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JP2820645B2 - 半導体リードフレーム - Google Patents

半導体リードフレーム

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JP2820645B2
JP2820645B2 JP7220236A JP22023695A JP2820645B2 JP 2820645 B2 JP2820645 B2 JP 2820645B2 JP 7220236 A JP7220236 A JP 7220236A JP 22023695 A JP22023695 A JP 22023695A JP 2820645 B2 JP2820645 B2 JP 2820645B2
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semiconductor
guide ring
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heat sink
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シン ウォン−スン
キム リー−フン
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アナム インダストリアル カンパニー インコーポレーティド
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体パッケージ用
リードフレームに関するものであって、特にヒートシン
ク（Ｈ）の接着を容易にし、チップ接着手段の過剰漏出
を制限し、半導体チップの高集積度を達成できるリード
フレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードフレームを図１を参照して
説明すると、前記リードフレームは多数のチップパッド
（ＣＰ）を有する半導体チップ（ＳＣ）が搭載される半
導体チップ搭載板（ＤＰ）と、該半導体チップ搭載板
（ＤＰ）の各々の角にダウンセット（ＤＳ）を有しなが
ら一体に形成されるタイバー（ＴＢ）と、前記半導体チ
ップ搭載板（ＤＰ）の斜面に位置される多数のリード
（Ｉ）に形成される。
【０００３】 このとき、前記各々のリード（Ｉ）と各々
のチップパッド（ＣＰ）はワイヤー（Ｗ）を媒介体に連
結される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来のリードフレームは最近における半導体チップ（Ｓ
Ｃ）の高集積化に伴うチップパッド（ＣＰ）の数的な増
加、すなわち、信号ラインパッド、パワーラインパッ
ド、グラウンドラインパッド等の増加に対して充分に対
応できない欠陥があった。
【０００５】 例えば、半導体チップ（ＳＣ）製造工程の
高集積化に伴う半導体チップ（ＳＣ）のチップパッド
（ＣＰ）設定個数は増加されるが、該チップパッド（Ｃ
Ｐ）にワイヤー（Ｗ）で連結されるリードフレームのリ
ード（Ｉ）形成個数はこれに対応して増加されなくて、
結局新しいワイヤーボンディングやまたは新しい構造の
リードフレームが要求されるようになっていた。
【０００６】 一方、チップが搭載された従来のリードフ
レーム（ＬＦ）の他の例として図２に示すように、半導
体デバイス（device）の動作中に半導体チップから熱を
放散させるために半導体チップ搭載板の上面、または底
面にヒートシンク（ＨＳ）が付着される。
【０００７】 従来の半導体チップ搭載板がないリードフ
レーム（ＬＦ）構造においてヒートシンク（ＨＳ）をリ
ードフレーム（ＬＦ）に接着する方法は、図２，図３の
例示の如く中央に半導体チップ（ＳＣ）を接着するため
のウインドー（ＷＤ）が形成された四角状の接着テープ
（ＡＴ）を使用してリードフレーム（ＬＦ）にヒートシ
ンク（ＨＳ）を付着する方法を利用してきた。
【０００８】 しかし、前記のような従来のリードフレー
ム構造では、四角状の接着テープ（ＡＴ）を使用して、
接着テープにリードフレーム（ＬＦ）のリード（Ｉ）全
部を接着する方法によりリードフレームにヒートシンク
を付着させているため、高価な接着テープ（ＡＴ）を必
要以上に使用することとなり、半導体パッケージの製造
コストが上昇する一要因となっている。
【０００９】 また、このような従来の方法によるとシー
トシンク（ＨＳ）上面に半導体チップ（ＳＣ）を接着す
る際にエポキシ樹脂等の接着剤（Ａ）が過度に塗布され
てエポキシ樹脂が接着部位（領域）を溢流したりその一
部の物質が流出してモールド工程後剥離やクラックの不
良要因となるおそれがある。また、リードフレーム（Ｌ
Ｆ）には一定の幅を有する多数個のリード（Ｉ）が接着
テープ（ＡＴ）に接着されて半導体チップ（ＳＣ）周辺
に近接配置されるようにデザイン設計されるため、多数
のパワーチップパッドと多数のグラウンドチップパッド
または多数の同一信号で入出力するチップパッド（Ｃ
Ｐ）を有する半導体チップ（ＳＣ）と引出されるリード
（Ｉ）間のワイヤー（Ｗ）ボンディング時やヒートシン
ク（ＨＳ）とのボンディング時の作業の困難性をひき起
こしている。
【００１０】 本発明の目的は、従来のヒートシンクとリ
ードフレーム間の接着手段が有する問題点を勘案して、
半導体チップの接着時に接着手段の過剰漏出を防止し、
また、接着テープの浪費を減少することにある。本発明
の他の目的は、半導体パッケージの製造工程で使用され
る多種の原資材中の１つであるリードフレームにおい
て、半導体チップの高集積化の一助とすることができる
リードフレームを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体リー
ドフレームは、半導体チップと、その表面に接着剤を介
して半導体チップが接着されるヒートシンクと、ヒート
シンクの表面で半導体チップの外側に配置され多数のリ
ードを有しヒートシンクの表面に接着されるリードフレ
ームとを備えた半導体パッケージにおける前記リードフ
レームであって、前記半導体チップの外側を囲み、前記
多数のリードよりも内側に、前記リードの一部に連結さ
れる環状のガイドリングを備える。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明および参考技術を、
添付図面を参考に詳細に説明する。図４はクワッド（qu
ad）型リードフレームのリード（Ｉ）とヒートシンク
（ＨＳ）との付着関係を例示した一実施形態ではあるが
本発明の技術範囲を外れる参考技術を表す。４方向に位
