JP2016115444A - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】光取り出し効率が高く、輝度のばらつきの少ない表示装置および電子機器を提供する表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】本開示の表示装置は、規則的に配置された複数の画素と、複数の画素に設けられた複数の第１開口と、規則的に配置された複数の画素の周縁の少なくとも一部に１または２以上設けられた第２開口とを備える。【選択図】図１

Description

本開示は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する有機ＥＬ素子等を備えた表示装置および電子機器に関する。

近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、有機ＥＬ素子とする）を発光素子として用いた照明装置や有機ＥＬ表示装置が普及しつつある。有機ＥＬ表示装置には、効率良く光を取り出す技術の開発が強く求められている。有機ＥＬ表示装置は、一般に、光源を必要とする液晶表示装置と比べて画像の視認性が高く、消費電力が低く、且つ、素子の応答速度が速い等の特徴を有する。しかし、光取出し効率が低いと、有機ＥＬ素子における実際の発光量を有効に活用していないことになり、消費電力等の点で大きな損失を生じてしまう。

光取出し効率の向上を図るために、例えば、特許文献１では、リフレクタ（反射構造）を有する表示装置が開示されている。この表示装置は、発光素子が設けられた第１基板上に設けられると共に、発光素子からの光を表示面側に反射する光反射層（第１部材）および第１基板に対向配置された第２基板と第１部材との間を充填する第２部材を有する。第１部材の屈折率（ｎ₁）および第２部材の屈折率を（ｎ₂）は互いに異なる屈折率を有し、これにより、第２部材と対向する第１部材の表面において第２部材を伝播した光が少なくとも一部が反射され、これによって光の取り出し効率が向上する。

特開２０１３−１９１５３３号公報

リフレクタによる光取り出し効率の向上には、第１部材によって形成されるリフレクタの形状の制御が重要となる。一般に、第１部材はレジストによって形成されるが、レジストからなる第１部材は、その製造工程において変形が生じやすい。このため、リフレクタとして十分な光取り出し効果を得ることができず、また、輝度にばらつきが生じやすいという問題があった。

本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、光取り出し効率が高く、輝度のばらつきの少ない表示装置および電子機器を提供することにある。

本技術による表示装置は、規則的に配置された複数の画素と、複数の画素に設けられた複数の第１開口と、規則的に配置された複数の画素の周縁の少なくとも一部に１または２以上設けられた第２開口とを備えたものである。

本技術の電子機器は、上記表示装置を備えたものである。

本技術の表示装置および電子機器では、規則的に配置されると共に、それぞれ複数の第１開口を有する複数の画素の周縁の少なくとも一部に、１または２以上の第２開口を設けることにより、第１開口の形状のばらつきが低減される。

本技術の表示装置および電子機器では、規則的に配置されると共に、それぞれ複数の第１開口を有する複数の画素の周縁の少なくとも一部に、１または２以上の第２開口を設けるようにした。これにより、第１開口の形状を制御することが可能となり、光取り出し効率を向上させることが可能となる。更に、輝度のばらつきも低減することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。

本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の断面図である。 図１に示した表示装置の画素電極上に設けられた開口の断面図である。 従来の表示装置における課題を説明する平面図である。 図１に示した表示装置の画素電極上に設けられた開口およびダミー開口の一例を表す平面図である。 図１に示した表示装置の画素電極上に設けられた開口およびダミー開口の他の例を表す平面図である。 図１に示した表示装置の画素電極上に設けられた開口およびダミー開口の他の例を表す平面図である。 図１に示した表示領域におけるダミー開口の一例を表す平面図である。 図１に示した表示領域におけるダミー開口の他の例を表す平面図である。 図１に示した表示装置の構成を表す平面図である。 図７に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 従来の表示装置における課題を説明する模式図である。 図１に示した表示領域および周辺領域の一部の平面図である。 本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の断面図である。 図１１に示した表示装置の画素電極上に設けられた開口およびダミー開口の一例を表す平面図である。 本開示の変形例１に係る表示装置の一例を表す断面図である。 本開示の変形例１に係る表示装置の他の例を表す断面図である。 本開示の変形例２に係る表示装置の一例を表す断面図である。 本開示の変形例２に係る表示装置の他の例を表す断面図である。 上記表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 本開示の適用例１のスマートフォンを表側から見た外観を表す斜視図である。 図１１Ａに示したスマートフォンを裏側から見た外観を表す斜視図である。 本開示の適用例２のタブレットの外観の一例を表す斜視図である。 本開示の適用例２のタブレットの外観の他の例を表す斜視図である。 本開示の適用例３のヘッドマウントディスプレイの外観を表す斜視図である。 本開示の適用例４のカメラの表側を表す斜視図である。 本開示の適用例４のカメラの裏側を表す斜視図である。

本開示の実施の形態について図面を参照して以下の順に詳細に説明する。
１．第１の実施の形態
（画素電極の外縁にダミー開口を設けた例）
１−１．要部構成
１−２．全体構成
１−３．作用・効果
２．第２の実施の形態
（ダミー開口の底部に画素分離膜を有する例）
３．変形例
３−１．変形例１（駆動基板側にカラーフィルタを設けた例）
３−２．変形例２（ダミー開口をブラックマトリクスによって埋設した例）
４．適用例

＜１．第１の実施の形態＞
（１−１．要部構成）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の断面構成を表したものである。この表示装置１は、カメラの電子ビューファインダ（ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（ＨＭＤ）等の高精細（例えば、画素数２０４８×１２３６）な表示装置あるいは有機ＥＬテレビジョン装置として用いられるものであり、駆動基板１１上には表示領域１１０Ａおよび表示領域１１０Ａの周縁に周辺領域１１０Ｂが設けられている（図７参照）。表示装置１は、例えば、白色光を射出する有機ＥＬ素子１０と後述するカラーフィルタ３２Ａとを用いることによってＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色光が上面（駆動基板１１と反対側の面）側から出射される、上面発光型（いわゆるトップエミッション型）の表示装置である。

