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CN105206620B - 一种薄膜封装结构及其制备方法、显示装置 - Google Patents

一种薄膜封装结构及其制备方法、显示装置 Download PDF

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CN105206620B CN201510536844.2A CN201510536844A CN105206620B CN 105206620 B CN105206620 B CN 105206620B CN 201510536844 A CN201510536844 A CN 201510536844A CN 105206620 B CN105206620 B CN 105206620B
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Abstract

本发明公开了一种薄膜封装结构及其制备方法、显示装置，所述薄膜封装结构用于封装发光器件，包括衬底基板、第一平坦化层和第一密封层，所述衬底基板包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述发光器件设置在所述显示区域，所述第一平坦化层设置在所述边缘区域，所述第一密封层设置在所述第一平坦化层和所述发光器件上。本发明提供的技术方案将发光器件设置在显示区域，第一平坦化层设置在边缘区域，第一密封层设置在第一平坦化层和发光器件上，以消除第一密封层在边缘区域的直角拐弯，从而降低第一密封层在边缘区域的应力，避免显示装置弯曲时由于应力过大造成裂纹，最终延长显示装置的使用寿命。

Description

一种薄膜封装结构及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜封装结构及其制备方法、显示装置。
背景技术
现有的可弯曲显示设备在可弯曲的基板上形成发光器件，然后形成用于保护所述发光器件免受外部水分和氧气损害的薄膜封装层。由于所述可弯曲显示设备的边缘存在大量的直角拐弯区域，因此当所述可弯曲显示设备弯曲时，所述薄膜封装层在应力作用下极易出现裂纹，造成所述薄膜封装层的阻水氧性能下降，从而影响可弯曲显示设备的寿命。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种薄膜封装结构及其制备方法、显示装置，用于解决现有技术中可弯曲显示设备的薄膜封装层在应力作用下出现裂纹，造成薄膜封装层的阻水氧性能下降，从而影响可弯曲显示设备的寿命的问题。
为此，本发明提供一种薄膜封装结构，所述薄膜封装结构用于封装发光器件，包括衬底基板、第一平坦化层和第一密封层，所述衬底基板包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述发光器件设置在所述显示区域，所述第一平坦化层设置在所述边缘区域，所述第一密封层设置在所述第一平坦化层和所述发光器件上。
可选的，还包括第二平坦化层和第二密封层，所述第二平坦化层设置在所述第一密封层上，所述第二密封层设置在所述第二平坦化层上。
可选的，所述第一平坦化层包括至少一个环状结构，所述环状结构围绕所述显示区域。
可选的，所述第一平坦化层的厚度范围包括1um至10um。
可选的，还包括第一阻挡墙，所述第一阻挡墙设置在边缘区域上靠近显示区域的一侧，所述第一阻挡墙围绕所述显示区域；或者
还包括第二阻挡墙，所述第二阻挡墙设置在边缘区域上远离显示区域的一侧，所述第二阻挡墙围绕所述显示区域；或者
还包括第一阻挡墙和第二阻挡墙，所述第一阻挡墙设置在边缘区域上靠近显示区域的一侧，所述第二阻挡墙设置在边缘区域上远离显示区域的一侧，所述第一阻挡墙和所述第二阻挡墙围绕所述显示区域。
可选的，所述第一阻挡墙和所述第二阻挡墙的形状包括直线、折线或者波浪线。
本发明还提供一种显示装置，包括薄膜晶体管、发光器件以及上述任一薄膜封装结构，所述薄膜晶体管设置在所述基板上，所述发光器件设置在所述薄膜晶体管上。
本发明还提供一种薄膜封装结构的制备方法，所述薄膜封装结构用于封装发光器件，包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述发光器件设置在所述显示区域，所述制备方法包括：
步骤S1、在所述边缘区域形成第一平坦化层；
步骤S2、在所述第一平坦化层和所述发光器件上形成第一密封层。
可选的，还包括：
在所述第一密封层上形成第二平坦化层；
在所述第二平坦化层上形成第二密封层。
可选的，所述步骤S1之前包括：
在边缘区域上靠近显示区域的一侧形成第一阻挡墙，所述第一阻挡墙围绕所述显示区域；或者
所述步骤S1之前包括：
在边缘区域上远离显示区域的一侧形成第二阻挡墙，所述第二阻挡墙围绕所述显示区域；或者
所述步骤S1之前包括：
