TWI739056B - 陣列基板及其製造方法、以及顯示面板 - Google Patents

Abstract

一種陣列基板，包括：基板；遮罩層，設置在所述基板之上；第一絕緣層，設置在所述遮罩層之上；驅動薄膜電晶體的主動層，設置在所述第一絕緣層之上，所述主動層在所述基板上的正投影與所述遮罩層在所述基板上的正投影至少部分重疊；以及導電結構，所述導電結構設置在所述主動層之上並耦接至所述遮罩層。本發明還公開了包括該陣列基板的顯示裝置以及製作該陣列基板的方法。

Description

陣列基板及其製造方法、以及顯示面板

本發明的實施例涉及陣列基板、其製造方法以及顯示面板。

當前，有機發光二極體（OLED）顯示裝置已經被廣泛應用。薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）是構成OLED顯示裝置的像素單元的重要元件。

本發明的至少一個實施例提供了一種陣列基板，包括：基板；遮罩層，設置在所述基板之上；第一絕緣層，設置在所述遮罩層之上；驅動薄膜電晶體的主動層，設置在所述第一絕緣層之上，所述主動層在所述基板上的正投影與所述遮罩層在所述基板上的正投影至少部分重疊；以及導電結構，所述導電結構設置在所述主動層之上並耦接至所述遮罩層。

在本發明的一個實施例中，所述導電結構可包括所述驅動薄膜電晶體的源極、汲極或閘極。

在本發明的一個實施例中，所述陣列基板還包括第二絕緣層，設置在所述主動層之上。

在本發明的一個實施例中，所述導電結構設置在第二絕緣層之上，並形成為所述驅動薄膜電晶體的閘極。

在本發明的一個實施例中，所述陣列基板還包括穿過第一和第二絕緣層的第一通孔，所述閘極通過所述第一通孔耦接到遮罩層。

在本發明的一個實施例中，所述陣列基板還包括在第二絕緣層上設置的閘極、以及在該閘極和該第二絕緣層上設置的第三絕緣層。

在本發明的一個實施例中，導電結構設置在第三絕緣層之上，並形成為薄膜電晶體的源極或汲極。

在本發明的一個實施例中，陣列基板還包括穿過第一、第二以及第三絕緣層的第二通孔，所述源極通過所述第二通孔耦接至所述遮罩層。

在本發明的一個實施例中，陣列基板還包括穿過第一、第二以及第三絕緣層的第三通孔，所述汲極通過所述第三通孔耦接至遮罩層。

在本發明的一個實施例中，陣列基板還包括設置在第三絕緣層上的電源線，該電源線耦接至源極。

在本發明的一個實施例中，陣列基板還包括設置在第三絕緣層上的第四絕緣層、以及設置在該第四絕緣層上的發光元件，其中，該發光元件耦接至驅動薄膜電晶體的汲極。

在本發明的一個實施例中，遮罩層由金屬或合金製成。

本發明的至少一個實施例提供了一種顯示面板，包括上述任一陣列基板。

本發明的至少一個實施例提供了一種製造陣列基板的方法，所述方法包括：在基板之上形成遮罩層，在所述遮罩層之上形成第一絕緣層，在第一絕緣層之上形成驅動薄膜電晶體的主動層，其中，所述主動層在所述基板上的正投影與所述遮罩層在所述基板上的正投影至少部分重疊，所述方法還包括在所述主動層之上形成導電結構，其中，所述導電結構耦接至所述遮罩層。

本發明的至少一個實施例，所述導電結構包括所述驅動薄膜電晶體的源極、汲極或閘極。

本發明的至少一個實施例，該方法還包括：在所述主動層之上形成第二絕緣層。

本發明的至少一個實施例，所述導電結構形成在所述第二絕緣層之上，並形成為所述驅動薄膜電晶體的閘極。

本發明的至少一個實施例，該方法還包括：形成穿過第一絕緣層和第二絕緣層的第一通孔，所述閘極通過所述第一通孔耦接至所述遮罩層。

本發明的至少一個實施例，該方法還包括：在所述第二絕緣層上形成閘極，以及在所述閘極和所述第二絕緣層上形成第三絕緣層。

本發明的至少一個實施例，所述導電結構形成在所述第三絕緣層之上，並構成所述驅動薄膜電晶體的源極或汲極。

本發明的至少一個實施例，所述方法還可包括形成穿過第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層的第二通孔，所述源極通過所述第二通孔耦接到所述遮罩層。