置したリード（Ｉ）のうち中間部分に位置したリード
（ＩS ）の先端面に連結バー（ＣＢ）を横設して、該連
結バー（ＣＢ）を四角テープ等の接着手段（Ｔ1 ）を利
用してヒートシンク（ＨＳ）に接着し、他のリード
（Ｉ）等はヒートシンク（ＨＳ）の四辺に接着されたテ
ープ片等の補助接着手段（Ｔ2 ）に接着させる。
【００１３】 そのため、リード（ＩS ）の先端面に横設
された４個の連結バー（ＣＢ）が相互隣接連結されるこ
とにより四角ガイドリングに類似した形態を維持、半導
体チップ（ＳＣ）の接着時にチップ接着手段（Ａ）とし
てのエポキシ樹脂等の過剰塗布による漏出を予防するよ
うになる。
【００１４】 図５はクワッド型リードフレームのリード
（Ｉ）とヒートシンク（ＨＳ）との付着関係を例示した
実施形態であって、４方向に位置するリード（Ｉ）等は
ヒートシンク（ＨＳ）の四辺に接着された補助接着手段
（Ｔ2 ）に全て接着させて、４つの角に設けられたタイ
バー（ＴＢ）の先端を、四角帯状の環状をなすガイドリ
ング（ＧＲ）が形成されるようにして同ガイドリング
（ＧＲ）をヒートシンク（ＨＳ）に接着された四角状の
接着手段（Ｔ1 ）上に接着させる。
【００１５】 そこで、前記ガイドリング（ＧＲ）によっ
て半導体チップ（ＳＣ）の接着時にチップ接着手段
（Ａ）の過剰塗布による漏出を予防できるようになる。
但し、図５の実施形態は、環状のガイドリング（ＧＲ）
がリード（Ｉ）に連結されておらず、本発明の技術的範
囲を外れる参考技術である。
【００１６】 また、図４の連結バー（ＣＢ）と図５のガ
イドリング（ＣＲ）を形成することにおいて、その厚さ
はリードフレームの厚さよりもっと厚く形成することに
より、接着手段（Ａ）としてのエポキシ樹脂の漏出予防
効果を増進させることができ、また連結バー（ＣＢ）と
ガイドリング（ＧＲ）には溝またはスロット形状の変形
防止手段（ＡＰ）が具備され連結バー（ＣＢ）とガイド
リング（ＧＲ）が受ける熱ストレスを吸収して熱的変形
を予防するようになる。
【００１７】 一方、図７に例示する如く、隣接する両方
向の連結バー（ＣＢ）を“Ｌ”字状に連結し、各連結バ
ー（ＣＢ）を数個のリード（Ｉ）で連結して、必要時に
グラウンドピンやパワーピンに利用できるように構成す
ることができる。また、図８の如くタイバー（ＴＢ）の
先端を連結して四角形状のガイドリング（ＧＲ）を形成
し、かつ、ガイドリング（ＧＲ）の一辺を部分切断し、
切断されたガイドリング部材（ＧＲ1 ）を隣接する数個
のリード（Ｉ）に連結して２個以上のリードを共通連結
されるように構成することができる。但し、上記図７お
よび図８に示す部分切断されたガイドリングは、環状の
ガイドリングではなく、本発明の技術範囲から外れる参
考技術を表している。
【００１８】 つぎに、本発明の実施形態となる技術を示
す。 図９及び図１１の如く四角形状のガイドリング（Ｇ
Ｒ）中一辺を隣接するリード（Ｉ）に連結させて多数の
半導体チップパッド（ＣＰ）との連結を図ることができ
る。このとき、ガイドリング（ＧＲ）に連結された１つ
または２つのリード（Ｉ）はグラウンドやパワーピンに
使用可能になり、それ故半導体チップ（ＳＣ）に一層多
くのチップパッド（ＣＰ）を集積させることができ、チ
ップの集積密度を向上させることができる。
【００１９】 また、図１０の如く四角形態のガイドリン
グ（ＧＲ）にリード側に向かう連結チップ（ＪＴ）を突
出させリード（Ｉ）とのワイヤーボンディングが円滑に
行われるように構成することができる。但し、図１０の
実施形態は、ガイドリング（ＧＲ）とリード（Ｉ）が連
結されておらず、参考技術である。
【００２０】さ らに場合によっては図１２や図１３の如
くタイバーがなしに製造されたリードフレームの各方向
に位置したリード（Ｉ）を取捨選択してその先端面に延
長される連結バー（ＣＢ）を四角リング状に形成し、か
つ、２つまたは４つの角にリード（Ｉ）幅を有する補助
リード（Ｉ′）を連結して必要時に既存のシングレーシ
ョン（Singulation ：タイバー除去）工程をそのまま使
用するようにできる。連結バー（ＣＢ）がリング状に連
結された状態は、本件発明におけるガイドリング（Ｇ
Ｒ）に相当する。
【００２１】 また、図１４に例示する如くタイバー（Ｔ
Ｂ）に延長され形成されるガイドリング（ＧＲ）と前記
ガイドリング（ＧＲ）をヒートシンク（ＨＳ）に接着す
るための接着手段（Ｔ1 ）上にグラウンドボンディング
領域（ＧＢ）を形成させ、ガイドリング（ＧＲ）自体を
接地端子に利用することができ、場合によってはガイド
リング（ＧＲ）をパワーパッドに連結して電源端子に利
用することができる。なお、図１４の実施形態は、ガイ
ドリング（ＧＲ）がリード（Ｉ）と連結されておらず、
本発明の技術的範囲を外れる参考技術である。
【００２２】 図１５は別の実施形態を示すもので、半導
体チップ（ＳＣ）に近接させて四角状のガイドリング
（ＧＲ）を位置させ、その外郭両側に連結バー（ＣＢ）
を対応配置させ、ガイドリング（ＧＲ）はグラウンドボ
ンディング端子に利用し、ガイドリング（ＧＲ）外部に
設置された連結バー（ＣＢ）はパワー端子に利用させる
ことができる。
【００２３】 図１６（Ａ），（Ｂ）は、リード（Ｉ）等
と連結バーまたはガイドリングとの位置関係を図示した
ものである。ここでは、多数のリード中ある１つのリー
ド、または多数個のリード等と連結バー、またはガイド
リングとの間隔を相異するように位置させ、その間をグ
ラウンドボンディング領域に利用するように定めること
ができる。
【００２４】 図１７は別の実施形態を図示したもので、
ヒートシンク（ＨＳ）に付着させた接着手段（Ｔ1 ）に
ガイドリング（ＧＲ）の一定部位のみ接着させて、リー
ド（Ｉ）はヒートシンク（ＨＳ）と分離された状態で接
着されないようにすることにより接着手段（Ｔ1 ）の利
用を最少化し、高価な接着剤の使用を最小限にとどめ、
製造コストの低減及び経費節約ができるようにした。な
お、図１７の実施形態は、ガイドリング（ＧＲ）がリー
ド（Ｉ）と連結されておらず、本発明の技術的範囲を外
れる参考技術である。
【００２５】
【発明の効果】このように本発明ではヒートシンク（Ｈ
Ｓ）とリードフレーム（ＬＦ）間の接着が環状のガイド
リング（ＧＲ）を利用してなされるようにしているた
め、接着手段に利用される高価な接着テープの浪費を節
減するようにしたと同時に、半導体チップの外周を囲む
ガイドリングによってチップ接着手段であるエポキシ等
の過剰塗布時の漏出を予防できるようにして資材の不良
率を減少し、品質の向上効果を提供するとともに、ガイ
ドリングを同一の入出力信号ライン，パワーライン，グ
ラウンドライン等の共通端子に利用することができるよ
