JP2003059660A - 自己発光型表示装置の製造方法 - Google Patents
自己発光型表示装置の製造方法Info
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高精細な画像を表示可能であるとともに、表示
品位を向上することが可能な自己発光型表示装置の製造
方法を提供することを目的とする。 【解決手段】基板上に一対の電極間に発光層を挟持した
表示素子がマトリクス状に配置された有機ＥＬ表示装置
の製造方法において、下部電極６２を表示素子毎に独立
に形成する工程と、発光材料の液滴８４を吐出するノズ
ル８２と下部電極６２とにそれぞれ所定電圧を印加し、
ノズル８２からの液滴８４を所定電位に帯電した状態で
下部電極６２上に向けて吐出して、発光層を形成する工
程と、を備えたことを特徴とする。
品位を向上することが可能な自己発光型表示装置の製造
方法を提供することを目的とする。 【解決手段】基板上に一対の電極間に発光層を挟持した
表示素子がマトリクス状に配置された有機ＥＬ表示装置
の製造方法において、下部電極６２を表示素子毎に独立
に形成する工程と、発光材料の液滴８４を吐出するノズ
ル８２と下部電極６２とにそれぞれ所定電圧を印加し、
ノズル８２からの液滴８４を所定電位に帯電した状態で
下部電極６２上に向けて吐出して、発光層を形成する工
程と、を備えたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、自己発光型表示
装置の製造方法に係り、特に、各表示素子にスイッチン
グ素子が設けられたアクティブマトリクス型自己発光型
表示装置の製造方法に関する。
装置の製造方法に係り、特に、各表示素子にスイッチン
グ素子が設けられたアクティブマトリクス型自己発光型
表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置と比
較して、高速応答、広視野角、薄型軽量といった特徴を
有する自己発光型表示装置である。有機ＥＬ表示装置に
おいては、支持基板、例えばガラス基板上に、走査線、
走査線に直交するように配置された信号線、走査線と信
号線との交点付近に配置されたスイッチング素子として
の画素ＴＦＴ、画素ＴＦＴに接続されマトリクス状に配
置された表示素子などを有し、各表示素子からのＥＬ発
光により文字や画像を表示させている。
較して、高速応答、広視野角、薄型軽量といった特徴を
有する自己発光型表示装置である。有機ＥＬ表示装置に
おいては、支持基板、例えばガラス基板上に、走査線、
走査線に直交するように配置された信号線、走査線と信
号線との交点付近に配置されたスイッチング素子として
の画素ＴＦＴ、画素ＴＦＴに接続されマトリクス状に配
置された表示素子などを有し、各表示素子からのＥＬ発
光により文字や画像を表示させている。
【０００３】表示素子は、支持基板側に配置される下部
電極と、下部電極上に配置される発光層と、発光層上に
配置される上部電極とによって構成される。このような
表示素子は、例えば各色毎にストライプ状に形成され
る。
電極と、下部電極上に配置される発光層と、発光層上に
配置される上部電極とによって構成される。このような
表示素子は、例えば各色毎にストライプ状に形成され
る。
【０００４】このような有機ＥＬ表示装置において、小
型且つ高精細な表示デバイスを実現するためには、画素
サイズ及び画素ピッチをできるだけ小さくする必要があ
る。発光層としては、低分子材料や、高分子材料が用い
られる。低分子材料を用いた発光層は、主に、蒸着法に
よって形成される。また、高分子材料を用いた発光層
は、高精細化に適したインクジェット方式によって形成
されることが多い。
型且つ高精細な表示デバイスを実現するためには、画素
サイズ及び画素ピッチをできるだけ小さくする必要があ
る。発光層としては、低分子材料や、高分子材料が用い
られる。低分子材料を用いた発光層は、主に、蒸着法に
よって形成される。また、高分子材料を用いた発光層
は、高精細化に適したインクジェット方式によって形成
されることが多い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】高分子材料の発光層を
インクジェット方式によって形成する場合、ノズルから
吐出される発光材料の液滴を目標部（下部電極上）に正
確に塗布するために、液滴離れを向上するための工夫が
なされている。
インクジェット方式によって形成する場合、ノズルから
吐出される発光材料の液滴を目標部（下部電極上）に正
確に塗布するために、液滴離れを向上するための工夫が
なされている。