本發明的至少一個實施例，所述方法還可包括形成穿過第一絕緣層、第二絕緣層以及第三絕緣層的第三通孔，所述汲極通過所述第一通孔耦接到所述遮罩層。

本發明的至少一個實施例，所述方法還包括在所述第三絕緣層上形成電源線，所述電源線耦接到所述源極。

本發明的至少一個實施例，所述方法還包括：在所述第三絕緣層上形成第四絕緣層，以及在所述第四絕緣層上形成發光元件，其中，所述發光元件耦接至所述驅動薄膜電晶體的汲極耦接。

本發明的至少一個實施例，所述遮罩層可採用金屬或合金製成。

為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例的附圖，對本發明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基於所描述的本發明的實施例，本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。

當介紹本發明的元素及其實施例時，冠詞“一”、“一個”、“該”和“所述”旨在表示存在一個或者多個要素。用語“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的並且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素。

出於下文表面描述的目的，如其在附圖中被標定方向那樣，術語“上”、“下”、“左”、“右”“垂直”、“水準”、“頂”、“底”及其派生詞應涉及公開。術語“上覆”、“在……頂上”、“定位在……上”或者“定位在……頂上”意味著諸如第一結構的第一要素存在於諸如第二結構的第二要素上，其中，在第一要素和第二要素之間可存在諸如介面結構的中間要素。術語“接觸”意味著耦接諸如第一結構的第一要素和諸如第二結構的第二要素，而在兩個要素的介面處可以有或者沒有其它要素。

除非另外定義，否則在此使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明主題所屬領域的技術人員所通常理解的相同含義。進一步將理解的是，諸如在通常使用的詞典中定義的那些的術語應解釋為具有與說明書上下文和相關技術中它們的含義一致的含義，並且將不以理想化或過於正式的形式來解釋，除非在此另外明確定義。如在此所使用的，將兩個或更多部分“耦接”或“耦接”到一起的陳述應指這些部分直接結合到一起或通過一個或多個中間元件結合。另外，諸如“第一”和“第二”的術語僅用於將一個元件（或元件的一部分）與另一個元件（或元件的另一部分）區分開。

第1圖示出了常用的OLED像素單元的示例性電路圖。如第1圖所示，OLED像素單元可包括驅動電晶體T2、開關電晶體T1、儲存電容C和OLED發光元件。

驅動電晶體通常會受到入射在其上的光的影響而產生性能劣化。在OLED顯示裝置的陣列基板中，通常在各個像素單元的驅動電晶體的下方設置遮罩層，以用於遮蔽環境光對驅動電晶體的影響。

第2A圖示意性地示出了發明人已知的OLED陣列基板的局部的平面示意圖，第2B圖是沿第2A圖中的線A-A’的剖面圖。

如第2A圖所示，在驅動電晶體T2的下方設置有遮罩層201。第2B圖示意性地示出了OLED陣列基板的層狀結構。在基板101上設置遮罩層201，並在遮罩層201上設置緩衝層102。主動層202被設置在緩衝層102上，並且其在基板101上的正投影落入遮罩層201在基板101上的正投影中。在主動層202上形成驅動電晶體T2。驅動電晶體T2通過穿過鈍化層105和平坦層106的第四通孔504耦接到發光元件401。因此，在第2B圖中，遮罩層201是懸浮結構。懸浮的遮罩層201在陣列基板中的導電結構的影響下，容易積累電荷，造成驅動電晶體T2的閾值電壓的偏移。

本發明的至少一個實施例提出了一種陣列基板，包括基板、遮罩層、第一絕緣層、主動層和導電結構，其中，在基板之上設置有遮罩層，在遮罩層之上設置有第一絕緣層，在第一絕緣層上設置有驅動薄膜電晶體的主動層，並且主動層在基板上的正投影與遮罩層在基板上的正投影至少部分重疊，導電結構設置在主動層之上，並且耦接至所述遮罩層。