在边缘区域上靠近显示区域的一侧形成第一阻挡墙，在边缘区域上远离显示区域的一侧形成第二阻挡墙，所述第一阻挡墙和所述第二阻挡墙围绕所述显示区域。
本发明具有下述有益效果：
本发明提供的薄膜封装结构及其制备方法、显示装置中，所述薄膜封装结构用于封装发光器件，包括衬底基板、第一平坦化层和第一密封层，所述衬底基板包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述发光器件设置在所述显示区域，所述第一平坦化层设置在所述边缘区域，所述第一密封层设置在所述第一平坦化层和所述发光器件上。本发明提供的技术方案将发光器件设置在显示区域，第一平坦化层设置在边缘区域，第一密封层设置在第一平坦化层和发光器件上，以消除第一密封层在边缘区域的直角拐弯，从而降低第一密封层在边缘区域的应力，避免显示装置弯曲时由于应力过大造成裂纹，最终延长显示装置的使用寿命。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种薄膜封装结构的结构示意图；
图2为图1所示薄膜封装结构的俯视图；
图3为本发明实施例二提供的一种薄膜封装结构的结构示意图；
图4为图3所示薄膜封装结构的俯视图；
图5为本发明实施例四提供的一种薄膜封装结构的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的薄膜封装结构及其制备方法、显示装置进行详细描述。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的一种薄膜封装结构的结构示意图。如图1所示，本实施例提供一种薄膜封装结构，所述薄膜封装结构用于封装发光器件，包括衬底基板101、第一平坦化层102和第一密封层103，所述衬底基板101包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述显示区域和所述边缘区域之间设置有像素限定层104。所述发光器件设置在所述显示区域，所述第一平坦化层102设置在所述边缘区域，所述第一密封层103设置在所述第一平坦化层102和所述发光器件上。所述边缘区域由于存在大量的直角拐弯结构，导致所述边缘区域不平坦，本实施例将发光器件设置在显示区域，第一平坦化层102设置在边缘区域，第一密封层103设置在第一平坦化层102和发光器件上，以消除第一密封层103在边缘区域的直角拐弯，从而降低第一密封层103在边缘区域的应力，避免显示装置弯曲时由于应力过大造成裂纹，最终延长显示装置的使用寿命。
本实施例中，所述薄膜封装结构还包括第二平坦化层105和第二密封层106，所述第二平坦化层105设置在所述第一密封层103上，所述第二密封层106设置在所述第二平坦化层105上。双层平坦化层和双层密封层使得所述薄膜封装结构具有更好的密封效果。
优选的，所述第一平坦化层102的厚度范围包括1um至10um，所述第一平坦化层102的构成材料包括高分子单体材料、聚酰亚胺材料或者聚甲基丙烯酸酯材料。
参见图1，所述衬底基板101上设置有薄膜晶体管阵列层107，所述薄膜晶体管阵列层107上设置有阴极导线108、像素限定层104和有机发光二极管的阳极109，所述像素限定层104包括两部分，其中一部分位于所述阴极导线108的外侧，另一部分位于所述阴极导线108与所述阳极109之间。所述阳极109上设置有有机发光二极管的有机发光层201，所述阴极导线108、所述像素限定层104和所述有机发光层201上设置有有机发光二极管的阴极202，所述阴极202通过所述阴极导线108与所述薄膜晶体管的漏极连接。
图2为图1所示薄膜封装结构的俯视图。如图2所示，所述第一平坦化层102包括至少一个环状结构，所述环状结构围绕所述显示区域。本实施例中，所述第一平坦化层102包括两个环状结构：第一环状结构203和第二环状结构204。具体来说，所述第一环状结构203围绕所述显示区域205，所述像素限定层104围绕所述第一环状结构203，所述第二环状结构204围绕所述像素限定层104，所述薄膜晶体管阵列层107的外延部分围绕所述第二环状结构204。
本实施例提供的薄膜封装结构包括衬底基板、第一平坦化层和第一密封层，所述衬底基板包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述发光器件设置在所述显示区域，所述第一平坦化层设置在所述边缘区域，所述第一密封层设置在所述第一平坦化层和所述发光器件上。本实施例提供的技术方案将发光器件设置在显示区域，第一平坦化层设置在边缘区域，第一密封层设置在第一平坦化层和发光器件上，以消除第一密封层在边缘区域的直角拐弯，从而降低第一密封层在边缘区域的应力，避免显示装置弯曲时由于应力过大造成裂纹，最终延长显示装置的使用寿命。
实施例二
