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KR101884496B1 - 전자 소자용 화합물 - Google Patents

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KR101884496B1
KR101884496B1 KR1020137032237A KR20137032237A KR101884496B1 KR 101884496 B1 KR101884496 B1 KR 101884496B1 KR 1020137032237 A KR1020137032237 A KR 1020137032237A KR 20137032237 A KR20137032237 A KR 20137032237A KR 101884496 B1 KR101884496 B1 KR 101884496B1
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aromatic ring
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엘비라 몬테네그로
아르네 뷔징
프랑크 포게스
크리슈토프 플룸
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메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

본 발명은 화학식 (I) 의 화합물, 전자 소자에서 이러한 화합물의 용도, 및 화학식 (I) 의 화합물을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 화학식 (I) 의 화합물의 제조 및 화학식 (I) 의 화합물을 하나 이상 포함하는 제형에 관한 것이다.

Description

전자 소자용 화합물 {COMPOUNDS FOR ELECTRONIC DEVICES}
본 발명은 화학식 (I) 의 화합물, 전자 소자에서 이러한 화합물의 용도, 및 화학식 (I) 의 화합물을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다. 본 발명은 또한 화학식 (I) 의 화합물의 제조 방법 및 화학식 (I) 의 화합물 하나 이상을 포함하는 조성물 및 제형에 관한 것이다.
전자 소자에 사용되기 위한 기능적 화합물의 개발은 현재 집중적으로 연구되고 있는 주제이다. 특히 여기서 목적은 예를 들어, 전력 효율, 수명 또는 발광 색 좌표와 같은 전자 소자의 개선된 특징이 하나 이상 달성되는 화합물을 개발하는 것이다.
따라서, 본 발명에 따르면 용어 전자 소자는, 유기 집적 회로 (OIC), 유기 전계-효과 트랜지스터 (OFET), 유기 박막 트랜지스터 (OTFT), 유기 발광 트랜지스터 (OLET), 유기 태양 전지 (OSC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자 (OFQD), 유기 발광 전기화학 전지 (OLEC), 유기 레이져 다이오드 (O-레이져) 및 유기 전계발광 소자 (OLED) 를 의미하는 것으로 한다.
특히 관심사항은 OLED 라 불리는 마지막에 언급된 전자 소자에서 사용되기 위한 화합물의 제공이다. OLED 의 일반적 구조 및 기능적 원리는 당업계에 공지되어 있으며 특히 US　4539507, US　5151629, EP　0676461 및 WO　1998/27136 에서 기술되어 있다.
OLED 의 성능 데이터에 대한 추가의 개선이 여전히 요구되는데, 특히 다양한 상업적 용도 측면에서, 예를 들어 디스플레이 소자 또는 광원에서 OLED 의 성능 데이터에 대한 추가의 개선이 여전히 요구된다. 이와 관련하여 특히 중요한 것은 OLED 의 수명, 효율 및 작동 전압, 달성되는 색채 값이다. 특히, 청색-방사 OLED 의 경우에서, 소자의 수명에 대한 개선점이 잠재적으로 존재한다. 또한, 전자 소자에서 기능적 물질로서 사용되기 위한 화합물은 높은 열 안정성 및 높은 유리-전이 온도를 갖고 분해 없이 승화가능한 것이 바람직하다.
이와 관련하여, 특히, 대안적인 정공-수송 물질에 대한 필요성이 존재한다. 종래 기술에 따른 정공-수송 물질에서, 전압은 일반적으로 정공-수송 층의 층 두께에 따라 증가한다. 실제로, 정공-수송 층의 층 두께가 더욱 두꺼운 것이 자주 바람직한 것이나, 이는 종종 더욱 높은 작동 전압 및 더욱 불량한 성능 데이터를 야기한다. 이와 관련하여, 더욱 두꺼운 정공-수송 층이 작동 전압에서 오직 약간의 증가를 달성하는 것을 가능하게 하는, 높은 전하-운반 이동성을 갖는 신규한 정공-수송 물질이 요구되고 있다.
특히 종래 기술은 OLED 용 정공-수송 물질로서 아릴아민 화합물 및 카르바졸 화합물의 용도를 개시하고 있다.
출원 WO　2010/083871 은 OLED 에서 기능적 물질로서, 바람직하게는 정공-수송 및 정공-주입 물질로서 하나 이상의 아릴아미노 기에 의해 치환된 디히드로아크리딘 유도체의 용도를 개시하고 있다.
더욱이, 출원 WO　2011/107186 는 OLED 에서 기능적 물질로서, 바람직하게는 정공-수송 및 정공-주입 물질로서 하나 이상의 카르바졸 기에 의해 치환된 디히드로아크리딘 유도체의 용도를 개시하고 있다.
또한, 출원 US　2010/0019658 은 OLED 에서 기능적 물질로서 디히드로아크리딘의 메틸렌 기의 치환기로서 아릴 또는 헤테로아릴 기를 갖는 디히드로아크리딘 유도체의 용도를 개시하고 있다.
그러나, OLED 에 사용되기 위한 대안적인 정공-수송 및 정공-주입 물질에 대한 필요성이 여전히 존재한다. 특히, OLED 의 성능 데이터 및 특정에서 매우 원하는 개선이 달성될 수 있는 상기 언급된 물질에 대한 필요성이 존재한다.
마찬가지로, OLED 및 다른 전자 소자에서 사용되기 위한 대안적인 매트릭스 물질에 대한 필요성이 존재한다. 특히, 바람직하게는 전자 소자의 양호한 효율, 장기간 수명 및 낮은 작동 전압을 생성하는 혼합-매트릭스 시스템 용 매트릭스 물질 및 인광 도판트 용 매트릭스 물질에 대한 필요성이 여전히 존재한다.
따라서 본 발명은 특히 정공-수송 물질 및/또는 매트릭스 물질로서 사용될 수 있는, 전자 소자 예를 들어 OLED 에 사용되는데 적합한 화합물을 제공하는 기술적 목적을 기반으로 하고 있다.
본 발명의 부분으로서, 하기 나타내는 화학식 (1) 의 화합물이 상기 언급된 용도에 매우 적합한 것으로 밝혀졌다.
따라서, 본 발명은 화학식 (I) 의 화합물에 관한 것이다:
Figure 112013111209721-pct00001
[식 중, 기호 및 지수에는 하기 의미가 적용된다:
Ar* 은 각 경우 동일하게 또는 상이하게, 방향족 고리원자수 6 내지 24 의 방향족 고리계, 또는 방향족 고리원자수 5 내지 18 의 전자-풍부 헤테로아릴 기 (이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있음) 이고;
L 은 각 경우 동일하게 또는 상이하게, 단일 결합, C=O, C=NR2, Si(R2)2, PR2, P(=O)(R2), O, S, SO, SO2, 탄소수 1 내지 20 의 알킬렌 기 또는 탄소수 2 내지 20 알케닐렌 또는 알키닐렌 기 (이때 상기 기에서 하나 이상의 CH2 기는 C=O, C=NR2, C=O-O, C=O-NR2, Si(R2)2, NR2, P(=O)(R2), O, S, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수 있음) 또는 방향족 고리원자수 6 내지 24 의 방향족 고리계 (이는 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있음), 또는 상기 언급된 기로부터 선택되는 동일하거나 상이한 기 1 개, 2 개, 3 개, 4 개 또는 5 개의 임의의 원하는 조합이고;
X 는 C(R1)2, Si(R1)2, NR1, PR1, O 및 S 로부터 선택되는 2가 기이고;
Z 가 치환기를 갖지 않는 경우 Z 는 각 경우 동일하게 또는 상이하게 CR2 또는 N 이고, Z 가 치환기를 갖는 경우 Z 는 C 와 동일하고;
R1 은 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R3, CN, Si(R3)3, NO2, P(=O)(R3)2, S(=O)R3, S(=O)2R3, 탄소수 1 내지 20 의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 3 내지 20 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 2 내지 20 의 알케닐 또는 알키닐 기 (이때 상기 언급된 기는 각각 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R3C=CR3-, -C≡C-, Si(R3)2, C=O, C=S, C=NR3, -C(=O)O-, -C(=O)NR3-, NR3, P(=O)(R3), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수 있음) 또는 방향족 고리원자수 6 내지 30 의 방향족 고리계 (이는 각 경우 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있음) 이고, 이때 둘 이상의 비-방향족 라디칼 R1 은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고;
R2 는 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R3, CN, Si(R3)3, NO2, P(=O)(R3)2, S(=O)R3, S(=O)2R3, 탄소수 1 내지 20 의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 3 내지 20 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 2 내지 20 의 알케닐 또는 알키닐 기 (이때 상기 언급된 기는 각각 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R3C=CR3-, -C≡C-, Si(R3)2, C=O, C=S, C=NR3, -C(=O)O-, -C(=O)NR3-, NR3, P(=O)(R3), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수 있음) 또는 방향족 고리원자수 5 내지 30 의 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이는 각 경우 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있음), 또는 방향족 고리원자수 5 내지 30 의 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기 (이는 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있음) 이고, 이때 둘 이상의 라디칼 R2 는 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고;
R3 은 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R4, CN, Si(R4)3, NO2, P(=O)(R4)2, S(=O)R4, S(=O)2R4, 탄소수 1 내지 20 의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 3 내지 20 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 2 내지 20 의 알케닐 또는 알키닐 기 (이때 상기 언급된 기는 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 치환될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R4C=CR4-, -C≡C-, Si(R4)2, C=O, C=S, C=NR4, -C(=O)O-, -C(=O)NR4-, NR4, P(=O)(R4), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수 있음) 또는 방향족 고리원자수 5 내지 30 의 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이는 각 경우 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 치환될 수 있음), 또는 방향족 고리원자수 5 내지 30 의 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기 (이는 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 치환될 수 있음) 이고, 이때 둘 이상의 라디칼 R3 은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고;
R4 는 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F 또는 탄소수 1 내지 20 의 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 유기 라디칼이고, 이때 또한 하나 이상의 H 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있고; 여기서 둘 이상의 치환기 R4 는 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고;
n 은 각 경우 동일하게 또는 상이하게 0 또는 1 이고, 이때 둘 이상의 지수 n 은 1 과 동일해야만 하고; n=0 에 대해서, R2 기는 상응하는 위치에 결합되고;
이때 화합물은 카르바졸 기를 함유하지 않고;
이때 방향족 고리원자수 5 내지 18 의 전자-풍부 헤테로아릴 기 또는 방향족 고리원자수 12 내지 24 의 방향족 고리계를 나타내는 Ar* 기 하나 이상은 화합물 내에 존재해야만 함].