【０００６】しかしながら、液滴がノズルから離れた
後、目標部の塗布面に到着するまでの間の飛行軌道にお
ける曲がり等のバラツキは制御されていない。このた
め、複数の色の発光材料を塗布する場合、隣接する表示
素子間の発光層で混色が発生し、表示品位を著しく低下
させるおそれがある。
後、目標部の塗布面に到着するまでの間の飛行軌道にお
ける曲がり等のバラツキは制御されていない。このた
め、複数の色の発光材料を塗布する場合、隣接する表示
素子間の発光層で混色が発生し、表示品位を著しく低下
させるおそれがある。
【０００７】この発明は、上述した問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、高精細な画像を表示可能
であるとともに、表示品位を向上することが可能な自己
発光型表示装置の製造方法を提供することにある。
たものであって、その目的は、高精細な画像を表示可能
であるとともに、表示品位を向上することが可能な自己
発光型表示装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１は、基板上に一対の電極間に
発光層を挟持した表示素子がマトリクス状に配置された
自己発光型表示装置の製造方法において、前記一対の電
極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に形成する工程
と、発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記下部電極
とにそれぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴
を所定電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐
出して、発光層を形成する工程と、を備えたことを特徴
とする。
達成するために、請求項１は、基板上に一対の電極間に
発光層を挟持した表示素子がマトリクス状に配置された
自己発光型表示装置の製造方法において、前記一対の電
極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に形成する工程
と、発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記下部電極
とにそれぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴
を所定電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐
出して、発光層を形成する工程と、を備えたことを特徴
とする。
【０００９】請求項２は、基板上に一対の電極間に発光
層を挟持した表示素子がマトリクス状に配置された自己
発光型表示装置の製造方法において、前記一対の電極の
うちの下部電極を表示素子毎に独立に形成する工程と、
前記表示素子の各々を分離する隔壁絶縁膜を形成する工
程と、発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記下部電
極とにそれぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液
滴を所定電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて
吐出して、発光層を形成する工程と、を備えたことを特
徴とする。
層を挟持した表示素子がマトリクス状に配置された自己
発光型表示装置の製造方法において、前記一対の電極の
うちの下部電極を表示素子毎に独立に形成する工程と、
前記表示素子の各々を分離する隔壁絶縁膜を形成する工
程と、発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記下部電
極とにそれぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液
滴を所定電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて
吐出して、発光層を形成する工程と、を備えたことを特
徴とする。
【００１０】請求項６は、基板上に配置される複数の信
号線と、前記信号線に略直交して配置される複数の走査
線と、これら交点付近に配置されるスイッチング素子
と、前記スイッチング素子に接続され一対の電極間に発
光層を挟持した表示素子と、がマトリクス状に配置され
た自己発光型表示装置の製造方法において、前記一対の
電極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に形成する工
