JPH06326230A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH06326230A JPH06326230A JP5109122A JP10912293A JPH06326230A JP H06326230 A JPH06326230 A JP H06326230A JP 5109122 A JP5109122 A JP 5109122A JP 10912293 A JP10912293 A JP 10912293A JP H06326230 A JPH06326230 A JP H06326230A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- resin
- heat
- sealed semiconductor
- island
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は放熱特性を高めると共に、パッケ−
ジクラックを発生することのない樹脂封止型半導体装置
を提供することが目的である。 【構成】 本発明にかかる樹脂封止型半導体装置は、リ
−ドフレ−ムに設けられたアイランド１６上に載置され
た半導体チップ１５と、アイランド１６に連続して成形
された複数の吊りリ−ド１３と、複数の吊りリ−ド１３
と接着する放熱板１７とを有し、複数の吊りリ−ド１３
は各々樹脂封止型半導体装置の外部へ延在し、外部にて
放熱板１７と接着テ−プ１８を介して接着する。
ジクラックを発生することのない樹脂封止型半導体装置
を提供することが目的である。 【構成】 本発明にかかる樹脂封止型半導体装置は、リ
−ドフレ−ムに設けられたアイランド１６上に載置され
た半導体チップ１５と、アイランド１６に連続して成形
された複数の吊りリ−ド１３と、複数の吊りリ−ド１３
と接着する放熱板１７とを有し、複数の吊りリ−ド１３
は各々樹脂封止型半導体装置の外部へ延在し、外部にて
放熱板１７と接着テ−プ１８を介して接着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高い放熱性を必要とする
樹脂封止型半導体装置の実装構造に関するものである。
樹脂封止型半導体装置の実装構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの微細化により集積度が向
上し高速化するにつれ消費電力も増大し、発熱量が増加
する。チップ温度の上昇は、半導体装置の動作スピ−ド
の低下や信頼性を損なう原因にもなるため、効率のよい
冷却を行う必要がある。
上し高速化するにつれ消費電力も増大し、発熱量が増加
する。チップ温度の上昇は、半導体装置の動作スピ−ド
の低下や信頼性を損なう原因にもなるため、効率のよい
冷却を行う必要がある。
【０００３】従来最も一般的に用いられている樹脂封止
型半導体装置において、放熱性を得る構造の一例を図２
より説明する。放熱板２１はリ−ドフレ−ムのインナ−
リ−ド２２に絶縁テ−プ２３を介して接着されており、
半導体チップ２４は放熱板２１上に載置された後、イン
ナ−リ−ド２２とボンディングワイヤ２５により接続さ
れ、樹脂２６により封止される。このような構造の場
合、半導体チップ２４からの熱は放熱板２１及びインナ
−リ−ド２２を通じアウタ−リ−ド２７から放出され
る。放熱板２１はインナ−リ−ド２２に熱圧着により接
着されるが、その際に接着テ−プ２３が熱により軟化す
るため、ボンディングエリアを汚染する可能性がある。
また、キュアリング時においても同様の可能性がある。
型半導体装置において、放熱性を得る構造の一例を図２
より説明する。放熱板２１はリ−ドフレ−ムのインナ−
リ−ド２２に絶縁テ−プ２３を介して接着されており、
半導体チップ２４は放熱板２１上に載置された後、イン
ナ−リ−ド２２とボンディングワイヤ２５により接続さ
れ、樹脂２６により封止される。このような構造の場
合、半導体チップ２４からの熱は放熱板２１及びインナ
−リ−ド２２を通じアウタ−リ−ド２７から放出され
る。放熱板２１はインナ−リ−ド２２に熱圧着により接
着されるが、その際に接着テ−プ２３が熱により軟化す
るため、ボンディングエリアを汚染する可能性がある。
また、キュアリング時においても同様の可能性がある。
【０００４】さらに、このような構造であると、従来の
１〜１．５ｗ程度の消費電力である場合には有効である
が、より高い消費電力の半導体チップ２４を搭載する場
合には適用が難しい。高消費電力になるにつれ、放熱特
性を高めるには放熱板２１のサイズを拡大しなければな
らない。ところで、放熱板２１を内部に有する樹脂封止
型半導体装置の特性として重要なことに耐湿性がある。
放熱板２１と樹脂２６との密着性が悪いため、樹脂自身
が透過した水分及びリ−ドフレ−ムなどの素体の界面か
ら侵入した水分が、放熱板２１と樹脂２６との界面に集
まり、パッケ−ジクラックを引き起こす原因となる。従
って、放熱板２１のサイズの拡大はパッケ−ジクラック
発生に対して不利といえる。
１〜１．５ｗ程度の消費電力である場合には有効である
が、より高い消費電力の半導体チップ２４を搭載する場
合には適用が難しい。高消費電力になるにつれ、放熱特
性を高めるには放熱板２１のサイズを拡大しなければな
らない。ところで、放熱板２１を内部に有する樹脂封止
型半導体装置の特性として重要なことに耐湿性がある。
放熱板２１と樹脂２６との密着性が悪いため、樹脂自身
が透過した水分及びリ−ドフレ−ムなどの素体の界面か
ら侵入した水分が、放熱板２１と樹脂２６との界面に集
