CN110767844A - 阵列基板及其制造方法、显示屏及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示屏及显示装置，制造方法包括：提供基板，在基板上形成第一导电膜层；对第一导电膜层进行图形化，以形成位于第一显示区的第一导电层及位于第二显示区的第二导电层；在第一导电层及第二导电层上形成第二导电膜层；对第一显示区的第二导电膜层进行图形化，去除覆盖第一导电层以外区域的第二导电膜层材料，以形成仅位于第一导电层上的第三导电层；在同一工艺过程中，在第三导电层和第二导电层上形成发光结构层，以形成第一显示区和第二显示区的发光结构层，其中，第一显示区的发光结构层的第一电极包括第一导电层和第三导电层的叠层，第二显示区的发光结构层的第一电极包括第二导电层。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示屏及显示装置。
背景技术
随着显示终端的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得显示终端的全面屏显示收到业界越来越多的关注。传统的显示终端如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等，但开槽区域并不能用来显示画面，如现有技术中的刘海屏，或者采用在屏幕上开孔的方式，对于实现摄像功能的电子设备来说，外界光线可通过屏幕上的开孔处进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，如在摄像头区域不能显示画面。
发明内容
基于此，本申请提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示屏及显示装置。
本申请提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括第一显示区和第二显示区，所述阵列基板的制造方法包括：提供基板，在基板上形成第一导电膜层；对所述第一导电膜层进行图形化，保留位于所述第一显示区和第二显示区上方的部分第一导电膜层材料，以形成位于第一显示区的第一导电层及位于第二显示区的第二导电层；在所述第一导电层及第二导电层上形成第二导电膜层；对所述第一显示区的第二导电膜层进行图形化，去除覆盖第一导电层以外区域的第二导电膜层材料，以形成仅位于第一导电层上的第三导电层；在同一工艺过程中，在所述第三导电层和第二导电层上形成发光结构层，以形成所述第一显示区和第二显示区的发光结构层，其中，所述第一显示区的发光结构层的第一电极包括第一导电层和第三导电层的叠层，所述第二显示区的发光结构层的第一电极包括第二导电层。
本申请提供一种阵列基板的制造方法的有益效果在于：在同一工艺过程中，形成第一显示区的第一电极及第二显示区的第一电极，相比于在不同工艺中分别形成第一显示区的第一电极及第二显示区的第一电极，简化制造工艺，提高产能，降低制造成本。
优选的，在形成位于第一显示区的第一导电层及位于第二显示区的第二导电层后，还包括：对第一导电层及第二导电层进行退火晶化。在进行退火晶化后，在刻蚀第二导电膜层时，第二导电层不会被第二导电膜层的刻蚀液刻掉，同时第一导电层与第二导电层与平坦化层紧密结合，从而提升产品的良率。
优选的，所述对第一导电膜层进行图形化，包括通过光刻和刻蚀制程对第一导电膜层进行图形化。
优选的，所述在第一导电层及第二导电层上形成第二导电膜层，包括：在第一导电层及第二导电层上形成第一子膜层；优选的，所述第一导电膜层位及第二子膜层为透明导电膜层，所述第一子膜层为非透明导电膜层。优选的，所述第一导电膜层及第二子膜层的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌，所述第一子膜层的材料包括银。所述第一子膜层可作为反射层，增加出射光线，提高光利用率，第二子膜层可选择功率函数较高的材料，例如选择氧化铟锡或氧化铟锌材料，用于提供空穴注入。
优选的，所述第一导电膜层的厚度为100～1000埃，所述第二子膜层的厚度为50～200埃。第一导电膜层的厚度为100～1000埃，以使第二导电层22满足提供空穴注入的要求且匹配透明显示区域的电阻值；所述第二子膜层的厚度为50～200埃，以满足第二子电子层满足提供空穴注入的要求及与其他膜层形成合适的微腔结构的要求。
优选的，所述阵列基板的制造方法包括：在所述第三导电层和第二导电层上形成发光结构层后，在发光结构层上形成第四导电层，所述第四导电层为所述发光结构层对应的第二电极；其中，所述第一显示区的第四导电层的光透过率小于第二显示区的第四导电层的光透过率。第一显示区和第二显示区的第一电极、发光结构层及第二电极均在同一个工艺中形成，避免了分别形成第一电极、发光结构层及第二电极而造成工艺复杂的问题，有利于进一步简化制造工艺，增加产能，降低制造成本。