本実施の形態では、画素を構成する副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ毎に独立して形成された画素電極１２上および副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの外縁、具体的には、画素電極１２の周縁にそれぞれ開口（開口１３Ａ（第１開口）およびダミー開口１３Ｂ（第２開口））が設けられている。

画素電極１２上に設けられた開口１３Ａは、画素電極１２上に設けられた画素分離膜１３に設けられたものであり、各画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの発光部を規定するものである。開口１３Ａは、各画素電極１２上に複数設けられていることが好ましく、その形状は、例えば、切頭円錐形状を有する。図２は、開口１３Ａの断面形状を表したものである。画素分離膜１３は、高さＨの厚みで形成されており、開口１３Ａ部分では、画素電極１２側における直径Ｒ１は、表示面側の直径Ｒ２よりも小さくなっている。即ち、画素分離膜１３には、開口部ＷＩＮを囲うように、傾斜部分ＰＳが設けられている。傾斜部分ＰＳは直線形状を有し、これにより、開口１３Ａの断面は図２に示したように台形形状を有する。

開口１３Ａ内には、後述する有機ＥＬ素子１０の、発光層を含む有機層１４が設けられている。有機層１４上には、対向電極１５および保護層１６が設けられており、保護層１６と、表示面側に配置された対向基板３１との間は、封止層１７によって封止されている。発光層において射出された光は、開口１３Ａの底部に設けられた有機層１４の平面方向（法線方向（Ｚ軸方向））あるいは、Ｚ軸方向からずれた方向に進む。Ｚ軸方向からずれた方向に進む光のうち、一部は画素分離膜１３の傾斜部分、即ち、開口１３Ａの傾斜部分ＰＳに入射し、そして反射される。ここで、画素分離膜１３および封止層１７は、互いに異なる屈折率を有する材料によって形成されている。この傾斜部分ＰＳでは、互いに異なる屈折率を有する画素分離膜１３および封止層１７が、発光層を含む有機層１４、対向電極１５およびは保護層１６を挟んで隣り合っているため、この屈折率の違いによって光が反射する。この反射した光は、表示面側へ進み、表示装置１の外部に取り出される。このように、Ｚ軸方向からずれた方向に進む光を屈折率の違いによって傾斜部分ＰＳで反射して光の外部への取り出し効率を高める構造を、リフレクタ構造と称する。

傾斜部分ＰＳにおいて光を効率よく反射させるには、以下のように各パラメ−タを設定することが望ましい。即ち、傾斜部分ＰＳの画素電極１２の平面方向に対する傾斜角をθ（単位；度）、画素分離膜１３を構成する材料の屈折率をｎ１、封止層１７を構成する材料の屈折率をｎ２とし、ｎ１およびｎ２がｎ１＜ｎ２である場合、傾斜角θは以下の式（１）を満たすことが好ましく、さらに式（２）を満たすことが望ましい。

（数１）

７５．２−５４（ｎ₂−ｎ₁）≦θ≦８１．０−２０（ｎ₂−ｎ₁）・・・（１）

７６．３−４６（ｎ₂−ｎ₁）≦θ≦７７．０−２０（ｎ₂−ｎ₁）・・・（２）

また、屈折率ｎ１および屈折率ｎ２は、１．１≦ｎ２≦１．８、ｎ２−ｎ１≧０．２０を満たすことが好ましい。これを満たす材料としては、画素分離膜１３には、例えば、アクリル系の樹脂材料が挙げられ、封止層１７には、例えば、エポキシ系の樹脂材料が挙げられる。

開口１３Ａは、詳細は後述するが、例えばフォトリソグラフィ技術によって形成される。具体的には、開口１３Ａに対応するパターンを有するマスクを用いて画素電極１２および平坦化層２７上に塗布されたフォトレジストを露光および現像したのち、焼成することで形成される。この焼成の過程で、フォトレジストは一時的に軟化し、ばらつきが生じる。ばらつきは、開口１３Ａの傾斜角（テーパ角）やフォトレジストの膜厚、あるいは開口１３Ａのレイアウトによって生じるものであり、画素電極１２上に複数設けられた開口１３Ａでは、最外周に形成された開口１３Ａ、換言すると、他の開口１３Ａに面していない部分（例えば、図３に示した点線内）に歪みが生じやすい。このため、各副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの外縁部分の輝度は、各副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの中心部分よりも低くなる傾向があった。

ダミー開口１３Ｂは、画素電極１２上に設けられた開口１３Ａの形状を制御するためのものであり、上記のように、画素電極１２の周縁、より具体的には、画素電極１２が設けられていない領域の少なくとも一部に設けられている。ダミー開口１３Ｂの形成位置は、例えば、図３Ａに示したように、画素電極１２上に複数設けられた開口１３Ａ間の間隔（Ｗ１，Ｗ３）と最外周の開口１３Ａとダミー開口１３Ｂとの間隔（Ｗ２，Ｗ４）がそれぞれ等しくなる位置、に設けることが好ましい。換言すると、ダミー開口１３Ｂは、画素電極１２上に設けられた複数の開口１３Ａと同じピッチで形成することが好ましい。また、ダミー開口１３Ｂの形状は、必ずしも開口１３Ａと同じ形状である必要はなく、開口１３Ａ間の距離と開口１３Ａとダミー開口１３Ｂとの距離が同程度であればよい。具体的には、図４Ｂに示したように、画素電極１２上に設けられた開口１３Ａを囲うように連続したダミー開口１３Ｂを設けるようにしてもよい。

なお、画素電極１２の形状は、必ずしも略矩形状である必要はなく、例えば、図４Ｃに示したような形状であってもよい。

図５および図６は、表示領域１１０Ａに配設された複数の画素電極１２と、ダミー開口１３Ｂのレイアウトを表したものである。各画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの画素電極１２の外縁に設けられたダミー開口１３Ｂは、例えば隣り合う各画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂのダミー開口１３Ｂを兼ねていてもよく、例えば、図５に示したようにストライプ状、あるいは、図６に示したように格子状に形成してもよい。