본 발명에서 아릴 기는 6 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 함유하고; 본 발명에서 헤테로아릴 기는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 함유하고 이중 하나 이상은 헤테로원자이다. 바람직하게는, 헤테로원자는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 이는 기본 정의이다. 본 명세서에서 다른 바람직한 경우가 명시되는 경우, 예를 들어 기존 방향족 고리 원자 또는 헤테로원자의 수에 대한 다른 바람직한 경우가 명시되는 경우 이러한 바람직한 경우를 적용한다.
여기서 아릴기 또는 헤테로아릴기는 단순 방향족 고리, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 고리, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 티오펜 등, 또는 축합 (융합) 아릴 또는 헤테로아릴기, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 카르바졸 등을 의미하는 것으로 선택된다. 본 발명에서 축합 (융합) 방향족 또는 헤테로방향족 폴리사이클은 서로 축합된 둘 이상의 단순 방향족 또는 헤테로방향족 고리로 이루어진다.
각 경우에 상기 언급된 라디칼로 치환될 수 있고 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 고리계에 연결될 수 있는 아릴 또는 헤테로아릴기는 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 디히드로피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌, 테트라센, 펜타센, 벤조피렌, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤지미다졸, 나프티미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라지니미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 피라진, 페나진, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 푸린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유래된 기를 의미하도록 선택된다.
본 발명의 정의에 따른 아릴옥시 기는 산소 원자를 통해 결합된 상기 정의된 바와 같은 아릴 기를 의미한다. 유사한 정의가 헤테로아릴옥시 기에 적용된다.
본 발명에 있어서 방향족 고리계는 고리계 내에 6 내지 60 개의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명에 있어서 헤테로방향족 고리계는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 함유하고, 이 중 하나 이상은 헤테로원자이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 에서 선택된다. 본 발명에 있어서 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는 반드시 오직 아릴 또는 헤테로아릴기만을 함유하지는 않으나, 그 대신, 또한, 다수의 아릴 또는 헤테로아릴기가 비-방향족 단위체 (바람직하게는 H 외의 원자 10% 미만), 예를 들어 sp3-하이브리드화 C, Si, N 또는 O 원자, sp2-하이브리드화 C 또는 N 원자 또는 sp-하이브리드화 C 원자에 의해 연결될 수 있는 계를 의미하는 것으로 의도된다. 따라서, 예를 들어 9,9'-스피로비플루오렌, 9,9'-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 계는 또한 본 발명에 있어서 방향족 고리계인 것으로 의도되는데, 둘 이상의 아릴기가 예를 들어 선형 또는 시클릭 알킬기, 알케닐기 또는 알키닐기 또는 실릴기에 의해 연결되는 계이기 때문이다. 또한, 2 개 이상의 아릴 또는 헤테로아릴기가 단일 결합을 통해 서로 연결되는 계는 또한 본 발명의 의미에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리계인 것으로 의도되며, 예를 들면 바이페닐, 테르페닐 또는 디페닐트리아진과 같은 계이다.
각각의 경우 상기 정의된 라디칼에 의해 또한 치환될 수 있으며 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족기에 연결될 수 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 벤조페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 비페닐, 비페닐렌, 테르페닐, 테르페닐렌, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤지미다졸, 나프티미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라지니미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 푸린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸 또는 이러한 기의 조합으로부터 유래한 기를 의미하는 것으로 의도된다.
본 발명의 목적을 위해서, 탄소수 1 내지 40 의 직쇄 알킬기 또는 탄소수 3 내지 40 의 분지형 또는 시클릭 알킬기 또는 탄소수 2 내지 40 의 알케닐 또는 알키닐기 (여기서, 또한 개별적인 H 원자 또는 CH2 기는 라디칼의 정의 하에 상기 언급된 기에 의해 치환될 수 있음) 는 바람직하게는 라디칼 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, 네오펜틸, n-헥실, 시클로헥실, 네오헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐 또는 옥티닐을 의미하는 것으로 의도된다. 탄소수 1 내지 40 의 알콕시 또는 티오알킬기는 바람직하게는 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥속시, 시클로헥실옥시, n-헵톡시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시, 2,2,2-트리플루오로에톡시, 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 의도된다.
본 명세서의 목적인 둘 이상의 라디칼이 서로 고리를 형성할 수 있는 제형은, 특히 2 개의 라디칼이 화학 결합에 의해 서로 연결되는 것을 의미하는 것으로 의도된다. 이를 하기 반응식으로 설명하고자 한다:
Figure 112013111209721-pct00002
또한, 그러나, 상기 언급된 제형은 2 개의 라디칼 중 하나가 수소를 나타내는 경우, 두번째 라디칼은 수소 원자가 결합되는 위치에서 결합되어 고리를 형성하는 것을 의미하도록 의도된다. 하기 반응식으로 이를 설명하고자 한다:
Figure 112013111209721-pct00003
명확하게 하기 위해, R1 의 정의에서 제형 "비-방향족 라디칼" 은 임의의 유형의 방향족 기, 특히 아릴 기 및 방향족 고리계에 대한 것이다. 이는, 예를 들어, C(R1)2 또는 Si(R1)2 가 4 개의 방향족 고리에 결합되는 스피로 중심을 나타내는 구현예에서, X 기가 스피로바이플루오렌 유도체의 경우에서와 같은 것을 배제한다.
Ar* 의 구현예에서와 같은 용어 "전자-풍부 헤테로아릴 기" 는 정확하게 하나의 헤테로원자를 함유하는 하나 이상의 헤테로방향족 5-원 고리를 함유하는, 본 발명에 따라 상기 정의된 바와 같은 헤테로아릴 기를 의미하는 것으로 하며, 이때 카르바졸 유도체는 본 발명에 따른 전자-풍부 헤테로아릴 기가 아니다. 본 발명에서 카르바졸 유도체는 축합 기를 갖는 카르바졸 유도체를 의미하는 것으로 하며, 예를 들면 인데노카르바졸 또는 인돌로카르바졸, 및 방향족 6-원 고리에서 하나 이상의 탄소 원자가 질소로 대체된 카르바졸 유도체이다.
본 발명에 따른 Ar* 기에서와 같이 바람직한 전자-풍부 헤테로아릴 기는 하기 화학식 (H) 의 화합물이다:
Figure 112013111209721-pct00004
[식 중,
Y 는 NR2, PR2, O 및 S 로부터 선택되고;
p 는 각 경우 0 또는 1 과 동일하며, 이때 p=0 에 대해서, 라디칼 R2 는 관련 위치에서 결합되고, 이때 Y=NR2 에 대해서, 2 개의 지수 P 는 둘 다 1 과 동일할 수 없으며;
상기 기는 모든 자유 위치에서 라디칼 R2 에 의해 치환되고,
상기 기는 임의의 원하는 위치에서 L 기에 연결될 수 있고, 이때 결합은 NR2 또는 PR2 결합 부위에서 발생할 수 있음].
특히 바람직한 것은 화학식 (H-1) 내지 (H-5) 의 기이다:
Figure 112013111209721-pct00005
[식 중,
상기 기는 모든 자유 위치에서 라디칼 R2 에 의해 치환되고,
상기 기는 임의의 원하는 위치에서 L 기에 의해 연결될 수 있고, 이때 결합은 NR2 결합 부위에서 발생할 수 있음].
화학식 (H-1) 및 (H-3) 의 기는 디벤조티오펜 또는 디벤조푸란 기본 구조의 위치 1, 2, 3 또는 4 에서 L 기에 연결된다.
Ar* 기의 본 발명에 따른 추가의 구현예는, 상기 정의된 전자-풍부 헤테로아릴 기 외에도, 방향족 고리원자수 6 내지 24 의 방향족 고리계 (이는 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있음) 이다. 바람직한 것은 14 개 초과의 방향족 고리 원자를 갖는 축합 아릴 기를 함유하지 않는 방향족 고리계이고, 특히 바람직하게는 10 개 초과의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 기를 함유하지 않는 방향족 고리계이다. 매우 특히 바람직한 것은, 6 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 기 (=페닐 기) 를 배제하는 방향족 고리계이다. 보다 바람직하게는, 페닐 기, 바이페닐 기 또는 테르페닐 기를 나타낸다.
Ar* 기에서와 같이 바람직한 방향족 고리계는 하기 화학식이다:
Figure 112013111209721-pct00006
Figure 112013111209721-pct00007
Figure 112013111209721-pct00008
이때 구조는 상기 정의된 바와 같은 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있다.
화학식 (A-1) 내지 (A-14) 의 기는 바람직하게는, F 및 탄소수 1 내지 10 의 알킬 기로부터 선택되는 라디칼 R2, 특히 바람직하게는 F 및 탄소수 1 내지 5 의 알킬 기로부터 선택되는 라디칼 R2, 매우 특히 바람직하게는 F 및 메틸로부터 선택되는 라디칼에 의해 페닐 기의 하나 이상의 오르쏘-위치에서 치환된다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, L 기는 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, 단일 결합, Si(R2)2, O, S, 탄소수 1 내지 10 의 알킬렌 기 또는 탄소수 2 내지 10 의 알케닐렌 또는 알키닐렌 기이고, 이때 상기 기에서 하나 이상의 CH2 기는 Si(R2)2, O 또는 S 에 의해 대체될 수 있고, 이때 상기 기에서 하나 이상의 H 원자는 D, F 또는 CN, 또는 방향족 고리원자수 6 내지 24 의 방향족 고리계 (이는 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있음) 에 의해 대체될 수 있다.
L 은 특히 바람직하게는 각 경우 동일하게 또는 상이하게, 단일 결합 또는 방향족 고리원자수 6 내지 12 의 방향족 고리계 (이는 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있음) 이다.
L 은 매우 특히 바람직하게는 단일 결합이다.