うにし、ワイヤーボンディング効率を向上させることに
よって半導体チップの高集積化の効果が得られるのであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のリードフレームの平面図。
【図２】従来のヒートシンク付着型リードフレームに半
導体チップを接着する構成図。
【図３】従来のヒートシンク付着型リードフレームに半
導体チップを接着する構成図。
【図４】参考技術のヒートシンク付着型リードフレーム
の平面図。
【図５】参考技術のヒートシンク付着型リードフレーム
の平面図。
【図６】ヒートシンク付着型リードフレームに半導体チ
ップを接着する構成図。
【図７】参考技術のヒートシンク付着型リードフレーム
の平面図。
【図８】参考技術のヒートシンク付着型リードフレーム
の平面図。
【図９】本発明の実施形態を表すヒートシンク付着型リ
ードフレームの平面図。
【図１０】参考技術のヒートシンク付着型リードフレー
ムの平面図。
【図１１】本発明の実施形態を表すヒートシンク付着型
リードフレームの平面図。
【図１２】本発明の別の実施形態を表すヒートシンク付
着型リードフレームの平面図。
【図１３】本発明の別の実施形態を表すヒートシンク付
着型リードフレームの平面図。
【図１４】参考技術のヒートシンク付着型リードフレー
ムの平面図。
【図１５】本発明の別の実施形態を表すガイドリングと
連結バーの組み合わせ構造を有するヒートシンク付着型
リードフレーム平面図。
【図１６】内部リードとガイドリングまたは、連結バー
に形成された連結チップとの関係位置図。
【図１７】参考技術のヒートシンク付着型リードフレー
ムの平面図。
【符号の説明】
Ａ 接着手段 ＡＰ 変形防止手段 ＡＴ 接着テープ ＣＢ 連結バー ＣＰ チップパッド ＤＳ ダウンセット ＧＲ ガイドリング ＨＳ ヒートシンク Ｉ リード Ｉ′ 補助リード ＪＴ 連結チップ ＬＦ リードフレーム ＳＣ 半導体チップ Ｔ1 接着手段 Ｔ2 補助接着手段 ＴＢ タイバー Ｗ ワイヤー ＷＤ ウインドー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−222166（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−104349（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−121631（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−21694（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−78248（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体チップと、その表面に接着剤を介し
    て半導体チップが接着されるヒートシンクと、ヒートシ
    ンクの表面で半導体チップの外側に配置され多数のリー
    ドを有しヒートシンクの表面に接着されるリードフレー
    ムとを備えた半導体パッケージにおける前記リードフレ
    ームであって、 前記半導体チップの外側を囲み、前記多数のリードより
    も内側に、前記リードの一部に連結された環状のガイド
    リングを備える半導体リードフレーム。
  2. 【請求項２】前記ガイドリングが、タイバーを介して前
    記リードフレームに連結されている請求項１に記載の半
    導体リードフレーム。
  3. 【請求項３】前記ガイドリングの厚さをリードフレーム
    の厚さよりも厚く構成した請求項１または２に記載の半
    導体リードフレーム。
  4. 【請求項４】前記ガイドリングに熱的ストレスを吸収す
    る溝、スロット等の変形防止手段を設けてなる請求項１
    〜３の何れかに記載の半導体リードフレーム。
  5. 【請求項５】前記ガイドリングに連結チップを突出させ
    てグラウンド用リードとのワイヤーボンディングが円滑
    になされるようにした請求項１〜４の何れかに記載の半
    導体リードフレーム。
  6. 【請求項６】前記ガイドリングに半導体チップから多数
    同一の入出力信号を引出するためのリードを延長連結し
    た請求項１〜５の何れかに記載の半導体リードフレー
    ム。
  7. 【請求項７】前記ガイドリングにグラウンド用リードを
    延長連結した請求項１〜６の何れかに記載の半導体リー
    ドフレーム。
  8. 【請求項８】前記ガイドリングに半導体チップの電源供
    給用リードを延長連結した請求項１〜７の何れかに記載
    の半導体リードフレーム。
  9. 【請求項９】半導体チップに近接形成されたガイドリン
    グの外側で前記多数のリードの内側に、一部のリードに
    連結され、前記ガイドリングの外周に沿って延びる連結
    バーを配置した請求項１〜８の何れかに記載の半導体リ
    ードフレーム。
  10. 【請求項１０】前記連結バーには電源供給用リードを連
    結し、ガイドリングにはグラウンド用リードを連結した
    請求項９に記載の半導体リードフレーム。
  11. 【請求項１１】前記連結バーが、前記ヒートシンクに接
    着されている請求項９または１０に記載の半導体リード
    フレーム。
  12. 【請求項１２】前記リードフレームのうちのガイドリン
    グを前記ヒートシンクに接着するための接着手段の一部
    に、グラウンドボンディング領域を形成した請求項１〜
    １１の何れかに記載の半導体リードフレーム。
  13. 【請求項１３】前記連結バーの一部にグラウンドボンデ
    ィング領域を形成した請求項９〜１２の何れかに記載の
    半導体リードフレーム。
  14. 【請求項１４】前記ガイドリングの一部にグラウンドボ
    ンディング領域を形成した請求項１〜１３の何れかに記
    載の半導体リードフレーム。
  15. 【請求項１５】前記ガイドリングの一定角部に補助リー
    ドを連結した請求項１〜１４の何れかに記載の半導体リ
    ードフレーム。
  16. 【請求項１６】前記ヒートシンクに前記リードフレーム
    を接着する接着手段にガイドリングの一定部位のみ接着
    されるようにした請求項１〜１５の何れかに記載の半導
    体リードフレーム。