优选的，所述基板包括衬底、形成于衬底上的驱动层及形成于驱动层上的平坦化层。
本申请还提供一种阵列基板，所述阵列基板通过如前所述的阵列基板的制造方法制成，所述阵列基板包括第一显示区及第二显示区，所述第一显示区为非透明显示区，第二显示区为透明显示区。阵列基板由前述阵列基板的制造方法制成，工艺简化，有利于降低阵列基板的制造成本。
优选的，第二显示区为形状为水滴形、矩形或圆形。
优选的，所述第一显示区至少部分包围所述第二显示区。
优选的，所述第二显示区为PMOLED基板，所述第一显示区为AMOLED基板。
优选的，第二显示区的发光结构层对应的第一电极的形状为圆形、方形、椭圆形或葫芦形。
优选的，第二显示区的发光结构层的形状为圆形、椭圆形或哑铃形。
优选的，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。
优选的，所述第二显示区的第二电极为面电极。
优选的，所述第二显示区的第二电极为单层结构或叠层结构，所述第二显示区的第二电极为单层结构时，所述第二显示区的第二电极为单层金属层、或单层金属混合物层、或单层透明金属氧化物层，所述第二显示区的第二电极为叠层结构时，所述第二显示区的第二电极为透明金属氧化物层与金属层的叠层、或所述第二显示区的第二电极为透明金属氧化物层与金属混合物层的叠层。
优选的，所述第二显示区的第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二显示区的第二电极的厚度大于或等于100埃，小于或等于500埃时，所述第二显示区的第二电极的厚度整体连续，且所述第二显示区的第二电极的透明度大于40％。
优选的，所述第二显示区的第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二显示区的第二电极的厚度大于或等于100埃，小于或等于200埃时，所述第二显示区的第二电极的厚度整体连续，且所述第二显示区的第二电极的透明度大于40％。
优选的，所述第二显示区的第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二显示区的第二电极的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第二显示区的第二电极的厚度整体连续，且所述第二显示区的第二电极的透明度大于50％。
优选的，所述第二显示区的第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二显示区的第二电极的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第二显示区的第二电极的厚度整体连续，且所述第二显示区的第二电极的透明度大于60％。
优选的，所述第二显示区的第二电极为单层结构时，所述单层金属层材料为Al、Ag，所述单层金属混合物层材料为MgAg或掺杂Al的金属混合材料，所述透明金属氧化物为ITO或IZO。本申请还提供一种显示屏，包括如前所述的阵列基板。
本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括设备本体及如前所述的显示屏，所述设备本体具有器件区；所述显示屏覆盖在所述设备本体上；其中，所述器件区位于所述第二显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述第二显示区进行光线采集的感光器件。
附图说明
图1为本申请阵列基板的制造方法的流程示意图；
图2为本申请基板的剖视示意图；
图3为本申请阵列基板的制造方法中在基板上形成第一导电膜层的剖视示意图；
图4为本申请阵列基板的制造方法中对第一导电膜层进行图形化的剖视示意图；
图5为本申请阵列基板的制造方法中在第一导电层上形成第二导电层的第一子膜层的剖视构示意图；
图6为本申请阵列基板的制造方法中在第一子膜层上形成第二导电层的第二子膜层的剖视示意图；
图7为本申请阵列基板的制造方法中对第二导电膜层进行图形化的结构示意图；
图8为本申请阵列基板的制造方法中形成像素限定层的剖视示意图；
图9为本申请阵列基板的制造方法中在第二导电层和第一导电层上形成发光结构层的剖视示意图；
图10为本申请阵列基板的制造方法中在发光结构层上形成第四电极膜层的剖视示意图；
图11为本申请阵列基板的制造方法中对第四导电膜层进行图形化的剖视示意图；
图12为本申请阵列基板的制造方法中在发光结构层上形成第四电极层的另一实施例的剖视示意图。
图13为本申请显示屏的一个实施例的结构示意图；
图14为本申请显示装置的一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
