CN110767688B - 显示面板、及其制备方法和显示终端 - Google Patents
显示面板、及其制备方法和显示终端 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110767688B CN110767688B CN201811290666.XA CN201811290666A CN110767688B CN 110767688 B CN110767688 B CN 110767688B CN 201811290666 A CN201811290666 A CN 201811290666A CN 110767688 B CN110767688 B CN 110767688B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- display area
- transparent
- display panel
- transparent display
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 19
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 claims description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 221
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-indiganyloxyindium Chemical compound [In]O[In] BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及一种显示面板、及其制备方法和显示终端,该显示面板具有相邻的第一显示区和第二显示区;所述第一显示区和所述第二显示区均用于显示动态或者静态画面;所述第一显示区下方可设置感光器件;所述显示面板包括设置于所述第一显示区的第一显示面板及设置于所述第二显示区的第二显示面板;第一显示区和第二显示区均用于进行显示动态或者静态画面的,可以真正实现全面屏显示。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板、及其制备方法和显示终端。
背景技术
随着电子设备的快速发展,用户对屏占比的要求越来越高,使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。传统的电子设备如手机、平板电脑等,由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等,故而可通过在显示屏上开槽(Notch),在开槽区域设置摄像头、听筒以及红外感应元件等,但开槽区域并不用来显示画面,如现有技术中的刘海屏,或者采用在屏幕上开孔的方式,对于实现摄像功能的电子设备来说,外界光线可通过屏幕上的开孔处进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏,并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示,如在摄像头区域不能显示画面。
发明内容
基于此,有必要针对传统的显示屏并不能从真正意义提高屏占比,实现真正的全面屏显示的问题,本申请提供一种显示面板、及其制备方法和显示终端。
一种显示面板,具有相邻的第一显示区和第二显示区;所述第一显示区和所述第二显示区均用于显示动态或者静态画面;所述第一显示区下方可设置感光器件;所述显示面板包括设置于所述第一显示区的第一显示面板及设置于所述第二显示区的第二显示面板;所述第一显示面板包括第一显示区对应的基板以及形成于所述第一显示区对应的基板上的第一电极层,所述第一显示面板的第一电极层包括所述第一显示面板的多个相互独立的第一电极,所述第一显示面板的第一电极的材料采用透明金属氧化物材质;所述第二显示面板包括第二显示区对应的基板以及形成于所述第二显示区对应的基板上的第一电极层,所述第二显示面板的第一电极层包括所述第二显示面板的多个相互独立的第一电极,形成所述第二显示面板的第一电极的材料包括非透明导电材质和透明金属氧化物材质。
在其中一个实施例中,所述第一显示面板为PMOLED显示面板,或所述一显示面板为AMOLED显示面板或类AMOLED显示面板,所述类AMOLED显示面板的像素电路仅包含一个开关元件;所述第二显示面板为PMOLED显示面板或AMOLED显示面板。
在其中一个实施例中,所述第一显示面板的各结构膜层材料的透光率大于90%,所述第一显示面板的透光率大于70%。
上述显示面板,具有均用于进行显示动态或者静态画面的第一显示区和第二显示区,可以真正实现全面屏显示。
一种制备显示面板的方法,包括:提供基板,所述基板划分为透明显示区域和非透明显示区域;于所述透明显示区域,形成所述透明显示区域对应的第一电极,所述透明显示区域对应第一电极的材料为透明金属氧化物材质;在完成所述透明显示区对应的第一电极的制备后,于所述非透明显示区域,形成所述非透明显示区域对应的第一电极,制备所述非透明显示区域对应的第一电极所用的材料包括非透明导电材质和透明金属氧化物材质。
上述制备显示面板的方法,通过先于非透明显示区域对应的第一电极制备透明显示区域对应的第一电极,避免非透明显示区域对应的第一电极底层金属的裸露,降低OLED显示器件易刺穿的几率。另外,可以保证非透明显示区域对应的第一电极的平整,避免非透明显示区域对应的第一电极受电场和电流影响而形成突丘。
在其中一个实施例中,所述形成所述透明显示区域对应的第一电极,包括:于所述透明显示区域,形成透明导电膜层;图案化所述透明导电膜层,形成所述透明显示区域对应的第一电极;对所述透明显示区域对应的第一电极进行晶化退火。
在其中一个实施例中,所述形成所述非透明显示区域对应的第一电极,包括:于所述非透明显示区域,形成非透明导电膜层;于所述非透明导电膜层上,形成透明导电膜层;同步图案化所述非透明导电膜层及所述透明导电膜层,形成所述非透明显示区域对应的第一电极。