바람직한 구현예에 따르면, 정확하게 하나의 L-Ar* 기가 화학식 (I) 의 기본 기조의 질소 원자에 결합되고, 정확하게 하나의 추가 L-Ar* 기가 화학식 (I) 의 기본 구조의 방향족 6-원 고리에 결합된다. 이는, 화학식 (I) 에서 정확하게 3 개 중 2 개의 지수 n 이 1 과 동일하고 정확하게 하나의 지수 n 이 0 과 동일한 구현예에 해당한다. 추가의 바람직한 구현예에 따르면, 모든 지수 n 은 1 과 동일하고, 따라서 L-Ar* 기는 질소 원자에 둘 다 결합되고 화학식 (I) 의 기본 구조의 2 개의 방향족 6-원 고리에 결합된다.
또한 바람직하게는, L-Ar* 기의 화학식 (I) 의 기본 구조의 방향족 6-원 고리로의 결합 위치는 질소 원자에 대해 파라- 또는 메타-위치, 특히 바람직하게는 질소 원자에 대해 파라-위치이다.
본 발명에 따르면, L-Ar* 기에서 질소 원자에 결합되는 L 이 단일 결합을 나타내고 Ar* 은 방향족 고리원자수 6 내지 24 의 방향족 고리계 (이는 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있음) 를 나타내는 것이 바람직하다. 이 경우 Ar* 이 특히 바람직하게는 방향족 고리원자수 6 내지 18 의 방향족 고리계, 매우 특히 바람직하게는 방향족 고리원자수 12 내지 18 의 방향족 고리계 (이는 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있음) 이다.
본 발명에 따르면, X 가 C(R1)2, O 및 S 로부터 선택되는 것이 또한 바람직하다. X 는 특히 바람직하게는 C(R1)2 와 동일하다.
추가의 바람직하게는, 화학식 (I) 의 기본 구조의 방향족 6-원 고리 당 최대 하나의 Z 기가 N 과 동일하다. 특히 바람직하게는, Z 기가 N 과 동일하지 않으며, 따라서 모든 Z 기는 C 와 동일하고 (치환기가 결합되는 경우), 모든 Z 기는 CR2 와 동일하다 (치환기가 결합되지 않는 경우).
바람직한 구현예에 따르면, R1 은 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, 탄소수 1 내지 10 의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 3 내지 10 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 2 내지 10 의 알케닐 또는 알키닐 기이고, 이때 상기 언급된 기는 각각 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있고 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 CH2 기는 Si(R3)2, O 또는 S 에 의해 대체될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 H 원자는 D, F 또는 CN, 또는 방향족 고리원자수 6 내지 18 의 방향족 고리계 (이는 각 경우 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있음) 에 의해 대체될 수 있고, 이는 각 경우 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있고, 이때 둘 이상의 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 R1 은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있다.
R1 은 특히 바람직하게는 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, 탄소수 1 내지 10 의 직쇄 알킬 또는 알콕시 기 또는 탄소수 3 내지 10 의 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시 기이고, 이때 상기 언급된 기는 하나 이상의 라디칼 R3, 또는 방향족 고리원자수 6 내지 12 의 방향족 고리계 (이는 각 경우 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있음) 에 의해 치환될 수 있고, 이때 둘 이상의 알킬 또는 알콕시 기 R1 은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, X = C(R1)2 기 상의 라디칼 R1 이 서로 시클로알킬 고리를 형성하는 것이 또한 바람직하다. 특히 바람직한 것은 시클로헥실 및 시클로펜틸 고리이며, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있다.
본 발명에 따른 화합물에서 X　=　C(R1)2 기에서 하나 이상의 기 R1 가 방향족 기가 아닌 것, 즉 방향족 고리계가 아니고 아릴 기가 아닌 것이 또한 바람직하다. 본 발명에 따른 화합물에서 X　=　C(R1)2 기에서 R1 기가 방향족 고리계를 나타내지 않고 아릴 기를 나타내지 않는 것이 특히 바람직하다.
바람직한 구현예에 따르면, R2 는 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, Si(R3)3, 탄소수 1 내지 10 의 직쇄 알킬 또는 알콕시 기 또는 탄소수 3 내지 10 의 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시 기이고, 이때 상기 언급된 기는 각각 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있고 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 CH2 기는 Si(R3)2, O 및 S, 또는 방향족 고리원자수 5 내지 18 의 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 (이는 각 경우 R3 에 의해 치환될 수 있음) 에 의해 대체될 수 있고, 이때 둘 이상의 라디칼 R2 는 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있다.
추가의 바람직한 구현예에 따르면, R3 은 각 경우, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, CN, Si(R4)3 또는 탄소수 1 내지 10 의 직쇄 알킬 또는 알콕시 기 또는 탄소수 3 내지 10 의 분지형 또는 시클릭 알킬 또는 알콕시 기이고, 이때 상기 언급된 기는 각각 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 치환될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 CH2 기는 Si(R4)2, O 및 S, 또는 방향족 고리원자수 5 내지 18 의 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, (이는 각 경우 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 치환될 수 있음) 에 의해 대체될 수 있고, 이때 둘 이상의 라디칼 R3 은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있다.
추가의 바람직한 구현예에 따르면, 본 발명에 따른 화합물은 트리아진, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 피리딘, 이미다졸 및 벤즈이미다졸로부터 선택되는 헤테로아릴 기를 함유하지 않고 케토기, 인 옥시드 기 및 황 옥시드 기를 함유하지 않는다. 본 발명에 따른 화합물은 특히 바람직하게는 전자-결핍 헤테로아릴 기 및 케토 기, 인 옥시드 기 및 황 옥시드 기를 함유하지 않는다.
본 발명의 목적을 위해 전자-결핍 헤테로아릴 기는 특히, 둘 이상의 헤테로원자, 특히 N, O 및 S 로부터 선택되는 헤테로원자를 갖는 헤테로방향족 5-원 고리 및 하나 이상의 질소 원자를 갖는 헤테로방향족 6-원 고리를 의미하는 것으로 한다.
추가의 바람직한 구현예에 따르면, 본 발명에 따른 화합물은 기본 구조의 아미노 기 이외에 추가의 아릴아미노 기를 함유하지 않는다.
본 발명에 따른 화학식 (I) 의 화합물의 바람직한 구현예는 하기 화학식 (I-A), (I-B) 및 (I-C) 이다:
Figure 112013111209721-pct00009
이때 기호 및 발생하는 지수는 상기 정의된 바와 같다. 바람직한 것은 화학식 (I-A) 내지 (I-C) 의 구조에 대해 R1, Ar*, L 및 Z 기 및 지수 n 에 대해 상기 언급되는 바람직한 구현예이다.
화학식 (I-A) 의 바람직한 구현예는 화학식 (I-A-1) 및 (I-A-2) 이다:
Figure 112013111209721-pct00010
이때 기호는 상기 정의된 바와 같고 방향족 6-원 고리 상의 자유 위치는 R2 에 의해 치환될 수 있다.
바람직한 것은, 화학식 (I-A-1) 및 (I-A-2) 의 구조에 대한 R1, Ar* 및 L 기의 바람직한 구현예의 조합이다. L-Ar* 기가 질소 원자에 대해 메타- 또는 파라-위치, 특히 바람직하게는 질소 원자에 대해 파라-위치인 것이 또한 바람직하다.
화학식 (I-A-1) 의 바람직한 구현예는 화학식 (I-A-1-a) 이다:
Figure 112018037159806-pct00075

식 중, Ar1 * 기는 하기 화학식 (H):
Figure 112018037159806-pct00076

[식 중,
Y 는 O 및 S 로부터 선택되고;
p 는 1 과 동일하며;
상기 기는 모든 자유 위치에서 라디칼 R2 에 의해 치환되고,
상기 기는 임의의 원하는 위치에서 L 기에 연결될 수 있음] 에 해당하고,
Ar2 * 기는 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있는, 방향족 고리원자수 6 내지 24 의 방향족 고리계에 해당한다.
그 밖의 기호는 상기 정의된 바와 같고 방향족 6-원 고리 상의 자유 위치는 R2 에 의해 치환될 수 있다.
화학식 (I-B) 의 바람직한 구현예는 화학식 (I-B-1) 및 (I-B-2) 이다:
Figure 112013111209721-pct00011
이때 기호는 상기 정의된 바와 같고 방향족 6-원 고리 상의 자유 위치는 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있다.
바람직한 것은, 화학식 (I-B-1) 및 (I-B-2) 의 구조에 대해 Ar* 및 L 기의 바람직한 구현예로서 상기 언급된 것의 조합이다. L-Ar* 기가 질소 원자에 대해 메타- 또는 파라-위치, 특히 바람직하게는 질소 원자에 대해 파라-위치로 결합되는 것이 또한 바람직하다.
화학식 (I-C) 의 바람직한 구현예는 화학식 (I-C-1) 및 (I-C-2) 이다:
Figure 112013111209721-pct00012
이때 기호는 상기 정의된 바와 같고 방향족 6-원 고리 상의 자유 위치는 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있다.
바람직한 것은 화학식 (I-C-1) 및 (I-C-2) 의 구조에 대해 Ar* 및 L 기의 상기 언급된 바람직한 구현예이다. L-Ar* 기가 질소 원자에 대해 메타- 또는 파라-위치, 특히 바람직하게는 질소 원자에 대해 파라-위치에서 결합되는 것이 또한 바람직하다.
더욱이, 화학식 (I-A-1), (I-A-2), (I-B-1), (I-B-2), (I-C-1) 및 (I-C-2) 의 바람직한 구조에 대해 화학식 (H-1), (H-3), (A-1) 및 (A-2) 의 Ar* 기의 하기 조합이 바람직하다 (표에 나타낸 모든 경우에서 L 은 단일 결합임):
여기서 다양한 L-Ar* 기는 하기와 같다 (화학식 (I-A-2) 의 예에서 나타냄):
Figure 112013111209721-pct00013
Figure 112013111209721-pct00014
Figure 112013111209721-pct00015
Figure 112013111209721-pct00016
Figure 112013111209721-pct00017
Figure 112013111209721-pct00018
Figure 112013111209721-pct00019
표에서 나타낸 화합물은 상기 정의된 바와 같은 라디칼 R1 및 R2 에 의해 치환될 수 있다. 이와 관련하여, 바람직한 것은 라디칼 R1 및 R2 의 상기 언급된 바람직한 구현예이다.
