JP2003303687A - 有機発光表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】有機発光素子の電極に接続される配線の抵抗に
よる輝度のばらつきを低減すること。 【解決手段】ガラス基板１１６上に走査線１０６，信号
線１０９，第１電流供給線１１０，第２電流供給線１１
１を形成し、これら配線層の上に第１電極１１５を形成
し、第１電極１１５の上に有機層としての正孔輸送層１
２１，発光層１２２，電子輸送層１２３，電子注入層１
２４を形成し、電子注入層１２４の上に第２電極125を
陰極として形成し、第１電極１１５を陽極として、駆動
素子，第１電流供給線１１０を介して電源のプラス端子
に接続し、第２電極１２５を陰極として、電源のマイナ
ス端子に接続するとともに、各画素の表示領域において
コンタクトホール１１４を給電点として第２電流供給線
１１１に接続し、第２電極１２５による配線抵抗を小さ
くしてパネル内輝度のばらつきを低減する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光表示装置
に係り、特に、有機発光素子を用いて画像を表示するに
好適な有機発光表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】本格的なマルチメディア時代の到来に伴
い、マン・マシンインターフェイスとして用いられる平
面型の表示装置がクローズアップされている。

【０００３】平面型表示装置としては、従来、液晶ディ
スプレイが用いられている。しかしながら液晶表示装置
には、狭視野角，低速応答性と言った問題点が挙げられ
る。

【０００４】近年、有機発光表示装置が次世代平面型表
示装置として注目されている。すなわち、有機発光表示
装置は、自発光，広視野角，高速応答特性といった優れ
た特性を有している。

【０００５】この種の有機発光表示装置においては、有
機発光素子を用いて画素が構成されており、有機発光素
子は、ガラス基板上に、ＩＴＯ等の第１電極と、正孔輸
送層，発光層，電子輸送層等からなる有機層と、および
低仕事関数の第２電極が形成された構造となっている。

【０００６】上記の両電極間に数Ｖ程度の電圧を印加す
ると、第１電極に正孔が注入され、第２電極に電子が注
入され、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層または電子輸
送層を経由して発光層で結合し、エキシトンが生成され
る。このエキシトンが基底状態に戻る際に発光する。発
光光は透明性を有する第１電極を透過して基板側裏面か
ら取り出される。

【０００７】有機発光素子を画素に用いた表示装置に
は、単純マトリクス有機発光表示装置とアクティブマト
リクス有機発光表示装置がある。

【０００８】単純マトリクス有機発光表示装置は、複数
の陽極ラインと陰極ラインが交差した位置に正孔輸送
層，発光層，電子輸送層等の有機層が形成されており、
各画素は１フレーム期間中、選択時間のみ点灯する。選
択時間は、１フレーム期間を陽極ライン数で除した時間
幅となる。

【０００９】単純マトリクス有機発光表示装置は構造が
単純であるという利点を有する。

【００１０】しかし、画素数が多くなると選択時間が短
くなるので、駆動電圧を高くし、選択時間中瞬間輝度を
高くし１フレーム期間中の平均輝度を所定の値にする必
要がある。そのため、有機発光素子の寿命が短くなる問
題がある。また、有機発光素子は電流駆動であるため、
特に大画面では、配線抵抗による電圧降下が生じ、各画
素に均一に電圧が印加できず、その結果表示装置内で輝
度ばらつきが発生する。以上のことより、単純マトリク
ス有機発光表示装置では高精細，大画面化に限界があ
る。

【００１１】一方、アクティブマトリクス有機発光表示
装置では、各画素を構成する有機ＥＬ（発光）素子に、
２〜４個の薄膜トランジスタのスイッチング素子及び容
量から構成される駆動素子が接続されており、１フレー
ム期間中の全点灯が可能となる。そのため、輝度を高く
する必要がなく、有機発光素子の寿命を長くすることが
可能となる。よって、高精細，大画面化において、アク
ティブマトリクス有機発光表示装置が有利であると考え
られている。

【００１２】従来の有機発光表示装置では、発光光を基
板裏側から取出すようになっているので、基板と有機発
光素子との間に駆動部を設けたアクティブマトリクス有
機発光表示装置では、開口率が制限される。

【００１３】以上の問題点を解決するために、上部第２
電極を透明化し、発光光の取出しを上部電極側から行う
試みがある。

【００１４】例えば、ＵＳＰ第５,７０３,４３６号公報
には、上部電極を２層構成にし、第１層にＭｇ，Ａｇ等
の注入層，第２層にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の
透明電極を用い、上部電極から光を取出す有機ＥＬ素子
が開示されている。

【００１５】また、特開平６−１６３１５８号公報に
は、透明であるアルカリ土類金属酸化物で構成された電
子注入層と、透明陰極材料からなる有機ＥＬ素子が開示
されている。

【００１６】また、特開２００１−１４８２９１号公報
には、アクティブマトリクス有機発光表示装置におい
て、駆動素子の電極と画素となる有機発光素子の下部電
極を接続する位置の上部に隔壁を形成した画素構造が開
示されている。また、この構造は上部電極側から光を取
出す表示装置においても適用可能である事も開示されて
いる。

【００１７】

【特許文献１】特開平６−１６３１５８号公報（第２
頁，図１−６）

【特許文献２】特開２００１−１４８２９１号公報（第
３−４頁，図１）

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、上部電極側から光を取り出すに際して、第２電極に
透明導電膜を用いている。この場合、下地層となる有機
層にダメージを与えないためには低温成膜が必須であ
る。その結果、Ａｌなどの金属膜と比べて、抵抗率で３
００倍以上と高抵抗となる。また第２電極を金属膜にし
た場合でも、下地層となる有機層に対するダメージを低
くするためには、金属膜の膜厚を厚くすることはできな
い。そのため、パネルの大型化に伴い、電極の高抵抗が
問題となる。

【００１９】また、従来のアクティブマトリクス有機発
光表示装置では、有機発光素子の有機層を挟む第１電極
（陽極）と第２電極（陰極）を電源に接続するための電
流供給線が駆動層の金属膜を用いて形成されている。こ
の場合、電源のマイナス端子に接続された電流供給線と
有機発光素子の第２電極（陰極）との接続は、画素のな
い領域、例えば、パネルエッジ付近の層間絶縁膜に形成
したコンタクトホールを介して行われるようになってい
る。

【００２０】すなわち、各画素に属する有機発光素子の
第２電極と電流供給線とをコンタクトホールを介して接
続するようになっている。この場合、コンタクトホール
を給電点として、給電点と各有機発光素子の第２電極と
が電流供給線で接続されるため、コンタクトホールから
画素までの距離に応じて配線抵抗値が変化する。そのた
め、画素を構成する有機発光素子に印加される実効電圧
は配線抵抗値に応じて変化し、画素の位置によって輝度
値が変化する。

【００２１】本発明の課題は、有機発光素子の電極に接
続される配線の抵抗による輝度のばらつきを低減するこ
とができる有機発光表示装置および有機発光表示装置の
製造方法を提供することにある。

【００２２】また、本発明の課題は配線の抵抗による画
質劣化を低減することができる有機発行表示装置及び有
機発行表示装置の製造方法を提供することにある。

【００２３】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、画像の最小単位となる画素を複数個備え
ているとともに、前記各画素として複数の有機発光素子
を備え、前記複数の有機発光素子の有機層を挟む一対の
電極のうち少なくとも前記各画素に属する一つの有機発
光素子の一方の電極は各画素の表示領域において電流供
給線に接続されてなる有機発光表示装置を構成したもの
である。

【００２４】前記有機発光表示装置を構成するに際して
は、前記複数の有機発光素子の有機層を挟む一対の電極
のうち一方の電極を各画素の表示領域において電流供給
線に接続したり、複数の発光素子として発光色の相異な
るものを用いてカラー画像を形成することもできる。

【００２５】また、発光色の相異なる複数の有機発光素
子を用いてカラー画像を形成する場合には、前記複数の
有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうち前記各画
素の特定の発光色の有機発光素子の一方の電極を各画素
の表示領域において電流供給線に接続する構成を採用す
ることもできる。

【００２６】さらに、各画素を含む表示領域内に少なく
とも１本以上の電流供給線を備え、前記複数の有機発光
素子の有機層を挟む一対の電極のうち少なくとも前記各
画素に属する一つの有機発光素子の一方の電極を各画素
の表示領域において前記電流供給線に接続する構成を採
用することもできる。

【００２７】前記各有機発光表示装置を構成するに際し
ては、以下の要素を付加することができる。

【００２８】（１）基板上に前記有機層を駆動するため
の駆動素子を含む駆動層が積層されているとともに、前
記駆動素子に接続された信号線および走査線を含む配線
層が積層され、前記複数の有機発光素子の有機層は、前
記有機層を挟む一対の電極とともに各画素ごとに前記配
線層上に積層され、前記電流供給線は、前記配線層に配
置されて層間絶縁膜を介して前記一方の電極に接続され
てなる。

【００２９】（２）基板上に前記有機層を駆動するため
の駆動素子を含む駆動層が積層されているとともに、前
記駆動素子に接続された信号線および走査線を含む配線
層が積層され、前記複数の有機発光素子の有機層は、前
記有機層を挟む一対の電極とともに各画素ごとに前記配
線層上に積層され、前記電流供給線は、前記配線層と前
記有機層との間の層に配置されて層間絶縁膜を介して前
記一方の電極に接続されてなる。

【００３０】（３）前記複数の有機発光素子の有機層を
挟む一対の電極のうち一方の電極は、基板上の有機層下
部に形成された第１電極に対して、第２電極として基板
上の有機層上部に形成され、前記第２電極上部に前記電
流供給線が接続されてなる。

【００３１】（４）基板上に前記有機層を駆動する駆動
素子を含む駆動層が積層されているとともに、前記駆動
素子に接続された信号線および走査線を含む配線層が積
層され、前記複数の有機発光素子の有機層は、前記有機
層を挟む一対の電極とともに各画素ごとに前記配線層上
に積層され、前記複数の有機発光素子の有機層を挟む一
対の電極のうち一方の電極は、基板上の有機層下部に形
成された第１電極に対して、第２電極として基板上の有
機層上部に形成され、前記第２電極上部に前記電流供給
線が形成されてなる。

【００３２】（５）前記電流供給線は、各画素に沿って
網目状に形成されてなる。

【００３３】（６）前記電流供給線は、前記各画素の各
有機発光素子に対応して複数本に分割され、分割された
複数本の電流供給線はそれぞれ専用電流供給線として前
記各画素の各有機発光素子に接続されてなる。

【００３４】（７）前記電流供給線は、前記各画素間に
沿って形成されてなる。

【００３５】（８）前記電流供給線は、前記各画素に重
畳して形成されてなる。

【００３６】（９）前記特定の発光色の有機発光素子は
他の発光色の有機発光素子よりも高効率あるいは高寿命
のもので構成されてなる。

【００３７】（１０）前記複数の有機発光素子の有機層
を挟む一対の電極のうち一方の電極は、基板上の有機層
下部に形成された第１電極に対して、第２電極として基
板上の有機層上部に形成され、前記第１電極は陽極とし
て電源のプラス端子に接続され、前記第２電極は陰極と
して前記電源のマイナス端子に接続されてなる。

【００３８】（１１）前記第２電極は、光を透過し透明
性を有する材料で構成されてなる。

【００３９】また、本発明は、前記いずれかの有機発光
表示装置を製造するに際して、基板上に複数の有機発光
素子を含む有機層を形成する工程と、前記複数の有機発
光素子を駆動するための駆動素子を含む駆動層を形成す
る工程と、前記駆動素子に接続される信号線および走査
線を含む配線層を形成する工程と、前記有機層上部側ま
たは前記有機層下部側に電流供給線を形成する工程と、
前記電流供給線の周囲に形成された層間絶縁膜にコンタ
クトホールを形成する工程と、複数の有機発光素子の有
機層を挟む一対の電極のうち一方の電極と前記電流供給
線とを前記コンタクトホールを介して接続する工程とを
含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法を採
用したものである。

【００４０】前記した手段によれば、少なくとも各画素
に属する一つの有機発光素子の一方の電極を各画素の表
示領域において電流供給線に接続するようにしたため、
有機発光素子の一方の電極と電源とを結ぶ電流供給線の
配線抵抗は各画素で一様になり、しかも各画素における
配線抵抗値は無視できる程小さくなるので、有機発光素
子の電極と電源とを結ぶ配線抵抗による輝度のばらつき
を低減することができ、表示領域内の輝度のばらつきを
抑制することができる。

【００４１】ここで画素とは、表示装置の画面の縦横に
多数配置されて、表示領域において文字やグラフィック
を表示する最小単位のものをいう。また、サブ画素と
は、カラー表示を行う表示装置において、画素をさらに
分割する最小単位のものをいう。カラー画像では、緑，
赤，青の３色のサブ画素で構成される構造が一般的であ
る。また、表示領域とは、表示装置において、画像が表
示される領域をいう。

【００４２】ここで有機発光素子とは、基板上に第１電
極，第１注入層，第１輸送層，発光層，第２輸送層，第
２注入層，第２電極、及び保護層或いは封止（対向）基
板が形成された構造をとるものをいう。

【００４３】上記有機発光素子としては、大きく分けて
以下の２通りの構造をとる。

【００４４】まず、第１電極が陽極、第２電極が陰極の
構成である。この場合、第１注入層，第１輸送層は、そ
れぞれ、正孔注入層，正孔輸送層となる。また、第２輸
送層，第２注入層は、それぞれ、電子輸送層，電子注入
層となる。

【００４５】次の構成は、第１電極が陰極、第２電極が
陽極の構成である。この場合、第１注入層，第１輸送層
は、それぞれ、電子注入層，電子輸送層となる。また、
第２輸送層，第２注入層は、それぞれ、正孔輸送層，正
孔注入層となる。

【００４６】上記構成において、第１注入層、或いは第
２注入層を有さない構造も考えられる。また、第１輸送
層、或いは第２輸送層が発光層に兼ねられる構造を有す
る。

【００４７】ここで言う陽極とは、正孔の注入効率を高
める仕事関数の大きな導電膜が望ましい。具体的には、
金，白金、が挙げられるが、これらの材料に限定される
わけではない。

【００４８】また、陽極として、酸化インジウムスズ
（ＩＴＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化イン
ジウムゲルマニウム等の２元系、或いは酸化インジウム
スズ亜鉛等の３元系であってもよい。又、酸化インジウ
ム以外にも酸化スズ，酸化亜鉛等を主成分とした組成で
あってもよい。又、ＩＴＯであれば、酸化インジウムに
対して５−１０ｗｔ％の酸化スズを含む組成が良く用い
られる。酸化物半導体の製造法は、スパッタ法，ＥＢ蒸
着法，イオンプレーティング法等が挙げられる。

【００４９】Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂ 系透明導電膜，Ｉｎ₂
Ｏ₃−ＺｎＯ系透明導電膜の仕事関数は、それぞれ、４.
６ ｅＶ，４.６ ｅＶであるが、ＵＶオゾン照射，酸素
プラズマ処理、等により、５.２ｅＶ 程度まで増大させ
ることが可能である。

【００５０】Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂ 系透明導電膜では、ス
パッタ法において、基板温度を200℃程度まで高めた条
件で作製すると多結晶状態になる。多結晶状態では、結
晶粒により、表面平坦性が悪いため、表面を研磨したも
のが望ましい。又、他の方法として、アモルファス状態
で形成したものを加熱して多結晶状態にしたものが望ま
しい。

【００５１】また、陽極は、前記正孔注入層を設けるこ
とにより、仕事関数を大きい材料を用いる必要がなくな
り、通常の導電膜でよくなる。

【００５２】具体的には、アルミニウム，インジウム，
モリブテン，ニッケル、等の金属や、これら金属を用い
た合金や、ポリシリコン，アモルファスシリコン，錫酸
化物，酸化インジウム，インジウム・錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）等の無機材料が望ましい。

【００５３】また、形成プロセスが簡便な塗布法を用い
たポリアニリン，ポリチオフェン等の有機材料，導電性
インクが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限ら
れるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用
しても差し支えない。

【００５４】ここで言う正孔注入層とは、陽極と正孔輸
送層の注入障壁を下げるため、適当なイオン化ポテンシ
ャルを有する材料が望ましい。また、下地層の表面凹凸
を埋める役割を果たすことが望ましい。具体的には、銅
フタロシアニン，スターバーストアミン化合物，ポリア
ニリン，ポリチオフェン，酸化バナジウム，酸化モリブ
テン，酸化ルテニウム，酸化アルミニウム、等が挙げら
れるが、これらに限定される訳ではない。

【００５５】ここで言う正孔輸送層とは、正孔を輸送
し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、正孔移
動度が高いことが望ましい。また、化学的に安定である
ことが望ましい。また、イオン化ポテンシャルが小さい
ことが望ましい。また、電子親和力が小さいことが望ま
しい。また、ガラス転移温度が高いことが望ましい。具
体的には、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−［１，１′−ビフェニル］−
４，４′ジアミン（ＴＰＤ）、４，４′−ビス［Ｎ−
(１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル(α
−ＮＰＤ）、４，４′，４″−トリ（Ｎ−カルバゾリ
ル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−ト
リス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニル
アミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）が望まし
い。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではな
く、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支え
ない。

【００５６】ここで言う発光層とは、注入された正孔，
電子が再結合し、材料固有の波長で発光する層をさす。
発光層を形成するホスト材料自体が発光する場合とホス
トに微量添加したドーパント材料が発光する場合があ
る。具体的なホスト材料としては、ジスチリルアリーレ
ン誘導体（ＤＰＶＢｉ），骨格にベンゼン環を有するシ
ロール誘導体（２ＰＳＰ），トリフェニルアミン構造を
両端に有するオキソジアゾール誘導体(ＥＭ２），フェ
ナンスレン基を有するペリノン誘導体(Ｐ１），トリフ
ェニルアミン構造を両端に有するオリゴチオフェン誘導
体（ＢＭＡ−３Ｔ），ペリレン誘導体（ｔＢｕ−ＰＴ
Ｃ），トリス（８−キノリノール）アルミニウム，ポリ
パラフェニレンビニレン誘導体，ポリチオフェン誘導
体，ポリパラフェニレン誘導体，ポリシラン誘導体，ポ
リアセチレン誘導体が望ましい。また、もちろんこれら
の材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を
２種以上併用しても差し支えない。

【００５７】次に、具体的なドーパント材料としては、
キナクリドン，クマリン６，ナイルレッド，ルブレン、
４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−
ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ），
ジカルバゾール誘導体が望ましい。また、もちろんこれ
らの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料
を２種以上併用しても差し支えない。

【００５８】ここで言う電子輸送層とは、電子を輸送
し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、電子移
動度が高いことが望ましい。具体的には、トリス（８−
キノリノール）アルミニウム，オキサジアゾール誘導
体，シロール誘導体，亜鉛ベンゾチアゾール錯体が望ま
しい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけでは
なく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支
えない。

【００５９】前述した正孔注入層，正孔輸送層，発光
層、及び電子輸送層の形成方法として、真空蒸着法，電
子ビーム（ＥＢ）蒸着法，スバッタ法，スピンコート
法，キヤスト法，インクジェット法が挙げられる。

【００６０】蒸着法における各層のパターニングは以下
の通りに行うことが望ましい。すなわち、基板にパター
ン形状に対応した開口部を有するマスクを密着或いは近
づけた配置を取り、蒸発源から材料を蒸着し、パターン
形状を形成する。

【００６１】スピンコート法，キャスト法におけるパタ
ーニングは以下の通りに行う事が望ましい。すなわち、
基板全面に形成された薄膜の内、パターンとして残す部
分以外をレーザアブレーション等で剥離させてしまう。
インクジェット法における各層のパターニングは以下の
通りに行うことが望ましい。すなわち、可溶性の有機材
料を溶媒に溶かし、同溶液を移動ノズルから吐出するこ
とにより、基板上に、パターン形状を形成する。

【００６２】ここで言う電子注入層とは、陰極から電子
輸送層への電子注入効率を向上させるために用いる。具
体的には、弗化リチウム，弗化マグネシウム，弗化カル
シウム，弗化ストロンチウム，弗化バリウム，酸化マグ
ネシウム，酸化アルミニウムが望ましい。また、もちろ
んこれらの材料に限られるわけではなく、また、これら
の材料を２種以上併用しても差し支えない。

【００６３】ここで言う陰極は、電子の注入効率を高め
る仕事関数の小さな導電膜が望ましい。具体的には、マ
グネシウム・銀合金，アルミニウム・リチウム合金，ア
ルミニウム・カルシウム合金，アルミニウム・マグネシ
ウム合金，金属カルシウムが挙げられるが、これらの材
料に限定されるわけではない。

【００６４】また、前述の電子注入層を設ければ、陰極
の条件として、低仕事関数の材料を用いる必要がなくな
り、一般的な金属材料を用いることが可能となる。具体
的には、アルミニウム，インジウム，モリブテン，ニッ
ケル、等の金属や、これら金属を用いた合金や、ポリシ
リコン，アモルファスシリコンが望ましい。

【００６５】また、本発明において、陰極を第２電極
（透明電極）として用いる場合、陰極下部に電子注入層
を設けることが望ましい。電子注入層を設けることによ
り、仕事関数の透明導電膜を陰極に用いることが可能と
なる。具体的には、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂ 系透明導電膜，
Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＯ系透明導電膜が挙げられる。特に、Ｉ
ｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂ 系透明導電膜は液晶表示装置の画素電
極に用いられている。

【００６６】ここで言う保護層とは、第２電極上に形成
され、大気内Ｈ₂Ｏ ，Ｏ₂ が第２電極、或いはその下の
有機層に入りこむことを防ぐことを目的とする。

【００６７】具体的に、ＳｉＯ₂ ，ＳｉＮｘ，Ａｌ₂Ｏ₃
等の無機材料やポリクロロピレン，ポリエチレンテレフ
タレート，ポリオキシメチレン，ポリビニルクロライ
ド，ポリフッ化ビニリデン，シアノエチルプルラン，ポ
リメチルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボ
ネート，ポリイミド等の有機材料が挙げられるが、これ
らの材料に限定されるわけではない。

【００６８】

【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、本発明に係
る有機発光表示装置の実施形態１を図面に基づいて説明
する。図１は有機発光表示装置の画素の平面図、図２
（ａ）は図１のＡ−Ａ′線に沿う断面図、（ｂ）は図１
のＢ−Ｂ′線に沿う断面図である。図１および図２にお
いて、ガラス基板１１６上には、複数の走査線１０６，
１０６′が一定の間隔で配置されているとともに、各走
査線に対して直交する方向に、画像情報を伝送するため
の信号線１０９，１０９′，１０９″などが一定の間隔
で配置されている。すなわち、各走査線と各信号線は格
子状に配置され、各走査線と各信号線で囲まれた領域が
１画素分の表示領域になっている。さらにガラス基板１
１６上には、電源のプラス端子に接続された複数の第１
電流供給線１１０が信号線１０９と平行になって配置さ
れているとともに、電源のマイナス端子に接続された複
数の第２電流供給線１１１が信号線１０９、第１電流供
給線１１０と平行になって配置されている。各走査線１
０６，信号線１０９，第１電流供給線１１０，第２電流
供給線１１１は配線層に属する配線として層間絶縁膜を
介してガラス基板116上に形成されている。

【００６９】配線層の上部側にはカラー画像の最小単位
となる画素を構成する複数の有機発光素子が配置されて
いる。各有機発光素子はサブピクセル（サブ画素）とし
て、正孔輸送層１２１，発光層１２２，電子輸送層１２
３，電子注入層１２４を含む有機層と、有機層を挟む第
１電極（陽極）１１５，第２電極（陰極）１２５を備え
て構成されている。各画素に属する有機発光素子の第１
電極１１５は駆動素子としてのトランジスタを介して第
１電流供給線１１０に接続され、各画素に属する有機発
光素子の第２電極１２５は、各画素の表示領域におい
て、第２層間絶縁膜１１９，第３層間絶縁膜１２０に形
成されたコンタクトホール１１４を介して第２電流供給
線１１１に接続されている。すなわち、各画素に属する
有機発光素子の第２電極１２５はコンタクトホール１１
４を給電点として第２電流供給線１１１に接続されてい
る。

【００７０】また、ガラス基板１１６上には、各画素の
有機層を駆動するための駆動層が形成されている。この
駆動層は駆動素子としての第１トランジスタ１０１，第
２トランジスタ１０２，容量１０４を備えて構成されて
いる。第１トランジスタ101のゲートは走査線１０６に
接続され、ソースは信号線１０９に接続され、ドレイン
は第２トランジスタのゲートと容量１０４の上部電極１
０８に接続されている。第２トランジスタ１０２のドレ
インは容量１０４の下部電極１０５と第１電流供給線１
１０に接続され、ソースは第１電極１１５に接続されて
いる。なお、図１および図２では１画素分の構成のみを
示している。

【００７１】次に、上記構成による有機発光表示装置の
製造方法について説明する。まず、ガラス基板１１６上
に減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて、膜厚
５０ｎｍのアモルファスシリコン(ａ−Ｓｉ)膜を形成す
る。原料はＳｉ₂Ｈ₆であり、基板温度は４５０℃に設定
されている。次に、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて、
膜全面をレーザアニール処理する。このレーザアニール
処理は２段階に分けて行い、１回目，２回目の照射エネ
ルギーは、それぞれ１８８ｍＪ／cm² ，２９０ｍＪ／cm
² であった。これにより、アモルファスシリコンが結晶
化され、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）となった。次に、
多結晶シリコンを、ＣＦ₄ を用いたドライエッチングで
パターン化し、第１トランジスタ１０１の活性層１０
３，第２トランジスタ１０２の活性層１０３′、および
容量下部電極１０５を形成する。

【００７２】次に、ゲート絶縁膜１１７として、膜厚１
００ｎｍのＳｉＯ₂ 膜を形成する。ＳｉＯ₂ 膜はテトラ
エキシラン（ＴＥＯＳ）を原料として、プラズマ増強化
学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）で形成した。

【００７３】次に、ゲート電極１０７，１０７′とし
て、膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により
作製してパターンニングした。このとき併せて、走査線
１０６および容量上部電極１０８もパターンニングし
た。

【００７４】次に、イオン注入法により、ゲート絶縁膜
１１７の上部から、パターン化された多結晶シリコン層
に４×１０¹⁵イオン／cm² ，エネルギー８０ｋｅＶのＰ
イオンを注入する。このとき、上部にゲート電極１０
７，１０７′がある領域にはＰイオンは注入されず、活
性層１０３，１０３′となる。

【００７５】次に、基板１１６を不活性Ｎ₂雰囲気下
で、３００℃，３時間加熱し、イオンを活性化してドー
ピングが有効に行われるようにする。多結晶シリコン
（Ｐ−Ｓｉ）のイオン注入された領域は２ｋΩ／□の面
抵抗値となる。その上に、第１層間絶縁膜１１８とし
て、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜を成膜する。この膜厚
は２００ｎｍである。

【００７６】次に、活性層１０３，１０３′の両端上部
のゲート絶縁膜１１７および第１層間絶縁膜１１８に、
コンタクトホール（図示省略）を形成する。さらに、第
２トランジスタ１０２のゲート電極１０７′上部の第１
層間絶縁膜１１８にコンタクトホール（図示省略）を形
成する。

【００７７】その上に、スパッタリング法にて、膜厚５
００ｎｍのＡｌ膜を形成する。ホトリソグラフィ工程に
より、信号線１０９，第１電流供給線１１０および第２
電流供給線１１１を形成する。また、第１トランジスタ
１０１のソース電極１１２およびドレイン電極１１３，
第２トランジスタ１０２のソース電極１１２′およびド
レイン電極１１３′を形成する。

【００７８】次に、容量下部電極１０５と第１トランジ
スタ１０１のドレイン電極１１３を接続し、第１トラン
ジスタ１０１のソース電極１１２と信号線１０９を接続
する。また第１トランジスタ１０１のドレイン電極１１
３を第２トランジスタ１０２のゲート電極１０７′に接
続し、第２トランジスタ１０２のドレイン電極113′を
第１電流供給線１１０に接続する。また容量１０４の上
部電極１０８を第１電流供給線１１０に接続する。

【００７９】次に、第２層間絶縁膜１１９を通してＳｉ
Ｎｘ膜を成膜する。この膜厚は500ｎｍである。第２ト
ランジスタ１０２のドレイン電極１１３′上部にコンタ
クトホール（図示省略）を形成し、その上にスパッタリ
ング法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成し、
ホトリソグラフィ法を用いて第１電極１１５を形成す
る。

【００８０】次に、第３層間絶縁膜１２０として、ＪＳ
Ｒ社製ポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）を形成する。
この場合、スピンコート法で１０００rpm／３０ 秒の塗
布条件で成膜し、ホットプレート上に基板１１６を置
き、９０℃／２分の条件でプレベークした。

【００８１】次に、ホトマスクを用いてｇｈｉ線混合で
露光し、ストライプ状にコンタクトホール１１４を形成
する。次いで、ＪＳＲ社製現像液ＰＤ−５２３を用い
て、室温／４０秒の条件で現像し、現像後、室温／６０
秒の条件で純水の流水でリンスする。このリンス後、波
長３６５ｎｍにおいて、３００ｍＪ／cm² となる強度で
ポスト露光し、クリーンオープンで２２０℃／１時間の
条件でポストベークを行った。

【００８２】ＰＣ４５２で形成された第３層間絶縁膜１
２０の膜厚２μｍで、第１電極115のエッジを６μｍで
覆った。

【００８３】次に、画素となる有機発光素子の構造を図
２（ｂ）にしたがって説明する。第１電極１１５まで形
成したガラス基板１１６を、アセトン，純水の順にそれ
ぞれ超音波洗浄を３分間行い、超音波洗浄後、スピン乾
燥させたあと、１２０℃のオーブンで３０分間乾燥させ
る。

【００８４】次に、Ｏ₂ プラズマクリーニングを行う。
プラズマクリーニング室の真空度は３Ｐａ、Ｏ₂ の流入
量は２２ｍｌ／分、ＲＦパワーは２００Ｗ、クリーニン
グ時間は３分である。Ｏ₂ プラズマクリーニング後、基
板１１６を大気に曝すことなく、真空蒸着チャンバにセ
ットする。

【００８５】次に、第１電極１１５上に、真空蒸着法に
より膜厚５０ｎｍの４，４−ビス〔Ｎ−(１−ナフチル)
−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル膜（以下、α−ＮＰ
Ｄ膜と称する。）を形成する。

【００８６】Ｍｏ製昇華ボードに原料を約６０mg入れ、
蒸着速度を０.１５±０.０５ｎｍ／sec に制御して蒸着
する。このときのパターンはシャドウマスクを用いて形
成した。また蒸着領域は第１電極１１５の各辺の１.２
倍とした。このα−ＮＰＤ膜は正孔輸送層１２１として
機能する。

【００８７】その上に、２元同時真空蒸着法にて、膜厚
２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウムと
キナクリドンの共蒸着膜（以下、それぞれＡｌｑ，Ｑｃ
と称する。）を形成する。

【００８８】２個のＭｏ製昇華ボードにＡｌｑ，Ｑｃの
原料を、それぞれ約４０mg，約１０mgずつ入れ、蒸着速
度を、それぞれ０.４０±０.０５ｎｍ／sec，０.０１±
０.００５ｎｍ／secに制御して蒸着した。Ａｌｑ＋Ｑｃ
共蒸着膜は発光層１２２として機能する。その上に真空
蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌｑ膜を形成する。この
とき、Ｍｏ製昇華ボードに原料を約４０mg入れ、蒸着速
度を０.１５±０.０５ｎｍ／secに制御して蒸着した。
Ａｌｑ膜は電子輸送層１２３として機能する。

【００８９】電子輸送層１２３の上に、電子注入層１２
４としてＭｇとＡｇの混合膜を形成する。この場合、２
元同時真空蒸着法を用いて蒸着速度を、それぞれ０.１
４±０.０５ｎｍ／ｓ ，０.０１±０.００５ｎｍ／ｓに
設定し、膜厚１０ｎｍの膜を蒸着した。

【００９０】次に、スパッタリング法により、膜厚５０
ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、ＩＺＯ膜と称する。）
を形成する。この膜は第２電極１２５として機能し、非
晶酸化物膜である。このときのターゲットには、Ｉｎ／
(Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０.８３であるターゲットを用いた。成
膜条件は、Ａｒ：Ｏ₂ 混合ガスを雰囲気として、真空度
０.２Ｐａ ，スパッタリング出力を２Ｗ／cm² とした。
Ｍｇ：Ａｇ／Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ積層膜からなる第２電極１
２５は、陰極として機能し、その透過率は６５％であっ
た。この場合、第２電極１２５は、図２（ａ）に示すよ
うに、第２層間絶縁膜１１９および第３層間絶縁膜１２
０に形成されたコンタクトホール１１４を給電点として
第２電流供給線１１１に接続される。すなわち、各画素
の有機発光素子の第２電極１２５はコンタクトホール１
１４を給電点として各画素の領域において第２電流供給
線１１１に接続される。

【００９１】次に、熱ＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍの
ＳｉＮｘ膜を第２電極１２５上に形成する。この膜は保
護層１２６として機能する。

【００９２】本実施形態における有機発光表示装置で
は、保護層１２６側から発光光を取り出すようにしてい
るため、第２電極１２５にＩＺＯ膜を用いている。この
ＩＺＯ膜は、シート抵抗が８０Ω／□となる。

【００９３】第２電極１２５にＩＺＯ膜を用い、この第
２電極１２５と第２電流供給線111とを接続するに際し
て、図３（ａ）に示すように、各画素の第２電極１２５
に対する給電点をパネルの表示領域の端部に設け、この
給電点と各画素の第２電極１２５とを第２電流供給線１
１１を介して接続すると、パネルの表示領域の端部に配
置されたものとパネルの表示領域の中央部に配置された
画素においてはIZO膜による配線抵抗値に差が生じ、各
画素に印加される電圧にばらつきが生じ、パネル内の輝
度にばらつきが生じることになる。

【００９４】これに対して、本実施形態における有機発
光表示装置では、図２(ａ），(ｂ）および図３（ｂ）に
示すように、各画素の有機発光素子の第２電極１２５と
第２電流供給線１１１とをコンタクトホール１１４を給
電点として各画素の表示領域において接続するようにし
ているため、各画素におけるＩＺＯ膜による配線抵抗値
が一様になり、各画素に印加される電圧にばらつきが生
じるのを防止することができ、パネル内の輝度のばらつ
きが発生するのを防止することができる。

【００９５】また、本実施形態における第２電流供給線
１１１は、トータルの配線抵抗が０.２Ω 程度となって
いるため、各画素における配線抵抗値は無視できる程小
さく、パネル内に輝度のばらつきが発生するのを抑制す
ることができる。

【００９６】（実施形態２）次に、本発明の実施形態２
として、高効率であって長寿命を有する緑色発光画素領
域下部に第２電流供給線および給電点を有するフルカラ
ー有機発光表示装置を図４および図５にしたがって説明
する。図４は本実施形態における有機発光表示装置の画
素の平面図、図５は図４に示した画素領域Ａ−Ａ′２線
に沿う断面図である。

【００９７】本実施形態は、カラー画像を表示するに際
して、カラー画像の最小単位となる画素を複数個備えて
いるとともに、各画素を構成するサブピクセルとして、
緑色用，赤色用，青色用の有機発光素子を備え、各画素
の有機発光素子の第２電極１２５を、緑色用の有機発光
素子の表示領域において第２電流供給線１１１と接続し
たものであり、他の構成は実施形態１とほぼ同様であ
る。

【００９８】具体的には、ガラス基板１１６上に、緑画
素用第１トランジスタ２０４，緑用容量２０５，緑用第
２トランジスタ２０６，赤画素用第１トランジスタ２０
７，赤用容量２０８,赤用第２トランジスタ２０９,青画
素用第１トランジスタ２１０，青用容量２１１，青用第
２トランジスタ２１２，信号線１０９，１０９′，１０
９″，走査線１０６，１０６′，第１電流供給線１１
０,１１０′,１１０″，第２電流供給線１１１，第１層
間絶縁膜１１８，第２層間絶縁膜１１９およびコンタク
トホール１１４が形成されており、これらの形成方法は
実施形態１と同様である。

【００９９】緑画素，赤画素および青画素を構成する有
機発光素子は以下の方法で形成されるようになってい
る。

【０１００】具体的には、第２層間絶縁膜１１９上に緑
画素用第１電極２０１，赤画素用第１電極２０２および
青画素用第１電極２０３を形成する。この形成方法は実
施形態１において第１電極１１５を形成するときと同様
である。各第１電極２０１，２０２，２０３は第２層間
絶縁膜１１９に形成されたコンタクトホール（図示省
略）を介して、第２トランジスタ２０６，２０９，２１
２のソース電極に接続され、緑画素用第１電極２０１は
コンタクトホール１１４による給電点で覆わない形状に
なっている。

【０１０１】次に、実施形態１と同様に、第３層間絶縁
膜１２０を形成し、この第３層間絶縁膜１２０も、コン
タクトホール１１４による給電点で覆わない形状とされ
ている。

【０１０２】次に、第１電極２０１，２０２，２０３上
に各画素共通の正孔輸送層１２１としてα−ＮＰＤ層を
形成する。作製条件は実施形態１と同様であり、膜厚を
５０ｎｍ、蒸着速度を０.１５±０.０５ｎｍ／sec に制
御した。また、給電点を正孔輸送層１２１が覆わないよ
う、マスク蒸着を行った。

【０１０３】次に、各画素の発光層２１３，２１４，２
１５を形成した。緑画素の発光層２１３としてＡｌｑと
Ｑｃの共蒸着層を形成した。作製条件は実施形態１と同
様である。

【０１０４】次に、赤画素の発光層２１４を形成した。
二元同時真空蒸着法にて、膜厚４０ｎｍのＡｌｑとナイ
ルレッドの共蒸着膜（以下、Ｎｒと略記）を形成した。

【０１０５】２個のＭｏ製昇華ボートにＡｌｑ，Ｎｒの
原料を、それぞれ約１０mg，約５mg入れ、蒸着速度をそ
れぞれ０.４０±０.０５ｎｍ／sec ，０.０１±０.００
５ｎｍ／sec に制御して蒸着した。

【０１０６】次に、青画素の発光層２１５を形成した。
真空蒸着法にて、膜厚４０ｎｍのジスチリアリーレン誘
導体膜（以下、ＤＰＶＢｉと略記）を形成した。Ｍｏ製
昇華ボートにＤＰＶＢｉの原料を、それぞれ約４０mg入
れ、蒸着速度をそれぞれ0.40±０.０５ｎｍ／sec に制
御して蒸着した。

【０１０７】次に、各画素の共通の電子輸送層１２３を
形成した。真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌｑ膜を
形成した。このときＭｏ製昇華ボートに原料を約４０mg
入れ、蒸着速度を０.１５±０.０５ｎｍ／sec に制御し
て蒸着した。

【０１０８】次に、電子輸送層１２３の上に、電子注入
層１２４としてＭｇとＡｇの合金膜を形成した。形成条
件は実施形態１と同様である。その上に、第２電極１２
５としてＩＺＯ膜を形成した。形成条件は実施形態１と
同様である。

【０１０９】第２電極１２５は第２層間絶縁膜１１９及
び第３層間絶縁膜１２０に形成されたコンタクトホール
１１４を給電点として第２電流供給線１１１に接続され
る。

【０１１０】次に、熱ＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍの
ＳｉＮｘ膜を形成した。同膜は保護層１２６として機能
する。

【０１１１】本実施形態では、第１実施形態と同様に、
各画素の表示領域において、第２電極１２５と第２電流
供給線１１１とを接続するためのコンタクトホール１１
４を有するため、第２電極１２５による配線抵抗のばら
つきが抑制され、パネル内輝度のばらつきを低減するこ
とができる。

【０１１２】また、本実施形態では、第２電流供給線１
１１を緑画素領域に形成し、赤画素および青画素領域に
は形成していないため、緑画素領域では開口率の低下が
起こるが、赤画素，青画素の領域ではコンタクトホール
１１４の形成による開口率の低下は生じない。この場
合、緑画素領域における開口率の低下を１０％とする
と、輝度値を１０％増加させることで開口率の低下に対
応させることができる。すなわち、電流密度と輝度値は
比例関係にあるため、電流密度を１０％増加させること
で、開口率の低下に対応することができる。ただし、電
流密度を１０％増加させても開口率が１０％低下するこ
とから、緑画素に流れる電流値は変化しない。

【０１１３】一方、電圧と非線系の関係にある輝度値を
１０％増加させた場合、電圧は１〜２％増大する。よっ
て、輝度値を１０％増加させた場合には電力は１〜２％
の増大となる。なお、緑画素に用いる有機発光素子は効
率が他の赤，青の素子の材料に比べて数倍大きいため、
フルカラーパネルでは、電力上昇は問題とならない。

【０１１４】よって、本実施形態における構造を採用す
ることで、フルカラーパネルの効率を低下させずに、パ
ネル内輝度のばらつきを抑えることができる。

【０１１５】（実施形態３）次に、本発明の実施形態３
として、高効率で、長寿命を有する緑色発光画素領域下
部に第２電流供給線および給電点を有し、基板裏面から
光を取り出すフルカラー有機発光表示装置を図６および
図７にしたがって説明する。図６は本実施形態における
有機発光表示装置の画素の平面図、図７は図６に示すＡ
−Ａ′に沿う断面図である。

【０１１６】本実施形態は、各画素の第２電極１２５の
上部側に、大気中の水，酸素等のガスが第２電極１２
５，第２電極下部の有機層、或いは第２電極と有機層と
の界面に浸入するのを防止する目的の封止基板３０９を
形成したものであり、他の構成は実施形態２とほぼ同様
である。

【０１１７】具体的には、ガラス基板１１６上に、緑画
素用第１トランジスタ２０４，緑用容量２０５，緑用第
２トランジスタ２０６，赤画素用第１トランジスタ２０
７，赤用容量２０８,赤用第２トランジスタ２０９,青画
素用第１トランジスタ２１０，青用容量２１１，青用第
２トランジスタ２１２，信号線１０９，１０９′，１０
９″，走査線１０６，１０６′，第１電流供給線１１
０,１１０′,１１０″，第２電流供給線１１１，第１層
間絶縁膜１１８、及び第２層間絶縁膜１１９を形成する
方法は実施形態２と同様である。

【０１１８】次に、第２層間絶縁膜上に、緑画素，赤画
素，青画素の第１電極３０１，302,３０３を形成する。
形成条件は、実施形態２と同様である。実施形態２との
相違点は、緑画素用第１電極３０１が容量２０５と第１
電流供給線１１０並びに第２電流供給線１１１と重畳さ
れないサイズに小さくしたことである。

【０１１９】次に、実施形態２同様、第２層間絶縁膜１
１９、及び第３層間絶縁膜１２０にコンタクトホール１
１４を形成し、このコンタクトホール１１４を給電点と
する。

【０１２０】その上に、緑，赤，青画素共通の正孔輸送
層１２１を形成する。形成方法は、実施形態２と同様で
ある。

【０１２１】次に、各画素の発光層３０４，３０５，３
０６を形成する。形成方法は、実施形態２と同様であ
る。

【０１２２】各画素の発光層３０４，３０５，３０６の
上に、緑，赤，青画素共通の電子輸送層１２３を形成す
る。形成方法は、実施形態２と同様である。

【０１２３】次に、電子輸送層１２３の上に、電子注入
層１２４としてＬｉＦ膜を形成する。真空蒸着法を用い
て蒸着速度を０.０５±０.０１ｎｍ／ｓに設定し、膜厚
0.5ｎｍを蒸着した。

【０１２４】次に、電子注入層１２４の上に、第２電極
１２５としてＡｌ膜を形成する。真空蒸着法を用いて、
蒸着速度を１±０.０５ｎｍ／ｓ に設定し、膜厚１５０
ｎｍを蒸着した。

【０１２５】第２電極１２５は第２層間絶縁膜１１９及
び第３層間絶縁膜１２０に形成されたコンタクトホール
１１４を給電点として第２電流供給線１１１に接続され
る。

【０１２６】次に、駆動部並びに有機発光素子を形成し
た基板（有機ＥＬ基板）１１６を大気に曝すことなく、
乾燥窒素ガスを循環させて、露点を−９０℃以下に保っ
た封止室に移動させる。

【０１２７】次に、封止室にガラス基板を導入した。こ
のガラス基板は封止基板(対向基板)３０９となる。ガラ
ス基板による封止基板３０９のエッジ部分に、シールデ
ィスペンサ装置を用いて光硬化樹脂を描画した。

【０１２８】光硬化樹脂のシール幅は２００μｍとし
た。光硬化樹脂の中には、直径１０μｍのガラスビーズ
を１重量％混入させた。この封止基板３０９と有機ＥＬ
基板３１０を封止室内で貼り合せ、０.５kg重／cm²の荷
重で圧着させた。封止基板３０９外側に、表示領域全体
にＵＶ光が当たらないよう遮光板を置き、封止基板３０
９側からＵＶ光を照射させて光硬化樹脂を硬化させた。

【０１２９】ＵＶ光には、アルカリメタハライドランプ
を用い、照射強度は４０００ｍＪ／cm²、照射時間は４
分である。

【０１３０】有機ＥＬ基板３１０と封止基板３０９のギ
ャップ長は、光硬化樹脂に含有されたガラスビーズの直
径で規定されており１０μｍである。

【０１３１】本実施形態では、実施形態１同様、画素内
部に第２電極１２５と第２電流供給線１１とを接続する
給電点を有するため、第２電極１２５の抵抗による配線
抵抗ばらつきが抑制され、パネル内輝度ばらつきが低減
された。

【０１３２】また、本実施形態では、実施形態２同様
に、第２電流供給線１１１を緑画素領域下部のみに形成
したので、緑画素の開口率が５０％程度になった場合で
も、画素あたりの電流値は変らない。一方、電圧上昇は
７％程度増加する。よって、本実施形態においては、電
力は７％程度増加するが、実施形態２同様、フルカラー
パネルの性能を低下させることはない。

【０１３３】（実施形態４）次に、本発明の実施形態４
として、第２電極上部側に第２電流供給線を有するフル
カラー有機発光表示装置を図８および図９にしたがって
説明する。図８は本実施形態における有機発光表示装置
の画素の平面図、図９は図８に示したＡ−Ａ′線に沿う
断面図である。

【０１３４】本実施形態は、第２電流供給線１１１を信
号線１０９と同一の層に形成する代わりに、各画素に属
する有機発光素子の第２電極１２５を覆う保護層１２６
の上部側に第２電流供給線としてのＡｌ膜４０２を形成
し、発光光を基板裏面側から取り出すようにしたもので
あり、他の構成は実施形態１とほぼ同様である。

【０１３５】具体的には、ガラス基板１１６上に、第１
トランジスタ１０１，容量１０４，第２トランジスタ１
０２，信号線１０９，１０９′，走査線１０６，１０
６′，第１電流供給線１１０，１１０′，第２層間絶縁
膜１１９，第１電極１１５、及び第３層間絶縁膜１２０
を形成する方法は実施形態１と同様である。

【０１３６】その上に、正孔輸送層１２１，発光層１２
２，電子輸送層１２３の形成方法は、実施形態１と同様
である。

【０１３７】次に、電子輸送層１２３の上に、電子注入
層１２４としてＬｉＦ膜を形成する。作製条件は実施形
態３と同様である。

【０１３８】次に、電子注入層１２４の上に、第２電極
１２５としてＡｌ膜を形成する。作製条件は実施形態３
と同様である。

【０１３９】次に、熱ＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍ
のＳｉＮｘ膜を形成する。ホトリソグラフィ法を用い
て、第１電極１１５と第２電極１２５とが重なる画素領
域の上部を残して除去する。図８および図９では、除去
された領域が４０１，４０１′となる。この場合ＳｉＮ
ｘ膜は画素領域の保護層１２６として機能することにな
る。

【０１４０】保護層１２６の上に、スパッタ法により、
Ａｌ膜を形成する。膜厚は５００ｎｍとした。同層は第
２電流供給線として機能する。また、画素領域に保護層
１２６があることにより、下層の電子輸送層１２３，発
光層１２２，正孔輸送層１２１のＡｌ膜形成ダメージが
低減される。

【０１４１】本実施形態の有機発光表示装置は、各画素
の第２電極１２５上部に形成した第２電流供給線と第２
電極１２５とを、各画素近傍の保護層１２６と領域４０
１，４０１′に形成されたコンタクトホール（図示省
略）で接続するため、第２電極１２５の配線抵抗ばらつ
きが少なくなり、その結果、パネル面内での輝度ばらつ
きを低減することができる。

【０１４２】また、保護層１２６の上に形成した第２電
流供給線が保護機能を有することにより、有機発光装置
の長寿命化が可能となる。

【０１４３】（実施形態５）次に、本発明の実施形態５
として、第２電流供給線が網目状（格子状）に形成され
た構造の有機発光表示装置を図１０および図１１にした
がって説明する。図１０は本実施形態における有機発光
表示素子の画素の平面図、図１１は図１０に示すＡ−
Ａ′に沿う断面図である。

【０１４４】本実施形態は、第２電流供給線を網目状に
形成するに際して、第２電流供給線５０１，５０１′を
信号線１０９，１０９′と平行に形成するとともに、第
２電流供給線５０２を走査線１０６，１０６′と平行に
形成し、第２電流供給線全体の面積を増大させて、第２
電流供給線の低抵抗化を図るようにしたものであり、他
の構成は実施形態１および３とほぼ同様である。

【０１４５】具体的には、ガラス基板１１６上に、第１
トランジスタ１０１の活性層１０３，第２トランジスタ
１０２の活性層１０３′、及び容量下部電極１０５を形
成する。作製方法は実施形態１と同様である。

【０１４６】次に、ゲート絶縁膜１１７を形成する。形
成方法は実施形態１と同様である。その上に、ゲート電
極１０７,走査線１０６,１０６′、及び容量上部電極１
０８もパターニングした。同層に、第２電流供給線５０
２を形成する。

【０１４７】その上に、第１層間絶縁層１１８を形成す
る。作製条件は実施形態１と同様である。

【０１４８】次に、活性層１０３及び１０３′の両端上
部のゲート絶縁膜１１７及び第１層間絶縁膜１１８に、
コンタクトホールを形成する。さらに、第２トランジス
タ１０２のゲート電極上部の第１層間絶縁膜１２７にコ
ンタクトホールを形成した。さらに第２電流供給線５０
２上にコンタクトホール５０４′を形成する。

【０１４９】その上に、実施形態１同様、信号線１０
９，第１電流供給線１１０、及び第２電流供給線５０
１，５０１′を形成する。第２電流供給線５０２は、給
電点５０４′において、第２電流供給線５０１′と接続
される。

【０１５０】また、第１トランジスタ１０１のソース電
極１１２及びドレイン電極１１３，第２トランジスタ１
０２のソース電極１１２′及びドレイン電極１１３′を
形成する。

【０１５１】容量下部電極１０５と第１トランジスタ１
０１のドレイン電極１１３を接続し、第１トランジスタ
１０１のソース電極１１２と信号線１０９を接続し、第
１トランジスタのドレイン電極１１３を第２トランジス
タのゲート電極１０７′に接続する。また、第２トラン
ジスタのドレイン電極１１３′を第１電流供給線110に
接続し、容量の上部電極１０８を第１電流供給線１１０
に接続する。

【０１５２】次に、実施形態１同様、第２層間絶縁膜層
１１９，第１電極１１５、及び第３層間絶縁膜１２０を
形成する。その上に、正孔輸送層１２１，発光層１２
２，電子輸送層１２３，電子注入層１２４、及び第２電
極１２５を形成する。形成方法は、実施形態１と同様で
ある。

【０１５３】第２電極１２５は、給電点５０３′，５０
４′において、第２電流供給線５０１′と接続される。

【０１５４】このあと、実施形態３同様、駆動層，有機
発光素子を形成した基板と封止基板３０９を接着させ
る。

【０１５５】本実施形態の有機発光表示装置は、各画素
の表示領域において第２電極１２５と第２電流供給線５
０１′，５０２とを接続するようにしたため、第２電極
125の配線抵抗のばらつきが少なくなる。特に、第２電
流供給線５０１′，５０２が網目状に形成されているた
め、第２電流供給線の配線抵抗が更に低減され、その結
果、パネル面内での輝度ばらつきをより低減することが
できる。

【０１５６】本実施形態では、サブ画素毎に、第２電流
供給線が信号線の方向（縦方向）と走査線の方向（横方
向）に配置された網目構造をとっている。配線抵抗のば
らつきを低減するためには、全てのサブ画素において第
２電流供給線を縦方向及び横方向に配置する必要はな
い。例えば、本実施形態同様、サブ画素毎に縦方向に第
２電流供給線を配置し、表示領域中央部のサブ画素に対
してのみ横方向の第２電流供給線を配置するようにす
る。この配置では、縦方向のみの第２電流供給線を配置
した形態と比べて、配線抵抗のばらつきが低減される。
また、本実施形態と比べた場合、配線低抗のばらつきは
増大するが、縦方向第２電流供給線と横方向第２電流供
給線を接続するコンタクトホールの数が減少し、プロセ
ス不良率が低下する。横方向の第２電流供給線の配置
は、サブ画素２個おき，３個おき、或いは４個おきでも
可能である。また、横方向と縦方向の第２電流供給線の
配置を変えても効果は同じである。このように、信号線
の方向に配置した少なくとも２本の第２電流供給線を、
この第２電流供給線と交差するように配置した配線（横
方向第２電流供給線）により接続することでも効果を得
ることができるというものである。

【０１５７】（実施形態６）次に、本発明の実施形態６
として、画素を形成する複数のサブピクセルに第２電流
供給線への給電点を有するフルカラー有機発光表示装置
を図１２および図１３にしたがって説明する。図１２は
本実施形態における有機発光表示装置の画素の平面図、
図１３は図１２に示した画素領域Ａ−Ａ′に沿う断面図
である。

【０１５８】本実施形態は、各カラー画像の各画素を形
成するサブピクセルごとに第２電流供給線１１１，１１
１′，１１１″への給電点を形成するために、赤画素，
緑画素，青画素の表示領域にそれぞれ第２電流供給線１
１１，１１１′，１１１″を形成し、各サブピクセルの
表示領域においてコンタクトホール１１４，１１４′，
１１４″を介して第２電極１２５と第２電流供給線１１
１,１１１′,１１１″とを接続したものであり、他の構
成は実施形態２と同様である。

【０１５９】具体的には、ガラス基板１１６上に、緑画
素用第１トランジスタ２０４，緑用容量２０５，緑用第
２トランジスタ２０６，赤画素用第１トランジスタ２０
７，赤用容量２０８,赤用第２トランジスタ２０９,青画
素用第１トランジスタ２１０，青用容量２１１，青用第
２トランジスタ２１２，信号線１０９，１０９′，１０
９″，走査線１０６，１０６′，第１電流供給線１１
０,１１０′,１１０″，第２電流供給線１１１，１１
１′，１１１″，第１層間絶縁膜１１８および第２層間
絶縁膜１１９を実施形態２と同様な方法で形成する。

【０１６０】次に、第２電流供給線１１１，１１１′，
１１１″，上部の第１層間絶縁膜１１８および第２層間
絶縁膜１１９にコンタクトホール１１４，１１４′，１
１４″を形成し、各コンタクトホール１１４，１１
４′，１１４″を給電点とする。

【０１６１】次に、緑画素用，赤画素用，青画素用の第
１電極２０１，２０２，２０３を形成する。この形成条
件は実施形態２と同様であり、各第１電極２０１，２０
２，２０３の形状を図１２に示す。

【０１６２】次に、第３層間絶縁膜１２０を形成する。
この形成方法は実施形態２と同様である。

【０１６３】次に、各サブピクセルの第１電極２０１，
２０２，２０３の上に、正孔輸送層６０１，６０３，６
０５を形成する。この形成条件は実施形態２と同様であ
る。正孔輸送層６０１，６０３，６０５は給電点として
のコンタクトホール１１４，１１４′，１１４″を覆わ
ないパターンとする。

【０１６４】次に、正孔輸送層６０１，６０３,６０５
の上にそれぞれ発光層２１３,２１４，２１５を形成す
る。この形成方法は実施形態２と同様である。

【０１６５】次に、発光層２１３，２１４，２１５の上
に電子輸送層６０２,６０４,６０５を形成する。この形
成方法は実施形態２と同様である。

【０１６６】次に、各電子輸送層６０２，６０４，６０
５の上に、電子注入層１２４としてＭｇとＡｇの合金膜
を形成する。この形成条件は実施形態２と同様である。
電子注入層１２４の上に、第２電極１２５としてＩＺＯ
膜を形成する。この形成条件は実施形態２と同様であ
る。

【０１６７】第２電極１２５は、第１層間絶縁膜１１８
および第２層間絶縁膜１１９に形成されたコンタクトホ
ール１１４，１１４′，１１４″を介して第２電流供給
線１１１，１１１′，１１１″に接続される。すなわ
ち、各サブピクセルの第２電極１２５は各サブピクセル
の表示領域においてコンタクトホール１１４，114′，
１１４″を給電点として第２電流供給線１１１，１１
１′，１１１″に接続される。

【０１６８】次に、熱ＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍのＳ
ｉＮｘ膜を形成する。この膜は保護層１２６として機能
する。

【０１６９】本実施形態によれば、各画素のサブピクセ
ルの表示領域において第２電極125と第２電流供給線１
１１，１１１′，１１１″とが接続されるため、各画素
の第２電極１２５の抵抗による配線抵抗のばらつきを抑
制することができ、パネル内輝度のばらつきを低減する
ことができる。

【０１７０】（実施形態７）次に、本発明の実施形態７
として、有機層を含む駆動層に新しい金属層並びに層間
絶縁膜を設け、新たな金属層で第２電流供給線を形成す
るフルカラー有機発光表示装置を図１４および図１５に
したがって説明する。図１４は本実施形態における有機
発光表示装置の画素の平面図、図１５は図１４に示した
画素領域Ａ−Ａ′に沿う断面図である。

【０１７１】本実施形態は、信号線１０９，１０９′，
１０９″，第１電流供給線１１０，１１０′，１１０″
を含む配線層と、有機層を含む駆動層との間に金属層お
よび層間絶縁層を設け、第２電流供給線１１１，１１
１′，１１１″を形成したものであり、他の構成は実施
形態６と同様である。

【０１７２】具体的には、ガラス基板１１６上に、第２
層間絶縁膜１１９を形成するまでの工程は、第２電流供
給線１１１，１１１′，１１１″を信号線１０９，１０
９′，１０９″および第１電流供給線１１０，１１
０′，１１０″を含む配線層とは異なる層に形成する他
は実施形態６と同様である。

【０１７３】次に、第２層間絶縁膜１１９の上に、第２
電流供給線１１１，１１１′，１１１″を形成する。こ
の形成方法は実施形態６と同様である。

【０１７４】次に、第２電流供給線１１１，１１１′，
１１１″の上に、第４層間絶縁膜７０１として、ポリイ
ミド塗布膜を形成する。ポリイミド膜は（株）日立化成
デュポンマイクロシステムズ社製の自己(薄膜)非感光性
ポリイミド（型番：ＰＩＸ−１４００）を用いて形成し
た。膜の作製法にはスピンコート法を用い、ＮＭＰを溶
媒として２倍希釈した溶液を用いた。初めに５００rpm
，回転時間１０秒の条件で溶液を基板全面に拡散さ
せ、次に、本成膜として、回転数６０００rpm ，回転時
間３０秒の条件でポリイミド膜を形成した。そのあと、
基板を大気下のホットプレート上に置き、ベーク温度
（焼成時間）を、１１０℃（３分），１９０℃（３
分），２７０℃（３分），３５０℃（５分）の順に昇温
して焼成した。ポリイミド膜の膜厚は５００ｎｍであっ
た。第４層間絶縁膜７０１にも給電点としてのコンタク
トホール１１４，１１４′，１１４″を形成する。

【０１７５】次に、第４層間絶縁膜７０１の上に、緑画
素，赤画素，青画素の第１電極，第３層間絶縁膜１２
０，正孔輸送層６０１，６０３，６０５,発光層２１３,
２１４，２１５，電子輸送層６０２，６０４，６０６，
電子注入層１２４，第２電極１２５，保護層１２６を形
成する。この形成方法は実施形態６と同様である。

【０１７６】本実施形態によれば、各サブピクセルの表
示領域において第２電極１２５と第２電流供給線１１
１，１１１′,１１１″とがコンタクトホール１１４,１
１４′，１１４″を給電点として接続されているため、
第２電極１２５による配線抵抗のばらつきを抑制するこ
とができるとともに、パネル内輝度のばらつきを低減す
ることができる。

【０１７７】また本実施形態によれば、第２電流供給線
１１１，１１１′，１１１″を第１電流供給線１１０，
１１０′，１１０″とは異なる層に形成しているため、
配線幅を広くすることが可能になり、第２電流供給線１
１１，１１１′，１１１″の低抵抗化を図ることができ
る。

【０１７８】（実施形態８）次に、本発明の実施形態８
として、有機層を含む駆動層に金属層並びに層間絶縁層
を設け、金属層で第２電流供給線を形成するフルカラー
有機発光表示装置を図１６および図１７にしたがって説
明する。図１６は本実施形態における有機発光表示装置
の画素の平面図、図１７は図１６に示した画素領域Ａ−
Ａ′に沿う断面図である。

【０１７９】本実施形態は、信号線１０９，１０９′，
１０９″，第１電流供給線１１０，１１０′，１１０″
を含む配線層と有機層を含む駆動層との間に金属層並び
に層間絶縁層を設け、この金属層で第２電流供給線を形
成するに際して、実施形態７では第２電流供給線１１
１，１１１′，１１１″を信号線１０９，１０９′，１
０９″と平行に形成しているのに対して、本実施形態に
おいては、第２電流供給線８０１を走査線１０６，１０
６″と平行に形成し、第２電流供給線８０１にコンタク
トホール１１４，１１４′，１１４″を形成した他は実
施形態７と同様の構成である。

【０１８０】具体的には、ガラス基板１１６上に、第２
層間絶縁膜１１９を形成するまで工程は実施形態７と同
様である。

【０１８１】次に、第２層間絶縁膜１１９の上に、第２
電流供給線８０１を形成する。第２電流供給線８０１は
走査線１０６，１０６′と平行な向きに形成する。この
形成方法は実施形態７と同様である。これ以降の工程は
実施形態７と同様である。

【０１８２】本実施形態によれば、各サブピクセルごと
に第２電極１２５と第２電流供給線８０１とがコンタク
トホール１１４，１１４′，１１４″を給電点として接
続されているため、第２電極１２５による配線抵抗のば
らつきを抑制することができるとともに、パネル内輝度
のばらつきを低減することができる。

【０１８３】また、本実施形態によれば、第２電流供給
線８０１を第１電流供給線１１０，１１０′，１１０″
を含む配線層とは異なる層に形成しているため、第２電
流供給線８０１の配線幅を広くすることが可能になり、
第２電流供給線の低抵抗化を図ることができる。

【０１８４】（実施形態９）次に、本発明の実施形態９
として、各色のサブピクセルに各サブピクセル専用の第
２電流供給線を接続したフルカラー有機発光表示装置を
図１８および図１９にしたがって説明する。図１８は本
実施形態における有機発光表示装置の画素の平面図、図
１９は図１８に示した画素領域Ａ−Ａ′に沿う断面図で
ある。

【０１８５】本実施形態は、各画素のサブピクセルごと
に信号線と平行な第２電流供給線１１１，１１１′，１
１１″を形成し、各サブピクセルの表示領域において各
サブピクセルの第２電極９０１，９０２,９０３と第２
電流供給線１１１,１１１′，１１１″とをコンタクト
ホール１１４，１１４′，１１４″を給電点として接続
したものであり、緑画素，赤画素，青画素をそれぞれ１
列に並んだストライプ形状にするとともに第２電極９０
１，９０２，９０３の上部側に、大気中の水，酸素等の
ガスが第２電極或いは第２電極下部の有機層、或いは第
２電極と有機層との界面に浸入するのを防ぐ目的の封止
基板３０９を設けた他は実施形態６と同様である。

【０１８６】具体的には、ガラス基板１１６上に、第１
トランジスタ２０４,２０７,２１０から電子注入層３０
７，３０７′，３０７″までを形成する工程は実施形態
６と同様であり、緑画素，赤画素，青画素はそれぞれ１
列に並んだストライプ形状に形成されている。

【０１８７】電子注入層３０７，３０７′，３０７″の
上に、メタルマスクを用いて、ストライプ状の第２電極
９０１，９０２，９０３を形成する。この形成条件は実
施形態６と同様である。

【０１８８】第２電極９０１，９０２，９０３を形成す
るに際しては、パターンニングにメタルマスクを用いて
いるが、これに限定されるものではない。例えば、第３
層間絶縁膜１２０のエッジ部分を逆テーパ形状に形成し
てマスクを用いずに、第２電極９０１，９０２，９０３
を断切れにすることで、ストライプ状に形成することも
可能である。

【０１８９】次に、実施形態３と同様に封止基板３０９
を用いて封止を行う。

【０１９０】本実施形態によれば、各画素のサブピクセ
ルの表示領域において第２電極901，９０２，９０３と
第２電流供給線１１１，１１１′，１１１″とがコンタ
クトホール１１４，１１４′，１１４″を給電点として
接続されているため、第２電極９０１，９０２，９０３
による配線抵抗のばらつきを抑制することができ、パネ
ル内輝度のばらつきを低減することができる。

【０１９１】また、本実施形態によれば、各画素のサブ
ピクセルを構成する緑画素，赤画素，青画素が専用の第
２電流供給線１１１，１１１′，１１１″を介してコン
タクトホール１１４，１１４′，１１４″を給電点とし
て接続されているため、各サブピクセルに印加される電
圧あるいは電流値を独立に制御することが可能になる。

【０１９２】（実施形態１０）次に実施形態１０とし
て、第１電流配線および第２電流配線を網目状に配置し
た例を示す。図２１および図２２にしたがって説明す
る。図２１は本実施形態における有機発光表示装置の画
素の平面図を示す。図２２は図２１に示した画素領域Ａ
−Ａ′に沿う断面図である。信号線１０９，１０９′と
同層の配線層をもちいて形成した第１電流供給線１１
０′，１１０および第２電流供給線５０１′，５０１
と、ゲート配線５０３′と同層の配線層を用いて形成し
た横方向第１電流配線６０３および横方向第２電流配線
６０４が配置され、交叉部において、各々別のコンタク
トホール６０１′，６０１および６０２′，６０２を介
して縦横の配線が相互接続されており、第１電流配線，
第２電流配線のいずれもが網目状に形成している。また
第２電極はコンタクトホール６０６，６０６′を給電点
として第２電流配線５０１′，５０１と接続している。
この部分のほかは第５実施形態同様である。この構成を
とることにより第１電流配線および第２電流配線の抵抗
のいずれもを低減することができるため、配線抵抗のば
らつきを抑制することができ、パネル内輝度のばらつき
をよりよく低減することができる。特に第１電流配線で
の電圧降下は画素の表示輝度を決定する第２トランジス
タ１０２，１０２′の基準電圧を変動させることにな
り、微細な電圧変動が大きな電流変動となるため、第１
電流配線での電圧降下のばらつきを抑えることはパネル
面内輝度ばらつきにより効果的である。

【０１９３】たとえば、第１電流配線での０.５Ｖ の電
圧変動はトランジスタのゲートバイアス電圧の変動に概
ね相当するので、トランジスタのｓ値が０.５Ｖ／decで
あれば、１０倍もの電流変動を引き起こす。また、第２
電流配線での０.５Ｖ 変動は、ＥＬ駆動電圧の変動とし
て輝度に影響するので、ＶＤＳ＝８Ｖで、電圧一電流特
性が指数関数として、指数が、Ｉ＝Ioeo・８ｖとすれば
電流比は１.５ 倍であり、輝度もほぼ１.５ 倍変動す
る。このように第１電流配線，第２電流配線の１Ｖ以下
の微小な電圧降下であっても、いずれも大きな輝度変動
の原因となる。特に第１電流配線の電圧変動はより大き
な輝度ばらつきの原因となるので、本実施例のような抵
抗ばらつきの低減降下を得ることができる。

【０１９４】また、かような網目状の配線構成をとるこ
とにより、横方向の隣接する画素，サブピクセル間の電
圧変動を低くすることができ、スメアを低減する効果が
ある。スメアの発生は、これまでの実施形態で説明した
ように、第１電流配線を信号線と並行にストライプ状に
配列した場合では、同じ第１電流配線に接続した縦列の
サブピクセルの平均輝度に応じて配線の電流が変化し、
電圧降下が縦列ごとに任意の変動となるため、たとえ
ば、パネルの中央部付近で同一輝度のパターンを表示し
ても、各々の縦列方向のパネル周辺の表示パターンに応
じて中央部のパターンの輝度ばらつきを生じる現象であ
る。

【０１９５】本実施形態のように、電流配線が横方向に
も相互接続されていると縦，横、いずれの方向にも電圧
のばらつきは軽減され、スメアの発生を防ぐことができ
る。

【０１９６】（実施形態１１）次に、実施形態１１につ
いて図２３および図２４を用いて説明する。本実施形態
は新たに追加した低抵抗のアルミ配線層および層間絶縁
層を追加し、格子状に形成し、第１電流配線層として用
いたものである。図２３は平面図、図２４は断面構造で
ある。追加するアルミ配線６０５および層間絶縁膜６１
０は実施例３と同様のプロセスを用いて形成した。第２
層間絶縁膜１１９を形成し、第２電流配線コンタクト６
０２，６０２′および第１電流線コンタクト６１４，６
１４′を形成後にアルミ配線６０５を形成し、追加層間
絶縁膜６１０を形成し、コンタクトホール６０８を形成
した。その後、ＥＬ素子を形成し、最上層として第２電
極１２５を形成した。アルミ配線６０５には画素ごとに
開口部６１１を設けており基板面から発光を取り出すこ
とができ、最上層に形成した第２電極１２５と、第２電
流配線５０１,５０１′とはアルミ配線のコンタクト開
口部６１２,６１２′の下のコンタクト６０２，６０
２′を介して接続した。また第１電流配線としてのアル
ミ配線６１５と第２トランジスタ１０２，１０２′は第
１電流配線コンタクト６１４，６１４′を介して接続し
た。この構成を用いることにより輝度変動に影響が大き
い第１電流配線の面積を飛躍的に増大させ、電圧降下を
低減し、輝度の変動を低減することができる。また、ス
メア低減にも大きな効果がある。これは低抵抗のアルミ
配線を格子状に用いたためである。特に電流駆動素子で
ある有機ＥＬパネルにおいては格子状配線による画質向
上効果は液晶よりも格段に大きい。液晶表示装置でも各
画素を共通に同一電位を供給する配線があるが、液晶は
動作原理が電圧駆動であり素子の駆動は電気的には容量
性負荷であるので画素の選択期間と、配線の過渡応答の
時定数を整合させることにより、表示画質を向上させる
必要があるが、有機ＥＬなどの電流駆動素子においては
走査期間後の表示期間中に電流が定常的に流れるため、
配線抵抗そのものによる電圧降下を抑えて表示輝度のば
らつきを抑えることが必要でありこの点が配線抵抗効果
の現れかたが大きく異なる。電流配線を比抵抗が低いア
ルミを用い、配線面積を格子状に形成することにより低
抵抗化することができ、輝度ばらつき，スメアとが解消
できる利点がある。

【０１９７】（実施形態１２）次に実施形態１２につい
て図２５及び図２６を用いて説明する。本実施形態では
第１電流配線および第２電流配線をいずれも信号線と並
行に配置した配線と、走査配線と並行に配置し、格子状
に相互接続した構成である。特に、信号線と並行に配置
した電流配線には実施形態１１と同様に新たに追加した
低抵抗のアルミ配線層および層間絶縁層を追加して用い
た。この構成により、第１電流配線と第２電流配線のい
ずれも配線幅を広げ、抵抗を低減し、さらにスメアを低
減することができる効果が有る。

【０１９８】プロセスは実施形態１１と同様であり、第
１電流供給線１１０，１１０′および第２電流配線５０
１，５０１′はアルミ配線により形成し、信号線１０
９，１０９′と並行に配置した。各々電流配線は走査配
線と平行に配置し、走査配線層を用いて形成した横方向
第１電流配線６０３と横方向第２電流配線６０４とをコ
ンタクトホール６０１，６０１′，６０２，６０２′に
より縦横に相互接続したものである。なお、第２電極１
２５と第２電流配線５０１，５０１′とはコンタクトホ
ール６０６を介して接続し、給電点として作用する。ま
た、第１電流供給線１１０′，１１０と第２のトランジ
スタ１０２，１０２′とは接続パターン６０９，６０
９′およびコンタクトホール６０７，６０７′を介して
接続している。

【０１９９】

【発明の効果】本発明によれば、有機発光素子の電極と
電源とを結ぶ配線抵抗による輝度のばらつきを低減する
ことができ、表示領域内の輝度のばらつきを抑制するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態を示す有機発光表示装置
における画素領域の平面図である。

【図２】（ａ）は図１に示す画素領域Ａ−Ａ′に沿う断
面図、（ｂ）は図１に示す画素領域Ｂ−Ｂ′の断面図で
ある。

【図３】（ａ）は、従来の有機発光表示装置における第
２電流供給線と給電点との関係を示す模式図、（ｂ）
は、本発明に係る有機発光表示装置における第２電流供
給線と給電点との関係を示す模式図である。

【図４】本発明の第２実施形態を示す有機発光表示装置
における画素領域の平面図である。

【図５】図４に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図で
ある。

【図６】本発明の第３実施形態を示す有機発光表示装置
における画素領域の平面図である。

【図７】図６に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図で
ある。

【図８】本発明の第４実施形態を示す有機発光表示装置
における画素領域の平面図である。

【図９】図８に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図で
ある。

【図１０】本発明の実施形態５を示す有機発光表示装置
における画素領域の平面図である。

【図１１】図１０に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面
図である。

【図１２】本発明の実施形態６を示す有機発光表示装置
における画素領域の平面図である。

【図１３】図１２に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面
図である。

【図１４】本発明の実施形態７を示す有機発光表示装置
における画素領域の平面図である。

【図１５】図１４に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面
図である。

【図１６】本発明の実施形態８を示す有機発光表示装置
における画素領域の平面図である。

【図１７】図１６に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面
図である。

【図１８】本発明の実施形態９を示す有機発光表示装置
における画素領域の平面図である。

【図１９】図１８に示す画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面
図である。

【図２０】本発明の第１の実施形態を示す有機発光表示
装置の画素回路図である。

【図２１】本発明の第１０の実施形態を示す有機発光表
示装置の画素領域の平面図である。

【図２２】図２１に示す画素領域のＡ−Ａ′線に沿う断
面図である。

【図２３】本発明の第１１の実施形態を示す有機発光表
示装置の画素領域の平面図である。

【図２４】図２３に示す画素領域のＡ−Ａ′線に沿う断
面図である。

【図２５】実施形態１２の平面図である。

【図２６】図２５のＡ−Ａ′断面図である。

【符号の説明】

１０１…第１トランジスタ、１０２…第２トランジス
タ、１０３，１０３′…活性層、１０４…容量、１０５
…容量下部電極、１０６，１０６′…走査線、１０７，
１０７′…ゲート電極、１０８…容量上部電極、１０
９，１０９′，１０９″…信号線、１１０，１１０′，
１１０″…第１電流供給線、１１１…第２電流供給線、
１１２，１１２′…ソース電極、１１３，１１３′…ド
レイン電極、１１４…コンタクトホール、１１５…第１
電極、１１６…ガラス基板、117…ゲート絶縁膜、１１
８…第１層間絶縁膜、１１９…第２層間絶縁膜、１２０
…第３層間絶縁膜、１２１…正孔輸送層、１２２…発光
層、１２３…電子輸送層、１２４，３０７，３０７′，
３０７″…電子注入層、１２５，３０８″…第２電極、
１２６…保護層、２０１，３０１…緑画素用第１電極、
２０２，３０２…赤画素用第１電極、２０３，３０３…
青画素用第１電極、２０４…緑画素用第１トランジス
タ、２０５…緑画素用容量、２０６…緑画素用第２トラ
ンジスタ、207…赤画素用第１トランジスタ、２０８…
赤画素用容量、２０９…赤画素用第２トランジスタ、２
１０…青画素用第１トランジスタ、２１１…青画素用容
量、212…青画素用第２トランジスタ、２１３，３０４
…緑発光層、２１４，３０５…赤発光層、２１５，３０
６…青発光層、３０９…封止基板、４０２…Ａｌ膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｂ 33/26 33/26 Ｚ (72)発明者 三上 佳朗 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 増田 和人 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 荒谷 介和 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB17 BA06 CC00 DB03 5C094 AA03 BA03 BA27 DA13 EA10 FB12 HA08 HA10

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】画像の最小単位となる画素を複数個備えて
   いるとともに、前記各画素として複数の有機発光素子を
   備え、前記複数の有機発光素子の有機層を挟む一対の電
   極のうち少なくとも前記各画素に属する一つの有機発光
   素子の一方の電極は各画素の表示領域において電流供給
   線に接続されてなる有機発光表示装置。
2. 【請求項２】画像の最小単位となる画素を複数個備えて
   いるとともに、前記各画素として複数の有機発光素子を
   備え、前記複数の有機発光素子の有機層を挟む一対の電
   極のうち一方の電極は各画素の表示領域において電流供
   給線に接続されてなる有機発光表示装置。
3. 【請求項３】カラー画像の最小単位となる画素を複数個
   備えているとともに、前記各画素として発光色の相異な
   る複数の有機発光素子を備え、前記複数の有機発光素子
   の有機層を挟む一対の電極のうち少なくとも前記各画素
   に属する一つの有機発光素子の一方の電極は各画素の表
   示領域において電流供給線に接続されてなる有機発光表
   示装置。
4. 【請求項４】カラー画像の最小単位となる画素を複数個
   備えているとともに、前記各画素として発光色の相異な
   る複数の有機発光素子を備え、前記複数の有機発光素子
   の有機層を挟む一対の電極のうち一方の電極は各画素の
   表示領域において電流供給線に接続されてなる有機発光
   表示装置。
5. 【請求項５】カラー画像の最小単位となる画素を複数個
   備えているとともに、前記各画素として発光色の相異な
   る複数の有機発光素子を備え、前記複数の有機発光素子
   の有機層を挟む一対の電極のうち前記各画素の特定の発
   光色の有機発光素子の一方の電極は各画素の表示領域に
   おいて電流供給線に接続されてなる有機発光表示装置。
6. 【請求項６】画像の最小単位となる画素を複数個備えて
   いるとともに、前記各画素として複数の有機発光素子を
   備え、かつ前記各画素を含む表示領域内に少なくとも１
   本以上の電流供給線を備え、前記複数の有機発光素子の
   有機層を挟む一対の電極のうち少なくとも前記各画素に
   属する一つの有機発光素子の一方の電極は各画素の表示
   領域において前記電流供給線に接続されてなる有機発光
   表示装置。
7. 【請求項７】請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の
   有機発光表示装置において、基板上に前記有機層を駆動
   するための駆動素子を含む駆動層が積層されているとと
   もに、前記駆動素子に接続された信号線および走査線を
   含む配線層が積層され、前記複数の有機発光素子の有機
   層は、前記有機層を挟む一対の電極とともに各画素ごと
   に前記配線層上に積層され、前記電流供給線は、前記配
   線層に配置されて層間絶縁膜を介して前記一方の電極に
   接続されてなることを特徴とする有機発光表示装置。
8. 【請求項８】請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の
   有機発光表示装置において、基板上に前記有機層を駆動
   するための駆動素子を含む駆動層が積層されているとと
   もに、前記駆動素子に接続された信号線および走査線を
   含む配線層が積層され、前記複数の有機発光素子の有機
   層は、前記有機層を挟む一対の電極とともに各画素ごと
   に前記配線層上に積層され、前記電流供給線は、前記配
   線層と前記有機層との間の層に配置されて層間絶縁膜を
   介して前記一方の電極に接続されてなることを特徴とす
   る有機発光表示装置。
9. 【請求項９】請求項１〜８のうちいずれか１項に記載の
   有機発光表示装置において、前記複数の有機発光素子の
   有機層を挟む一対の電極のうち一方の電極は、基板上の
   有機層下部に形成された第１電極に対して、第２電極と
   して基板上の有機層上部に形成され、前記第２電極上部
   に前記電流供給線が接続されてなることを特徴とする有
   機発光表示装置。
10. 【請求項１０】請求項１〜６のうちいずれか１項に記載
    の有機発光表示装置において、基板上に前記有機層を駆
    動する駆動素子を含む駆動層が積層されているととも
    に、前記駆動素子に接続された信号線および走査線を含
    む配線層が積層され、前記複数の有機発光素子の有機層
    は、前記有機層を挟む一対の電極とともに各画素ごとに
    前記配線層上に積層され、前記複数の有機発光素子の有
    機層を挟む一対の電極のうち一方の電極は、基板上の有
    機層下部に形成された第１電極に対して、第２電極とし
    て基板上の有機層上部に形成され、前記第２電極上部に
    前記電流供給線が形成されてなることを特徴とする有機
    発光表示装置。
11. 【請求項１１】請求項１〜１０のうちいずれか１項に記
    載の有機発光表示装置において、前記電流供給線は、少
    なくとも２本の電流供給線がある方向に配置されてお
    り、これらの電流供給線を接続する配線がこれらの電流
    供給線に交差して配置されていることを特徴とする有機
    発光表示装置。
12. 【請求項１２】請求項１〜１０のうちいずれか１項に記
    載の有機発光表示装置において、前記電流供給線は、各
    画素に沿って網目状に形成されてなることを特徴とする
    有機発光表示装置。
13. 【請求項１３】請求項１〜１０のうちいずれか１項に記
    載の有機発光表示装置において、前記電流供給線は、前
    記各画素の各有機発光素子に対応して複数本に分割さ
    れ、分割された複数本の電流供給線はそれぞれ専用電流
    供給線として前記各画素の各有機発光素子に接続されて
    なることを特徴とする有機発光表示装置。
14. 【請求項１４】請求項１〜１３のうちいずれか１項に記
    載の有機発光表示装置において、前記電流供給線は、前
    記各画素間に沿って形成されてなることを特徴とする有
    機発光表示装置。
15. 【請求項１５】請求項１〜１３のうちいずれか１項に記
    載の有機発光表示装置において、前記電流供給線は、前
    記各画素に重畳して形成されてなることを特徴とする有
    機発光表示装置。
16. 【請求項１６】請求項５に記載の有機発光表示装置にお
    いて、前記特定の発光色の有機発光素子は他の発光色の
    有機発光素子よりも高効率あるいは高寿命のもので構成
    されてなることを特徴とする有機発光表示装置。
17. 【請求項１７】請求項１〜１６のうちいずれか１項に記
    載の有機発光表示装置において、前記複数の有機発光素
    子の有機層を挟む一対の電極のうち一方の電極は、基板
    上の有機層下部に形成された第１電極に対して、第２電
    極として基板上の有機層上部に形成され、前記第１電極
    は陽極として電源のプラス端子に接続され、前記第２電
    極は陰極として前記電源のマイナス端子に接続されてな
    ることを特徴とする有機発光表示装置。
18. 【請求項１８】請求項１７に記載の有機発光表示装置に
    おいて、前記第２電極は、光を透過し透明性を有する材
    料で構成されてなることを特徴とする有機発光表示装
    置。
19. 【請求項１９】請求項１〜１８のうちいずれか１項に記
    載の有機発光表示装置を製造するに際して、基板上に複
    数の有機発光素子を含む有機層を形成する工程と、前記
    複数の有機発光素子を駆動するための駆動素子を含む駆
    動層を形成する工程と、前記駆動素子に接続される信号
    線および走査線を含む配線層を形成する工程と、前記有
    機層上部側または前記有機層下部側に電流供給線を形成
    する工程と、前記電流供給線の周囲に形成された層間絶
    縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、複数の有機
    発光素子の有機層を挟む一対の電極のうち一方の電極と
    前記電流供給線とを前記コンタクトホールを介して接続
    する工程とを含むことを特徴とする有機発光表示装置の
    製造方法。