正如背景技术所述，为了提高透光率，本发明将感光器件对应的区域设置为透明显示区域，其他显示区域则为非透明显示区域，透明显示区域的膜层由透明材料制成，而非透明显示区域的膜层通常由非透明材料制成。进一步的，发明人发现，透明显示区的膜层和非透明显示区域的膜层在不同工艺中分别形成，这样必然导致工艺过程的增加和复杂化，降低产能，提高制造成本。
为解决上述技术问题，本实施例提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括第一显示区A及第二显示区B，所述第一显示区A为非透明显示区，例如为AMOLED基板，所述第二显示区B为透明显示区，例如PMOLED基板。
请结合图1，所述阵列基板的制造方法包括步骤S1-S7。
步骤S1：提供基板1，在基板1上形成第一导电膜层2，请参照图2及图3所示。
需要注意的是，在基板1上形成第一导电膜层2应理解为第一导电膜层2位于基板1上方，基板1与第一导电膜层2可以直接接触，也可以间隔有其他膜层。
在一个实施例中，基板1包括衬底11、形成于衬底11上的驱动层及形成于驱动层上的平坦化层19，可选的，驱动层为薄膜晶体管层。所述驱动层包括形成于所述第一显示区A的衬底11上的有源层12、形成于所述有源层12上的第一绝缘层13、形成于所述第一显示区A的第一绝缘层13上的栅极层14、形成于所述栅极层14上的第二绝缘层15、形成于所述第一显示区A的第二绝缘层15上的电容层16；形成于所述电容层16上的第三绝缘层17、形成于所述第一显示区A的第三绝缘层17上的源漏极层18。平坦化层19形成于所述源漏极层18上。当然，在其他实施例中，栅极层14还可以设置在源漏极层18的上方，即顶栅机构。
所述衬底11包括基底111及形成于基底111上的阻隔层112，所述基底111的材料可选用玻璃基底、PET基底、PI基底等，所述阻隔层112的材料选用SiNx和SiOx中的至少一种，以用于阻隔水氧；所述有源层12的材料可以为p型掺杂硅p-Si，也可以为非晶硅a-Si，还可以是金属氧化物；所述第一绝缘层13、第二绝缘层15及第三绝缘层17由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成；所述栅极层14及源漏极层18由金属材料制成；平坦化层19选用有机材料制成，例如氟化聚合物、聚对二甲苯、甲基环戊烯醇酮、聚丙烯酸酯等。
所述第一绝缘层13、第二绝缘层15及第三绝缘层17形成有第一通孔131和第二通孔132，所述源漏极层18包括源极181和漏极182，所述源极182和漏极182分别通过第一通孔131和第二通孔132与有源层12连接；所述平坦化层19设有过孔191，用于供阵列基板的电极与源极181或漏极182连接。
在一个实施例中，第一导电膜层2由氧化铟锡、氧化铟锌等透明导电材料中的至少一种形成，以氧化铟锡材料制成的第一导电膜层2为例，其与有机材料制成的平坦化层19之间具有较大的附着力，不易脱膜。
步骤S2：对第一导电膜层层2进行图形化，保留位于所述第一显示区A和第二显示区B的部分第一导电膜层材料，以形成位于第一显示区A的第一导电层21及位于第二显示区B的第二导电层22，请参照图4所示。
所述第一导电层21包括呈阵列排布的多个第一导电部(未图示)，第一导电部通过过孔191与源漏极层18的漏极182(或源极181)电连接，以接收驱动信号。所述第二导电层22包括呈阵列排布的多个第二导电部(未图示)，或者第二导电层22包括多个沿行方向或列方向排列的多个第二导电部(未图示)。
步骤S3：对第一导电层21及第二导电层22进行退火晶化。
在一个实施例中，例如在200～300℃下持续加热一个小时，对第一导电层21及第二导电层22进行退火晶化。在进行退火晶化后，可保证第一导电层21及第二导电层22(及第一导电层21及第二导电层22上方的膜层)不会因后续的光刻和刻蚀等图形化工艺而脱膜。例如，在刻蚀第二导电膜层时，第二导电层不会被第二导电膜层的刻蚀液刻掉，同时第一导电层与第二导电层与平坦化层紧密结合，从而提升产品的良率，降低制造成本。
步骤S4：在所述第一导电层21及第二导电层22上形成第二导电膜层3A。
在一个实施例中，请参照图5及图6所示，在所述第一导电层21及第二导电层22上形成第二导电膜层3A。第二导电膜层3A包括第一子膜层31A及第二子膜层32A。步骤S4包括：
子步骤S41：在第一导电层21及第二导电层22上形成第一子膜层31A；
子步骤S42：在第一子膜层31A上形成第二子膜层32A。
第一子膜层31A及第二子膜层32A成型方式与第一导电膜层层2成型工艺类似。
步骤S5：对所述第一显示区A的第二导电膜层3A进行图形化，去除覆盖第一导电层21区域的第二导电膜层材料，以形成仅位于第一导电层21上方的第三导电层3，请参照图7所示。