在根據本發明實施例的陣列基板中，遮罩層被耦接到導電結構，在遮罩層上積累的電荷能夠通過導電結構被釋放，從而不會對驅動薄膜電晶體的性能造成影響。

在本發明的一個實施例中，所述導電結構包括驅動薄膜電晶體的閘極203、源極204和汲極205中的至少一個。

下文結合附圖對根據本發明實施例的陣列基板進行詳細說明。

第3A圖示出了根據本發明的一個實施例的陣列基板的局部的平面示意圖，第3B圖是沿第3A圖中的線A-A’的剖面圖。

如第3A圖和第3B圖所示，遮罩層201被設置在驅動薄膜電晶體T2的下方，並且驅動薄膜電晶體T2在基板101上的正投影落入遮罩層201在基板上的正投影之內，遮罩層201與驅動薄膜電晶體T2的閘極203耦接。

在第3B圖所示的陣列基板的層狀結構中，在基板101之上設置遮罩層201。在本發明的實施例中，遮罩層201可以採用諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、鉻（Cr）等金屬或者其合金製造。另外，在本發明的實施例中，遮罩層201可以是單層結構或者多層結構，例如Mo\Al\Mo結構、Ti\Cu\Ti結構、Mo\Ti\Cu結構等。進一步地，在遮罩層201之上設置第一絕緣層102。在本發明的一個實施例中，第一絕緣層102是緩衝層。在本發明的另一個實施例中，第一絕緣層102可以是單層結構，其可以採用氮化矽或者氧化矽製成。在本發明的再一個實施例中，第一絕緣層102可以是多層結構，例如氧化矽\氮化矽結構。主動層202被設置在第一絕緣層102之上，並且主動層202在基板101上的正投影落在遮罩層201在基板101上的正投影之內。可選地，主動層202在基板101上的正投影也可與遮罩層201在基板101上的正投影部分重疊。

在本發明的一個實施例中，主動層202可以採用非晶矽材料、多晶矽材料或者金屬氧化物（例如銦鎵鋅氧化物IGZO）製造。

進一步地，陣列基板還包括在主動層202和第一絕緣層102之上設置的第二絕緣層103。在本發明的一個實施例中，第二絕緣層103是閘極絕緣層。在本發明的一個實施例中，第二絕緣層103可以是單層結構，其可以採用氮化矽或者氧化矽製成。在本發明的另一個實施例中，第二絕緣層103可以是多層結構，例如氧化矽\氮化矽結構。

如第3B圖所示，在第二絕緣層103上設置驅動薄膜電晶體的閘極203。在本發明的實施例中，閘極203可以採用諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、鉻（Cr）等金屬或者其合金製造。另外，在本發明的實施例中，閘極203可以是單層結構或者多層結構，例如Mo\Al\Mo結構、Ti\Cu\Ti結構、Mo\Ti\Cu結構等。進一步地，在閘極203與遮罩層201之間設置穿過第一絕緣層102和第二絕緣層103的第一通孔501。遮罩層201通過第一通孔501耦接至閘極203。這樣，能夠釋放在遮罩層201上積累的電荷。

進一步地，在本發明的實施例中，陣列基板還包括在閘極203和第二絕緣層103上設置的第三絕緣層104。在本發明的實施例中，第三絕緣層104是層間絕緣層，其可以採用氮化矽或氧化矽製造。另外，第三絕緣層104可以是單層結構或者多層結構，例如氧化矽\氮化矽結構。

進一步地，在第三絕緣層104之上設置電源線301、驅動薄膜電晶體的源極（未圖示）和汲極205。在本發明的實施例中，驅動薄膜電晶體的源極是指與電源線301耦接的電極。驅動薄膜電晶體的源極通過相應的穿過第二絕緣層103和第三絕緣層104的通孔耦接至主動層202。

在本發明的實施例中，驅動薄膜電晶體的源極和汲極可以採用諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、鉻（Cr）等金屬或者其合金製造。另外，在本發明的實施例中，驅動薄膜電晶體的源極和汲極可以是單層結構或者多層結構，例如Mo\Al\Mo結構、Ti\Cu\Ti結構、Mo\Ti\Cu結構等。

進一步地，在第三絕緣層104、驅動薄膜電晶體的源極和汲極205上設置第四絕緣層107。在本發明的實施例中，第四絕緣層107包括鈍化層和平坦層。所述鈍化層可以採用氮化矽或氧化矽製造。另外，所述鈍化層可以是單層結構或者多層結構，例如氧化矽\氮化矽結構。在本發明的實施例中，平坦層可以例如採用樹脂材料製造。

