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KR101376130B1 - 발광 장치 및 전자 기기 - Google Patents

발광 장치 및 전자 기기 Download PDF

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KR101376130B1
KR101376130B1 KR1020070097936A KR20070097936A KR101376130B1 KR 101376130 B1 KR101376130 B1 KR 101376130B1 KR 1020070097936 A KR1020070097936 A KR 1020070097936A KR 20070097936 A KR20070097936 A KR 20070097936A KR 101376130 B1 KR101376130 B1 KR 101376130B1
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KR
South Korea
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layer
film
light emitting
insulating film
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타케히코 쿠보타
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 발광 장치에 있어서, 봉지층(sealing layer)을 구성하는 1층 또는 복수층의 박막을 위치 정밀도가 낮은 형성 방법으로 형성해도 프레임 폭 협소화를 실현할 수 있도록 한다.
(해결 수단) 기판(10)과, 기판(10)상에 배열되어, 발광층을 사이에 두는 양극(81) 및 음극을 갖는 복수의 OLED(50)와, 기판(10)상에 형성되어, 복수의 OLED(Organic Light Emitting Diode)(50)의 양극과 음극을 서로 절연하는 절연막(18)과, 기판(10)상에 형성되어, 절연막(18)의 외측에 위치하는 주변벽(20)과, 기판(10)상에 형성되어, 복수의 OLED(50) 및 절연막(18)을 덮는 봉지층을 구비한다. 봉지층은, 1층 또는 복수층의 박막으로 구성되어, 절연막(18)과 주변벽(20)과의 사이에는, 봉지층을 구성하는 박막 중 최대의 막두께가 가장 두꺼운 박막(유기 완충막(22) 또는 가스 배리어층(24))의 가장자리가 위치한다.
Figure R1020070097936
기판, 절연막, 주변층, 봉지층

Description

발광 장치 및 전자 기기{LIGHT-EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은, OLED(Organic Light Emitting Diode)로 대표되는 발광소자를 구비한 발광 장치와, 이 발광 장치를 구비한 전자기기에 관한 것이다.
OLED는, 유기 EL(Electroluminescence) 재료로 형성된 고체의 발광층을 양극과 음극으로 사이에 끼운 구성을 갖는다. OLED를 구비한 발광 장치로서는, 기판상에 복수의 OLED를 화소로서 배열한 구성의 발광 장치가 알려져 있다. 이 발광 장치에서, 각 화소는 봉지(seal)되어 외기로부터 보호되고 있다. 봉지의 방법의 하나로, 기판상에 박막을 형성하여, 형성한 박막으로 봉지층을 구성하는 박막 봉지가 있다. 박막 봉지에서는, 봉지층은, 특허 문헌 1에 나타나는 바와 같이 단층 구성이어도 좋고, 특허 문헌 2에 나타나는 바와 같이 복수층 구성이어도 좋다.
도 11은, 종래의 발광 장치(단층 구성)의 단부의 단면도이다. 복수의 화소는, 화소 기판(501)상의 중앙(도시 생략)에 배열되어 있다. 각 화소는 화소 기판(501)상의 화소 격벽(502)을 관통하여 존재하고, 각 화소의 발광 영역은 화소 기판(501)상의 화소 격벽(502)으로 구획되어(partitioned) 있다. 화소 기판(501)상에는, 화소 격벽(502)을 덮어 음극층(503)이 형성되어 있다. 음극층(503)은, 복수 의 화소에 공통되는 음극, 즉 공통 음극이다. 화소 기판(501)상에는, 화소 격벽(502)과 화소 기판(501)의 주변 가장자리(circumferential end)와의 사이에, 주변층(504)가 형성되어 있다. 화소 기판(501)상에는, 주변층(504) 및 음극층(503)을 덮어 봉지층(sealing layer)이 형성되어 있다. 봉지층은, 1층의 박막으로 구성되어 있다. 구체적으로는, 무기 재료로 형성된 가스 배리어(barrier)막(505)이다.
도 12는, 종래의 발광 장치(복수층 구성)의 단부의 단면도이다. 이 발광 장치에서는, 화소 격벽(502)과 화소 기판(501)의 주변 가장자리와의 사이에 주변층이 존재하지 않는다. 또한, 봉지층은 3층의 박막으로 구성되어 있다. 구체적으로는, 화소 기판(501)상에 형성된 전극 보호막(506), 그 위에 형성된 유기 완충막(507), 그 위에 형성된 가스 배리어막(508)이다. 이들의 박막은, 각각, 음극층(503)을 덮고 있다. 유기 완충막(507)은, 유기 재료로 형성되어 있다. 전극 보호막(506) 및 가스 배리어막(508)은, 각각, 무기 재료로 형성되고 있어, 유기 완충막(507)의 가장자리를 넘어 연재(extend)하고 있다.
[특허 문헌 1] 일본공개특허공보 평11-74073호
[특허 문헌 2] 일본공개특허공보 2004-95199호
기판상에 복수의 화소를 배열한 구성의 발광 장치의 프레임(frame)의 폭은, 좁은 편이 바람직하다. 특히, 발광 장치를 표시장치로서 이용하는 경우에는, 프레임 폭 협소화가 중요해진다. 그러나, 전술한 종래의 발광 장치에서는, 가스 배리어막(505)의 가장자리의 위치(도 11의 P1)나 유기 완충막(507)의 가장자리의 위치(도 12의 P2)가 개체마다 크게 달라진다. 그 때문에, 넓은 기판을 이용할 필요가 있어, 프레임의 폭이 넓어지고 있었다.
P1이나 P2가 개체마다 크게 달라지는 요인은, 봉지층의 형성 방법에 있다. 봉지층은, 화소의 형성 후에 형성되기 때문에, 그 형성에는, 화소에 주는 악영향이 적은 형성 방법을 채용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 화소가 OLED의 경우, 증착법이나 도포법을 이용하는 것이 일반적이다. 화소에 주는 악영향이 적은 형성 방법을 채용하는 것은, 특히, 가스 배리어막(505)이나 유기 완충막(507)과 같은 어느 정도의 두께를 필요로 하는 막을 형성하는 경우에 중요해진다. 그러나, 채용 가능한 형성 방법으로는, 형성되는 층의 가장자리의 위치 정밀도가 낮아져 버린다. 이것이, P1이나 P2가 개체마다 크게 달라지는 이유이다.
본 발명은, 전술한 배경에 기초하여 이루어진 것이며, 봉지층을 구성하는 1층 또는 복수층의 박막을 위치 정밀도가 낮은 형성 방법으로 형성해도 프레임 폭 협소화를 실현할 수 있는 발광 장치와, 이 발광소자를 구비하는 전자기기를 제공하는 것을 해결 과제로 한다.