在其中一个实施例中,所述同步图案化所述非透明导电膜层,形成所述非透明显示区域对应的第一电极之后,所述方法还包括:于所述透明显示区域和所述非透明显示区域,同步制备所述透明显示区域对应的第一像素限定层和所述非透明显示区域对应的第二像素限定层;对所述第一像素限定层及所述第二像素限定层进行加热,以固化所述第一像素限定层及所述第二像素限定层,并同时对所述非透明显示区域对应的第一电极进行退火;于所述透明显示区域和所述非透明显示区域,同步制备所述第一像素限定层开口位置处的第一有机发光层及所述第二像素限定层开口位置处的第二有机发光层;于所述透明显示区域,形成所述透明显示区域对应的第二电极;于所述非透明显示区域,形成所述非透明显示区域对应第二电极。
在其中一个实施例中,在所述同步制备所述第一像素限定层开口位置处的第一有机发光层及所述第二像素限定层开口位置处的第二有机发光层之前,所述方法还包括:于所述第一像素限定层上,制备第一支撑柱;于所述第二像素限定层上,制备第二支撑柱;其中,以所述基板的外表面所在的平面为高度的计量零点,所述第一支撑柱高度与所述第二支撑柱高度之间的差值的绝对值不大于1.5微米。优选地,所述第一支撑柱高度不大于所述第二支撑柱高度。
在其中一个实施例中,在所述形成所述透明显示区域对应的第二电极之前,所述方法还包括:于所述透明显示区域与所述非透明显示区域的交界处,制备隔离柱,以使所述透明显示区域对应的第二电极与所述非透明显示区域对应的第二电极绝缘;其中,所述隔离柱与所述第一像素限定层采用同一工艺步骤中形成;所述于所述透明显示区域,形成所述透明显示区域对应的第二电极,包括:于所述透明显示区域,在掩膜板的遮挡下,通过溅射工艺形成所述透明显示区域对应的第二电极。
一种显示终端,包括:设备本体,具有器件区;如上述任一实施例所述的显示面板,覆盖在所述设备本体上;其中,所述器件区位于所述显示面板的透明显示区域下方,且所述器件区中设置有透过所述透明显示区域进行光线采集的感光器件;优选地,所述器件区为开槽区;以及所述感光器件包括摄像头和/或光线感应器。
上述显示终端,通过采用前述任一实施例中的显示面板,可以实现真正意义上的全面屏显示,且能够正常工作。
附图说明
图1a为显示面板的纵向剖面示意图;
图1b一实施例中的显示面板的结构示意图;
图1c为一实施例中的第一显示面板的第一电极层的示意图;
图1d为一实施例中的第二显示面板的第一电极层的示意图;
图1e为一实施例中的类AMOLED显示面板的部分截面图;
图1f为一实施例中的类AMOLED显示面板的像素电路的电路原理图;
图2a为一实施例中的制备显示面板的方法的流程示意图;
图2b为一实施例中的显示面板的非透明显示区域的部分截面图;
图3为一实施例中的S220步骤的流程示意图;
图4为一实施例中的制备透明显示区域对应的第一电极的流程示意图;
图5为一实施例中的S230步骤的流程示意图;
图6a为一实施例中的制备显示面板的方法的流程示意图;
图6b为一实施例中的显示面板的部分截面图;
图7a为一实施例中的制备显示面板的方法的流程示意图;
图7b为一实施例中的显示面板的部分截面图;
图8a为一实施例中的制备显示面板的方法的流程示意图;
图8b至图8c为一实施例中的显示面板的部分截面图;
图9为一实施例中的显示面板的部分截面图;
图10为一实施例中的显示终端的结构示意图;
图11为一实施例中的设备本体的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术中所述,传统的电子设备如手机、平板电脑等,由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等,故而可通过在显示屏上开槽(Notch),在开槽区域设置摄像头、听筒以及红外感应元件等。但开槽区域并不用来显示画面,如现有技术中的刘海屏,或者采用在屏幕上开孔的方式,对于实现摄像功能的电子设备来说,外界光线可通过屏幕上的开孔处进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏,并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示,如在摄像头区域不能显示画面。
针对上述问题,技术人员研发了一种显示屏,其通过在开槽区域设置透明显示面板的方式来实现电子设备的全面屏显示。该显示面板具有相邻的第一显示区和第二显示区;第一显示区和第二显示区均用于显示动态或者静态画面;显示面板包括设置于第一显示区的第一显示面板及设置于第二显示区的第二显示面板;第一显示面板的各结构膜层材料采用透光材料材质。第一显示区下方可设置感光器件,从而实现真正意义上的全面屏。第一显示面板包括第一显示区对应的基板以及形成于第一显示区对应的基板上的第一电极层,第一电极层包括多个相互独立的第一电极,第一电极的材质为透明金属氧化物材质。
具体地,全面屏显示的显示面板包括透明显示区域和非透明显示区域,则显示面板的第一电极包括透明显示区域对应的第一电极和非透明显示区域对应的第一电极。透明显示区域对应的第一电极是透明电极,非透明显示区域对应的第一电极是非透明电极。透明显示区域的透明电极采用透明导电材料制成。非透明显示区域的非透明电极包括反射金属层和薄薄一层的透明金属氧化物导电层。反射金属层采用具有高反射率的金属制成,比如铝或银。透明金属氧化物导电层采用透明导电材料制成,比如氧化铟锡(ITO)等高透光性导电材料。
发明人研究发现,在生产包括透明显示屏的全面屏的过程中,金属电极的平整性对全面屏的工作性能是至关重要的,制备非透明显示区域的非透明电极与透明显示区域的透明电极的工艺顺序又影响着金属电极的平整性。特别是,如果先制备非透明显示区域的非透明电极,再制备透明显示区域的透明电极,那么在对透明显示区域的透明电极进行图像化的过程中,比如通过湿法刻蚀,所使用的化学溶液可以刻蚀掉非透明显示区域的透明金属氧化物导电层,从而造成非透明显示区域的反射金属层裸露出来,进而可能影响非透明显示区域的非透明电极的平整性,从而非透明显示区域对应的第一电极受电场和电流影响易形成突丘,进而可能造成显示面板第一电极与第二电极的短路,甚至损坏相应的像素形成暗点。
因此,本申请的实施例中创造性地提出一种显示面板的制备方法,该制备方法包括提供基板,基板包括透明显示区域和非透明显示区域,透明显示区域为透明显示区域;于透明显示区域,形成透明显示区域对应的第一电极;在完成透明显示区对应的第一电极的制备后,于非透明显示区域,形成非透明显示区域对应的第一电极。通过先于非透明显示区域对应的第一电极制备透明显示区域对应的第一电极,避免非透明显示区域对应的第一电极底层金属的裸露,并降低OLED显示器件被刺穿的几率。另外,可以保证非透明显示区域对应的第一电极的平整,避免非透明显示区域对应的第一电极受电场和电流影响形成突丘。
