JPH06216293A - リ−ドフレ−ムおよびこのリ−ドフレ−ムを用いたｌｓｉパッケ−ジの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＬＳＩパッケ−ジの製造において、ばりが生
じないようなリ−ドフレ−ムおよびこのリ−ドフレ−ム
を用いたＬＳＩパッケ−ジの製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 半導体素子２がダイボンディングされるダイ
パッド部１２と、先端をこのダイパッド部１２に対向さ
せて設けられ上記半導体素子２にワイヤ２０を介して接
続されるリ−ド部１３とを具備するリ−ドフレ−ム１０
であって、上記リ−ド部１３の先端部に突起部１７を設
け、このリ−ド部１３の上記突起部１７の設けられた位
置より後端部側に封止用樹脂が流出することがないよう
にしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、リ−ドフレ−ムおよ
びこのリ−ドフレ−ムを用いたＬＳＩパッケ−ジの製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】いわゆるＬＳＩパッケ−ジは、半導体素
子をリ−ドフレ−ムと呼ばれる基板に搭載した後、これ
を樹脂封止することで製造される。

【０００３】このようなＬＳＩパッケ−ジに用いられる
リ−ドフレ−ム１は、一般に図５（ａ）に示すように、
半導体素子２が搭載（ダイボンディング）されるダイパ
ッド部３と、このダイパッド部３の側方に設けられたリ
−ド部４とを具備する。上記半導体素子２は、このリ−
ドフレ−ム１のダイパッド部３上に搭載（ダイボンディ
ング）された後、上記リ−ド部４にワイヤボンディング
される。

【０００４】このようにして半導体素子２が搭載された
リ−ドフレ−ム１は、図に示すように、成形金型５のキ
ャビティ５ａ内に投入され、樹脂封止される。樹脂封止
が終了したならば、この成形金型５内から取り出され上
記リ−ド部４を切断、折曲することで、このＬＳＩパッ
ケ−ジは完成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＬＳ
Ｉパッケ−ジには、以下に説明するような欠点があっ
た。

【０００６】すなわち、樹脂封止時には、図５（ｂ）に
Ａで示すように、上記成形金型５と上記リ−ド部４との
間に、このリ−ド部４の寸法精度や熱変形等および上記
金型５の熱変形に起因して若干の隙間が生じる。

【０００７】この樹脂封止に使用するエポキシ樹脂は非
常に流動性の良いものであるから、上記成形金型５とリ
−ド部４の隙間Ａが０．００５ｍｍのように非常に狭い
場合であってもこの隙間Ａに流出し、成形終了後に固化
して「ばり」が生じることがある。

【０００８】「ばり」が発生すると、第１に、この「ば
り」が上記成形金型５に付着し、変形磨耗の原因になる
他、リ−ド部４の変形など製造されるＬＳＩパッケ−ジ
の信頼性が低下する問題がある。

【０００９】また、第２に、「ばり」がリ−ド部４に付
着し、リ−ド部４の打ち抜きおよびこのリ−ド部４の曲
げを行う際に打ち抜き精度および曲げ精度を劣化させる
ということがある。また、このリ−ド部４の打ち抜きや
曲げを行う金型等の変形磨耗の原因となる問題もある。

【００１０】このような問題を解決するために、従来
は、ＬＳＩパッケ−ジの製造工程中にばり取り工程を設
けていた。しかし、このような工程を設けると、製造コ
ストが高くなると共に、ばり取りによって生じた粉塵の
問題により製造工程中の環境が悪化するということあ
る。

【００１１】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたもので、ＬＳＩパッケ−ジの製造において、ばりが
生じないようなリ−ドフレ−ムおよびこのリ−ドフレ−
ムを用いたＬＳＩパッケ−ジの製造方法を提供すること
を目的とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の手段
は、半導体素子がダイボンディングされるダイパッド部
と、先端をこのダイパッド部に対向させて設けられ上記
半導体素子にワイヤを介して接続されるリ−ド部とを具
備するリ−ドフレ−ムにおいて、上記リ−ド部の先端部
に突起部を設けたことを特徴とするリ−ドフレ−ムであ
る。

【００１３】第２の手段は、リ−ドフレ−ム上に半導体
素子を搭載し、このリ−ドフレ−ムのリ−ド部と半導体
素子とをワイヤボンディングした後、樹脂封止すること
でＬＳＩパッケ−ジを製造するＬＳＩパッケ−ジの製造
方法において、上記リ−ド部の先端部に、樹脂封止用金
型とリ−ド部との間に生じる隙間を閉塞する突起部を設
けたことを特徴とするＬＳＩパッケ−ジの製造方法であ
る。

【００１４】

【作用】このような構成によれば、樹脂封止用金型とリ
−ド部との隙間から封止用樹脂がリ−ド部の後端側に流
出するのを有効に防止できる。

【００１５】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図１〜図４を参
照して説明する。なお、従来例で説明した構成要素と同
一の構成要素には同一符号を付してその説明は省略す
る。

【００１６】この発明のＬＳＩパッケ−ジの製造方法に
用いられるリ−ドフレ−ムは、図１に１０で示すような
もので、半導体素子２が搭載（ダイボンディング）され
るダイパッド部１２と、このダイパッド部１２を挟んで
設けられ上記半導体素子２の電極と接続される複数本の
リ−ド部１３…とからなる。これらダイパッド部１２お
よびリ−ド部１３は、このダイパッド部１２およびリ−
ド部１３の回りに形成されたフレ−ム部１４によってば
らばらにならないように保持されている。

【００１７】また、このリ−ドフレ−ム１４の表面およ
び裏面には、それぞれ一対の絶縁テ−プ１６、１６が平
行に離間して貼着されている。この絶縁テ−プ１６は、
上記ダイパッド部１２の両側に設けられた各リ−ド部１
３…すべてに跨がるように貼着されたものであり、この
絶縁テ−プ１６によって上記リ−ド部１３の先端部には
突起部１７が形成されている。

【００１８】この突起部は、例えば約０．０５ｍｍ程度
で、かつ断面形状は後述する（図２に示す）上型１８お
よび下型１９により構成されるキャビティ２１内に容易
に入り込むように、上辺の長さが底辺の長さよりも短い
台形状となっている。

【００１９】次に、このリ−ドフレ−ム１０を用いたＬ
ＳＩパッケ−ジの製造方法について説明する。図１
（ｂ）に示すように、このリ−ドフレ−ム１０のダイパ
ッド部１２には、半導体素子２がダイボンディングされ
る。次に、ダイボンディングされた半導体素子２とリ−
ドフレ−ム１０のリ−ド部１３とは、ワイヤボンディン
グによりワイヤ２０を用いて接続される。なお、このと
き、上記リ−ド部１３にワイヤ２０が接続される位置
は、上記突起部１７の設けられた位置よりも先端側とす
る。

【００２０】ワイヤボンディングが終了したならば、上
記リ−ドフレ−ム１０および半導体素子２は、図２
（ａ）に示すように、上型１８および下型１９とで構成
されるキャビティ２１内に投入される。なお、このとき
上記リ−ド部１３に設けられた突起１７のリ−ド部１３
の他端部側の面は、上記キャビティ２１の内面に当接す
るようになっている。

【００２１】なお、上記突起部１７の形状は台形状で側
面の形状が上記キャビティ２１の内面の傾斜に沿うよう
に設けられているので、上記キャビティ２１内に容易に
入り込みかつ上記キャビティ２１の内面に当接しやすい
ようになっている。

【００２２】次に、このキャビティ２１内には、エポキ
シ樹脂が射出される。このことで、上記半導体素子２は
樹脂封止される。このとき、図２（ｂ）に拡大して示す
ように、上記上記上型１８と下型１９とリ−ド部１３と
の間に生じた隙間Ａは上記突起部１７により閉塞され、
このキャビティ２１内に射出されたエポキシ樹脂が上記
リ−ド部１３の後端部側に流出しないようになってい
る。樹脂封止が終了したｌＳＩパッケ−ジは、このキャ
ビティ２１内から取り出されたあと、上記リ−ド部１３
を折曲されることで完成する。

【００２３】このような構成よれば、上記リ−ド部１３
の先端部に樹脂封止時に上記上型１８、下型１９と、リ
−ド部１３との隙間Ａを閉塞する突起部１７を設けたの
で、キャビティ２１ａ内に充満されたエポキシ樹脂が流
出することが有効に防止される。したがって、上記リ−
ド部３あるいは上型１８、下型１９にばりが付着するこ
とが有効に防止される。

【００２４】このことにより、製造されるＬＳＩパッケ
−ジの品質が向上すると共に歩留まりが向上する。ま
た、ばり取りの工程が不要になるのでこのＬＳＩパッケ
−ジの製造が容易になる効果もある。なお、この発明は
上記一実施例に限定されるものではなく、発明の要旨を
変更しない範囲で種々変形可能である。