程と、前記表示素子の各々を分離する隔壁絶縁膜を形成
する工程と、発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記
下部電極とにそれぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルか
らの液滴を所定電位に帯電した状態で前記下部電極上に
向けて吐出して、発光層を形成する工程と、を備えたこ
とを特徴とする。
号線と、前記信号線に略直交して配置される複数の走査
線と、これら交点付近に配置されるスイッチング素子
と、前記スイッチング素子に接続され一対の電極間に発
光層を挟持した表示素子と、がマトリクス状に配置され
た自己発光型表示装置の製造方法において、前記一対の
電極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に形成する工
程と、前記表示素子の各々を分離する隔壁絶縁膜を形成
する工程と、発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記
下部電極とにそれぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルか
らの液滴を所定電位に帯電した状態で前記下部電極上に
向けて吐出して、発光層を形成する工程と、を備えたこ
とを特徴とする。
【００１１】請求項１１は、基板上に一対の電極間に発
光層を挟持した表示素子がマトリクス状に配置された自
己発光型表示装置の製造方法において、前記一対の電極
のうちの下部電極を表示素子毎に独立に形成する工程
と、発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記ノズルの
周囲に配置された電界制御リング、前記下部電極とにそ
れぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴を所定
電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐出し
て、発光層を形成する工程と、を備えたことを特徴とす
る。
光層を挟持した表示素子がマトリクス状に配置された自
己発光型表示装置の製造方法において、前記一対の電極
のうちの下部電極を表示素子毎に独立に形成する工程
と、発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記ノズルの
周囲に配置された電界制御リング、前記下部電極とにそ
れぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴を所定
電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐出し
て、発光層を形成する工程と、を備えたことを特徴とす
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の自己発光型表示
装置の製造方法の一実施の形態について有機ＥＬ表示装
置を例にとり図面を参照して説明する。
装置の製造方法の一実施の形態について有機ＥＬ表示装
置を例にとり図面を参照して説明する。
【００１３】図１は、この発明の一実施の形態にかかる
有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す回路図である。
有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す回路図である。
【００１４】図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１
は、アレイ基板１００を備えている。このアレイ基板１
００は、画像を表示する表示エリア１０２を有してい
る。この表示エリア１０２は、例えば対角１０．４型
（対角１０．４インチ）のサイズを有し、その精細度
は、１５０ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）で
ある。有機ＥＬ表示装置では、表示エリア１０２にマト
リクス状に配置された赤、緑、青にそれぞれ発光する３
種類の発光部すなわち表示素子４０を備えて構成されて
いる。
は、アレイ基板１００を備えている。このアレイ基板１
００は、画像を表示する表示エリア１０２を有してい
る。この表示エリア１０２は、例えば対角１０．４型
（対角１０．４インチ）のサイズを有し、その精細度
は、１５０ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）で