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
首先,结合图1a简单说明传统技术中显示面板的基本结构,该显示面板包括基板110、驱动层120、平坦化层130、第一电极140、有机发光层150、第二电极160以及像素限定层170。驱动层120包括TFT(薄膜晶体管)120。有机发光层150包括第一子像素181、第二子像素182和第三子像素183。第一电极140通过设于平坦化层130上的通孔与引线导电层电连接。像素限定层170上与有机发光层150对应的位置设有开口。当第一电极140被驱动层120驱动获得正电压时,有机发光层150位于第一电极140和第二电极160之间,发光层因激发产生可见光。根据电压的大小,光有不同的亮度。根据材料不同,例如第一子像素181可为红色子像素、第二子像素182可为蓝色子像素和第三子像素133的材料可为绿色子像素,发光层发射红色光、绿色光或蓝色光。
在一个实施例中,请参见图1b,本申请提供一种制备显示面板,该显示面板具有相邻的第一显示区101和第二显示区102;第一显示区101和第二显示区102均用于显示动态或者静态画面。第一显示区101下方可设置感光器件103。显示面板包括设置于第一显示区101的第一显示面板及设置于第二显示区102的第二显示面板。第一显示面板的各结构膜层材料采用透光材料材质。请参见图1c,第一显示面板包括第一显示区101对应的基板以及形成于第一显示区101对应的基板上的第一电极层105,第一电极层105包括多个相互独立的第一电极106,第一电极106的材质为透明金属氧化物材质。请参见图1d,第二显示面板包括第二显示区对应的基板以及形成于第二显示区对应的基板上的第一电极层108,第二显示面板的第一电极层108包括第二显示面板的多个相互独立的第一电极109,形成第二显示面板的第一电极109的材料包括非透明导电材质和透明金属氧化物材质。
第一显示区101的透光率大于第二显示区102的透光率。第一显示区101的下方可设置感光器件103。第一显示区101和第二显示区102均用于显示静态或者动态画面。由于第一显示区101为透明显示区域,因此当光线经过该显示区域时,能够确保位于该第一显示区101下方的感光器件103能够正常工作。可以理解,第一显示区101在感光器件103不工作时,可以正常进行动态或者静态画面显示,而在感光器件103工作时,可以处于不显示状态,从而确保感光器件103能够透过该显示面板正常进行光线采集。在其他的实施例中,第一显示区101和第二显示区102的透光率也可以相同,从而使得整个显示面板具有较好的透光均一性,确保显示面板具有较好的显示效果。
在一个实施例中,第一显示面板为PMOLED显示面板,或一显示面板为AMOLED显示面板或类AMOLED显示面板,类AMOLED显示面板的像素电路仅包含一个开关元件。第二显示面板为PMOLED显示面板或AMOLED显示面板。
其中,当第一显示面板为PMOLED显示面板,第二显示面板为AMOLED显示面板时,从而形成由PMOLED显示面板和AMOLED显示面板构成的全面屏。当第一显示面板为类AMOLED显示面板,第二显示面板为AMOLED显示面板时,从而形成由类AMOLED显示面板和AMOLED显示面板构成的全面屏。
请参见图1e,当第一显示面板为类AMOLED显示面板时,该类AMOLED显示面板包括基板以及设置于基板上的像素电路202(也即TFT阵列)。像素电路202上设置有第一电极层。第一电极层包括多个第一电极203。第一电极203与像素电路202一一对应。此处的第一电极203为阳极。类AMOLED显示面板还包括像素定义层204,设置于第一电极203上。像素定义层204上具有多个开口,开口内设置有有机发光层205,以形成多个子像素,子像素与第一电极203一一对应。有机发光层205的上方设置有第二电极206,第二电极206为阴极,该阴极为面电极,也就是由整面的电极材料形成的整面电极。像素电路202中设置有扫描线、数据线和TFT开关元件。扫描线和数据线均与TFT开关元件连接。扫描线控制TFT开关元件的开启和关闭,数据线在像素开启时,为第一电极203提供驱动电流,以控制子像素发光。
请参见图1f,与传统的AMOLED显示面板的像素电路不同,像素电路202仅包括开关器件,而不包括存储电容等元件,从而形成无电容结构。在本实施例中,像素电路202包括一个开关器件。开关器件与第一电极203一一对应设置,即一个子像素对应一个开关器件。开关器件包括第一端2a、第二端2b和控制端2c,详见后续具体介绍。扫描线与开关器件的控制端2c连接,数据线连接开关器件的第一端2a,第一电极203连接开关器件的第二端2b。上述像素电路202中,通过数据线连接开关元件的第一端2a,扫描线连接开关元件的控制端2c,能够将像素电路202中的开关元件减少至一个,大大降低扫描线的负载电流以及数据线的负载电流。
上述类AMOLED显示面板中扫描线控制像素电路202的开启和关闭,仅需提供像素电路202中的开关元件所需的开关电压,不需要输入发光结构(OLED)的电流,大大降低扫描线的负载电流,使得扫描线可以采用ITO等透明材料制作。并且,数据线在像素电路202开启时,为阳极提供驱动电流,控制子像素发光,数据线在每一时刻只需供应一个子像素的驱动电流,数据线的负载也很小。因此,数据线也可以采用ITO等透明材料,从而提高了显示屏的透光率。多个子像素共用面电极(阴极),每一时刻一行子像素的电流由整面阴极提供,对阴极的导电性要求大幅度降低,可以采用高透明电极,提高了透明度,提高了屏幕整体的一致性,并且不需要负性光刻胶分开阴极。
在一个实施例中,第一显示区下方可设置感光器件。第一显示面板的各结构膜层材料的透光率大于90%,第一显示面板的透光率大于70%。
第一显示面板可以为透明或者半透半反式的显示面板。第一显示面板的透明可以通过采用透光率较好的各层材料来实现。例如,各结构膜层均采用透光率大于90%的材料,从而使得整个显示面板的透光率可以在70%以上。进一步的,各结构膜层均采用透光率大于95%的材料,进一步提高显示面板的透光率,甚至使得整个显示面板的透光率在80%以上。具体地,可以将信号走线设置为ITO、IZO、Ag+ITO或者Ag+IZO等,绝缘层材料优选SiO2,SiNx以及Al2O3等,像素定义层则采用高透明材料。可以理解,第一显示面板的透明还可以采用其他技术手段实现。透明或者半透半反式的显示面板处于工作状态时能够正常显示画面,而当该显示面板处于其他功能需求状态时,外部光线可以透过该显示面板照射到置于该显示面板之下的感光器件等。
在一个实施例中,请参见图2a,本申请提供一种制备显示面板的方法,包括:
S210、提供基板,基板划分为透明显示区域和非透明显示区域。
其中,在基板上设置有第一显示区域和第二显示区域。其中,第一显示区域的透光率大于第二显示区域的透光率。即第一显示区域为透明显示区域,第二显示区域为非透明显示区域。第一显示区域的下方可设置感光器件。第一显示区域和第二显示区域均用于显示静态或者动态画面。因此当光线经过该显示区域时,能够确保位于该第一显示区域下方的感光器件能够正常工作。需要说明的是,在其他的实施例中,第一显示区域和第二显示区域的透光率也可以相同,从而使得整个显示面板具有较好的透光均一性,确保显示面板具有较好的显示效果。
具体地,首先提供基板,该基板划分为透明显示区域和非透明显示区域。透明显示区域在感光器件不工作时可以正常进行动态或者静态画面显示,而在感光器件工作时,可以处于不显示状态,从而确保感光器件能够透过该透明显示区域的显示面板正常进行光线采集。透明显示区域对应的显示面板为PMOLED显示面板或AMOLED显示面板,非透明显示区域对应的显示面板为AMOLED显示面板,以形成由PMOLED显示面板和AMOLED显示面板构成的全面屏。
非透明显示区域对应的基板包括像素电路。像素电路包括两个开关器件甚至更多个开关器件,还可以包括电容元件,根据需要将多个开关器件进行串联或者并联的连接,如2T1C、7T1C等像素电路。薄膜晶体管可以用作开关器件,即非透明显示区域对应的基板包括薄膜晶体管。请参见图2b,薄膜晶体管通常包括缓冲层211,形成在缓冲层211上的半导体层212,半导体层包括源区212a、漏区212b和位于源区212a与漏区212b之间的沟道区212c。薄膜晶体管还包括位于半导体层212上的栅极绝缘层213以及位于栅极绝缘层213上的栅极214。栅极214上包括层间绝缘层215,源极216和漏极217位于层间绝缘层215上,并通过接触孔电连接至源区212a和漏区212b。源极216和漏极217上覆盖有平坦化层130。可以理解是,层间绝缘层215与平坦化层130之间还设置有钝化层,钝化层的设置是本领域所公知,在此不再赘述。
S220、于透明显示区域,形成透明显示区域对应的第一电极。
将基板划分为透明显示区域和非透明显示区域之后,首先在透明显示区域,通过构图工艺制备透明显示区域对应的第一电极。为了最大化地提高透明显示区域的显示面板的整体透明度,透明显示区域对应的第一电极采用透明导电材料制成,透明导电材料的透光率大于90%,从而使得透明显示区域的显示面板的透光率可以在70%以上,透明显示区域的透明度更高。
透明显示区域对应第一电极的材料为透明导电材料,比如透明导电材料可以是透明金属氧化物材质,透明导电材料可为铟锡氧化物(ITO),也可为铟锌氧化物(IZO)、或者掺杂银的氧化铟锡(Ag+ITO)、或者掺杂银的氧化铟锌(Ag+IZO)。由于ITO工艺成熟、成本低,导电材料优选为铟锌氧化物。进一步的,为了在保证高透光率的基础上,减小各导电走线的电阻,透明导电材料采用铝掺杂氧化锌、掺杂银的ITO或者掺杂银的IZO等材料。在其它可替换实施例中,透明导电材料也可采用现有技术中其它材料,根据实际需要合理设置即可,本实施例对此不作限定。
S230、于非透明显示区域,形成非透明显示区域对应的第一电极。
在制备透明显示区域对应的第一电极之后,在非透明显示区域,通过构图工艺制备非透明显示区域对应的第一电极。制备所述非透明显示区域对应的第一电极所用的材料包括非透明导电材质和透明金属氧化物材质。
非透明显示区域对应的显示面板为AMOLED显示面板,根据显示面板的出光类型,比如顶发光类型或底发光类型,第一电极可以用做透明电极或反射电极。当第一电极用作透明电极时,第一电极可以利用可具有相对大的功函数的透明导电材料形成,材料例如氧化铟锡(ITO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化镓铟锌(GIZO)、掺有铝的氧化锌(AZO)等。这些可以单独使用或者以其的组合形式使用。当第一电极用作反射电极时,则第一电极可以利用金属,例如银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钯(Pd)等形成,或者利用这些金属的合金形成。考虑到AMOLED显示面板对功函数的要求,非透明显示区域对应的第一电极可以采用非透明金属层/透明金属层的双层结构,比如Al/ITO。非透明显示区域对应的第一电极也可以采用透明金属层/非透明金属层/透明金属层的三明治结构,比如ITO/Ag/ITO。
本实施例中,通过先于非透明显示区域对应的第一电极制备透明显示区域对应的第一电极,避免非透明显示区域对应的第一电极底层金属的裸露,从而降低OLED显示器件刺穿的几率。另外,可以保证非透明显示区域对应的第一电极的平整,降低非透明显示区域对应的第一电极受电场和电流影响形成突丘的几率。
在一个实施例中,请参见图3,形成透明显示区域对应的第一电极,包括以下步骤:
S310、于透明显示区域,形成透明导电膜层。
S320、图案化透明导电膜层,形成透明显示区域对应的第一电极。
S330、对透明显示区域对应的第一电极进行晶化退火。
其中,退火是一种金属热处理工艺,指的是将金属缓慢加热到一定温度,保持足够时间,然后以适宜速度冷却。本实施例中,通过溅射工艺采用透明导电材料在透明显示区域对应的基板上形成透明导电膜层,通过图形转移工艺刻蚀透明导电膜层,比如,在透明导电膜层涂覆一层光刻胶,图形化光刻胶层,并根据光刻胶层的图形通过湿法刻蚀去除未被掩盖的透明导电膜层以形成透明显示区域对应的第一电极。然后,在合适的温度下,对透明显示区域对应的第一电极进行晶化退火。
进一步地,请参见图4,于透明显示区域,形成第一透明导电膜层,包括:
S410、于透明显示区域,形成氧化铟锡膜层。
图案化第一透明导电膜层,形成透明显示区域对应的第一电极,包括:
S420、图案化氧化铟锡膜层,形成透明显示区域对应的第一电极。
本实施例中,在透明显示区域,采用溅射法形成氧化铟锡膜层。在氧化铟锡膜层涂覆一层光刻胶,图形化光刻胶层,并根据光刻胶层的图形通过湿法刻蚀去除未被掩盖的氧化铟锡膜层以形成透明显示区域对应的第一电极。优选地,透明显示区域的第一电极厚度为100纳米~150纳米。
在一个实施例中,请参见图5,形成非透明显示区域对应的第一电极,包括以下步骤:
S510、于非透明显示区域,形成非透明导电膜层。
S520、于非透明导电膜层上,形成透明导电膜层。
S530、同步图案化非透明导电膜层及透明导电膜层,形成非透明显示区域对应的第一电极。
非透明显示区域对应的显示面板是顶发光类型,在非透明显示区域,采用溅射法形成非透明显示区域对应的第一电极。非透明显示区域对应的第一电极包括反射层以及设置在反射层上的透明导电层,其中反射层可以采用包括镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铜(Cu)和铝(Al)中的一种或多种金属,设置在反射层上的透明导电层可以采用透明传导性氧化物,透明导电氧化物可包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铝锌氧化物(AZO)和铟氧化物(In2O3)中的至少一种。首先,于非透明显示区域,通过溅射工艺形成一层非透明金属膜层;其次,在非透明金属膜层上,通过溅射工艺形成一层透明导电膜层;然后在透明导电膜层涂覆一层光刻胶,图形化光刻胶层,并根据光刻胶层的图形通过湿法刻蚀去除未被掩盖的非透明金属膜层和透明导电膜层以形成非透明显示区域对应的第一电极。需要说明的是,非透明显示区域对应的第一电极也可以采用透明金属层/非透明金属层/透明金属层的三明治的结构。
在本实施例中,反射层采用铝(Al),设置在反射层上的透明导电层采用氧化铟锡(ITO),且铝层的厚度范围是120纳米至180纳米,设置铝层上的氧化铟锡层的厚度范围为10纳米至30纳米。优选地,铝层的厚度为150纳米,氧化铟锡层的厚度为20纳米。由于非透明显示区域的氧化铟锡层是薄薄的一层,如果先制备非透明显示区域的非透明电极,再对透明显示区域的透明电极进行图像化的过程中,通过湿法刻蚀掉图形化透明显示区域的氧化铟锡层时,非透明显示区域的氧化铟锡层易于被刻蚀掉。所以本实施例中,在非透明显示区域对应的第一电极之前,完成透明显示区域对应的第一电极的制备,避免了该问题。进一步的,可以保证非透明显示区域对应的电极的平整性,减少显示面板第一电极与第二电极间短路发生的几率。
在一个实施例中,请参见图6a,图案化非透明导电膜层,形成非透明显示区域对应的第一电极之后,该方法还包括以下步骤:
S610、于透明显示区域和非透明显示区域,同步制备透明显示区域对应的第一像素限定层和非透明显示区域对应的第二像素限定层。
S620、对第一像素限定层及第二像素限定层进行加热以固化第一像素限定层及第二像素限定层并对非透明显示区域对应的第一电极进行退火。
本实施例中,请参见图6b,基板210划分为透明显示区域220和非透明显示区域230。在形成透明显示区域220和非透明显示区域230分别对应的第一电极(未标出)后,在透明显示区域220和非透明显示区域230,同步制备透明显示区域220对应的第一像素限定层240和非透明显示区域230对应的第二像素限定层250。
在透明显示区域沉积第一像素限定层材料,对第一像素限定层材料进行曝光、显影、刻蚀去除像素开口处的第一像素限定层材料,以暴露出在像素开口对应的部分第一电极。在非透明显示区域沉积第二像素限定层材料,对第二像素限定层材料进行曝光、显影、刻蚀去除像素开口处的第二像素限定层材料,以暴露出像素开口对应的部分第一电极。然后,对第一像素限定层及第二像素限定层进行加热固化第一像素限定层及第二像素限定层。由于第一像素限定层及第二像素限定层的固化温度与非透明显示区域对应的第一电极的退化温度是基本相近的,所以,为了简化生产流程,将固化第一像素限定层及第二像素限定层的固化及非透明显示区域对应的第一电极的退火放在同一工艺步骤中完成。
其中,透明显示区域对应的第一像素限定层采用负性光感有机材料,非透明显示区域对应的第二像素限定层可以采用丙烯酸化合物、聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)和全氟环丁烷(PFCB)的有机材料。非透明显示区域对应的第二像素限定层也可以采用氮化硅、氧化硅和氮氧化硅等无机材料。
进一步地,请参见图7a,该制备方法还包括以下步骤:
S710、于透明显示区域和非透明显示区域,同步制备第一像素限定层开口位置处的第一有机发光层及第二像素限定层开口位置处的第二有机发光层。
S720、于透明显示区域,形成透明显示区域对应的第二电极。
S730、于非透明显示区域,形成非透明显示区域对应第二电极。
请参见图7b,通过构图工艺在透明显示区域220形成第一像素限定层240的图形,即形成第一像素限定层240的像素开口241;形成在非透明显示区域230形成第二像素限定层250的图形,即形成第二像素限定层250的像素开口251。为了减少工艺步骤,可以同步制备第一像素限定层240的像素开口241位置处的第一有机发光层260和第二像素限定层250的像素开口251位置处的第二有机发光层270。然后,在透明显示区域,形成覆盖第一像素限定层及第一有机发光层的第二电极280。在非透明显示区域,形成覆盖第二像素限定层及第二有机发光层的第二电极290。
示例性地,沿垂直于基板的方向,第一像素限定层240的截面形状均为倒梯形,第二像素限定层250截面形状均为正梯形。可以通过倒梯形的侧边向内延伸,在形成透明显示区域220的第二电极280时,倒梯形的第一像素限定层240可以隔断第二电极280。通过正梯形的侧边平缓向外延伸,在形成非透明显示区域230的第二电极290时,第二电极290可以覆盖第二像素限定层250的侧边,从而非透明显示区域230内的第二电极290是连续。
在一个实施例中,请参见图8a,在同步制备第一像素限定层开口位置处的第一有机发光层及第二像素限定层开口位置处的第二有机发光层之前,该方法还包括:
S810、于第一像素限定层上,制备第一支撑柱。
S820、于第二像素限定层上,制备第二支撑柱。
其中,以基板的外表面所在的平面为高度的计量零点,第一支撑柱高度与第二支撑柱高度之间的差值的绝对值不大于1.5微米。具体地,基板具有相对的两个表面,将基板面向地面的表面定义为基板的外表面,将用于形成各膜层结构的表面定义为基板的内表面。本实施例中,以基板的外表面所在的平面为高度的计量零点,第一支撑柱的高度指的是第一支撑柱的顶端与基板的外表面之间的距离,第二支撑柱的高度指的是第二支撑柱的顶端与基板的外表面之间的距离。进一步地,第一支撑柱高度不大于第二支撑柱高度。