（１−２．全体構成）
図７は、図１に示した有機ＥＬ表示装置１の全体構成の一例を表したものであり、表示領域１１０Ａ内には、複数の画素５（赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂ）がマトリクス状に配置されている。また、表示領域１１０Ａの周辺（外縁側，外周側）に位置する周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。図８は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、画素電極１２の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。即ち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０とを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、各有機ＥＬ素子１０のいずれか１つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

以下に、図１を用いて表示装置１を構成する各部の説明を行う。

表示装置１は、対向配置された駆動基板１１および対向基板３１の間に表示層２０ＢとＴＦＴ層２０Ａとが設けられている。表示層２０Ｂは、駆動基板１１上（正確には、平坦化層２６上）に設けられた有機ＥＬ素子１０、保護層１６および封止層１７とから構成されている。駆動基板１１と表示層２０Ｂとの間には、ＴＦＴ層２０Ａが設けられており、このＴＦＴ層２０Ａと表示層２０Ｂは、封止層１７を介してカラーフィルタ３２Ａおよびブラックマトリクス３２Ｂ（遮光膜）を備えた対向基板３１によって封止されている。有機ＥＬ素子１０は、例えば、画素電極１２，有機層１４および対向電極１５がこの順に積層された構成を有し、対向電極１５上に保護層１６が設けられている。有機ＥＬ素子１０は、有機層１４内に異なる色の発光層を複数有する、いわゆるタンデム素子である。有機層１４は、画素電極１２側から順に、例えば、正孔供給層、第１発光層、電荷発生層、第２発光層および電子供給層が積層された構成を有する（いずれも図示せず）。

駆動基板１１は、その一主面側に有機ＥＬ素子１０が配列形成される支持体である。駆動基板１１を構成する材料は公知のものでよく、例えば、石英，ガラス，金属箔，または樹脂製のフィルムやシート等が用いられる。この中でも石英やガラスが好ましく、樹脂製の場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類，ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ），ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ)等のポリエステル類，またはポリカーボネート樹脂等が挙げられる。但し、透水性や透ガス性を抑えるため積層構造とするか、あるいは表面処理を行うことが必要となる。

駆動基板１１上には、チャネル層２１が形成されている。チャネル層２１上にはゲート絶縁膜２２が設けられている。ゲート絶縁膜は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等により構成されている。チャネル層２１に対応するゲート絶縁膜２２上には、ゲート電極２３が設けられている。このゲート電極２３は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）等によって構成されている。チャネル層２１およびゲート電極２３は、駆動トランジスタＤＲＴｒ（例えば、図８，Ｔｒ１）等を構成するものである。なお、ここでは、チャネル層２１の上部にゲート電極２３が設けられたいわゆる、トップゲート構造によりトランジスタを構成したが、これに限定されるものではなく、ゲート電極２３の上部にチャネル層２１を形成する、いわゆる、ボトムゲート構造によりトランジスタを構成してもよい。ゲート電極２３およびゲート絶縁膜２２上には、層間絶縁膜２４が設けられている。層間絶縁膜２４は、例えば、ゲート絶縁膜２２と同様の材料により構成されている。チャネル層２１が形成された領域の一部には、層間絶縁膜２４およびゲート絶縁膜２２を貫通するように一対のソース・ドレイン電極２５Ａ，２５Ｂが形成されている。ソース・ドレイン電極２５Ａ，２５Ｂは、例えば、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）の３層により構成することができる。絶縁層２４およびソース・ドレイン電極２５Ａ，２５Ｂ上には平坦化層２６が形成されている。平坦化層２６は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂あるいは、顔料を分散させたこれらの樹脂等によって構成されている。この平坦化層２６には接続孔２６Ａが形成されており、後述する画素電極１２と、駆動トランジスタＤＴｒのソース電極にかかわるソース・ドレイン電極２５Ａ，２５Ｂとが電気的に接続されている。

画素電極１２は、効率よく発光層に正孔を注入するために電極材料の真空準位からの仕事関数が大きいものを用いることが好ましい。具体的には、例えばクロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），酸化スズ（ＳｎＯ₂）とアンチモン（Ｓｂ）との合金，酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金，銀（Ａｇ）合金、あるいはこれらの金属や合金の酸化物等を、単独または混在させた状態で用いることができる。

また、画素電極１２は光反射性に優れた層（下層）と、この上部に設けられた光透過性を有すると共に仕事関数の大きな層（上層）との積層構造としてもよい。下層は、主にＡｌを主成分とする合金を用いることが好ましい。副成分としては、主成分であるＡｌよりも相対的に仕事関数が小さい元素を用いる。このような副成分としては、ランタノイド系列の元素を用いることが好ましい。ランタノイド系列元素の仕事関数は大きくないが、これらの元素を含むことで陽極の安定性が向上し、且つ、陽極の正孔注入性も向上する。また、副成分としてはランタノイド系列の元素の他に、シリコン（Ｓｉ），銅（Ｃｕ）等の元素を用いてもよい。

下層を構成するＡｌ合金層における副成分の含有量は、例えば、Ａｌを安定化させるネオジム（Ｎｄ）やニッケル（Ｎｉ），チタン（Ｔｉ）等であれば合計で約１０ｗｔ％以下であることが好ましい。これにより、Ａｌ合金層における反射率を維持しつつ、有機ＥＬ素子の製造プロセスにおいてＡｌ合金層を安定的に保つことができる。また、加工精度および化学的安定性が得られる。更に、画素電極１２の導電性および駆動基板１１との密着性も改善される。なお、上記Ｎｄ等の金属は仕事関数が小さいため、後述する正孔供給層に一般的に用いられるアミン系の材料では正孔注入障壁が大きくなってしまう。その際には、アミン形の材料に７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）等のアクセプタ材料を混合した層や、ポリエチレンジオキシチオフェンーポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）等のｐドープ層を画素電極１２の界面に形成することで正孔注入障壁が低減され、駆動電圧の上昇を抑えることができる。この他、後述するアザトリフェニレン誘導体を用いることで、駆動電圧の上昇を抑えつつ素子を安定化することが可能となる。