이후의 설명에 있어서, 발광소자는 예를 들면 OLED이다. 주변층으로서는, 회로 또는 배선을 보호하기 위한 것을 예시할 수 있다. 주변층에 보호되는 회로로서는, 발광소자를 구동 또는 제어하기 위한 회로를 예시할 수 있다. 주변층에 보호되는 배선으로서는, 발광소자에 전류를 공급하기 위한 배선이나, 발광소자를 구동한 전류를 흘리기 위한 배선을 예시할 수 있다.
본 발명에 따른 제1 발광 장치는, 기판과, 상기 기판상에 배열되어, 발광층을 사이에 두는 두 개의 전극을 갖는 복수의 발광소자와, 상기 기판상에 형성되어, 상기 두 개의 전극을 서로 절연하는 절연막과, 상기 기판상에 형성되어, 상기 절연막의 외측에 위치하는 주변층과, 상기 기판상에 형성되어, 상기 복수의 발광소자 및 상기 절연막을 덮는 봉지층을 구비하며, 상기 봉지층은 1층 또는 복수층의 박막으로 구성되고, 상기 절연막과 상기 주변층과의 사이에는, 상기 1층 또는 복수층의 박막 중 최대의 막두께가 가장 두꺼운 박막의 가장자리(端)가 위치하는 것을 특징으로 한다. 봉지층이 1층의 박막으로 구성되어 있는 경우, 최대의 막두께가 가장 두꺼운 막의 수는 1이다. 봉지층이 복수층의 박막으로 구성되어 있는 경우, 최대의 막두께가 가장 두꺼운 막의 수는 1 또는 복수이다.
제1 발광 장치에서는, 기판의 가장자리와, 발광소자 및 절연막을 덮는 봉지층을 구성하는 1층 또는 복수층의 박막 중 최대의 막두께가 가장 두꺼운 막의 가장자리와의 사이에, 주변층이 존재한다. 따라서, 최대의 막두께가 가장 두꺼운 막의 가장자리의 위치 정밀도가 낮아도, 주변층의 가장자리의 위치 정밀도가 높으면, 프 레임의 폭을 좁게 할 수 있다. 또한, 주변층을 설치하는 방법은 임의이다. 따라서, 주변층을 위치 정밀도가 높은 형성 방법으로 형성하는 것이 가능하다. 또한, 봉지층을 구성하는 1층 또는 복수층의 박막에, 최대의 막두께가 가장 두꺼운 막 이외의 막이 포함되어 있는 경우에는, 포함되어 있는 막을, 발광소자에 심각한 악영향을 미치는 일 없이 위치 정밀도가 높은 형성 방법으로 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 제1 발광 장치에 의하면, 봉지층을 구성하는 1층 또는 복수층의 박막을 위치 정밀도가 낮은 형성 방법으로 형성해도 프레임 폭 협소화를 실현할 수 있다.
본 발명에 따른 제2 발광 장치는, 기판과, 상기 기판상에 배열되어, 발광층을 사이에 두는 두 개의 전극을 갖는 복수의 발광소자와, 상기 기판상에 형성되어, 상기 두 개의 전극을 서로 절연하는 절연막과, 상기 기판상에 형성되어, 상기 절연막의 외측에 위치하는 주변층과, 상기 기판상에 형성되어, 상기 복수의 발광소자 및 상기 절연막을 덮는 봉지층을 구비하며, 상기 봉지층은, 복수층의 박막으로 구성되고, 상기 복수층의 박막에는, 유기 재료로 형성된 유기 완충막이 포함되고, 상기 절연막과 상기 주변층과의 사이에는, 상기 유기 완충막의 가장자리가 위치하는 것을 특징으로 한다.
제2 발광 장치에서는, 기판의 가장자리와, 발광소자 및 절연막을 덮는 유기 완충막의 가장자리와의 사이에, 주변층이 존재한다. 따라서, 유기 완충막의 가장자리의 위치 정밀도가 낮아도, 주변층의 가장자리의 위치 정밀도가 높으면, 프레임 폭을 좁게 할 수 있다. 또한, 주변층을 설치하는 방법은 임의이다. 따라서, 주변층을 위치 정밀도가 높은 형성 방법으로 형성하는 것이 가능하다. 또한, 봉지층을 구성하는 복수층의 박막 중 유기 완충막 이외의 막을, 발광소자에 심각한 악영향을 미치는 일 없이 위치 정밀도가 높은 형성 방법으로 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 제2 발광 장치에 의하면, 봉지층을 구성하는 유기 완충막을 위치 정밀도가 낮은 형성 방법으로 형성해도 프레임 폭 협소화를 실현할 수 있다.
제2 발광 장치에 있어서, 상기 기판상에 설치되어, 상기 절연막을 둘러싸고, 상기 기판과는 다른 그 외의 기판을 지지하는 실(seal material)을 구비하며, 상기 복수층의 박막에는, 무기 재료로 형성되어, 상기 유기 완충막을 덮어, 상기 유기 완충막의 가장자리 근방에서는 상기 유기 완충막의 두께에 따른 길이에 걸쳐서 상기 기판에 대하여 기울어진 방향으로 연재(extend)하고 있는 가스 배리어막이 포함되고, 상기 가스 배리어막의 상기 기울어진 방향으로 연재하고 있는 부분과 상기 실과는 이간(separate)하고 있도록 해도 좋다. 이 형태에 의하면, 가스 배리어막이 기울어진 부분에 실이 접촉하지 않기 때문에, 가스 배리어막이 파손할 가능성을 낮게 억제할 수 있다.
이 형태 또는 제2 발광 장치에 있어서, 상기 기판상에 형성되어, 직선 형상으로 연재하는 배선을 구비하며, 상기 배선상에는, 상기 절연막과 상기 주변층과의 사이의 상기 유기 완충막의 가장자리가 위치하고, 상기 배선상의 상기 유기 완충막의 가장자리는 상기 배선에 대략 평행하도록 해도 좋다. 이렇게 함으로써, 유기 완충막의 가장자리가 평탄한 면상에 직선 형상으로 형성되기 때문에, 봉지 성능이 향상한다. 또한, 유기 완충막의 가장자리의 아래에 배치되는 배선은 임의여서, 예를 들면, 발광소자에 전류를 공급하기 위한 배선이어도 좋고, 발광소자를 구동한 전류를 흘리기 위한 배선이어도 좋다.
본 발명에 따른 제3 발광 장치는, 기판과, 상기 기판상에 배열되어, 발광층을 사이에 두는 두 개의 전극을 갖는 복수의 발광소자와, 상기 기판상에 형성되어, 상기 두 개의 전극을 서로 절연하는 절연막과, 상기 기판상에 형성되어, 상기 절연막의 외측에 위치하는 주변층과, 상기 기판상에 무기 재료로 형성되어, 상기 복수의 발광소자 및 상기 절연막을 덮는 봉지층을 구비하며, 상기 봉지층은, 1층의 박막으로 구성되고, 상기 1층의 박막은, 무기 재료로 형성된 가스 배리어막이며, 상기 절연막과 상기 주변층과의 사이에는, 상기 가스 배리어막의 가장자리가 위치하도록 해도 좋다.