ある。有機ＥＬ表示装置では、表示エリア１０２にマト
リクス状に配置された赤、緑、青にそれぞれ発光する３
種類の発光部すなわち表示素子４０を備えて構成されて
いる。
【００１５】表示素子４０は、素子毎に独立島状に形成
される第１電極すなわち下部電極と、下部電極に対向し
て配置され各素子に共通に形成される第２電極すなわち
上部電極と、これら電極間に保持される高分子系の有機
発光材料からなる発光層と、によって構成される。
される第１電極すなわち下部電極と、下部電極に対向し
て配置され各素子に共通に形成される第２電極すなわち
上部電極と、これら電極間に保持される高分子系の有機
発光材料からなる発光層と、によって構成される。
【００１６】このアレイ基板１００は、表示エリア１０
２において、２つの薄膜トランジスタすなわちＴＦＴ１
０及び２０と、蓄積容量素子３０と、表示素子４０とを
備えている。表示素子４０は、スイッチング素子として
の画素ＴＦＴ１０を介して選択され、表示素子４０に対
する励起電力は、駆動素子２０により制御される。
２において、２つの薄膜トランジスタすなわちＴＦＴ１
０及び２０と、蓄積容量素子３０と、表示素子４０とを
備えている。表示素子４０は、スイッチング素子として
の画素ＴＦＴ１０を介して選択され、表示素子４０に対
する励起電力は、駆動素子２０により制御される。
【００１７】また、アレイ基板１００は、表示素子４０
の行方向に沿って配置された複数の走査線Ｙと、表示素
子４０の列方向に沿って配置された複数の信号線Ｘと、
表示素子４０の下部電極側に電源を供給するための電源
供給線ＶＬと、を備えている。さらに、アレイ基板１０
０は、その周辺エリア１０４に、走査線Ｙに駆動信号を
供給する走査線駆動回路１０６と、信号線Ｘに駆動信号
を供給する信号線駆動回路１０８と、を備えている。
の行方向に沿って配置された複数の走査線Ｙと、表示素
子４０の列方向に沿って配置された複数の信号線Ｘと、
表示素子４０の下部電極側に電源を供給するための電源
供給線ＶＬと、を備えている。さらに、アレイ基板１０
０は、その周辺エリア１０４に、走査線Ｙに駆動信号を
供給する走査線駆動回路１０６と、信号線Ｘに駆動信号
を供給する信号線駆動回路１０８と、を備えている。
【００１８】走査線Ｙは、走査線駆動回路１０６に接続
され、信号線Ｘは、信号線駆動回路１０８に接続されて
いる。画素ＴＦＴ１０は、走査線Ｙと信号線Ｘとの交差
部近傍に配置されている。駆動素子２０は、表示素子４
０と直列に接続されている。また、蓄積容量素子３０
は、画素ＴＦＴ１０と直列に、且つ駆動素子２０と並列
に接続されている。
され、信号線Ｘは、信号線駆動回路１０８に接続されて
いる。画素ＴＦＴ１０は、走査線Ｙと信号線Ｘとの交差
部近傍に配置されている。駆動素子２０は、表示素子４
０と直列に接続されている。また、蓄積容量素子３０
は、画素ＴＦＴ１０と直列に、且つ駆動素子２０と並列
に接続されている。
【００１９】電源供給線ＶＬは、表示エリア１０２の周
囲に配置された下部電極電源線１１０に接続されてい
る。表示素子４０の上部電極側端は、表示エリア１０２
の周囲に配置されコモン電位すなわち接地電位を供給す
る上部電極電源線１１２に接続されている。
囲に配置された下部電極電源線１１０に接続されてい
る。表示素子４０の上部電極側端は、表示エリア１０２
の周囲に配置されコモン電位すなわち接地電位を供給す
る上部電極電源線１１２に接続されている。
【００２０】より詳細に説明すると、画素ＴＦＴ１０の
ゲート電極は走査線Ｙに接続され、ソース電極は信号線
Ｘに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子３０の一端
及び駆動素子２０のゲート電極に接続されている。駆動
素子２０のソース電極は電源供給線ＶＬに接続され、ド
レイン電極は表示素子４０の下部電極に接続されてい
る。蓄積容量素子３０の他端は、電源供給線ＶＬに接続
されている。
ゲート電極は走査線Ｙに接続され、ソース電極は信号線
Ｘに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子３０の一端
及び駆動素子２０のゲート電極に接続されている。駆動
素子２０のソース電極は電源供給線ＶＬに接続され、ド
レイン電極は表示素子４０の下部電極に接続されてい
る。蓄積容量素子３０の他端は、電源供給線ＶＬに接続
されている。
【００２１】画素ＴＦＴ１０は、対応走査線Ｙを介して
選択されたときに対応信号線Ｘの駆動信号を駆動素子２
０及び蓄積容量素子３０に書き込み、駆動素子２０の駆
動を制御する。駆動信号に基づいて駆動素子２０のゲー
