置，撓性發光裝置，電子裝置，照明設備，以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
JP5132722B2 (ja) 2010-06-16 2013-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法
JP2013183001A (ja) * 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9905589B2 (en) * 2013-12-03 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9676175B2 (en) * 2014-06-20 2017-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus
US10586817B2 (en) * 2016-03-24 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0125931B1 (ko) 1988-01-11 1997-12-26 요시다 쇼오지 기관내 허혈병의 치료용 조성물
JP2003174153A (ja) 2001-07-16 2003-06-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置
JP2004214281A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法、剥離方法並びに転写方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014129519A1 (en) 2014-08-28
JP2021177564A (ja) 2021-11-11
JP2018085541A (ja) 2018-05-31
US20200243371A1 (en) 2020-07-30
US20140234664A1 (en) 2014-08-21
US20180190533A1 (en) 2018-07-05
US9947568B2 (en) 2018-04-17
KR20150120376A (ko) 2015-10-27
TWI705505B (zh) 2020-09-21
US10636692B2 (en) 2020-04-28
JP2020191456A (ja) 2020-11-26
KR102309244B1 (ko) 2021-10-05
TWI654686B (zh) 2019-03-21
JP2014187356A (ja) 2014-10-02
JP2019176175A (ja) 2019-10-10
JP7150104B2 (ja) 2022-10-07
TW201438115A (zh) 2014-10-01
US11355382B2 (en) 2022-06-07
JP6736729B2 (ja) 2020-08-05
JP6286225B2 (ja) 2018-02-28
JP6911183B2 (ja) 2021-07-28
TW201929093A (zh) 2019-07-16
JP6542925B2 (ja) 2019-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102309244B1 (ko) 반도체 장치
US10079353B2 (en) Light-emitting device with flexible substrates
JP6513929B2 (ja) 剥離方法
CN109273622B (zh) 剥离方法
TWI754822B (zh) 發光裝置
TWI674033B (zh) 堆疊處理裝置及堆疊處理方法
KR20150064671A (ko) 박리 장치, 및 적층체의 제작 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
PA0104 Divisional application for international application

Comment text: Divisional Application for International Patent

Patent event code: PA01041R01D

Patent event date: 20210217

Application number text: 1020157022581

Filing date: 20150820

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20210316

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20210630

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20210929

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20210929

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240823

Start annual number: 4

End annual number: 4