제3 발광 장치에서는, 기판의 가장자리와, 발광소자 및 절연막을 덮는 가스 배리어막의 가장자리와의 사이에, 주변층이 존재한다. 따라서, 가스 배리어막의 가장자리의 위치 정밀도가 낮아도, 주변층의 가장자리의 위치 정밀도가 높으면, 프레임 폭을 좁게 할 수 있다. 또한, 주변층을 설치하는 방법은 임의이다. 따라서, 주변층을 위치 정밀도가 높은 형성 방법으로 형성하는 것이 가능하다. 또한, 봉지층은 가스 배리어막만으로 구성되어 있다. 따라서, 제2 발광 장치에 의하면, 봉지층을 구성하는 가스 배리어막을 위치 정밀도가 낮은 형성 방법으로 형성해도 프레임 폭 협소화를 실현할 수 있다.
제3 발광 장치에 있어서, 상기 기판상에 설치되어, 상기 절연막을 둘러싸고, 상기 기판과는 다른 그 외의 기판을 지지하는 실을 구비하며, 상기 가스 배리어막은, 상기 절연막의 가장자리 근방에서는 상기 절연막의 두께에 따른 길이에 걸쳐서 상기 기판에 대하여 기울어진 방향으로 연재하고 있고, 상기 가스 배리어막의 상기 기울어진 방향으로 연재하고 있는 부분과 상기 실과는 이간하고 있도록 해도 좋다. 이 형태에 의하면, 가스 배리어막이 기울어진 부분에 실이 접촉하지 않기 때문에, 가스 배리어막이 파손할 가능성을 낮게 억제할 수 있다.
이 형태 또는 제3 발광 장치에 있어서, 상기 기판상에 형성되어, 직선 형상으로 연재하는 배선을 구비하고, 상기 배선상에는, 상기 절연막과 상기 주변층과의 사이의 상기 가스 배리어막의 가장자리가 위치하고, 상기 배선상의 상기 가스 배리어막의 가장자리는 상기 배선에 대략 평행하도록 해도 좋다. 이렇게 함으로써, 가스 배리어막의 가장자리가 평탄한 면상에 직선 형상으로 형성되기 때문에, 봉지 성능이 향상한다. 또한, 가스 배리어막의 가장자리의 아래에 배치되는 배선은 임의여서, 예를 들면, 발광소자에 전류를 공급하기 위한 배선이어도 좋고, 발광소자를 구동한 전류를 흘리기 위한 배선이어도 좋다.
본 발명에 따른 전자기기는, 상기의 발광 장치의 어느쪽이든 1개를 갖는다. 따라서, 전술한 각종 효과에 기인한 효과를 가져온다.
(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)
이하, 첨부의 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 실시 형태를 설명한다. 또한, 도면에 있어서는, 각부의 치수의 비율은 실제의 것과는 적절히 다르게 하고 있다.
<제1 실시 형태>
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치(1)의 구성의 일부를 나타내는 개략 평면도이다. 발광 장치(1)는 기판(10)을 구비한다. 기판(10)의 단부에는 접속 단자(11)가 형성되어 있다. 접속 단자(11)에는, 외부의 회로로부터, 각종의 신호나 전원 전압이 공급된다. 또한, 기판(10)상에는, 직사각형의 화소 영역(G)과, 화소 영역(G)과 기판(10)의 외주의 사이에 위치하는 주변 영역(H)이 설치되어 있다. 주변 영역(H)에는, 주사선 구동 회로(12) 및 데이터선 구동 회로(도시 생략)가 형성되어 있다. 화소 영역(G)에는, 복수의 주사선(13)과 복수의 데이터선(14)이 형성되고, 그들의 교차점의 각각의 근방에는 복수의 단위 회로(화소 회로)(P)가 설치되어 있다.
도 2는, 발광 장치(1)의 단위 회로(P; unit circut)의 상세를 나타내는 회로도이다. 각 단위 회로(P)는, n채널형의 트랜지스터(T1), p채널형의 트랜지스터(T2), 용량 소자(C), 및 OLED(50)를 포함한다. p채널형의 트랜지스터(T2)의 소스 전극은 전류 공급선(15)에 접속되는 한편, 그 드레인 전극은 OLED(50)의 양극(81)에 접속된다. 전류 공급선(15)은, OLED(50)를 구동하기 위한 전류를 공급하기 위한 배선이다. 또한, 트랜지스터(T2)의 소스 전극과 게이트 전극과의 사이에는, 용량 소자(C)가 설치되어 있다. n채널형의 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 주사선(13)에 접속되고, 그 소스 전극은 데이터선(14)에 접속되고, 그 드레인 전극은 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 접속된다.
단위 회로(P)는, 그 단위 회로(P)에 대응하는 주사선(13)을 주사선 구동 회로(12)가 선택하면, 트랜지스터(T1)가 온 되고, 데이터선 구동 회로(도시 생략)로 부터 데이터선(14)을 통하여 공급되는 데이터 신호를 내부의 용량 소자(C)에 유지한다. 그리고, 트랜지스터(T2)가, 데이터 신호의 레벨에 따른 전류를 OLED(50)에 공급한다. 이에 의해, OLED(50)는, 데이터 신호의 레벨에 따른 휘도로 발광한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판(10)상의, 주변 영역(H)에는, 음극용 전원 배선(16)이 화소 영역(G)을 둘러싸는 コ자 형상으로 형성되어 있다. 즉, 음극용 전원 배선(16)은, 화소 영역(G)의 둘레를 따라 직선 형상으로 연재하고, 2개소에서 대략 직각으로 절곡되어(bent) 있다. 음극용 전원 배선(16)은, 주사선 구동 회로(12)와 화소 영역(G)과의 사이에 배치되어 있다. 음극용 전원 배선(16)은, OLED(50)를 구동한 전류를 흘리기 위한 배선이다. OLED(50)는, 양극(두 개의 전극 중 한쪽)(81)과 음극(두 개의 전극 중 다른 한쪽)과 양전극의 사이에 끼워진 발광 기능층을 갖는다.