上層は、Ａｌ合金の酸化物，モリブデン（Ｍｏ）の酸化物，ジルコニウム（Ｚｒ）の酸化物，Ｃｒの酸化物，およびタンタル（Ｔａ）の酸化物を用いることができる。例えば、上層が副成分としてランタノイド系列の元素を含むＡｌ合金の酸化物層（自然酸化膜を含む）である場合、ランタノイド系列元素の酸化物は光の透過率が高いため、これを含む上層の光の透過率が良好となる。これにより、下層の表面における反射率が高く維持される。また、上層にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電層を用いることにより画素電極１２の電子注入特性が改善される。なお、ＩＴＯおよびＩＺＯは仕事関数が大きいため駆動基板１１と接する側、即ち、下層に用いることによりキャリアの注入効率を高めると共に、画素電極１２と駆動基板１１との間の密着性を向上することができる。

なお、この有機ＥＬ素子１０を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合には、画素電極１２は画素毎にパターニングされ、駆動基板１１に設けられた駆動トランジスタＤＲＴｒに接続された状態で設けられている。この場合には、画素電極１２の上には画素分離膜１３が設けられ、画素分離膜１３の開口１３Ａから各画素の画素電極１２の表面が露出されるように構成される。

画素分離膜１３は、画素電極１２と対向電極１５との絶縁性を確保すると共に、発光領域を所望の形状を規定するものである。更に、製造工程においてインクジェット方式またはノズルコート方式等による塗布を行う際の隔壁としての機能も有している。画素分離膜１３は、例えば、後述する封止層１７よりも屈折率が小さいことが好ましく、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂、あるいは、顔料を分散させたこれらの樹脂材料等を適宜選択すればよい。画素分離膜１３の厚みは、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、この時、開口部１３Ａ（ＷＩＮ）の開口幅は画素分離膜の厚みと同等にすることが好ましい。このような形状にすることにより、光取出し効率は、１３Ａの傾斜角、及び、屈折率ｎ１、及びｎ２との関係から向上する。

正孔供給層は、発光層への正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔供給層の厚みは、有機ＥＬ素子１０の全体構成、特に、後述する電子供給層との関係によるが、例えば、５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。

正孔供給層の構成材料は、電極（画素電極１２および対向電極１５）や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、それぞれ以下に挙げる材料を用いることができる。例えば、ベンジン，スチリルアミン，トリフェニルアミン，ポルフィリン，トリフェニレン，アザトリフェニレン，テトラシアノキノジメタン，トリアゾール，イミダゾール，オキサジアゾール，ポリアリールアルカン，フェニレンジアミン，アリールアミン，オキザゾール，アントラセン，フルオレノン，ヒドラゾン，スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物，ビニルカルバゾール系化合物，チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー，オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。

更に、具体的な材料としては、α−ナフチルフェニルフェニレンジアミン，ポルフィリン，金属テトラフェニルポルフィリン，金属ナフタロシアニン，ヘキサシアノアザトリフェニレン，７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ），Ｆ４−ＴＣＮＱ，テトラシアノ４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン，Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（ｐ−トリル）ｐ−フェニレンジアミン，Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラフェニル−４，４'−ジアミノビフェニル，Ｎ−フェニルカルバゾール，４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン，ポリ（パラフェニレンビニレン），ポリ（チオフェンビニレン），ポリ（２、２'−チエニルピロール）等が挙げられる。

発光層は、画素電極１２と対向電極１５とに対する電界印加時に画素電極１２側から注入された正孔と、対向電極１５側から注入された電子とが再結合する領域である。発光層を構成する材料としては、電荷の注入機能（電界印加時に画素電極１２あるいは正孔供給層から正孔を注入することができる一方、対向電極１５あるいは電子供給層から電子を注入することができる機能）、輸送機能（注入された正孔および電子を電界の力で移動させる機能）、発光機能（電子と正孔の再結合の場を提供し、これらを発光につなげる機能）を有することが好ましい。

本実施の形態の有機ＥＬ素子１０は、上記のように、電荷発生層を介して第１発光層および第２発光層が積層されて白色光を発する有機ＥＬ素子である。第１発光層および第２発光層は、互いに異なる色光を発するものであり、例えば、青色光を発する青色発光層および黄色光を発する黄色発光層が設けられている。また、黄色発光層は、赤色光を発する赤色発光層および緑色光を発する緑色発光層の２層によって置き換えてもよい。

電荷発生層は、第１発光層および第２発光層を接続するためのものである。電荷発生層は、例えば、電子ドナー性を有する材料を用いた層と、電子アクセプタ性を有する材料を用いた層とを積層した構成を有する。電子ドナー性を有する材料としては、例えば、Ｎ型ドーパントをドープした電子輸送性材料を用いることができる。Ｎ型ドープ材料としては、例えば、アルカリ金属，アルカリ土類金属，またはこれらの酸化物，複合酸化物，フッ化物および有機錯体等が挙げられる。電子アクセプタ性を有する材料としては、例えば、Ｐ型ドーパントをドープした正孔輸送性材料が用いられる。正孔輸送性材料は、例えば、正孔供給層で挙げた材料を用いることができる。Ｐ型ドープ材料としては、例えば７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）およびヘキサアザシアノトリフェニレン（ＨＡＴ−６ＣＮ）等が挙げられる。電荷発生層の厚みは、有機ＥＬ素子１０の全体構成にもよるが、例えば１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。

なお、ここでは発光層を電荷発生層を間に２層積層した場合を示したがこれに限らず、３層またはそれ以上積層しても構わない。積層数を多くすることによって発光効率を更に向上することが可能となる。本変形例のように発光層を２層積層した場合の理論上の発光効率はｌｍ／Ｗは変ることなく、電流効率ｃｄ／Ａは２倍に、また３層積層した場合には、３倍となる。