본 발명에 따른 화합물의 예를 하기 표에 나타낸다.
Figure 112013111209721-pct00020
Figure 112013111209721-pct00021
Figure 112013111209721-pct00022
Figure 112013111209721-pct00023
Figure 112013111209721-pct00024
Figure 112013111209721-pct00025
Figure 112013111209721-pct00026
Figure 112013111209721-pct00027
Figure 112013111209721-pct00028
Figure 112013111209721-pct00029
Figure 112013111209721-pct00030
Figure 112013111209721-pct00031
Figure 112013111209721-pct00032
Figure 112013111209721-pct00033
Figure 112013111209721-pct00034
Figure 112013111209721-pct00035
Figure 112013111209721-pct00036
Figure 112013111209721-pct00037
본 발명에 따른 화합물의 합성은 당업자에게 일반적으로 공지되어 있는 유기화학 제조법으로 수행될 수 있다. 바람직하게 사용되는 반응의 예는 균질화 및 전이금속 촉매작용의 커플링 반응, 바람직하게는 스즈키 (Suzuki) 커플링 및 부크발트 (Buchwald) 커플링이 있다.
본 발명에 따른 화합물의 바람직한 제조 방법은 반응식 1 에서 출발 물질로서 나타내는 기본 구조로부터 시작한다. 이들은 몇몇 경우에서 상업적으로 입수할 수 있으며, 다른 경우에선 이들은 몇몇 합성 단계에서 단순 시판 화합물로부터 제조될 수 있다.
[반응식 1]
Figure 112013111209721-pct00038
반응식 1 에 따른 화합물은 할로겐 기 또는 또다른 반응성 이탈 기를 이미 함유할 수 있다.
화합물은 우선 아릴 또는 헤테로아릴 화합물 Ar-Y 와 Buchwald 커플링 (이는 질소 원자 상의 치환기를 도입함) 에서 반응한다 (반응식 2).
[반응식 2]
Figure 112013111209721-pct00039
R = 유기 라디칼
X = CR2, SiR2, NR, PR, O, S
Ar = 아릴, 헤테로아릴
Y = Hal 또는 다른 반응성 이탈기.
이후, 할로겐 또는 다른 반응성 기가 화합물에서 이러한 단위 상에 이미 존재 하지 않는 한, 디히드로아크리딘 단위 상에서 할로겐화 반응이 일어난다 (반응식 3).
[반응식 3]
Figure 112013111209721-pct00040
R = 유기 라디칼
X = CR2, SiR2, NR, PR, O, S
Ar = 아릴, 헤테로아릴
Y = Hal 또는 다른 반응성 이탈기.
단일 할로겐 또는 다른 이탈 기 대신에, 이러한 기 둘 이상이 또한 도입될 수 있다.
마지막으로, 추가의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 스즈키 커플링을 통해 할로겐 또는 다른 이탈 기의 위치에서 화합물로 도입된다 (반응식 4).
[반응식 4]
Figure 112013111209721-pct00041
R = 유기 라디칼
X = CR2, SiR2, NR, PR, O, S
Ar, Ar' = 아릴, 헤테로아릴
Y = Hal 또는 다른 반응성 이탈기.
상기 기술된 합성 방법은 예시적인 것이며, 본 발명의 화합물의 특정 구현예의 합성법에 유리한 경우 유기 합성 분야에서 당업자에 의해 적합한 방식으로 변형될 수 있다.
또한 본 발명은, 치환기로서 도입되는 아릴 또는 헤테로아릴 기에 의해 하나 이상의 전이 금속-촉매작용 커플링 반응이 디히드로아크리딘 유도체로부터 출발하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 화학식 (I) 의 화합물의 제조 방법에 관한 것이다. 전이 금속-촉매작용 커플링 반응은 바람직하게는 하르트빅-부크발트 커플링 및 스즈키 커플링으로부터 선택된다.
상기 기재된 본 발명에 따른 화합물, 특히 반응성 이탈기, 예컨대 브롬, 요오드, 보론산 또는 보론산 에스테르에 의해 치환된 화합물이 상응하는 올리고머, 덴드리머 또는 중합체의 제조를 위한 단량체로서 사용될 수 있다. 적합한 반응성 이탈 기는 예를 들어 브롬, 요오드, 염소, 보론산, 보론산 에스테르, 아민, 말단 C-C 이중 결합 또는 C-C 삼중 결합을 갖는 알케닐 또는 알키닐 기, 옥시란, 옥세탄, 첨가고리화 예를 들어 1,3-양극성 첨가고리화를 겪는 기, 예컨대 디엔 또는 아지드, 카르복실산 유도체, 알코올 및 실란이다.
그러므로 본 발명은 또한, 화학식 (I) 의 하나 이상의 화합물을 포함하는 올리고머, 중합체 또는 덴드리머에 관한 것이며, 여기서 중합체, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 결합(들) 은 R1 또는 R2 에 의해 치환된 화학식 (I) 에서의 임의의 바람직한 위치에서 국지화될 수 있다. 화학식 (I) 의 화합물의 연결에 따라서, 상기 화합물은 올리고머 또는 중합체의 측쇄의 일부 또는 주쇄의 일부이다. 본 발명에 있어서의 올리고머는 3 개 이상의 단량체 단위체로부터 구축되는 화합물을 의미하는 것으로 의도된다. 본 발명에 있어서의 중합체는 10 개 이상의 단량체 단위체로부터 구축되는 화합물을 의미하는 것으로 의도된다. 본 발명에 따른 중합체, 올리고머 또는 덴드리머는 접합, 부분적으로 접합 또는 비-접합될 수 있다. 본 발명에 따른 올리고머 또는 중합체는 선형, 분지형 또는 수지형일 수 있다. 선형 방식으로 연결된 구조에서, 화학식 (I) 의 단위체는 서로 직접적으로 연결될 수 있거나, 2가 기를 통해, 예를 들어 치환 또는 비치환 알킬렌기를 통해, 헤테로원자를 통해 또는 2가 방향족 또는 헤테로방향족기를 통해 서로 연결될 수 있다. 분지형 및 수지형 구조에서, 화학식 (I) 의 3 개 이상의 단위체는, 예를 들어 3가 또는 다가 기를 통해, 예를 들어 3가 또는 다가 방향족 또는 헤테로방향족기를 통해 연결되어, 분지형 또는 수지형 올리고머 또는 중합체가 제공될 수 있다.
화학식 (I) 의 화합물에 대해 상기 기술된 바람직한 것이, 올리고머, 덴드리머 및 중합체에서 화학식 (I) 의 반복 단위에 대해서도 동일하게 적용된다.
올리고머 또는 중합체의 제조를 위해서, 본 발명에 따른 단량체는 추가의 단량체와 공중합되거나 단일중합된다. 적합하고 바람직한 공단량체는 플루오렌 (예를 들어 EP　842208 또는 WO 2000/22026 에 따름), 스피로비플루오렌 (예를 들어 EP　707020, EP　894107 또는 WO 2006/061181 에 따름), 파라-페닐렌 (예를 들어 WO 1992/18552 에 따름), 카르바졸 (예를 들어 WO 2004/070772 또는 WO　2004/113468 에 따름), 티오펜 (예를 들어 EP 1028136 에 따름), 디히드로페난트렌 (예를 들어 WO　2005/014689 또는 WO　2007/006383 에 따름), 시스- 및 트랜스-인데노플루오렌 (예를 들어 WO　2004/041901 또는 WO　2004/113412 에 따름), 케톤 (예를 들어 WO　2005/040302 에 따름), 페난트렌 (예를 들어 WO　2005/104264 또는 WO　2007/017066 에 따름) 또는 또한 다수의 이들 단위체에서 선택된다. 중합체, 올리고머 및 덴드리머는 통상 추가의 단위체, 예를 들어 방사 (형광 또는 인광) 단위체, 예를 들어 비닐트리아릴아민 (예를 들어 WO　2007/068325 에 따름) 또는 인광 금속 착물 (예를 들어 WO　2006/003000 에 따름) 및/또는 전하-수송 단위체, 특히 트리아릴아민 기재의 것들을 또한 함유한다.
본 발명에 따른 중합체, 올리고머 및 덴드리머는 유리한 특성, 특히 긴 수명, 높은 효율 및 양호한 색 좌표를 갖는다.
본 발명에 따른 중합체 및 올리고머는 일반적으로, 하나 이상의 단량체 유형, 중합체에서의 화학식 (I) 의 재발생 단위체를 야기하는 하나 이상의 단량체의 중합에 의해 제조된다. 적합한 중합 반응은 당업자에게 알려져 있으며 문헌에서 기재되어 있다. C-C 또는 C-N 연결을 야기하는 특히 적합하고 바람직한 중합 반응은 하기의 것이다:
(A) 스즈키 (SUZUKI) 중합;
(B) 야마모토 (YAMAMOTO) 중합;
(C) 스틸 (STILLE) 중합; 및
(D) 하트비그-부크발트 (HARTWIG-BUCHWALD) 중합.
이러한 방법에 의해 중합이 실행될 수 있는 방식 및 중합체가 이후 반응 매질로부터 분리되고 정제될 수 있는 방식은 당업자에게 알려져 있으며 문헌, 예를 들어 WO　2003/048225, WO　2004/037887 및 WO　2004/037887 에 상세히 기재되어 있다.
따라서, 본 발명은 또한, 스즈키 중합, 야마모토 중합, 스틸 중합 또는 하트비그-부크발트 중합에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는, 본 발명에 따른 중합체, 올리고머 및 덴드리머의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 덴드리머는 당업자에게 알려져 있는 방법 또는 이와 유사한 방법에 의해 제조될 수 있다. 적합한 방법은 문헌, 예를 들어 Frechet, Jean M. J.; Hawker, Craig J., "Hyper-branched polyphenylene and hyperbranched polyesters: new soluble, three-디mensional, reactive polymers", Reactive & Functional Polymers (1995), 26(1-3), 127-36; Janssen, H. M.; Meijer, E. W., "The synthesis and characterization of dendritic molecules", Materials Science and Technology (1999), 20 (Synthesis of Polymers), 403-458; Tomalia, Donald A., "Dendrimer molecules", Scientific American (1995), 272(5), 62-6; WO　02/067343 A1 및 WO　2005/026144 A1 에 기재되어 있다.