まり、パッケ−ジクラックを引き起こす原因となる。従
って、放熱板２１のサイズの拡大はパッケ−ジクラック
発生に対して不利といえる。
【０００５】また、放熱板２１と絶縁テ−プ２３とは、
樹脂封止型半導体装置の内部にて封止樹脂体積の割合を
減少させており、樹脂封止型半導体装置の薄型化に対し
て不利な構造である。
樹脂封止型半導体装置の内部にて封止樹脂体積の割合を
減少させており、樹脂封止型半導体装置の薄型化に対し
て不利な構造である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、内部に
放熱板を有する樹脂封止型半導体装置は、放熱板をリ−
ドフレ−ムに接着するために用いる接着テ−プはボンデ
ィングエリアの汚染原因となることや、また放熱特性を
高めるために放熱板を無造作に拡大することはパッケ−
ジクラックの原因となること等問題がある。それ故に、
本発明は放熱特性を高めると共に、パッケ−ジクラック
を発生することのない樹脂封止型半導体装置を提供する
ことが目的である。
放熱板を有する樹脂封止型半導体装置は、放熱板をリ−
ドフレ−ムに接着するために用いる接着テ−プはボンデ
ィングエリアの汚染原因となることや、また放熱特性を
高めるために放熱板を無造作に拡大することはパッケ−
ジクラックの原因となること等問題がある。それ故に、
本発明は放熱特性を高めると共に、パッケ−ジクラック
を発生することのない樹脂封止型半導体装置を提供する
ことが目的である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる樹脂封止
型半導体装置は、リ−ドフレ−ムに設けられたアイラン
ド上に載置された半導体チップと、上記アイランドに連
続して成形された複数の吊りリ−ドと、上記複数の吊り
リ−ドと接着する放熱板とを有し、上記複数の吊りリ−
ドは各々樹脂封止型半導体装置の外部へ延在し、外部に
て放熱板と接着テ−プを介して接着する。
型半導体装置は、リ−ドフレ−ムに設けられたアイラン
ド上に載置された半導体チップと、上記アイランドに連
続して成形された複数の吊りリ−ドと、上記複数の吊り
リ−ドと接着する放熱板とを有し、上記複数の吊りリ−
ドは各々樹脂封止型半導体装置の外部へ延在し、外部に
て放熱板と接着テ−プを介して接着する。
【０００８】
【作用】上記の構成によれば、半導体チップから発生す
る熱はアイランド及び吊りリ−ドを通じて外部に設けら
れた放熱板により放熱する。放熱板を外部に設けること
により放熱板のサイズを拡大したとしても、放熱板を原
因とするパッケ−ジクラックは発生しない。また、リ−
ドフレ−ムのインナ−リ−ドに接着する必要もなくボン
ディングエリアを汚染することもない。
る熱はアイランド及び吊りリ−ドを通じて外部に設けら
れた放熱板により放熱する。放熱板を外部に設けること
により放熱板のサイズを拡大したとしても、放熱板を原
因とするパッケ−ジクラックは発生しない。また、リ−
ドフレ−ムのインナ−リ−ドに接着する必要もなくボン
ディングエリアを汚染することもない。
【０００９】
【実施例】以下、本発明による樹脂封止型半導体装置の
一実施例を図１を参照して説明する。図１（ａ）は樹脂
封止型半導体装置の表側を示す平面図である。樹脂封止
型半導体装置は樹脂１１により封止され、四辺各々にリ
−ド１２が設けられ、４つの吊りリ−ド１３が四辺の各
角部において外部に延在している。同図（ｂ）によれ
ば、樹脂封止型半導体装置の裏側では、吊りリ−ド１３
は適当な長さにカットされて裏面１４に曲げられてい
る。また同図（ｃ）によれば、半導体チップ１５が載置
されるアイランド１６と吊りリ−ド１３とが連続してい
ることは明らかである。放熱板１７は、例えば半導体装
置裏面１４とほぼ同じ大きさに形成され、接着テ−プ
（両面粘着）１８を介して吊りリ−ド１３に熱圧着され
る。
一実施例を図１を参照して説明する。図１（ａ）は樹脂
封止型半導体装置の表側を示す平面図である。樹脂封止
型半導体装置は樹脂１１により封止され、四辺各々にリ
−ド１２が設けられ、４つの吊りリ−ド１３が四辺の各
角部において外部に延在している。同図（ｂ）によれ
ば、樹脂封止型半導体装置の裏側では、吊りリ−ド１３
は適当な長さにカットされて裏面１４に曲げられてい
る。また同図（ｃ）によれば、半導体チップ１５が載置
されるアイランド１６と吊りリ−ド１３とが連続してい
ることは明らかである。放熱板１７は、例えば半導体装
置裏面１４とほぼ同じ大きさに形成され、接着テ−プ
（両面粘着）１８を介して吊りリ−ド１３に熱圧着され
る。
【００１０】このような構造によれば、半導体チップ１
５から発生する熱は、アイランド１６及び吊りリ−ド１
３を通じて外部に設けられた放熱板１７へ伝わり放熱板
１７から放出される。外部に放熱板１７が設けられるこ
とは、放熱板１７によるパッケ−ジクラックは発生しな
いため、放熱板１７を拡大することにより放熱特性を高
めることができる。
５から発生する熱は、アイランド１６及び吊りリ−ド１
３を通じて外部に設けられた放熱板１７へ伝わり放熱板
１７から放出される。外部に放熱板１７が設けられるこ
とは、放熱板１７によるパッケ−ジクラックは発生しな
いため、放熱板１７を拡大することにより放熱特性を高
めることができる。
【００１１】また、放熱板１７をリ−ドフレ−ムのイン
ナ−リ−ド（図示せず）に接着する必要がないため、ボ
ンディングエリアを汚染することもない。従って、ボン
ディングワイヤ（図示せず）の接合不良や表面的には接
合していても樹脂封止工程の際に取れることもなく、高
い信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供することができ