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Families Citing this family (154)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW326566B (en) * 1996-04-19 1998-02-11 Hitachi Chemical Co Ltd Composite film and lead frame with composite film attached
US5982025A (en) * 1996-05-30 1999-11-09 Nec Corporation Wire fixation structure
JP2811170B2 (ja) * 1996-06-28 1998-10-15 株式会社後藤製作所 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
DE69735361T2 (de) * 1996-07-03 2006-10-19 Seiko Epson Corp. Harzverkapselte halbleiteranordnung und herstellungsverfahren dafür
DE19640304C2 (de) * 1996-09-30 2000-10-12 Siemens Ag Chipmodul insbesondere zur Implantation in einen Chipkartenkörper
JP2975979B2 (ja) * 1996-12-30 1999-11-10 アナムインダストリアル株式会社 ボールグリッドアレイ半導体パッケージ用可撓性回路基板
JP3027954B2 (ja) * 1997-04-17 2000-04-04 日本電気株式会社 集積回路装置、その製造方法
FR2764114B1 (fr) * 1997-06-02 2003-04-25 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif semi-conducteur muni d'un dissipateur thermique
US6956282B1 (en) * 1997-11-05 2005-10-18 Texas Instruments Incorporated Stabilizer/spacer for semiconductor device
US6020631A (en) * 1998-01-06 2000-02-01 Intel Corporation Method and apparatus for connecting a bondwire to a bondring near a via
TW399274B (en) * 1998-02-09 2000-07-21 Winbond Electronics Corp IC package with enhanced ESD protection capability
US7005326B1 (en) 1998-06-24 2006-02-28 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7112474B1 (en) 1998-06-24 2006-09-26 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7071541B1 (en) 1998-06-24 2006-07-04 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6893900B1 (en) 1998-06-24 2005-05-17 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7030474B1 (en) 1998-06-24 2006-04-18 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7332375B1 (en) 1998-06-24 2008-02-19 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
JP2000058578A (ja) 1998-08-04 2000-02-25 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置
US5998857A (en) * 1998-08-11 1999-12-07 Sampo Semiconductor Corporation Semiconductor packaging structure with the bar on chip
JP2000068436A (ja) * 1998-08-18 2000-03-03 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置用フレーム
KR100298692B1 (ko) * 1998-09-15 2001-10-27 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지제조용리드프레임구조
US6448633B1 (en) 1998-11-20 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method of making using leadframe having lead locks to secure leads to encapsulant
KR100350046B1 (ko) 1999-04-14 2002-08-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 방열판이 부착된 반도체패키지
US6307755B1 (en) * 1999-05-27 2001-10-23 Richard K. Williams Surface mount semiconductor package, die-leadframe combination and leadframe therefor and method of mounting leadframes to surfaces of semiconductor die
US6258629B1 (en) 1999-08-09 2001-07-10 Amkor Technology, Inc. Electronic device package and leadframe and method for making the package
KR100379089B1 (ko) 1999-10-15 2003-04-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
KR20010037247A (ko) 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
KR100403142B1 (ko) 1999-10-15 2003-10-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
US6580159B1 (en) 1999-11-05 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit device packages and substrates for making the packages
US6847103B1 (en) 1999-11-09 2005-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe
KR100421774B1 (ko) * 1999-12-16 2004-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
US6426565B1 (en) 2000-03-22 2002-07-30 International Business Machines Corporation Electronic package and method of making same
KR100583494B1 (ko) 2000-03-25 2006-05-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
US6395998B1 (en) 2000-09-13 2002-05-28 International Business Machines Corporation Electronic package having an adhesive retaining cavity
US6818968B1 (en) * 2000-10-12 2004-11-16 Altera Corporation Integrated circuit package and process for forming the same
KR20020058209A (ko) 2000-12-29 2002-07-12 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
US6348726B1 (en) * 2001-01-18 2002-02-19 National Semiconductor Corporation Multi row leadless leadframe package
US6545345B1 (en) 2001-03-20 2003-04-08 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
US6967395B1 (en) 2001-03-20 2005-11-22 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
KR100369393B1 (ko) 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
KR100393448B1 (ko) * 2001-03-27 2003-08-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US7045883B1 (en) 2001-04-04 2006-05-16 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US7064009B1 (en) 2001-04-04 2006-06-20 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US6429513B1 (en) 2001-05-25 2002-08-06 Amkor Technology, Inc. Active heat sink for cooling a semiconductor chip
US20040053447A1 (en) * 2001-06-29 2004-03-18 Foster Donald Craig Leadframe having fine pitch bond fingers formed using laser cutting method
US7102216B1 (en) 2001-08-17 2006-09-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making
US20030038356A1 (en) * 2001-08-24 2003-02-27 Derderian James M Semiconductor devices including stacking spacers thereon, assemblies including the semiconductor devices, and methods
US6900527B1 (en) 2001-09-19 2005-05-31 Amkor Technology, Inc. Lead-frame method and assembly for interconnecting circuits within a circuit module
US7485952B1 (en) 2001-09-19 2009-02-03 Amkor Technology, Inc. Drop resistant bumpers for fully molded memory cards
US6630726B1 (en) 2001-11-07 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Power semiconductor package with strap
US6686651B1 (en) 2001-11-27 2004-02-03 Amkor Technology, Inc. Multi-layer leadframe structure
US6737750B1 (en) 2001-12-07 2004-05-18 Amkor Technology, Inc. Structures for improving heat dissipation in stacked semiconductor packages
US6798046B1 (en) * 2002-01-22 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including ring structure connected to leads with vertically downset inner ends
US6630373B2 (en) * 2002-02-26 2003-10-07 St Assembly Test Service Ltd. Ground plane for exposed package
US6608366B1 (en) 2002-04-15 2003-08-19 Harry J. Fogelson Lead frame with plated end leads
TWI236126B (en) * 2002-07-02 2005-07-11 Alpha & Omega Semiconductor Integrated circuit package for semiconductor devices with improved electric resistance and inductance
WO2005017994A1 (en) * 2003-07-14 2005-02-24 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Integrated circuit package for semiconductor devices with improved electric resistance and inductance
US6818973B1 (en) 2002-09-09 2004-11-16 Amkor Technology, Inc. Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process
US6919620B1 (en) 2002-09-17 2005-07-19 Amkor Technology, Inc. Compact flash memory card with clamshell leadframe
US7135760B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-14 St Assembly Test Services Ltd. Moisture resistant integrated circuit leadframe package
US7361533B1 (en) 2002-11-08 2008-04-22 Amkor Technology, Inc. Stacked embedded leadframe
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US7190062B1 (en) 2004-06-15 2007-03-13 Amkor Technology, Inc. Embedded leadframe semiconductor package
US7723210B2 (en) 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US6798047B1 (en) 2002-12-26 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Pre-molded leadframe
US6747349B1 (en) * 2002-12-31 2004-06-08 Lsi Logic Corporation Termination ring for integrated circuit
US7215012B2 (en) * 2003-01-03 2007-05-08 Gem Services, Inc. Space-efficient package for laterally conducting device
US6847099B1 (en) 2003-02-05 2005-01-25 Amkor Technology Inc. Offset etched corner leads for semiconductor package
US6750545B1 (en) 2003-02-28 2004-06-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package capable of die stacking
US6927483B1 (en) 2003-03-07 2005-08-09 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package exhibiting efficient lead placement
US7001799B1 (en) 2003-03-13 2006-02-21 Amkor Technology, Inc. Method of making a leadframe for semiconductor devices
US6794740B1 (en) 2003-03-13 2004-09-21 Amkor Technology, Inc. Leadframe package for semiconductor devices
US7095103B1 (en) 2003-05-01 2006-08-22 Amkor Technology, Inc. Leadframe based memory card
US6879034B1 (en) 2003-05-01 2005-04-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including low temperature co-fired ceramic substrate
US7008825B1 (en) 2003-05-27 2006-03-07 Amkor Technology, Inc. Leadframe strip having enhanced testability
US6897550B1 (en) 2003-06-11 2005-05-24 Amkor Technology, Inc. Fully-molded leadframe stand-off feature
US7245007B1 (en) 2003-09-18 2007-07-17 Amkor Technology, Inc. Exposed lead interposer leadframe package
US6921967B2 (en) 2003-09-24 2005-07-26 Amkor Technology, Inc. Reinforced die pad support structure
US7138707B1 (en) 2003-10-21 2006-11-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including leads and conductive posts for providing increased functionality
US7144517B1 (en) 2003-11-07 2006-12-05 Amkor Technology, Inc. Manufacturing method for leadframe and for semiconductor package using the leadframe
US7211879B1 (en) 2003-11-12 2007-05-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with chamfered corners and method of manufacturing the same
US7057268B1 (en) 2004-01-27 2006-06-06 Amkor Technology, Inc. Cavity case with clip/plug for use on multi-media card
US7091594B1 (en) 2004-01-28 2006-08-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe type semiconductor package having reduced inductance and its manufacturing method
US7202554B1 (en) 2004-08-19 2007-04-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and its manufacturing method
US7217991B1 (en) 2004-10-22 2007-05-15 Amkor Technology, Inc. Fan-in leadframe semiconductor package
US7582951B2 (en) * 2005-10-20 2009-09-01 Broadcom Corporation Methods and apparatus for improved thermal performance and electromagnetic interference (EMI) shielding in leadframe integrated circuit (IC) packages
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7808087B2 (en) * 2006-06-01 2010-10-05 Broadcom Corporation Leadframe IC packages having top and bottom integrated heat spreaders
JP4628996B2 (ja) * 2006-06-01 2011-02-09 新光電気工業株式会社 リードフレームとその製造方法及び半導体装置
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
TWI310979B (en) * 2006-07-11 2009-06-11 Chipmos Technologies Shanghai Ltd Chip package and manufacturing method threrof
KR100763549B1 (ko) * 2006-10-12 2007-10-04 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US7687893B2 (en) 2006-12-27 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads
US7829990B1 (en) 2007-01-18 2010-11-09 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package including laminate interposer
US20100032183A1 (en) * 2007-03-01 2010-02-11 Brandenburg Scott D Compliant pin strip with integrated dam bar
US7982297B1 (en) 2007-03-06 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same
US7977774B2 (en) 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US8283757B2 (en) * 2007-07-18 2012-10-09 Mediatek Inc. Quad flat package with exposed common electrode bars
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7847386B1 (en) 2007-11-05 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same
US7956453B1 (en) 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
JP5119981B2 (ja) * 2008-03-04 2013-01-16 株式会社デンソー モールドパッケージ
US7646083B2 (en) * 2008-03-31 2010-01-12 Broadcom Corporation I/O connection scheme for QFN leadframe and package structures
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
US7612436B1 (en) * 2008-07-31 2009-11-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic devices with a lead frame
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
US8089145B1 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including increased capacity leadframe
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US8026589B1 (en) 2009-02-23 2011-09-27 Amkor Technology, Inc. Reduced profile stackable semiconductor package
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8390103B2 (en) 2010-07-12 2013-03-05 Analog Devices, Inc. Apparatus for integrated circuit packaging
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
JP2013239659A (ja) * 2012-05-17 2013-11-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体デバイス
CN104009008A (zh) * 2013-02-27 2014-08-27 飞思卡尔半导体公司 具有集成散热器的半导体器件
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
CN104576565A (zh) 2013-10-18 2015-04-29 飞思卡尔半导体公司 具有散热体的半导体器件及其组装方法
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
US9953904B1 (en) 2016-10-25 2018-04-24 Nxp Usa, Inc. Electronic component package with heatsink and multiple electronic components
US11908705B2 (en) 2021-10-18 2024-02-20 Texas Instruments Incorporated Interconnect singulation

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6132452A (ja) * 1984-07-25 1986-02-15 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ムとそれを用いた電子装置
JPS61216453A (ja) * 1985-03-22 1986-09-26 Toshiba Corp リ−ドフレ−ム
JPS63253635A (ja) * 1987-04-10 1988-10-20 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置
JP2705030B2 (ja) * 1989-02-23 1998-01-26 凸版印刷株式会社 リードフレームおよび放熱板および半導体装置
JP2685582B2 (ja) * 1989-05-26 1997-12-03 株式会社日立製作所 リードフレーム及びこれを用いた半導体装置
JPH0378248A (ja) * 1989-08-22 1991-04-03 Seiko Instr Inc 半導体装置
US5235207A (en) * 1990-07-20 1993-08-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US5168368A (en) * 1991-05-09 1992-12-01 International Business Machines Corporation Lead frame-chip package with improved configuration
JPH0521694A (ja) * 1991-07-11 1993-01-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH05121631A (ja) * 1991-10-25 1993-05-18 Nec Ic Microcomput Syst Ltd リードフレーム
US5455454A (en) * 1992-03-28 1995-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor lead frame having a down set support member formed by inwardly extending leads within a central aperture
US5420758A (en) * 1992-09-10 1995-05-30 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit package using a multi-layer PCB in a plastic package
JPH06104349A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Hitachi Ltd 半導体装置
US5309019A (en) * 1993-02-26 1994-05-03 Motorola, Inc. Low inductance lead frame for a semiconductor package
US5498901A (en) * 1994-08-23 1996-03-12 National Semiconductor Corporation Lead frame having layered conductive planes
US5543657A (en) * 1994-10-07 1996-08-06 International Business Machines Corporation Single layer leadframe design with groundplane capability

Also Published As

Publication number Publication date
US5723899A (en) 1998-03-03
JPH09134992A (ja) 1997-05-20

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