電子供給層は、対向電極１５から注入される電子を、それぞれ発光層に輸送するためのものである。電子供給層は、例えば、電子輸送性を有する材料からなる層（電子輸送層、図示せず）と、電子注入性を有する材料からなる層（電子注入層、図示せず）とが積層された構成を有する。電子供給層の厚みは、有機ＥＬ素子１０の全体構成にもよるが、例えば、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。電子輸送層および電子注入層の積層構造とする場合には、電子輸送層の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは、２０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下である。また、電子注入層の厚みは、例えば、５ｎｍ以上とすることが好ましい。これにより、凹凸の著しい画素においても十分な電子注入を行うことができる。

電子輸送層を構成する材料としては、優れた電子輸送能および対向電極１５との高いコンタクト特性を有する有機材料を用いることが好ましく、例えばイミダゾール誘導体およびフェナントロリン環を少なくとも１つ有するフェナントロリン誘導体を用いることが好ましい。これにより、発光層への電子の供給が安定する。

電子注入層を構成する材料としては、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、ナトリウム、セシウム等のアルカリ金属を用いることができる。また、これらの金属の酸化物及び複合酸化物、フッ化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物及び複合酸化物、フッ化の混合物や合金として安定性を高めて使用してもよい。

対向電極１５は、仕事関数が小さく、且つ、光透過性を有する材料であればよい。具体的には、ＬｉＯ₂，Ｃｓ₂Ｏ₃，Ｃｓ₂ＳＯ₄，ＭｇＦ，ＬｉＦあるいはＣａＦ₂等のアルカリ金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、アルイカリ土類金属酸化物、アルカリ土類フッ化物が挙げられる。この他、アルミニウム（Ａｌ）またはカルシウム（Ｃａ）またはマグネシウム（Ｍｇ）を含む合金（例えばＭｇＡｇ）のような光透過性反射材料を用いてもよい。対向電極１５は、上記材料を含む単層でもよいし、上記材料をからなる層を複数積層した構成としてもよい。積層構造とする場合には、上層に、例えば、ＩＺＯや透明なＳｉＮｘ膜を形成することで、導電性を向上することや電極の劣化を抑制することができる。

なお、対向電極１５は、各画素５を構成する副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂごとに独立して形成してもよいが、表示領域１１０内にベタ膜状に形成され、複数の画素５に対する共通電極として用いてもよい。また、この有機ＥＬ素子１０が、キャビティ構造となっている場合には、対向電極１５には半透過半反射材料を用いることが好ましい。これにより、画素電極１２側の光反射面と、対向電極１５側の光反射面との間で多重干渉させた発光光が対向電極１５側から取り出される。この場合、画素電極１２側の光反射面と対向電極１５側の光反射面との間の光学的距離は、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離を満たすように各層の厚みが設定されていることとする。このような上面発光型の有機ＥＬ素子においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能となる。

保護層１６は、例えば厚みが１μｍ以上３μｍ以下であり、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）,アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）,アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ_1-xＮ_x）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。この他、窒化ケイ素（代表的には、Ｓｉ₃Ｎ₄）膜，酸化ケイ素（代表的には、ＳｉＯ₂）膜、窒化酸化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ：組成比Ｘ＞Ｙ）膜、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ：組成比Ｘ＞Ｙ）膜、またはＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）のような炭素を主成分とする薄膜、ＣＮ（Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏｔｕｂｅ）膜等が用いられる。

封止層１７は、保護層１６の上にほぼ一様に形成されており、接着層として機能するものである。封止層１７の材料は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂、ないし、顔料を分散させたこれらの樹脂材料等が挙げられる。封止層１７は、画素分離膜１３の屈折率（ｎ１）よりも大きいことが好ましく、上記のように、封止層１７の屈折率をｎ２とした場合、１．１≦ｎ２≦１．８、ｎ２−ｎ１≧０．２０を満たす材料を用いることが好ましい。

対向基板３１は、有機ＥＬ素子１０の対向電極１５の側に位置しており、封止層１７と共に有機ＥＬ素子１０を封止するものである。対向基板３１は、有機ＥＬ素子１０で発生した光に対して透明なガラス等の材料により構成されている。対向基板３１には、例えば、ブラックマトリクス３２Ｂとしての遮光膜およびカラーフィルタ３２Ａが設けられており、有機ＥＬ素子１０で発生した光を取り出すと共に、各有機ＥＬ素子１０間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。

カラーフィルタ３２Ａは、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタを有しており、順に配置されている。赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。なお、副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに設けられた各有機ＥＬ素子１０上には、対応する色のカラーフィルタが配設されている。

ブラックマトリクス３２Ｂは、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂Ｏ₃）とを交互に積層したものが挙げられる。

ここで、有機ＥＬ素子１０を構成する画素電極１２と対向電極１５との間に設けられた有機層１４は、真空蒸着法、イオンビーム法（ＥＢ法）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、スパッタ法、ＯＶＰＤ（Ｏrganic Ｖapor Ｐhase Ｄeposition）法等のドライプロセスによって形成できる。

また、有機層１４は、上記の方法に加えてレーザー転写法，スピンコート法，ディッピング法，ドクターブレード法，吐出コート法，スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法，オフセット印刷法，凸版印刷法，凹版印刷法，スクリーン印刷法，マイクログラビアコート法等の印刷法等のウエットプロセスによる形成も可能であり、各有機層や各部材の性質に応じて、ドライプロセスとウエットプロセスを併用しても構わない。

この表示装置１は、例えば、次のようにして製造することができる。

まず、駆動基板１１上にＴＦＴ部２０Ｂを、従来技術を用いて形成したのち、表示部２０Ａを形成する。まず、ＴＦＴ部２０Ｂの平坦化層２６上に、例えば、真空蒸着法とエッチング法を用いて、例えば、ＡｌＮｄ／Ａｇの積層構造を有する画素電極１２を形成する。なお、画素電極１２は、コンタクトプラグ（図示せず）を介して、ＴＦＴのソース／ドレイン領域に電気的に接続されている。ソース・ドレイン電極２５Ａ・２５Ｂは、信号供給回路（図示せず）に接続されている。

