JP2010282775A - 発光装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子の温度を正確に検出できる発光装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】発光装置２は、第１面と第２面とを有する第１基板３６と、第１基板３６の第１面と対向して配置される第２基板４０と、第１基板３６の第１面に設けられており、発光素子１２を夫々含む複数の画素部と、第２基板４０上における第１基板３６と対向する側に設けられ、複数の画素部の間の領域の少なくとも一部と対向する遮光部４５と、を備え、遮光部４５は、導電体を含み、複数の画素部の温度を検出する。
【選択図】図３

Description

本発明は、発光装置及び電子機器に関するものである。

この種の発光装置の一例である有機ＥＬ（Electro-luminescence）パネルの発光素子に用いられる有機ＥＬ材料は、使用される環境温度によってその材料特有の温度特性から発光輝度が異なってしまうという問題点があることが知られている。ＲＧＢ独立発光のパネルでは特にこの材料特有の温特の違いにより、色ずれが起こり表示品質の著しい低下となる。ここでいう「色ずれ」とは、（１）基板面内（特に中心付近の画素と外周付近の画素）で起こり得る温度差に起因したＩ−Ｌ特性（電流−光出力特性）の変化（ずれ）、（２）ＲＧＢ毎に異なる温度特性に起因したＩ−Ｌ特性の変化（ずれ）、（３）ＴＦＴ（Thin Film Transistor）や周辺回路（配線）等から発生した熱に起因したＩ−Ｌ特性の変化（ずれ）をいう。

このような問題点に関しては、温度検出手段によって、複数の画素部の温度を検出することで、表示領域における温度を検出し、色ずれのない高品質な画像表示を行う技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、有効表示領域内の複数画素を画像表示と温度検出に兼用することで、自発光素子の駆動温度を正確に検出する技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００７−２３４４４７号公報 特開２００８−１８１００８号公報

しかしながら、特許文献１に開示された技術では、対向基板に温度検出手段を有することが開示されているが具体的な検出方法が記載されていない。また、特許文献２に開示された技術では、画素内に温度検出用配線、スイッチを有するため、レイアウトが困難という問題がある。
発光素子の温度を正確に検出できる発光装置及び電子機器を提供する。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］第１面と第２面とを有する第１基板と、前記第１基板の第１面と対向して配置される第２基板と、前記第１基板の第１面に設けられており、発光素子を夫々含む複数の画素部と、前記第２基板上における前記第１基板と対向する側に設けられ、前記複数の画素部の間の領域の少なくとも一部と対向する遮光部と、を備え、前記遮光部は、導電体を含み、前記複数の画素部の温度を検出する機能を有することを特徴とする発光装置。

これによれば、本発明の発光装置は、例えば透明基板からなる第１基板の第１面の、例えば表示領域に複数の画素部が形成される。複数の画素部と対向するように第２基板が配置され、第１及び第２基板が例えば接着部材を介して互いに貼り合わせられることにより形成される。

本発明の発光装置によれば、その動作時には、各画素部において、例えば、発光素子に印加電流が印加されることにより、発光素子において例えば有機ＥＬ層等の発光層が発光する。この場合、印加電流によって、画素部の輝度が制御される。このような動作時には、例えば、発光素子が発光する際に生じる熱や、画素部に設けられた例えばＴＦＴ等の半導体素子、配線抵抗等による発熱のため、画素部の温度が変化してしまうおそれがある。発光素子は、使用される温度が異なると印加電流に対する発光輝度が異なるという温度特性を有する場合が多く、画素部の温度変化に伴い、画素部における輝度も変化してしまうおそれがある。

しかるに本発明では、複数の画素部の温度を検出する遮光部が、複数の画素部のうち少なくとも一部に対して平面的に重なるように設けられている。これにより、発光素子の温度を正確に検出することが可能となる。また、発光装置の動作時にも、複数の画素部の温度を検出できる。さらに、従来温度検出用に金属導線を配線していたスペースを省略することができる。

尚、遮光部により「検出する」とは、狭義には、直接的に即ち遮光部により検出するあるいは測定する場合の他に、広義には、画素部の温度に関連する他の一又は複数のパラメーターに基づいて、間接的に検出する、算出する、推定する、予測する、予想する、特定する等々の場合を含んでよい。

以上説明したように、本発明に係る発光装置によれば、遮光部によって、複数の画素部の温度を検出することができる。

［適用例２］上記発光装置であって、前記第１基板の第１面に設けられ、前記遮光部に対応して設けられた外部回路を接続する複数の端子部と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記各端子部と前記遮光部とを電気的に接続する上下導通部と、を備えたことを特徴とする発光装置。