액체 상으로부터 본 발명에 따른 화합물의 가공을 위해, 예를 들어 스핀 코팅 또는 인쇄 공정에 의해, 본 발명에 따른 화합물의 제형이 필요하다. 이들 제형은 예를 들어 용액, 분산액 또는 미니에멀젼일 수 있다. 본 목적을 위해 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하고 바람직한 용매는 예를 들어, 톨루엔, 아니졸, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 디메틸아니졸, 메시틸렌, 테트라린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 다이옥산 또는 이들 용매의 혼합물이다.
따라서, 본 발명은 또한 하나 이상의 화학식 (I) 의 화합물 또는 화학식 (I) 의 하나 이상의 단위체 및 하나 이상의 용매, 바람직하게는 유기 용매를 함유하는 하나 이상의 중합체, 올리고머 또는 덴드리머를 포함하는 제형, 특히 용액, 분산액 또는 미니에멀젼에 관한 것이다. 이러한 유형의 용액이 제조될 수 있는 방식은 당업자에게 공지되어 있으며 예를 들어 WO 2002/072714 및 WO 2003/019694 및 인용 문헌에 기재되어 있다.
본 발명에 따른 화합물은 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자 (OLED) 에서 사용하기에 적합하다. 치환에 따라, 화합물은 다양한 기능 및 층에서 이용된다.
따라서, 본 발명은 또한 전자 소자에서 화학식 (I) 의 화합물의 용도에 관한 것이다. 여기서 전자 소자는 바람직하게는 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자 (O-FQD), 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이져 다이오드 (O-레이져) 및 특히 바람직하게는 유기 전계발광 소자 (OLED) 로 이루어지는 군에서 선택된다.
본 발명은 또한 하나 이상의 화학식 (I) 의 화합물을 포함하는 전기 소자에 관한 것이다. 여기서 전기 소자는 바람직하게는 상기 언급된 소자로부터 선택된다. 특히 바람직한 것은 애노드, 캐소드 및 하나 이상의 발광 층을 포함하는 유기 전계발광 소자 (OLED) 이며, 발광 층, 정공 수송 층 또는 다른 층일 수 있는 하나 이상의 유기 층이 하나 이상의 화학식 (I) 의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
캐소드, 애노드 및 방사층 외에, 유기 전계발광 소자는 또한 추가의 층을 포함할 수 있다. 이들은 예를 들어, 각각의 경우 하나 이상의 정공-주입층, 정공-수송층, 정공-차단층, 전자-수송층, 전자-주입층, 전자-차단층, 여기-차단층, 간층, 전하-생성층 (IDMC 2003, Taiwan; Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J.　Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J.　Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer), 커플링-아웃 (coupling-out) 층 및/또는 유기 또는 무기 p/n 접합부에서 선택된다. 그러나, 이들 층 각각이 반드시 존재해야할 필요는 없으며 층의 선택이 항상 사용된 화합물, 및 특히 또한 전계발광 소자가 형광 또는 인광인지 여부에 의존적이라는 것에 주목해야한다. 화합물은 바람직하게는 각 층에서 사용되고 이후 구획에서 명시되고 개시된다.
유기 전계발광 소자는 또한 다수의 방사층을 포함할 수 있다. 이들 방사층은 이러한 경우 특히 바람직하게는 합하여, 다수의 방사 최대치 380　nm 내지 750　nm 를 갖는데, 이는 전체적인 백색 방사를 야기하여, 즉, 형광 또는 인광일 수 있으며 청색 및 황색, 오렌지색 또는 적색 광을 방사하는 다양한 방사 화합물이 방사층에서 사용된다. 3-층 시스템, 즉 3 개 방사층을 갖는 계가 특히 바람직한데, 여기서 상기 3 개 층은 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방사를 나타낸다 (기본적인 구조에 대해서, 예를 들어 WO　2005/011013 참조). 본 발명에 따른 화합물은 이러한 소자에서 정공-수송 층, 발광층 및/또는 다른 층에서 존재할 수 있다. 백색 광 생성에 있어서, 폭넓은 파장 범위에서 개별적으로 발광하는 하나의 이미터 화합물이 복수의 발광 이미터 화합물 대신 색에서 적합할 수 있음을 숙지한다.
본 발명에 따르면, 화학식 (I) 의 화합물이 하나 이상의 인광 도판트를 포함하는 전자 소자에서 사용되는 것이 바람직하다. 여기서 화합물은 다양한 층에서 사용될 수 있고, 바람직하게는 정공-수송 층, 정공-주입 층 또는 방사 층에서 사용될 수 있다. 그러나, 화학식 (I) 의 화합물은 하나 이상의 형광 도판트를 포하하는 전자 소자에서 본 발명에 따라 사용될 수 있다.
전형적으로 용어 인광 도판트는, 예를 들어 여기된 삼중항 상태 또는 상대적으로 높은 스핀 양자수, 예를 들어 사중항 상태로부터의 스핀-금지 전이에 의해 발생하는 화합물을 포함한다.
적합한 인광 도판트 (= 삼중항 이미터) 는, 특히 빛을 방출하는 화합물, 바람직하게는 가시 영역에서 적합한 여기 상에서 빛을 방출하는 화합물이고, 또한, 20 초과, 바람직하게는 38 초과 및 84 미만, 특히 바람직하게는 56 초과 및 80 미만의 원자 번호를 갖는 원자를 하나 이상 함유한다. 사용되는 인광 이미터는 바람직하게는 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐, 백금 또는 구리를 함유하는 화합물이다.
본 발명의 목적을 위해, 모든 발광성 이리듐, 백금 또는 구리 착물은 인광 화합물로서 간주된다.
상기 기술된 이미터의 예는 출원 WO　00/70655, WO　01/41512, WO　02/02714, WO　02/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373 및 US　2005/0258742 에 나타나 있다. 일반적으로, 인광 OLED 에 대해 종래 기술에 따라 사용되는 바와 같은 인광 착물 및 유기 전계발광 소자 분야에서 당업자에게 공지되어 있는 인광 착물이 적합하다. 당업자는 유기 전계발광 소자에서 화학식 (I) 의 화합물과 조합으로 창의적 단계 없이 추가의 인광 착물을 사용할 수 있을 것이다.
적합한 인광 이미터 화합물의 명백한 예를 하기 표에 추가로 나타낸다:
Figure 112013111209721-pct00042
Figure 112013111209721-pct00043
Figure 112013111209721-pct00044
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본 발명의 바람직한 구현예에서, 화학식 (I) 의 화합물은 정공-수송 물질로서 사용된다. 화합물은 정공-수송 층 및/또는 정공-주입 층에서 사용되는 것이 바람직하다. 본 발명에서 정공-주입 층은 애노드에 직접 인접한 층이다. 본 발명에서 정공-수송 층은 정공-주입 층 및 방출 층 사이에서 위치하는 층이다. 정공-수송 층은 방출 층에 직접 인접할 수 있다. 화학식 (I) 의 화합물이 정공-수송 물질로서 또는 정공-주입 물질로서 사용되는 경우, 이들은 전자-수용체 화합물, 예를 들어 F4-TCNQ 또는 EP　1476881 또는 EP　1596445 에 기재된 바와 같은 화합물로 도핑되는 거이 바람직할 수 있다. 본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, 화학식 (1) 의 화합물은 US　2007/0092755 에서 기재된 바와 같이 헥사아자트리페닐렌 유도체와 조합으로 정공-수송 물질로서 사용된다. 여기서 헥사아자트리페닐렌 유도체는 특히 바람직하게는 분리 층에서 사용된다.
화학식 (I) 의 화합물이 정공-수송 층에서 정공-수송 물질로서 사용되는 경우, 정공-수송 층에서 하나 이상의 추가 화합물과 조합으로 사용될 수 있거나 정공-수송 층에서 순수한 물질로서, 즉 100% 의 비율로 사용될 수 있다.
본 발명의 추가의 구현예에서, 화학식 (I) 의 화합물은 하나 이상의 도판트, 바람직하게는 인광 도판트와 조합으로 매트릭스 물질로서 사용된다.
도판트는 혼합물의 비율이 매트릭스 물질 및 도판트를 포함하는 시스템에서 더 작은 성분을 의미하도록 의도된다. 따라서, 매트릭스 물질은 혼합물의 비율이 매트릭스 물질 및 도판트를 포함하는 시스템에서 더 큰 성분을 의미하도록 의도된다.
방사층에서 매트릭스 물질의 비율은 이러한 경우에서 50.0 내지 99.9 부피%, 바람직하게는 80.0 내지 99.5 부피%, 특히 바람직하게는 92.0 내지 99.5 부피% (형광 방사층에 대해), 및 85.0 및 97.0 부피% (인광 방사층에 대해) 이다.
따라서, 도판트의 비율은 0.1 내지 50.0 부피%, 바람직하게는 0.5 내지 20.0 부피%, 특히 바람직하게는 0.5 내지 8.0 부피% (형광 방사 층에 대해) 및 3.0 내지 15.0 부피% (인광 방사 층에 대해) 이다.
유기 전계발광 소자의 방사층은 또한 다수의 매트릭스 물질 (혼합 매트릭스 시스템) 및/또는 다수의 도판트를 포함하는 시스템을 포함할 수 있다. 이러한 경우에 또한, 도판트는 일반적으로 시스템의 비율이 더 작은 물질이고 매트릭스 물질은 시스템의 비율이 더 큰 물질이다. 그러나 개별적 경우에서, 시스템의 개별적 매트릭스 물질의 비율은 개별적 도판트의 비율보다 적을 수 있다.