る。
ナ−リ−ド（図示せず）に接着する必要がないため、ボ
ンディングエリアを汚染することもない。従って、ボン
ディングワイヤ（図示せず）の接合不良や表面的には接
合していても樹脂封止工程の際に取れることもなく、高
い信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供することができ
る。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂封止型半導体装置
の外部に放熱板を設けることにより、ボンディングエリ
アを汚染することなくかつパッケ−ジクラックの発生も
ない。また、放熱板の拡大は容易であるから、消費電力
の増大に対応し放熱特性を向上することできる。更に、
放熱板が接着される吊りリ−ドは、従来からアイランド
を支えるためにリ−ドフレ−ムに設けられているもので
あるから、設計を大幅に変える必要もなく簡易に提供す
ることができる。
の外部に放熱板を設けることにより、ボンディングエリ
アを汚染することなくかつパッケ−ジクラックの発生も
ない。また、放熱板の拡大は容易であるから、消費電力
の増大に対応し放熱特性を向上することできる。更に、
放熱板が接着される吊りリ−ドは、従来からアイランド
を支えるためにリ−ドフレ−ムに設けられているもので
あるから、設計を大幅に変える必要もなく簡易に提供す
ることができる。
【図１】本発明による一実施例を示す平面図（ａ）、
（ａ）中の丸印部分の放熱板が接着されない状態の裏面
を示す平面図（ｂ）と（ａ）中のＸ−Ｘ´断面を示す断
面図（ｃ）である。
（ａ）中の丸印部分の放熱板が接着されない状態の裏面
を示す平面図（ｂ）と（ａ）中のＸ−Ｘ´断面を示す断
面図（ｃ）である。
【図２】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
る。
る。
１１…樹脂、１２…リ−ド、１３…吊りリ−ド、１４…
裏面 １５…半導体チップ、１６…アイランド、１７…放熱
板、１８…接着テ−プ
裏面 １５…半導体チップ、１６…アイランド、１７…放熱
板、１８…接着テ−プ
Claims (1)
- 【請求項１】 複数のリ−ドを有するリ−ドフレ−ムの
アイランドに載置された半導体チップと、上記アイラン
ドと連続して設けられた吊りリ−ドと、上記複数のリ−
ド及び上記吊りリ−ドとの各端部が露出するように上記
半導体チップを封止する樹脂層と、上記露出した吊りリ
−ドに設けられた放熱板とからなることを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5109122A JPH06326230A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5109122A JPH06326230A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326230A true JPH06326230A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14502122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5109122A Pending JPH06326230A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326230A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2736467A1 (fr) * | 1995-07-07 | 1997-01-10 | Samsung Aerospace Ind | Dispositif semiconducteur dissipant la chaleur |
| KR19980044247A (ko) * | 1996-12-06 | 1998-09-05 | 황인길 | 반도체 패키지의 몰딩방법 |
| KR100373566B1 (ko) * | 1999-02-04 | 2003-02-25 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 히트 스프레더에 결합되며 반도체 소자가 탑재되는아일랜드를 구비하는 수지-봉지형 반도체 장치 |
-
1993
- 1993-05-11 JP JP5109122A patent/JPH06326230A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2736467A1 (fr) * | 1995-07-07 | 1997-01-10 | Samsung Aerospace Ind | Dispositif semiconducteur dissipant la chaleur |
| KR19980044247A (ko) * | 1996-12-06 | 1998-09-05 | 황인길 | 반도체 패키지의 몰딩방법 |
| KR100373566B1 (ko) * | 1999-02-04 | 2003-02-25 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 히트 스프레더에 결합되며 반도체 소자가 탑재되는아일랜드를 구비하는 수지-봉지형 반도체 장치 |
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