在一个实施例，第二导电膜层3包括第一子膜层31及第二子膜层41，对应的，第三导电层3包括第一子导电层31及形成于第一子导电层31上的第二子导电层。第三导电层3可以为单个导电层，也可为两个或两个以上导电层组成的导电层组。所述第一子膜层31A的材料包括银，所述第二导电层22及第二子膜层32A的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌等材料中的至少一种。第二子导电层31用于提供空穴注入，第一子导电层31作为反射金属层，将OLED光向上反射，提高光利用率，提升显示亮度，第一导电层作为第一子导电层31与平坦化层19的过渡层，提高第一子导电层31与平坦化层的附着力，避免脱膜的问题。
由于第二子导电层32需要为第一显示区A的空穴注入层(形成第一显示区的第一电极上)提供空穴注入，因此需要选取功率函数较高的材料，例如ITO材料。第二子导电层32同时还需要与其他膜层形成合适的微腔结构，以消除或减弱微腔效应，综合这两方面的因素，第二子导电层32的厚度(或者说第二子导电膜层)的可选范围为50～200埃。第二导电层22需要为第二显示区的空穴注入层，第二导电层22同时还要满足第二显示区域的电阻值要求，第二导电层22的厚度可选范围为100～1000埃。需要注意的是，第二子导电层32及第二导电层22与阵列基板的规格密切相关，而不能随意改变。
若在同一工序下形成导电膜层，并在图形化后形成厚度相同的第二导电层22及第二子导电层32，导电膜层的厚度需要满足提供空穴注入、形成合适的微腔结构、电阻值等要求，这对制造要求的要求非常高。而且，对于某些规格的阵列基板，可能并不存在这样的导电膜层的厚度，满足前述的各个要求。因此，本实施例中，第二导电层22及第二子导电层32在不同子工艺中形成。
所述第一显示区A的第一电极包括第一导电层21和第三导电层3(包括第一子导电层31及第二子导电层32)的叠层，所述第二显示区B的第一电极包括第二导电层22。也就是说，在同一工艺(可能包括多个子工艺)过程中，形成第一显示区A的第一电极及第二显示区B的第一电极，相比于在不同工艺(每个工艺可能包括多个子工艺)中分别形成第一显示区A的第一电极及第二显示区B的第一电极，简化制造工艺，提高产能，降低制造成本。
当然，阵列基板的制造方法还包括在第一显示区A的第一电极及第二显示区B的第一电极上形成空穴注入层和空穴传输层。
在一个实施例中，请参照图8所示，在所述第二子导电层32及第二导电层22上形成像素限定层4，像素限定层4具有像素开口41。
图1所述的步骤S6：在同一工艺过程中，在所述第三导电层3A和第二导电层22上形成发光结构层5，以形成所述第一显示区A和第二显示区B的发光结构层5，请参照图9所示。
所述发光结构层5包括第一显示区A的第一发光结构层51及第二显示区B的第二发光结构层52，所述第一发光结构层51对应的第一电极(即前述第一显示区A的第一电极，例如为阳极)包括第一导电层21和第三导电层3的叠层，第二发光结构层52对应的第一电极(即前述第二显示区B的第一电极，例如为阳极)包括第二导电层22。
在一个实施例中，所述第一发光结构层51对应的第一电极的形状可以为圆形、方形或椭圆形等，优选为方形，第二发光结构层52对应的第一电极的形状可以为圆形、方形、椭圆形或葫芦形等；所述第一发光结构层51的发光结构的形状可以为圆形、方形或椭圆形，优选为方形，第二发光结构层52的发光结构的形状为圆形、椭圆形或哑铃形，优选为圆形。
当然，阵列基板的制造方法还包括在发光结构层5上形成电子传输层和电子注入层。
步骤S7：在发光结构层上形成第四导电膜层6A，所述第四导电层为所述发光结构层对应的第二电极，请参照图10所示。
第一显示区A和第二显示区B的第一电极、发光结构层及第二电极均在同一个工艺中形成，避免了分别形成第一电极、发光结构层及第二电极而造成的工艺复杂的问题，有利于进一步简化制造工艺，增加产能，降低制造成本。
在一个实施例中，参看图11所示，对所述第四导电膜层6A进行图形化，形成第四导电层6，所述第四导电层包括第一显示区A的第四导电层61及第二显示区B的第四导电层62，第一显示区A的第四导电层61的厚度大于第二显示区B的第四导电层62的厚度，第二显示区B的第四导电层具有比第一显示区A的第四导电层61更大的光透过率，以实现第二显示区B的透明显示或近于透明显示。第二显示区B的第四导电层的厚度减薄可通过激光薄化来实现。当然，在其他实施例中，也可以通过改变第二显示区B的第四导电层62的材料，使第二显示区B的第四导电层62的光透过率大于第一显示区A的第四导电层61的光透过率。