도 3은, 도 1에 나타내는 발광 장치(1)의 A-A'선을 따라 취한 단면도이다. 기판(10)상에는 산화 규소를 주체(主體)로 하는 바탕(underlying) 보호층(도시 생략)이 형성되고, 그 위에 금속 배선층을 포함하는 배선층(17)이 형성되어 있다. 배선층(17)에는, 화소 영역(G)내에, 각 단위 회로(P)에 대하여, 트랜지스터(T1) 및 트랜지스터(T2)가 형성되어 있다. 또한, 배선층(17)에는, 주변 영역(H)내에, 주사선 구동 회로(12)나 데이터선 구동 회로(도시 생략)가 형성되어 있다. 이들 회로는, 트랜지스터, 용량 소자 등의 회로 소자를 갖는다. 금속 배선층은, 알루미늄 등의 도전성을 갖는 재료로 형성되어 있고, 그 일부는, 각 트랜지스터의 전극이나, 주사선(13), 데이터선(14), 전류 공급선(15), 음극용 전원 배선(16)으로 되어 있 다.
배선층(17)상에는, 화소 영역(G)내에, OLED(50)의 양극(81)이 단위 회로(P)마다 설치되어 있다. 각 양극(81)은, 대응하는 컨택트홀(contact hole)을 통하여, 자기(自己)를 포함하는 단위 회로(P)내의 트랜지스터(T2)의 드레인 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 배선층(17) 및 각 양극(81)상에는, 절연막(18)이 형성되어 있다. 절연막(18)은, OLED(50)의 양극(81)과 음극을 서로 절연하는 막이며, 아크릴 또는 폴리이미드로 형성되고, 화소 영역(G)에 있어서는, 각 양극(81)의 상면의 적어도 일부만이 노출하도록 배선층(17) 및 양극(81)을 덮고 있다. 절연막(18)의 바깥 가장자리는 주변 영역(H)에 위치하고 있다. 절연막(18)에 둘러싸여 있는 영역에는, 양극(81)상에, 발광 기능층(82)이 형성되어 있다. 발광 기능층(82)의 단면은 절연막(18)에 접하고 있다. 발광 기능층(82)은, 유기 EL재료로 형성된 발광층을 구비한다. 유기 EL재료는 저분자 재료여도 고분자 재료여도 좋다. 발광 기능층(82)은, 발광층 외에, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 정공 블록층 및 전자 블록층의 일부 또는 전부를 구비하고 있어도 좋다.
절연막(18) 및 발광 기능층(82)상에는, 음극층(19)이 형성되어 있다. 음극층(19)은, 도전성의 재료로 형성되어 있고, 그 형성은, 예를 들면 증착에 의해 행해진다. 음극층(19)은 복수층으로 구성되어도 좋다. 또한, 음극층(19)은, 화소 영역(G)의 전체 및 주변 영역(H)에 걸쳐서 형성되고, 복수의 단위 회로(P)에 공통되어 설치되어 있다. 음극층(19)의 일부는, 대응하는 단위 회로(P)내의 OLED(50)의 음극이 된다. 주변 영역(H)에 있어서, 음극층(19)은, 음극용 전원 배선(16)에 겹쳐져 있고, 배선층(17)에 형성된 컨택트홀(CH)을 통하여 음극용 전원 배선(16)에 전기적으로 접속되어 있다. 음극층(19)의 가장자리는, 배선층(17)상에 위치하고 있다.
전술한 바와 같이, 발광 기능층(82)은, 각 단위 회로(P)에 따라 형성되어 있고, 절연막(18)은 발광 기능층(82)을 형성하는 영역을 구획하도록 형성되어 있다. 여기에서는, 평면적으로 보았을 때, 발광 기능층(82)의 일부와 절연막(18)이 서로 겹쳐진 구성을 채용했지만, 이에 한정하는 것이 아니고, 발광 기능층(82)과 절연막(18)이 배타적으로(exclusively) 설치되어 있는 구성(발광 기능층과 절연막(18)이 서로 겹쳐지지 않는 구성)을 채용해도 좋다.
또한, 다른 구성예로서는, 발광 기능층 및 음극층(19)은, 적어도 화소 영역에 있어서, 복수의 단위 회로(P)에 대하여 공통으로 설치되어 있어도 좋다. 이 때에, 발광 기능층이 발광하는 영역은, 절연막(18)에 의해 구획되고 있어, 각 양극(81)에 따라 발광하는 영역이 설치되어 있다. 이 발광하는 영역은, 절연막(18)의 주연부(periphery) 등, 절연막(18)과 겹쳐져 있어도 좋다. 여기서, 발광 기능층 및 음극층(19)은, 절연막(18) 및 양극(81) 위를 덮도록 설치되어 있다.
배선층(17)상에는, 주변 영역(H)에, 주변벽(20)이 형성되어 있다. 주변벽(20)은, 아크릴 또는 폴리이미드로 형성되어 있다. 여기서, 절연막(18)과 동일한 프로세스로 일괄하여 형성되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 본 실시 형태에 있어서의 절연막(18)과 주변벽(20)과는 동일한 절연층으로 이루어지고, 이 절연층은 OLED(50)의 2개의 전극을 절연함과 함께, 주사선 구동 회로(12)나 데이터선 구동 회로 등의 구동 회로를 덮도록 설치되어 있는 것이 바람직하다. 주변벽(20)은, 주사선 구동 회로(12)나 데이터선 구동 회로(도시 생략)를 보호하기 위한 구조물이며, 주사선 구동 회로(12)나 데이터선 구동 회로(도시 생략)를 덮도록 설치되어 있다.
배선층(17), 음극층(19) 및 주변벽(20)상에는, OLED(50)를 외기(外氣)로부터 보호하는 봉지층이 형성되어 있다. 봉지층은, 3층의 박막을 적층하여 구성되어 있다. 3층의 박막이란, 배선층(17), 음극층(19) 및 주변벽(20)상에 형성된 음극 보호막(21)과, 음극 보호막(21)상에 형성된 유기 완충막(22)과, 배선층(17), 음극 보호막(21) 및 유기 완충막(22)상에 형성된 가스 배리어막(23)이다.
음극 보호막(21)은, 음극층(19)의 보호나, 유기 완충막(22)의 형성의 용이화를 목적으로 한 것이며, 적어도 음극층(19)을 덮어 연재하고 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 음극 보호막(21)의 가장자리는, 주변벽(20)의 외측에 위치하고 있다. 또한, 음극 보호막(21)은, 무기 재료로 형성되어 있다. 이 무기 재료로서는, 규소 산화물이나 규소산 질화물 등의 규소 산화물이나, 산화 티탄 등의 금속 산화물등의 무기산화물을 예시할 수 있다.