【００２５】例えば、上記一実施例では、上記絶縁テ−
プ１６を貼着することで上記リ−ド部１３の先端部に突
起部１７を設けたが、これに限定されるものではない。
例えば、図３に示すように、リ−ド部１３のプレスある
いは打ち抜き時に、上記リ−ド部１３の先端部に、この
リ−ド部１３と一体的に突起部１７を成形するようにし
ても良い。

【００２６】また、図４に示すように、上記突起部１７
を上記リ−ド部１３の表面および裏面だけでなく、側面
にも形成されるように鍔状に形成するようにしても良
い。この突起部１７は、上記プレス加工時に一体的に形
成するようにしても良いし、上述したように絶縁テ−プ
１６等で成形するようにしても良い。このような構成で
あっても上記一実施例と略同様の効果を得ることが可能
になる。

【００２７】また、上記一実施例では、２方向にのみリ
−ド部１３が突出するＬＳＩパッケ−ジであったが、こ
れに限定されるものでなく４方向にリ−ド部１３が突出
するＬＳＩパッケ−ジ（いわゆるＱＦＰ）であってもよ
い。この場合には、上記ダイパッド部１２を囲むように
設けられたすべてのリ−ド部１３に上記突起部１７を設
けるようにする必要がある。

【００２８】

【発明の効果】以上述べたように、この発明の第１の構
成は、半導体素子がダイボンディングされるダイパッド
部と、先端をこのダイパッド部に対向させて設けられ上
記半導体素子にワイヤを介して接続されるリ−ド部とを
具備するリ−ドフレ−ムにおいて、上記リ−ド部の先端
部に突起部を設けたリ−ドフレ−ムである。

【００２９】第２の構成は、リ−ドフレ−ム上に半導体
素子を搭載し、このリ−ドフレ−ムのリ−ド部と半導体
素子とをワイヤボンディングした後、樹脂封止すること
でＬＳＩパッケ−ジを製造するＬＳＩパッケ−ジの製造
方法において、上記リ−ド部の先端部に、樹脂封止用金
型とリ−ド部との間に生じる隙間を閉塞する突起部を設
けたＬＳＩパッケ−ジの製造方法である。

【００３０】このような構成によれば、上記リ−ド部の
先端部に樹脂封止時に樹脂封止用金型とリ−ド部との隙
間を閉塞する突起部を設けたので、封止用樹脂が上記リ
−ド部の後端側に流出することが防止される。したがっ
て、上記リ−ド部あるいは金型にばりが付着することが
有効に防止される。

【００３１】このことにより、製造されるＬＳＩパッケ
−ジの品質が向上すると共に製品製造の歩留まりが向上
する。また、ばり取りの工程が不要になるのでこのＬＳ
Ｉパッケ−ジの製造が容易になる効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、この発明の一実施例を示す平面図、
（ｂ）は、同じく、製造工程を示す平面図。

【図２】（ａ）は、同じく製造工程を示す縦断面図、
（ｂ）は、同じく拡大縦断面図。

【図３】他の実施例を示す平面図。

【図４】同じく他の実施例を示す平面図。

【図５】（ａ）は、従来例を示す縦断面図、（ｂ）は、
同じく拡大縦断面図。

【符号の説明】

２…半導体素子、１０…リ−ドフレ−ム、１２…ダイパ
ッド部、１３…リ−ド部、１７…突起部、Ａ…隙間。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子がダイボンディングされるダ
   イパッド部と、先端をこのダイパッド部に対向させて設
   けられ上記半導体素子にワイヤを介して接続されるリ−
   ド部とを具備するリ−ドフレ−ムにおいて、上記リ−ド
   部の先端部に突起部を設けたことを特徴とするリ−ドフ
   レ−ム。
2. 【請求項２】 リ−ドフレ−ム上に半導体素子を搭載
   し、このリ−ドフレ−ムのリ−ド部と半導体素子とをワ
   イヤボンディングした後、樹脂封止することでＬＳＩパ
   ッケ−ジを製造するＬＳＩパッケ−ジの製造方法におい
   て、上記リ−ド部の先端部に、樹脂封止用金型とリ−ド
   部との間に生じる隙間を閉塞する突起部を設けたことを
   特徴とするＬＳＩパッケ−ジの製造方法。