본 발명의 추가의 바람직한 구현예에서, 화학식 (I) 의 화합물은 혼합-매트릭스 시스템의 성분으로서 사용된다. 혼합-매트릭스 시스템은 바람직하게는 2 개 또는 3 개의 상이한 매트릭스 물질, 특히 바람직하게는 2 개의 상이한 매트릭스 물질을 포함한다. 여기서 2 개의 상이한 매트릭스 물질은, 바람직하게는 하나는 정공-수송 특성을 갖는 물질이고 다른 물질은 전자-수송 특성을 갖는 물질이다. 그러나, 혼합-매트릭스 성분의 원하는 전자-수송 및 정공-수송 특성은 또한 단일 혼합-매트릭스 성분에서 부분적으로 또는 완전하게 결합될 수 있으며, 이때 추가의 혼합-매트릭스 성분(들)은 다른 기능을 충족시킨다. 여기서 2 개의 상이한 매트릭스 물질은 1:50 내지 1:1, 바람직하게는 1:20 내지 1:1, 특히 바람직하게는 1:10 내지 1:1, 매우 특히 바람직하게는 1:4 내지 1:1 의 비율로 존재할 수 있다. 혼합-매트릭스 시스템은 바람직하게는 인광 유기 전계발광 소자에서 사용된다. 혼합-매트릭스 시스템 상에서 보다 정확한 정보는 특히 출원 WO　2010/108579 에 제시되어 있다.
혼합-매트릭스 시스템은 하나 이상의 도판트, 바람직하게는 하나 이상의 인광 도판트를 포함할 수 있다. 일반적으로, 혼합-매트릭스 시스템은 바람직하게는 인광 유기 전계발광 소자에서 사용된다.
본 발명에 따른 화합물과 조합되는, 혼합-매트릭스 시스템의 매트릭스 성분으로서 사용될 수 있는 특히 적합한 매트릭스 물질은, 하기 나타낸 인광 도판트용의 바람직한 매트릭스 물질 또는 형광 도판트용 바람직한 매트릭스 물질로부터 선택된다.
혼합-매트릭스 시스템에 사용되는데 바람직한 인광 도판트는 상기 표에 나타낸 인광 도판트이다.
본 발명에 따른 소자에서 관련 기능에 사용되는 바람직한 물질을 하기에 나타낸다.
바람직한 형광 도판트는 아릴아민의 부류로부터 선택된다. 본 발명에 있어서의 아릴아민 또는 방향족 아민은 질소에 직접 결합한 3 개의 치환 또는 비치환 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 의도된다. 이들 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 중 하나 이상은 바람직하게는 축합 고리계, 특히 바람직하게는 14 개 이상의 방향족 고리 원자를 갖는 고리계이다. 이의 바람직한 예시는 방향족 안트라센아민, 방향족 안트라센디아민, 방향족 피렌아민, 방향족 피렌디아민, 방향족 크리센아민 또는 방향족 크리센디아민이다. 방향족 안트라센아민은 하나의 디아릴아미노기가, 바람직하게는 9-위치에서, 안트라센기에 직접 결합하는 화합물을 의미하는 것으로 의도된다. 방향족 안트라센디아민은 2 개의 디아릴아미노기가, 바람직하게는 9,10-위치에서, 안트라센기에 직접 결합하는 화합물을 의미하는 것으로 의도된다. 방향족 안트라센디아민은 2 개의 디아릴아미노기가 안트라센 기에 직접 결합되는, 바람직하게는 9,10-위치에서 직접 결합되는 것을 의미한다. 방향족 피렌아민, 피렌디아민, 크리센아민 및 크리센디아민이 이와 유사하게 정의되며, 이때 디아릴아미노 기는 바람직하게는 1-위치 또는 1,6-위치에서 피렌에 결합된다.
바람직하게는 형광 도판트에 사용될 수 있는 매트릭스 물질은 본 발명의 화합물 이외에도 다양한 부류의 물질로부터의 물질이다. 바람직한 매트릭스 물질은 올리고아릴렌의 부류 (예를 들어 EP　676461 에 따른 2,2',7,7'-테트라페닐스피로비플루오렌, 또는 디나프틸안트라센), 특히 축합 방향족기를 함유하는 올리고아릴렌, 올리고아릴렌비닐렌 (예를 들어 EP 676461 에 따른 DPVBi 또는 스피로-DPVBi), 폴리포달 금속 착물 (예를 들어 WO 2004/081017 에 따름), 정공-전도 화합물 (예를 들어 WO 2004/058911 에 따름), 전자-전도 화합물, 특히 케톤, 포스핀 옥시드, 술폭시드 등 (예를 들어 WO 2005/084081 및 WO 2005/084082 에 따름), 회전장애이성질체 (예를 들어 WO 2006/048268 에 따름), 보론산 유도체 (예를 들어 WO　2006/117052 에 따름) 또는 벤즈안트라센 (예를 들어 WO 2008/145239 에 따름) 에서 선택된다. 특히 바람직한 매트릭스 물질은 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센 및/또는 피렌 또는 이들 화합물의 회전장애이성질체, 올리고아릴렌비닐렌, 케톤, 포스핀 옥시드 및 술폭시드를 포함하는, 올리고아릴렌의 부류에서 선택된다. 매우 특히 바람직한 매트릭스 물질은 안트라센, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌 및/또는 피렌 또는 이들 화합물의 회전장애이성질체를 포함하는 올리고아릴렌의 부류에서 선택된다. 본 발명에 있어서의 올리고아릴렌은 3 개 이상의 아릴 또는 아릴렌기가 서로 결합하는 화합물을 의미하는 것으로 의도된다.
인광 도판트에 바람직한 매트릭스 물질은 본 발명에 따른 화합물 이외에도 방향족 아민, 특히 트리아릴 아민 (예를 들어, US 2005/0069729 에 따름), 카르바졸 유도체 (예를 들어 CBP (N,N-비스카르바졸릴비페닐) 또는 WO　2005/039246, US　2005/0069729, JP　2004/288381, EP 1205527 또는 WO 2008/086851 에 따른 화합물), 가교 카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2011/088877 및 WO 2011/128017 에 따름), 인데노카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2010/136109 및 WO 2011/000455 에 따름), 아자카르바졸 (예를 들어 EP　1617710, EP　1617711, EP　1731584, JP 2005/347160 에 따름), 인돌로카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 케톤 (예를 들어 WO 2004/093207 또는 WO　2010/006680 에 따름), 포스핀 옥시드, 술폭시드 및 술폰 (예를 들어 WO 2005/003253 에 따름), 올리고페닐렌, 쌍극성 매트릭스 물질 (예를 들어 WO 2007/137725 에 따름), 실란 (예를 들어, WO 2005/111172 에 따름), 아자보롤 또는 보론산 에스테르 (예를 들어 WO　2006/117052 에 따름), 트리아진 유도체 (예를 들어 WO　2010/015306, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 아연 착물 (예를 들어, EP 652273 또는 WO　2009/062578 에 따름), 알루미늄 착물 (예를 들어 BAlq), 디아자실롤 및 테트라아자실롤 유도체 (예를 들어 WO　2010/054729 에 따름), 디아자포스폴 유도체 (예를 들어 WO 2010/054730 에 따름), 및 알루미늄 착물, 예를 들어 BAlq 이다.
본 발명에 따른 유기 전계발광 소자의 정공-주입층 또는 정공-수송층 또는 전자-수송층에서 사용될 수 있는 바와 같은 적합한 전하-수송 물질은, 예를 들어, Y. Shirota et al., Chem . Rev . 2007, 107(4), 953-1010 에 개시된 화합물 또는 종래 기술에 따른 이들 층에서 이용되는 바와 같은 기타 물질이다.
유기 전계발광 소자의 캐소드는 바람직하게는 낮은 일 함수를 갖는 금속, 금속 합금 또는 다양한 금속, 예컨대 알칼리 토금속, 알칼리 금속, 주족 금속 또는 란탄족 (예를 들어 Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm 등) 을 포함하는 다층 구조를 포함한다. 또한 적합한 것은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 은을 포함하는 합금, 예를 들어 마그네슘 및 은을 포함하는 합금이다. 다층 구조의 경우, 상대적으로 높은 일 함수를 갖는 추가의 금속, 예를 들어 Ag 또는 Al 이 또한 상기 금속에 추가로 사용될 수 있는데, 여기서의 경우 금속의 조합, 예를 들어 Ca/Ag, Mg/Ag 또는 Ag/Ag 가 일반적으로 사용된다. 금속성 캐소드와 유기 반도체 사이에 높은 유전 상수를 갖는 물질의 얇은 중간층을 도입하는 것이 또한 바람직할 수 있다. 이러한 목적을 위해 적합한 것은, 예를 들어 알칼리 금속 플루오라이드 또는 알칼리 토금속 플루오라이드 뿐 아니라 상응하는 옥시드 또는 카르보네이트 (예를 들어 LiF, Li2O, BaF2, MgO, NaF, CsF, Cs2CO3 등) 이다. 더욱이, 리튬 퀴놀리네이트 (LiQ) 가 이러한 목적을 위해 사용될 수 있다. 상기 층의 층 두께는 바람직하게는 0.5 내지 5 nm 이다.
애노드는 바람직하게는 높은 일 함수를 갖는 물질을 포함한다. 상기 애노드는 바람직하게는 진공에 비해 4.5 eV 초과의 일 함수를 갖는다. 이러한 목적을 위해 적합한 것은 한편으로는, 높은 산화환원 전위를 갖는 금속, 예를 들어 Ag, Pt 또는 Au 이다. 다른 한편으로는, 금속/금속 옥시드 전극 (예를 들어 Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 가 또한 바람직할 수 있다. 일부 적용에 대해서, 유기 물질 (유기 태양 전지) 의 조사 (irradiation) 또는 외부 발광 (coupling-out of light) (OLED, O-레이져) 을 촉진하기 위해 전극 중 하나 이상은 투명 또는 부분적으로 투명해야만 한다. 여기서, 바람직한 애노드 물질은 전도성 혼합 금속 옥시드가다. 인듐 주석 옥시드 (ITO) 또는 인듐 아연 옥시드 (IZO) 이 특히 바람직하다. 전도성의, 도핑된 유기 물질, 특히 전도성의, 도핑된 중합체가 또한 바람직하다.
소자는 적절히 (용도에 따라) 접촉부를 구비하고 최종적으로 밀봉되어 구조화되는데, 이는 본 발명에 따른 소자의 수명이 물 및/또는 공기의 존재 하에 단축되기 때문이다.
바람직한 구현예에서, 본 발명에 따른 유기 전계발광 소자는 하나 이상의 층이 승화 과정에 의해 적용되는 것을 특징으로 하는데, 여기서 물질은 10-5　mbar 미만, 바람직하게는 10-6　mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 단위로 증착에 의해 적용된다. 그러나, 여기서 또한 초기 압력이 더 낮을 수도 있는데, 예를 들어 10-7　mbar 미만일 수 있다.