유기 완충막(22)은, 절연막(18)의 형상의 영향에 의해 화소마다 생기는 음극 보호막(21)의 단차(step)를 덮고, 가스 배리어막(23)에 있어서의 응력 집중을 방지하기 위한 것으로서, 유기 재료로 형성되어 있다. 유기 완충막(22)은, 표면이 평탄하게 되도록, 예를 들면 도포법(예를 들면 인쇄법)에 의해 형성된다. 유기 완충막(22)은, 음극층(19)을 덮어 연재하고, 적어도 화소 영역에 있어서 적어도 절연 막(18)의 상방에 형성되어 있다. 유기 완충막(22)의 가장자리(221)는, 화소 영역(G)을 둘러싸는 대략 장방형이며, 절연막(18)과 주변벽(20)과의 사이에 위치하고 있다. 유기 완충막(22)의 가장자리(221) 중, 3개의 변(邊)은, 음극용 전원 배선(16)상에 위치하고 있다. 음극용 전원 배선(16)상의 가장자리(221)는, 음극용 전원 배선(16)에 대략 평행이다.
가스 배리어막(23)은, 산소나 수분 등의 외기의 침입을 막기 위한 것으로, 음극 보호막(21) 및 유기 완충막(22)를 덮어 연재하고 있다. 또한, 가스 배리어막(23)은, 유기 완충막(22)의 가장자리(221) 근방에서는 유기 완충막(22)의 두께에 따른 길이에 걸쳐서 기판(10)에 대하여 기울어진 방향으로 연재하고 있다. 또한, 가스 배리어막(23)은, 규소 화합물이나 규소 산화물 등의 무기 재료로 형성되어 있다. 본 실시 형태에 있어서, 가스 배리어막(23)은, 주변벽(20)이 설치된 영역과 절연막(18)이 설치된 영역과의 사이의 영역에 있어서, 바탕층(underlying layer; 본 실시 형태에 있어서는, 음극 보호막(21))과 접하고 있다. 바탕층은, 배선층(17)에 포함되는 절연막이어도 좋다. 이 바탕층은, 규소 산화물, 규소산 질화물, 규소 질화물 등의 규소 화합물인 것이 바람직하다.
유기 완충막(22)의 가장자리(221)의 위치는, 발광 장치(1)의 개체마다, 도 3에 나타내는 L1의 범위에서 어긋날 우려가 있다. 그러나, 가장자리(221)의 위치가 이 범위에서 어긋났다고 해도, 기판(10)의 가장자리와 OLED(50) 및 절연막(18)을 덮는 유기 완충막(22)의 가장자리(221)와의 사이에, 주변벽(20)이 존재하는 것에 변함은 없다. 따라서, 발광 장치(1)에 의하면, 가장자리(221)의 위치 정밀도가 낮 아도, 주변벽(20)의 가장자리의 위치 정밀도가 높으면, 프레임 폭을 좁게 할 수 있다.
게다가, 발광 장치(1)에서는, 주변벽(20)을, OLED(50)의 형성전에 형성하는 것이 가능하다. 즉, 주변벽(20)의 형성에, 그 가장자리의 위치 정밀도가 높아지는 형성 방법을 채용할 수 있다.
또한, 봉지층을 구성하는 3층의 박막 중 유기 완충막(22) 이외의 막(음극 보호막(21) 및 가스 배리어막(23))을, OLED(50)에 심각한 악영향을 미치는 일 없이 위치 정밀도가 높은 형성 방법으로 형성하는 것이 가능하다.
따라서, 발광 장치(1)에 의하면, 봉지층을 구성하는 유기 완충막(22)을 위치 정밀도가 낮은 형성 방법으로 형성해도 프레임 폭 협소화를 실현할 수 있다.
또한, 발광 장치(1)에서는, 유기 완충막(22)의 가장자리(221) 중, 3개의 변이, 음극용 전원 배선(16)에 대략 평행이며, 음극용 전원 배선(16)상에 위치한다. 즉, 유기 완충막(22)의 가장자리(221)의 많은 구간이 평탄한 면상에 위치한다. 따라서, 봉지 성능이 향상한다. 또한, 유기 완충막(22)의 가장자리(221) 아래에 배치되는 배선은, 음극용 전원 배선(16)에 한정하지 않는다. 예를 들면, 전류 공급선(15)에 접속되어, 단위 회로(P)에 전류를 공급하기 위한 배선이어도 좋다. 또한, 전술한 단위 회로(P)의 구성은 일 예에 지나지 않는다.
또한, 본 실시 형태의 특징을 환언하면 이하와 같이 된다. 본 실시 형태에 있어서의 절연막(18)과 주변벽(20)은 같은 절연층에 형성되어 있고, 이 절연층은, 화소 영역상 및 구동 회로상의 양쪽 모두에 덮도록 형성되어 있고, 화소 영역이 설 치된 영역과 구동 회로가 설치된 영역의 사이에는, 절연층이 형성되어 있지 않은 영역이 있다. 유기 완충막(22)의 가장자리(221)는, 이 절연층이 형성되어 있지 않은 영역에 위치하고, 이 영역에 있어서, 가스 배리어층(23)은 바탕층과 접하고 있다. 이 절연층이 형성되어 있지 않은 영역에는, 음극용 전원 배선(16)이나 전류 공급선(15)에 접속된 배선을 형성하는 것이 바람직하다. 여기서, 구동 회로는, 주사선 구동 회로, 데이터선 구동 회로, 검사 회로이어도 좋다.
<제2 실시 형태>
도 4는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 발광 장치(2)의 구성의 일부를 나타내는 개략 평면도이며, 도 5는, 도 4에 나타내는 발광 장치(2)의 B-B'선을 따라 취한 단면도이다. 발광 장치(2)가 발광 장치(1)와 다른 것은, 봉지층이 1층의 박막으로 형성되어 있는 점이다. 발광 장치(2)에서는, 배선층(17) 및 음극층(19)상에, OLED(50)를 외기로부터 보호하는 봉지층이 형성되어 있다. 이 봉지층은, 1층의 박막으로 구성되어 있다. 이 박막이란, 배선층(17) 및 음극층(19)상에 형성된 가스 배리어막(24)이다.
가스 배리어막(24)은, 산소나 수분 등의 외기의 침입을 막기 위한 것으로, 음극층(19)을 덮어 연재하고 있다. 또한, 가스 배리어막(24)은, 절연막(18)의 바깥 가장자리 근방에서는 절연막(18)의 두께에 따른 길이에 걸쳐서 기판(10)에 대하여 기울어진 방향으로 연재하고 있다. 본 실시 형태에 있어서, 가스 배리어막(23)은, 주변벽(20)이 설치된 영역과 절연막(18)이 설치된 영역과의 사이의 영역에 있어서, 적어도 바탕층(본 실시 형태에 있어서는, 배선층(17)에 포함되는 절연막이나 배선층)과 접하고 있다. 바탕층은, 규소 산화물, 규소산 질화물, 규소 질화물 등의 규소 화합물인 것이 바람직하다. 가스 배리어막(24)의 가장자리(241)는, 화소 영역(G)을 둘러싸는 대략 장방형(rectangular shape)이며, 절연막(18)과 주변벽(20)과의 사이에 위치하고 있다. 가스 배리어막(24)의 가장자리(241) 중, 3개의 변은, 음극용 전원 배선(16)상에 위치하고 있다. 음극용 전원 배선(16)상의 가장자리(241)는, 음극용 전원 배선(16)에 대략 평행이다. 또한, 가스 배리어막(24)은, 규소 화합물이나 규소 산화물 등의 무기 재료로 형성되어 있다. 가스 배리어막(24)의 형성 방법은, 예를 들면 증착법을 예시할 수 있다.