由于非透明显示区域230对应的第二像素限定层250与透明显示区域220对应的第一像素限定层240不在同一水平面上且两者之间存在的高度差过大,从而导致在蒸镀像素时所用的掩膜板长期倾斜。请参见图8b,所以在第一像素限定层240上制备第一支撑柱242,在第二像素限定层250上第二支撑柱252,且第一支撑柱242和基板210的总厚度与第二支撑柱252和基板210的总厚度差值的绝对值不大于0.5微米,以减少非透明显示区域对应的第二像素限定层与透明显示区域对应的第一像素限定层之间的高度差。进一步地,由于掩膜板放置在高度相近的第一支撑柱242与第二支撑柱252上,降低了蒸镀时的混色异常发生的概率。
示例性地,沿垂直于基板的方向,第一支撑柱242的截面形状均为倒梯形,第二支撑柱252截面形状均为正梯形。可以通过倒梯形的侧边向内延伸,在形成透明显示区域220的第二电极时,倒梯形的第一像素限定层240和第一支撑柱242可以隔断第二电极。通过正梯形的侧边平缓向外延伸,在形成非透明显示区域230的第二电极时,第二电极可以覆盖第二像素限定层250和第二支撑柱252的侧边,从而非透明显示区域230内的第二电极是连续。透明显示区域的第二电极覆盖第一支撑柱242及对应的第一有机发光层260,且透明显示区域220的第二电极通过倒梯形的第一像素限定层240与第一支撑柱242而断开。而非透明显示区域230的第二电极覆盖第二支撑柱层252、第二像素限定层250及对应的第二有机发光层270,非透明显示区域230的第二电极层通过正梯形的第二像素限定层250与第二支撑柱252而连续。当非透明显示区域的显示面板是顶发光类型时,非透明显示区域的第二电极是透明电极。当非透明显示区域的显示面板是底发光类型时,非透明区域的第二电极是反射电极。第二电极的材料与第一电极的材料是类似的,在此不再赘述。
在一个实施例中,在形成透明显示区域对应的第二电极之前,该制备方法还包括:于透明显示区域与非透明显示区域交界处,制备隔离柱,以使透明显示区域对应的第二电极与非透明显示区域对应的第二电极断开。其中,隔离柱与第一像素限定层采用同一工艺步骤中形成。
请参见图8c,在透明显示区域220与非透明显示区域230之间的位置处设置有隔离柱310,将透明显示区域220对应的第二电极与非透明显示区域230对应的第二电极断开,从而可以避免透明显示区域与非透明显示区域分别对应的第二电极短接,使得显示面板可以正常工作。示例性地,隔离柱210可以采用倒梯形,通过倒梯形的侧边向内延伸,倒梯形的隔离柱可以隔断透明显示区域220的第二电极与非透明显示区域230的第二电极。由于第一显示区域采用倒梯形的第一像素限定层240和第一支撑柱242来隔断第二电极,所以隔离柱与第一像素限定层可以在同一工艺步骤中形成,以降低生产成本。
在一个实施例中,于透明显示区域,形成透明显示区域对应的第二电极,包括:于透明显示区域,在掩膜板的遮挡下,通过溅射工艺形成透明显示区域对应的第二电极。
为了有效隔断透明显示区域的第二电极,通过溅射工艺形成透明显示区域的第二电极的过程中,可以利用掩膜板。在掩膜板上,相邻的开口的两条相邻边之间具有第一间距,第一间距的宽度L2大于第一支撑柱242的宽度L1。请参见图9,在掩膜板的遮挡下,第二电极覆盖第一有机发光层260,第二电极没有覆盖第一支撑柱242。因此,通过该掩膜板不仅可以有效控制溅射过程中金属原子的运动方向,保证像素限定层的表面及侧壁上没有形成金属层,保证了第二电极之间的有效隔断。进一步地,通过溅射工艺形成的金属层具有较高的致密性,且该金属层极好的粘附在有机发光层上且不易脱落,增大两者之间粘附力,提高显示面板的可靠性。
在一个实施例中,本申请提供一种显示面板,该显示面板通过上述任一实施例中的方法制备所得。该显示面板具有透明显示区域和非透明显示区域。透明显示区域和非透明显示区域均用于显示动态或者静态画面。透明显示区域下方可以设置感光器件。当光线经过该透明显示区域时,从而能够确保位于该透明显示区域下方的感光器件能够正常工作。
在一个实施例中,本申请提供一种显示终端,包括:设备本体,具有器件区;如前述任一实施例中的显示面板,覆盖在设备本体上;其中,器件区位于透明显示区域下方,且器件区中设置有透过透明显示区域进行光线采集的感光器件。
图10为一实施例中的显示终端的结构示意图,该显示终端包括设备本体1010和显示面板1020。显示面板1020设置在设备本体1010上,且与该设备本体1010相互连接。其中,显示面板1020可以采用前述任一实施例中的显示面板,用以显示静态或者动态画面。
在一个实施例中,器件区为开槽区,以及感光器件包括摄像头和/或光线感应器。
图11为一实施例中的设备本体1010的结构示意图。在本实施例中,设备本体1010上可设有开槽区1011和非开槽区1012。在开槽区1011中可设置有诸如摄像头以及光传感器等感光器件930。此时,透明显示区域的显示面板对应于开槽区1011贴合在一起,以使得上述的诸如摄像头及光传感器等感光器件930能够透过该透明显示区域对外部光线进行采集等操作。由于透明显示区域中的显示面板为透明的,显示终端上感光器件930可以拍摄图像。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (12)
1.一种显示面板,其特征在于,具有相邻的第一显示区和第二显示区;所述第一显示区和所述第二显示区均用于显示动态或者静态画面;所述第一显示区下方可设置感光器件;所述显示面板包括设置于所述第一显示区的第一显示面板及设置于所述第二显示区的第二显示面板;
所述第一显示面板包括第一显示区对应的基板以及形成于所述第一显示区对应的基板上的第一电极层,所述第一显示面板的第一电极层包括所述第一显示面板的多个相互独立的第一电极,所述第一显示面板的第一电极的材料采用透明金属氧化物材质;所述第一显示面板的各结构膜层材料的透光率大于90%;
所述第二显示面板包括第二显示区对应的基板以及形成于所述第二显示区对应的基板上的第一电极层,所述第二显示面板的第一电极层包括所述第二显示面板的多个相互独立的第一电极,形成所述第二显示面板的第一电极的材料包括非透明导电材质和透明金属氧化物材质。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一显示面板为PMOLED显示面板,或所述一显示面板为AMOLED显示面板或类AMOLED显示面板,所述类AMOLED显示面板的像素电路仅包含一个开关元件;