これによれば、外部回路を容易に接続することができる。

［適用例３］上記発光装置であって、前記複数の端子部は、互いの近傍に配置されていることを特徴とする発光装置。

これによれば、端子部同士が近いので、外付けのＦＰＣの設計がし易く、ＦＰＣを小さくできる。

［適用例４］上記発光装置であって、前記遮光部によって検出された温度に応じて、前記発光素子が所定の輝度で発光するように、前記発光素子に印加すべき駆動波形を制御する駆動波形制御回路を備えたことを特徴とする発光装置。

これによれば、遮光部によって検出された温度に応じた印加電流を発光素子に印加するようにすることで、画素部の輝度が所望の輝度となるように制御できる。即ち、例えば、発光装置の動作中に、例えば所定時間毎に遮光部により温度を検出し、検出された温度に基づいて所望の輝度となるように補正された印加電流を発光素子に印加することで、発光素子の温度変化による発光輝度の変化あるいは所望の輝度からのズレを低減あるいは防止できる。

［適用例５］上記発光装置であって、前記発光素子は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、及びＢ（青）の各色のいずれかを発光する発光層を夫々含む３種類の発光素子であり、前記駆動波形制御回路は、前記３種類の発光素子毎に前記駆動波形を制御することを特徴とする発光装置。

これによれば、駆動波形制御回路は、Ｒ、Ｇ、及びＢに夫々対応する発光素子に印加すべき駆動波形を独立して制御する。即ち、ＲＧＢ毎に独立して印加すべき駆動波形を補正する。よって、ＲＧＢ毎に発光素子の温度特性が異なることに起因して、色ずれが生じてしまうことを低減あるいは防止できる。従って、より一層、高品質な画像表示が可能となる。

［適用例６］上記発光装置であって、前記遮光部の形状は、クランク状に繰り返し折れ曲がった線状であることを特徴とする発光装置。

これによれば、遮光部の抵抗値が大きくなるので、温度変化に対する検出感度が向上する。

［適用例７］上記発光装置であって、前記遮光部は、前記複数の画素部が設けられた表示領域における複数箇所に設けられることを特徴とする発光装置。

これによれば、遮光部によって、複数の画素部の温度をきめ細かく検出することができる。

［適用例８］上記１〜７のいずれか一項に記載の発光装置を具備してなる電子機器。

これによれば、上記した本発明に係る発光装置を具備してなるので、使用される環境の温度変化によらず、高品位の表示が可能な、携帯電話又は電子手帳等の携帯機器、投射型表示装置、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル、ＤＳＣ、さらには電気光学装置を露光用ヘッドとして用いたプリンター、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置などの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器は、高い信頼性が要求される車載用のカーナビゲーション又はインパネに用いられる表示部に適用可能である。

第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成を示すブロック図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の遮光部の画像表示領域における配置を示す概略平面図。 図２のＡ−Ａ断線に沿う概略断面図。 図２のＢ−Ｂ断線に沿う概略断面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置のＭｏの抵抗率を示す図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の駆動方法を示すブロック図。 第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の遮光部の画像表示領域における配置を示す平面図。 第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の遮光部の画像表示領域における配置を示す平面図。 第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の遮光部の画像表示領域における配置を示す平面図。 第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の遮光部の画像表示領域における配置を示す平面図。 第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の遮光部の画像表示領域における配置を示す平面図。 第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の遮光部の画像表示領域における配置を示す平面図。 発光装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図。 発光装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図。

以下では、本実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、発光装置の一例である有機ＥＬ装置を例にとる。
（第１の実施形態）
本実施形態に係る有機ＥＬ装置について、図１〜図６を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成について、図１を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２の全体構成を示すブロック図である。

有機ＥＬ装置２は、図１に示すように、駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式で駆動される表示装置であり、有機ＥＬ装置２が有する各画素部１０は、発光素子としての有機ＥＬ素子１２を備えている。

有機ＥＬ装置２の画像表示領域１４には、縦横に配線されたデータ線１６及び走査線１８が設けられており、それらの交点に対応する各画素部１０はマトリクス状に配列されている。さらに、画像表示領域１４には各データ線１６に対して配列された画素部１０に対応する電源供給線２０が設けられている。