가스 배리어막(24)의 가장자리(241)의 위치는, 발광 장치(2)의 개체마다, 도 5에 나타내는 L2의 범위에서 어긋날 우려가 있다. 그러나, 가장자리(241)의 위치가 이 범위에서 어긋났다고 해도, 기판(10)의 가장자리와, OLED(50) 및 절연막(18)을 덮는 가스 배리어막(24)의 가장자리(241)와의 사이에, 주변벽(20)이 존재하는 것에 변함은 없다. 따라서, 발광 장치(2)에 의하면, 가장자리(241)의 위치 정밀도가 낮아도, 주변벽(20)의 가장자리의 위치 정밀도가 높으면, 프레임 폭을 좁게 할 수 있다. 따라서, 발광 장치(2)에 의하면, 봉지층을 구성하는 가스 배리어막(24)을 위치 정밀도가 낮은 형성 방법으로 형성해도 프레임 폭 협소화를 실현할 수 있다.
또한, 발광 장치(2)에서는, 가스 배리어막(24)의 가장자리(241) 중, 3개의 변이, 음극용 전원 배선(16)에 대략 평행이며, 음극용 전원 배선(16)상에 위치한다. 따라서, 봉지 성능이 향상한다. 또한, 가스 배리어막(24)의 가장자리(241)의 아래에 배치되는 배선이 음극용 전원 배선(16)에 한정되지 않는 것이나, 도 2에 나타내는 단위 회로(P)의 구성이 일 예에 지나지 않는 것은, 발광 장치(1)와 동일하다.
또한, 본 실시 형태의 특징을 환언하면 이하와 같이 된다. 본 실시 형태에 있어서의 절연막(18)과 주변벽(20)은 동일한 절연층에 형성되어 있고, 이 절연층은, 화소 영역상 및 구동 회로상의 양쪽 모두에 덮도록 형성되어 있고, 화소 영역이 설치된 영역과 구동 회로가 설치된 영역의 사이에는, 절연층이 형성되어 있지 않은 영역이 있다. 가스 배리어막(23)은 이 절연층이 형성되어 있지 않은 영역에 있어서 바탕층과 접하고 있다. 이 절연층이 형성되어 있지 않은 영역에는, 음극용 전원 배선(16)이나 전류 공급선(15)에 접속된 배선을 형성하는 것이 바람직하다. 여기서, 구동 회로는, 주사선 구동 회로, 데이터선 구동 회로, 검사 회로이어도 좋다.
<제3 실시 형태>
도 6은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 발광 장치(3)의 일부의 단면도이다. 발광 장치(3)가 발광 장치(1)와 다른 것은, 기판(10) 외에 다른 기판을 갖는 점이다. 다른 기판이란, OLED(50)를 사이에 끼워 기판(10)과 대향하고 있는 대향 기판(25)이다. 대향 기판(25)은, 예를 들면 컬러 필터 기판이며, 실(26)에 의해 지지되고 있다.
기판(10)의 OLED(50)가 설치된 측과 대향 기판(25)과의 사이에는, 수지로 이루어지는 충전재가 충전되고 있다.
제1 및 제2 실시 형태에서는, 가스 배리어막(23)에 의해, 외기가 OLED(50)에 도달하는 것을 막고 있었지만, 본 실시 형태에서는, 충전재, 실(26) 및 대향 기판(25)에 의해 봉지 성능을 더욱 향상시키고 있다.
실(26)은, 예를 들면 수지로 형성되어 있고, 절연막(18)을 둘러싸도록, 가스 배리어막(23)상에 형성되어 있다. 실(26)의 일단은 가스 배리어막(23)에 고착하고 있고, 타단은 대향 기판(25)에 고착하고 있다. 가스 배리어막(23)의 실(26)에 접촉하고 있는 부분은, 주변벽(20)상의 부분이다. 즉, 실(26)과 가스 배리어막(23)의 기판(10)에 대하여 기울어진 방향으로 연재하고 있는 부분(231)과는, 서로 이간하고 있다.
부분(231)에 실(26)이 접촉하고 있으면, 응력 집중에 의해, 가스 배리어막(23)이 파손하기 쉽지만, 전술한 바와 같이, 발광 장치(3)에서는, 양자는 접촉하고 있지 않다. 또한, 주변벽(20)의 표면은 대략 평탄하다. 따라서, 발광 장치(3)에 의하면, 발광 장치(1)로 얻을 수 있는 효과 외에, 가스 배리어막(23)이 파손할 가능성을 낮게 억제할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.
가스 배리어막(23) 및 유기 완충막(22)이 주변벽(20) 및 화소 영역을 덮고, 그 외측의 영역에 실(26)을 배치하는 구성과 비교하여, 본 실시 형태에서는, 실(26)과 주변벽(20)이 겹쳐져 있기 때문에, 발광 장치(3)를 좁은 프레임으로 할 수 있다. 또한, 유기 완충막(22)의 가장자리(221)와 실(26)이 겹쳐지지 않도록 하기 위해 설치되는 마진(margin) 영역에, 음극용 전원 배선(16) 등의 배선을 배치할 수 있기 때문에, 더욱 발광 장치(3)의 프레임 폭 협소화를 도모할 수 있다.
<제4 실시 형태>
도 7은, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 발광 장치(4)의 일부의 단면도이다. 발광 장치(4)가 발광 장치(2)와 다른 것은, 기판(10) 외에 대향 기판(25)을 갖는 점이다. 대향 기판(25)은, 실(27)에 의해 지지되고 있다. 실(27)은, 예를 들면 수지로 형성되어 있고, 절연막(18)을 둘러싸도록, 배선층(17) 및 주변벽(20) 상에 형성되어 있다. 실(27)의 일단은 배선층(17) 및 주변벽(20)에 고착하고 있고, 타단은 대향 기판(25)에 고착하고 있다. 실(27)과 가스 배리어막(24)의 기판(10)에 대하여 기울어진 방향으로 연재하고 있는 부분(242)은, 서로 이간하고 있다.