所述第二显示面板为PMOLED显示面板或AMOLED显示面板。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一显示面板的透光率大于70%。
4.一种制备显示面板的方法,其特征在于,包括:
提供基板,所述基板划分为透明显示区域和非透明显示区域,所述透明显示区域和所述非透明显示区域均用于显示动态或者静态画面,所述透明显示区域下方设置感光元件;
于所述透明显示区域,形成所述透明显示区域对应的第一电极,所述透明显示区域对应第一电极的材料为透明金属氧化物材质;
在完成所述透明显示区对应的第一电极的制备后,于所述非透明显示区域,形成所述非透明显示区域对应的第一电极,制备所述非透明显示区域对应的第一电极所用的材料包括非透明导电材质和透明金属氧化物材质。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述形成所述透明显示区域对应的第一电极,包括:
于所述透明显示区域,形成透明导电膜层;
图案化所述透明导电膜层,形成所述透明显示区域对应的第一电极;
对所述透明显示区域对应的第一电极进行晶化退火。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述形成所述非透明显示区域对应的第一电极,包括:
于所述非透明显示区域,形成非透明导电膜层;
于所述非透明导电膜层上,形成透明导电膜层;
同步图案化所述非透明导电膜层及所述透明导电膜层,形成所述非透明显示区域对应的第一电极。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述同步图案化所述非透明导电膜层,形成所述非透明显示区域对应的第一电极之后,所述方法还包括:
于所述透明显示区域和所述非透明显示区域,同步制备所述透明显示区域对应的第一像素限定层和所述非透明显示区域对应的第二像素限定层;
对所述第一像素限定层及所述第二像素限定层进行加热,以固化所述第一像素限定层及所述第二像素限定层,并同时对所述非透明显示区域对应的第一电极进行退火;
于所述透明显示区域和所述非透明显示区域,同步制备所述第一像素限定层的像素开口位置处的第一有机发光层及所述第二像素限定层的像素开口位置处的第二有机发光层;
于所述透明显示区域,形成所述透明显示区域对应的第二电极;
于所述非透明显示区域,形成所述非透明显示区域对应第二电极。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述同步制备所述第一像素限定层的像素开口位置处的第一有机发光层及所述第二像素限定层的像素开口位置处的第二有机发光层之前,所述方法还包括:
于所述第一像素限定层上,制备第一支撑柱;
于所述第二像素限定层上,制备第二支撑柱;
其中,以所述基板的外表面所在的平面为高度的计量零点,所述基板的外表面为所述基板面向地面的表面,所述第一支撑柱的高度与所述第二支撑柱的高度之间的差值的绝对值不大于1.5微米,所述第一支撑柱的高度为所述第一支撑柱的顶端与所述基板的外表面之间的距离,所述第二支撑柱的高度为所述第二支撑柱与所述基板的外表面之间的距离。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一支撑柱的高度不大于所述第二支撑柱的高度。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述形成所述透明显示区域对应的第二电极之前,所述方法还包括:
于所述透明显示区域与所述非透明显示区域的交界处,制备隔离柱,以使所述透明显示区域对应的第二电极与所述非透明显示区域对应的第二电极绝缘;
其中,所述隔离柱与所述第一像素限定层采用同一工艺步骤中形成;
所述于所述透明显示区域,形成所述透明显示区域对应的第二电极,包括:
于所述透明显示区域,在掩膜板的遮挡下,通过溅射工艺形成所述透明显示区域对应的第二电极。
11.一种显示终端,其特征在于,包括:
设备本体,具有器件区;
如权利要求1至3任一项所述的显示面板,覆盖在所述设备本体上,所述显示面板具有相邻的第一显示区和第二显示区;所述第一显示区和所述第二显示区均用于显示动态或者静态画面;所述第一显示区下方可设置感光器件;所述显示面板包括设置于所述第一显示区的第一显示面板及设置于所述第二显示区的第二显示面板;
其中,所述器件区位于所述显示面板的透明显示区域下方,且所述器件区中设置有透过所述透明显示区域进行光线采集的感光器件。
12.根据权利要求11所述的显示终端,其特征在于,所述器件区为开槽区;以及所述感光器件包括摄像头和/或光线感应器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811290666.XA CN110767688B (zh) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 显示面板、及其制备方法和显示终端 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811290666.XA CN110767688B (zh) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 显示面板、及其制备方法和显示终端 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110767688A CN110767688A (zh) | 2020-02-07 |
CN110767688B true CN110767688B (zh) | 2022-04-15 |
Family
ID=69328923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811290666.XA Active CN110767688B (zh) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 显示面板、及其制备方法和显示终端 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110767688B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110767826B (zh) * | 2018-10-31 | 2022-05-17 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板和显示终端 |