続いて、開口１３Ａおよびダミー開口１３Ｂを有する画素分離膜１３を、例えば、をフォトリソグラフィを用いて形成する。なお、画素分離膜１３の形成方法は、例えば、全面に、ＳｉＯ₂，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，Ａｌ₂Ｏ₃等の無機材料を用い、フォトリソグラフィおよびエッチングを用いて形成することもできる。次に、開口１３Ａの底部に露出した画素電極１３の上を含む画素分離膜１３上に有機層１４を、例えば、蒸着法を用いて形成したのち、表示領域１１０Ａの全面に対向電極１５を形成する。対向電極１５は、表示領域１１０Ａに設けられたすべての有機ＥＬ素子１０を構成する有機層１４の全面を覆っている。この対向電極１５は、画素分離膜１３および有機層１４によって画素電極１２と電気的には絶縁されている。対向電極１５は、有機層１４に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法やスパッタ法を用いて形成される。また、有機層１４を大気に暴露することなく、有機層１４の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して対向電極１５を形成することで、大気中の水分や酸素による有機層１４の劣化を防止することができる。

続いて、対向基板１５の全面に、保護層１６を形成したのち、さらに、封止層１７を形成することで、画素分離膜１３と封止層１７からなる光反射層（リフレクタ構造）が得られる。次いで、カラーフィルタ３２Ａおよびブラックマトリクス３２Ｂが形成された対向基板３１を、封止層１７を介して貼り合わせる。これにより、表示装置１が完成する。

表示装置１では、各副画素５Ｒ，５Ｂ，５Ｂに対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。即ち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、有機ＥＬ素子１０に駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、下面発光（ボトムエミッション）の場合には画素電極１２および駆動基板１１を透過して、上面発光（トップエミッション）の場合には対向電極１５，カラーフィルタ３２Ａおよび対向基板３１を透過して取り出される。

（１−３．作用・効果）
有機ＥＬ表示装置は、前述したように一般に高画質が望まれており、例えば、光取り出し効率を向上させるために、リフレクタを備えた有機ＥＬ表示装置が開発されている。このリフレクタは、第１基板上に、発光素子からの光を表示面側に反射する第１部材と、第１基板に対向配置された第２基板と光反射構造との間を充填すると共に、第１部材の屈折率とは異なる屈折率を有する第２部材とから構成されており、第１部材の表面において第２部材を伝播した光反射させることによって光取り出し効率を向上させることができる。

リフレクタによる光取り出し効率を効率よく向上させるためには、第１部材によって形成されるリフレクタの形状を制御することが重要である。しかしながら、フォトレジストからなる第１部材は、その製造工程において変形し、複数のリフレクタ間でばらつきが生じるという問題があった。具体的には、第１部材を、フォトリソグラフィ技術によって加工した場合、例えば、図９（Ａ）に示したように、基板１１１上にパターン開口を有するマスクを用いた露光および現像によって所望の形状を有する第１部材がパターニングされる。しかしながら、現像後の焼成工程によって第１部材は、図９（Ｂ）に示したように変形してしまう。これは、焼成工程において第１部材であるフォトレジストは軟化し、表面張力の影響を受けて変形し、そのまま硬化するためである。表面張力による変形は、面積が広いほど大きい。即ち、基板１１１上に複数のリフレクタを形成した場合、最外周のリフレクタの形状が最も変形することとなる。

これに対して本実施の形態では、複数の開口１３Ａが設けられた画素電極１２の外縁にダミー開口１３Ｂを設けるようにした。これにより、開口１３Ａのレイアウトのばらつきによって生じる開口１３Ａの形状のばらつきを低減することが可能となる。

以上のように、本実施の形態の表示装置１では、リフレクタ構造として複数の開口１３Ａが設けられた画素電極１２の外縁にダミー開口１３Ｂを設けるようにした。これにより、画素電極１２上に設けられた複数の開口１３Ａのレイアウト（換言すると、各開口１３Ａの周辺パターン）のばらつきが低減され、開口１３Ａの形状のばらつきの発生を抑制することが可能となる。よって、光取り出し効率を向上させることが可能となると共に、開口１３Ａのばらつきによる輝度のばらつきも低減することが可能となる。

なお、上記第１の実施の形態では、図４Ａ〜図４Ｃに示したように、各副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの外縁にダミー開口１３Ｂを設けるようにしたが、例えば、図１０に示したように、複数の画素が配設されてなる表示領域１１０Ａの外縁（例えば、周辺領域１１０Ｂ）にのみ形成するようにしてもよい。図１０に示したように、各画素が高精細に配置された場合には、例えば、赤色画素５Ｒの画素電極１２上に設けられた開口１３ＡＲと、隣に設けられた、例えば、緑色画素５Ｇの画素電極１２上に設けられた開口１３ＡＧとの間隔が、自画素上に設けられた開口１３ＡＲと同程度となる。この場合には、画素電極１２上に複数設けられた開口１３ＡＲのばらつき、具体的には最外縁の開口１３ＡＲの歪みの発生が低減される。このような場合には、図１０に示したように、複数の画素が配設されてなる表示領域１１０Ａの周縁にのみ形成することで、表示領域１１０Ａの外縁部分における輝度の低下が改善され、表示領域１１０Ａ全体に均一な輝度が得られるようになる。なお、ここでは、ダミー開口１３Ｂを周辺領域１１０Ｂに設けた例をあげたが、ダミー開口１３Ｂは必ずしも周辺領域１１０Ｂに形成しなくてもよい。具体的には、各副画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ上に形成された開口１３Ａによって形成される発光領域の外縁、即ち、非発光領域に形成すればよく、その場合には、ダミー開口１３Ｂの一部あるいは全部が表示領域１１０Ａ内に設けられていてもかまわない。