附加地或者可選地，在第四絕緣層107上設置發光元件401。在本發明的一個實施例中，發光元件401包括陽極層、陰極層和設置在陽極層與陰極層之間的有機發光層。陽極層可以是採用例如氧化銦錫（ITO）製造的單層結構，或者可以是多層結構，例如採用氧化銦錫和銀（Ag）製造的多層結構。陰極層可以採用例如鋁或銀的金屬製造。在本發明的一個實施例中，發光元件401通過穿過第四絕緣層107的第四通孔504耦接至驅動薄膜電晶體的汲極205。

第4A圖示出了根據本發明的另一實施例的陣列基板的局部的平面示意圖，第4B圖是沿第4A圖中的線A-A’的剖面圖。在該實施例中，遮罩層耦接至驅動薄膜電晶體的源極，所述源極耦接至電源線。

本實施例的陣列基板的層級結構與第3B圖所示的陣列基板的層級結構類似，因此，對於與前面實施例相同的部分，在此適當省略其說明。參見第4B圖，在第三絕緣層104之上設置驅動薄膜電晶體的源極204和汲極205。源極204通過相應的穿過第二絕緣層103和第三絕緣層104的通孔耦接到主動層202。另外，在第三絕緣層104上還設置了電源線301，其耦接至源極204。

進一步地，在遮罩層201與源極204間設置穿過第一絕緣層102、第二絕緣層103和第三絕緣層104的第二通孔502。通過第二通孔502，遮罩層201耦接至源極204，從而釋放在遮罩層201上積累的電荷。

第5A圖示出了根據本發明又一實施例的陣列基板的局部的平面示意圖，第5B圖是沿第5A圖中的線A-A’的剖面圖。在該實施例中，遮罩層耦接至驅動薄膜電晶體的汲極，該汲極通過第三通孔耦接至發光元件。

根據該實施例的陣列基板的層級結構與第3B圖或4B所示的陣列基板的層級結構基本相同，因此，對於與前面實施例相同的部分，在此適當省略其說明。參見第5B圖，在遮罩層201與驅動薄膜電晶體的汲極205之間設置穿過第一絕緣層102、第二絕緣層103和第三絕緣層104的第三通孔503。通過第三通孔503，遮罩層201耦接至汲極205。這樣，能夠釋放在遮罩層201上積累的電荷。

雖然在第5B圖所示的實施例中，第三通孔503和第四通孔504在基板101上的正投影重合，但應當理解的是，第三通孔503和第四通孔504的尺寸和/或位置可以不同。

本發明的至少一個實施例提供了製造陣列基板的方法。第6圖示出了根據本發明一個實施例的製造陣列基板的方法的示意性流程圖。該方法可適用於製造如第3B圖、第4B圖或第5B圖所示的陣列基板。

如第6圖所示，在步驟610，在基板101之上形成遮罩層201。在本發明的一個實施例中，遮罩層201可以採用諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、鉻（Cr）等金屬或者其合金形成。另外，在本發明的一個實施例中，遮罩層201可以被形成為單層結構或者多層結構，例如Mo \ Al\Mo結構、Ti \ Cu\Ti結構、Mo\ Ti\ Cu結構等。

在步驟620，在遮罩層201之上形成第一絕緣層102。在本發明的實施例中，第一絕緣層102可以被形成為單層結構，其可以採用氮化矽或者氧化矽製成。當然，第一絕緣層102可以被形成為多層結構，例如氧化矽\氮化矽結構。

在步驟630，在第一絕緣層102之上形成驅動薄膜電晶體的主動層202，使得主動層202在基板101上的正投影與遮罩層201在基板101上的正投影至少部分重疊。在本發明的實施例中，主動層202可以被形成為在基板101上的正投影落入遮罩層201在基板101上的正投影以內。在本發明的實施例中，主動層202可以採用非晶矽材料、多晶矽材料或者金屬氧化物（例如銦鎵鋅氧化物IGZO）形成。

