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TWI604598B - 顯示器以及顯示器的製造方法 - Google Patents

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TWI604598B
TWI604598B TW105103875A TW105103875A TWI604598B TW I604598 B TWI604598 B TW I604598B TW 105103875 A TW105103875 A TW 105103875A TW 105103875 A TW105103875 A TW 105103875A TW I604598 B TWI604598 B TW I604598B
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metal layer
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display
gate
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TW105103875A
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TW201729401A (zh
Inventor
Shih-Hsing Hung
Original Assignee
Au Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Au Optronics Corp filed Critical Au Optronics Corp
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Priority to CN201610311484.0A priority patent/CN105954948B/zh
Priority to US15/373,841 priority patent/US10192899B2/en
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Description

顯示器以及顯示器的製造方法
本發明涉及一種顯示器，特別是涉及一種具有光觸媒層的顯示器。
顯示器的應用日漸廣泛，舉例言，顯示器當前整合了相機、通訊、或者是顯示的功能。但是隨著環保意識的日漸抬頭，顯示器整合環保概念或者功能的發明卻屈指可數。
本發明實施例提供一種顯示器，包括第一基板、第二基板、多個畫素以及光觸媒層。多個畫素設置於第一基板與第二基板之間，光觸媒層設置在第二基板面向第一基板的表面上或者第一基板面向第二基板的表面上。
一種選擇的實施例中，每一該些畫素還包括一電晶體，每一該些電晶體包括閘極電極、源極電極及主動層，光觸媒層與閘極電極或源極電極屬於同一膜層。
一種選擇的實施例中，其中光觸媒層包括一氧化金屬層，閘極電極包括第一閘極金屬層，氧化金屬層與第一閘極金屬層屬於同一膜層。
一種選擇的實施例中，其其中光觸媒層還包括第一金屬層，氧化物金屬層堆疊於第一金屬層之上，氧化物金屬層係為第一金屬層的氧化物，氧化物金屬層的厚度加上第一金屬層的厚度小於第一閘極金屬層的厚度。
一種選擇的實施例中，氧化金屬層的厚度加上第一金屬層的厚度大於0奈米且小於100奈米。
一種選擇的實施例中，閘極電極包括依序堆疊的第一閘極金屬層、第二閘極金屬層及第三閘極金屬層；光觸媒層包括依序堆疊的氧化金屬層、第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層；第一閘極金屬層與第一金屬層屬於同一膜層，第二閘極金屬層與第二金屬層屬於同一膜層，第三閘極金屬層與第一金屬層屬於同三膜層。
一種選擇的實施方式中，顯示器還包括光源，光源設置於第二基板的一側，光源用以發出紫外光至光觸媒層。