以下に、本開示の第２の実施の形態および変形例（変形例１，２）について説明する。上記実施の形態と同一の構成要素については同一符号を付してその説明は省略する。

＜２．第２の実施の形態＞
図１１は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置２の断面構成を表したものである。この表示装置１は、電子ビューファインダ（ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（ＨＭＤ）等の高精細（例えば、画素数２０４８×１２３６）な表示装置あるいは有機ＥＬテレビジョン装置として用いられるものであ。図１２は、画素電極１２、開口１３Ａおよびダミー開口３３Ｂの位置関係を表す平面図である。本実施の形態における表示装置２は、ダミー開口３３Ｂの少なくとも一部が画素電極１２上に設けられると共に、その底部に画素分離膜３３を有する点が、上記第１の実施の形態とは異なる。

ダミー開口３３Ｂは、例えば、図１１および図１２に示したように、少なくとも一部が画素電極１２にまたがるように設けられている。ダミー開口３３Ｂは、その底部に画素分離膜３３を有し、これによって、画素電極１２との重複部分における発光を防いでいる。ダミー開口３３Ｂの底部の画素分離膜３３の厚み（ｈ）は、ダミー開口３３Ｂにおける発光を妨げることができればよく、また、ダミー開口３３Ｂは、開口１３Ａとの距離が開口１３Ａ間における距離と同程度であることが好ましく、また、ダミー開口３３Ｂのある断面形状が開口１３Ａと近似していることが好ましい。このため、ダミー開口３３Ｂの深さ（Ｄ）は、できるだけ大きいことが好ましい。

ダミー開口３３Ｂは、例えば、画素分離膜３３のパターニングの際に、ハーフトーンマスクを用いて、開口１３Ａと共に一括露光する方法がある。この他、複数のマスクを用いて、開口１３Ａおよびダミー開口３３Ｂにおける露光量をそれぞれ調整することによっても形成できる。

このように、本実施の形態の表示装置２では、画素電極１２をまたぐダミー開口３３Ｂを、例えばハーフ露光を用いて、底部に画素分離膜３３が残存する構造とした。これにより、隣り合う画素間に十分な間隔のない表示装置においても、リフレクタ構造である開口１３Ａの形状のばらつきを低減することが可能となる。よって、リフレクタ構造による光の取り出し効率を向上させる可能となると共に、輝度のばらつきが低減された表示装置２を提供することが可能となる。

＜３．変形例＞
（３−１．変形例１）
図１３は、本開示の第１の実施の形態の変形例１に係る表示装置１Ａの断面構成を表したものである。図１４は、本開示の第２の実施の形態の変形例１に係る表示装置２Ａの断面構成を表したものである。表示装置１Ａおよび表示装置２Ａは、上記第１の実施の形態および第２の実施の形態と同様に、リフレクタ構造である開口１３Ａを有する画素電極１２の外縁に、ダミー開口１３Ｂ（，３３Ｂ）を有しているが、本変形例では、カラーフィルタ３２Ａおよびブラックマトリクス３２Ｂが駆動基板１１側、具体的には、封止層１７上に設けられている点が、第１の実施の形態および第２の実施の形態とは異なる。対向基板３１は、例えば、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等を用いた接着層１８を介してカラーフィルタ３２Ａおよびブラックマトリクス３２Ｂ上に貼り合わされている。

このような表示装置１Ａおよび表示装置２Ａでは、上記第１の実施の形態および第２の実施の形態における効果に加えて、有機ＥＬ素子１０の発光層とカラーフィルタ３２Ａおよびブラックマトリクス３２Ｂと間の距離を短くすることができるため、視野角特性が向上すると共に、隣接画素からの光の侵入によって混色の発生を抑制することが可能となるという効果を奏する。また、駆動基板１１と対向基板３１とを貼り合わせる際に、色画素（副画素；赤色画素５Ｒ，緑色画素５Ｇ，青色画素５Ｂ）に対応するカラーフィルタ３３ＡＲ，３３ＡＧ，３３ＡＢの位置合わせが不要となる。更に、カラーフィルタを対向基板３１上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成する必要がないため、対向基板３１に求められる耐熱性（熱変形）や耐薬品性（耐溶剤性、耐アルカリ性）が緩和される。よって、対向基板３１の材料選択の自由度が向上し、コストを低減することが可能となる。

（３−２．変形例２）
図１５は、本開示の第１の実施の形態の変形例２に係る表示装置１Ｂの断面構成を表したものである。図１６は、本開示の第２の実施の形態の変形２に係る表示装置２Ｂの断面構成を表したものである。表示装置１Ｂおよび表示装置２Ｂは、上記第１の実施の形態および第２の実施の形態と同様に、リフレクタ構造である開口１３Ａを有する画素電極１２の外縁に、ダミー開口１３Ｂ（，３３Ｂ）を有しているが、本変形例では、カラーフィルタ３２Ａおよびブラックマトリクス３２Ｂが駆動基板１１側に設けられると共に、ダミー開口１３ＢＧ，３３Ｂにブラックマトリクス３２Ｂが埋設されている点が、第１の実施の形態および第２の実施の形態とは異なる。

このような表示装置１Ｂおよび表示装置２Ｂでは、上記第１の実施の形態および第２の実施の形態における効果に加えて、ダミー開口１３ＢＧ，３３Ｂにブラックマトリクス３２Ｂが埋設することにより、隣接画素からの光の侵入が遮蔽され混色の発生を防止することが可能となるという効果を奏する。また、カラーフィルタ３２Ａおよびブラックマトリクス３２Ｂが駆動基板１１側に設けているため、上記変形例１と同様の効果も得られる。

＜４．適用例＞
（モジュールおよび適用例）
上記実施の形態および変形例において説明した表示装置１，２，１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂは、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。特に、モバイル向けの中小型ディスプレイに好適である。以下にその一例を示す。

（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置１，２，１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂは、例えば、図１６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜３等の種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動基板１１の一辺に、保護層３０および封止用基板４０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図１８Ａおよび図１８Ｂは、適用例１に係るスマートフォン３２０の外観を表したものである。このスマートフォン３２０は、例えば、表側に表示部３２１および操作部３２２を有し、裏側にカメラ３２３を有しており、表示部３２１に上記実施の形態等の表示装置１，２，１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂが搭載されている。

（適用例２）
図１９Ａおよび図１９Ｂは、タブレットの外観構成を表している。このタブレットは、例えば、表示部４１０（表示装置１）および非表示部（筐体）４２０と、操作部４３０とを備えている。操作部４３０は、図１９Ａに示したように非表示部４２０の前面に設けられていてもよいし、図１９Ｂに示したように上面に設けられていてもよい。表示装置１，２，１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂは、図１９Ａおよび図１９Ｂに示したタブレットと同様の構成を有するＰＤＡ等に搭載されてもよい。

（適用例３）
図２０は、適用例３に係るヘッドマウントディスプレイ５００の外観を表している。このヘッドマウントディスプレイ５００は、表示部５１０（表示装置１，２，１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂ）と、装着部５２０とを備えている。

（適用例４）
図２１Ａ、２１Ｂは、適用例４に係るデジタルスチルカメラの外観構成を表しており、それぞれ前面および後面を示している。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部６１０と、ビューファインダ６２０（表示装置１，２，１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂ）と、メニュースイッチ６３０と、シャッターボタン６４０と、表示部６５０とを備えている。

以上、第１，第２の実施の形態、変形例１，２および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。

例えば、上記第１の実施の形態では、開口１３Ａを円形状で示したが、これに限らず、例えば矩形状でもかまわない。また、画素電極１２上における複数の開口１３Ａのレイアウトも特に限定されるものではなく、例えば、いわゆる最密充填配置にしてもよい。

また、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

更に、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子１０の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。

また、上記実施の形態等では、アクティブマトリックス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリックス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリックス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。

なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。

また、本技術は以下のような構成をとることも可能である。
（１）規則的に配置された複数の画素と、前記複数の画素に設けられた複数の第１開口と、前記規則的に配置された複数の画素の周縁の少なくとも一部に１または２以上設けられた第２開口とを備えた表示装置。
（２）前記画素は複数の副画素を有し、前記第１開口は、前記副画素ごとに複数設けられ、前記第２開口は、前記副画素の外縁の少なくとも一部に１または２以上設けられている、前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記副画素は略矩形形状を有し、前記第２開口は、前記副画素の各辺に少なくとも１以上設けられている、前記（２）に記載の表示装置。
（４）前記第２開口は、前記副画素に設けられた複数の前記第１開口と同じピッチで設けられている、前記（２）または（３）に記載の表示装置。
（５）前記副画素の各辺に設けられた第２開口は互いに連続している、前記（３）に記載の表示装置。
（６）前記第２開口は、前記副画素間にストライプ状に設けられている、前記（２）乃至（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（７）前記第２開口は、前記副画素を間に格子状に設けられている、前記（２）乃至（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（８）前記副画素は、基板上に第１電極、発光層を含む有機層および第２電極がこの順に積層された発光素子を有し、前記第１開口は、前記第１電極上に設けられ、前記第２開口は、前記第１電極の外縁に設けられている、前記（２）乃至（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）前記複数の画素が配設された表示領域と、前記表示領域の周縁に設けられた周辺領域とを有し、前記第２開口は、前記周辺領域に設けられている、前記（１）乃至（８）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記第１開口は、前記複数の画素が設けられた発光領域に形成され、前記第２開口は、非発光領域に形成されている、前記（１）乃至（８）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）表示装置を備え、前記表示装置は、規則的に配置された複数の画素と、前記複数の画素に設けられた複数の第１開口と、前記規則的に配置された複数の画素の周縁の少なくとも一部に１または２以上設けられた第２開口とを有する電子機器。

１，２，１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂ…表示装置、１０…有機ＥＬ素子、１１…駆動基板、１２…画素電極、１３…画素分離膜、１４…有機層、１５…対向電極、１６…保護層、１７…封止層、３１…対向基板、３２Ａ…カラーフィルタ、３２Ｂ…ブラックマトリクス。

Claims (11)

1. 規則的に配置された複数の画素と、
   前記複数の画素に設けられた複数の第１開口と、
   前記規則的に配置された複数の画素の周縁の少なくとも一部に１または２以上設けられた第２開口と
   を備えた表示装置。
2. 前記画素は複数の副画素を有し、
   前記第１開口は、前記副画素ごとに複数設けられ、前記第２開口は、前記副画素の外縁の少なくとも一部に１または２以上設けられている、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記副画素は略矩形形状を有し、前記第２開口は、前記副画素の各辺に少なくとも１以上設けられている、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第２開口は、前記副画素に設けられた複数の前記第１開口と同じピッチで設けられている、請求項２に記載の表示装置。
5. 前記副画素の各辺に設けられた第２開口は互いに連続している、請求項３に記載の表示装置。
6. 前記第２開口は、前記副画素間にストライプ状に設けられている、請求項２に記載の表示装置。
7. 前記第２開口は、前記副画素を間に格子状に設けられている、請求項２に記載の表示装置。
8. 前記副画素は、基板上に第１電極、発光層を含む有機層および第２電極がこの順に積層された発光素子を有し、
   前記第１開口は、前記第１電極上に設けられ、前記第２開口は、前記第１電極の外縁に設けられている、請求項２に記載の表示装置。
9. 前記複数の画素が配設された表示領域と、前記表示領域の周縁に設けられた周辺領域とを有し、
   前記第２開口は、前記周辺領域に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
10. 前記第１開口は、前記複数の画素が設けられた発光領域に形成され、前記第２開口は、非発光領域に形成されている、請求項１に記載の表示装置。
11. 表示装置を備え、
    前記表示装置は、
    規則的に配置された複数の画素と、
    前記複数の画素に設けられた複数の第１開口と、
    前記規則的に配置された複数の画素の周縁の少なくとも一部に１または２以上設けられた第２開口と
    を有する電子機器。
    

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