JPH06104349A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH06104349A JPH06104349A JP24920192A JP24920192A JPH06104349A JP H06104349 A JPH06104349 A JP H06104349A JP 24920192 A JP24920192 A JP 24920192A JP 24920192 A JP24920192 A JP 24920192A JP H06104349 A JPH06104349 A JP H06104349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- gold
- brazing material
- semiconductor
- semiconductor pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 非金属ヒートシンク上に金メタライズ層を介
して半導体ペレットをロウ付け接合する構造の半導体装
置におけるワイヤーボンディング不良を防止する。 【構成】 非金属ヒートシンク７上に金メタライズ層２
を形成し、このメタライズ層上に金メッキリード１を接
合した後、上記メタライズ層上にロウ材６を用いて半導
体ペレット４を接合するとともに、半導体ペレットと上
記リード１の間にロウ材６の流出拡大を阻止する緩衝帯
８を介在させる。 【効果】 半導体ペレットを接合するためのロウ材がリ
ードのボンディング領域まで這い上がるのを確実に阻止
できる。
して半導体ペレットをロウ付け接合する構造の半導体装
置におけるワイヤーボンディング不良を防止する。 【構成】 非金属ヒートシンク７上に金メタライズ層２
を形成し、このメタライズ層上に金メッキリード１を接
合した後、上記メタライズ層上にロウ材６を用いて半導
体ペレット４を接合するとともに、半導体ペレットと上
記リード１の間にロウ材６の流出拡大を阻止する緩衝帯
８を介在させる。 【効果】 半導体ペレットを接合するためのロウ材がリ
ードのボンディング領域まで這い上がるのを確実に阻止
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、さらには
非金属ヒートシンク上に金メタライズ層を介して半導体
ペレットをロウ付け接合する構造の半導体装置に適用し
て有効な技術に関するものであって、たとえば移動体通
信装置の送信ファイナル部をなすＧａＡｓトランジスタ
に利用して有効な技術に関するものである。
非金属ヒートシンク上に金メタライズ層を介して半導体
ペレットをロウ付け接合する構造の半導体装置に適用し
て有効な技術に関するものであって、たとえば移動体通
信装置の送信ファイナル部をなすＧａＡｓトランジスタ
に利用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、移動体通信装置の送信ファイ
ナル部に使用されるＧａＡｓトランジスタは、図２に示
すように、熱伝達特性と電気絶縁特性にすぐれた窒化ア
ルミニウムからなる非金属ヒートシンク７上に金メタラ
イズ層２を形成し、このメタライズ層２上に金メッキリ
ード１を接合した後、上記メタライズ層２上に金ロウ材
（Ａｕ−Ｇｅ，Ａｕ−Ｓｎ）６を用いて半導体ペレット
４をロウ付け接合するとともに、上記リード１と上記半
導体ペレット４の間に電極取り出し用のボンディングワ
イヤー５を渡して構成される（たとえば、日経ＢＰ社刊
行「日経エレクトロニクス １９８５年７月１日号（ｎ
ｏ．３７２）」２９５頁：新製品）。
ナル部に使用されるＧａＡｓトランジスタは、図２に示
すように、熱伝達特性と電気絶縁特性にすぐれた窒化ア
ルミニウムからなる非金属ヒートシンク７上に金メタラ
イズ層２を形成し、このメタライズ層２上に金メッキリ
ード１を接合した後、上記メタライズ層２上に金ロウ材
（Ａｕ−Ｇｅ，Ａｕ−Ｓｎ）６を用いて半導体ペレット
４をロウ付け接合するとともに、上記リード１と上記半
導体ペレット４の間に電極取り出し用のボンディングワ
イヤー５を渡して構成される（たとえば、日経ＢＰ社刊
行「日経エレクトロニクス １９８５年７月１日号（ｎ
ｏ．３７２）」２９５頁：新製品）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。
【０００４】すなわち、図４に示すように、従来の半導
体装置では、金メタライズ層２上に半導体ペレット４を
ロウ付けするためのロウ材６が周囲に流出拡大して隣接
するリード１上のボンディング領域にまで這い上がって
しまい、これによってワイヤーボンディング不良が生じ
る、という問題が生じる。
体装置では、金メタライズ層２上に半導体ペレット４を
ロウ付けするためのロウ材６が周囲に流出拡大して隣接
するリード１上のボンディング領域にまで這い上がって
しまい、これによってワイヤーボンディング不良が生じ
る、という問題が生じる。
【０００５】本発明の目的は、非金属ヒートシンク上に