本發明另提供一種實施例，提供一種顯示器的製造方法，包括提供一第一基板，在第一基板上形成閘極電極，並且同時在第一基板上形成外部金屬層，在閘極電極上形成絕緣層以覆蓋閘極電極，對外部金屬層加熱，使其形成氧化物金屬層。
本發明實施例透過在顯示器的內部的基板上形成光觸媒層，成功整合功能於顯示器中，並且其製造方式簡單無須使用者額外的貼附。
本發明另提供一種實施例，提供另一種顯示器的製造方法，包括提供第一基板；在第一基板上形成閘極電極；在閘極電極上形成絕緣層以覆蓋閘極電極；在絕緣層上形成源極電極以及汲極電極，並且在形成源極電極及/或汲極電極的同時，形成外部金屬層；在源極電極以及汲極電極之上形成保護層；以及對外部金屬層加熱，使其形成一氧化物金屬層。
對應於上述兩種方法，一種可選擇的實施方式中，還包括在閘極電極相對於第一基板的一側形成畫素電極，其中，對外部金屬層加熱的步驟係於對畫素電極退火的過程中同步進行。
本發明實施例揭示整合有光觸媒層的顯示器以及其製造方法，提供一種具有光觸媒層及其功效的便捷顯示器。
以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
100‧‧‧顯示器
110‧‧‧第一基板
111‧‧‧光源
112‧‧‧顯示材料
120‧‧‧第二基板
130‧‧‧畫素
140‧‧‧框膠
150‧‧‧光觸媒層
151‧‧‧金屬層
152‧‧‧金屬層
153‧‧‧金屬層
154‧‧‧氧化金屬層
155‧‧‧外部金屬層
160‧‧‧電晶體
161‧‧‧閘極電極
162‧‧‧絕緣層
164‧‧‧主動層
165‧‧‧汲極電極
166‧‧‧源極電極
168‧‧‧保護層
169‧‧‧畫素電極
171‧‧‧閘極金屬層
172‧‧‧閘極金屬層
173‧‧‧閘極金屬層
S11~S14‧‧‧步驟
S21~S25‧‧‧步驟
S31~S36‧‧‧步驟
CLC‧‧‧液晶電容
L1‧‧‧紫外光
L2‧‧‧光線
SL‧‧‧掃描線
DL‧‧‧資料線
圖1係為本發明實施例顯示器剖視圖；圖2係為本發明實施例顯示器正視示意圖；圖3係為本發明另一實施例顯示器正視示意圖；圖4A係為本發明實施例畫素結構與光觸媒層的剖面示意圖；圖4B係為本發明實施例閘極電極以及光觸媒層詳細結構示意圖；圖5A至圖5C係為本發明實施例顯示器製造方式的流程示意圖；圖6A至圖6C係各別對應圖5A至圖5C中的閘極電極以及光觸媒層詳細結構示意圖；圖7A與圖7B係為本發明實施例另一製造方法示意圖；圖8A與圖8B係各別對應圖7A至圖7B中的閘極電極以及光觸媒層詳細結構示意圖；圖9係為本發明實施例第一種顯示器製造方式的流程圖；圖10係為本發明實施例第二種顯示器製造方式的流程圖；圖11為本發明實施例第三種顯示器製造方式流程圖；以及圖12係為液晶畫素電路示意圖。
本揭示中所的用語一般具有其在本揭示背景領域中的通常意思，以及其在特定背景中使用時的意義。某些特定用以描述本揭示的用語將於後定義及討論，或是在說明書中的其他地方討論，以供做為本領域技術人員了解本揭示說明。除此之外，同一事物可能會以超過一種方式來說明，其意義應了解為可選擇是多種說明方式的其中之一或整體意思。因此，在本文中會使用可替換性的語言以及同義詞來表現任何一個或多個的用語，不論此用語是否有在本文中進行精闢的闡述或是討論，使用可替換性的語言以及同義詞均不具特 定意義。本揭示提供某些用語的同義詞。一或多個常用的同義詞並不排除其他同義詞的使用。本說明書中任何部分所提到的例子，包含所討論的任何用語的例子，均僅用來說明，並無限制本揭示的範圍及意義或是任何當作例子來說明的用語。同樣地，本揭示也不受限於本說明書所提供的各種實施例。
可被理解的是，當稱一元件(電性)耦接於另一元件時，其可為直接(電性)耦接其他元件、或介於其中間之元件可出現在其間。相反地，當稱一元件直接(電性)耦接於另一元件時，並無介於中間之元件出現。如於本文所使用，用語「和/或」包含一個或多個相關之列出項目的任一與所有組合。
另一可被理解的是，本文對於訊號傳遞或提供的描述，經傳輸的訊號可能會產生衰減或失真，但仍與傳輸之前的訊號具有對應的關係，通常不因傳輸過程中產生的衰減或失真情形而排除訊號發射端與訊號接收端兩訊號的對應關係。
另一可被理解的是，當稱一元件位於另一元件上時，其可為直接位於其他元件上、或介於其中間之元件可出現在其間。相反地，當稱一元件直接位於另一元件上時，並無介於中間之元件出現。如於本文所使用，用語「和/或」包含一個或多個相關之列出項目的任一與所有組合。
另一可被理解的是，雖然在本揭示使用「第一」、「第二」和「第三」等用語來描述各種元件、零件、區域、層和/或部分，但此些用語不應限制此些元件、零件、區域、層和/或部分。此些用語僅用以區別一元件、零件、區域、層和/或部分與另一元件、零件、區域、層和/或部分。因此，可在不偏離本揭示所教示的情況下，將以下討論之第一元件、零件、區域、層和/或部分稱為第二元件、零件、區域、層和/或部分。
於本文所使用之用語僅用於描述特定實施例之目的，並非用以限制本揭示。如於本文所使用，除非內容清楚指定，單數形式「一」與「該」亦欲包含複數形式。將進一步了解的是，用語「包含」或「具有」應用在說明書中時，明確說明所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元素、及/或構件的存 在，但並未排除一或更多其他特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、零件及/或其族群的存在或加入。
此外，相對用語例如「下」或「底部」、「上」或「頂部」、和「左」或「右」，於本文中可用以描述如圖中所繪示的一元件與另一元件的關係。可被理解的是，除了圖中所描繪的方位外，相對用語意欲包含元件的不同方位。例如：若圖中的元件翻轉，被描述為在此另一元件之「下」側的元件接下來將位於此另一元件之「上」側的方位。因此，例示性用語「下」根據圖之特定方位可包含「下」和「上」的兩方位。相同地，若圖中的元件翻轉，被描述為在另一元件「之下」或「下方」的元件接下來將位於此另一元件「上方」的方位。因此，例示性用語「之下」或「下方」可包含上方和下方的兩方位。
除非另有定義，否則在本文中所使用之所有用語(包含科技與科學用語)具有相同於熟習本揭示所屬技術領域者所廣為了解的意義。可進一步被理解的是，例如由常用辭典所定義等用語，應解釋成具有與他們在相關領域和本揭露上下文中一致的意義，且將不會被以理想化或過度正式的意義來加以解讀，除非在本文中被特別定義。
如在本文中所使用的用語「大約」、「約」或「近乎」應大體上意指在給定值或範圍的百分之二十以內，較佳為在百分之十以內，更佳為在百分之五以內。在此所提供的數量為近似，意指若無特別陳述，可以用語「大約」、「約」或「近乎」加以表示。
請參考圖1，圖1係為本發明實施例顯示器剖視圖。顯示器100包括第一基板110、第二基板120、多個畫素130及光觸媒層150。除此之外，顯示器100還可以更包括顯示材料112、光源111以及框膠140。畫素130設置於第一基板110與第二基板120之間，框膠140通常環繞多個畫素130，進而與第一基板110及第二基板120封裝於第一基板110及第二基板120之間。光觸媒層150可以形成於第一基板110面向第二基板120的表面上，或者 也可以形成於第二基板120面向第一基板110的表面上。而通常而言，光觸媒層150與畫素130分別位於框膠140的相對兩側。舉例而言，本實施例中，多個畫素130設置於第一基板110面向第二基板120的表面上，相應的光觸媒層150設置於第一基板110面向第二基板120的表面上。反之亦然，多個畫素130亦可設置於第二基板120面向第一基板110的表面上，相應的光觸媒層150可設置於第二基板120面向該第一基板110的表面上。顯示材料112係用以受畫素130的控制，進而改變其光學特性，而產生灰階上的變化，舉例而言，顯示材料112可以例如為被封裝於框膠140之內的液晶材料，液晶材料受畫素130的電場的控制，進而產生不同的偏振特性。又例如顯示材料112可以是有機發光二極體的發光材料，其可以接受畫素130提供的電流，而產生不同顏色或不同強度的光線。光源111可以用以作為背光源，換言之，在非自發光顯示器中，例如上述液晶顯示器，光源111可以作為顯示器100的背光源，發出光線L2，並提供光線L2以受畫素130以及顯示材料112的控制，進而產生不同的影像。除此之外，光源111還可以發出紫外光L1(通常而言，指波長約為10奈米(nm)至400奈米的光線)，進而，紫外光L1可以刺激光觸媒層150，進而光觸媒層150可以產生殺菌、除臭及/或防霉的功能。
圖2係為本發明實施例顯示器正視示意圖。如前述請參考圖2並一併參考圖1，顯示器100包括第一基板110、第二基板120、多個畫素130、框膠140及光觸媒層150。畫素130係為矩陣方式排列，且顯示器100還可以更包括多條掃描線SL以及多條資料線DL，掃描線SL電性耦接對應的畫素130，用以提供畫素130掃描訊號，進而致能接收掃描訊號的畫素130的更新動作。而資料線DL電性耦接對應的畫素130，用以提供畫素130所需要的 資料訊號，進而使得接收資料訊號的畫素130能夠根據資料訊號來控制畫素的灰階。舉例而言，請參考圖12，圖12係為液晶畫素電路示意圖。掃描線SL能夠開啟畫素中的電晶體160，進而使得畫素130能夠將資料訊號提供給液晶電容CLC，進而控制液晶電容CLC所對應的液晶。
請再參考圖2。圖2中框膠140實質上能夠環繞畫素130排列的區域，而光觸媒層150則位於框膠140相對於畫素130排列的區域的另一側，且光觸媒層150可以實質上環繞框膠140。相對的，請參考圖3，圖3係為本發明另一實施例顯示器正視示意圖，圖3中，與圖2的差異主要在於光觸媒層150可以是多個獨立的區塊，依序環繞框膠140而排列。
在上述的實施例中，光觸媒層150可以形成於第一基板110面向該第二基板120的表面上，或者也可以形成於第二基板120面向第一基板110的表面上，換言之，可將光觸媒層150直接整合於顯示器100的顯示結構的製程之中，並且妥善利用基板的周邊區域，而達到便捷的光觸媒自淨、殺菌、除臭及/或防霉的功能。
請參考圖4A，圖4A係為本發明實施例畫素結構與光觸媒層的剖面示意圖。並請一併參考圖4B，圖4B係為本發明實施例閘極電極以及光觸媒層詳細結構示意圖。本實施例以光觸媒層150以及畫素130形成於第一基板110面向第二基板120的表面為例，光觸媒層150以及畫素130也可以形成於第二基板120面向第一基板110的表面上，而其結構與製造方式，亦與以下所述的技術方案類似。畫素130包括電晶體160，電晶體160具有閘極電極161、主動層164、汲極電極165以及源極電極166。源極電極166以及汲極電極165分別電性耦接主動層164的兩端而堆疊於主動層164之上，閘極電極161用以控制主動層164，以使源極電極166 以及汲極電極165實質上電性導通或者電性截止。閘極電極161上堆疊有絕緣層162，絕緣層162用以隔離主動層164以及閘極電極161。在主動層164、源極電極166以及汲極電極165之上具有保護層168，保護層168具有一貫孔(via)，畫素電極169設置於保護層168之上，用以透過貫孔由汲極電極165接收電壓，進而用以控制設置於其上的液晶分子或其他顯示材料(圖未示)。光觸媒層150設置於畫素130的一側，且在本實施例中，光觸媒層150與閘極電極161可以屬於同一膜層，換言之，光觸媒層150與閘極電極161可以透過同一道光罩來定義，或者說光觸媒層150與閘極電極161各層結構係透過相對應的光罩來定義。
其中光觸媒層150與閘極電極161可以分別是多層金屬及/或者金屬氧化物的堆疊。請參考圖4B。舉例而言，閘極電極161由靠近第一基板110的一側往遠離第一基板110的一側依序為堆疊的鈦(Ti)、鋁(Al)及鈦(Ti)金屬；而光觸媒層150由靠近第一基板110的一側往遠離第一基板110的一側依序為堆疊鈦(Ti)、鋁(Al)、鈦(Ti)及二氧化鈦(TiO2)。其中閘極電極161及光觸媒層150由靠近第一基板110的一側往遠離第一基板110的三層堆疊結構依序為對應的相同膜層，換言之，其可以透過同一道光罩來定義，而且光觸媒層150最為遠離第一基板110的鈦金屬層與二氧化鈦係屬於同一個膜層，實際上，所述的二氧化鈦層係由其下的鈦金屬層氧化而成。除此之外，光觸媒層150的厚度可以小於閘極電極161以利二氧化鈦的形成。較佳的，最遠離第一基板110的鈦金屬以及二氧化鈦的厚度相加後(即金屬層153加上氧化金屬層154)，其厚度小於閘極電極最遠離第一基板110的鈦金屬層的厚度。舉例而言，最遠離第一基板的鈦金屬以及二氧化鈦的厚度相加後(即金屬層153加上氧化金屬層154)，其厚度小於100奈米(nm)，以使得鈦 金屬層的材料可以被有效的利用。通常而言，因為光觸媒層150係形成於基板的周邊區域，其製程上產生的厚度可以較容易產生較薄的效果，除此之外，也可以透過光罩的設計或者製程上針對區域而有不同的調整來實現。對於鈦金屬層進行氧化的過程中，可以使得鈦金屬層表面上形成一厚度約為3奈米到50奈米的二氧化鈦。因此，較薄的鈦金屬層，即可以有效的形成所需求的二氧化鈦層。更具體的，如圖所示，金屬層151、金屬層152、金屬層153分別為鈦(Ti)、鋁(Al)及鈦(Ti)金屬，而閘極金屬層171、閘極金屬層172、閘極金屬層173分別為鈦(Ti)、鋁(Al)及鈦(Ti)金屬。而氧化金屬層154為二氧化鈦(TiO2)。
具體而言，主動層164之材質例如是或者例如包含金屬氧化物半導體、非晶矽、多晶矽、低溫多晶矽、磊晶矽、有機半導體、其他合適的半導體材料或者是上述至少二者之堆疊層等。金屬氧化物半導體可以是銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁錫氧化物(ATO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銦鎵氧化物(IGO)、銦鍺鋅氧化物(IGZO)或其他合適的金屬氧化物。源極電極166與汲極電極165之材質例如是或者例如包含金屬材料、其他導電材料或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。金屬材料可為鋁、銅、鉬、鈦等，其他導電材料可為合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料等。閘極電極161之材質例如是或者例如包含金屬材料、其他導電材料或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。金屬材料可為鋁、銅、鉬、鈦等，其他導電材料可為合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料等。保護層168之材質例如為或者例如包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其他介電材料。畫素電極169之材質例如為或者例如包含銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)或銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)。
請參考圖5A至圖5C。圖5A至圖5C係為本發明實施例顯示器製造方式的流程示意圖。並請一併參照圖6A至圖6C，圖6A至圖6C係各別對應圖5A至圖5C中的閘極電極以及光觸媒層詳細結構示意圖。請參考圖9，圖9係為本發明實施例第一種顯示器製造方式的流程圖。圖9揭示以下流程：S11：提供第一基板110；S12：在第一基板110上形成閘極電極161，並且同時在第一基板110上形成外部金屬層155；S13：在閘極電極161上形成絕緣層162以覆蓋該閘極電極161；S14：對外部金屬層155加熱，使其形成氧化物金屬層154。
請參考圖5A，在第一基板110上形成閘極電極161，並且同時在第一基板110上形成外部金屬層155，在此步驟同時形成係指以同一光罩定義閘極電極161以及外部金屬層155，而非指時間上必須完全的重疊，當然上述的步驟也可以在同一時間完成，例如同時以沉積、濺鍍或塗佈方式完成。此外，如前所述以及如圖6A所示，閘極電極161以及外部金屬層155可以具有多層的金屬疊合結構，閘極電極161可以透過依序形成鈦、鋁及鈦金屬層(閘極金屬層171~閘極金屬層173)完成，而外部金屬層155也可以透過依序形成鈦、鋁及鈦金屬層(金屬層151~金屬層153)來形成。
請參考圖5B，圖5B係對應步驟S13及步驟S14，在第一基板110上形成絕緣層162並且絕緣層162覆蓋閘極電極161，進而可以避免在對外部金屬層155加熱(例如退火，Annealing)時同時對於閘極電極161產生氧化，進而導致閘極電極161電性上產生變異。在形成覆蓋於閘極電極161之上的絕緣層162之後，可以接著對於外部金屬層155加熱，加熱的過程可以是對於顯示面板 整體的加熱動作，或者僅僅是局部的加熱，加熱的溫度大致上可以為攝氏20度至攝氏300度，例如攝氏20度、100度、200度及300度。進而，能夠使得外部金屬層的表面產生一定厚度的氧化物，此氧化物通常是由外部金屬層155最為遠離第一基板110的金屬層153氧化而成的氧化金屬層154，例如由鈦金屬氧化成為二氧化鈦。當然外部金屬層155最為遠離第一基板110的金屬層也可以選用其他氧化後具有光觸媒特性的材料，例如鋅(Zn)或鎳(Ni)，而對應的氧化形成氧化鋅(ZnO)及鎳(NiO)。在所述的外部金屬層155產生氧化後其形成光觸媒層150，此時其結構大致上為相互堆疊的三層金屬151、152、153以及氧化物金屬層154，例如相互堆疊的鈦、鋁、鈦及二氧化鈦。透過上述的光觸媒層的形成方式，我們可以無須額外的形成步驟來形成光觸媒層，或者可以降低額外形成光觸媒層所需的步驟數。
接著，請參考圖5C，圖5C中所繪示之步驟，係為在絕緣層162之上依序形成主動層164、源極電極166及汲極電極165、保護層168以及畫素電極169。在此步驟中，如圖6C所示光觸媒層150以及閘極電極161本身在此步驟並無實質變化。
請參考圖10，圖10係為本發明實施例第二種顯示器製造方式的流程圖。圖10揭示以下流程：S21：提供第一基板110；S22：在閘極電極161上形成閘極電極161，並且同時在第一基板110上形成外部金屬層155；S23：在第一基板110上形成絕緣層162以覆蓋該閘極電極161；S24：在對外部金屬層155加熱之前，形成畫素電極169； S25：對外部金屬層155加熱，使其形成氧化物金屬層154，且同時對於畫素電極169進行加熱。
與第一種顯示器的製造方法不同的是，本製造方法係先形成畫素電極169，並且利用對於畫素電極169進行退火/加熱的製程，一併的對於外部金屬層155進行加熱。據此，本顯示器的製造方式更可以節省額外的加熱/退火步驟。
請參考圖7A與圖7B，圖7A與圖7B係為本發明實施例另一製造方法示意圖。其中如圖7A所示，在形成完成畫素電極169之後，外部金屬層155仍然處於尚未被加熱而氧化的狀態。而如圖7B所示，經過與畫素電極169同時進行的退火/加熱製程後，如第一種製造方法所述，外部金屬層155的表面氧化形成氧化金屬層154，進而形成了光觸媒層150。圖7A與圖7B中的閘極電極161以及光觸媒層150的詳細結構分別被繪示於圖8A以及圖8B中。圖8A至圖8B係各別對應圖7A至圖7B中的閘極電極以及光觸媒層詳細結構示意圖。
請參考圖11，圖11為本發明實施例第三種顯示器製造方式流程圖。圖11揭示以下的步驟：S31：提供第一基板110；S32：在第一基板110上形成閘極電極161；S33：在閘極電極161上形成絕緣層162以覆蓋該閘極電極161；S34：在絕緣層162上形成源極電極166以及汲極電極165，並且在形成源極電極166及/或汲極電極165的同時，形成外部金屬層155；S35：在源極電極166以及汲極電極165之上形成保護層168； S36：對外部金屬層加熱155，使其形成光觸媒層150。
圖11所揭示的步驟中，外部金屬層155(亦即氧化物金屬層150的前身)可以與源極電極166及/或汲極電極165同屬於一膜層，進而也可以節省一到額外的工序，並且對外部金屬層加熱155，使其形成氧化物金屬層150的步驟S25也可以係先行成畫素電極169，並且利用對於畫素電極169進行退火/加熱的製程，一併的對於外部金屬層155進行加熱。
本發明實施例揭示整合有光觸媒層的顯示器以及其製造方法，提供一種具有光觸媒層及其功效的便捷顯示器。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> 100 </td><td> 顯示器 </td></tr><tr><td> 110 </td><td> 第一基板 </td></tr><tr><td> 111 </td><td> 光源 </td></tr><tr><td> 112 </td><td> 顯示材料 </td></tr><tr><td> 120 </td><td> 第二基板 </td></tr><tr><td> 130 </td><td> 畫素 </td></tr><tr><td> 140 </td><td> 框膠 </td></tr><tr><td> 150 </td><td> 光觸媒層 </td></tr><tr><td> L1 </td><td> 紫外光 </td></tr><tr><td> L2 </td><td> 光線 </td></tr></TBODY></TABLE>

Claims (10)

  1. 一種顯示器，包括：一第一基板；一第二基板；多個畫素，設置於該第一基板與該第二基板之間一框膠，設置於該第一基板與該第二基板之間；以及一光觸媒層，設置在該第二基板面向該第一基板的表面上或者該第一基板面向該第二基板的表面上，且該光觸媒層與該些畫素分別位於該框膠的相對兩側。
  2. 如請求項第1項所述之顯示器，每一該些畫素還包括一電晶體，每一該些電晶體包括一閘極電極、一源極電極及一主動層，該光觸媒層與該閘極電極或該源極電極屬於同一膜層。
  3. 如請求項第2項所述之顯示器，其中光觸媒層包括一氧化金屬層，該閘極電極包括一第一閘極金屬層，該氧化金屬層與該第一閘極金屬層屬於同一膜層。
  4. 如請求項第3項所述之顯示器，其其中該光觸媒層還包括一第一金屬層，該氧化物金屬層堆疊於該第一金屬層之上，該氧化物金屬層係為該第一金屬層的氧化物，該氧化物金屬層的厚度加上該第一金屬層的厚度小於該第一閘極金屬層的厚度。
  5. 如請求項第4項所述之顯示器，其中該氧化金屬層的厚度加上該第一金屬層的厚度大於0奈米且小於100奈米。
  6. 如請求項第4項所述之顯示器，其中該閘極電極包括依序堆 疊的該第一閘極金屬層、一第二閘極金屬層及一第三閘極金屬層；該光觸媒層包括依序堆疊的該氧化金屬層、該第一金屬層、一第二金屬層及一第三金屬層；其中該第一閘極金屬層與該第一金屬層屬於同一膜層，該第二閘極金屬層與該第二金屬層屬於同一膜層，該第三閘極金屬層與該第一金屬層屬於同三膜層。
  7. 如請求項第1至6項任一項所述之顯示器，其中該顯示器還包括一光源，該光源設置於該第二基板的一側，該光源用以發出紫外光至該光觸媒層。
  8. 一種顯示器的製造方法，包括：提供一第一基板；在該第一基板上形成一閘極電極，並且同時在該第一基板上形成一外部金屬層；在該閘極電極上形成一絕緣層以覆蓋該閘極電極；以及對該外部金屬層加熱，使其形成一氧化物金屬層。
  9. 一種顯示器的製造方法，包括：提供一第一基板；在該第一基板上形成一閘極電極；在該閘極電極上形成一絕緣層以覆蓋該閘極電極；在該絕緣層上形成一源極電極以及一汲極電極，並且在形成該源極電極及/或該汲極電極的同時，形成一外部金屬層；在該源極電極以及該汲極電極之上形成一保護層；以及 對該外部金屬層加熱，使其形成一氧化物金屬層。
  10. 如請求項第8或9項的顯示器的製造方法，還包括在該閘極電極相對於該第一基板的一側形成一畫素電極，其中，對該外部金屬層加熱的步驟係於對該畫素電極退火的過程中同步進行。
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