마찬가지로, OVPD (유기 기상 침착) 방법을 통해 또는 담체-기체 승화 (물질이 10-5 mbar 내지 1　bar 의 압력에서 적용됨) 의 도움으로 하나 이상의 층이 적용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 이러한 방법의 특이적 경우는 OVJP (유기 증기 제트 인쇄) 방법인데, 여기서 물질은 노즐을 통해 직접 적용되며 이에 따라 구조화된다 (예를 들어 M. S. Arnold et al ., Appl . Phys . Lett. 2008, 92, 053301).
또한, 예를 들어 스핀 코팅에 의해, 또는 임의의 원하는 인쇄 방법, 예컨대 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 노즐 인쇄 또는 오프셋 인쇄, 특히 바람직하게는 LITI (광 유도 열 이미지 처리법, 열 전사 인쇄) 또는 잉크젯 인쇄에 의해 용액으로부터 하나 이상의 층이 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 화학식 (I) 의 가용성 화합물이 이러한 목적을 위해 필요하다. 상기 화합물의 적합한 치환을 통해 높은 용해도를 달성할 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계발광 소자의 제조를 위해서, 용액으로부터의 하나 이상의 층 및 하나 이상의 층을 승화 방법에 의해 적용하는 것이 또한 바람직하다.
본 발명에 따라서, 화학식 (I) 의 하나 이상의 화합물을 포함하는 전자 소자는 디스플레이에서, 조명 적용물에서 광원으로서, 그리고 의료 및/또는 미용 적용물에서 광원으로서 (예를 들어 광 치료요법) 이용될 수 있다.
본 발명에 따른 화합물 및 본 발명에 따른 유기 전계발광 소자는 종래 기술에 비해 하기의 놀라운 이점으로 구별된다:
1. 본 발명에 따른 화합물은, 특히 이의 높은 정공 이동성으로 인해, 유기 전계발광 소자의 정공-수송층 또는 정공-주입층에서 사용되는데 매우 적합하다.
2. 본 발명에 따른 화합물은 상대적으로 낮은 승화 온도, 높은 온도 안정성 및 용액에서 높은 산화 안정성을 가지며 따라서 용이하게 가공될 수 있다.
3. 본 발명에 따른 화합물은 특히 정공-수송 또는 정공-주입 물질로서 사용되며, 유기 전계발광 소자의 장기간 수명 및 높은 효율을 생성한다.
본 발명은 하기 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
작업예
A) 합성예
전구체 V1 의 합성:
Figure 112013111209721-pct00052
CAS 넘버: 918163-16-3
제 1 단계: 2-클로로-9,9-디메틸-9,10-디히드로아크리딘
30.3 g (116 mmol) 의 2-[2-(4-클로로페닐아미노)페닐]프로판-2-올을 700 ㎖ 의 탈기된 톨루엔에 용해시키고, 93 g 의 폴리인산 및 61.7 g 의 메탄술폰산의 현탁액을 첨가하고, 혼합물을 실온에서 1　h 동안 교반하고 1 h 동안 50℃ 에서 가열시킨다. 배치를 냉각시키고 얼음에 첨가하고 에틸 아세테이트로 3 회 추출하였다. 결합된 유기 상을 포화 염화나트륨 용액으로 세척하고, 황산 마그네슘 상에서 건조시키고 증발시켰다. 헵탄/에틸 아세테이트 (20:1) 를 갖는 실리카 겔을 통해 미정제 생성물을 여과하여, 엷은 황색 결정으로서 25.1 g (89%) 의 2-클로로-9,9-디메틸-9,10-디히드로아크리딘을 제공하였다.
제 2 단계: 10-바이페닐-4-일-2-클로로-9,9-디메틸-9,10-디히드로아크리딘
Figure 112013111209721-pct00053
1000 ㎖ 의 톨루엔 중의 57.9 g (243.7 mmol) 의 4-브로모바이페닐 및 50 g (203.1 mmol) 의 2-클로로-9,9-디메틸-9,10-디히드로아크리딘의 탈기 용액을 1 h 동안 N2 로 포화시켰다. 이후, 우선 5.6　g (10.1mmol) 의 DPPF, 이어서 2.28 g (10.1 mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트를 상기 용액에 첨가하고, 이어서 52.3 g (528 mmol) 의 NaOtBu (고체 상태) 을 첨가하였다. 반응 혼합물을 환류 하에서 밤새 가열시켰다. 실온으로 냉각시킨 후, 500 ㎖ 의 물을 조심스럽게 첨가하였다. 수성 상을 3x 50 ㎖ 의 톨루엔으로 세척하고, MgSO4 상에서 건조시키고, 용매를 진공 하에 제거하였다. 헵탄/에틸 아세테이트 (20:1) 를 갖는 실리카 겔을 통한 미정제 생성물의 여과는 엷은 황색 결정으로서 60 g (75%) 의 10-바이페닐-4-일-2-클로로-9,9-디메틸-9,10-디히드로아크리딘을 제공하였다.
더욱이, 하기 화합물은 화합물 V1 의 제 2 단계에서와 유사한 조건에 따라 제조될 수 있다:
Figure 112013111209721-pct00054
Figure 112013111209721-pct00055
화합물 V2a 내지 V9a 는 할로겐화에 의해 화합물 V2-V9 로부터 제조될 수 있다:
10-바이페닐-4-일-2,7-디브로모-9,9-디메틸-9,10-디히드로아크리딘
Figure 112013111209721-pct00056
N-브로모숙신이미드 (9.8 g, 55.3 mmol) 를, 빛을 배제한 0℃ 에서 디클로로메탄 (140　ml) 중 디히드로아크리딘 (9.8　g, 55.3 mmol) 용액에 일부 첨가하고, 혼합물을 2 h 동안 이 온도에서 교반하였다. 나트륨 술파이트 용액을 첨가하여 반응을 종결시키고 실온에서 추가의 30 분 동안 교반하였다. 상 분리 후, 유기 상을 물로 세척하고 수성 상을 디클로로메탄으로 추출하였다. 결합된 유기 상을 황산나트륨 상에서 건조시키고 진공 하에 증발시켰다. 잔사를 에틸 아세테이트에서 용해시키고 실리카 겔을 통해 여과시켰다. 이어서, 미정제 생성물을 헵탄으로부터 재결정화하였다. 수율: 14　g, 이론적으로 97%, 무색 고체.
Figure 112013111209721-pct00057
Figure 112013111209721-pct00058
Figure 112013111209721-pct00059
본 발명에 따른 화합물 1-14 는 스즈키 커플링에 의해 중간체 V1, V2a, V3a, V4a, V5a 및 V5b 로부터 수득될 수 있다.
10-바이페닐-4-일-9,9-디메틸-2-페닐-9,10-디히드로아크리딘
Figure 112013111209721-pct00060
6.8 g (55.5 mmol) 의 벤젠보론산, 20 g (50.5 mmol) 의 10-바이페닐-4-일-2-클로로-9,9-디메틸-9,10-디히드로아크리딘 및 15.3 g (101　mmol) 의 CsF 를 160　㎖ 의 다이옥산에 현탁시켰다. 1.8　g (2.5 mmol) 의 PdCl2(PCy3)2 를 이러한 현탁액에 첨가하고, 반응 혼합물을 16 h 동안 환류 하에 가열시켰다. 냉각 후, 유기 상을 분리시키고, 실리카 겔을 통해 여과시키고, 200 ㎖ 의 물로 3 회 세척하고 이어서 건조 증발시켰다. 잔사를 톨루엔으로부터 재결정화하고 마지막으로 고 진공 하에서 승화시켰다. 순도: 99.9%. 수율: 6.5 g (이론적으로 30% 에 해당).
본 발명에 따른 화합물 2 내지 14 는 유사하게 수득될 수 있다:
Figure 112013111209721-pct00061
Figure 112013111209721-pct00062
Figure 112013111209721-pct00063
Figure 112013111209721-pct00064
더욱이, 화합물 15 내지 18 은 유사한 조건 하에서 스즈키 커플링에 의해 전구체 V6a 내지 V9a 로부터 페닐보론산으로 수득되었다:
Figure 112013111209721-pct00065
Figure 112013111209721-pct00066
B) 소자예
OLED 의 제조
본 발명에 따른 OLED 및 종래 기술에 따른 OLED 는 WO　2004/058911 에 따른 일반적 방법에 의해 제조되며, 이는 여기서 기재된 환경에 대해 적합화된다 (층-두께 변화, 물질).
다양한 OLED 에 대한 구조 및 데이터를 하기 실시예 V1 내지 V8 및 E1 내지 E6 에 나타낸다 (표 1 내지 5 참조). 150 nm 두께로 구조화 ITO (인듐 주석 옥시드) 에 의해 코팅된 유리 플레이트를, 개선된 처리를 위하여, 물로부터의 스핀 코팅에 의해 적용되는 20　nm 의 PEDOT (폴리-(3,4-에틸렌디옥시-2,5-티오펜) (H. C. Starck, Goslar, Germany 에서 구매함) 으로 코팅하였다. 이러한 코팅된 유리 플레이트는 OLED 가 적용되는 기판을 형성한다. OLED 는 기본적으로 하기의 층 구조를 갖는다: 기판 / 임의적인 정공-주입 층 (HIL) / 정공-수송층 (HTL) / 임의의 중간층 (IL) / 전자-차단층 (EBL)　/ 방사층 (EML) / 임의의 정공-차단층 (HBL) / 전자-수송층 (ETL) / 및 마지막으로 캐소드. 캐소드는 100 nm 두께를 갖는 알루미늄 층에 의해 형성된다. OLED 의 정확한 구조를 아래 표 1 내지 3 에 나타낸다. OLED 의 제조에 필요한 물질을 아래 표 5 에 나타낸다.
모든 물질을 진공실에서 열 증착에 의해 적용한다. 여기서 방사층은 항상 하나 이상의 매트릭스 물질 (호스트 물질) 및 방사 도판트 (이미터) 로 이루어지는데, 여기에 특정 부피비로 동시증발 (co-evaporation) 에 의해 매트릭스 물질(들)이 혼합된다. 여기서 H1:SEB1 (95%:5%) 와 같은 표현은, 물질 H1 이 95 부피%의 비율로 층 내에 존재하고, SEB1 이 5% 의 비율로 층 내에 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 전자-수송 층이 또한 2 개의 물질의 혼합물로 이루어질 수 있다.
