JP4631683B2 - 発光装置、及び電子機器 - Google Patents
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Description
このような課題を解決するために、有機EL装置の基板にガラスや金属からなる封止部材を接着して、水分や酸素の浸入を防止する方法が一般的に採用されてきた。しかし、ディスプレイの大型化及び薄型化/軽量化に伴い、接着した封止部材のみで水分や酸素の浸入を防ぐことが難しくなってきている。また、大型化に伴って駆動素子や配線を形成する面積を十分に確保するため、封止部材側から光を取り出すトップエミッション構造を用いる必要性も提案されている。このような要求を達成するために、透明でかつ軽量、耐強度性に優れた薄膜を用いた封止構造が求められている。
このため、ガスバリア層の下層側に、略平坦な上面を有する有機緩衝層を配置することにより、ガスバリア層におけるクラックの発生を防止することが考えられている。すなわち、基板の反りや体積膨張により発生する応力を、この有機緩衝層により緩和することができる。更に、有機緩衝層の上面を略平坦化することにより、有機緩衝層の上面に配置されるガスバリア層も平坦化されるので、ガスバリア層に応力が集中する部位がなくなり、クラックの発生を防止できる。
ところが、有機緩衝層が熱変形(膨張及び収縮)した際には、ガスバリア層にクラックが発生してしまうため、外部からの水分の浸入を完全に防ぐことができないという問題がある。
発光装置が、基体上に、複数の第一電極と、前記第一電極の形成位置に対応した複数の開口部を有する隔壁と、前記開口部のそれぞれに配置される有機機能層と、前記隔壁及び前記有機機能層を覆う第二電極と、前記第二電極を覆う有機緩衝層と、前記有機緩衝層を覆うガスバリア層と、前記有機緩衝層とガスバリア層との間に配置され、弾性率が前記有機緩衝層よりも大きく且つ前記ガスバリア層よりも小さい中間保護層を有するようにした。
この発明によれば、有機緩衝層が熱変形(膨張及び収縮)したとしても、ガスバリア層との間に、中間保護層が配置されているため、ガスバリア層に有機緩衝層の変形の影響が直接伝わらず、ガスバリア層におけるクラック等の欠陥の発生を防止することができる。特に、有機緩衝層のパターン端面周辺を覆うガスバリア層にクラック等の欠陥が発生しやすいので、この領域に中間保護層を配置することにより、ガスバリア層におけるクラック等の欠陥の発生を効果的に防止することができる。
有機緩衝層のパターンの端面周辺を覆うガスバリア層にクラック等の欠陥が発生しやすいので、この領域に中間保護層を配置することにより、ガスバリア層におけるクラック等の欠陥の発生を効果的に防止することができる。
また、前記中間保護層が、前記有機緩衝層のパターン及びその周囲を覆う様に延在して配置されているものでは、有機緩衝層のパターンの端面近傍から有機緩衝層への水分の浸入を効果的に防止することができる。
また、前記第二電極を覆う電極保護層を有するものでは、製造プロセス時における第二電極の腐食やダメージを防止することができる。
また、前記ガスバリア層が、前記中間保護層のパターン及びその周囲を覆う様に延在して配置されているものでは、中間保護層及び有機緩衝層を外部の水分から保護することができる。
また、前記ガスバリア層を覆う保護層を有するものでは、ガスバリア層を外部からの機械的衝撃に対して保護することができる。
また、前記有機緩衝層の端部における接触角度が、45°以下で形成されているものでは、有機緩衝層の熱変形(膨張及び収縮)のガスバリア層への影響が緩和されるので、ガスバリア層にクラック等の欠陥が発生する可能性を大幅に低減することができる。
例えば、前記中間保護層としては、金属弗化物により形成することができる。特に、弗化リチウム又は弗化ナトリウムにより形成することが好適である。
更に、前記中間保護層としては、アルミニウムに代表される金属により形成することができる。
また、前記有機緩衝層が、エポキシ樹脂からなるものでは、良好な緩衝層を形成することができる。
この発明によれば、有機緩衝層が熱変形(膨張及び収縮)したとしても、ガスバリア層との間に、中間保護層が配置されているため、ガスバリア層に有機緩衝層の変形の影響が直接伝わらず、ガスバリア層におけるクラック等の欠陥の発生を防止することができる。特に、有機緩衝層のパターン端面周辺を覆うガスバリア層にクラック等の欠陥が発生しやすいので、この領域に中間保護層を配置することにより、ガスバリア層におけるクラック等の欠陥の発生を効果的に防止することができる。
また、前記第一ガスバリア層が、前記有機緩衝層のパターン及びその周囲を覆う様に延在して配置され、前記中間保護層が、前記有機緩衝層のパターン及びその周囲を覆う様に延在して配置されているものでは、中間保護層及び第一ガスバリア層により有機緩衝層への水分の浸入を防止することができる。
また、前記第二ガスバリア層が、前記中間保護層のパターン及びその周囲を覆う様に延在して配置されているものでは、有機緩衝層への水分の浸入を更に確実に防止することができる。
また、前記第一ガスバリア層と前記第二ガスバリア層とが、前記基体の外周部において接触するように配置されるものでは、中間保護層への水分の浸入を確実に防止することができる。
また、前記有機緩衝層の端部における接触角度が、45°以下で形成されているものでは、有機緩衝層の熱変形(膨張及び収縮)のガスバリア層への影響が緩和されるので、ガスバリア層にクラック等の欠陥が発生する可能性を大幅に低減することができる。
例えば、前記中間保護層としては、金属弗化物により形成することができる。特に、弗化リチウム又は弗化ナトリウムにより形成することが好適である。
更に、前記中間保護層としては、アルミニウムに代表される金属により形成することができる。
また、前記有機緩衝層が、エポキシ樹脂からなるものでは、良好な緩衝層を形成することができる。
この発明によれば、有機緩衝層が熱変形(膨張及び収縮)したとしても、ガスバリア層との間に、中間保護層が配置されているため、ガスバリア層に直接有機緩衝層の変形の影響が伝わらず、ガスバリア層におけるクラック等の欠陥の発生を防止することができる。特に、有機緩衝層のパターン端面周辺を覆うガスバリア層にクラック等の欠陥が発生しやすいので、この領域に中間保護層を配置することにより、ガスバリア層におけるクラック等の欠陥の発生を効果的に防止することができる。
この発明によれば、有機緩衝層が熱変形(膨張及び収縮)したとしても、ガスバリア層との間に、中間保護層が配置されているため、ガスバリア層に直接有機緩衝層の変形の影響が伝わらず、ガスバリア層におけるクラック等の欠陥の発生を防止することができる。特に、有機緩衝層のパターン端面周辺を覆うガスバリア層にクラック等の欠陥が発生しやすいので、この領域に中間保護層を配置することにより、ガスバリア層におけるクラック等の欠陥の発生を効果的に防止することができる。
また、前記有機緩衝層が、エポキシ樹脂からなるものでは、良好な緩衝層を形成することができる。
図1は、本発明の第一実施形態に係るEL表示装置1の配線構造を示す図である。
EL表示装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFTと略記する)を用いたアクティブマトリクス型のEL表示装置である。
なお、以下の説明では、EL表示装置1を構成する各部位や各層膜を認識可能とするために、各々の縮尺を異ならせている。
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路100が接続される。また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路80が接続される。
EL表示装置1は、図2に示すように電気絶縁性を備えた基板20と、スイッチング用TFT(図示せず)に接続された画素電極が基板20上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域(図示せず)と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線(図示せず)と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部3(図2中一点鎖線枠内)とを具備して構成されたアクティブマトリクス型のものである。
なお、本発明においては、基板20と後述するようにこれの上に形成されるスイッチング用TFTや各種回路、及び層間絶縁膜などを含めて、基体200と称している。(図3、4参照)
実表示領域4には、それぞれ画素電極を有する表示領域R、G、BがA−B方向およびC−D方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置される。
また、実表示領域4の図2中両側には、走査線駆動回路80が配置される。これら走査線駆動回路80は、ダミー領域5の下側に配置されたものである。
なお、発光層60としては、代表的には発光層(エレクトロルミネッセンス層)であり、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えるもの。さらには、正孔阻止層(ホールブロッキング層)、電子阻止層(エレクトロン阻止層)を備えるものであってもよい。
このような構成のもとに、発光素子はその発光層60において、正孔輸送層70から注入された正孔と陰極50からの電子とが結合することにより発光する。
正孔輸送層70の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いて正孔輸送層70を形成することができる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
また、必要に応じて、このような発光層60の上に電子注入層を形成してもよい。
なお、有機隔壁層221の開口部221aの各壁面の基体200表面に対する角度が、110度以上から170度以下となっている。このような角度としたのは、発光層60をウエットプロセスにより形成する際に、開口部221a内に配置されやすくするためである。
陰極保護層55は、透明性、緻密性、耐水性、ガスバリア性を考慮して、緻密かつ高弾性率の珪素酸窒化物などの窒素を含む珪素化合物や、酸化チタン等の金属化合物などの無機化合物により形成されたものが好ましい。陰極保護層55を形成する材料の弾性率としては、100GPa以上が好ましい。
また、陰極保護層55の形成方法としては、ECRスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法が用いられる。なお、陰極保護層55の膜厚は、クラック発生を防ぐため、200nm以下が好ましく、特に30〜100nmが好ましい。
なお、陰極保護層55は、基体200の外周部の絶縁層284に接触するように陰極を被覆し、30nmから100nm程度の厚みに形成される。
有機緩衝層210は、有機隔壁層221の形状の影響により、凸凹状に形成された陰極50の凸凹部分を埋めるように配置され、更に、その上面は略平坦に形成される。有機緩衝層210は、基体200の反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、不安定な有機隔壁層221からの陰極50の剥離を防止する機能を有する。また、有機緩衝層210の上面が略平坦化されるので、有機緩衝層210上に形成される硬い被膜からなるガスバリア層30も平坦化されるので、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層30へのクラックの発生を防止する。
更に、酸無水の開環を促進する硬化促進剤として、芳香続アミンやアルコール類、アミノフェノールなどの比較的分子量の高いものを添加することで、低温かつ短時間での硬化が可能となる。
硬化時間を短縮するためによく用いられるカチオン放出タイプの光重合開始剤を用いると、膜が着色してしまったり急激な硬化収縮により発光層60に応力が加わり剥離等が発生するので好ましくないが、触媒としての光反応剤や陰極50やガスバリア層30との密着性を向上させるシランカップリング剤、イソシアネート化合物等の補水剤、硬化時の収縮を防ぐ微粒子などの添加剤が混入されていてもよい。
また、硬化後の特性としては、有機緩衝層210の弾性率が1〜10GPaであることが好ましい。10GPa以上では、有機隔壁層221上を平坦化した際の応力を吸収することができず、1GPa以下では耐摩耗性や耐熱性等が不足するためである。
更に、3−アミノプロピルトリメトキシシランや3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤等の珪素化合物を含んだ高分子を用いることにより、陰極50やガスバリア層30等の無機材料との界面の接着性を向上させることができる。
中間保護層212を形成する材料としては、弾性率がガスバリア層30よりも低く、有機緩衝層210よりも高いものである。具体的には、弾性率が10〜100GPa(1〜10(×1010Nm−2))の材料を好適に用いることができる。
例えば、窒化物や酸化物に比べて弾性率の低い金属、又は弗化化合物等が好ましい。特に、LiF、MgF2等のアルカリハライド(弾性率15〜68GPa)、Mg(弾性率41GPa)、Zn(弾性率43GPa)、Al(弾性率69GPa)、Ag(弾性率76GPa)、SiO2(弾性率94GPa)、NaF(弾性率50GPa)、Sn(弾性率55GPa)等の無機材料を用いることができる。
なお、有機緩衝層210の弾性率は、10GPa以下である。例えば、有機緩衝層210をエポキシ樹脂により形成した場合には、弾性率は、3〜5GPa(0.3〜0.5×1010Nm−2)である。また、ガスバリア層30の弾性率は、100GPa以上である。例えば、ガスバリア層30を窒化珪素、酸窒化珪素により形成した場合には、弾性率は、200〜400GPa(20〜40(×1010Nm−2))である。
また、中間保護層212を形成する材料としては、有機緩衝層210とガスバリア層30に対して、密着性が良好に得られるものを採用することが好ましい。
ガスバリア層30は、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による陰極50や発光層60の劣化等を抑えることができる。
また、ガスバリア層30は、例えば無機化合物からなるもので、好ましくは珪素化合物、特に耐水性に優れる窒素を含有する珪素窒化物や珪素酸窒化物などによって形成される。更に、水蒸気などのガスを遮断するため緻密で欠陥の無い被膜にする必要があり、好適には低温で緻密な膜を形成できる高密度プラズマ成膜法を用いて形成する。なお、珪素化合物以外でも、例えばアルミニウム酸化物や酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックスなどからなっていてもよい。
ガスバリア層30の弾性率は、100GPa以上、具体的には200〜250Pa程度が好ましい。
また、このようなガスバリア層30の厚さとしては、30nm以上、1000nm以下であるのが好ましい。特に、ガスバリア層30の膜厚は、200〜600nm程度が好ましい。
30nm未満であると、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に貫通孔が形成されてしまい、ガスバリア性が損なわれてしまうおそれがあるからであり、1000nmを越えると、応力による割れが生じてしまうおそれがあるからである。
また、同様の問題から、中間保護層212とガスバリア層30の合計膜厚は1000nm以下にすることが好ましい。
また、本実施形態ではトップエミッション型としていることから、ガスバリア層30は透光性を有する必要があり、したがってその材質や膜厚を適宜に調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば80%以上にしている。
有機緩衝層210は、陰極保護層55上に形成されるようになっており、その端部においては陰極保護層55の表面と接触角αで接触している。ここで、接触角αは45°以下であり、より好ましくは、1°〜20°程度であることが好ましい。このように有機緩衝層210が形成されることにより、この有機緩衝層210の上層に形成される中間保護層212やガスバリア層30は有機緩衝層210の形状に倣って、形成される。これにより、ガスバリア層30の端部に急激な形状変化がなくなり、なだらかに形状が変化するので、応力集中によるクラック等の欠陥の発生を防止できる。
特に、ガスバリア層30が、最もクラックが発生しやすい有機緩衝層210の端部(外周領域)において、中間保護層212を介して有機緩衝層210上に配置される。すなわち、中間保護層212が有機緩衝層210よりも外側の領域まで配置され、更にガスバリア層30が中間保護層212よりも外側の領域まで配置される。このように、中間保護層212及びガスバリア層30を有機緩衝層210上に配置することにより、ガスバリア層30における応力集中によるクラック等の欠陥の発生を更に効果的に防止することができる。また、ガスバリア層30が中間保護層212の外側の領域まで配置されることにより、中間保護層212が水分や酸素等に触れて劣化することも防止できる。したがって、長期間に渡り、封止能力を維持することが可能となる。
接着層205は、ガスバリア層30上に表面保護基板206を固定させ、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有し、発光層60やガスバリア層30の保護をするものである。当該接着層205に表面保護基板206が貼り合わされることで、保護層204が形成されている。接着層205は、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂で、表面保護基板206より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されたものである。また、透明樹脂材料が好ましい。また、低温で硬化させるため硬化剤を添加する2液混合型の材料によって形成されたものでもよい。
なお、このような接着層205には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておくのが好ましく、このようにすれば、形成される接着層205とガスバリア層30との密着性がより良好になり、したがって機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。
また、特にガスバリア層30が珪素化合物で形成されている場合などでは、シランカップリング剤やアルコキシシランによってこのガスバリア層30との密着性を向上させることができ、したがってガスバリア層30のガスバリア性を高めることができる。
表面保護基板206の材質は、ガラス、DLC(ダイアモンドライクカーボン)層、透明プラスチック、透明プラスチックフィルムが採用される。ここで、プラスチック材料としては、例えば、PET、アクリル、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が採用される。
更に、当該表面保護基板206には、紫外線遮断/吸収層や光反射防止層、放熱層、レンズ、色波長変換層やミラー等の光学構造が設けられていてもよい。また、カラーフィルタ機能を設けてもよい。
なお、この例のEL表示装置においては、トップエミッション型にする場合に表面保護基板206、接着層205を共に透光性のものにする必要があるが、ボトムエミッション型とする場合にはその必要はない。
なお、本実施形態においては、発光装置としてのEL表示装置1がトップエミッション型である場合であり、また、基板20の表面に回路部11を形成させる工程については、従来技術と変わらないので説明を省略する。
なお、図3及び図4では、これら画素電極23、ダミーパターン26を総称して画素電極23としている。ダミーパターン26は、第二層間絶縁層284を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされる。すなわち、ダミーパターン26は、島状に配置され、実表示領域に形成されている画素電極23の形状とほぼ同一の形状を有する。もちろん、表示領域に形成されている画素電極23の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン26は少なくとも駆動電圧導通部310(340)の上方に位置するものも含むものとする。
なお、この場合、有機隔壁層221は、少なくとも駆動制御信号導通部320の上方に位置するものを含むものとする。
次に、陰極50上に珪素化合物からなる陰極保護層55を形成する。当該陰極保護層55を形成する方法としては、イオンプレーティング法等の物理気相成長法を用いることが好ましい。
有機緩衝層210を形成する方法としては、インクジェット法、スリットコート法、カーテンコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の方法を採用することができる。また、これらの塗布雰囲気は、気泡を原因とする膜欠陥を発生させないよう100〜10000Pa範囲の減圧雰囲気下で塗布することが好ましい。
また、有機緩衝層210が平坦性とパターニング性を両立させるために、塗布時の粘度は、100〜10000mPa・sが好ましい。希釈溶媒は適時使用しても良いが、減圧雰囲気下でも揮発しにくく、硬化後には主成分と架橋して高分子化するようなものが好ましい。
有機緩衝層の膜厚は、平坦化と凹凸によって生じる応力緩和を目的にしているため、隔壁層や画素隔壁の高さよりも厚くする必要があり、例えば、2〜10μm程度が好ましい。応力はないことが好ましいが、わずかに引張応力が生じてもよい。膜密度は、極力応力を少なくするために弾性率が低く比較的多孔質な膜であることが好ましく、0.8〜1.8g/cm3が好適である。
有機緩衝層210の塗布後の乾燥は、膜中の残存水分を完全に除去するため、減圧雰囲気下または乾燥窒素雰囲気下で50〜80℃の硬化温度で乾燥する。加熱は硬化だけではなく、一時的に粘度が下がることで流動性が得られ、表面の平坦性が向上し、パターン周囲のテーパー角度が大きくなり目的の形状が得られる。すなわち、有機緩衝層210のパターン端部において、陰極保護層55との接触角αを1〜20度とすることが可能となる。その後の吸湿を防ぐため、大気圧に戻すことなく、次の中間保護層212の形成プロセスへ移ることが好ましい。
図8は、スクリーン印刷法を工程順に示す図である。
スクリーン印刷法は、減圧雰囲気下で塗布が可能な方法であるため、比較的中〜高粘度の塗布液の使用を得意とする方式である。特に、スクリーン印刷法は、スキージの加圧移動により塗出制御が簡便で、スクリーンメッシュの使用により膜厚均一性およびパターニング性に優れる、という利点を有している。
そして、図8Bに示すように、スクリーンメッシュ551に対して位置合わせする。ここで、スクリーンメッシュ551の非塗布部には、材料を塗布しない部分を被覆する撥液性の乳剤硬化物層551nが形成されている。
なお、スクリーンメッシュ551のパターン形状は、有機緩衝層210の周縁部を所定形状(例えば波形状)に形成するための型が形成されたものとなっている。
そして、図8Cに示すように、第一回目の圧力調整工程として、スクリーンメッシュ551上に緩衝層材料を滴下する前に、印刷室内を10〜1000Paの圧力に調整する。
次に、図8Dに示すように、スクリーンメッシュ551の一端(乳剤硬化物層551n上)に硬化前の緩衝層材料Kをディスペンサノズル等によって所定量滴下する。
緩衝層材料Kには、上述したようにエポキシモノマー/オリゴマー材料に硬化剤、反応促進剤を混合した材料を使用する。これらの材料は塗布前に混合されてから用いられるが、混合後の粘度としては、室温(25℃)で500〜20000mPa・sの粘度範囲であることがよい。これよりも粘度が低い場合では、スクリーンメッシュ551からの液だれや乳剤硬化物層551n上へのはみ出しが起こり、膜厚安定性やパターニング性が悪くなる。また、これよりも粘度が高い場合では、平坦性が悪くなるためにメッシュ痕が残留し、またメッシュ離脱時に巻き込む気泡が大きく成長するため、クレーター状の塗布抜けが発生しやすく、消泡工程後でも気泡が残留しやすくなる。
次に、図8Iに示すように、緩衝層材料Kの印刷が終了した基体200を第二基板搬送室に搬入した後、図8Jに示すように、基体200を第二基板搬送室内に保持した状態で、第三回目の調整圧力として第二基板搬送室内を大気圧とした上で所定時間保持し、気泡を除去する。すなわち、第二基板搬送室内への窒素ガスのパージにより第二基板搬送室内を大気圧とし、基板周囲の雰囲気を第二回目の調整圧力である2000〜5000Paから大気圧にまで上昇させる。
また、加熱処理を施すことにより、このような硬化現象が生じるだけでなく、緩衝層材料Kの側面端部の形状がだれてエッジの角度が20°以下(図5参照)になり、最終的な有機緩衝層210の形状となる。
特に、中間保護層212を形成する材料として、アルミニウム、弗化リチウム又は弗化ナトリウムを用いた場合には、比較的低温で気化しやすく、化学的に安定な材料であり、原料も安価で大量生産に向いているという利点がある。
このようにガスバリア層30上に保護層204を設ければ、表面保護基板206が耐圧性や耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有していることにより、発光層60や陰極50、さらにはガスバリア層もこの表面保護基板206によって保護することができ、したがって発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、接着層205が機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮するので、外部から機械的衝撃が加わった場合に、ガスバリア層30やこの内側の発光素子への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による発光素子の機能劣化を防止することができる。
以上のようにして、EL表示装置1が形成される。
図9に示すように、ガスバリア層30を第一ガスバリア層31と第二ガスバリア層32の複数層にして、第一及び第二ガスバリア層31,32の層間に中間保護層212を配置してもよい。すなわち、ガスバリア層30により、中間保護層212を挟み込んでもよい。
この場合には、図10(a)に示すように、中間保護層212を基体200の陰極保護層55上に接触させるようにしてもよいし、図10(b)に示すように、接触させることなく、完全にガスバリア層30(第一ガスバリア層31,第二ガスバリア層32)で覆ってもよい。いずれにしても、中間保護層212を露出させずに、水分又は酸素から封止することにより、中間保護層212の劣化を防止する。
なお、有機緩衝層210は、その端部においては陰極保護層55の表面と接触角αで接触している。ここで、接触角αは45°以下であり、より好ましくは、1°〜20°程度であることが好ましい。
特に、ガスバリア層30が、最もクラックが発生しやすい端部(外周領域)において、中間保護層212を介して有機緩衝層210上に配置されているので、ガスバリア層30における応力集中によるクラック等の欠陥の発生を更に効果的に防止することができる。したがって、長期間に渡り、封止能力を維持することが可能となる。
以下、本発明の第二実施形態に係るEL表示装置2について説明する。なお、本実施形態においては、第一実施形態と同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
図11は、本発明の第二実施形態に係るEL表示装置2の断面構造を示す模式断面図である。図12は、EL表示装置2における有機緩衝層210の端部(外周領域)を示す拡大図である。
EL表示装置2は、発光層として白色に発光する白色発光層60Wを採用したこと、および表面保護基板としてカラーフィルタ基板207を採用したことが、第一実施形態のEL表示装置1と相違している。
なお、白色発光層60Wの下層或いは上層に、トリアリールアミン(ATP)多量体正孔注入層、TDP(トリフェニルジアミン)系正孔輸送層、アルミニウムキノリノール(Alq3)層(電子輸送層)、LiF(電子注入バッファー層)を成膜ことが好ましい。
なお、有機隔壁層221の上面に補助電極64を配置してもよい。補助電極64は、陰極50よりも低い抵抗値を有し、陰極50の途中部位とを電気的に接続することによって、抵抗値の高い陰極50の電圧降下を防止するものである。
このように、EL表示装置2においては、白色発光層60Wの発光光を利用し、かつ、複数色の着色層208を有するカラーフィルタ基板207によってカラー表示を行うようになっている。
具体的には、絶縁層284の表面からカラーフィルタ基板207までの間隔を15μm程度にすることが好ましい。これにより、白色発光層60Wの発光光は、対向する着色層のみに出射することとなり、隣接する着色層に発光光が漏れてしまうのを抑制することができる。これにより混色を抑制することができる。
そして、陰極保護層55上に形成された有機緩衝層210は、その端部においてが陰極保護層55の表面と接触角αで接触している。ここで、接触角αは45°以下であり、より好ましくは、1°〜20°程度以下である。
これにより、有機緩衝層210の上層に形成されるガスバリア層30は、その端部に急激な形状変化がなく、なだらかに形状が変化するので、応力集中によるクラック等の欠陥の発生が防止される。したがって、長期間に渡り、封止能力を維持することが可能となる。
また、層間絶縁膜292上に配置された平坦化絶縁膜294の端部も接触角βが45°以下となっており、平坦化絶縁膜294上に形成される陰極保護層55の形状がなだらかに変化するように形成されている。
これにより、平坦化絶縁膜294の上層に形成される陰極保護層55は、応力集中によるクラック等の欠陥の発生が防止される。
次に、有機緩衝層210とガスバリア層30との間に、中間保護層212を設けた場合における不具合発生の有無について説明する。
図13は、中間保護層212を設けた場合における不具合発生の有無を示す図である。
具体的には、中間保護層212を各種材料により形成したEL表示装置1,2を熱サイクル試験と高湿試験にかけ、ガスバリア層30の端部(外周領域)に水分の浸食が発生したか否かを観察した。
また、熱サイクル試験の条件は、−40℃30分/85℃30分を300サイクルであり、高湿試験の条件は、85℃85%RH500時間である。
一方、中間保護層212を設けなかった場合、或いは中間保護層212としてTi、Pt、MgO、Si3N4、Al2O3等の無機材料を用いた場合には、ガスバリア層30の端部(外周領域)に水分の浸食が発見された。これらの材料は、いずれも弾性率が100GPa以上である。
ボトムエミッション型の場合には、中間保護層212の中央領域に開口を設けることかく、図14及び図15に示すように、有機緩衝層210の全面を覆ってもよい。
なお、中間保護層212を弗化リチウムにより形成する場合には、層が透明になるので、有機緩衝層210の全面を覆っても、ボトムエミッション型及びトップエミッション型に適用できる。
また、EL表示装置1,2では第一電極を陽極として機能させ、第二電極を陰極として機能させたが、これらを逆にして第一電極を陰極、第二電極を陽極としてそれぞれ機能させるよう構成してもよい。ただし、その場合には、発光層60と正孔輸送層70との形成位置を入れ替えるようにする必要がある。
ナノインデンテーション法は、圧子を高精度に制御しながら試料に押し込み、荷重−変位曲線の解析から、かたさや弾性率等の力学的性質を定量的に測定する方法である。特に、従来困難であった薄膜試料の測定が可能であり、また、簡便で高い再現性をもつことから、中間保護層212等の弾性率の測定に好適に用いることができる。
電子機器は、上述したEL表示装置1,2を表示部として有したものであり、具体的には図16に示すものが挙げられる。
図16(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図16(a)において、携帯電話1000は、上述したEL表示装置1を用いた表示部1001を備える。
図16(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図16(b)において、時計1100は、上述したEL表示装置1を用いた表示部1101を備える。
図16(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図16(c)において、情報処理装置1200は、キーボードなどの入力部1202、上述したEL表示装置1を用いた表示部1206、情報処理装置本体(筐体)1204を備える。
図16(d)は、薄型大画面テレビの一例を示した斜視図である。図16(d)において、薄型大画面テレビ1300は、薄型大画面テレビ本体(筐体)1302、スピーカーなどの音声出力部1304、上述したEL表示装置1を用いた表示部1306を備える。
また、図16(d)に示す薄型大画面テレビ1300は、面積に関係なく表示部を封止できる本発明を適用したので、従来と比較して大面積(例えば対角20インチ以上)の表示部1306を備えるものとなる。
Claims (11)
- 基体上に、
複数の第一電極と、
前記第一電極の形成位置に対応した複数の開口部を有する隔壁と、
前記開口部のそれぞれに配置される有機機能層と、
前記隔壁及び前記有機機能層を覆う第二電極と、
前記第二電極を覆うと共に平坦な上面が形成された有機緩衝層と、
前記有機緩衝層を覆う第一ガスバリア層及び第二ガスバリア層と、
前記第一ガスバリア層と前記第二ガスバリア層との間に、弾性率が前記有機緩衝層よりも大きく且つ前記ガスバリア層よりも小さい中間保護層を有し、
前記第一ガスバリア層と前記第二ガスバリア層とは、前記基体の外周部において互いが接触することにより前記中間保護層を封止した状態に配置されることを特徴とする発光装置。 - 前記中間保護層は、前記有機緩衝層の外周領域に対応して配置されることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記第一ガスバリア層は、前記有機緩衝層のパターン及びその周囲を覆う様に延在して配置され、前記中間保護層は、前記有機緩衝層のパターン及びその周囲を覆う様に延在して配置されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
- 前記第二ガスバリア層は、前記中間保護層のパターン及びその周囲を覆う様に延在して配置されていることを特徴とする請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記有機緩衝層の端部における接触角度は、45°以下で形成されていることを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記中間保護層は、金属弗化物からなることを特徴とする請求項1から請求項5のうちいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記金属弗化物は、弗化リチウム又は弗化ナトリウムであることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
- 前記中間保護層は、アルミニウムからなることを特徴とする請求項1から請求項7のうちいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記中間保護層は、弾性率が10〜100GPaである材料からなることを特徴とする請求項1から請求項8のうちいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記有機緩衝層は、エポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項1から請求項9のうちいずれか一項に記載の発光装置。
- 請求項1から請求項10のいずれかに記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005353028A JP4631683B2 (ja) | 2005-01-17 | 2005-12-07 | 発光装置、及び電子機器 |
KR1020060003387A KR100722941B1 (ko) | 2005-01-17 | 2006-01-12 | 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 |
TW095101766A TWI336210B (en) | 2005-01-17 | 2006-01-17 | Light-emitting device, method for manufacturing light-emitting device, and electronic apparatus |
US11/332,139 US7642715B2 (en) | 2005-01-17 | 2006-01-17 | Light-emitting device comprising an improved gas barrier layer, method for manufacturing light-emitting device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005008695 | 2005-01-17 | ||
JP2005353028A JP4631683B2 (ja) | 2005-01-17 | 2005-12-07 | 発光装置、及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006222070A JP2006222070A (ja) | 2006-08-24 |
JP4631683B2 true JP4631683B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=36683181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005353028A Expired - Fee Related JP4631683B2 (ja) | 2005-01-17 | 2005-12-07 | 発光装置、及び電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7642715B2 (ja) |
JP (1) | JP4631683B2 (ja) |
KR (1) | KR100722941B1 (ja) |
TW (1) | TWI336210B (ja) |
Families Citing this family (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4329740B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2009-09-09 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置 |
GB2432256B (en) * | 2005-11-14 | 2009-12-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic optoelectrical device |
JP4049186B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2008-02-20 | ソニー株式会社 | 光源装置 |
JP4245032B2 (ja) | 2006-10-03 | 2009-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
DE102006048288A1 (de) * | 2006-10-12 | 2008-04-17 | Bayer Materialscience Ag | Polyesterpolyole, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
CN101518151B (zh) * | 2006-11-06 | 2015-09-16 | 新加坡科技研究局 | 纳米粒子封装阻障叠层 |
TWI396464B (zh) | 2007-01-22 | 2013-05-11 | Innolux Corp | 有機電致發光顯示裝置及其製作方法 |
WO2008102694A1 (ja) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Ulvac, Inc. | 表示装置、表示装置用の製造装置、及び表示装置の製造方法 |
JP4396864B2 (ja) | 2007-03-14 | 2010-01-13 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
JP2008251292A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 有機el発光装置 |
KR101452370B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2014-10-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 el 장치 |
US8022624B2 (en) * | 2007-04-25 | 2011-09-20 | Global Oled Technology Llc | Moisture protection for OLED display |
JP2008288012A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法 |
JP4623068B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 表示パネル、表示パネルモジュール及び電子機器 |
KR20090042574A (ko) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 모듈 및 이를 구비하는 전자 장치 |
US20090236982A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Chang Gung University | Packaging structure of organic light-emitting diode and method for manufacturing the same |
JP5416913B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-02-12 | ローム株式会社 | 有機el素子 |
KR101964265B1 (ko) * | 2008-04-09 | 2019-07-31 | 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 | 산소 및/또는 수분 민감성 전자 소자들을 밀봉하는 다층막 |
KR100963104B1 (ko) * | 2008-07-08 | 2010-06-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
JP5024220B2 (ja) | 2008-07-24 | 2012-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
JP5062105B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2012-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
GB2466251B (en) * | 2008-12-16 | 2011-03-09 | Ind Tech Res Inst | Encapsulant compositions and method for fabricating encapsulant materials |
TWI381569B (zh) * | 2008-12-30 | 2013-01-01 | Ind Tech Res Inst | 有機發光二極體裝置及其封裝方法 |
JP2010257957A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-11-11 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
JP5471035B2 (ja) * | 2009-05-26 | 2014-04-16 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法、および電子機器 |
KR101244706B1 (ko) * | 2009-12-01 | 2013-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101793047B1 (ko) | 2010-08-03 | 2017-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법 |
KR101855545B1 (ko) * | 2010-10-20 | 2018-05-04 | 오엘이디워크스 게엠베하 | 유기 전계발광 소자 |
JP5682328B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2015-03-11 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2012216452A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP5845690B2 (ja) * | 2011-07-27 | 2016-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | 傾斜構造体、傾斜構造体の製造方法、及び分光センサー |
JP2013077460A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Toppan Printing Co Ltd | 有機elパネルの製造方法、有機elパネル及び有機elディスプレイ |
JP5900512B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2016-04-06 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリアーフィルムの製造方法 |
EP2801476B1 (en) * | 2012-01-06 | 2022-03-02 | LG Chem, Ltd. | Encapsulation film |
JP6056335B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-01-11 | 日亜化学工業株式会社 | 保護部材付き発光装置 |
KR101473309B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2014-12-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
JP6054763B2 (ja) * | 2013-02-12 | 2016-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JPWO2014185277A1 (ja) * | 2013-05-16 | 2017-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US10276827B2 (en) | 2013-06-07 | 2019-04-30 | Ulvac, Inc. | Device structure and method of producing the same |
JP6191260B2 (ja) * | 2013-06-12 | 2017-09-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、及び電子機器 |
JP6253923B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置 |
TWI582982B (zh) * | 2013-10-17 | 2017-05-11 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板及顯示裝置 |
US10305058B2 (en) * | 2014-11-11 | 2019-05-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescent device and method for producing same |
JP6573575B2 (ja) * | 2016-05-02 | 2019-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 凹部の埋め込み方法 |
US11056673B2 (en) * | 2016-09-30 | 2021-07-06 | Pioneer Corporation | Light emitting device |
JP6785627B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2020-11-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR101926069B1 (ko) | 2017-10-26 | 2018-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법 |
KR102470063B1 (ko) | 2017-12-15 | 2022-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 조명 장치용 oled 패널 |
CN207909878U (zh) * | 2018-03-26 | 2018-09-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及具有其的显示装置 |
JP6567121B2 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-08-28 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 薄膜封止構造形成装置 |
JP2019200849A (ja) | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102656389B1 (ko) * | 2018-08-31 | 2024-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 소자를 포함하는 장치 |
WO2020079805A1 (ja) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR102724703B1 (ko) * | 2018-10-23 | 2024-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크 |
KR102148429B1 (ko) * | 2018-11-29 | 2020-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법 |
CN109614005A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | 触控显示面板及触控显示装置 |
CN110148682B (zh) * | 2019-05-30 | 2021-06-08 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板 |
WO2021035537A1 (zh) * | 2019-08-27 | 2021-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板及其制作方法和显示装置 |
WO2021205635A1 (ja) * | 2020-04-10 | 2021-10-14 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
KR102227484B1 (ko) * | 2020-08-19 | 2021-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법 |
TWI769817B (zh) * | 2021-05-17 | 2022-07-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
KR20240031524A (ko) * | 2022-08-30 | 2024-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086357A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2003142255A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2003163078A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
JP2003217832A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Mitsumi Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ |
JP2004079512A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elパネルおよびその製造方法 |
JP2004152590A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2004310053A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5045165A (en) * | 1990-02-01 | 1991-09-03 | Komag, Inc. | Method for sputtering a hydrogen-doped carbon protective film on a magnetic disk |
US5811177A (en) * | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
US5686360A (en) | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
JP3817081B2 (ja) | 1999-01-29 | 2006-08-30 | パイオニア株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
US6686031B2 (en) * | 2000-02-23 | 2004-02-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Hard coat film and display device having same |
JP4004709B2 (ja) | 2000-03-30 | 2007-11-07 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
US7633471B2 (en) * | 2000-05-12 | 2009-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electric appliance |
EP1237207B1 (en) * | 2001-03-02 | 2012-01-04 | FUJIFILM Corporation | Method for producing organic thin film device |
JP2003017244A (ja) | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
KR100401808B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2003-10-17 | 학교법인 건국대학교 | 전기작동 재료층과 섬유복합 재료층으로 구성된 곡면형 작동기 |
KR20040008655A (ko) | 2002-07-19 | 2004-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
US6710542B2 (en) | 2002-08-03 | 2004-03-23 | Agilent Technologies, Inc. | Organic light emitting device with improved moisture seal |
JP4465951B2 (ja) | 2002-09-30 | 2010-05-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
JP3997888B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2007-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
TWI352553B (en) * | 2002-12-26 | 2011-11-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and a method for manufacturi |
KR20040073695A (ko) * | 2003-02-14 | 2004-08-21 | 주식회사 엘리아테크 | 흡습제층을 포함하는 유기전계발광 표시패널 |
JP3912393B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2007-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
JP3966252B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP4561201B2 (ja) | 2003-09-04 | 2010-10-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
US7816863B2 (en) * | 2003-09-12 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2005228733A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-08-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子 |
JP4539547B2 (ja) * | 2005-12-08 | 2010-09-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2009047879A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器 |
-
2005
- 2005-12-07 JP JP2005353028A patent/JP4631683B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-12 KR KR1020060003387A patent/KR100722941B1/ko active IP Right Grant
- 2006-01-17 TW TW095101766A patent/TWI336210B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-01-17 US US11/332,139 patent/US7642715B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086357A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2003142255A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2003163078A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
JP2003217832A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Mitsumi Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ |
JP2004079512A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elパネルおよびその製造方法 |
JP2004152590A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2004310053A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060083868A (ko) | 2006-07-21 |
TW200637417A (en) | 2006-10-16 |
KR100722941B1 (ko) | 2007-05-30 |
TWI336210B (en) | 2011-01-11 |
US20060158111A1 (en) | 2006-07-20 |
JP2006222070A (ja) | 2006-08-24 |
US7642715B2 (en) | 2010-01-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070404 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101101 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4631683 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |