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KR101383474B1 - 전계발광소자 - Google Patents

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KR101383474B1
KR101383474B1 KR1020070097018A KR20070097018A KR101383474B1 KR 101383474 B1 KR101383474 B1 KR 101383474B1 KR 1020070097018 A KR1020070097018 A KR 1020070097018A KR 20070097018 A KR20070097018 A KR 20070097018A KR 101383474 B1 KR101383474 B1 KR 101383474B1
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광소자는 박막트랜지스터부를 포함하는 기판, 기판 상에 형성되며 박막트랜지스터부를 노출시키는 비아홀을 구비하는 절연막, 절연막 상에 형성되며 비아홀을 통해 박막트랜지스터부와 연결되는 제 1 전극, 제 1 전극 상에 형성되는 발광층, 발광층 상에 위치하고 발광층을 덮도록 위치하는 제 1 기능층 및 제 1 기능층 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하고, 제 1 기능층의 폭은 상기 발광층의 폭의 1배 내지 1.2배일 수 있다.
발광층, 제 1 기능층, 제 2 기능층, 제 2 전극

Description

전계발광소자{Light Emitting device}
본 발명의 디스플레이에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전계발광소자에 관한 것이다.
최근, 표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 전계발광소자(Light Emitting Diode Display Device) 등과 같은 여러 가지의 디스플레이가 실용화되고 있다.
이들 중, 전계발광소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 차세대 표시장치로 주목받고 있다.
일반적인 유기전계발광소자는 기판, 상기 기판 상에 제 1 전극이 위치하고, 상기 제 1 전극 상에 적어도 발광층을 포함하는 유기층(또는 무기층)이 위치한다. 상기 유기층(또는 무기층) 상에는 제 2 전극이 위치한다. 상기 유기층은 정공주입 층(HIL : Hole Injection Layer), 정공수송층(HTL : Hole Transportation Layer), 전자수송층(ETL : Electron Transportation Layer) 및 전자주입층(EIL : Electron Injection Layer)을 더 포함할 수 있다.
이러한 구조의 전계발광소자의 작동 원리는 다음과 같다. 제 1 전극과 제 2 전극 간에 전압을 인가하면, 제 1 전극으로부터 정공이 주입되어 정공주입층, 정공수송층을 통해 발광층 내로 주입되고, 제 2 전극으로부터 전자가 주입되어 전자주입층, 전자수송층을 통해 발광층 내로 주입된다. 발광층 내로 주입된 정공과 전자는 재결합하여 여기자(Exiton)를 형성하고 여기자가 바닥상태로 전이하면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.
전계발광소자의 발광층을 포함하는 상기 기능층들은 수분 및 습기에 매우 취약하다. 따라서, 소자 내에 흡습층 등을 별도로 구비하여 발광층을 보호하곤 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 발광층을 포함하는 각 기능층과 전극간의 증착 구조를 통해 발광층 내로의 수분 또는 습기의 침투를 막고 각 기능층의 재료 개선을 통한 소자의 발광효율을 높이는 데 목적이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광소자는 박막트랜지스터부를 포함하는 기판, 기판 상에 형성되며 박막트랜지스터부를 노출시키는 비아홀을 구비하는 절연막, 절연막 상에 형성되며 비아홀을 통해 박막트랜지스터부와 연결되는 제 1 전극, 제 1 전극 상에 형성되는 발광층, 발광층 상에 위치하고 발광층을 덮도록 위치하는 제 1 기능층 및 제 1 기능층 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하고, 제 1 기능층의 폭은 상기 발광층의 폭의 1배 내지 1.2배일 수 있다.
또한, 제 1 전극은 애노드 전극이고, 상기 제 2 전극은 캐소드 전극일 수 있다.
또한, 제 1 전극은 비아홀을 통해 상기 박막트랜지스터부와 연결되는 반사 전극 및 반사 전극 상에 형성되는 제 1 투명 전극을 포함할 수 있다.
또한, 제 1 전극은 비아홀을 통해 박막트랜지스터부와 연결되는 제 2 투명 전극 및 제 2 투명 전극 상에 순차적으로 형성되는 반사 전극 및 제 1 투명 전극을 포함할 수 있다.
또한, 반사 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
또한, 제 1 전극과 발광층 사이에는 제 2 기능층이 더 형성될 수 있다.
또한, 제 2 기능층은 제 1 전극 상에 순차적으로 형성되는 정공주입층 또는 정공수송층 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 제 1 기능층은 발광층 상에 순차적으로 형성되는 전자수송층 또는 전자주입층 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 제 1 기능층 또는 제 2 기능층 중 적어도 어느 하나는 발광 영역을 덮도록 위치할 수 있다.
또한, 제 1 기능층 또는 제 2 기능층 중 적어도 어느 하나는 발광 영역 및 비발광 영역을 모두 덮도록 위치할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광소자는 수분 및 습기로부터 발광층을 보호하고 발광효율을 높이는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광소자(100)에 대하여 상세히 설명한다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광소자(100)(100)의 단면도이다.
도 1a 내지 도 1b를 참조하면, 전계발광소자(100)는 기판(101), 버퍼층(105), 박막트랜지스터부, 제 1 내지 제 5 절연막, 제 1 전극(150), 발광층(165), 제 2 전극(170) 등을 포함할 수 있다.
기판(101)은 투명한 유리 또는 플라스틱 재질로 이루어진 것을 사용할 수 있다. 기판(101) 상에는 버퍼층(105)을 형성할 수 있다. 버퍼층(105)은 전계발광소자(100)의 제조 과정 중 기판(101)으로부터 발생하는 불순물이 소자의 내부로 유입되는 것을 방지하기 위하여 형성될 수 있다. 버퍼층(105)은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiO2), 또는 실리콘산화질화막(SiOxNx)을 사용할 수 있다.
박막트랜지스터부는 게이트 전극(134), 소스 전극(138), 드레인 전극(136), 반도체층(132)을 포함할 수 있다. 본 도면에서 도시하고 있는 박막트랜지스터부는 게이트 전극(134)이 반도체층(132)의 상부에 있는 탑게이트(top-gate)를 가진 코플라나(coplanar) 구조이다. 본 발명의 일 실시예에서는 상술한 구조를 가지는 박막트랜지스터부에 대하여 설명하기로 하나, 다른 구조를 가진 박막트랜지스터부를 사용할 수 있음은 물론이다.
버퍼층(105)의 상부에는 반도체층(132)이 형성될 수 있다. 반도체층(132)은 박막트랜지스터부에서 채널을 형성할 수 있고, 결정질(crystalline), 다결정질(poly-crystalline), 비결정질(amorphous) 등의 재료를 사용할 수 있고 대표적으 로는 실리콘(Si)가 있으나 이에 한정되지 않는다.
반도체층(132)이 형성된 버퍼층(105) 상에는 게이트 절연막으로 지칭할 수 있는 제 1 절연막(110)이 형성될 수 있다. 제 1 절연막(110) 은 산화실리콘 또는 질화실리콘 재질로 형성될 수 있으나, 여기에 한정되지 않는다. 제 1 절연막(110)은 게이트 전극(134) 및 후술하는 소스 전극(138)과 드레인 전극(136)을 절연시킬 수 있다.
제 1 절연막(110) 상에는 반도체층(132)과 대응하는 위치에 게이트 전극(134)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(134)은 데이터라인(미도시)으로부터 제공되는 데이터 전압을 사용하여 박막트랜지스터를 온/오프시킬 수 있다.
게이트 전극(134)이 형성된 제 1 절연막(110) 상에는 층간 절연막으로 지칭할 수 있는 제 2 절연막(115)이 형성될 수 있다. 제 2 절연막(115) 또한 산화실리콘 또는 질화실리콘 재질로 형성될 수 있으나, 여기에 한정되지 않는다.
상기 제 1 절연막 및 제 2 절연막(115)에는 반도체층(132)과 연결되는 소스 전극(138) 및 드레인 전극(136)을 형성시키기 위하여 컨택홀이 형성될 수 있고, 상술한 컨택홀을 통해 소스 전극(138) 및 드레인 전극(136)은 반도체층(132)과 연결되어 제 2 절연막(115) 상부에 돌출되어 형성될 수 있다.
게이트 전극(134), 소스 전극(138) 및 드레인 전극(136)은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 구리(Cu), 타이타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 또는 이들의 합금 등의 재질 중 적어도 1층 이상의 적층구조로 형성될 수 있다.
박막트랜지스터부 및 제 2 절연막(115) 상에는 무기보호막으로 지칭될 수 있 는 제 3 절연막(120)이 형성될 수 있다. 무기보호막은 반드시 형성되어야 할 것은 아니지만, 반도체층(132)의 패시베이션 효과와 외부 광차단 효과를 위해 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제 3 절연막(120)이 형성된 기판(101) 상에는 제 4 절연막(140)이 형성될 수 있다. 제 4 절연막(140)은 박막트랜지스터부의 일부, 자세하게는 드레인 전극(136)의 일부를 노출시키는 비아홀(143)이 형성되어 박막트랜지스터부 및 제 3 절연막(120)의 상부에 형성될 수 있다. 제 4 절연막(140)은 박막트랜지스터부의 보호 및 소자간 또는 신호선간 절연을 위해 형성될 수 있다. 또한 벤조사이클로부텐, 폴리이미드 및 아크릴계 수지 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.제 1 전극(150)은 상기 제 4 절연막(140) 상에 형성되며, 제 4 절연막(140) 및 제 3 절연막(120)에 형성된 비아홀(143)을 통해 박막트랜지스터부의 드레인 전극(136)과 전기적으로 연결될 수 있다.
삭제
제 1 전극(150)은 애노드 전극일 수 있다. 제 1 전극(150)은 박막트랜지스터부로부터 전압을 제공받아 후술하는 발광층(165)에 정공(hole)을 제공할 수 있다.
제 1 전극(150)은 바텀에미션(Bottom-emission) 구조 하에서는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc Oxide) 등의 투명한 전극 만으로 구성될 수 있다.
탑에미션(Top-emission) 구조 하에서 제 1 전극(150)은 비아홀(143)을 통해 상기 박막트랜지스터부와 연결되는 반사 전극 및 상기 반사 전극 상에 형성되는 제 1 투명 전극을 포함할 수 있다. 반사 전극은 박막트랜지스터부의 드레인 전극(136)과 전기적으로 접속되고, 제 1 투명 전극은 반사 전극과 전기적으로 접속될 수 있다.
반사 전극은 탑에미션(top-emission) 구조에서 발광층(165)이 후술하는 제 2 전극(170)상으로 빛이 나가지 않고 제 1 전극(150) 상으로 빛이 나갈 때 제 1 전극(150)의 하부에 위치하여 발광층(165)에서 발생한 빛을 다시 제 2 전극(170)으로 내보내는 역할을 할 수 있다. 반사 전극은 반사도가 좋은 재료인 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 타이타늄(Ti) 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 여기에 한정되는 것은 아니다.
또한, 제 1 전극(150)은 제 4 절연막(140) 상에 형성되며, 비아홀(143)을 통해 상기 박막트랜지스터부의 드레인 전극(136)과 연결되는 제 2 투명 전극 및 상기 제 2 투명 전극 상에 형성되는 반사 전극 및 제 1 투명 전극을 포함할 수 있다.
제 1 전극(150)이 반사 전극과 제 1 투명 전극으로 형성될 때 보다, 반사 전극의 하부에 제 2 투명 전극을 더 형성하면, 박막트랜지스터부와 연결시 접촉 능력이 좋아 질 수 있다. 여기서 제 1 투명 전극과 제 2 투명 전극은 ITO 또는 IZO 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
화소정의막으로 지칭되는 제 5 절연막은 제 4 절연막(140) 및 제 1 전극(150) 상에 형성되며 제 1 전극(150)의 일부를 노출시켜 발광영역(A)을 정의하는 개구부가 형성될 수 있다. 제 5 절연막은 벤조사이클로부텐, 폴리이미드 및 아크릴계 수지 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는 다.
화소정의막에 형성된 개구부는 전계발광소자(100)의 발광영역(A)가 될 수 있다. 상기 도면의 하나의 서브픽셀 단위를 나타낸 것으로 발광영역이 아닌 부분은 비발광영역으로 정의할 수 있다.
발광층(165)은 제 1 전극(150) 상에 형성되어 제 1 전극(150)으로부터 정공을 제공받을 수 있다.
발광층(165)은 제 1 전극(150) 및 제 5 절연막(145)상 또는 제 1 전극(150) 상에만 그릴마스크를 통해 증착될 수 있다. 상기 발광층(165)을 상에 형성되는 제 1 기능층(167)은 발광층(165)의 측면까지 덮도록 전면증착할 수 있다. 또한, 제 1 기능층(167)은 발광층(165)의 측면까지 덮도록 마스크를 통해 증착될 수도 있다. 즉, 상기 제 1 기능층(167)은 발광층(165)의 측면부를 덮을 수 있다면 꼭 전면증착 되어야 하는 것은 아니나, 공정의 효율 및 구조적으로 전면증착 방법이 노출된 발광층(165)을 전부 덮을 수 있는 좋은 방법이 될 수 있다.
상기 제 1 기능층(167)은 발광층(165)의 상부면 및 측면을 모두 덮게 되므로, 외부의 습기 및 수분으로부터 발광층(165)을 보호할 수 있다.
여기서 제 1 기능층(167)은 상기 발광층(165) 상에 순차적으로 형성되는 전자수송층 또는 전자주입층 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
여기서 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하는 제 1 기능층(167)은 전자수송층과 전자주입층을 각각 증착하거나, 전자수송층과 전자주입층을 공통으로 증착할 수 있다.
도 1c를 참조하면, 제 1 기능층(167)의 폭(X)은 발광층(165)의 폭(Y)의 1배 내지 1.2배일 수 있다.
제 1 기능층(167)의 폭(X)이 발광층(165)의 폭(Y)의 1배 이상일 때, 외부의 습기 및 수분으로부터 발광층(165)을 보호할 수 있으며, 1.2배 이하일 때 전계발광소자(100)의 전체 면적(size)가 발광영역 대비 넓어지지 않을 수 있다.
도 1d 내지 도 1g는 M 부분의 다양한 실시예를 설명한 도이다.
도 1d 내지 도 1g를 참조하면, 제 1 전극(150)과 발광층(165) 사이에는 제 2 기능층이 더 위치할 수 있다. 제 1 기능층(167)은 발광층(165) 상에 순차적으로 형성되는 전자수송층 또는 전자주입층 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
제 1 기능층(167) 및 제 2 기능층은 전면증착되거나 마스크를 통해서 증착될 수 있다.
상술한 다양한 실시예들에서도 제 1 기능층(167)은 발광층(165)을 덮거나 발광층(165)과 제 2 기능층을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 또한 제 1 기능층(167)의 폭은 발광층(165) 폭의 1배 내지 1.2배가 될 수 있다.
다시, 도 1d를 참조하면, 제 2 기능층과 발광층(165)은 마스크를 통해 발광영역(A)의 제 1 전극(150) 및 제 5 절연막의 일부분 위에 형성될 수 있다. 제 2 기능층과 발광층(165)은 동일한 마스크를 사용할 수 있으므로, 제조 비용을 줄일 수 있다. 제 1 기능층(167)은 발광층(165)과 제 2 기능층을 덮도록 전면증착될 수 있다.
도 1e를 참조하면, 제 2 기능층은 발광영역 및 비발광영역의 제 1 전극(150) 및 제 5 절연막(145)상에 전면 증착되고, 발광층(165)은 마스크를 통해 발광영역(A)의 제 2 기능층(163)상에 형성될 수 있다. 제 1 기능층(167)은 발광층(165) 및 제 2 기능층(163)상에 전면증착 될 수 있다.
도 1f를 참조하면, 제 2 기능층과 발광층(165)은 마스크를 통해 발광영역(A)의 제 1 전극(150) 및 제 5 절연막의 일부분 위에 위치할 수 있다. 제 1 기능층(167)은 발광층(165)과 제 2 기능층을 덮도록 패터닝 되어 형성될 수 있다.
도 1g를 참조하면, 제 2 기능층은 발광영역 및 비발광영역의 제 1 전극(150) 및 제 5 절연막(145)상에 전면증착될 수 있다. 발광층(165)은 발광영역의 제 2 기능층(163)상에 위치하고, 제 1 기능층(167)은 발광층(165)을 덮도록 발광영역 및 비발광영역의 제 5 절연막의 일부에 위치할 수 있다.
상술한 발광층(165), 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 또는 전자주입층 중 적어도 어느 하나 이상은 유기물 또는 무기물로 형성될 수 있다.
상술한 유기물로 형성된 정공주입층 또는 전자주입층은 무기물을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 무기물은 금속화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 금속화합물은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함할 수 있다. 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속화합물은 LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
전계발광소자(100)는 일반적으로 정공의 이동도가 전자의 이동도보다 10배 이상 빠르기 때문에 발광층(165) 내로 주입되는 정공과 전자의 주입량이 달라지게 된다. 따라서, 전계발광소자(100)의 발광효율이 저하될 수 있다.
여기서, 무기물은 유기물로 형성된 정공주입층의 높은 가전자대역(valence band, Vb) 레벨 및 전자주입층의 전도대역(conduction band, Vc) 레벨을 낮추는 역할을 할 수 있다.
따라서, 정공주입층 또는 전자주입층 내의 무기물은 제 1 전극(150)으로부터 발광층(165)으로 주입되는 정공의 이동성을 낮춰주거나, 제 2 전극(170)으로부터 발광층(165) 내로 주입되는 전자의 이동성을 높여서 정공과 전자의 밸런스를 맞추어 주므로 발광효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 2a 내지 도 2b는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 전계발광소자(200)의 단면도이다.
본 도에 따른 전계발광소자(200)는 상술한 실시예에 따른 전계발광소자와 동일하나, 각각의 절연막의 구비여부에 있어서 차이가 있다. 이하에서는, 도 1에서 설명한 전계발광소자와 다른 부분에 대해서만 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2b를 참조하면, 전계발광소자는 도 1의 전계발광소자와 비교하여 제 3 절연막(120) 및 제 4 절연막(140)을 구비하지 않을 수 있다.
본 실시예에서, 박막트랜지스터부는 소스 전극(238), 드레인 전극(236) 및 게이트 전극(234)이 게이트 절연막으로 지칭될 수 있는 제 1 절연막(210) 상에 위 치하는 플라나(planar) 구조를 가진다.
버퍼층(205)이 형성된 기판 상에는 반도체층(232)이 형성되고, 반도체 층(232) 상에 제 1 절연막(210)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(234)은 반도체층(232)과 대응되는 제 1 절연막(210)의 상부에 형성될 수 있고, 소스 전극 및 드레인 전극은 제 1 절연막의 컨택홀을 통해 반도체층과 연결되어 제 1 절연막 상에 형성될 수 있다.
상술한 구조를 가지는 기판 상에는 층간절연막으로 지칭될 수 있는 제 2 절연막(215)이 형성될 수 있다. 제 2 절연막은 유기막 또는 무기막일 수 있으며, 이들의 복합막일 수도 있다. 있다. 제 2 절연막이 무기막인 경우 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 SOG(silicate on glass)를 포함할 수 있으며, 유기막인 경우 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지를 포함할 수 있다.
제 2 절연막 상에는 비아홀(243)이 형성되어, 비아홀을 통해 제 1 전극은 박막트랜지스터부의 드레인 전극과 연결될 수 있다.
이하, 전계발광소자의 구조 및 기능은 본 발명의 일 실시예에서 설명한 것과 동일하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하 지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 전계발광소자의 단면도이다.
165 : 발광층
163 : 제 2 기능층
167 : 제 1 기능층
170 : 제 2 전극

Claims (10)

  1. 박막트랜지스터부를 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 위치하며, 상기 박막트랜지스터부를 노출시키는 비아홀을 구비하는 절연막;
    상기 절연막 상에 위치하며, 상기 비아홀을 통해 상기 박막트랜지스터부와 연결되는 제 1 전극;
    상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광층;
    상기 발광층을 덮도록 위치하며, 상기 발광층 상에 순차적으로 위치하는 전자수송층 또는 전자주입층 중 어느 하나 이상을 포함하는 제 1 기능층;
    상기 제 1 기능층 상에 위치하는 제 2 전극; 및
    상기 제 1 전극과 상기 발광층 사이에서 상기 발광층과 동일한 폭으로 형성되며, 상기 제 1 전극 상에 순차적으로 위치하는 정공주입층 또는 정공수송층 중 어느 하나 이상을 포함하는 제 2 기능층;을 포함하고,
    상기 제 1 기능층의 폭은 상기 발광층 폭의 1배 내지 1.2배로 형성되며, 상기 정공주입층 또는 전자주입층은 LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군에서 선택되는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 anode 전극이고, 상기 제 2 전극은 cathode 전극인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 상기 비아홀을 통해 상기 박막트랜지스터부와 연결되는 반사 전극 및 상기 반사 전극 상에 위치하는 제 1 투명 전극을 포함하는 것을 특징으 로 하는 전계발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 상기 비아홀을 통해 상기 박막트랜지스터부와 연결되는 제 2 투명 전극 및 상기 제 2 투명 전극 상에 순차적으로 위치하는 반사 전극 및 제 1 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기능층 또는 상기 제 2 기능층 중 적어도 어느 하나는 발광 영역을 덮도록 위치하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기능층 또는 상기 제 2 기능층 중 적어도 어느 하나는 발광 영역 및 비발광 영역을 모두 덮도록 위치하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
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