在步驟640，在主動層202之上形成導電結構，所述導電結構耦接至遮罩層201。

所述導電結構包括驅動薄膜電晶體的源極204、汲極205或閘極203。

在本發明的一個實施例中，在如第3B圖所示的陣列基板的製造中，在形成了主動層202之後，在主動層202之上形成第二絕緣層103，並形成穿過第一絕緣層102和第二絕緣層103的第一通孔501。然後，在第二絕緣層103上形成驅動薄膜電晶體的閘極203，閘極203通過第一通孔501耦接至遮罩層201。在本發明的一個實施例中，第二絕緣層103可以被形成為單層結構，其可以採用氮化矽或者氧化矽製成。在本發明的另一實施例中，第二絕緣層103可以被形成為多層結構，例如氧化矽\氮化矽結構。在本發明的一個實施例中，閘極203可以採用諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、鉻（Cr）等金屬或者其合金形成。另外，在本發明的另一實施例中，閘極203可以被形成為單層結構或者多層結構，例如Mo\Al\Mo結構、Ti\Cu\Ti結構、Mo\Ti\Cu結構等。

進一步地，在閘極203和第二絕緣層103上形成第三絕緣層104。在本發明的一個實施例中，第三絕緣層104可以被形成為單層結構，其可以採用氮化矽或者氧化矽製成。在本發明的另一實施例中，第三絕緣層104可以被形成為多層結構，例如氧化矽\氮化矽結構。

然後，在第三絕緣層104之上形成電源線301、驅動薄膜電晶體的源極204和汲極205，其中電源線301耦接到源極204。在本發明的一個實施例中，源極204和汲極205可以採用諸如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、鉻（Cr）等金屬或者其合金製造。在本發明的另一實施例中，源極204和汲極205可以是單層結構或者多層結構，例如Mo\Al\Mo結構、Ti\Cu\Ti結構、Mo\Ti\Cu結構等。另外，可以形成穿過第二絕緣層103和第三絕緣層104的相應的通孔，然後形成源極204和汲極205。從而，源極204和汲極205通過相應的通孔耦接至主動層202。

此外，在第三絕緣層104、電源線301、源極204和汲極205上形成第四絕緣層107。在本發明的一個實施例中，第四絕緣層107包括鈍化層和平坦層。鈍化層可以採用氮化矽或氧化矽形成。另外，鈍化層可以被形成為單層結構或者多層結構，例如氧化矽\氮化矽結構。在本發明的一個實施例中，平坦層可以例如採用樹脂材料形成。

附加地或者可選地，在第四絕緣層107上形成發光元件401。在本發明的一個實施例中，在第四絕緣層107上形成陽極層。在一些實施例中，陽極層可以被形成為採用例如氧化銦錫（ITO）製造的單層結構。在其它實施例中，陽極層可以被形成為多層結構，例如採用氧化銦錫和銀（Ag）製造的多層結構。在形成陽極層之前，形成穿過第三絕緣層104和第四絕緣層107的第四通孔504，從而使得陽極層耦接至驅動薄膜電晶體的汲極205。然後，在陽極層上形成有機發光層，並在有機發光層上形成陰極層。在本發明的實施例中，陰極層可以採用例如鋁或銀的金屬形成。

在本發明的實施例中，如第4B圖所示的陣列基板的製造過程與第3B圖所示的陣列基板的製造過程類似，因此，對於其中相同的部分，在此適當省略其說明。在製造如第4B圖所示的陣列基板中，不形成第一通孔501，而是形成穿過第一絕緣層102、第二絕緣層103和第三絕緣層104的第二通孔502，然後形成驅動薄膜電晶體的源極204和汲極205，所述源極204通過第二通孔502耦接至遮罩層201。

在本發明的實施例中，如第5B圖所示的陣列基板的製造過程與第3B圖或第4B圖所示的陣列基板的製造過程類似，因此，對於其中相同的部分，在此適當省略其說明。

在製造如第5B圖所示的陣列基板中，不形成第一通孔501，而是形成穿過第一絕緣層102、第二絕緣層103和第三絕緣層104的第三通孔503，然後形成驅動薄膜電晶體的源極204和汲極205，所述汲極205通過第三通孔503耦接至遮罩層201。