图3为本发明实施例二提供的一种薄膜封装结构的结构示意图。如图3所示，本实施例提供一种薄膜封装结构，所述薄膜封装结构用于封装发光器件，包括衬底基板101、第一平坦化层102和第一密封层103，所述衬底基板101包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述显示区域和所述边缘区域之间设置有像素限定层104。所述发光器件设置在所述显示区域，所述第一平坦化层102设置在所述边缘区域，所述第一密封层103设置在所述第一平坦化层102和所述发光器件上。所述边缘区域由于存在大量的直角拐弯结构，导致所述边缘区域不平坦，本实施例将发光器件设置在显示区域，第一平坦化层102设置在边缘区域，第一密封层103设置在第一平坦化层102和发光器件上，以消除第一密封层103在边缘区域的直角拐弯，从而降低第一密封层103在边缘区域的应力，避免显示装置弯曲时由于应力过大造成裂纹，最终延长显示装置的使用寿命。
本实施例中，所述薄膜封装结构还包括第一阻挡墙206，所述第一阻挡墙206设置在边缘区域上靠近显示区域的一侧，所述第一阻挡墙206围绕所述显示区域。在实际应用中，所述薄膜封装结构可以包括第二阻挡墙207，所述第二阻挡墙207设置在边缘区域上远离显示区域的一侧，所述第二阻挡墙207围绕所述显示区域。当然，所述薄膜封装结构也可以包括第一阻挡墙206和第二阻挡墙207，所述第一阻挡墙206设置在边缘区域上靠近显示区域的一侧，所述第二阻挡墙207设置在边缘区域上远离显示区域的一侧，所述第一阻挡墙206和所述第二阻挡墙207围绕所述显示区域。本实施例提供的阻挡墙可以避免第一平坦化层102材料发生溢出，从而对窄边框造成影响。
可选的，所述第一阻挡墙206和所述第二阻挡墙207的形状包括直线、折线或者波浪线，所述第一阻挡墙206和所述第二阻挡墙207的构成材料包括SiNx、SiO2、SiC、SiCN、SiCO、Monomor(高分子单体)和HMDSO(六甲基二甲硅醚)中的一种或者多种。
参见图3，所述衬底基板101上设置有薄膜晶体管阵列层107，所述薄膜晶体管阵列层107上设置有第二阻挡墙207、阴极导线108、像素限定层104和有机发光二极管的阳极109，所述像素限定层104包括两部分，其中一部分位于所述阴极导线108的外侧，另一部分位于所述阴极导线108与所述阳极109之间。位于所述阴极导线108与所述阳极109之间的像素限定层104上设置有第一阻挡墙206，所述阳极109上设置有有机发光二极管的有机发光层201，所述阴极导线108、所述像素限定层104、第一阻挡墙206和所述有机发光层201上设置有有机发光二极管的阴极202，所述阴极202通过所述阴极导线108与所述薄膜晶体管的漏极连接。
图4为图3所示薄膜封装结构的俯视图。如图4所示，所述第一平坦化层102包括至少一个环状结构，所述环状结构围绕所述显示区域。本实施例中，所述第一平坦化层102包括两个环状结构：第一环状结构203和第二环状结构204。具体来说，所述第一阻挡墙206围绕所述显示区域205，第一环状结构203围绕所述第一阻挡墙206，所述像素限定层104围绕所述第一环状结构203，所述第二环状结构204围绕所述像素限定层104，所述第二阻挡墙207围绕所述第二环状结构204，所述薄膜晶体管阵列层107的外延部分围绕所述第二阻挡墙207。
本实施例提供的薄膜封装结构包括衬底基板、第一平坦化层和第一密封层，所述衬底基板包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述发光器件设置在所述显示区域，所述第一平坦化层设置在所述边缘区域，所述第一密封层设置在所述第一平坦化层和所述发光器件上。本实施例提供的技术方案将发光器件设置在显示区域，第一平坦化层设置在边缘区域，第一密封层设置在第一平坦化层和发光器件上，以消除第一密封层在边缘区域的直角拐弯，从而降低第一密封层在边缘区域的应力，避免显示装置弯曲时由于应力过大造成裂纹，最终延长显示装置的使用寿命。
实施例三
本实施例提供一种显示装置，包括薄膜晶体管、发光器件以及上述实施例一或实施例二提供的薄膜封装结构，所述薄膜晶体管设置在所述基板上，所述发光器件设置在所述薄膜晶体管上。
本实施例提供的显示装置中，所述薄膜封装结构包括衬底基板、第一平坦化层和第一密封层，所述衬底基板包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述发光器件设置在所述显示区域，所述第一平坦化层设置在所述边缘区域，所述第一密封层设置在所述第一平坦化层和所述发光器件上。本实施例提供的技术方案将发光器件设置在显示区域，第一平坦化层设置在边缘区域，第一密封层设置在第一平坦化层和发光器件上，以消除第一密封层在边缘区域的直角拐弯，从而降低第一密封层在边缘区域的应力，避免显示装置弯曲时由于应力过大造成裂纹，最终延长显示装置的使用寿命。
实施例四
图5为本发明实施例四提供的一种薄膜封装结构的制备方法的流程图。如图5所示，所述薄膜封装结构用于封装发光器件，包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述发光器件设置在所述显示区域。
所述制备方法包括：
步骤S1、在所述边缘区域形成第一平坦化层。
本实施例中，所述步骤S1包括：在所述边缘区域印刷、打印或者涂布第一平坦化层薄膜；通过构图工艺形成第一平坦化层。
所述步骤S1之前包括：在边缘区域上靠近显示区域的一侧形成第一阻挡墙，所述第一阻挡墙围绕所述显示区域；或者所述步骤S1之前包括：在边缘区域上远离显示区域的一侧形成第二阻挡墙，所述第二阻挡墙围绕所述显示区域；或者所述步骤S1之前包括：在边缘区域上靠近显示区域的一侧形成第一阻挡墙，在边缘区域上远离显示区域的一侧形成第二阻挡墙，所述第一阻挡墙和所述第二阻挡墙围绕所述显示区域。本实施例提供的阻挡墙可以避免第一平坦化层材料发生溢出，从而对窄边框造成影响。
步骤S2、在所述第一平坦化层和所述发光器件上形成第一密封层。
本实施例中，所述边缘区域由于存在大量的直角拐弯结构，导致所述边缘区域不平坦，本实施例将发光器件设置在显示区域，第一平坦化层设置在边缘区域，第一密封层设置在第一平坦化层和发光器件上，以消除第一密封层在边缘区域的直角拐弯，从而降低第一密封层在边缘区域的应力，避免显示装置弯曲时由于应力过大造成裂纹，最终延长显示装置的使用寿命。
本实施例中，所述制备方法还包括：在所述第一密封层上形成第二平坦化层；在所述第二平坦化层上形成第二密封层。双层平坦化层和双层密封层使得所述薄膜封装结构具有更好的密封效果。
具体来说，在所述衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层，在所述薄膜晶体管阵列层上形成第二阻挡墙、阴极导线、像素限定层和有机发光二极管的阳极，所述像素限定层包括两部分，其中一部分位于所述阴极导线的外侧，另一部分位于所述阴极导线与所述阳极之间。在位于所述阴极导线与所述阳极之间的像素限定层上形成第一阻挡墙，在所述阳极上形成有机发光二极管的有机发光层，在所述阴极导线、所述像素限定层、第一阻挡墙和所述有机发光层上形成有机发光二极管的阴极，所述阴极通过所述阴极导线与所述薄膜晶体管的漏极连接。
本实施例提供的薄膜封装结构的制备方法中，所述薄膜封装结构包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述发光器件设置在所述显示区域，所述制备方法包括：在所述边缘区域形成第一平坦化层；在所述第一平坦化层和所述发光器件上形成第一密封层。本实施例提供的技术方案将发光器件设置在显示区域，第一平坦化层设置在边缘区域，第一密封层设置在第一平坦化层和发光器件上，以消除第一密封层在边缘区域的直角拐弯，从而降低第一密封层在边缘区域的应力，避免显示装置弯曲时由于应力过大造成裂纹，最终延长显示装置的使用寿命。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种薄膜封装结构，其特征在于，所述薄膜封装结构用于封装发光器件，包括衬底基板、第一平坦化层和第一密封层，所述衬底基板包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述发光器件设置在所述显示区域，所述第一平坦化层设置在所述边缘区域，所述第一平坦化层用于覆盖所述边缘区域的直角拐弯结构，所述第一平坦化层包括至少一个环状结构，所述环状结构围绕所述显示区域，所述第一密封层设置在所述第一平坦化层和所述发光器件上，以消除所述第一密封层在所述边缘区域的直角拐弯。
2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，还包括第二平坦化层和第二密封层，所述第二平坦化层设置在所述第一密封层上，所述第二密封层设置在所述第二平坦化层上。
3.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述第一平坦化层的厚度范围包括1um至10um。
4.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，还包括第一阻挡墙，所述第一阻挡墙设置在边缘区域上靠近显示区域的一侧，所述第一阻挡墙围绕所述显示区域；或者
还包括第二阻挡墙，所述第二阻挡墙设置在边缘区域上远离显示区域的一侧，所述第二阻挡墙围绕所述显示区域；或者
还包括第一阻挡墙和第二阻挡墙，所述第一阻挡墙设置在边缘区域上靠近显示区域的一侧，所述第二阻挡墙设置在边缘区域上远离显示区域的一侧，所述第一阻挡墙和所述第二阻挡墙围绕所述显示区域。
5.根据权利要求4所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述第一阻挡墙和所述第二阻挡墙的形状包括直线、折线或者波浪线。
6.一种显示装置，其特征在于，包括薄膜晶体管、发光器件以及权利要求1-5任一所述的薄膜封装结构，所述薄膜晶体管设置在所述衬底基板上，所述发光器件设置在所述薄膜晶体管上。
7.一种薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，所述薄膜封装结构用于封装发光器件，包括衬底基板，所述衬底基板包括显示区域和边缘区域，所述边缘区域围绕所述显示区域，所述发光器件设置在所述显示区域，所述制备方法包括：