부분(242)에 실(27)이 접촉하고 있으면, 응력 집중에 의해, 가스 배리어막(24)이 파손하기 쉽지만, 전술한 바와 같이, 발광 장치(4)에는, 양자는 접촉하고 있지 않다. 원래, 실(27)과 가스 배리어막(24)은, 서로 이간하고 있다. 따라서, 발광 장치(4)에 의하면, 발광 장치(2)로 얻을 수 있는 효과 외에, 가스 배리어막(24)이 파손할 가능성을 낮게 억제할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 제3 실시 형태와 동일하게, 발광 장치(4)를 좁은 프레임으로 할 수 있다.
<변형예>
전술한 각 실시 형태에서는, 봉지층이 1층 또는 3층의 박막으로 구성되어 있지만, 2층의 박막으로 구성되어도 좋고, 4층 이상의 박막으로 구성되어도 좋다. 어느 경우라도, 최대의 막두께가 가장 두꺼운 막은, 형성되는 막의 가장자리의 위 치 정밀도가 낮은 형성 방법으로 형성되게 된다. 또한, 형성되는 막의 가장자리의 위치 정밀도가 낮은 형성 방법으로 형성되는 막은 복수이어도 좋다. 또한, 주변벽에 보호되는 회로는 주사선 구동 회로에 한정되지 않고, 데이터선 구동 회로나 검사 회로이어도 좋다. 또한, 주변벽에 보호되는 것은 회로에 한정하지 않는다. 예를 들면, 주변벽에 의해 배선이 보호되도록 해도 좋다. 또한, 발광소자는 OLED에 한정하지 않는다.
<응용예>
다음으로, 전술한 실시 형태에 따른 각 발광 장치를 적용한 전자기기에 대하여 설명한다.
도 8은, 전술한 각 발광 장치를 표시장치로서 채용한 모바일형의 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 도면이다. 퍼스널 컴퓨터(2000)는, 표시장치(2003)와 본체부(2010)를 구비한다. 본체부(2010)에는, 전원 스위치(2001) 및 키보드(2002)가 설치되어 있다.
도 9는, 전술한 각 발광 장치를 표시장치로서 채용한 휴대 전화기의 구성을 나타내는 도면이다. 휴대 전화기(3000)는, 복수의 조작 버튼(3001) 및 스크롤 버튼(3002), 그리고 표시장치(3003)를 구비한다. 스크롤 버튼(3002)을 조작함으로써, 표시장치(3003)에 표시되는 화면이 스크롤 된다.
도 10은, 전술한 각 발광 장치를 표시장치로서 채용한 휴대 정보 단말(PDA:Personal Digital Assistants)의 구성을 나타내는 도면이다. 정보 휴대 단말(4000)은, 복수의 조작 버튼(4001) 및 전원 스위치(4002), 그리고 표시장 치(4003)를 구비한다. 전원 스위치(4002)를 조작하면, 주소록이나 스케쥴북(schedule book)이라고 하는 각종의 정보가 표시장치(4003)에 표시된다.
또한, 본 발명에 따른 발광 장치가 적용되는 전자기기로서는, 도 8 내지 도 10에 나타낸 것 외에, 텔레비전이나 비디오 카메라 등의 영상을 표시 가능한 기기나, 전자 사진 방식의 화상 형성 장치를 들 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 발광 장치(1)의 구성의 일부를 나타내는 개략 평면도이다.
도 2는 발광 장치(1)의 단위 회로(P)의 상세를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 1에 나타내는 발광 장치(1)의 A-A'선을 따라 취한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 발광 장치(2)의 구성의 일부를 나타내는 개략 평면도이다.
도 5는 도 4에 나타내는 발광 장치(2)의 B-B'선을 따라 취한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 발광 장치(3)의 일부의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 발광 장치(4)의 일부의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태에 따른 각 발광 장치를 표시장치로서 채용한 모바일형의 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 형태에 따른 각 발광 장치를 표시장치로서 채용한 휴대 전화기의 구성을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 형태에 따른 각 발광 장치를 표시장치로서 채용한 휴대 정보 단말의 구성을 나타내는 도면이다.
도 11은 종래의 발광 장치(단층 구성)의 단부의 단면도이다.
도 12는 종래의 발광 장치(복수층 구성)의 단부의 단면도이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1∼4 : 발광 장치
10 : 기판
12 : 주사선 구동 회로
13 : 주사선
14 : 데이터선
15 : 전류 공급선
16 : 음극용 전원 배선(배선)
17 : 배선층
18 : 절연막
19 : 음극층
20 : 주변벽(주변층)
2000 : 퍼스널 컴퓨터(전자기기)
21 : 음극 보호막
22 : 유기 완충막
23, 24 : 가스 배리어막
25 : 대향 기판(다른 기판)
26, 27 : 실(seal material)
3000 : 휴대 전화기(전자기기)
4000 : 휴대 정보 단말(전자기기)
G : 발광 영역
H : 주변 영역
P : 단위 회로(unit circuit)

Claims (8)

  1. 기판과,
    상기 기판상에 배열되어, 발광층을 사이에 두는 두 개의 전극을 갖는 복수의 발광소자와,
    상기 기판상에 형성되어, 상기 두 개의 전극을 서로 절연하는 절연막과,
    상기 기판상에 형성되어, 상기 절연막의 외측에 위치하는 주변층과,
    상기 기판상에 형성되어, 상기 복수의 발광소자 및 상기 절연막을 덮는 봉지층(sealing layer)을 구비하며,
    상기 봉지층은 1층 또는 복수층의 박막으로 구성되고,
    상기 절연막과 상기 주변층과의 사이에는, 상기 1층 또는 복수층의 박막 중 최대의 막두께가 가장 두꺼운 박막의 가장자리(端)가 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 기판과,
    상기 기판상에 배열되어, 발광층을 사이에 두는 두 개의 전극을 갖는 복수의 발광소자와,
    상기 기판상에 형성되어, 상기 두 개의 전극을 서로 절연하는 절연막과,
    상기 기판상에 형성되어, 상기 절연막의 외측에 위치하는 주변층과,
    상기 기판상에 형성되어, 상기 복수의 발광소자 및 상기 절연막을 덮는 봉지 층을 구비하며,
    상기 봉지층은, 복수층의 박막으로 구성되고,
    상기 복수층의 박막에는, 유기 재료로 형성된 유기 완충막이 포함되고,
    상기 절연막과 상기 주변층과의 사이에는, 상기 유기 완충막의 가장자리가 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기판상에 설치되어, 상기 절연막을 둘러싸고, 상기 기판과는 다른 그 외의 기판을 지지하는 실(seal material)을 구비하며,
    상기 복수층의 박막에는, 무기 재료로 형성되어, 상기 유기 완충막을 덮어, 상기 유기 완충막의 가장자리 근방에서는 상기 유기 완충막의 두께에 따른 길이에 걸쳐서 상기 기판에 대하여 기울어진 방향으로 연재(extend)하고 있는 가스 배리어(barrier)막이 포함되고,
    상기 가스 배리어막의 상기 기울어진 방향으로 연재하고 있는 부분과 상기 실과는 이간(separate)하고 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 기판상에 형성되어, 직선 형상으로 연재하는 배선을 구비하며,
    상기 배선상에는, 상기 절연막과 상기 주변층과의 사이의 상기 유기 완충막의 가장자리가 위치하고,
    상기 배선상의 상기 유기 완충막의 가장자리는 상기 배선에 대략 평행인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  5. 기판과,
    상기 기판상에 배열되어, 발광층을 사이에 두는 두 개의 전극을 갖는 복수의 발광소자와,
    상기 기판상에 형성되어, 상기 두 개의 전극을 서로 절연하는 절연막과,
    상기 기판상에 형성되어, 상기 절연막의 외측에 위치하는 주변층과,
    상기 기판상에 무기 재료로 형성되어, 상기 복수의 발광소자 및 상기 절연막을 덮는 봉지층을 구비하며,
    상기 봉지층은, 1층의 박막으로 구성되고,
    상기 1층의 박막은, 무기 재료로 형성된 가스 배리어막이며,
    상기 절연막과 상기 주변층과의 사이에는, 상기 가스 배리어막의 가장자리가 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판상에 설치되어, 상기 절연막을 둘러싸고, 상기 기판과는 다른 그 외의 기판을 지지하는 실(seal material)을 구비하며,
    상기 가스 배리어막은, 상기 절연막의 가장자리 근방에서는 상기 절연막의 두께에 따른 길이에 걸쳐서 상기 기판에 대하여 기울어진 방향으로 연재하고 있고,
    상기 가스 배리어막의 상기 기울어진 방향으로 연재하고 있는 부분과 상기 실과는 이간하고 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 기판상에 형성되어, 직선 형상으로 연재하는 배선을 구비하고,
    상기 배선상에는, 상기 절연막과 상기 주변층과의 사이의 상기 가스 배리어막의 가장자리가 위치하고,
    상기 배선상의 상기 가스 배리어막의 가장자리는 상기 배선에 대략 평행인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  8. 제1항, 제2항, 제3항, 제5항, 제6항 중 어느 한항에 기재된 발광 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090191342A1 (en) * 1999-10-25 2009-07-30 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
CN101866585B (zh) * 2010-04-13 2012-06-20 深圳市锐拓显示技术有限公司 一种led显示屏用气压平衡器
KR101886801B1 (ko) 2010-09-14 2018-08-10 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치
JP2012248743A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Japan Display West Co Ltd 半導体装置およびその製造方法、表示装置ならびに電子機器
JP2013016371A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
WO2013111218A1 (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 株式会社アルバック 素子構造体及び素子構造体の製造方法
CN102903732A (zh) * 2012-10-12 2013-01-30 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管器件及相应的显示装置
KR101980234B1 (ko) * 2012-10-30 2019-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법
KR102050434B1 (ko) * 2012-10-31 2019-11-29 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR102048926B1 (ko) * 2012-11-19 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6077279B2 (ja) * 2012-11-20 2017-02-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101473309B1 (ko) * 2012-11-29 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
JP6267449B2 (ja) * 2013-03-15 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 有機デバイスの製造方法及び有機デバイスの製造装置
KR102034253B1 (ko) 2013-04-12 2019-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102117612B1 (ko) 2013-08-28 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015060020A (ja) * 2013-09-18 2015-03-30 ソニー株式会社 表示装置及び電子機器
KR102218573B1 (ko) 2013-09-30 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
TW201513334A (zh) * 2013-09-30 2015-04-01 Au Optronics Corp 電激發光顯示面板
US9978986B2 (en) 2014-03-13 2018-05-22 Pioneer Corporation Light emitting apparatus
JP6300231B2 (ja) 2014-06-25 2018-03-28 パナソニック株式会社 有機el素子
US9853234B2 (en) 2014-07-30 2017-12-26 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic EL device and method for producing the same
KR101667800B1 (ko) * 2014-08-29 2016-10-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102295614B1 (ko) * 2014-09-29 2021-08-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102317715B1 (ko) * 2014-09-30 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102472238B1 (ko) 2014-10-17 2022-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법
JP2016115444A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP6412791B2 (ja) 2014-12-18 2018-10-24 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2017017553A1 (en) 2015-07-30 2017-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of light-emitting device, light-emitting device, module, and electronic device
CN105206620B (zh) * 2015-08-27 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜封装结构及其制备方法、显示装置
KR102427249B1 (ko) 2015-10-16 2022-08-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102407569B1 (ko) * 2015-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102446425B1 (ko) * 2015-11-17 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102509079B1 (ko) * 2015-11-30 2023-03-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI604598B (zh) * 2016-02-04 2017-11-01 Au Optronics Corp 顯示器以及顯示器的製造方法
KR102407869B1 (ko) 2016-02-16 2022-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR102451726B1 (ko) 2016-03-28 2022-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2018036896A (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 株式会社ジャパンディスプレイ タッチセンサ及び表示装置
KR102799673B1 (ko) * 2016-11-29 2025-04-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102354925B1 (ko) * 2017-06-14 2022-01-21 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 제조방법
KR102583813B1 (ko) * 2017-12-13 2023-09-26 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108986667B (zh) * 2018-08-24 2020-12-04 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及其驱动方法、显示装置
CN109243305B (zh) * 2018-09-17 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法
CN110970462B (zh) * 2018-09-29 2022-10-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN112005376B (zh) * 2019-03-11 2022-07-12 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示设备、制造显示基板的方法
KR102096058B1 (ko) * 2019-05-13 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법
TWI707320B (zh) * 2019-08-07 2020-10-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
JP7465652B2 (ja) * 2019-12-05 2024-04-11 JDI Design and Development 合同会社 自発光表示パネルおよびその製造方法
KR102218650B1 (ko) * 2020-05-26 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003288994A (ja) 2002-01-24 2003-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3830238B2 (ja) 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
US7109653B2 (en) * 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
US7038377B2 (en) * 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
SG126714A1 (en) 2002-01-24 2006-11-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP3729262B2 (ja) 2002-08-29 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
JP4138672B2 (ja) * 2003-03-27 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
US8350466B2 (en) * 2004-09-17 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8772783B2 (en) * 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1798786B1 (en) * 2004-10-21 2012-01-11 LG Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
JP4631683B2 (ja) 2005-01-17 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及び電子機器
JP2006222071A (ja) * 2005-01-17 2006-08-24 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003288994A (ja) 2002-01-24 2003-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101160001B (zh) 2011-08-31
JP4245032B2 (ja) 2009-03-25
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