OLED 는 표준 방법에 의해 특징 분석된다. 이를 위해, 전계발광 스펙트럼, 전류 효율 (cd/A 로 측정), 전력 효율 (lm/W 로 측정) 및 외부 양자 효율 (EQE, % 로 측정) 을 발광 밀도의 함수로서, 람베르트 (Lambert) 방사 특징을 가정한 전류/전압/발광 밀도 특성선 (IUL 특성선) 으로부터 계산하고, 수명을 측정한다. 전계발광 스펙트럼은 1000 cd/㎡ 의 발광 밀도에서 측정되고, CIE 1931 x 및 y 색채 좌표가 이로부터 계산된다. 표　2 및 4 에서 표현 U @ 1000 cd/㎡ 은 1000 cd/㎡ 의 발광 밀도를 위해 필요한 전압을 나타낸다. 마지막으로, EQE @ 1000 cd/㎡ 은 1000 cd/㎡ 의 작동 발광 밀도에서의 외부 양자 효율을 나타낸다. LT80 @ 6000　cd/㎡ 란, 이의 OLED 는 6000　cd/㎡ 의 휘도에서의 초기 강도의 80% 가 4800　cd/㎡ 으로 하락함을 나타내는 수명이다.
다양한 OLED 의 측정 데이터를 표 2 및 4 에 요약한다.
형광 및 인광 OLED 에서 본 발명에 따른 화합물의 용도
본 발명에 따른 화합물은 OLED 에서 특히 HTM (정공-수송 물질) 또는 EBM (전자-차단 물질) 로서 적합하다. 이들은 단일 층에서 사용되는데 적합하나, 방사층의 구성성분으로서 또는 EBM, HTM 으로서 혼합 성분으로서 사용되는데 적합하다. 종래 기술에 따른 소자 (V1 내지 V8) 와 비교시, 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 모든 샘플은 동일하거나 개선된 수명과 함께 더 높은 효율을 나타낸다 (E1 내지 E6).
참조 물질 HTMV1 (V2 및 V6) 과 비교시, 본 발명에 따른 화합물은 더욱 양호한 효율 및 더욱 양호한 수명을 나타낸다. 따라서, V2 의 수명은 청색-방사 소자에서 E1 내지 E3 과 비교시 실질적으로 2배가 되며, 녹색-방사 소자에서 또한 실질적으로 2배가 된다 (E4 내지 E6 과 비교한 V6).
참조 물질 HTMV2 (V3 및 V7) 과 비교시, 본 발명에 따른 화합물에 대해선 청색- 또는 녹색-방사 소자에서 더욱 양호하거나 동일하게 양호한 (HTM2) 수명이 수득되는 동시에 효율에서의 현저한 개선이 수득된다.
참조 물질 HTMV3 (V4 및 V8) 과 비교시, 본 발명에 따른 화합물에 대해선 현저하게 양호한 효율 및 수명이 수득된다.
Figure 112013111209721-pct00067
Figure 112013111209721-pct00068
Figure 112013111209721-pct00069
Figure 112013111209721-pct00070
Figure 112013111209721-pct00071
Figure 112013111209721-pct00072

Claims (19)

  1. 하기 화학식 (I-A-1-a) 의 화합물:
    Figure 112018037159806-pct00077

    [식 중, 방향족 6-원 고리 상의 자유 위치는 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있고, 기호 및 지수에는 하기 의미가 적용된다:
    Ar1 * 기는 하기 화학식 (H):
    Figure 112018037159806-pct00074

    [식 중,
    Y 는 O 및 S 로부터 선택되고;
    p 는 1 과 동일하며;
    상기 기는 모든 자유 위치에서 라디칼 R2 에 의해 치환되고,
    상기 기는 임의의 원하는 위치에서 L 기에 연결될 수 있음] 에 해당하고;
    Ar2 * 기는 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있는, 방향족 고리원자수 6 내지 24 의 방향족 고리계에 해당하고;
    L 은 각 경우 동일하게 또는 상이하게, 단일 결합 또는 방향족 고리원자수 6 내지 24 의 방향족 고리계 (이는 하나 이상의 라디칼 R2 에 의해 치환될 수 있음)이고;
    R1 은 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R3, CN, Si(R3)3, NO2, P(=O)(R3)2, S(=O)R3, S(=O)2R3, 탄소수 1 내지 20 의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 3 내지 20 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 2 내지 20 의 알케닐 또는 알키닐 기 (이때 상기 언급된 기는 각각 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R3C=CR3-, -C≡C-, Si(R3)2, C=O, C=S, C=NR3, -C(=O)O-, -C(=O)NR3-, NR3, P(=O)(R3), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수 있음) 또는 방향족 고리원자수 6 내지 30 의 방향족 고리계 (이는 각 경우 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있음) 이고, 이때 둘 이상의 비-방향족 라디칼 R1 은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고;
    R2 는 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R3, CN, Si(R3)3, NO2, P(=O)(R3)2, S(=O)R3, S(=O)2R3, 탄소수 1 내지 20 의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 3 내지 20 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 2 내지 20 의 알케닐 또는 알키닐 기 (이때 상기 언급된 기는 각각 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R3C=CR3-, -C≡C-, Si(R3)2, C=O, C=S, C=NR3, -C(=O)O-, -C(=O)NR3-, NR3, P(=O)(R3), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수 있음) 또는 방향족 고리원자수 6 내지 30 의 방향족 고리계 (이는 각 경우 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있음), 또는 방향족 고리원자수 5 내지 30 의 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기 (이는 하나 이상의 라디칼 R3 에 의해 치환될 수 있음) 이고, 이때 둘 이상의 라디칼 R2 는 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고;
    R3 은 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, C(=O)R4, CN, Si(R4)3, NO2, P(=O)(R4)2, S(=O)R4, S(=O)2R4, 탄소수 1 내지 20 의 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 3 내지 20 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 탄소수 2 내지 20 의 알케닐 또는 알키닐 기 (이때 상기 언급된 기는 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 치환될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 CH2 기는 -R4C=CR4-, -C≡C-, Si(R4)2, C=O, C=S, C=NR4, -C(=O)O-, -C(=O)NR4-, NR4, P(=O)(R4), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수 있고, 이때 상기 언급된 기에서 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수 있음) 또는 방향족 고리원자수 6 내지 30 의 방향족 고리계 (이는 각 경우 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 치환될 수 있음), 또는 방향족 고리원자수 5 내지 30 의 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기 (이는 하나 이상의 라디칼 R4 에 의해 치환될 수 있음) 이고, 이때 둘 이상의 라디칼 R3 은 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고;
    R4 는 각 경우 동일하게 또는 상이하게, H, D, F 또는 탄소수 1 내지 20 의 지방족 또는 방향족 유기 라디칼이고, 이때 또한 하나 이상의 H 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수 있고; 여기서 둘 이상의 치환기 R4 는 서로 연결될 수 있고 고리를 형성할 수 있고;
    이때 화합물은 카르바졸 기를 함유하지 않음].
  2. 제 1 항에 있어서, L 기가 단일 결합인 것을 특징으로 하는 화합물.
  3. 제 1 항에 있어서, 화학식 (I-A-1-a) 의 기본 구조의 방향족 6-원 고리로의 L-Ar1 * 기의 결합 위치가, 질소 원자에 대해 파라- 또는 메타-위치인 것을 특징으로 하는 화합물.
  4. 제 1 항에 있어서, R1 기가 방향족 고리계를 나타내지 않는 것을 특징으로 하는 화합물.
  5. 제 1 항에 있어서, 하나 이상의 질소 원자를 갖는 헤테로방향족 6-원 고리 및 둘 이상의 헤테로원자를 갖는 헤테로방향족 5-원 고리 및 케토기, 인 옥시드 기 및 황 옥시드 기를 모두 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 화합물.
  6. 아릴 또는 헤테로아릴 기가 치환기로서 도입되는, 하나 이상의 전이 금속-촉매작용 커플링 반응이 디히드로아크리딘 유도체로부터 출발하여 수행되는 것을 특징으로 하는 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 화합물의 제조 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 함유하는 중합체로서, 이때 중합체의 결합(들)이 R1 또는 R2 에 의해 치환된 화학식 (I-A-1-a) 에서 임의의 원하는 위치에서 위치할 수 있는 중합체.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 화합물, 및 하나 이상의 용매를 포함하는 제형.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 전자 소자.
  10. 제 9 항에 있어서, 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자 (O-FQD), 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이져 다이오드 (O-레이져) 및 유기 전계발광 소자 (OLED) 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
  11. 제 9 항에 있어서, 유기 전계발광 소자의 군으로부터 선택되는 전자 소자로서, 화합물이
    - 정공-수송 또는 정공-주입 층에서 정공-수송 물질로서,
    - 방사 층에서 매트릭스 물질로서,
    - 전자-차단 물질로서,
    - 여기-차단 물질로서
    의 기능 중 하나 이상에 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
  12. 제 7 항에 따른 중합체 및 하나 이상의 용매를 포함하는 제형.
  13. 제 7 항에 따른 중합체를 포함하는 전자 소자.
  14. 제 13 항에 있어서, 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 소자 (O-FQD), 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이져 다이오드 (O-레이져) 및 유기 전계발광 소자 (OLED) 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
  15. 제 13 항에 있어서, 유기 전계발광 소자의 군으로부터 선택되는 전자 소자로서, 중합체가
    - 정공-수송 또는 정공-주입 층에서 정공-수송 물질로서,
    - 방사 층에서 매트릭스 물질로서,
    - 전자-차단 물질로서,
    - 여기-차단 물질로서
    의 기능 중 하나 이상에 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
  16. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 함유하는 올리고머로서, 이때 올리고머의 결합(들)이 R1 또는 R2 에 의해 치환된 화학식 (I-A-1-a) 에서 임의의 원하는 위치에서 위치할 수 있는 올리고머.
  17. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 함유하는 덴드리머로서, 이때 덴드리머의 결합(들)이 R1 또는 R2 에 의해 치환된 화학식 (I-A-1-a) 에서 임의의 원하는 위치에서 위치할 수 있는 덴드리머.
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