JPH0582573A - 樹脂封止型半導体装置用金型 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用金型Info
- Publication number
- JPH0582573A JPH0582573A JP23853791A JP23853791A JPH0582573A JP H0582573 A JPH0582573 A JP H0582573A JP 23853791 A JP23853791 A JP 23853791A JP 23853791 A JP23853791 A JP 23853791A JP H0582573 A JPH0582573 A JP H0582573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- mold
- resin
- semiconductor device
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H10W74/10—
-
- H10W90/736—
-
- H10W90/756—
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】熱放散用部品を接続するアイランド部への樹脂
バリの形成をなくす。 【構成】半導体素子６をアイランド９にＡｇペースト１
０で接着固定し、このアイランド９を吸引孔３を設けた
支持台２にて支持し、さらに真空吸着にてアイランド９
を強固に固定し、上型４の下主面と下型１の上主面とで
リードフレームを挟持して樹脂封止する。
バリの形成をなくす。 【構成】半導体素子６をアイランド９にＡｇペースト１
０で接着固定し、このアイランド９を吸引孔３を設けた
支持台２にて支持し、さらに真空吸着にてアイランド９
を強固に固定し、上型４の下主面と下型１の上主面とで
リードフレームを挟持して樹脂封止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置用
金型に関する。
金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止
工程においては、図４に示すように、リードフレームの
アイランド９に半導体素子６をＡｇペーストにて接着固
定し、金属細線５により、半導体素子のパッドと内部リ
ード１１とを電気的に接続したリードフレーム２０を図
３に示すように、上型４の下主面と下型１Ｂの上主面と
で挟持し、さらにアイランド９を下キャビティ８Ｂ内に
設けた支持台２Ｂにて保持する。そして上下キャビティ
７，８Ｂ内に樹脂注入して封止していた。ここでリード
フレーム２０は、半導体素子６のＸ，Ｙ方向中心が、下
キャビティ８ＢのＸ，Ｙ方向の中心と一致するように、
下型１Ｂに位置決めされている。
工程においては、図４に示すように、リードフレームの
アイランド９に半導体素子６をＡｇペーストにて接着固
定し、金属細線５により、半導体素子のパッドと内部リ
ード１１とを電気的に接続したリードフレーム２０を図
３に示すように、上型４の下主面と下型１Ｂの上主面と
で挟持し、さらにアイランド９を下キャビティ８Ｂ内に
設けた支持台２Ｂにて保持する。そして上下キャビティ
７，８Ｂ内に樹脂注入して封止していた。ここでリード
フレーム２０は、半導体素子６のＸ，Ｙ方向中心が、下
キャビティ８ＢのＸ，Ｙ方向の中心と一致するように、
下型１Ｂに位置決めされている。
【０００３】さらに樹脂封止後タイバーに連結された外
部リード１６を切断成形し、図５に示すような熱放散用
部品１３を樹脂１４の間に露出したアイランド９の下部
に取り付けていた。
部リード１６を切断成形し、図５に示すような熱放散用
部品１３を樹脂１４の間に露出したアイランド９の下部
に取り付けていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の金型を
用いる半導体装置の樹脂封止方法では、樹脂封止する場
合、下キャビティ８Ｂ内でアイランド９を支持台２Ｂに
て保持しているが、溶融樹脂がアイランド９と支持台２
Ｂの間にもぐり込むため、熱放散用部品１３が取付け難
い製品外形上の問題点があった。
用いる半導体装置の樹脂封止方法では、樹脂封止する場
合、下キャビティ８Ｂ内でアイランド９を支持台２Ｂに
て保持しているが、溶融樹脂がアイランド９と支持台２
Ｂの間にもぐり込むため、熱放散用部品１３が取付け難
い製品外形上の問題点があった。
【０００５】また従来、アイランド９と支持台２Ｂの間
にもぐり込んだ樹脂バリが、十分取り除けないという問
題点があった。その上、熱放散部分がアイランド９のご
く一部分にしか接触していないため、熱放散性が悪く、
半導体素子６を動作させた時に、この半導体素子６から
発生する熱により、回路特性に異常をきたすという問題
点があった。
にもぐり込んだ樹脂バリが、十分取り除けないという問
題点があった。その上、熱放散部分がアイランド９のご
く一部分にしか接触していないため、熱放散性が悪く、
半導体素子６を動作させた時に、この半導体素子６から
発生する熱により、回路特性に異常をきたすという問題
点があった。
【０００６】さらに、この熱による半導体素子６の内部
リード４及び封止樹脂１４が熱膨張した場合、相互の膨
張係数の違いによる応力が生じる為、封止樹脂１４や半
導体素子６にクラックが発生し、製品の信頼性に悪影響
を及ぼす問題もあった。
リード４及び封止樹脂１４が熱膨張した場合、相互の膨
張係数の違いによる応力が生じる為、封止樹脂１４や半
導体素子６にクラックが発生し、製品の信頼性に悪影響
を及ぼす問題もあった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明の樹脂封止型
半導体装置用金型は、上キャビティを有する上型と、下
キャビティを有しその中央部に半導体素子が固着された
リードフレームのアイランドを支持する支持台が設けら
れた下型とからなる樹脂封止型半導体装置用金型におい
て、前記支持台には前記アイランドを吸着し固定するた
めの吸引孔が設けられているものである。
半導体装置用金型は、上キャビティを有する上型と、下
キャビティを有しその中央部に半導体素子が固着された
リードフレームのアイランドを支持する支持台が設けら
れた下型とからなる樹脂封止型半導体装置用金型におい
て、前記支持台には前記アイランドを吸着し固定するた
めの吸引孔が設けられているものである。
【０００８】第２の発明の樹脂封止型半導体装置用金型
は、上キャビティを有する上型と、下キャビティを有し
その中央部に半導体素子が固着されたリードフレームの
アイランドを支持する支持台が設けられた下型とからな
る樹脂封止型半導体装置用金型において、前記支持台に
は前記アイランドの底面部を入れて固定する為の溝が設
けられているものである。
は、上キャビティを有する上型と、下キャビティを有し
その中央部に半導体素子が固着されたリードフレームの
アイランドを支持する支持台が設けられた下型とからな
る樹脂封止型半導体装置用金型において、前記支持台に
は前記アイランドの底面部を入れて固定する為の溝が設
けられているものである。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１（ａ）は本発明の第１の実施例の断面
図であり、特に半導体素子を固着したリードフレームを
挟持した場合を示している。また図１（ｂ）は第１の実
施例の下型の上面図である。
て説明する。図１（ａ）は本発明の第１の実施例の断面
図であり、特に半導体素子を固着したリードフレームを
挟持した場合を示している。また図１（ｂ）は第１の実
施例の下型の上面図である。
【００１０】図１（ａ），（ｂ）において、上型４は従
来のものと同様に上キャビティ７が設けられている。そ
して下型は、下キャビティ８とアイランド９を支持する
支持台２が設けられているが、特にこの支持台２には、
アイランド９を吸着して固定するための吸引孔３が設け
られている。以下Ａｇペースト１０により半導体素子６
をアイランド９に固着し、半導体素子６と内部リード１
１とを金属細線５で接続したリードフレームの金型への
取付け方法について説明する。
来のものと同様に上キャビティ７が設けられている。そ
して下型は、下キャビティ８とアイランド９を支持する
支持台２が設けられているが、特にこの支持台２には、
アイランド９を吸着して固定するための吸引孔３が設け
られている。以下Ａｇペースト１０により半導体素子６
をアイランド９に固着し、半導体素子６と内部リード１
１とを金属細線５で接続したリードフレームの金型への
取付け方法について説明する。
【００１１】この第１の実施例では、内部リード１１を
上型４の下主面と下型６の上主面とで挟持し、さらにア
イランド９を下キャビティ８内に設けた吸引孔３を有す
る支持台２の上主面に支持し、この吸引孔３を通しアイ
ランド９を図には示していないが、吸引孔３の先端部に
真空ポンプを用いて真空をつくり、アイランド９を真空
吸着し支持台２に固定する。
上型４の下主面と下型６の上主面とで挟持し、さらにア
イランド９を下キャビティ８内に設けた吸引孔３を有す
る支持台２の上主面に支持し、この吸引孔３を通しアイ
ランド９を図には示していないが、吸引孔３の先端部に
真空ポンプを用いて真空をつくり、アイランド９を真空
吸着し支持台２に固定する。
【００１２】このように構成された第１の実施例により
半導体素子６を樹脂封止した場合、アイランド９と支持
台２とは強固に固定されているため、この間に樹脂がも
ぐり込むことはない。従って熱放射用部品を接触性良く
容易に取り付けることができる。従って樹脂封止型半導
体装置の熱放散性も良好なものとなる。
半導体素子６を樹脂封止した場合、アイランド９と支持
台２とは強固に固定されているため、この間に樹脂がも
ぐり込むことはない。従って熱放射用部品を接触性良く
容易に取り付けることができる。従って樹脂封止型半導
体装置の熱放散性も良好なものとなる。
【００１３】図２は、本発明の第２の実施例の断面図で
ある。この第２の実施例では、第１の実施例で示した真
空吸着によって、アイランド９を支持台に支持固定する
のではなく、下型１Ａの支持台２Ａにアイランド９の底
面部が入るだけでの溝１５を設け、この溝１５にて機械
的にアイランド９を支持固定するものである。
ある。この第２の実施例では、第１の実施例で示した真
空吸着によって、アイランド９を支持台に支持固定する
のではなく、下型１Ａの支持台２Ａにアイランド９の底
面部が入るだけでの溝１５を設け、この溝１５にて機械
的にアイランド９を支持固定するものである。
【００１４】このように構成された第２の実施例によれ
ば、アイランド９の底面部が溝１５の中に埋められるよ
うになるので、アイランドの底面全体が露出することに
なるため、第１の実施例に比べ、アイランドの熱放散面
積を多くすることができる。
ば、アイランド９の底面部が溝１５の中に埋められるよ
うになるので、アイランドの底面全体が露出することに
なるため、第１の実施例に比べ、アイランドの熱放散面
積を多くすることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、樹
脂封止工程において、熱放散用部品を取り付けるアイラ
ンドの裏面への樹脂のもぐり込みを完全になくすことが
できるため、従来必要であったバリ取り工程をなくすこ
とができ、製品の歩留りが向上する。更に半導体素子の
放熱性が良くなるため、動作時の熱による回路特性異常
やクラックの発生をなくすことができ、半導体装置の歩
留り及び信頼性を向上させることができる。
脂封止工程において、熱放散用部品を取り付けるアイラ
ンドの裏面への樹脂のもぐり込みを完全になくすことが
できるため、従来必要であったバリ取り工程をなくすこ
