CN113555400A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区位于所述第二显示区的至少一侧；所述第一显示区包括：基底、设置在所述基底上的发光结构层，所述发光结构层包括多个导电层，至少一个所述导电层设置有贯通所述导电层的多个开口。在不降低显示面板分辨率的同时，增加屏下摄像头区域显示面板的透过率。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开实施例涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示技术具有自发光、宽视角、高色域、低功耗、轻薄、透明等特点，使得OLED的设计更加自由。其中主动式OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)通过在每个像素中集成薄膜晶体管和电容器，可实现大尺寸、高分辨率面板。随着显示技术的发展，当下对智能手机屏的屏占比需求越来越高，为了达到更高的屏占比，屏下摄像头技术成为实现真正全面屏需求的技术难点。为了实现屏下摄像头在拍照时能够采集到更多的入射光，需要该位置处的显示面板具有高的光学透过率。而通常OLED显示面板中的薄膜晶体管、电容及导线、OLED像素单元等位置的透过率均较低，严重限制了显示面板的整体光学透过率。

发明内容

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，在不降低显示分辨率的同时，增加透过率。

一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区位于所述第二显示区的至少一侧；所述第一显示区包括：基底、设置在所述基底上的发光结构层，所述发光结构层包括多个导电层，至少一个所述导电层设置有贯通所述导电层的多个开口。

另一方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。

再一方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：在基底上形成发光结构层，所述发光结构层包括多个导电层，至少一个所述导电层设置有贯通所述导电层的多个开口。

本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过在一个或多个导电层设置有贯通所述导电层的开口，可以增加膜层的光学透过率，从而在不降低显示面板分辨率的同时，增加屏下摄像头区域显示面板的透过率。本公开示例性实施例显示基板的制备过程具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低。

当然，实施本公开的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本公开的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

图1A为本公开至少一实施例的显示基板的示意图；

图1B为本公开至少一实施例的显示基板的另一示意图；

图2为一种像素电路的等效电路图；

图3为一种显示基板第一显示区的剖面结构示意图；

图4为本公开实施例形成第二电容电极后的剖面结构示意图；

图5A为本公开实施例一种开口结构的示意图；

图5B为本公开实施例另一种开口结构的示意图；

图6为本公开实施例在第四走线层形成开口结构后的示意图；

图7为本公开实施例在阳极形成开口结构后的示意图；

图8为本公开实施例形成阴极诱导增透层后的示意图；

图9为本公开实施例通过诱导增透层实现对阴极诱导增透的效果图；

图10A为本公开实施例TFT区域与OLED发光区域不透光的示意图；

图10B为本公开实施例TFT区域、电容区域和OLED发光区域均透光的示意图。

附图标记说明:

10—基底； 11—第一绝缘层； 12—有源层；

13—第一走线层； 14—第二绝缘层； 15—栅电极；

16—第一电容电极； 17—第三绝缘层； 18—第二电容电极；

19—第四绝缘层； 20—源电极； 21—漏电极；

22—第四走线层； 23—平坦层； 24—阳极；

25—像素定义层； 26—有机发光层； 27—阴极；

28—诱导增透层； 41—像素电路层； 42—发光器件；

50—封装结构层； 401—薄膜晶体管； 402—存储电容。

具体实施方式

本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。

本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的方案。因此，应当理解，在本公开中示出或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行一种或多种修改和改变。

此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本公开实施例的精神和范围内。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或科学术语为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。本公开中，“多个”可以表示两个或两个以上的数目。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“耦接”、“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“电性的连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且可以包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。

在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本公开中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本公开中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本公开中，可以是第一极为漏电极、第二极为源电极，或者可以是第一极为源电极、第二极为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本公开中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，可以包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，可以包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

为提高该区域显示面板的透过率，有的像素设计方法在像素单元位置设置透过窗口区，实现了显示面板的高透过率，然而该技术降低了面板的显示分辨率，使屏下摄像头区域显示面板分辨率明显低于周边正常显示区域的分辨率。有的技术则在像素单元的电容区使用透明金属电极以改进电容区透过率，从而提高显示面板的透过率，然而仅通过提升电容区透过率对显示面板的整体透过率提升有限，而且OLED像素单元的阴极电极通常是连续一整面的半透明金属，进一步限制了显示面板的透过率提升。

为此，本公开实施例提供了一种在提升屏下摄像头区域面板的透光率的同时，又不降低屏下摄像头区域面板的显示分辨率的有效方案。

显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区位于所述第二显示区的至少一侧；所述第一显示区包括：基底、设置在所述基底上的发光结构层，所述发光结构层包括多个导电层，至少一个所述导电层设置有贯通所述导电层的多个开口。

其中，所述第一显示区例如为屏下摄像头区域，所述第二显示区例如为有效显示区域(AA)。

通过在一个或多个导电层设置有贯通所述导电层的开口，可以增加膜层的光学透过率，从而在不降低显示面板分辨率的同时，增加屏下摄像头区域显示面板的透过率。本公开示例性实施例显示基板的制备过程具有良好的工艺兼容性，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低。

在一示例性实施例中，所述发光结构层包括设置在所述基底上的第一绝缘层以及设置在所述第一绝缘层上的半导体层，所述半导体层包括有源层和第一走线层，所述有源层设置有贯通所述有源层的多个开口，和/或，所述第一走线层设置有贯通所述第一走线层的多个开口。

在一示例性实施例中，所述发光结构层包括在所述基底依次叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层，以及第一金属层，所述第一金属层包括栅电极、第一电容电极和第二走线层，其中，所述栅电极、第一电容电极和第二走线层中的一个或多个设置有所述开口，所述栅电极中的多个开口贯通所述栅电极，所述第一电容电极中的多个开口贯通所述第一电容电极，所述第二走线层中的多个开口贯通所述第二走线层。

在一示例性实施例中，所述发光结构层包括在所述基底依次叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层，以及第二金属层，所述第二金属层包括第二电容电极和第三走线层，其中，所述第二电容电极设置有贯通所述第二电容电极的多个开口，和/或，所述第三走线层设置有贯通所述第三走线层的多个开口。

在一示例性实施例中，所述发光结构层包括在所述基底依次叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层，以及第三金属层，所述第三金属层包括源电极、漏电极和第四走线层，其中，所述源电极、漏电极和第四走线层中的一个或多个设置有所述开口，所述源电极中的多个开口贯通所述源电极，所述漏电极中的多个开口贯通所述漏电极，所述第四走线层中的多个开口贯通所述第四走线层。

在一示例性实施例中，所述发光结构层包括在所述基底依次叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第三金属层、平坦层，以及导电层，所述导电层包括阳极，其中，所述阳极设置有贯通所述阳极的多个开口。

在一示例性实施例中，多个所述导电层设置有所述开口，所述多个导电层在基底上的正投影有重叠区域，所述多个导电层的开口在所述重叠区域的正投影重叠。例如，当所述第一走线层、第一电容电极以及第二电容电极设置有所述开口时，在垂直基底方向上，上述导电层在基底的正投影有重叠区域，所述第一走线层、第一电容电极以及第二电容电极的多个开口至少在基底所述重叠区域内的正投影重叠，或者说各导电层的多个开口位置在垂直基底方向上相对应，以使光线能从远离基底的导电层的开口射入到靠近基底的导电层的开口中，提高电容区域的光线的透过率。当所述第一走线层、第一电容电极及第二电容电极中的部分导电层设置有开口时，也可以采用如上开口重叠的设置方式。再例如，当所述有源层、栅电极、源电极和漏电极设置有所述开口时，在垂直基底方向上，上述导电层在基底的正投影有重叠区域，所述有源层、栅电极、源电极和漏电极的多个开口至少在基底所述重叠区域内的正投影重叠，即各导电层的多个开口位置相对应，可以提高TFT区域的光线的透过率。当所述有源层、栅电极、源电极和漏电极中的部分导电层设置有开口时，也可以采用如上开口重叠的设置方式。

在示例性实施例中，所述开口形状可以为圆形，或者可以为三角形、四边形、五边形或六边形等多边形形状。

在示例性实施例中，所述发光结构层还包括阴极，所述阴极远离基底一侧的表面设置有诱导增透层。通过设置诱导增透层，可以降低阴极表面的反射率，进而可以增加透光率。可选地，所述诱导增透层可以采用二氧化硅SiO2和三氧化二铝Al2O3中的任意一种或多种，厚度可以为30-500纳米。

图1A为本公开至少一实施例的显示基板的示意图。图1B为本公开至少一实施例的显示基板的另一示意图。

在一些示例性实施方式中，显示基板包括：第一显示区R1和第二显示区R2，第一显示区R1可以位于第二显示区R2的至少一侧。在一些示例中，第二显示区R2部分围绕第一显示区R1。例如，图1A示出的第一显示区R1位于显示基板的顶部正中间位置，第一显示区R1的一侧与周边区域相邻，其余三侧由第二显示区R2围绕。然而，本实施例对此并不限定。例如，第一显示区R1可以位于显示基板的左上角位置或右上角位置等其他位置。

在一些示例性实施方式中，如图1B所示，第二显示区R2可以围绕第一显示区R1。其中，第一显示区R1可以位于显示基板的上半部的正中间位置。然而，本实施例对此并不限定。第一显示区R1的设置位置可根据需要而定。

在一些示例性实施方式中，如图1A和图1B所示，第一显示区R1和第二显示区R2可以均为矩形，例如圆角矩形。然而，本实施例对此并不限定。例如，第一显示区R1可以为圆形或椭圆形或多边形等其他形状，第二显示区R2可以为圆形、四边形或五边形等其他形状。例如，第一显示区R1和第二显示区R2的形状可以相同，或者不同。

在一些示例性实施方式中，第一显示区R1可以为透光显示区。例如，感光传感器(如摄像头)等硬件在显示基板上的正投影可以位于显示基板的第一显示区R1内。本示例的显示基板无需打孔，在确保显示基板实用性的前提下，可以使真全面屏成为可能。

在一些示例性实施方式中，显示基板可以包括设置在衬底基板上的多个子像素，至少一个子像素包括像素电路和发光元件。像素电路配置为驱动发光元件。例如，像素电路配置为提供驱动电流以驱动发光元件发光。例如，发光元件可以为有机发光二极管(OLED)，发光元件在其对应的像素电路的驱动下发出红光、绿光、蓝光、或者白光等。发光元件发光的颜色可根据需要而定。

在一些示例性实施方式中，为了提高第一显示区R1的光透过率，可以在第一显示区R1仅设置发光元件，而将驱动第一显示区R1的发光元件的像素电路设置在第二显示区R2。即，通过发光元件和像素电路分离设置的方式来提高第二显示区R2的光透过率。或者，也可以在第一显示区R1设置像素电路和发光元件，本公开对此不做限制。以下示例以在第一显示区R1设置像素电路和发光元件为例进行说明，不设置像素电电路时可参照实施。

像素电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。图2为一种像素电路的等效电路图。如图2所示，像素电路可以包括6个开关晶体管(第一晶体管T1、第二晶体管T2、第四晶体管T4至第七晶体管T7)、一个驱动晶体管T3，1个存储电容Cst和若干信号线(包括：数据信号线DT、扫描信号线GT、初始信号线INIT1、第一电源线PL1、第二电源线PL2、发光控制线EML、以及第一复位控制线RST1和第二复位控制线RST2)。发光元件EL包括第一极E1、第二极E2以及位于第一极E1和第二极E2之间的有机发光层。例如，第一极E1可以为阳极，第二极E2可以为阴极。

在一些示例性实施方式中，驱动晶体管和六个开关晶体管可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。在一些示例性实施方式中，驱动晶体管和六个开关晶体管可以采用低温多晶硅薄膜晶体管，或者可以采用氧化物薄膜晶体管，或者可以采用低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。低温多晶硅薄膜晶体管的有源层采用低温多晶硅(LTPS，LowTemperature Poly-Silicon)，氧化物薄膜晶体管的有源层采用氧化物半导体(Oxide)。

如图2所示，显示基板包括扫描线GT、数据线DT、第一电源线PL1、第二电源线PL2、发光控制线EML、初始信号线INIT1、第一复位控制线RST1和第二复位控制线RST2。在一些示例中，第一电源线PL1配置为向像素电路提供恒定的第一电压信号VDD，第二电源线PL2配置为向像素电路提供恒定的第二电压信号VSS，并且第一电压信号VDD大于第二电压信号VSS。扫描线GT配置为向像素电路提供扫描信号SCAN，数据线DT配置为向像素电路提供数据信号DATA，发光控制线EML配置为向像素电路提供发光控制信号EM，第一复位控制线RST1配置为向像素电路提供第一复位控制信号RESET1，第二复位控制线RST2配置为向像素电路提供扫描信号SCAN。例如，在一行像素电路中，第二复位控制线RST2可以与扫描线GT相连，以输入扫描信号SCAN。然而，本实施例对此并不限定。例如，第二复位控制信号线RST2可以被输入第二复位控制信号RESET2。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，驱动晶体管T3与发光元件EL电连接，并在扫描信号SCAN、数据信号DATA、第一电压信号VDD、第二电压信号VSS等信号的控制下输出驱动电流以驱动发光元件EL发光。数据写入晶体管T4的栅极与扫描线GT相连，数据写入晶体管T4的第一极与数据线DT相连，数据写入晶体管T4的第二极与驱动晶体管T3的第一极相连。阈值补偿晶体管T2的栅极与扫描线GT相连，阈值补偿晶体管T2的第一极与驱动晶体管T3的栅极相连，阈值补偿晶体管T2的第二极与驱动晶体管T3的第二极相连。第一发光控制晶体管T5的栅极与发光控制线EML相连，第一发光控制晶体管T5的第一极与第一电源线PL1相连，第一发光控制晶体管T5的第二极与驱动晶体管T3的第一极相连。第二发光控制晶体管T6的栅极与发光控制线EML相连，第二发光控制晶体管T6的第一极与驱动晶体管T3的第二极相连，第二发光控制晶体管T6的第二极与发光元件EL的第一极E1相连。第一复位晶体管T1与驱动晶体管T3的栅极相连，并配置为对驱动晶体管T3的栅极进行复位，第二复位晶体管T7与发光元件EL的第一极E1相连，并配置为对发光元件EL的第一电极E1进行复位。第一复位晶体管T1的栅极与第一复位控制线RST1相连，第一复位晶体管T1的第一极与第一初始信号线INIT1相连，第一复位晶体管T1的第二极与驱动晶体管T3的栅极相连。第二复位晶体管T7的栅极与第二复位控制线RST2相连，第二复位晶体管T7的第一极与第一初始信号线INIT1相连，第二复位晶体管T7的第二极与发光元件EL的第一极E1相连。存储电容Cst的第一电极与驱动晶体管T3的栅极相连，存储电容Cst的第二电极与第一电源线PL1相连。在本示例中，第一节点N1为存储电容Cst、第一复位晶体管T1、驱动晶体管T3和阈值补偿晶体管T2的连接点，第二节点N2为第一发光控制晶体管T5、数据写入晶体管T4和驱动晶体管T3的连接点，第三节点N3为驱动晶体管T3、阈值补偿晶体管T2和第二发光控制晶体管T6的连接点，第四节点N4为第二发光控制晶体管T6、第二复位晶体管T7和发光元件EL的连接点。

图3为一种显示基板第一显示区的剖面结构示意图，示意了OLED显示基板三个子像素的结构。如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，显示基板可以包括设置在基底10上的像素电路层41(或称驱动电路层)、设置在像素电路层41远离基底10一侧的发光器件42以及设置在发光器件42远离基底10一侧的封装结构层50。在一些可能的实现方式中，显示基板可以包括其它膜层，如隔垫柱等，本公开在此不做限定。

下面通过显示基板的制备过程说明本公开实施例的技术方案。

本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“相同层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。

以下所述示例性显示基板包括基底和发光结构层，其中所述发光结构层包括像素电路层和发光器件。

(1)在玻璃载板上制备基底10。在一些示例性实施方式中，制备过程可以包括：

在玻璃载板上涂布一层透明材料，固化成膜，形成第一材料层，完成基底10的制备。在一些示例中，第一材料层的厚度范围可以为5微米(μm)至20μm。在一些示例中，透明材料可以采用透明聚酰亚胺(CPI)。除了采用玻璃载板外，在其他实施例所述载板还可以是塑料材质。

(2)在基底10上制备像素电路层图案。在示例性实施方式中，在基底10上制备像素电路层图案可以包括：

如图4所示，在基底10上通过化学气相沉积(PECVD)第一绝缘薄膜，形成覆盖基底10的第一绝缘层11，在第一绝缘层11上沉积半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成设置在第一绝缘层11上的半导体层图案，半导体层图案至少包括位于每个子像素中的有源层12及被掺杂导体化的第一走线层13。通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化时，使第一走线层13形成开口(例如孔形)结构图案，图5为一种开口结构的示意图，开口的形状可以为圆形(如图5A所示)或者可以为多边形(如图5B所示)，可以提高第一走线层13的光学透过率。第一走线层中的走线包括但不限于复位控制线(第一复位控制线RST1和第二复位控制线RST2)、扫描信号线GT和发光控制线EML。

所述半导体薄膜材料可以是多晶硅、非晶硅或金属氧化物等材料。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层14，以及设置在第二绝缘层14上的第一金属层图案，第一金属层图案至少包括位于子像素中的栅电极15、第一电容电极16和第二走线层(图中未示出)。通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化时，使第一电容电极16和第二走线层形成开口结构图案，以提高第一电容电极16和第二走线层的光学透过率。在本实施例中，第一电容电极16上的开口与第一走线层13中的开口相对应，即开口在基底的正投影至少部分重合。第二走线层中的走线包括但不限于初始信号线INIT1。

所述第二绝缘薄膜材料可以是如SiO2、Al2O3、SiNx等材料。所述第二绝缘层14为高透过率的无机膜层。

随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，形成覆盖第一金属层的第三绝缘层17，以及设置在第三绝缘层17上的第二金属层图案，第二金属层图案至少包括位于每个子像素中的第二电容电极18和第三走线层(图中未示出)，第二电容电极18在基底上的正投影与第一电容电极16在基底上的正投影存在重叠区域。如图4所示。通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化时，使第二电容电极18和第三走线层形成开口结构图案，以提高第二电容电极18和第三走线层的光学透过率。在本实施例中，第二电容电极18上的开口与第一电容电极16上的开口以及第一走线层13中的开口相对应，即开口在基底的正投影至少部分重合。第三走线层中的走线包括但不限于数据信号线DT和电源线(第一电源线PL1、第二电源线PL2)。

其中，有源层12、第一电容电极16、第二走线层、第二电容电极18和第三走线层可分别在制备每一层时进行开口结构图案化，以提高每一层的光学透过率，或者可以在形成第二金属薄膜后后再通过深孔刻蚀工艺统一进行开口结构图案化，以提高这几层膜层的光学透过率。

所述第三绝缘薄膜材料可以是如SiO2、Al2O3、SiNx等材料。所述第三绝缘层17为高透过率的无机膜层。

随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺形成多个第一过孔图案，第一过孔内的第四绝缘层19、第三绝缘层17和第二绝缘层14被刻蚀掉，暴露出有源层的两端。所述第四绝缘薄膜材料可以是如SiO2、Al2O3、SiNx等材料。所述第四绝缘层19为高透过率的无机膜层。

随后，沉积第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化，在第四绝缘层19上形成第三金属层图案，第三金属层图案至少包括位于子像素中的源电极20、漏电极21和第四走线层22，源电极20和漏电极21分别通过第一过孔与有源层连接。如图6所示。通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化时，使第四走线层22形成开口，以提高第四走线层的光学透过率。

随后，涂覆平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，形成平坦层23(PLN)，平坦层23上形成有第二过孔，第二过孔内的平坦层被去掉，暴露出每个子像素中的漏电极。所述平坦层为高透过率的有机或无机膜层。

至此，在基底10上制备完成像素电路层41图案。在示例性实施方式中，有源层、栅电极、源电极和漏电极组成第一晶体管401，第一电容电极和第二电容电极组成存储电容402。在示例性实施方式中，第一晶体管401可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。

在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层可称为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层可称为层间绝缘(ILD)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。

(3)在形成前述图案的基底上制备发光器件。在示例性实施方式中，在形成前述图案的基底上制备发光器件可以包括：

在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过图案化工艺对透明导电薄膜进行图案化，形成阳极图案，阳极图案至少包括位于每个子像素中的阳极24(即前述第一极E1)，阳极24通过第二过孔与第一晶体管401的漏电极21连接。通过图案化工艺对透明导电薄膜进行图案化时，使阳极24形成孔形结构图案，以提高阳极的光学透过率，如图7所示。

随后，涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义层(PDL，Pixel Definition Layer)25，像素定义层25在每个子像素形成有像素开口，像素开口内的像素定义层被去掉，暴露出阳极24的表面。如图7所示。

随后，依次形成有机发光层26和阴极27(即前述第二极E2)，有机发光层与像素开口内的阳极连接，阴极与有机发光层连接。如图8所示。

其中对于阴极，可为一整面的半透明金属层，也可为图案化的半透明金属层。半透明阴极的透过率能够达到45％，通过在阴极表面形成一层诱导增透层28，可以降低阴极表面对光线的反射率，进一步提高阴极光学透过率，该诱导增透层厚度为30nm-500nm(纳米)，膜层可选择SiO2、Al2O3或两者的堆叠组合结构膜层。诱导增透膜实现对阴极诱导增透的效果如图9所示。由图9可以明显看出，增加60nm材料为SiO2的诱导增透层，或者增加50nm材料为Al2O3的诱导增透层后，光透过率明显提升，

在示例性实施方式中，不同颜色的发光器件42的发光层不同。例如，红色发光元件包括红色发光层，绿色发光元件包括绿色发光层，蓝色发光元件包括蓝色发光层。

在示例性实施方式中，透明导电薄膜可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。

通过上述过程，完成了包括基底、发光结构层显示基板的制备。

在示例性实施例中，可以在发光结构层上制备封装结构层。所述封装结构层可以包括以下一种或多种：无机封装层、有机封装层、无机封装层和有机封装层的层叠结构。无机封装层材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或者氧化铝等，厚度可以约为2000埃至12000埃。有机封装层材料可以包括丙烯酸酯或环氧等，厚度可以约为1.0μm至8.0μm。无机封装层可以通过沉积方式形成，有机封装层可以通过喷墨或涂覆方式形成。

本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，OLED显示基板不仅可以顶发射结构，也可以是底发射结构。又如，薄膜晶体管不仅可以是顶栅结构，也可以是底栅结构，不仅可以是双栅结构，也可以是单栅结构。再如，薄膜晶体管可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管，驱动结构层和发光结构层中还可以设置其它电极、引线和结构膜层，本公开实施例在此不做限定。

以上示例性实施例以对电容区上下金属电极板、金属电极走线区以及OLED阳极区域进行开口结构图案化设计为例进行说明，即TFT区域不透光、电容区域与OLED发光区域透光。在其他实施例中，可以只对电容区上下金属电极板以及金属电极走线区进行开口结构图案化设计，图10A所示为TFT区域与OLED发光区域不透光、电容区域透光的示意图。在其他实施例中，在不影响TFT特性情况下，可以对TFT的有源层、栅电极、源电极、漏电极进行开口结构图案化设计，以提高基板的光学透过率。图10B所示为TFT区域、电容区域和OLED发光区域均透光的示意图。

从以上描述的显示基板的结构以及制备过程可以看出，本公开实施例通过对屏下摄像头OLED显示面板上的阳极金属、电容区域金属电极和金属电极走线进行金属开口图案化设计，并对OLED显示面板的阴极电极上方制作一层阴极诱导增透膜，实现了在不降低屏下摄像头区域OLED显示面板分辨率的同时，提升了屏下摄像头区域面板的光学透过率，达到高分辨率显示与屏下摄像头透光成像的效果。本公开示例性实施例显示基板的制备过程具有良好的工艺兼容性，不需要额外增加掩膜，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低。

基于本公开实施例的技术构思，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法。所示显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区位于所述第二显示区的至少一侧；本实施例显示基板的制备方法包括：

在基底上形成发光结构层，所述发光结构层包括多个导电层，至少一个所述导电层设置有贯通所述导电层的多个开口。

在一示例性实施例中，所述在基底上形成发光结构层，包括：

在基底上依次叠设第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第三金属层、平坦层，以及导电层；

其中：所述半导体层包括有源层和第一走线层，所述第一金属层包括栅电极、第一电容电极和第二走线层，所述第二金属层包括第二电容电极和第三走线层，所述第三金属层包括源电极、漏电极和第四走线层，所述导电层包括阳极；

所述有源层、第一走线层、栅电极、第一电容电极、第二走线层、第二电容电极、第三走线层、源电极、漏电极、第四走线层以及阳极中的一种或多种设置有所述开口。

在一示例性实施例中，多个所述导电层设置有所述开口，所述多个导电层在基底上的正投影有重叠区域，所述多个导电层的开口在所述重叠区域的正投影重叠。

在一示例性实施例中，所述发光结构层还包括阴极，所述阴极远离基底一侧的表面设置有诱导增透层，所述诱导增透层采用二氧化硅SiO2和三氧化二铝Al2O3中的任意一种或多种，厚度为30-500纳米。

本实施例中，膜层的结构、材料、相关参数及其详细制备过程已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。

本实施例提供了一种显示基板的制备方法，通过在一个或多个导电层设置有贯通所述导电层的开口，可以增加膜层的光学透过率，从而在不降低显示面板分辨率的同时，增加屏下摄像头区域显示面板的透过率。本实施例的制备方法利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。

基于本公开实施例的技术构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区位于所述第二显示区的至少一侧；所述第一显示区包括：基底、设置在所述基底上的发光结构层，所述发光结构层包括多个导电层，至少一个所述导电层设置有贯通所述导电层的多个开口。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括设置在所述基底上的第一绝缘层以及设置在所述第一绝缘层上的半导体层，所述半导体层包括有源层和第一走线层，所述有源层设置有贯通所述有源层的多个开口，和/或，所述第一走线层设置有贯通所述第一走线层的多个开口。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括在所述基底依次叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层，以及第一金属层，所述第一金属层包括栅电极、第一电容电极和第二走线层，其中，所述栅电极、第一电容电极和第二走线层中的一个或多个设置有所述开口，所述栅电极中的多个开口贯通所述栅电极，所述第一电容电极中的多个开口贯通所述第一电容电极，所述第二走线层中的多个开口贯通所述第二走线层。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括在所述基底依次叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层，以及第二金属层，所述第二金属层包括第二电容电极和第三走线层，其中，所述第二电容电极设置有贯通所述第二电容电极的多个开口，和/或，所述第三走线层设置有贯通所述第三走线层的多个开口。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括在所述基底依次叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层，以及第三金属层，所述第三金属层包括源电极、漏电极和第四走线层，其中，所述源电极、漏电极和第四走线层中的一个或多个设置有所述开口，所述源电极中的多个开口贯通所述源电极，所述漏电极中的多个开口贯通所述漏电极，所述第四走线层中的多个开口贯通所述第四走线层。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括在所述基底依次叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第三金属层、平坦层，以及导电层，所述导电层包括阳极，其中，所述阳极设置有贯通所述阳极的多个开口。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的显示基板，其特征在于，多个所述导电层设置有所述开口，所述多个导电层在基底上的正投影有重叠区域，所述多个导电层的开口在所述重叠区域的正投影重叠。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述开口形状为圆形或多边形。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层还包括阴极，所述阴极远离基底一侧的表面设置有诱导增透层。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述诱导增透层采用二氧化硅SiO2和三氧化二铝Al2O3中的任意一种或多种，厚度为30-500纳米。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的显示基板。

12.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所示显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区位于所述第二显示区的至少一侧；所述制备方法包括：

在基底上形成发光结构层，所述发光结构层包括多个导电层，至少一个所述导电层设置有贯通所述导电层的多个开口。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成发光结构层，包括：

在基底上依次叠设第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第三金属层、平坦层，以及导电层；

其中：所述半导体层包括有源层和第一走线层，所述第一金属层包括栅电极、第一电容电极和第二走线层，所述第二金属层包括第二电容电极和第三走线层，所述第三金属层包括源电极、漏电极和第四走线层，所述导电层包括阳极；

所述有源层、第一走线层、栅电极、第一电容电极、第二走线层、第二电容电极、第三走线层、源电极、漏电极、第四走线层以及阳极中的一种或多种设置有所述开口。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，多个所述导电层设置有所述开口，所述多个导电层在基底上的正投影有重叠区域，所述多个导电层的开口在所述重叠区域的正投影重叠。

15.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，其中：

所述发光结构层还包括阴极，所述阴极远离基底一侧的表面设置有诱导增透层，所述诱导增透层采用二氧化硅SiO2和三氧化二铝Al2O3中的任意一种或多种，厚度为30-500纳米。

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