在另一个实施例中，请结合图12，也可在发光结构层5上分别形成第一显示区的第二电极61A及第二显示区的第二电极62A，其中第一显示区A的第二电极61A的材料可选用合金材料或掺杂复合型材料。在一个实施例中，第二显示区B的第二电极62A的电极为面电极(即为整面结构)。所述第二显示区B的第二电极62A为单层结构或叠层结构，所述第二显示区B的第二电极62A为单层结构时，可选择单层金属层、或单层金属混合物层、或单层透明金属氧化物层，所述第二显示区B的第二电极62A为叠层结构时，可选择透明金属氧化物层与金属层的叠层或透明金属氧化物层与金属混合物层的叠层。
在一个实施例中，第二显示区B的第二电极62A掺杂有金属时，当所述第二显示区B的第二电极62A的厚度大于或等于100埃且小于或等于500埃时，所述第二显示区B的第二电极62A的厚度整体连续，且所述第二显示区B的第二电极62A的透明度大于40％；当所述第二显示区B的第二电极62A的厚度大于或等于50埃且小于或等于200埃时，所述第二显示区B的第二电极62A的厚度整体连续，且所述第二显示区B的第二电极62A的透明度大于50％；优选的，当第二显示区B的第二电极62A材料中掺杂有金属时，所述第二显示区B的第二电极62A的厚度大于或等于50埃且小于或等于200埃时，所述第二电极的厚度整体连续，且所述第二电极的透明度大于60％。
在一个实施例中，当所述第二显示区B的第二电极62A为单层结构时，所述单层金属层材料为Al、Ag，所述单层金属混合物层材料为MgAg或掺杂Al的金属混合材料，所述透明金属氧化物为ITO或IZO。
无论选择哪种材料，均可保证第二显示区B的第二电极62A具有足够大的光透过率，从而保证第二显示区B的实现透明显示或近于透明显示。
需要注意的是，上述步骤可根据实际需求进行调整、增加或缩减，例如在某些实施例中，不具有步骤S7。
本申请还提供一种阵列基板10，请继续参照结合图12所示，所述阵列基板通过前述阵列基板的制造方法制成。所述阵列基板10包括第一显示区A及第二显示区B，所述第一显示区A为非透明显示区，例如为AMOLED基板，所述第二显示区B为透明显示区，例如PMOLED基板。所述第二显示区B在不显示图像时为透明状或近似透明状，设置于第二显示区B下方的感光元件可通过第二显示区B获取光线。在一个实施例，第二显示区B可以为形状为水滴形、矩形或圆形，第一显示区A可以为矩形、直角矩形、圆角矩形等，所述第一显示区A至少部分包围所述第二显示区B。
请结合图13所示，本申请还提供一种显示屏100，其包括前述阵列基板及对阵列基板进行封装的封装层10。显示屏除了作为显示器件用外，还可以设置触控层，作为触控面板用。显示屏也可以作为半成品与其它部件集成、装配在一起形成如手机、平板电脑、车载显示屏等的显示装置。
请结合图14所示，本申请还提供一种显示装置，其包括设备主体200及所述显示屏100，所述显示屏100覆盖于所述设备本体200上，设备主体200具有器件区，所述器件区位于所述第二显示区B下方，且所述器件区中设置有透过所述第二显示区进行光线采集的感光器件201。感光器件201例如为红外传感器、摄像头、虹膜识别传感器等。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。
Claims (10)
1.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括第一显示区和第二显示区，其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括：
提供基板，在基板上形成第一导电膜层；
对所述第一导电膜层进行图形化，保留位于所述第一显示区和第二显示区的部分第一导电膜层材料，以形成位于第一显示区的第一导电层及位于第二显示区的第二导电层；
在所述第一导电层及第二导电层上形成第二导电膜层；
对所述第一显示区的第二导电膜层进行图形化，去除覆盖第一导电层以外区域的第二导电膜层材料，以形成仅位于第一导电层上的第三导电层；
在同一工艺过程中，在所述第三导电层和第二导电层上形成发光结构层，以形成所述第一显示区和第二显示区的发光结构层，其中，所述第一显示区的发光结构层对应的第一电极包括第一导电层和第三导电层的叠层，所述第二显示区的发光结构层对应的第一电极包括第二导电层。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：在形成位于第一显示区的第一导电层及位于第二显示区的第二导电层后，还包括：
对第一导电层及第二导电层进行退火晶化；
优选的，所述对第一导电膜层进行图形化，包括通过光刻和刻蚀制程对第一导电膜层进行图形化。
3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述在所述第一导电层及第二导电层上形成第二导电膜层，包括：
在所述第一导电层及第二导电层上形成第一子膜层；