画像表示領域１４の周辺に位置する周辺領域には、走査線駆動回路２２、データ線駆動回路２４、及び駆動波形制御回路２６が設けられている。走査線駆動回路２２は複数の走査線１８に走査信号を順次供給する。駆動波形制御回路２６は、後述するように、画像表示領域１４に設けられた遮光部の抵抗値に係る温度データに基づいて、後述する補正データを生成し、データ線駆動回路２４に出力する。

データ線駆動回路２４は、駆動波形制御回路２６からの補正データと表示データとから画素部１０を駆動するための駆動波形を生成し、生成した駆動波形を、画像表示領域１４に配線されたデータ線１６に供給する。尚、走査線駆動回路２２の動作とデータ線駆動回路２４の動作とは、同期信号線２８を介して相互に同期が図られる。電源供給線２０には、外部回路から画素駆動用電源が供給される。図１中、一つの画素部１０に着目すれば、画素部１０には、有機ＥＬ素子１２が設けられると共に、例えばＴＦＴを用いて構成されるスイッチング用トランジスター３０及び駆動用トランジスター３２、並びに保持容量３４が設けられている。スイッチング用トランジスター３０のゲート電極には走査線１８が電気的に接続されており、スイッチング用トランジスター３０のソース電極にはデータ線１６が電気的に接続され、スイッチング用トランジスター３０のドレイン電極には駆動用トランジスター３２のゲート電極が電気的に接続されている。また、駆動用トランジスター３２のドレイン電極には、電源供給線２０が電気的に接続されており、駆動用トランジスター３２のソース電極には有機ＥＬ素子１２の陽極が電気的に接続されている。尚、図１に例示した画素回路の構成の他にも、電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム方式の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することが可能である。

次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２の具体的な構成について、図２〜図４を参照して説明する。
図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２の遮光部の画像表示領域１４における配置を示す概略平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ断線に沿う概略断面図である。図４は、図２のＢ−Ｂ断線に沿う概略断面図である。

有機ＥＬ装置２は、図２に示すように、第１面と第２面とを有する第１基板としての素子基板３６、素子基板３６の第１面と対向して配置される第２基板としての封止基板４０、封止基板４０上における素子基板３６と対向する側に設けられた遮光部４５、素子基板３６の第１面に設けられた複数の端子部４９、及び素子基板３６と封止基板４０との間の画像表示領域１４の周辺領域に設けられた上下導通部５５を備えて構成されている。
遮光部４５は、複数の画素部１０（図１参照）の間の領域の少なくとも一部と対向している。
端子部４９は、遮光部４５に対応して設けられている。端子部４９には、外部回路（図示せず）が接続される。
上下導通部５５は、配線５５ａを介して、各端子部４９と遮光部４５とを電気的に接続している。

有機ＥＬ装置２は、図３に示すように、素子基板３６、素子基板３６上に形成された有機ＥＬ素子１２、駆動用トランジスター３２、バンク部３８、及び封止基板４０を備えて構成されている。尚、有機ＥＬ素子１２は、図中上側に光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ素子であるが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子であってもよい。

素子基板３６は、例えば、ガラス基板等で構成されている。素子基板３６は、素子基板３６の第１面に有機ＥＬ素子１２が形成されているだけでなく、図１に示す走査線駆動回路２２、データ線駆動回路２４、温度検出回路６３（図６参照）、及び駆動波形制御回路２６等の各種回路を備えている。このような回路は、素子基板３６における画像表示領域１４の周辺領域に設けられている。

有機ＥＬ素子１２は、有機ＥＬ層４２、陰極４４、及び陽極４６を備えて構成されている。有機ＥＬ層４２は、複数の有機ＥＬ層４２を互いに隔てるための素子分離部として機能するバンク部３８に囲まれた凹部４８に有機材料を塗布することによって形成されている。

バンク部３８は、有機ＥＬ層４２が形成される凹部４８を規定する。バンク部３８は、フェノール又はポリイミドなどの絶縁性を有する感光性樹脂からなり、画素部１０を構成する陽極４６の周囲を一部覆って、複数の陽極４６をそれぞれ区画するように設けられている。

陽極４６は、素子基板３６上に順次形成されたゲート絶縁膜５２、層間絶縁膜５４、平坦化膜５０、及びバンク部３８のうちバンク部３８に埋め込まれるように形成されている。陽極４６は、例えば、有機ＥＬ層４２から図中下側に出射される光を下側に透過するように例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料で構成された透明電極である。陽極４６は、素子基板３６上に形成されたＴＦＴ３２の３端子のうちの１つに接続しており、例えば、透明電極材料であるＩＴＯを厚さ１００ｎｍ程度に成膜した電極である。また、陽極４６の下層（平坦化膜５０側）に、絶縁層を介してＡｌ（アルミニウム）からなる反射膜５１が設けられている。当該反射膜５１は、有機ＥＬ層４２における発光を封止基板４０側に反射するものである。また、当該反射膜５１はＡｌに限定されず、発光を反射する機能（反射面）を有していればよい。例えば、絶縁性の有機材料あるいは無機材料を用いて凹凸を有する反射面を形成する方法、陽極４６自体を、反射機能を有する導電材料で構成し、表面層にＩＴＯ膜を形成する方法などが挙げられる。

陰極４４は、素子基板３６上に形成された各有機ＥＬ素子１２で共通とされる共通電極である。陰極４４は、有機ＥＬ層４２の上面から各有機ＥＬ層４２を互いに隔てるバンク部３８の上面に渡って形成されている。

駆動用トランジスター３２のソース電極３２ｓは、図１に示す電源供給線２０に電気的に接続されており、ドレイン電極３２ｄは陽極４６に電気的に接続されている。駆動用トランジスター３２は、図１に示すデータ線１６を介してゲート電極５６ａに供給されるデータ信号に応じてオンオフされ、駆動電流を有機ＥＬ素子１２に供給する。また、駆動用トランジスター３２と同様に図１に示すスイッチング用トランジスター３０も素子基板３６上に形成されている。

半導体層５６は、例えば低温ポリシリコン技術を用いて形成された多結晶シリコン層あるいはアモルファスシリコン層である。半導体層５６上には、半導体層５６を埋め込んで、スイッチング用トランジスター３０及び駆動用トランジスター３２のゲート絶縁膜５２が形成されている。駆動用トランジスター３２のゲート電極５６ａ及び図１に示す走査線１８は、ゲート絶縁膜５２上に形成されている。走査線１８の一部は、スイッチング用トランジスター３０のゲート電極として形成されている。ゲート電極５６ａ及び走査線１８は、Ａｌ、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）等のうち少なくとも一つを含む金属材料を用いて形成されている。

走査線１８や駆動用トランジスター３２のゲート電極５６ａを埋め込んで、ゲート絶縁膜５２上には図３に示す層間絶縁膜５４が形成されている。層間絶縁膜５４及びゲート絶縁膜５２は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）から構成されている。層間絶縁膜５４上には、例えばＡｌ又はＩＴＯを含む導電材料から夫々構成されるデータ線１６及び電源供給線２０、さらには駆動用トランジスター３２のソース電極３２ｓが形成されている。層間絶縁膜５４には、層間絶縁膜５４の表面から層間絶縁膜５４及びゲート絶縁膜５２を貫通して、駆動用トランジスター３２の半導体層５６に至るコンタクトホール５８，６０が形成されている。電源供給線２０及びドレイン電極３２ｄを構成する導電膜は、コンタクトホール５８，６０の各々の内壁に沿って半導体層５６の表面に至るように連続的に形成されている。層間絶縁膜５４上には、電源供給線２０及びドレイン電極３２ｄを埋め込んで、平坦化膜５０として例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）ないしシリコン酸化膜が形成されている。平坦化膜５０上には、例えばシリコン酸化膜よりなるバンク部３８が形成される。バンク部３８によって、画素部１０における有機ＥＬ層４２の形成領域が規定されている。

このような複数の有機ＥＬ素子１２が設けられた画像表示領域１４を少なくとも覆うように層間絶縁膜４１が設けられている。

層間絶縁膜４１は、無機材料からなる例えばＳｉ_xＮ_y（窒化シリコン）膜であり、後述するプラズマＣＶＤ装置を用いて透明性を有するように成膜されたものである。

封止基板４０は、透明なガラス等からなる基板を用いている。有機ＥＬ素子１２（素子基板３６の第１面）に面する側には、画素部１０の配置に対応した赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、３色のフィルターエレメント４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂとこれを区画する遮光部４５が設けられている。

有機ＥＬ装置２は、いわゆるトップエミッション型の構造となっており、陽極４６と陰極４４との間に駆動電流を流して有機ＥＬ層４２で発光した白色光を前述した反射膜５１で反射させ、フィルターエレメント４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂを介して封止基板４０側から取り出す構成となっている。トップエミッション型の構造であるため、素子基板３６は、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。

３色のフィルターエレメント４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂとこれを区画する遮光部４５上には、平坦化膜５３として例えばアクリルなどの絶縁性を有する感光性樹脂が形成されている。

画像表示領域１４の外側には、図４に示すように、素子基板３６と封止基板４０との間に、例えばＡｌ又はＩＴＯを含む導電材料から夫々構成される、素子基板３６の第１面に設けられた電極５５ｃと配線５５ａ、及び封止基板４０上における素子基板３６と対向する側に設けられた電極５５ｂを介して、各端子部４９と遮光部４５とを電気的に接続する上下導通部５５が設けられている。上下導通部５５の導通材は、樹脂中に導電粒子を含有させたものである。すなわち、この導電材は、銀や破砕によって形成したニッケル粒子などの金属粒子、カーボン粒子、さらには樹脂からなるコアにニッケルメッキし、さらに金メッキしてなる粒子、などの導電粒子を、例えばエポキシ等の樹脂に配合し含有させてなる導電性ペーストや、この導電性ペーストをシート状に加工した導電性シートからなるものである。なお、特に樹脂に関しては、常温で接着性を有するものとして、ゴム系やアクリル系のものも好適に用いられる。

本実施形態では、図３に示すように、遮光部４５が、封止基板４０上における素子基板３６と対向する側に設けられている。遮光部４５は、例えばＭｏなどの不透明な導電体を形成し、素子基板３６の直上となるように構成されており、画像表示領域１４における有機ＥＬ素子１２付近の温度が検出可能となっている。遮光部４５は、遮光部４５の抵抗率の変化により、画像表示領域１４における有機ＥＬ素子１２付近の温度が検出可能となっている。遮光部４５は、抵抗率の変化が検出できるように端子部４９（図２参照）が設けられている。

封止基板４０と素子基板３６とを貼り合わせて有機ＥＬ装置２を構成した際、遮光部４５が画素部１０（画像表示領域１４）のうち少なくとも一部と重なることになるため、従来技術で示した構造と比較して遮光部４５と有機ＥＬ素子１２との距離が近いので、有機ＥＬ素子１２の温度を正確に検出することができる。

温度の検出方法には遮光部４５の導電体の抵抗率の温度依存性を利用する。温度依存性の例として、導電体であるＭｏの抵抗率を図５に示す。これにより、導電体の抵抗率の変化から温度を逆算することができる。導電体のＭｏの厚さは、例えば１５０ｎｍ程度である。

本実施形態では遮光部４５を利用するため、有機ＥＬ素子１２の直上に遮光部４５を配置することが可能となる。この特徴から、遮光部４５と有機ＥＬ素子１２との距離が近くなるため、有機ＥＬ素子１２の温度を正確に検出することができる。

導電体の材料は、Ｍｏ以外に、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｌ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｒ等のうち少なくとも一つを含む金属材料といった不透明な導電体であってもよい。尚、遮光部４５は、不透明な導電体であれば、薄膜状のサーミスターや熱電対等を含んで構成してもよいし、また、有機又は無機ＥＬ材料等の発光材料、あるいは、ｐ型又はｎ型の不純物がドープされたシリコン膜等を夫々含んで構成してもよい。この場合にも、発光材料あるいはシリコン膜の抵抗値等の温度特性の変化を利用して、温度を検出できる。

封止基板４０は、水分が有機ＥＬ装置２の外部から有機ＥＬ層４２に浸入することを防止する。より具体的には、封止基板４０は、素子基板３６上に接着剤によって接着されており、有機ＥＬ装置２の外気が有機ＥＬ素子１２に触れないように有機ＥＬ素子１２を封止する。素子基板３６上に封止基板４０を接着する接着剤は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂を含んでおり、例えば、熱硬化樹脂の一例であるエポキシ樹脂を封止基板４０の周縁部にディスペンサー等の塗布手段を用いて塗布される。

封止基板４０の素子基板３６に対向する側の面において、封止基板４０の周縁部は中央部に対して凸状となっており、封止基板４０がバンク部３８の上面に接着された状態で封止基板４０の中央部及び有機ＥＬ素子１２の間に一定の空間が介在する。封止基板４０及び有機ＥＬ素子１２間の空間には、不活性ガス、樹脂あるいはオイル等の充填材４７が充填され、この充填材４７により装置外部から侵入する水分を低減する。封止基板４０は、例えば、ガラス板、又は防湿処理を施したプラスチック板を用いることができる。特に、封止基板４０としてガラス基板を用いた場合には、ガラス基板である素子基板３６及び封止基板４０の熱膨張率が同等であることから、熱膨張率の違いに起因するこれら基板間のひずみを低減することができ、装置全体の信頼性を高めることが可能である。尚、封止基板４０は、上述したような凸状となっていなくてもよい、即ち、平板であってもよい。

次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２の駆動方法について、図６を参照して説明する。
図６は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２の駆動方法を示すブロック図である。

有機ＥＬ装置２の動作時には、図６に示すように、温度検出回路６３は、遮光部４５の抵抗値を、例えば所定時間毎に検出し、検出した抵抗値に係る温度データを、駆動波形制御回路２６へ出力する。駆動波形制御回路２６は、温度検出回路６３からの温度データに基づいて、所望の発光輝度が得られるように駆動波形に係る補正データを生成して、データ線駆動回路２４へ出力する。ここで「補正データ」は、予め設定された温度に対応して決まる駆動波形と、検出された温度に対応して決まる駆動波形との差が小さくなるように、駆動波形の例えば幅、高さ、形状あるいは突入電流形状等のパラメーターを変更するためのデータである。即ち、例えば、予め設定された温度において所望の発光輝度で有機ＥＬ層４２を発光させるのに必要な印加電流と、検出された温度において所望の発光輝度で有機ＥＬ層４２を発光させるのに必要な印加電流との差を小さくする（即ち、補正する）ためのデータである。データ線駆動回路２４は、駆動波形制御回路２６からの補正データと表示データとから画素部１０を駆動するための駆動波形を生成し、生成した駆動波形をデータ線１６を介して画素部１０に供給する。よって、有機ＥＬ素子１２には、検出された温度に応じた駆動波形の印加電流が印加される。言い換えれば、温度検出回路６３によって検出された温度が、駆動波形制御回路２６へフィードバックされることにより、画素部１０（あるいは有機ＥＬ素子１２）の温度に応じて調整された駆動波形の印加電流が、有機ＥＬ素子１２に印加される。従って、例えば、動作時における、有機ＥＬ素子１２が発光する際に生じる熱や、ＴＦＴ３２，３０等からの発熱による、画素部１０の温度変化が発生しても、画素部１０の輝度が所望の輝度となるように制御できる。

以上のように、本実施形態では、遮光部４５が設けられているので、有機ＥＬ装置２の動作中に、例えば所定時間毎に温度検出回路６３により温度を検出し、検出された温度に基づいて所望の輝度となるように補正された駆動波形の印加電流を有機ＥＬ素子１２に印加することで、有機ＥＬ素子１２の温度変化による発光輝度の変化あるいは所望の輝度からのズレを低減あるいは好ましくは防止できる。

さらに、再び図３において、本実施形態では、遮光部４５は、封止基板４０上に設けられているので、遮光部４５を形成する材料あるいは製造プロセスに対する制約は殆どない。即ち、仮に、遮光部４５を、複数の画素部１０やデータ線駆動回路２４等が設けられた素子基板３６上に設ける場合と比較して、遮光部４５を形成する材料あるいは製造プロセスの選択の幅が広い、つまり、設計自由度が高いので、遮光部４５は容易に形成可能である。

加えて、図３において、有機ＥＬ装置２は、上述したように、有機ＥＬ素子１２から発光された光が封止基板４０側から出射されるトップエミッション型である。本実施形態では、遮光部４５は、封止基板４０上に設けられているので、遮光部４５を形成することによって、有機ＥＬ素子１２から発光された光が素子基板３６側から出射できる開口領域６４を狭くしてしまうことはない。よって、遮光部４５を、画素部１０における開口率の低下を招かずに、画像表示領域１４内に設けることができ、仮に、遮光部４５を、画像表示領域１４の周辺に位置する周辺領域に形成した場合と比較して、より精度良く、画素部１０の温度を検出することが可能である。

次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置２に設けられた遮光部の封止基板上の画像表示領域における配置について、図２を参照して説明する。

本実施形態では、遮光部４５は、図２に示すように、画素部１０の配置に対応した赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、３色のフィルターエレメント４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂを区画するように設けられている。遮光部４５は、この区画する線状の全体を１つの繋がった形態として配置されている。遮光部４５は、封止基板４０上の画像表示領域１４の全面に配置されている。よって、画像表示領域１４における複数の画素部１０の温度分布を検出することができる。したがって、複数の画素部１０に印加する駆動波形を、複数の画素部１０の温度に応じて、上述した駆動波形制御回路２６によって補正することにより、複数の画素部１０の温度に起因した画像表示領域１４における輝度ばらつきを低減あるいは防止できる。

以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ装置２によれば、遮光部４５によって、複数の画素部１０の温度を検出することができ、検出された温度に応じて駆動波形制御回路２６によって駆動波形を補正できるので、高品質な画像表示が可能となる。さらに、遮光部４５は、封止基板４０上に形成されるので、設計自由度が高く、容易に製造可能である。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置について、図７及び図８を参照して説明する。
図７及び図８は、第１の実施形態における図２と同趣旨の平面図である。尚、図７及び図８において、図１〜図６に示した第１の実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符号を付し、それらの説明は適宜省略する。また、図２に示した遮光部４５の全体図は省略する。

本実施形態に係る有機ＥＬ装置４では、遮光部４５のうち、その一部であるクランク状に繰り返し折れ曲がった線状を１つの繋がった形態として複数の画素部１０の温度の検出を可能にしている。例えば、図７に示すように、遮光部４５ａは、画像表示領域１４の左右方向に延びるクランク状に繰り返し折れ曲がった線状からなる。また、図８に示すように、遮光部４５ｂは、画像表示領域１４の上下方向に延びるクランク状に繰り返し折れ曲がった線状からなる。よって、遮光部４５ａ，４５ｂの抵抗値は大きくなるので、温度変化に対する検出感度を向上させることができる。従って、複数の画素部１０に印加する駆動波形を、検出感度を向上させた温度変化に応じて、上述した駆動波形制御回路２６によって補正することにより、複数の画素部１０の温度分布に起因した画像表示領域１４における輝度ばらつきを低減あるいは防止できる。特に、画像表示領域１４が広い（即ち、素子基板３６及び封止基板４０、あるいは発光パネルのサイズが大きい）場合、複数の画素部１０の温度分布が生じ易く、画像表示領域１４における輝度ばらつきが発生しやすいので、遮光部の抵抗値を大きくすることによって検出された複数の画素部１０の温度分布に応じて駆動波形を補正することは、極めて有効である。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置について、図９を参照して説明する。
図９は、第１の実施形態における図２と同趣旨の断面図である。尚、図９において、図１〜図６に示した第１の実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符号を付し、それらの説明は適宜省略する。

本実施形態に係る有機ＥＬ装置６では、図９に示すように、遮光部４５を分割して複数の画素部１０の温度の並列検出を可能にしている。例えば、遮光部４５は、１つの遮光部４５ｃと１つの遮光部４５ｄとからなる。遮光部４５ｃは、封止基板４０上の画像表示領域１４の上部に配置されており、遮光部４５ｄは、封止基板４０上の画像表示領域１４の下部に配置されている。よって、画像表示領域１４における複数の画素部１０の温度分布を検出することができる。従って、複数の画素部１０に印加する駆動波形を、複数の画素部１０の温度分布に応じて、上述した駆動波形制御回路２６によって補正することにより、複数の画素部１０の温度分布に起因した画像表示領域１４における輝度ばらつきを低減あるいは防止できる。特に、画像表示領域１４が広い（即ち、素子基板３６及び封止基板４０、あるいは発光パネルのサイズが大きい）場合、複数の画素部１０の温度分布が生じ易く、画像表示領域１４における輝度ばらつきが発生しやすいので、遮光部４５ｃ，４５ｄによって検出された複数の画素部１０の温度分布に応じて駆動波形を補正することは、極めて有効である。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置について、図１０〜図１２を参照して説明する。
図１０〜図１２は、第１の実施形態における図２と同趣旨の断面図である。尚、図１０〜図１２において、図１〜図６に示した第１の実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符号を付し、それらの説明は適宜省略する。

本実施形態に係る有機ＥＬ装置８では、図１０に示すように、複数の端子部４９を互いの近傍に配置している。本実施形態によれば、端子部４９同士が近いので、端子部４９に接続する外付けのＦＰＣ（図示せず）の設計がし易く、ＦＰＣの形状を小さくすることができる。

なお、上下導通部５５を配置する位置は、図１０に示すような、画像表示領域１４の対角に限ったものではなく、封止基板４０上の遮光部４５の配線を引き回すことにより上下導通部５５の位置は任意に配置可能である。例えば、図１１に示すように、遮光部４５の右下部の配線を画像表示領域１４の周辺領域の右上部まで引き回し、そこに上下導通部５５を配置し、そこから左下部の端子部４９まで配線５５ａを引き回す構成である。これにより、２つの上下導通部５５を画像表示領域１４の一辺に配置することができる。また、図１２に示すように、遮光部４５の右下部の配線を画像表示領域１４の周辺領域の左上部まで引き回し、そこに上下導通部５５を配置し、そこから左下部の端子部４９まで配線５５ａを引き回す構成である。これにより、２つの上下導通部５５を互いの近傍に配置することができる。

＜電子機器＞
次に、上述した、第１又は第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置が各種の電子機器に適用される場合について説明する。

＜モバイル型コンピューター＞
先ず、この有機ＥＬ装置を、モバイル型のパーソナルコンピューターに適用した例について説明する。
図１３は、このパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。図において、コンピューター１００は、キーボード１０２を備えた本体部１０４と、有機ＥＬ装置を用いて構成された表示部１０６を有する表示ユニット１０８とを備えている。

＜携帯電話＞
さらに、この有機ＥＬ装置を、携帯電話に適用した例について説明する。
図１４は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１２０は、複数の操作ボタン１２２と共に、有機ＥＬ装置を用いて構成された表示部１２４を備えるものである。

この他にも、有機ＥＬ装置は、ノート型のパーソナルコンピューター、ＰＤＡ、テレビ、ビューファインダー、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、ＰＯＳ端末、タッチパネル、ＤＳＣなど、さらには有機ＥＬ装置を露光用ヘッドとして用いたプリンター、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置などの装置等に適用することができる。

なお、第３の実施形態において遮光部４５を上下２領域に分割しているが、これに係らず複数のブロックに分割可能である。
また、上記有機ＥＬ装置は、パッシブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ素子にも適用することができる。

２，４，６，８…有機ＥＬ装置（発光装置） １０…画素部 １２…有機ＥＬ素子（発光素子） １４…画像表示領域 １６…データ線 １８…走査線 ２０…電源供給線 ２２…走査線駆動回路 ２４…データ線駆動回路 ２６…駆動波形制御回路 ２８…同期信号線 ３０，３２…ＴＦＴ ３２ｄ…ドレイン電極 ３２ｓ…ソース電極 ３４…保持容量 ３６…素子基板（第１基板） ３８…バンク部 ４０…封止基板（第２基板） ４１…層間絶縁膜 ４２…有機ＥＬ層 ４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂ…フィルターエレメント ４４…陰極 ４５，４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ…遮光部 ４６…陽極 ４７…充填材 ４８…凹部 ４９…端子部 ５０…平坦化膜 ５１…反射膜 ５２…ゲート絶縁膜 ５３…平坦化膜 ５４…層間絶縁膜 ５５…上下導通部 ５５ａ…配線 ５５ｂ，５５ｃ…電極 ５６…半導体層 ５６ａ…ゲート電極 ５８，６０…コンタクトホール ６３…温度検出回路 ６４…開口領域 １００…コンピューター １０２…キーボード １０４…本体部 １０６…表示部 １０８…表示ユニット １２０…携帯電話 １２２…操作ボタン １２４…表示部。

Claims (8)

1. 第１面と第２面とを有する第１基板と、
   前記第１基板の前記第１面と対向して配置される第２基板と、
   前記第１基板の前記第１面に設けられており、発光素子を夫々含む複数の画素部と、
   前記第２基板上における前記第１基板と対向する側に設けられ、前記複数の画素部の間の領域の少なくとも一部と対向する遮光部と、
   を備え、
   前記遮光部は、導電体を含み、前記複数の画素部の温度を検出することを特徴とする発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記第１基板の前記第１面に設けられ、前記遮光部に対応して設けられた外部回路を接続する複数の端子部と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられ、前記各端子部と前記遮光部とを電気的に接続する上下導通部と、
   を備えたことを特徴とする発光装置。
3. 請求項２に記載の発光装置において、
   前記複数の端子部は、互いの近傍に配置されていることを特徴とする発光装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記遮光部によって検出された温度に応じて、前記発光素子が所定の輝度で発光するように、前記発光素子に印加すべき駆動波形を制御する駆動波形制御回路を備えたことを特徴とする発光装置。
5. 請求項４に記載の発光装置において、
   前記発光素子は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、及びＢ（青）の各色のいずれかを発光する発光層を夫々含む３種類の発光素子であり、
   前記駆動波形制御回路は、前記３種類の発光素子毎に前記駆動波形を制御することを特徴とする発光装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記遮光部の形状は、クランク状に繰り返し折れ曲がった線状であることを特徴とする発光装置。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記遮光部は、前記複数の画素部が設けられた表示領域における複数箇所に設けられることを特徴とする発光装置。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置を具備してなる電子機器。

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