とができ、製品の歩留りが向上する。更に半導体素子の
放熱性が良くなるため、動作時の熱による回路特性異常
やクラックの発生をなくすことができ、半導体装置の歩
留り及び信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の断面図及び下型の上面
図。
図。
【図２】本発明の第２の実施例の断面図。
【図３】従来の金型の断面図。
【図４】リードフレームに半導体素子を固着した場合の
上面図。
上面図。
【図５】樹脂封止型半導体装置の断面図。
１，１Ａ，１Ｂ 下型 ２，２Ａ，２Ｂ 支持台 ３ 吸引孔 ４ 上型 ５ 金属細線 ６ 半導体素子 ７ 上キャビティ ８，８Ａ，８Ｂ 下キャビティ ９ アイランド １０ Ａｇペースト １１ 内部リード １２ タイバー １３ 放熱散用部品 １４ 樹脂 １５ 溝
Claims (2)
- 【請求項１】 上キャビティを有する上型と、下キャビ
ティを有しその中央部に半導体素子が固着されたリード
フレームのアイランドを支持する支持台が設けられた下
型とからなる樹脂封止型半導体装置用金型において、前
記支持台には前記アイランドを吸着し固定するための吸
引孔が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置用金型。 - 【請求項２】 上キャビティを有する上型と、下キャビ
ティを有しその中央部に半導体素子が固着されたリード
フレームのアイランドを支持する支持台が設けられた下
型とからなる樹脂封止型半導体装置用金型において、前
記支持台には前記アイランドの底面部を入れて固定する
為の溝が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23853791A JPH0582573A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 樹脂封止型半導体装置用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23853791A JPH0582573A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 樹脂封止型半導体装置用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582573A true JPH0582573A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17031727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23853791A Pending JPH0582573A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 樹脂封止型半導体装置用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582573A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0623956A3 (en) * | 1993-05-04 | 1995-03-22 | Motorola Inc | Semiconductor arrangement without chip carrier surfaces and manufacturing process. |
| JPH09116051A (ja) * | 1995-10-19 | 1997-05-02 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置およびその製造装置 |
| JP2003031765A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
| US7230320B2 (en) * | 2003-02-18 | 2007-06-12 | Hitachi, Ltd. | Electronic circuit device with reduced breaking and cracking |
| JP2018107170A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP23853791A patent/JPH0582573A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0623956A3 (en) * | 1993-05-04 | 1995-03-22 | Motorola Inc | Semiconductor arrangement without chip carrier surfaces and manufacturing process. |
| JPH09116051A (ja) * | 1995-10-19 | 1997-05-02 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置およびその製造装置 |
| JP2003031765A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
| US7230320B2 (en) * | 2003-02-18 | 2007-06-12 | Hitachi, Ltd. | Electronic circuit device with reduced breaking and cracking |
| JP2018107170A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
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