在所述第一子膜层上形成第二子膜层。
4.如权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第一导电膜层及第二子膜层为透明导电膜层，所述第一子膜层为非透明导电膜层；
优选的，所述第一导电膜层及第二子膜层的材料包括氧化铟锡或氧化铟锌，所述第一子膜层的材料包括银；
优选的，所述第一导电膜层的厚度为100～1000埃，所述第二子膜层的厚度为50～200埃。
5.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述阵列基板的制造方法包括：在所述第三导电层和第二导电层上形成发光结构层后，
在发光结构层上形成第四导电层，所述第四导电层为所述发光结构层对应的第二电极；
其中，所述第一显示区的第四导电层的光透过率小于第二显示区的第四导电层的光透过率。
6.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述基板包括衬底、形成于衬底上的驱动层及形成于驱动层上的平坦化层。
7.一种阵列基板，其特征在于：所述阵列基板通过如权利要求1至6项所述的阵列基板的制造方法制成，所述阵列基板包括第一显示区及第二显示区，所述第一显示区为非透明显示区，第二显示区为透明显示区；
优选的，第二显示区的形状为水滴形、矩形或圆形；
优选的，所述第一显示区至少部分包围所述第二显示区；
优选的，所述第二显示区为PMOLED基板，所述第一显示区为AMOLED基板；
优选的，所述第二显示区的发光结构层对应的第一电极的形状为圆形、方形、椭圆形或葫芦形；
优选的，第二显示区的发光结构层的形状为圆形、椭圆形或哑铃形。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于：所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；
优选的，所述第二显示区的第二电极为面电极；
优选的，所述第二显示区的第二电极为单层结构或叠层结构，所述第二显示区的第二电极为单层结构时，所述第二显示区的第二电极为单层金属层、或单层金属混合物层、或单层透明金属氧化物层，所述第二显示区的第二电极为叠层结构时，所述第二显示区的第二电极为透明金属氧化物层与金属层的叠层、或所述第二显示区的第二电极为透明金属氧化物层与金属混合物层的叠层；
优选的，所述第二显示区的第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二显示区的第二电极的厚度大于或等于100埃，小于或等于500埃时，所述第二显示区的第二电极的厚度整体连续，且所述第二显示区的第二电极的透明度大于40％；
优选的，所述第二显示区的第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二显示区的第二电极的厚度大于或等于100埃，小于或等于200埃时，所述第二显示区的第二电极的厚度整体连续，且所述第二显示区的第二电极的透明度大于40％；
优选的，所述第二显示区的第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二显示区的第二电极的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第二显示区的第二电极的厚度整体连续，且所述第二显示区的第二电极的透明度大于50％；
优选的，所述第二显示区的第二电极材料中掺杂有金属时，所述第二显示区的第二电极的厚度大于或等于50埃，小于或等于200埃时，所述第二显示区的第二电极的厚度整体连续，且所述第二显示区的第二电极的透明度大于60％；
优选的，所述第二显示区的第二电极为单层结构时，所述单层金属层材料为Al、Ag，所述单层金属混合物层材料为MgAg或掺杂Al的金属混合材料，所述透明金属氧化物为ITO或IZO。
9.一种显示屏，其特征在于，包括如权利要求7-8所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
设备本体，具有器件区；
如权利要求9所述的显示屏，覆盖在所述设备本体上；
其中，所述器件区位于所述第二显示区下方，且所述器件区设置有透过所述第二显示区进行光线采集的感光器件。
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| CN110767844B (zh) | 2022-06-03 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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