此外，第7圖示出了根據本發明的實施例的顯示面板的示意性框圖。如第7圖所示，顯示面板700可包括上述的如第3B圖、第4B圖或第5B圖所示的陣列基板701。

根據本發明的實施例的顯示面板可以用於任何具有顯示功能的產品或元件。這樣的產品或元件包括但不限於顯示裝置、可穿戴設備、行動電話、平板電腦、電視機、筆記型電腦、數位相框、導航儀等。

以上所述僅是本發明的示範性實施方式，而非用於限制本發明的保護範圍，本發明的保護範圍由所附的申請專利範圍確定。

101:基板 102:第一絕緣層（緩衝層） 103:第二絕緣層 104:第三絕緣層 105:鈍化層 106:平坦層 201:遮罩層 202:主動層 203:閘極 204:源極 205:汲極 301:電源線 302:資料線 303:閘極線 401:發光元件 501:第一通孔 502:第二通孔 503:第三通孔 504:第四通孔 610:步驟 620:步驟 630:步驟 640:步驟 700:顯示面板 701:陣列基板 T1:開關電晶體 T2:驅動電晶體 C:儲存電容

第1圖是發明人已知的OLED像素單元的示例性電路圖； 第2A圖是發明人已知的OLED陣列基板的平面示意圖； 第2B圖是沿第2A圖中的線A-A’的剖面圖； 第3A圖是根據本發明的一個實施例的陣列基板的平面示意圖；以及 第3B圖是沿第3A圖中的線A-A’的剖面圖； 第4A圖是根據本發明另一個實施例的陣列基板的平面示意圖； 第4B圖是沿第4A圖中的線A-A’的剖面圖； 第5A圖是根據本發明又一個實施例的陣列基板的平面示意圖； 第5B圖是沿第5A圖中的線A-A’的剖面圖； 第6圖是根據本發明的一個實施例的製造陣列基板的方法的示意性流程圖；以及 第7圖是根據本發明的一個實施例的顯示面板的示意性方塊圖。

201:遮罩層

202:主動層

203:閘極

204:源極

205:汲極

301:電源線

302:資料線

303:閘極線

401:發光元件

501:第一通孔

504:第四通孔

T1:開關電晶體

T2:驅動電晶體

Claims (8)

1. 一種陣列基板，包括：基板；遮罩層，設置在所述基板之上；第一絕緣層，設置在所述遮罩層之上；驅動薄膜電晶體的主動層，設置在所述第一絕緣層之上，所述主動層在所述基板上的正投影與所述遮罩層在所述基板上的正投影至少部分重疊；以及導電結構，所述導電結構設置在所述主動層之上並耦接至所述遮罩層，其中所述導電結構包括所述驅動薄膜電晶體的閘極，所述驅動薄膜電晶體的閘極與所述遮罩層耦接，所述驅動薄膜電晶體的源極與所述遮罩層不接觸並且彼此絕緣，所述驅動薄膜電晶體的汲極與所述遮罩層不接觸並且彼此絕緣。
2. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層設置在所述主動層之上。
3. 如申請專利範圍第2項所述的陣列基板，其中，所述導電結構是所述驅動薄膜電晶體的閘極，設置在所述第二絕緣層之上。
4. 如申請專利範圍第3項所述的陣列基板，其還包括第一通孔，所述第一通孔穿過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層，所述閘極通過所述第一通孔耦接至所述遮罩層。
5. 如申請專利範圍第2項所述的陣列基板，其還包括：閘極，設置在在所述第二絕緣層上；以及第三絕緣層，設置在所述閘極和所述第二絕緣層上。
6. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中，所述遮罩層由金屬或合金製成。
7. 一種顯示面板，包括如申請專利範圍第1至6項任一項所述的陣列 基板。
8. 一種製造陣列基板的方法，包括：在基板之上形成遮罩層；在所述遮罩層之上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層之上形成驅動薄膜電晶體的主動層，其中所述主動層在所述基板上的正投影與所述遮罩層在所述基板上的正投影至少部分重疊；以及在所述主動層之上形成導電結構，其中，所述導電結構耦接至所述遮罩層，其中所述導電結構包括所述驅動薄膜電晶體的閘極，所述驅動薄膜電晶體的閘極與所述遮罩層耦接，所述驅動薄膜電晶體的源極與所述遮罩層不接觸並且彼此絕緣，所述驅動薄膜電晶體的汲極與所述遮罩層不接觸並且彼此絕緣。

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