CN111292617B (zh) | 2020-02-27 | 2021-06-29 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN112687190B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-06-17 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102322700B1 (ko) * | 2014-05-23 | 2021-11-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법 |
CN107425040B (zh) * | 2017-06-29 | 2019-10-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光显示面板及显示装置 |
CN207781599U (zh) * | 2017-09-30 | 2018-08-28 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示屏以及电子设备 |
CN108254963A (zh) * | 2018-03-20 | 2018-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示组件、显示装置及其驱动方法 |
CN108574054B (zh) * | 2018-04-17 | 2020-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法 |
-
2018
- 2018-10-31 CN CN201811290666.XA patent/CN110767688B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110767688A (zh) | 2020-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10446633B2 (en) | Transparent OLED display with transparent storage capacitor and manufacturing method thereof | |
CN109103231B (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
CN107808895B (zh) | 透明oled显示器及其制作方法 | |
CN110767844B (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示屏及显示装置 | |
KR102067966B1 (ko) | 유기발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
US8963137B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of fabricating the same | |
US12108647B2 (en) | Display substrate with light-transmitting display region | |
CN109004005B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN106997893B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
WO2020087799A1 (zh) | 显示屏及显示终端 | |
CN108649060B (zh) | Oled器件及其制备方法、显示装置 | |
US10418421B2 (en) | Silicon-based OLED image transceiving device and manufacture method thereof | |
WO2017080339A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
TWI514561B (zh) | 主動式矩陣有機發光二極體 | |
CN107302016B (zh) | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法 | |
CN110767826B (zh) | 显示面板和显示终端 | |
KR20180013226A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR102078022B1 (ko) | 양 방향 표시형 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
CN110767688B (zh) | 显示面板、及其制备方法和显示终端 | |
CN110752247A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
KR101820166B1 (ko) | 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법 | |
CN112038380A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
KR102122401B1 (ko) | 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
US11925087B2 (en) | Display substrate and preparation method thereof, and display apparatus | |
US20240260338A1 (en) | Organic Light Emitting Display Device and Method for Manufacturing the Same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |