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JP4049186B2 - 光源装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光ダイオード等の発光素子を光源として備えた光源装置に係わり、所望の色（白色やその他の色）の面光源を得る照明用光源装置に適応して好適なものである。
近年、発光ダイオードの高出力化が進んだことにより、発光ダイオード（ＬＥＤ）を使用して白色光とした、白色ＬＥＤ光源の用途が広がっている。
特に、高輝度が要求される照明用や、プロジェクタ光源、並びに大型液晶ディスプレイ用のバックライトへの応用が考えられている。これらの用途において、水銀フリーによる環境負荷が小さいこと、色再現性が良好であること、応答性が良好であること、輝度の可変性を有すること、寿命が長いこと等の発光ダイオードの特長から、白色ＬＥＤ光源が、従来の蛍光管（熱陰極管及び冷陰極管）に代わる白色光源として期待されている。
上述した白色ＬＥＤ光源において、省エネルギー化、即ち効率の向上を図るためには、発光ダイオード自体の発光効率を改善するだけでなく、発光ダイオードのチップからの光取り出し効率を改善することも、重要な要素である。
発光ダイオードのチップからの光取り出し効率には、発光ダイオードのチップの周囲にある構成部材の影響が大きい。
即ち、光取り出し効率の改善を図るためには、発光ダイオードのチップの周囲の構成部材を工夫することが必要である。
基板上の電極と、発光ダイオードのチップとの接続としては、発光ダイオードのパッケージを基板に並べた形態や、発光ダイオードのチップを基板上に直接実装してワイヤ等により電極と接続し、さらに発光ダイオードのチップを覆って透明樹脂を形成することにより、チップを封止した形態（例えば、特許文献１や特許文献２参照。）等が挙げられる。
特開平１０−２９４４９８号公報 特開昭６１−１４４８９０号公報
しかしながら、従来から提案されている構成では、発光ダイオードのチップからの光取り出し効率を充分に大きくするまでには至っていなかった。
上述した問題の解決のために、本発明においては、発光素子からの光の取り出し効率を向上させることができる光源装置を提供するものである。
本発明の光源装置は、少なくとも１対の電極を有する基板と、１つ以上の発光素子と、この発光素子を封止する透明樹脂とから成り、基板上に白色レジスト層が形成され、この白色レジスト層は、電極の一部を覆って形成されていると共に、少なくとも発光素子及びその近傍、並びに電極の端子上において、開口部を有し、白色レジスト層上に白色又は透明の部材が形成され、白色レジスト層が２層以上のレジスト層の積層により形成されているものである。
さらに、本発明の光源装置は、以下のいずれかの構成を備えたものである。
（１）白色レジスト層の開口部は、上側が開いた傾斜面となっている構成。
（２）白色レジスト層が２層のレジスト層の積層により形成され、この２層のレジスト層のうち、上層の発光素子近傍における開口の面積が、下層の発光素子近傍における開口の面積より大きい構成。
（３）白色レジスト層が２層のレジスト層の積層により形成され、この２層のレジスト層のうち、上層の発光素子近傍における開口の面積が、下層の発光素子近傍における開口の面積より小さい構成。
（４）白色レジスト層が２層のレジスト層の積層により形成され、この２層のレジスト層のうち、上層の発光素子近傍における開口の面積と、下層の発光素子近傍における開口の面積とがほぼ等しく、開口の位置が上層と下層とで異なっており、上層及び下層は、いずれも発光素子近傍の開口部が、上側が開いた傾斜面となっている構成。
上述の本発明の光源装置の構成によれば、少なくとも１対の電極を有する基板上に、白色レジスト層を形成したことにより、白色レジスト層の反射率が高いため、透明樹脂の内部における反射率を向上して、透明樹脂の外へ効率良く光を出射させることができる。
また、白色レジスト層が発光素子及びその近傍、並びに電極の端子上において、開口部を有するので、この白色レジスト層の開口部を通じて、電極の端子と発光素子とを電気的に接続することが可能になっている。
さらに、白色レジスト層上に白色又は透明の部材を形成したことにより、この部材によって、光源装置の製造時に透明樹脂の形状を制御して、所定の形状で形成することを可能にする。また、光源装置の使用時に、発光素子から出射された光が部材に当たっても、部材が白色又は透明であるために、部材にほとんど吸収されないことから、この点でも出射光を効率良く利用することができる。
上述の本発明の光源装置によれば、透明樹脂の外へ効率良く光を出射させることができる。また、製造時に透明樹脂の形状を制御して所定の形状で形成することができるため、透明樹脂を球面状等、内部反射の少ない形状とすることが可能であり、これによっても透明樹脂の外へ効率良く光を出射させることができる。
このように透明樹脂の外へ効率良く光を出射させることができるため、出射光の輝度を充分に確保することができる。また、出射光の輝度を充分に確保することができるため、より少ないエネルギーでも従来の構成と同等の輝度を得ることが可能になる。
従って、光源装置の消費電力の低減等の省エネルギー化や高寿命化を図ることが可能になる。
また、発光素子の数を低減して、省スペース化や部品コストの削減を図ることも可能になる。
まず、本発明の具体的な実施の形態の説明に先立ち、本発明の概要について説明する。
発光ダイオード等の発光素子のチップを使用して、発光素子のチップを透明樹脂で封止した構成の光源装置において、発光素子のチップから外部への光の取り出し効率は、前述したように、チップの周囲の構成部材の影響を受ける。
このような構成部材の影響としては、例えば、以下に挙げる要素が考えられる。
（Ａ）透明樹脂の透過率
（Ｂ）透明樹脂の屈折率
（Ｃ）透明樹脂の形状（厚さ・曲率形状）
（Ｄ）透明樹脂内部における基板の表面形状
（Ｅ）透明樹脂内部における基板表面の反射率
このうち、（Ａ）封止樹脂の透過率については、透過率が高いほど望ましい。
また、（Ｂ）封止樹脂の屈折率については、封止樹脂の外部との屈折率差が小さいことが望ましい。
また、（Ｃ）透明樹脂の形状については、球面形状とすることにより、樹脂と外部との界面における反射を少なくすることができる。
本発明においては、（Ｄ）透明樹脂内部における基板の表面形状及び（Ｅ）透明樹脂内部における基板表面の反射率を改善して、光の取り出し効率を向上させると共に、（Ｃ）透明樹脂の形状を良好な形状とすることをも可能にする。
そのために、本発明では、少なくとも１対の電極を有する基板上に電極の一部を覆うように白色レジスト層を形成し、この白色レジスト層の少なくとも発光素子及びその近傍、並びに電極の端子上において、開口部を設け、さらに白色レジスト層上に白色又は透明の部材を形成して、光源装置を構成する。
少なくとも１対の電極を有する基板上に、白色レジスト層を形成したことにより、白色レジスト層の反射率が高いため、透明樹脂の内部における反射率を向上して、透明樹脂の外へ効率良く光を出射させることができる。
また、白色レジスト層が発光素子及びその近傍、並びに電極の端子上において、開口部を有するので、この白色レジスト層の開口部を通じて、電極の端子と発光素子とを電気的に接続することが可能になっている。
さらに、白色レジスト層上に、白色又は透明の部材を形成したことにより、この部材によって、光源装置の製造時に透明樹脂の形状を制御して、所定の形状で形成することを可能にする。また、光源装置の使用時に、発光素子から出射された光が部材に当たっても、部材が白色又は透明であるために、部材にほとんど吸収されないことから、この点でも出射光を効率良く利用することができる。
このように透明樹脂の外へ効率良く光を出射させることができるため、出射光の輝度を充分に確保することができる。また、出射光の輝度を充分に確保することができるため、より少ないエネルギーでも従来の構成と同等の輝度を得ることが可能になる。
従って、光源装置の消費電力の低減等の省エネルギー化や高寿命化を図ることが可能になる。
さらに、例えば発光素子の数を減らすことにより、発光素子の占める面積や体積を低減して省スペース化を図ることや、部品コストを低減することも可能になる。
白色レジスト層の材料、即ち白色レジストとしては、例えば、白色の酸化チタンを含有したレジストや、タムラ化研株式会社製のソルダーレジストＦＩＮＥＤＥＬ ＤＳＲ−３３０Ｓ４２−１３Ｗ（商品名）等を使用することができる。
白色の部材には、例えば、シルクスクリーン印刷による白色の膜や、マーク印刷による白色の膜を用いることができる。
このような印刷により形成される白色の膜の材料としては、例えば、太陽インキ製造株式会社製の熱硬化型（一液性）マーキングインキのＳ−１００Ｗ ＣＭ２９（商品名）や、現像型マーキングインキのフォトファイナーＰＭＲ−６０００ Ｗ３０／ＣＡ−４０ Ｇ３０（商品名）等の白色マークインク材を使用することが可能である。
透明の部材には、例えば、透明のフッ素材を含有した撥水／撥油性インクをパッド印刷により塗布した透明の膜を用いることができる。
このような印刷や塗布により形成される透明の膜の材料としては、例えば、フロロテクノロジー社製撥水撥油処理剤ＦＳ−１０１０Ｚ−１０（商品名）を使用することが可能である。
本発明において、さらに、白色レジスト層が２層以上のレジスト層の積層により形成されている構成とすることにより、白色レジスト層を厚く形成して反射率を向上することができる。
１層のレジスト層を厚く形成した場合には、レジスト層が硬化しにくくなり、硬化に時間がかかったり、現像残りを生じないようにするために強い露光光を照射する必要が生じたりする。そのため、１層のレジスト層を厚くするのには、限界がある。
これに対して、２層以上のレジスト層の積層によって厚い白色レジスト層を形成することにより、充分な厚さを形成することができると共に、各レジスト層を速く硬化させることができる。
また、本発明において、さらに２層のレジスト層の積層により白色レジスト層を形成した場合に、上層と下層とで、発光素子近傍における開口の面積や位置を異ならせることにより、それぞれの形状特性において、反射率を向上させることが可能である。
発光素子近傍における開口の面積を、上層を下層よりも大きくした場合には、上層の縁が下層の縁よりも後退しており、断面が階段状になる。これにより上側に開いた形状となるため、上方へ光を反射させやすくなる。
発光素子近傍における開口の面積を、上層を下層よりも小さくした場合には、上層の縁が下層の縁に被さるようになって、表面側の角が丸くなる。これによっても上側に開いた形状となるため、上方へ光を反射させやすくなる。
発光素子近傍における開口の面積を、上層と下層とで等しくして、開口の位置を上層と下層とで異ならせた場合には、開口の位置のずれた方向において、一方の側では上層の縁が下層の縁よりも後退し、他方の側では上層の縁が下層の縁に被さる。これにより、いずれの側でも上側に開いた形状となるため、上方へ光を反射させやすくなる。さらに、開口の位置が上層と下層とで異なることにより、上層又は下層のどちらにも覆われていない発光素子近傍の面積が減少するので、発光素子近傍の反射率をより向上させることが可能となる。
これら３種類の形状とした場合には、２層のレジスト層の位置が所定の位置からある程度までずれたとしても、上側に開いた形状を保って上方に光を反射させやすくすることが可能である。
また、１層又は２層以上のレジスト層から成る白色レジスト層において、白色レジスト層全体又は各レジスト層の発光素子近傍の開口部を、上側に開いた傾斜面とすることにより、同様に、上方に光を反射させやすくすることが可能である。
さらにまた、発光素子が（発光層が素子の下方にある）下面発光型の発光素子である場合には、バンプ接続によって発光素子を基板上の電極面から隙間を設けて実装すると共に、白色レジスト層の上面が発光素子の発光層よりも下方になるように配置する。これにより発光層から出射した光（特に横方向や斜め下方向に出射した光）を上方へ反射させて、反射率を向上させることができる。
この構成において、さらに白色レジスト層の開口部寸法を発光素子の外形寸法より小さくすることにより、白色レジスト層が発光層の下に入り込むので、発光層から下方に出射した光を上方へ反射させて、さらに反射率を向上させることができる。
なお、発光素子が上面発光型の発光素子である場合でも、発光層から横方向や斜め下方向に出射する光があるため、白色レジスト層を同様の構成とすることにより、出射光を上方へ反射させて反射率を向上させることが可能である。
また、この構成を、前述した２層のレジスト層における発光素子近傍における開口の面積を、上層を下層よりも大きくして階段状の断面形状とした構成の下層に適用することにより、同様の効果を得ることが可能である。
また、本発明において、さらに、発光素子を基板の電極に接続する際に位置を認識するための識別材を、電極の発光素子の下の部分に形成する、或いは、透明樹脂よりも外側の基板の表面に形成することにより、発光素子から出射した光が識別材によって吸収や散乱されることを防いで、その分基板面における反射率を向上させることができる。
識別材を電極の発光素子の下の部分に形成した場合には、発光素子を実装した後に識別材が発光素子のチップに隠れるので、出射光が識別材に当たりにくくなる。透明樹脂よりも外側の基板の表面に形成した場合にも、識別材が発光素子から遠くなるため、出射光が識別材に当たりにくくなる。
このような識別材としては、前述した白色の部材に用いたマーキングインキ等が使用可能であるが、識別材には、必ずしも白色のマーキングインキを使用する必要はなく、他の色のマーキングインキを使用しても構わない。
なお、透明樹脂よりも外側に識別材を形成する場合において、識別材を白色レジスト層や白色基板上に形成するときには、白色以外のマーキングインキを使用した方が容易に識別することができる。
また、白色レジスト層の開口部内にある、電極の角部を、識別材として利用することも可能である。その場合も、発光素子を実装した後に、電極の角部が発光素子のチップに隠れるようにすればよい。
そして、識別材を用いて発光素子を実装する際には、例えば、カメラ等で識別材を探して、発光素子を実装すべき位置を確認する。
また、発光素子が赤色を含む少なくとも２種類の発光色が異なる発光素子からなり、赤色の発光素子を封止する透明樹脂の内部において、白色レジスト層の開口部が広い面積に形成されており、開口部から電極が透明樹脂に臨んでいる（直接接している）構成とすることにより、赤色の発光素子の基板面において高い反射率が得られる。
これは、電極用の金属材料が赤色近傍の波長の光に対する反射率が高く、白色レジスト層よりも反射率が高いので、赤色の発光素子については白色レジスト層の開口部を広い面積に形成して電極を透明樹脂に臨ませた（直接接するようにした）方が反射率を高くすることができるためである。
一方、発光色が緑や青の発光素子においては、発光色近傍の波長の光に対する反射率が、白色レジスト層の方が電極材料よりも高くなるため、白色レジスト層の開口部を狭い面積に形成した方が望ましい。
ここで、反射率の波長依存性を、金と、銀と、電極用の金属材料として用いられる銅とで比較する。
金は、赤色近傍の波長の光に対する反射率が高く、緑色近傍の波長の光に対しては７５％程度まで反射率が下がり、青色近傍の波長の光に対しては４０％以下に下がる。
銀は、可視光線全体に対して高い反射率を有する。
銅は、赤色近傍の波長の光に対する反射率が高く、緑色近傍の波長では反射率が６０％程度まで下がり、さらに緑色近傍の波長から青色近傍の波長へと短波長側になるに従い、徐々に反射率が低下していく。青色近傍の波長に対する反射率は５５％程度で金よりも高くなる。
また、本発明において、さらに、白色レジスト層又は白色部材の上に、撥水材として例えば透明の撥水性塗料が形成されている構成とすることも可能である。
このように撥水性塗料から成る撥水材を設けることにより、白色レジスト層又は白色部材の撥水性が充分ではない場合でも、撥水性をもたせることができるため、この撥水材によって透明樹脂の形状を制御することが可能になる。
なお、白色レジスト層を形成する基板は、光源装置全体で一体の基板としてもよいが、発光素子を所定の個数ずつ設けた（比較的小型の）基板を、一定の間隔で複数枚配置することによって光源装置を構成してもよい。
また、複数枚の基板を配置する構成において、それぞれの基板内の発光素子をそれぞれ独立して駆動させる構成とすることにより、各基板内の輝度等をそれぞれ最適化することも可能になる。
また、発光素子の配置は特に限定されないが、例えば同一発光色の発光素子を一定間隔に配置すれば、配線・電極の配置や色分布等が、均等になる。
本発明に対する参考例として、光源装置の一形態の要部の概略構成図を、図１Ａ及び図１Ｂに示す。図１Ａは断面図、図１Ｂは平面図である。
この光源装置１０は、基板１上に一対の電極２，３が形成され、これらの電極２，３と接続された発光ダイオードのチップ４が、透明樹脂７に封止されて構成されている。
発光ダイオードのチップ４は、一方の電極２上に配置されて、この電極２と電気的に接続されている。また、チップ４と他方の電極３との間は、ワイヤ５によって電気的に接続されている。
透明樹脂７は、上面が球面となったドーム状に形成されている。
本形態の光源装置１０においては、特に、基板１上に白色レジスト層６が形成されている。
そして、この白色レジスト層６は、発光ダイオードのチップ４や、ワイヤ５と接続された電極３の端子付近が開口部となっており、開口部以外の部分では電極２，３を覆っている。
開口部は、図１Ｂに示すように矩形状となっている。開口部の壁面６Ａは、チップ４や電極３の端子に近い箇所にある。
さらに、本形態の光源装置１０においては、透明樹脂７の周囲に、白色マークインク材８が設けられて、この白色マークインク材８によって透明樹脂７の形状を制御する構成となっている。
この白色マークインク材８は、例えば、シルクスクリーン印刷等の印刷法によって形成することができる。
白色マークインク材８の材料としては、例えば、前述したマーキングインキを使用することができる。
なお、基板１の材料は、特に限定されず、通常のプリント基板等でも構わないが、ガラスエポキシ銅張積層板等のプリプレグ材を用いた白色基板を使用することにより、基板１自体の反射率を向上させることができる。
上述の本形態の光源装置１０によれば、基板１上に白色レジスト層６が形成されており、白色レジスト層６がその開口部以外で電極２，３を覆っていることにより、電極２，３が直接透明樹脂７に臨んでいる場合と比較して、基板１側の反射率を高くすることができる。
これにより、透明樹脂７から上方に出射する光を増やして、光の利用効率を高めることができる。
また、本形態の光源装置１０によれば、透明樹脂７の周囲に、白色マークインク材８が設けられて、この白色マークインク材８によって透明樹脂７の形状を制御することにより、透明樹脂の形状を制御するために従来用いられていた、白色ではない樹脂等の部材と比較して、部材による光の吸収を少なくして、発光ダイオードから出射した光を多く反射させることができる。
そして、白色マークインク材８は、白色レジスト層６と同等の反射率を有するので、透明樹脂７の周囲の反射率を高めることができる。
本形態の光源装置１０によれば、透明樹脂７の外へ効率良く光を出射させることができるため、出射光の輝度を充分に確保することができる。
また、出射光の輝度を充分に確保することができるため、より少ないエネルギーでも従来の構成と同等の輝度を得ることが可能になる。
従って、光源装置１０の消費電力の低減等の省エネルギー化や高寿命化を図ることが可能になる。
さらに、例えば発光ダイオードのチップ４の数を減らすことにより、チップ４の占める面積や体積を低減して省スペース化を図ることや、部品コストを低減することも可能になる。
次に、図１に示した光源装置１０を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構成図を図２Ａ及び図２Ｂに示す。
図２Ａ及び図２Ｂに示す光源装置１１は、特に、白色マークインク材８が透明樹脂７の周囲のみにリング状に形成されている。
この場合も、白色マークインク材８によって透明樹脂７の形状を制御することが可能である。
また、透明樹脂７の周囲には白色マークインク材８があるので、部材による光の吸収を少なくして、発光ダイオードから出射した光を多く反射させることができる。
透明樹脂７の周囲以外の部分では、反射率に寄与する白色マークインク材８がなく、白色レジスト層６のみの厚さとなるため、図１に示した光源装置１０と比較して、この部分の反射率が若干低くなる。その一方で、白色マークインク材８が形成される領域が透明樹脂７の周囲に限定されることにより、白色マークインク材８に係る材料コストを低減することができる。
その他の構成は、図１に示した光源装置１０と同様であるので、重複説明を省略する。
次に、本発明に対する参考例として、光源装置の他の形態の要部の概略構成図（断面図）を、図３に示す。
本形態の光源装置１２は、２層のレジスト層６１，６２の積層により、白色レジスト層６を形成している。
このように、２層のレジスト層６１，６２の積層によって白色レジスト層６を形成していることにより、白色レジスト層６を厚く形成することが容易になる。
１層のレジスト層を厚く形成すると、レジスト層の下部まで露光光が届きにくくなるため、レジスト層が硬化しにくくなる。このため、硬化に時間がかかったり、現像残りを生じないようにするために強い露光光を照射する必要が生じたりする。そのため、１層のレジスト層を厚くするのには、限界がある。
これに対して、２層以上のレジスト層６１，６２の積層によって厚い白色レジスト層６を形成することにより、充分な厚さを形成することができると共に、各レジスト層６１，６２を速く硬化させることができる。
なお、本形態の光源装置１２では、２層のレジスト層６１，６２の開口部の位置が同一となっているため、開口部の壁面６Ａがほぼ一体化している。
その他の構成は、図１に示した光源装置１０と同様であるので、重複説明を省略する。
次に、図３に示した光源装置１２を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構成図（断面図）を図４に示す。
図４に示す光源装置１３は、図２Ａ及び図２Ｂに示した光源装置１１と同様に、白色マークインク材８が透明樹脂７の周囲のみにリング状に形成されている。
その他の構成は、図３に示した光源装置１２と同様である。
次に、本発明に対する参考例として、光源装置の他の形態の要部の概略構成図（断面図）を、図５に示す。
本形態の光源装置１４は、２層のレジスト層６１，６２の積層により、白色レジスト層６を形成し、さらに、白色マークインク材８を２層のインク材８１，８２の積層により形成している。
２層のインク材８１，８２は、同一の平面パターンに形成されている。
２層のレジスト層６１，６２の積層によって白色レジスト層６を形成していることにより、白色レジスト層６を厚く形成することが容易になる。
また、２層のインク材８１，８２の積層により白色マークインク材８を形成していることにより、白色マークインク材８を厚く形成することができる。
次に、図５に示した光源装置１４を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構成図（断面図）を図６に示す。
図６に示す光源装置１５は、図２Ａ及び図２Ｂに示した光源装置１１と同様に、白色マークインク材８が透明樹脂７の周囲のみにリング状に形成されている。
その他の構成は、図５に示した光源装置１４と同様である。
次に、本発明に対する参考例として、光源装置の他の形態の要部の概略構成図（断面図）を、図７に示す。
本形態の光源装置１６は、２層のレジスト層６１，６２の積層により、白色レジスト層６を形成しているが、２層のうち上層のレジスト層６２は、透明樹脂７の内部のみに形成されている。
なお、発光ダイオードのチップ４の周囲の開口部は、下層のレジスト層６１と上層のレジスト層６２とで、同一の位置に形成されている。
透明樹脂７の内部においては、２層のレジスト層６１，６２の積層によって白色レジスト層６を形成していることにより、白色レジスト層６を厚く形成して、白色レジスト層６の反射率を高めることができる。
透明樹脂７の外部においては、上層のレジスト層６２が形成されていないことにより、上層のレジスト層６２に係る材料コストを低減することができる。
次に、図７に示した光源装置１６を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構成図（断面図）を図８に示す。
図８に示す光源装置１７は、図２Ａ及び図２Ｂに示した光源装置１１と同様に、白色マークインク材８が透明樹脂７の周囲のみにリング状に形成されている。
その他の構成は、図７に示した光源装置１６と同様である。
次に、本発明に対する参考例として、光源装置の他の形態の要部の概略構成図（断面図）を、図９に示す。
本形態の光源装置１８は、２層のレジスト層６１，６２の積層により、白色レジスト層６を形成しているが、２層のうち上層のレジスト層６２は、透明樹脂７の外周付近にも開口部が形成されている。
上層のレジスト層６２の透明樹脂７の外周付近の開口部は、図示しないが、透明樹脂７の外周にならってリング状に形成されている。
また、本形態では、白色マークインク材８の内壁８Ａが、前述した各形態よりも外側に後退しており、上層のレジスト層６２の透明樹脂７の外周付近の開口部よりも内壁８Ａが外側に形成されている。これは、白色レジスト層６（６１，６２）と白色マークインク材８との位置関係が所定の位置からずれて形成されても、白色マークインキ材８が内側にはみ出すことがないようにするためである。
上層のレジスト層６２が透明樹脂７の外周付近に開口部を有することにより、白色マークインク材８だけでなく、この開口部によっても透明樹脂７の形状を制御することができる。
次に、図９に示した光源装置１８を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構成図（断面図）を図１０に示す。
図１０に示す光源装置１９は、図２Ａ及び図２Ｂに示した光源装置１１と同様に、白色マークインク材８が透明樹脂７の周囲のみにリング状に形成されている。
その他の構成は、図９に示した光源装置１８と同様である。
次に、本発明に対する参考例として、光源装置の他の形態の要部の概略構成図（断面図）を、図１１に示す。
本形態の光源装置２０は、透明樹脂７の内部にも白色マークインク材８を形成している。
透明樹脂７の内部の白色マークインク材８は、図示しないが、透明樹脂７の外周にならってリング状に形成されている。
透明樹脂７の内部にも白色マークインク材８を形成していることにより、反射率の高い白色マークインク材８によって、透明樹脂７の内部の基板１側の反射率をさらに高めることができる。
次に、図１１に示した光源装置２０を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構成図（断面図）を図１２に示す。
図１２に示す光源装置２１は、図２Ａ及び図２Ｂに示した光源装置１１と同様に、白色マークインク材８が透明樹脂７の周囲にリング状に形成されている。
その他の構成は、図１１に示した光源装置２０と同様である。
次に、本発明に対する参考例として、光源装置の他の形態の要部の概略構成図（断面図）を、図１３に示す。
本形態の光源装置２２は、２層のレジスト層６１，６２の積層により、白色レジスト層６を形成しているが、この白色レジスト層６を透明樹脂７の外部のみに形成し、その代わりに、透明樹脂７の内部に白色マークインク材８を形成している。
なお、白色マークインク材８は、透明樹脂７の外部には形成されていない。
本形態では、白色レジスト層６の開口部の内壁６Ａによって透明樹脂７の形状が制御される点で、前述した各形態とは異なっている。
透明樹脂７の内部に白色マークインク材８を形成していることにより、厚い白色マークインク材８によって、透明樹脂７の内部の基板１側の反射率をさらに高めることができる。
次に、本発明に対する参考例として、光源装置の他の形態の要部の概略構成図（断面図）を、図１４に示す。
本形態の光源装置２３は、２層のレジスト層６１，６２の積層により、白色レジスト層６を形成し、この白色レジスト層６を、透明樹脂７の外部と透明樹脂７の内部とにそれぞれ形成して、その間に透明樹脂７の外周に沿うように開口部を設けている。
また、白色マークインク材８は、透明樹脂７の外部の白色レジスト層６上に形成され、白色マークインク材８の内壁８Ａが外側に後退しており、白色レジスト層６の透明樹脂７の外周に沿った開口部よりも内壁８Ａが外側に形成されている。
透明樹脂７の内部に、２層のレジスト層６１，６２の積層による白色レジスト層６が形成されていることにより、２層のレジスト層６１，６２により厚く形成され比較的反射率の高い白色レジスト層６によって、透明樹脂７の内部の基板１側の反射率を高めることができる。
また、本形態では、白色レジスト層６の透明樹脂７の外周に沿った開口部の内壁６Ａと、白色マークインク材８の内壁８Ａとによって、透明樹脂７の形状が制御される。
次に、図１４に示した光源装置２３を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構成図（断面図）を図１５に示す。
図１５に示す光源装置２４は、図２Ａ及び図２Ｂに示した光源装置１１と同様に、白色マークインク材８が透明樹脂７の周囲にリング状に形成されている。
その他の構成は、図１４に示した光源装置２３と同様である。
次に、本発明に対する参考例として、光源装置のさらに他の形態の要部の概略構成図を、図１６Ａ及び図１６Ｂに示す。図１６Ａは断面図、図１６Ｂは平面図である。
本形態では、赤色Ｒを含む２色以上の発光色の発光ダイオードを備えて光源装置を構成する。
例えば、赤色Ｒ、緑色Ｂ、青色Ｇの３色の発光ダイオードを備えて、光源装置を構成する。そして、それぞれの発光ダイオードのチップ４を、個別に透明樹脂７に封止する。
本形態では、さらに、赤色Ｒの発光ダイオードのチップ４Ｒについては、図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、透明樹脂７の内部において、白色レジスト層６の開口部が広い面積に形成され、この広い面積の開口部から電極２，３が透明樹脂７に臨んでいる。
一方、緑色Ｇの発光ダイオードのチップ４（４Ｇ）及び青色Ｂの発光ダイオードのチップ４（４Ｂ）においては、図１Ａ及び図１Ｂに示した構成と同様に、チップ４の近くまで白色レジスト層６で電極２，３を覆う。
電極２，３の金属材料が、赤色近傍の波長の光に対する反射率が高く、白色レジスト層６よりも反射率が高いので、赤色Ｒの発光ダイオードについては、白色レジスト層６の開口部を広い面積に形成して電極２，３を透明樹脂７に臨ませることにより、基板１側の反射率を高めることができる。
電極２，３の金属材料が、緑色近傍の波長の光や青色近傍の波長の光に対する反射率が低く、白色レジスト層６よりも反射率が低いので、緑色Ｇ及び青色Ｂの発光ダイオードについては、チップ４の近くまで白色レジスト層６で電極２，３を覆うことにより、基板１側の反射率を高めることができる。
なお、緑色Ｇの発光ダイオードのチップ４（４Ｇ）及び青色Ｂの発光ダイオードのチップ４（４Ｂ）については、図１１〜図１３に示した構成と同様に、透明樹脂７の内部に白色マークインク材８を設けて、白色マークインク材８によって基板１側の反射率を高めるようにしてもよい。
また、この図１６Ａ及び図１６Ｂに示した構成を一部変形して、図１７に断面図を示すように、白色マークインク材８が透明樹脂７の周囲にリング状に形成された構成としてもよい。
また、この図１６Ａ及び図１６Ｂに示した構成を一部変形して、図１３に示した構成のように、白色レジスト層６の内壁６Ａで透明樹脂７の形状を制御する構成としてもよい。
次に、本発明の一実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断面図）を、図１８に示す。
本実施の形態の光源装置２５は、２層のレジスト層６１，６２の積層により、白色レジスト層６を形成し、さらに、発光ダイオードのチップ４近傍における開口部の面積を、上層のレジスト層６２が下層のレジスト層６１よりも大きくなるように形成している。
発光ダイオードのチップ４近傍における開口部の面積を、上層のレジスト層６２が下層のレジスト層６１よりも大きくなるように形成したことにより、上層のレジスト層６２の内壁６Ｂが下層のレジスト層６１の内壁６Ａよりも後退しており、白色レジスト層６（６１，６２）の断面が階段状になっている。これにより、白色レジスト層６（６１，６２）が上側に開いた形状となるため、上方へ光を反射させやすくなることから、出射光の利用効率をさらに高めることができる。
次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断面図）を、図１９に示す。
本実施の形態の光源装置２６は、２層のレジスト層６１，６２の積層により、白色レジスト層６を形成し、さらに、発光ダイオードのチップ４近傍における開口部の面積を、上層のレジスト層６２が下層のレジスト層６１よりも小さくなるように形成している。
発光ダイオードのチップ４近傍における開口部の面積を、上層のレジスト層６２が下層のレジスト層６１よりも小さくなるように形成したことにより、上層のレジスト層６２の縁が下層のレジスト層６１の縁に被さるようになって、上層のレジスト層６２の内壁６Ｂの表面側の角が丸くなる。これにより、白色レジスト層６（６１，６２）が上側に開いた形状となるため、上方へ光を反射させやすくなることから、出射光の利用効率をさらに高めることができる。
次に、本発明に対する参考例として、光源装置の他の形態の要部の概略構成図（断面図）を、図２０に示す。
本形態の光源装置２７は、２層のレジスト層６１，６２の積層により、白色レジスト層６を形成し、さらに、発光ダイオードのチップ４近傍における開口部の面積を、上層のレジスト層６２と下層のレジスト層６１とで等しくして、かつ、開口部の位置を、上層のレジスト層６２と下層のレジスト層６１とで異ならせている。上層のレジスト層６２の開口部は、下層のレジスト層６１の開口部よりも図中左側にずらして形成されている。
発光ダイオードのチップ４近傍における開口部の面積を、上層のレジスト層６２と下層のレジスト層６１とで等しくして、かつ、上層のレジスト層６２の開口部を、下層のレジスト層６１の開口部よりも図中左側にずらして形成したことにより、図中左右方向において、左側では上層のレジスト層６２の内壁６Ｂが下層のレジスト層６１の内壁６Ａよりも後退しており、右側では上層のレジスト層６２の縁が下層のレジスト層６１の縁に被さっている。これにより、白色レジスト層６（６１，６２）が、左右いずれの側でも上側に開いた形状となるため、上方へ光を反射させやすくなることから、出射光の利用効率をさらに高めることができる。さらにまた、上層のレジスト層６２と下層のレジスト層６１の位置をずらしたことにより、上層のレジスト層６２及び下層のレジスト層６１がない開口部の面積が低減して、出射光の利用効率をさらに高めることができる。
なお、本形態において、さらに、図２０の前後方向においても、上層のレジスト層６２の開口部を、下層のレジスト層６１の開口部からずらして形成することにより、全体として上側に開いた形状とすることができる。
次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断面図）を、図２１に示す。
本実施の形態の光源装置２８は、図２０に示した光源装置２７の構成に対して、下層のレジスト層６１の開口部の内壁６Ａ及び上層のレジスト層６２の開口部の内壁６Ｂを、いずれも上側に開いた傾斜面とした構成である。
このようにレジスト層６１，６２の開口部の内壁６Ａ，６Ｂを傾斜面とするには、例えば、レジスト層６１，６２を露光する際に、露光光を斜めに照射すればよい。
また、例えば、露光マスクを、マスクの端部へ向かって薄くなっていく（或いは露光光の透過率が高くなっていく）特殊なマスクとすることが考えられる。
さらにまた、例えば、レジスト層６１，６２を形成した後に、内壁を削って傾斜面を形成することも考えられる。
さらにまた、レジスト層６１，６２を印刷工程にて形成した後に硬化前の自重による変形で傾斜面を形成することも可能である。
下層のレジスト層６１の開口部の内壁６Ａ及び上層のレジスト層６２の開口部の内壁６Ｂを、いずれも上側に開いた傾斜面としたことにより、図２０に示した光源装置２７のように階段状の断面とした場合よりも、さらに上方へ光を反射させやすくなることから、出射光の利用効率をさらに高めることができる。
次に、本発明に対する参考例として、光源装置のさらに他の形態の要部の概略構成図を、図２２Ａ及び図２２Ｂに示す。図２２Ａは断面図を示し、図２２Ｂは平面図を示す。
本形態の光源装置２９は、発光ダイオードのチップ４を、チップ４の下に設けたバンプ９によって左右の電極２，３の端子と接続している。
また、白色レジスト層６の上面が、チップ４の下面よりも下方になっている。
さらに、白色レジスト層６の開口部の寸法がチップ４の外形寸法よりも小さくなっており、白色レジスト層６がチップ４の下に入り込んでいる。白色レジスト層６の開口部の内壁６Ａが、図２２Ｂに鎖線で示すように、左右方向でも前後方向でも、チップ４より内側に入り込んでいる。
白色レジスト層６の上面が、発光ダイオードのチップ４の下面よりも下方になっていることにより、白色レジスト層６の上面が発光ダイオードの発光層よりも下方にあるため、発光層から出射した光（特に横方向や斜め下方向に出射した光）を白色レジスト層６により上方へ反射させて、反射率を向上させることができる。
また、白色レジスト層６の開口部の寸法がチップ４の外形寸法よりも小さくなっており、白色レジスト層６がチップの下に入り込んでいることにより、発光層から下方に出射した光を上方へ反射させて、さらに反射率を向上させることができる。
本形態は、特に、発光層が素子の下方にあり下方向に出射する光が多い下面発光型の発光ダイオードのチップに好適であるが、上面発光型の発光ダイオードのチップに適用しても反射率を向上させる効果が得られる。
ところで、光源装置の製造時に、発光ダイオードのチップ４を基板１の電極２，３に接続する際には、通常、チップ４の位置を認識するための識別材を、チップ４が配置される箇所の近くに設けている。
一般的には、この識別材として、マークインク材（白色以外の色のもの）が用いられているが、このようなマークインク材を発光ダイオードのチップ４用に使用した場合、マークインク材によって発光ダイオードから出射した光が吸収や散乱される虞がある。
或いはまた、この識別材として発光素子の周囲に用意した電極部材の特異形状を用いることも多いが、赤の発光素子以外に対しては必要以上の電極部材の露出は出射光の利用効率の低下を招く。
そこで、図２２に示した光源装置２９において、例えば、発光ダイオードのチップ４の下の部分の電極２，３の表面や、透明樹脂７よりも外側の基板１の表面に、識別材を形成する。
識別材を発光ダイオードのチップ４の下の部分の電極２，３の表面に形成した場合には、チップ４を実装した後に、識別材がチップ４に隠れるので、出射光が識別材に当たりにくくなる。
透明樹脂７よりも外側の基板１の表面に形成した場合にも、識別材がチップ４から遠くなるため、出射光が識別材に当たりにくくなる。
また、識別材を発光ダイオードのチップ４の下の部分の電極２，３の表面に形成する場合には、従来と同様のマークインク材等を識別材に用いてもよいが、電極２，３のパターン（角部等）を識別材に利用すると、識別材を形成する工程を設ける必要がなくなるため、工程数を削減して、光源装置の製造コストを低減することが可能になる。
ここで、図２２に示した光源装置２９において、電極２，３のパターン（角部等）を識別材に利用する場合を、図２３を参照して説明する。図２３は、光源装置２９を製造する際の途中の状態、具体的にはチップ４を実装する前の状態の拡大平面図である。
右の電極３は、バンプ９の下まで左側に延びて形成されているが、この電極３の左手前や左奥にある角部４０を、識別材として利用することが可能である。
電極３は、色又は反射率が基板１とは異なるので、カメラ等で容易に電極３の角部４０を認識することができる。
また、識別材として、左の電極２の角部を利用することも可能である。
なお、電極２，３の角部等を識別材として利用するためには、その角部が、白色レジスト層６の開口部（内壁６Ａ）よりも内側にあって、白色レジスト層６に隠れていないことが望ましい。
なお、図１８〜図２２に示した各形態の光源装置２５，２６，２７，２８，２９に対しても、それぞれ、図２Ａ及び図２Ｂと同様に、白色マークインク材８を透明樹脂７の周囲のみに形成した構成に変形してもよい。
また、図１〜図２１に示した各形態の光源装置の構成を変形して、ワイヤ５を使用せずに、左右の電極２，３にバンプ等により接続しても構わない。この場合、ワイヤ５を使用しないことにより、左右がほぼ対称な構造となるため、左右の電極２，３及び白色レジスト層６の開口部の内壁の位置が、図１〜図２１とは若干変わることになる。
次に、本発明に対する参考例として、光源装置のさらに他の形態の要部の概略構成図（断面図）を、図２４に示す。
本形態の光源装置３０は、透明樹脂７の周囲にリング状に形成した白色マークインク材８の上に、撥水材４１が形成されている。
撥水材４１は、白色マークインク材８だけでは撥水性が充分ではない場合に、撥水性をもたせて透明樹脂７の形状の制御を良好に行うために設けているものである。
撥水材４１の材料としては、紫外線や熱に対して黄変することがなく、かつ下地の白色マークインク材８の反射率を活かすために透明であり、さらに粘性が比較的低い撥水性塗料が適している。具体的には、例えば、シリコーン樹脂等の撥水剤を撥水材４１に使用することができる。
次に、本発明に対する参考例として、光源装置のさらに他の形態の要部の概略構成図（断面図）を、図２５に示す。
本形態の光源装置３１は、透明樹脂７の周囲にリング状に形成した白色マークインク材８の外側に、撥水材４１が形成されている。
この場合は、撥水材４１が白色マークインク材８の外側に形成されているため、透明樹脂７が撥水材４１の内側まで広がっている。
その他の構成は、図２４に示した光源装置３０と同様である。
図１〜２５に示した各光源装置は、照明用、プロジェクタ光源、カラー液晶表示装置のバックライト装置、等の用途に用いることが可能である。
例えば、これら各光源装置をバックライト装置に適用して、透過型のカラー液晶表示パネルと、このカラー液晶表示パネルの背面側に設けられたバックライト装置とから、カラー液晶表示装置を構成することができる。
カラー液晶表示装置用のバックライト装置に適用する場合には、赤色Ｒの発光ダイオードと緑色Ｇの発光ダイオードと青色Ｂの発光ダイオードとをそれぞれ透明樹脂７に封止して、これら３色Ｒ，Ｇ，Ｂの発光ダイオードを、１個ずつ或いは所定の個数でまとめて所定の配置（例えば三角形状に並べたデルタ配置等）とした発光ダイオード群を構成する。そして、この発光ダイオード群を例えばマトリックス状に配置することにより、バックライト装置を構成する。
このようなカラー液晶表示装置の一形態の概略構成図（分解斜視図）を図２６に示す。
図２６に示すカラー液晶表示装置１００は、透過型のカラー液晶表示パネル１１０と、このカラー液晶表示パネル１１０の背面側に設けられたバックライトユニット１４０とから成る。
透過型のカラー液晶表示パネル１１０は、ガラス等で構成された２枚の透明な基板（ＴＦＴ基板１１１、対向電極基板１１２）を互いに対向配置させ、その間隙に、例えば、ツイステッドネマチック（ＴＮ）液晶を封入した液晶層１１３を設けた構成となっている。ＴＦＴ基板１１１には、マトリクス状に配置されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１６と、画素電極１１７とが形成されている。
薄膜トランジスタ１１６は、走査線１１５により、順次選択されると共に、信号線１１４から供給される映像信号を、対応する画素電極１１７に書き込む。
対向電極基板１１２は、その内表面に、対向電極１１８及びカラーフィルター１１９が形成されている。
カラーフィルター１１９は、図示しないが、各画素に対応したセグメントに分割されている。例えば、３原色である赤色フィルター、緑色フィルター、青色フィルターの３つのセグメントに分割されている。
このカラー液晶表示装置１００では、このような構成の透過型のカラー液晶表示パネル１１０を２枚の偏光板１３１，１３２で挟み、バックライトユニット１４０により背面側から白色光を照射した状態で、アクティブマトリクス方式で駆動することによって、所望のフルカラー映像を表示させることができる。
バックライトユニット１４０は、カラー液晶表示パネル１１０を背面側から照明するものである。図２６に示すように、バックライトユニット１４０は、光源を備え、光源から出射された光を混色した白色光を光照射面１２０ａから面発光するバックライト装置１２０と、このバックライト装置１２０の光出射面１２０ａ上に積層された拡散板１４１とから構成されている。
拡散板１４１は、光出射面１２０ａから出射された白色光を拡散させることにより、面発光における輝度の均一化を行うものである。
そして、バックライト装置１２０は、３色Ｒ，Ｇ，Ｂの発光ダイオードから成る発光ダイオード群が、図示しないが、マトリックス配置されて構成される。
これにより、各発光ダイオード群において、効率良く光が出射されるので、カラー液晶表示パネル１１０に表示される画像の輝度を充分に確保することができる。
また、画像の輝度を充分に確保することができるため、より少ないエネルギーでも従来の構成と同等の輝度で画像を表示することが可能になる。
なお、上述の各実施の形態では、発光素子として、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いたが、本発明では、その他の発光素子を用いて光源装置を構成してもよい。例えば、半導体レーザ等を発光素子として用いることも可能である。
続いて、実際に光源装置を作製して、反射分光分布の測定を行った。
基板１及び電極２，３上に白色レジスト層６を形成し、白色レジスト層６の厚さを、４０μｍ、３０μｍ、２２．５μｍと変えて、それぞれ試料を作製した。
また、比較例として、白色レジスト層６を形成していない試料を作製した。
これら各試料について、電極（配線）２，３上における反射分光分布を測定した。比較例の試料では、電極（配線）２，３外上における反射分光分布も測定した。
測定結果を図２７に示す。また、図２７には、参考として、配線材料に使用されるＣｕの反射分光についても示している。
図２７より、電極（配線）２，３上に白色レジスト層６を形成した各例は、ほぼ同様の傾向の反射分光分布となっており、可視光線の広い波長範囲で高い反射率が得られている。また、白色レジスト層６の厚さを２２．５μｍ，３０μｍ，４０μｍと厚くしていくに従い、反射率が少しずつ増大していることがわかる。なお、厚さがある程度に達すると、反射率が飽和すると考えられる。
一方、白色レジスト層６を形成していない比較例は、電極（配線）２，３外上では波長依存性が小さく、６０〜６５％の反射率となっている。電極（配線）２，３上では、短波長側での反射率が５３％程度と低く、波長が長くなるに従い反射率が徐々に高くなっており、配線材料に使われるＣｕの反射分光とほぼ同様の傾向を示している。
即ち、電極（配線）２，３上に白色レジスト層６を形成した各例の構成とすることにより、可視光線の広い波長範囲で高い反射率が得られ、光の取り出し効率を高めることができる。
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
Ａ、Ｂ 光源装置の一形態の要部の概略構成図である。 Ａ、Ｂ 図１の形態を変形した形態の要部の概略構成図である。 光源装置の他の形態の要部の断面図である。 図３の形態を変形した形態の要部の断面図である。 光源装置の他の形態の要部の断面図である。 図５の形態を変形した形態の要部の断面図である。 光源装置の他の形態の要部の断面図である。 図７の形態を変形した形態の要部の断面図である。 光源装置の他の形態の要部の断面図である。 図９の形態を変形した形態の要部の断面図である。 光源装置の他の形態の要部の断面図である。 図１１の形態を変形した形態の要部の断面図である。 光源装置の他の形態の要部の断面図である。 光源装置の他の形態の要部の断面図である。 図１４の形態を変形した形態の要部の断面図である。 Ａ、Ｂ 光源装置のさらに他の形態の要部の概略構成図である。 図１６の形態を変形した形態の要部の断面図である。 本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。 本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。 光源装置の他の形態の要部の断面図である。 本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。 Ａ、Ｂ 光源装置のさらに他の形態の要部の概略構成図である。 図２２の光源装置を製造する際の途中の状態の拡大平面図である。 光源装置のさらに他の形態の要部の断面図である。 光源装置のさらに他の形態の要部の断面図である。 光源装置をバックライト光源として備えたカラー液晶表示装置の一形態の概略構成図（分解斜視図）である。 光源装置の反射分光分布を示す図である。
符号の説明
１ 基板、２，３ 電極、４ （発光ダイオードの）チップ、５ ワイヤ、６ 白色レジスト層、７ 透明樹脂、８，８１，８２ 白色マークインク材、９ バンプ、１０，１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９，２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８，２９，３０，３１ 光源装置、４１ 撥水材、６１，６２ レジスト層、１００ カラー液晶表示装置

Claims (9)

  1. 少なくとも１対の電極を有する基板と、１つ以上の発光素子と、前記発光素子を封止する透明樹脂とから成り、
    前記基板上に白色レジスト層が形成され、
    前記白色レジスト層は、前記電極の一部を覆って形成されていると共に、少なくとも前記発光素子及びその近傍、並びに前記電極の端子上において、開口部を有し、
    前記白色レジスト層上に、白色又は透明の部材が形成され、
    前記白色レジスト層が、２層以上のレジスト層の積層により形成され、
    前記白色レジスト層の前記開口部は、上側が開いた傾斜面となっている
    ことを特徴とする光源装置。
  2. 少なくとも１対の電極を有する基板と、１つ以上の発光素子と、前記発光素子を封止する透明樹脂とから成り、
    前記基板上に白色レジスト層が形成され、
    前記白色レジスト層は、前記電極の一部を覆って形成されていると共に、少なくとも前記発光素子及びその近傍、並びに前記電極の端子上において、開口部を有し、
    前記白色レジスト層上に、白色又は透明の部材が形成され、
    前記白色レジスト層が、２層のレジスト層の積層により形成され、前記２層のレジスト層のうち、上層の前記発光素子近傍における開口の面積が、下層の前記発光素子近傍における開口の面積より大きい
    ことを特徴とする光源装置。
  3. 少なくとも１対の電極を有する基板と、１つ以上の発光素子と、前記発光素子を封止する透明樹脂とから成り、
    前記基板上に白色レジスト層が形成され、
    前記白色レジスト層は、前記電極の一部を覆って形成されていると共に、少なくとも前記発光素子及びその近傍、並びに前記電極の端子上において、開口部を有し、
    前記白色レジスト層上に、白色又は透明の部材が形成され、
    前記白色レジスト層が、２層のレジスト層の積層により形成され、前記２層のレジスト層のうち、上層の前記発光素子近傍における開口の面積が、下層の前記発光素子近傍における開口の面積より小さい
    ことを特徴とする光源装置。
  4. 前記上層よりも前記下層が薄いことを特徴とする請求項２に記載の光源装置。
  5. 前記下層は、前記発光素子近傍の前記開口部が、上側が開いた傾斜面となっていることを特徴とする請求項２に記載の光源装置。
  6. 前記上層は、前記発光素子近傍の前記開口部が、上側が開いた傾斜面となっていることを特徴とする請求項３に記載の光源装置。
  7. 少なくとも１対の電極を有する基板と、１つ以上の発光素子と、前記発光素子を封止する透明樹脂とから成り、
    前記基板上に白色レジスト層が形成され、
    前記白色レジスト層は、前記電極の一部を覆って形成されていると共に、少なくとも前記発光素子及びその近傍、並びに前記電極の端子上において、開口部を有し、
    前記白色レジスト層上に、白色又は透明の部材が形成され、
    前記白色レジスト層が、２層のレジスト層の積層により形成され、前記２層のレジスト層のうち、上層の前記発光素子近傍における開口の面積と、下層の前記発光素子近傍における開口の面積とがほぼ等しく、開口の位置が前記上層と前記下層とで異なっており、
    前記上層及び前記下層は、いずれも前記発光素子近傍の前記開口部が、上側が開いた傾斜面となっている
    ことを特徴とする光源装置。
  8. 前記下層の上面の高さが、前記発光素子の発光面よりも低くなっていることを特徴とする請求項２に記載の光源装置。
  9. 前記下層の前記発光素子近傍における前記開口部の面積が、前記発光素子の面積よりも小さくなっていることを特徴とする請求項８に記載の光源装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7021056B2 (ja) 2018-11-22 2022-02-16 株式会社日立ビルシステム エレベーター制御システム及びその方法

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1928026A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-04 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination device with semiconductor light-emitting elements
KR101449005B1 (ko) 2007-11-26 2014-10-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5140413B2 (ja) * 2007-12-28 2013-02-06 株式会社日立製作所 実装基板、及びこの実装基板を備えるｌｅｄ光源装置
JP5367260B2 (ja) * 2007-12-28 2013-12-11 株式会社ジャパンディスプレイ 光源モジュール、照明装置、及び液晶表示装置
CN102751272B (zh) 2008-03-26 2016-04-20 岛根县 半导体发光组件及其制造方法
JP5289835B2 (ja) 2008-06-25 2013-09-11 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
TWI384659B (zh) * 2009-01-23 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構
DE102009008738A1 (de) 2009-02-12 2010-08-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
JP5499325B2 (ja) * 2009-06-01 2014-05-21 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
DE102009031008A1 (de) 2009-06-29 2010-12-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
JP4747265B2 (ja) * 2009-11-12 2011-08-17 電気化学工業株式会社 発光素子搭載用基板およびその製造方法
JP5623062B2 (ja) 2009-11-13 2014-11-12 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5261578B2 (ja) 2009-11-27 2013-08-14 京セラ株式会社 発光装置
JP5446915B2 (ja) * 2010-01-21 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 生体情報検出器及び生体情報測定装置
JP2011151268A (ja) 2010-01-22 2011-08-04 Sharp Corp 発光装置
CN102279497A (zh) * 2010-06-09 2011-12-14 元太科技工业股份有限公司 彩色滤光基板及显示装置
TW201201419A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Semileds Optoelectronics Co Wafer-type light emitting device having precisely coated wavelength-converting layer
US9159892B2 (en) * 2010-07-01 2015-10-13 Citizen Holdings Co., Ltd. LED light source device and manufacturing method for the same
JP2012074483A (ja) 2010-09-28 2012-04-12 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子収納用パッケージ
JP5361839B2 (ja) * 2010-10-06 2013-12-04 日本発條株式会社 金属ベース回路基板
TWI407600B (zh) * 2010-10-25 2013-09-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構的製造方法
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
US8575639B2 (en) 2011-02-16 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US20150062915A1 (en) * 2013-09-05 2015-03-05 Cree, Inc. Light emitting diode devices and methods with reflective material for increased light output
US8624271B2 (en) 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
JP5582048B2 (ja) 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
US8455908B2 (en) * 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
JP2012204370A (ja) 2011-03-23 2012-10-22 Sony Corp 光源回路ユニットおよび照明装置、並びに表示装置
JP5817297B2 (ja) * 2011-06-03 2015-11-18 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
JP2013004815A (ja) 2011-06-17 2013-01-07 Sony Corp 光源回路ユニットおよび照明装置、並びに表示装置
JP5456209B2 (ja) * 2011-08-01 2014-03-26 株式会社Ｓｔｅｑ 半導体装置及びその製造方法
KR20140097284A (ko) 2011-11-07 2014-08-06 크리,인코포레이티드 고전압 어레이 발광다이오드(led) 장치, 기구 및 방법
JP2013179148A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Unistar Opto Corp 発光ダイオードエリアライトモジュールおよびそのパッケージ方法
JP2013201255A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
DE102012213178A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft LED-Modul mit Leiterplatte
JP6553143B2 (ja) * 2012-05-09 2019-07-31 ローム株式会社 半導体発光装置
JP6219586B2 (ja) * 2012-05-09 2017-10-25 ローム株式会社 半導体発光装置
KR102098831B1 (ko) * 2012-06-07 2020-04-08 시코쿠 케이소쿠 코교 가부시키가이샤 Led 조명 모듈 및 led 조명 장치
JP5994472B2 (ja) 2012-08-09 2016-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2014056856A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置
WO2014050650A1 (ja) * 2012-09-26 2014-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9345091B2 (en) 2013-02-08 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitting device (LED) light fixture control systems and related methods
JP6221403B2 (ja) 2013-06-26 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
JP6255747B2 (ja) * 2013-07-01 2018-01-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6344689B2 (ja) * 2013-07-16 2018-06-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 基板、発光装置、照明用光源、および照明装置
JP6265055B2 (ja) 2014-01-14 2018-01-24 ソニー株式会社 発光装置、表示装置および照明装置
JP6681139B2 (ja) 2014-12-24 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6414485B2 (ja) * 2015-02-27 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6704189B2 (ja) * 2015-08-03 2020-06-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6583669B2 (ja) * 2015-08-03 2019-10-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6675111B2 (ja) * 2015-08-03 2020-04-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6524904B2 (ja) 2015-12-22 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6817599B2 (ja) 2016-03-10 2021-01-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP7029223B2 (ja) * 2016-07-13 2022-03-03 ローム株式会社 半導体発光装置
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
JP6868388B2 (ja) 2016-12-26 2021-05-12 日亜化学工業株式会社 発光装置および集積型発光装置
JP2018207048A (ja) * 2017-06-08 2018-12-27 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用のフレキシブル基板
JP2018207047A (ja) * 2017-06-08 2018-12-27 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用基板、及び、それを用いたｌｅｄバックライト
CN107466171A (zh) * 2017-07-25 2017-12-12 沈雪芳 柔性印刷电路板、加工工艺及灯带
JP7193698B2 (ja) * 2017-12-26 2022-12-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP7037053B2 (ja) 2018-04-25 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
CN110290633A (zh) * 2019-06-05 2019-09-27 众普森科技（株洲）有限公司 Pcb板、pcb板的制造方法及电器设备
CN113391481B (zh) * 2020-03-13 2024-01-02 夏普株式会社 发光元件装载基板及背光源
KR20210136720A (ko) 2020-05-08 2021-11-17 삼성전자주식회사 발광 장치
CN112687748A (zh) * 2020-12-29 2021-04-20 佛山市国星光电股份有限公司 一种背光模块及其制作方法
KR20220123872A (ko) * 2021-03-02 2022-09-13 삼성전자주식회사 백라이트 유닛, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 백라이트 유닛의 제조 방법

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61144890A (ja) 1984-12-19 1986-07-02 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプのレンズの製造方法
JPH04258184A (ja) * 1991-02-12 1992-09-14 Fuji Xerox Co Ltd 発光表示装置
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3819448B2 (ja) * 1994-07-28 2006-09-06 三洋電機株式会社 線状光源
DE69716906T2 (de) * 1996-05-29 2003-03-20 Idemitsu Kosan Co. Ltd., Tokio/Tokyo Organische elektrolumineszente vorrichtung
JPH1026774A (ja) * 1996-07-12 1998-01-27 Fujitsu Ltd 液晶表示パネルとその製造方法
JPH10294498A (ja) 1997-04-18 1998-11-04 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ表示器の製造方法
JP3245378B2 (ja) * 1997-04-24 2002-01-15 スタンレー電気株式会社 面実装型半導体素子
JP3335575B2 (ja) * 1997-06-06 2002-10-21 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
JP2003200612A (ja) * 2001-10-26 2003-07-15 Minolta Co Ltd 像生成装置及び画像形成装置
JP4230210B2 (ja) * 2002-12-16 2009-02-25 日本電産サンキョー株式会社 光学式読取装置
JP2003234510A (ja) 2003-03-18 2003-08-22 Sanyo Electric Co Ltd 光 源
JP4030463B2 (ja) * 2003-05-20 2008-01-09 三洋電機株式会社 Ｌｅｄ光源及びその製造方法
JP4049033B2 (ja) * 2003-06-26 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置とその製造方法
KR100808705B1 (ko) 2003-09-30 2008-02-29 가부시끼가이샤 도시바 발광장치
DE102004014207A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper
JP4665209B2 (ja) * 2004-04-15 2011-04-06 スタンレー電気株式会社 平面照射型ｌｅｄ
JP2005322804A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Nitto Denko Corp 光半導体装置
JP4631683B2 (ja) * 2005-01-17 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及び電子機器
KR101204115B1 (ko) * 2005-02-18 2012-11-22 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치
US7800124B2 (en) * 2005-06-30 2010-09-21 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light-emitting device
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
JP3992059B2 (ja) * 2005-11-21 2007-10-17 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP5028562B2 (ja) * 2006-12-11 2012-09-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置
JP5104490B2 (ja) * 2007-04-16 2012-12-19 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
US8415682B2 (en) * 2007-12-28 2013-04-09 Rohm Co., Ltd. Light emitting semiconductor device having an improved outward luminosity efficiency and fabrication method for the light emitting semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP7021056B2 (ja) 2018-11-22 2022-02-16 株式会社日立ビルシステム エレベーター制御システム及びその方法

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