步骤S1、在所述边缘区域形成第一平坦化层，所述第一平坦化层用于覆盖所述边缘区域的直角拐弯结构，所述第一平坦化层包括至少一个环状结构，所述环状结构围绕所述显示区域；
步骤S2、在所述第一平坦化层和所述发光器件上形成第一密封层，以消除所述第一密封层在所述边缘区域的直角拐弯。
8.根据权利要求7所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述第一密封层上形成第二平坦化层；
在所述第二平坦化层上形成第二密封层。
9.根据权利要求7所述的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S1之前包括：
在边缘区域上靠近显示区域的一侧形成第一阻挡墙，所述第一阻挡墙围绕所述显示区域；或者
所述步骤S1之前包括：
在边缘区域上远离显示区域的一侧形成第二阻挡墙，所述第二阻挡墙围绕所述显示区域；或者
所述步骤S1之前包括：
在边缘区域上靠近显示区域的一侧形成第一阻挡墙，在边缘区域上远离显示区域的一侧形成第二阻挡墙，所述第一阻挡墙和所述第二阻挡墙围绕所述显示区域。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6588619B2 (ja) * 2016-02-22 2019-10-09 富士フイルム株式会社 プラスチックセルおよびその製造方法
JP2019079729A (ja) * 2017-10-26 2019-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11329110B2 (en) * 2017-12-27 2022-05-10 Sharp Kabushiki Kaisha Display device having organic buffer layer between inorganic sealing films and method of manufacturing display device
CN108461653A (zh) * 2018-04-04 2018-08-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled屏幕、柔性面板薄膜封装结构和封装方法
CN109037486A (zh) * 2018-08-09 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光二极管显示基板及其制作方法、显示器件
CN115224219A (zh) * 2022-08-02 2022-10-21 维信诺科技股份有限公司 显示面板、显示面板制备方法及显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006038987A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Seiko Epson Corp 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器
JP4736757B2 (ja) * 2005-12-01 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4245032B2 (ja) * 2006-10-03 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP5424738B2 (ja) * 2009-06-23 2014-02-26 キヤノン株式会社 表示装置
TWI485846B (zh) * 2011-11-16 2015-05-21 Au Optronics Corp 具可撓性基板之顯示裝置及其製造方法
KR101473309B1 (ko) * 2012-11-29 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
JP5961543B2 (ja) * 2012-12-19 2016-08-02 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置及びその製造方法
JP6182985B2 (ja) * 2013-06-05 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
KR102303242B1 (ko) * 2014-10-17 2021-09-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
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