金メタライズ層を介して半導体ペレットをロウ付け接合
する構造の半導体装置におけるワイヤーボンディング不
良を防止する、という技術を提供することにある。
金メタライズ層を介して半導体ペレットをロウ付け接合
する構造の半導体装置におけるワイヤーボンディング不
良を防止する、という技術を提供することにある。
【０００６】本発明の前記ならびにそのほかの目的と特
徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかにな
るであろう。
徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかにな
るであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【０００８】すなわち、非金属ヒートシンク上に金メタ
ライズ層を形成し、このメタライズ層上に金メッキリー
ドを接合した後、上記メタライズ層上にロウ材を用いて
半導体ペレットを接合するとともに、半導体ペレットと
上記リードの間にロウ材の流出拡大を阻止する緩衝帯を
介在させる、というものである。
ライズ層を形成し、このメタライズ層上に金メッキリー
ドを接合した後、上記メタライズ層上にロウ材を用いて
半導体ペレットを接合するとともに、半導体ペレットと
上記リードの間にロウ材の流出拡大を阻止する緩衝帯を
介在させる、というものである。
【０００９】
【作用】上述した手段によれば、半導体ペレットを接合
するためのロウ材がリードのボンディング領域まで這い
上がるのを確実に阻止できるようになる。
するためのロウ材がリードのボンディング領域まで這い
上がるのを確実に阻止できるようになる。
【００１０】これにより、非金属ヒートシンク上に金メ
タライズ層を介して半導体ペレットをロウ付け接合する
構造の半導体装置におけるワイヤーボンディング不良を
防止する、という目的が達成される。
タライズ層を介して半導体ペレットをロウ付け接合する
構造の半導体装置におけるワイヤーボンディング不良を
防止する、という目的が達成される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１２】なお、図において、同一符号は同一あるい
は相当部分を示すものとする。
は相当部分を示すものとする。
【００１３】図１は本発明の技術が適用された半導体装
置の一実施例を示したものであって、１は表面に金メッ
キが施されたヒートシンク吊りリード、２は金メタライ
ズ層、３はリードフレーム、４はＧａＡｓトランジスタ
が形成された半導体ペレット、５はボンディングワイ
ヤ、６はＡｕ−ＧｅまたはＡｕ−Ｓｎなどの組成をもつ
ペレット接合用のロウ材、７は窒化アルミニウムからな
る非金属ヒートシンク、８は上記ロウ材６の流出拡大を
阻止する緩衝帯としての間隙である。
置の一実施例を示したものであって、１は表面に金メッ
キが施されたヒートシンク吊りリード、２は金メタライ
ズ層、３はリードフレーム、４はＧａＡｓトランジスタ
が形成された半導体ペレット、５はボンディングワイ
ヤ、６はＡｕ−ＧｅまたはＡｕ−Ｓｎなどの組成をもつ
ペレット接合用のロウ材、７は窒化アルミニウムからな
る非金属ヒートシンク、８は上記ロウ材６の流出拡大を
阻止する緩衝帯としての間隙である。
【００１４】上述した半導体装置では、まず、窒化アル
ミニウムからなるヒートシンク７の表面に金メタライズ
層２が形成される。この金メタライズ層２の上に、図６
に示すようなリードフレーム３に連接されたリード１が
接合される。続いて、ＧａＡｓ半導体基板からなる半導
体ペレット４がロウ材６によってロウ付け接合される。
このあと、リード１と半導体ペレット４の間がワイヤー
５のボンディングによって電気的に接続される。
ミニウムからなるヒートシンク７の表面に金メタライズ
層２が形成される。この金メタライズ層２の上に、図６
に示すようなリードフレーム３に連接されたリード１が
接合される。続いて、ＧａＡｓ半導体基板からなる半導
体ペレット４がロウ材６によってロウ付け接合される。
このあと、リード１と半導体ペレット４の間がワイヤー
５のボンディングによって電気的に接続される。
【００１５】最後は、レジンによるモールドが行なわれ
て完成品となる。
て完成品となる。
【００１６】ここで、半導体ペレット４を金メタライズ
層２にロウ付け接合するとき、この接合のために溶融さ
れたロウ材６は、半導体ペレット４の周囲に流出拡大し
て隣接するリード１に達し、さらにそのリード１を這い
上がってボンディング領域まで広がろうする。
層２にロウ付け接合するとき、この接合のために溶融さ
れたロウ材６は、半導体ペレット４の周囲に流出拡大し
て隣接するリード１に達し、さらにそのリード１を這い
上がってボンディング領域まで広がろうする。
【００１７】しかし、このとき、半導体ペレット４とリ
ード１の間の金メタライズ層２に緩衝帯として間隙８が
介在していることにより、ロウ材６の流出拡大は、表面
張力により、その間隙８のところで阻止されるようにな
る。
ード１の間の金メタライズ層２に緩衝帯として間隙８が
介在していることにより、ロウ材６の流出拡大は、表面
張力により、その間隙８のところで阻止されるようにな
る。
【００１８】これにより、半導体ペレット４を接合する
ためのロウ材６がリード１上のボンディング領域まで這
い上がるのを確実に阻止して、ワイヤーボンディングの
不良が防止されるようになる。
ためのロウ材６がリード１上のボンディング領域まで這
い上がるのを確実に阻止して、ワイヤーボンディングの
不良が防止されるようになる。
【００１９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例にもとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例にもとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２０】たとえば、ロウ材６は金合金以外の半田等
であってもよい。
であってもよい。
【００２１】以上の説明では主として、本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野であるＧａ
Ａｓ半導体装置に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、たとえばシリコン半導体
装置にも適用できる。
てなされた発明をその背景となった利用分野であるＧａ
Ａｓ半導体装置に適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、たとえばシリコン半導体
装置にも適用できる。
【００２２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
【００２３】すなわち、非金属ヒートシンク上に金メタ
ライズ層を介して半導体ペレットをロウ付け接合する構
造の半導体装置におけるワイヤーボンディング不良を防
止することができる、という効果が得られる。
ライズ層を介して半導体ペレットをロウ付け接合する構
造の半導体装置におけるワイヤーボンディング不良を防
止することができる、という効果が得られる。
【図１】本発明の技術が適用された半導体装置の要部断
面図
面図
【図２】従来の半導体装置の要部断面図
【図３】本発明による半導体装置の平面図
【図４】図３におけるＡ−Ａ線に沿った断面図
【図５】図４におけるＢの部分の部分拡大図
【図６】リードが連接されたリードフレームの形状例を
示す図
示す図
１ ヒートシンク吊りリード ２ 金メタライズ層 ３ リードフレーム ４ 半導体ペレット ５ ボンディングワイヤ ６ ロウ材 ７ 窒化アルミニウムからなる非金属ヒートシンク ８ 緩衝帯としての間隙
Claims (1)
- 【請求項１】 非金属ヒートシンク上に形成された金メ
タライズ層に金メッキリードを接合した後、上記メタラ
イズ層上にロウ材を用いて半導体ペレットを接合し、上
記リードと上記半導体ペレットの間に電極取り出し用の
ボンディングワイヤーを渡した半導体装置であって、上
記半導体ペレットと上記リードの間にロウ材の流出拡大
を阻止する緩衝帯を介在させたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24920192A JPH06104349A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24920192A JPH06104349A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104349A true JPH06104349A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17189417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24920192A Pending JPH06104349A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104349A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09134992A (ja) * | 1994-08-30 | 1997-05-20 | Anam Ind Co Inc | 半導体リードフレーム |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24920192A patent/JPH06104349A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09134992A (ja) * | 1994-08-30 | 1997-05-20 | Anam Ind Co Inc | 半導体リードフレーム |
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