JP4245032B2 - 発光装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）に代表される発光素子を備えた発光装置と、この発光装置を備えた電子機器に関する。

ＯＬＥＤは、有機ＥＬ（Electro Luminescent）材料で形成された固体の発光層を陽極と陰極とで挟んだ構成を有する。ＯＬＥＤを備えた発光装置としては、基板上に複数のＯＬＥＤを画素として配列した構成の発光装置が知られている。この発光装置では、各画素は封止されて外気から保護されている。封止の方法の一つに、基板上に薄膜を形成し、形成した薄膜で封止層を構成する薄膜封止がある。薄膜封止では、封止層は、特許文献１に示されるように単層構成であってもよいし、特許文献２に示されるように複数層構成であってもよい。

図１１は、従来の発光装置（単層構成）の端部の断面図である。複数の画素は、画素基板５０１上の中央（図示略）に配列されている。各画素は画素基板５０１上の画素隔壁５０２を貫通して存在し、各画素の発光領域は画素基板５０１上の画素隔壁５０２に画定されている。画素基板５０１上には、画素隔壁５０２を覆って陰極層５０３が形成されている。陰極層５０３は、複数の画素に共通する陰極、すなわち共通陰極である。画素基板５０１上には、画素隔壁５０２と画素基板５０１の周端との間に、周辺層５０４が形成されている。画素基板５０１上には、周辺層５０４および陰極層５０３を覆って封止層が形成されている。封止層は、１層の薄膜で構成されている。具体的には、無機材料で形成されたガスバリア膜５０５である。

図１２は、従来の発光装置（複数層構成）の端部の断面図である。この発光装置では、画素隔壁５０２と画素基板５０１の周端との間に周辺層が存在しない。また、封止層は３層の薄膜で構成されている。具体的には、画素基板５０１上に形成された電極保護膜５０６、その上に形成された有機緩衝膜５０７、その上に形成されたガスバリア膜５０８である。これらの薄膜は、それぞれ、陰極層５０３を覆っている。有機緩衝膜５０７は、有機材料で形成されている。電極保護膜５０６およびガスバリア膜５０８は、それぞれ、無機材料で形成されており、有機緩衝膜５０７の端を越えて延在している。
特開平１１−７４０７３号公報 特開２００４−９５１９９号公報

基板上に複数の画素を配列した構成の発光装置の額縁の幅は、狭い方が望ましい。特に、発光装置を表示装置として用いる場合には、狭額縁化が重要になる。しかし、上述した従来の発光装置では、ガスバリア膜５０５の端の位置（図１１のＰ１）や有機緩衝膜５０７の端の位置（図１２のＰ２）が個体毎に大きくばらついてしまう。そのため、広めの基板を用いる必要があり、額縁の幅が広くなっていた。

Ｐ１やＰ２が個体毎に大きくばらつく要因は、封止層の形成方法にある。封止層は、画素の形成後に形成されるから、その形成には、画素に与える悪影響が少ない形成方法を採用するのが好ましい。例えば、画素がＯＬＥＤの場合、蒸着法や塗布法を用いるのが一般的である。画素に与える悪影響が少ない形成方法を採用することは、特に、ガスバリア膜５０５や有機緩衝膜５０７のようなある程度の厚さを要する膜を形成する場合に重要となる。しかし、採用可能な形成方法では、形成される層の端の位置精度が低くなってしまう。これが、Ｐ１やＰ２が個体毎に大きくばらつく理由である。

本発明は、上述した背景に基づいてなされたものであり、封止層を構成する１層または複数層の薄膜を位置精度の低い形成方法で形成しても狭額縁化を実現することができる発光装置と、この発光素子を備える電子機器を提供することを解決課題とする。

以降の説明において、発光素子は例えばＯＬＥＤである。周辺層としては、回路または配線を保護するためのものを例示することができる。周辺層に保護される回路としては、発光素子を駆動または制御するための回路を例示することができる。周辺層に保護される配線としては、発光素子に電流を供給するための配線や、発光素子を駆動した電流を流すための配線を例示することができる。

本発明に係る第１の発光装置は、基板と、前記基板上に配列され、発光層を挟む二つの電極を有する複数の発光素子と、前記基板上に形成され、前記二つの電極を互いに絶縁する絶縁膜と、前記基板上に形成され、前記絶縁膜の外側に位置する周辺層と、前記基板上に形成され、前記複数の発光素子および前記絶縁膜を覆う封止層とを備え、前記封止層は１層または複数層の薄膜で構成され、前記絶縁膜と前記周辺層との間には、前記１層または複数層の薄膜のうち最大の膜厚が最も厚い薄膜の端が位置する、ことを特徴とする。封止層が１層の薄膜で構成されている場合、最大の膜厚が最も厚い膜の数は１である。封止層が複数層の薄膜で構成されている場合、最大の膜厚が最も厚い膜の数は１または複数である。
第１の発光装置では、基板の端と、発光素子および絶縁膜を覆う封止層を構成する１層または複数層の薄膜のうち最大の膜厚が最も厚い膜の端との間に、周辺層が存在する。したがって、最大の膜厚が最も厚い膜の端の位置精度が低くても、周辺層の端の位置精度が高ければ、額縁の幅を狭くすることができる。また、周辺層を設ける方法は任意である。したがって、周辺層を位置精度の高い形成方法で形成することが可能である。また、封止層を構成する１層または複数層の薄膜に、最大の膜厚が最も厚い膜以外の膜が含まれている場合には、含まれている膜を、発光素子に深刻な悪影響を及ぼすことなく位置精度の高い形成方法で形成することが可能である。よって、第１の発光装置によれば、封止層を構成する１層または複数層の薄膜を位置精度の低い形成方法で形成しても狭額縁化を実現することができる。

本発明に係る第２の発光装置は、基板と、前記基板上に配列され、発光層を挟む二つの電極を有する複数の発光素子と、前記基板上に形成され、前記二つの電極を互いに絶縁する絶縁膜と、前記基板上に形成され、前記絶縁膜の外側に位置する周辺層と、前記基板上に形成され、前記複数の発光素子および前記絶縁膜を覆う封止層とを備え、前記封止層は、複数層の薄膜で構成され、前記複数層の薄膜には、有機材料で形成された有機緩衝膜が含まれ、前記絶縁膜と前記周辺層との間には、前記有機緩衝膜の端が位置する、ことを特徴とする。
第２の発光装置では、基板の端と、発光素子および絶縁膜を覆う有機緩衝膜の端との間に、周辺層が存在する。したがって、有機緩衝膜の端の位置精度が低くても、周辺層の端の位置精度が高ければ、額縁の幅を狭くすることができる。また、周辺層を設ける方法は任意である。したがって、周辺層を位置精度の高い形成方法で形成することが可能である。また、封止層を構成する複数層の薄膜のうち有機緩衝膜以外の膜を、発光素子に深刻な悪影響を及ぼすことなく位置精度の高い形成方法で形成することが可能である。よって、第２の発光装置によれば、封止層を構成する有機緩衝膜を位置精度の低い形成方法で形成しても狭額縁化を実現することができる。

第２の発光装置において、前記基板上に設けられ、前記絶縁膜を囲み、前記基板とは異なる他の基板を支えるシールを備え、前記複数層の薄膜には、無機材料で形成され、前記有機緩衝膜を覆い、前記有機緩衝膜の端近傍では前記有機緩衝膜の厚みに応じた長さにわたって前記基板に対して傾いた方向に延在しているガスバリア膜が含まれ、前記ガスバリア膜の前記傾いた方向に延在している部分と前記シールとは離間している、ようにしてもよい。この態様によれば、ガスバリア膜の傾いた部分にシールが接触しないから、ガスバリア膜が破損する可能性を低く抑えることができる。

この態様または第２の発光装置において、前記基板上に形成され、直線状に延在する配線を備え、前記配線上には、前記絶縁膜と前記周辺層との間の前記有機緩衝膜の端が位置し、前記配線上の前記有機緩衝膜の端は前記配線に略平行である、ようにしてもよい。こうすることにより、有機緩衝膜の端が平坦な面上に直線状に形成されるから、封止性能が向上する。なお、有機緩衝膜の端の下に配置される配線は、任意であり、例えば、発光素子に電流を供給するための配線であってもよいし、発光素子を駆動した電流を流すための配線であってもよい。

本発明に係る第３の発光装置は、基板と、前記基板上に配列され、発光層を挟む二つの電極を有する複数の発光素子と、前記基板上に形成され、前記二つの電極を互いに絶縁する絶縁膜と、前記基板上に形成され、前記絶縁膜の外側に位置する周辺層と、前記基板上に無機材料で形成され、前記複数の発光素子および前記絶縁膜を覆う封止層とを備え、前記封止層は、１層の薄膜で構成され、前記１層の薄膜は、無機材料で形成されたガスバリア膜であり、前記絶縁膜と前記周辺層との間には、前記ガスバリア膜の端が位置する、ようにしてもよい。
第３の発光装置では、基板の端と、発光素子および絶縁膜を覆うガスバリア膜の端との間に、周辺層が存在する。したがって、ガスバリア膜の端の位置精度が低くても、周辺層の端の位置精度が高ければ、額縁の幅を狭くすることができる。また、周辺層を設ける方法は任意である。したがって、周辺層を位置精度の高い形成方法で形成することが可能である。また、封止層はガスバリア膜のみで構成されている。よって、第２の発光装置によれば、封止層を構成するガスバリア膜を位置精度の低い形成方法で形成しても狭額縁化を実現することができる。

第３の発光装置において、前記基板上に設けられ、前記絶縁膜を囲み、前記基板とは異なる他の基板を支えるシールを備え、前記ガスバリア膜は、前記絶縁膜の端近傍では前記絶縁膜の厚みに応じた長さにわたって前記基板に対して傾いた方向に延在しており、前記ガスバリア膜の前記傾いた方向に延在している部分と前記シールとは離間している、ようにしてもよい。この態様によれば、ガスバリア膜の傾いた部分にシールが接触しないから、ガスバリア膜が破損する可能性を低く抑えることができる。

この態様または第３の発光装置において、前記基板上に形成され、直線状に延在する配線を備え、前記配線上には、前記絶縁膜と前記周辺層との間の前記ガスバリア膜の端が位置し、前記配線上の前記ガスバリア膜の端は前記配線に略平行である、ようにしてもよい。こうすることにより、ガスバリア膜の端が平坦な面上に直線状に形成されるから、封止性能が向上する。なお、ガスバリア膜の端の下に配置される配線は、任意であり、例えば、発光素子に電流を供給するための配線であってもよいし、発光素子を駆動した電流を流すための配線であってもよい。

本発明に係る電子機器は、上記の発光装置のいずれか１つを有する。したがって、上述した各種効果に起因した効果を奏する。

以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。なお、図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。

＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１の構成の一部を示す概略平面図である。発光装置１は基板１０を備える。基板１０の端部には接続端子１１が形成されている。接続端子１１には、外部の回路から、各種の信号や電源電圧が供給される。また、基板１０上には、矩形の画素領域Ｇと、画素領域Ｇと基板１０の外周の間に位置する周辺領域Ｈが設けられている。周辺領域Ｈには、走査線駆動回路１２およびデータ線駆動回路（図示略）が形成されている。画素領域Ｇには、複数の走査線１３と複数のデータ線１４が形成され、それらの交差点の各々の近傍には複数の単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。

図２は、発光装置１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。各単位回路Ｐは、ｎチャネル型のトランジスタＴ１、ｐチャネル型のトランジスタＴ２、容量素子Ｃ、およびＯＬＥＤ５０を含む。ｐチャネル型のトランジスタＴ２のソース電極は電流供給線１５に接続される一方、そのドレイン電極はＯＬＥＤ５０の陽極８１に接続される。電流供給線１５は、ＯＬＥＤ５０を駆動するための電流を供給するための配線である。また、トランジスタＴ２のソース電極とゲート電極との間には、容量素子Ｃが設けられている。ｎチャネル型のトランジスタＴ１のゲート電極は走査線１３に接続され、そのソース電極は、データ線１４に接続され、そのドレイン電極はトランジスタＴ２のゲート電極と接続される。

単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線１３を走査線駆動回路１２が選択すると、トランジスタＴ１がオンされて、データ線駆動回路（図示略）からデータ線１４を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子Ｃに保持する。そして、トランジスタＴ２が、データ信号のレベルに応じた電流をＯＬＥＤ５０に供給する。これにより、ＯＬＥＤ５０は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。

図１に示すように、基板１０上の、周辺領域Ｈには、陰極用電源配線１６が画素領域Ｇをとりまくコの字状に形成されている。つまり、陰極用電源配線１６は、画素領域Ｇの周に沿って直線状に延在し、２箇所で略直角に折れ曲がっている。陰極用電源配線１６は、走査線駆動回路１２と画素領域Ｇとの間に配置されている。陰極用電源配線１６は、ＯＬＥＤ５０を駆動した電流を流すための配線である。ＯＬＥＤ５０は、陽極（二つの電極のうち一方）８１と陰極（二つの電極のうち他方）と両電極の間に挟まれた発光機能層とを有する。

図３は、図１に示す発光装置１のＡ−Ａ’線矢視断面図である。基板１０上には酸化珪素を主体とする下地保護層（図示略）が形成され、その上に金属配線層を含む配線層１７が形成されている。配線層１７には、画素領域Ｇ内に、各単位回路Ｐについて、トランジスタＴ１およびトランジスタＴ２が設けられている。また、配線層１７には、周辺領域Ｈ内に、走査線駆動回路１２やデータ線駆動回路（図示略）が設けられている。これらの回路は、トランジスタ、容量素子等の回路素子を有する。金属配線層は、アルミニウム等の、導電性を有する材料で形成されており、その一部は、各トランジスタの電極や、走査線１３、データ線１４、電流供給線１５、陰極用電源配線１６となっている。

配線層１７上には、画素領域Ｇ内に、ＯＬＥＤ５０の陽極８１が単位回路Ｐ毎に設けられている。各陽極８１は、対応するコンタクトホールを通じて、自己を含む単位回路Ｐ内のトランジスタＴ２のドレイン電極に電気的に接続されている。配線層１７および各陽極８１上には、絶縁膜１８が形成されている。絶縁膜１８は、ＯＬＥＤ５０の陽極８１と陰極とを互いに絶縁する膜であり、アクリルまたはポリイミドで形成され、画素領域Ｇにおいては、各陽極８１の上面の少なくとも一部のみが露出するように配線層１７および陽極８１を覆っている。絶縁膜１８の外端は周辺領域Ｈに位置している。絶縁膜１８に囲まれている領域には、陽極８１上に、発光機能層８２が形成されている。発光機能層８２の端面は絶縁膜１８に接している。発光機能層８２は、有機ＥＬ材料で形成された発光層を備える。有機ＥＬ材料は低分子材料であっても高分子材料であってもよい。発光機能層８２は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層および電子ブロック層の一部または全部を備えていてもよい。

絶縁膜１８および発光機能層８２上には、陰極層１９が形成されている。陰極層１９は、導電性の材料で形成されており、その形成は、例えば蒸着により行われる。陰極層１９は複数層で構成されてもよい。また、陰極層１９は、画素領域Ｇの全体および周辺領域Ｈにわたって形成され、複数の単位回路Ｐに共通して設けられている。陰極層１９の一部は、対応する単位回路Ｐ内のＯＬＥＤ５０の陰極となる。周辺領域Ｈにおいて、陰極層１９は、陰極用電源配線１６に重なっており、配線層１７に形成されたコンタクトホールＣＨを通じて陰極用電源配線１６に電気的に接続されている。陰極層１９の端は、配線層１７上に位置している。
上述したように、発光機能層８２は、各単位回路Ｐに応じて設けられており、絶縁膜１８は発光機能層８２を形成する領域を区画するように設けられている。ここでは、平面的に見た際、発光機能層８２の一部と絶縁膜１８とが互いに重なり合った構成を採ったが、これに限るものではなく、発光機能層８２と絶縁膜１８とが排他的に設けられている構成（発光機能層と絶縁膜１８とが互いに重なり合わない構成）を採ってもよい。
また、別の構成例としては、発光機能層及び陰極層１９は、少なくとも画素領域において、複数の単位回路Ｐに対し共通に設けられていてもよい。この際に、発光機能層が発光する領域は、絶縁膜１８により区画されており、各陽極８１に応じて発光する領域が設けられている。この発光する領域は、絶縁膜１８の周縁部など、絶縁膜１８と重なっていてもよい。ここで、発光機能層及び陰極層１９は、絶縁膜１８及び陽極８１の上を覆うように設けられている。

配線層１７上には、周辺領域Ｈに、周辺壁２０が形成されている。周辺壁２０は、アクリルまたはポリイミドで形成されている。ここで、絶縁膜１８と同じプロセスで一括して形成されていることが望ましい。すなわち、本実施形態における絶縁膜１８と周辺壁２０とは同一の絶縁層からなり、この絶縁層はＯＬＥＤ５０の２つの電極を絶縁するとともに、走査線駆動回路１２やデータ線駆動回路などの駆動回路を覆うように設けられていることが望ましい。周辺壁２０は、走査線駆動回路１２やデータ線駆動回路（図示略）を保護するための構造物であり、走査線駆動回路１２やデータ線駆動回路（図示略）を覆うように設けられている。

配線層１７、陰極層１９および周辺壁２０上には、ＯＬＥＤ５０を外気から保護する封止層が形成されている。封止層は、３層の薄膜を積層して構成されている。３層の薄膜とは、配線層１７、陰極層１９および周辺壁２０上に形成された陰極保護膜２１と、陰極保護膜２１上に形成された有機緩衝膜２２と、配線層１７、陰極保護膜２１および有機緩衝膜２２上に形成されたガスバリア膜２３である。

陰極保護膜２１は、陰極層１９の保護や、有機緩衝膜２２の形成の容易化を目的としたものであり、少なくとも陰極層１９を覆って延在している。尚、本実施形態において、陰極保護膜２１の端は、周辺壁２０の外側に位置している。また、陰極保護膜２１は、無機材料で形成されている。この無機材料としては、珪素酸化物や珪素酸窒化物などの珪素酸化物や、酸化チタン等の金属酸化物などの無機酸化物を例示することができる。

有機緩衝膜２２は、絶縁膜１８の形状の影響により画素毎に生じる陰極保護膜２１の段差を埋め、ガスバリア膜２３における応力集中を防止するためのものであり、有機材料で形成されている。有機緩衝膜２２は、上面が平坦となるように、例えば塗布法（例えば印刷法）により形成される。有機緩衝膜２２は、陰極層１９を覆って延在し、少なくとも画素領域において少なくとも絶縁膜１８の上方に形成されている。有機緩衝膜２２の端２２１は、画素領域Ｇを囲む略長方形であり、絶縁膜１８と周辺壁２０との間に位置している。有機緩衝膜２２の端２２１のうち、３つの辺は、陰極用電源配線１６上に位置している。陰極用電源配線１６上の端２２１は、陰極用電源配線１６に略平行である。

ガスバリア膜２３は、酸素や水分などの外気の浸入を防ぐためのものであり、陰極保護膜２１および有機緩衝膜２２を覆って延在している。また、ガスバリア膜２３は、有機緩衝膜２２の端２２１近傍では有機緩衝膜２２の厚みに応じた長さにわたって基板１０に対して傾いた方向に延在している。また、ガスバリア膜２３は、珪素化合物や珪素酸化物などの無機材料で形成されている。本実施形態において、ガスバリア膜２３は、周辺壁２０が設けられた領域と絶縁膜１８が設けられた領域との間の領域において、下地層（本実施形態においては、陰極保護膜２１）と接している。下地層は、回路層１７に含まれる絶縁膜であってもよい。この下地層は、珪素酸化物、珪素酸窒化物、珪素窒化物などの珪素化合物であることが望ましい。

有機緩衝膜２２の端２２１の位置は、発光装置１の個体毎に、図３に示すＬ１の範囲でずれる虞がある。しかし、端２２１の位置がこの範囲でずれたとしても、基板１０の端と、ＯＬＥＤ５０および絶縁膜１８を覆う有機緩衝膜２２の端２２１との間に、周辺壁２０が存在することに変わりはない。したがって、発光装置１によれば、端２２１の位置精度が低くても、周辺壁２０の端の位置精度が高ければ、額縁の幅を狭くすることができる。
その上、発光装置１では、周辺壁２０を、ＯＬＥＤ５０の形成前に形成することが可能である。つまり、周辺壁２０の形成に、その端の位置精度が高くなる形成方法を採用することができる。
また、封止層を構成する３層の薄膜のうち有機緩衝膜２２以外の膜（陰極保護膜２１およびガスバリア膜２３）を、ＯＬＥＤ５０に深刻な悪影響を及ぼすことなく位置精度の高い形成方法で形成することが可能である。
よって、発光装置１によれば、封止層を構成する有機緩衝膜２２を位置精度の低い形成方法で形成しても狭額縁化を実現することができる。

また、発光装置１では、有機緩衝膜２２の端２２１のうち、３つの辺が、陰極用電源配線１６に略平行であり、陰極用電源配線１６上に位置する。つまり、有機緩衝膜２２の端２２１の多くの区間が平坦な面上に位置する。よって、封止性能が向上する。なお、有機緩衝膜２２の端２２１の下に配置される配線は、陰極用電源配線１６に限らない。例えば、電流供給線１５に接続され、単位回路Ｐに電流を供給するための配線であってもよい。なお、上述した単位回路Ｐの構成は一例に過ぎない。
尚、本実施形態の特徴を換言すると以下のようになる。本実施形態における絶縁膜１８と周辺壁２０とは同じ絶縁層で設けられており、この絶縁層は、画素領域上及び駆動回路上の両方に覆うように設けられており、画素領域が設けられた領域と駆動回路が設けられた領域の間には、絶縁層が設けられていない領域がある。有機緩衝膜２２の端２２１は、この絶縁層が設けられていない領域に位置し、この領域において、ガスバリア層２３は下地層と接している。この絶縁層が設けられていない領域には、陰極用電源配線１６や電流供給線１５に接続された配線を設けることが好ましい。ここで、駆動回路は、走査線駆動回路、データ線駆動回路、検査回路であってもよい。

＜第２の実施の形態＞
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置２の構成の一部を示す概略平面図であり、図５は、図４に示す発光装置２のＢ−Ｂ’線矢視断面図である。発光装置２が発光装置１と異なるのは、封止層が１層の薄膜で形成されている点である。発光装置２では、配線層１７および陰極層１９上に、ＯＬＥＤ５０を外気から保護する封止層が形成されている。この封止層は、１層の薄膜で構成されている。この薄膜とは、配線層１７および陰極層１９上に形成されたガスバリア膜２４である。

ガスバリア膜２４は、酸素や水分などの外気の浸入を防ぐためのものであり、陰極保護膜２１を覆って延在している。また、ガスバリア膜２４は、絶縁膜１８の外端近傍では絶縁膜１８の厚みに応じた長さにわたって基板１０に対して傾いた方向に延在している。本実施形態において、ガスバリア膜２３は、周辺壁２０が設けられた領域と絶縁膜１８が設けられた領域との間の領域において、少なくとも下地層（本実施形態においては、回路層１７に含まれる絶縁膜や配線層）と接している。下地層は、珪素酸化物、珪素酸窒化物、珪素窒化物などの珪素化合物であることが望ましい。ガスバリア膜２４の端２４１は、画素領域Ｇを囲む略長方形であり、絶縁膜１８と周辺壁２０との間に位置している。ガスバリア膜２４の端２４１のうち、３つの辺は、陰極用電源配線１６上に位置している。陰極用電源配線１６上の端２４１は、陰極用電源配線１６に略平行である。また、ガスバリア膜２４は、珪素化合物や珪素酸化物などの無機材料で形成されている。ガスバリア膜２４の形成方法は、例えば蒸着法を例示することができる。

ガスバリア膜２４の端２４１の位置は、発光装置２の個体毎に、図５に示すＬ２の範囲でずれる虞がある。しかし、端２４１の位置がこの範囲でずれたとしても、基板１０の端と、ＯＬＥＤ５０および絶縁膜１８を覆うガスバリア膜２４の端２４１との間に、周辺壁２０が存在することに変わりはない。したがって、発光装置２によれば、端２４１の位置精度が低くても、周辺壁２０の端の位置精度が高ければ、額縁の幅を狭くすることができる。よって、発光装置２によれば、封止層を構成するガスバリア膜２４を位置精度の低い形成方法で形成しても狭額縁化を実現することができる。

また、発光装置２では、ガスバリア膜２４の端２４１のうち、３つの辺が、陰極用電源配線１６に略平行であり、陰極用電源配線１６上に位置する。よって、封止性能が向上する。なお、ガスバリア膜２４の端２４１の下に配置される配線が陰極用電源配線１６に限らないことや、図２に示す単位回路Ｐの構成が一例に過ぎないことは、発光装置１と同様である。
尚、本実施形態の特徴を換言すると以下のようになる。本実施形態における絶縁膜１８と周辺壁２０とは同じ絶縁層で設けられており、この絶縁層は、画素領域上及び駆動回路上の両方に覆うように設けられており、画素領域が設けられた領域と駆動回路が設けられた領域の間には、絶縁層が設けられていない領域がある。ガスバリア膜２３はこの絶縁層が設けられていない領域において下地層と接している。この絶縁層が設けられていない領域には、陰極用電源配線１６や電流供給線１５に接続された配線を設けることが好ましい。ここで、駆動回路は、走査線駆動回路、データ線駆動回路、検査回路であってもよい。

＜第３の実施の形態＞
図６は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置３の一部の断面図である。発光装置３が発光装置１と異なるのは、基板１０の他に基板を有する点である。他の基板とは、ＯＬＥＤ５０を挟んで基板１０と対向している対向基板２５である。対向基板２５は、例えばカラーフィルタ基板であり、シール２６によって支持されている。
基板１０のＯＬＥＤ５０が設けられた側と対向基板２５との間には、樹脂からなる充填材が充填されている。
第１及び第２の実施の形態では、ガスバリア膜２３により、外気がＯＬＥＤ５０に到達するのを防いでいたが、本実施形態では、充填材、シール２６及び対向基板２５により封止性能をさらに向上させている。

シール２６は、例えば樹脂で形成されており、絶縁膜１８を囲むように、ガスバリア膜２３上に設けられている。シール２６の一端はガスバリア膜２３に固着しており、他端は対向基板２５に固着している。ガスバリア膜２３のシール２６に接触している部分は、周辺壁２０上の部分である。つまり、シール２６と、ガスバリア膜２３の基板１０に対して傾いた方向に延在している部分２３１とは、互いに離間している。

部分２３１にシール２６が接触していると、応力集中により、ガスバリア膜２３が破損し易いが、上述したように、発光装置３では、両者は接触していない。また、周辺壁２０の上面は略平坦である。よって、発光装置３によれば、発光装置１で得られる効果の他に、ガスバリア膜２３が破損する可能性を低く抑えることができるという効果が得られる。
ガスバリア膜２３及び有機緩衝膜２２が周辺壁２０及び画素領域を覆い、その外側の領域にシール２６を配置する構成と比して、本実施形態では、シール２６と周辺壁２０とが重なっているため、発光装置３を狭額縁にすることができる。また、有機緩衝膜２２の端２２１とシール２６とが重ならないようするするために設けられるマージン領域に、陰極用電源配線１６などの配線を配置できるため、さらに、発光装置３の狭額縁化に図ることができる。

＜第４の実施の形態＞
図７は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置４の一部の断面図である。発光装置４が発光装置２と異なるのは、基板１０の他に対向基板２５を有する点である。対向基板２５は、シール２７によって支持されている。シール２７は、例えば樹脂で形成されており、絶縁膜１８を囲むように、配線層１７および周辺壁２０上に設けられている。シール２７の一端は配線層１７および周辺壁２０に固着しており、他端は対向基板２５に固着している。シール２７と、ガスバリア膜２４の基板１０に対して傾いた方向に延在している部分２４２とは、互いに離間している。

部分２４２にシール２７が接触していると、応力集中により、ガスバリア膜２４が破損し易いが、上述したように、発光装置４では、両者は接触していない。そもそも、シール２７とガスバリア膜２４とは、互いに離間している。よって、発光装置４によれば、発光装置２で得られる効果の他に、ガスバリア膜２４が破損する可能性を低く抑えることができるという効果が得られる。
また、第３の実施の形態と同様、発光装置４を狭額縁とすることができる。

＜変形例＞
上述した各実施の形態では、封止層が１層または３層の薄膜で構成されているが、２層の薄膜で構成されてもよいし、４層以上の薄膜で構成されてもよい。いずれの場合であっても、最大の膜厚が最も厚い膜は、形成される膜の端の位置精度の低い形成方法で形成されることになる。また、形成される膜の端の位置精度の低い形成方法で形成される膜は複数であってもよい。また、周辺壁に保護される回路は走査線駆動回路に限られず、データ線駆動回路や検査回路であってもよい。また、周辺壁に保護されるものは回路に限らない。例えば、周辺壁によって配線が保護されるようにしてもよい。また、発光素子はＯＬＥＤに限らない。

＜応用例＞
次に、上述した実施の形態に係る各発光装置を適用した電子機器について説明する。
図８は、上述した各発光装置を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置２００３と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。

図９は、上述した各発光装置を表示装置として採用した携帯電話機の構成を示す図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置３００３を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、表示装置３００３に表示される画面がスクロールされる。

図１０は、上述した各発光装置を表示装置として採用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置４００３を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が表示装置４００３に表示される。

なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図８から図１０に示したもののほか、テレビやビデオカメラ等の映像を表示可能な機器や、電子写真方式の画像形成装置が挙げられる。

本発明の第１の実施の形態に係る発光装置１の構成の一部を示す概略平面図である。 発光装置１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。 図１に示す発光装置１のＡ−Ａ’線矢視断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る発光装置２の構成の一部を示す概略平面図である。 図４に示す発光装置２のＢ−Ｂ’線矢視断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る発光装置３の一部の断面図である。 本発明の第４の実施の形態に係る発光装置４の一部の断面図である。 本発明の実施の形態に係る各発光装置を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す図である。 本発明の実施の形態に係る各発光装置を表示装置として採用した携帯電話機の構成を示す図である。 本発明の実施の形態に係る各発光装置を表示装置として採用した携帯情報端末の構成を示す図である。 従来の発光装置（単層構成）の端部の断面図である。 従来の発光装置（複数層構成）の端部の断面図である。

符号の説明

１〜４…発光装置、１０…基板、１２…走査線駆動回路、１３…走査線、１４…データ線、１５…電流供給線、１６…陰極用電源配線（配線）、１７…配線層、１８…絶縁膜、１９…陰極層、２０…周辺壁（周辺層）、２０００…パーソナルコンピュータ（電子機器）、２１…陰極保護膜、２２…有機緩衝膜、２３，２４…ガスバリア膜、２５…対向基板（他の基板）、２６，２７…シール、３０００…携帯電話機（電子機器）、４０００…携帯情報端末（電子機器）、Ｇ…発光領域、Ｈ…周辺領域、Ｐ…単位回路。

Claims (6)

1. 基板と、
   前記基板上に配列され、発光層を挟む第１の電極と第２の電極とを有する発光素子と、
   前記基板上に形成され、前記第１の電極と第２の電極とを互いに絶縁する絶縁膜と、
   前記基板上において前記絶縁膜と同層に形成され、前記絶縁膜よりも前記基板の端の近くに位置する周辺層と、
   前記基板上に形成され、前記発光素子および前記絶縁膜を覆う封止層とを備え、
   前記封止層は、有機材料で形成された有機緩衝膜を含み、
   前記絶縁膜と前記周辺層との間に、前記有機緩衝膜の端が位置するとともに、前記有機緩衝膜の端が前記周辺層から離間していること
   を特徴とする発光装置。
2. 前記基板上に設けられ、前記絶縁膜を囲み、前記基板とは異なる他の基板を支えるシールを備え、
   前記封止層は、複数層の薄膜で構成され、
   前記複数層の薄膜には、無機材料で形成され、前記有機緩衝膜を覆い、前記有機緩衝膜の端近傍では前記有機緩衝膜の厚みに応じた長さにわたって前記基板に対して傾いた方向に延在しているガスバリア膜が含まれ、
   前記ガスバリア膜の前記傾いた方向に延在している部分と前記シールとは離間している、
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記基板上に形成された配線を備え、
   前記配線上には、前記絶縁膜と前記周辺層との間の前記有機緩衝膜の端が位置し、
   前記配線上の前記有機緩衝膜の端は前記配線に略平行である、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記有機緩衝膜は上面が平坦になるように設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記基板上に設けられ、前記絶縁膜を囲み、前記基板とは異なる他の基板を支えるシールを備え、前記シールは前記周辺層と重なる位置に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
6. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光装置を備える、
   ことを特徴とする電子機器。

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