ト電圧を調整し、電源供給線ＶＬから表示素子４０に所
望の駆動電流を供給する。
選択されたときに対応信号線Ｘの駆動信号を駆動素子２
０及び蓄積容量素子３０に書き込み、駆動素子２０の駆
動を制御する。駆動信号に基づいて駆動素子２０のゲー
ト電圧を調整し、電源供給線ＶＬから表示素子４０に所
望の駆動電流を供給する。
【００２２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の
一部構造を概略的に示す断面図であり、ここでは、特に
１画素分の表示素子の構造を示している。ここでは、支
持基板と対向する側にＥＬ光を取り出す上面発光方式の
表示装置を例に取り説明する。
一部構造を概略的に示す断面図であり、ここでは、特に
１画素分の表示素子の構造を示している。ここでは、支
持基板と対向する側にＥＬ光を取り出す上面発光方式の
表示装置を例に取り説明する。
【００２３】図２に示すように、アレイ基板１００にお
いて、支持基板１２０としてのガラス基板などの絶縁性
基板上には、画素ＴＦＴ１０、駆動素子２０、走査線駆
動回路１０６、信号線駆動回路１０８などが一体的に形
成されている。これらは、その半導体層にポリシリコン
薄膜を用いたＴＦＴにより構成され、同一工程で形成さ
れる。これらＴＦＴは、支持基板１２０上に配置された
ポリシリコン半導体層Ｐと、第１絶縁膜５２を介して配
置されたゲート電極Ｇと、第１絶縁膜５２及び第２絶縁
膜５４を介してポリシリコン半導体層Ｐのソース領域Ｐ
Ｓにコンタクトしたソース電極Ｓと、第１絶縁膜５２及
び第２絶縁膜５４を介してポリシリコン半導体層Ｐのド
レイン領域ＰＤにコンタクトしたドレイン電極Ｄと、を
備えている。
いて、支持基板１２０としてのガラス基板などの絶縁性
基板上には、画素ＴＦＴ１０、駆動素子２０、走査線駆
動回路１０６、信号線駆動回路１０８などが一体的に形
成されている。これらは、その半導体層にポリシリコン
薄膜を用いたＴＦＴにより構成され、同一工程で形成さ
れる。これらＴＦＴは、支持基板１２０上に配置された
ポリシリコン半導体層Ｐと、第１絶縁膜５２を介して配
置されたゲート電極Ｇと、第１絶縁膜５２及び第２絶縁
膜５４を介してポリシリコン半導体層Ｐのソース領域Ｐ
Ｓにコンタクトしたソース電極Ｓと、第１絶縁膜５２及
び第２絶縁膜５４を介してポリシリコン半導体層Ｐのド
レイン領域ＰＤにコンタクトしたドレイン電極Ｄと、を
備えている。
【００２４】表示素子４０は、第２絶縁膜５４上に配置
された第３絶縁膜５６上に配置されている。１画素分の
表示素子４０は、ストライプ状に配置された隔壁絶縁膜
１３０によって区画されている。この表示素子４０の下
部電極６２は、光透過性導電材料であるＩＴＯを用いて
陽極とし、さらに、ここでは、効率よくＥＬ光を表示面
側へ出射するよう反射金属層６０を備えて構成されてい
る。
された第３絶縁膜５６上に配置されている。１画素分の
表示素子４０は、ストライプ状に配置された隔壁絶縁膜
１３０によって区画されている。この表示素子４０の下
部電極６２は、光透過性導電材料であるＩＴＯを用いて
陽極とし、さらに、ここでは、効率よくＥＬ光を表示面
側へ出射するよう反射金属層６０を備えて構成されてい
る。
【００２５】すなわち、金属反射層６０は、第３絶縁膜
５６上に配置され、駆動素子２０のドレイン電極Ｄに接
続されている。この金属反射層６０は、アルミニウムと
モリブデンとを積層するなどの遮光性の金属によって形
成されている。このように、下部電極６２が、ＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウム・テ
ィン・オキサイド）やＩＺＯ（インジウム・ジンク・オ
キサイド）などの光透過性導電材料によって形成される
場合には、ＥＬ発光が支持基板１２０側に漏れるのを抑
制するため、下部電極６２の下層に金属反射層６０を備
えることが望ましい。また、下部電極を陽極として用い
る場合には、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ
（金）などの光反射性を有する貴金属材料を用いる場合
には、金属反射層を省略しても良い。
５６上に配置され、駆動素子２０のドレイン電極Ｄに接
続されている。この金属反射層６０は、アルミニウムと
モリブデンとを積層するなどの遮光性の金属によって形
成されている。このように、下部電極６２が、ＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウム・テ
ィン・オキサイド）やＩＺＯ（インジウム・ジンク・オ
キサイド）などの光透過性導電材料によって形成される
場合には、ＥＬ発光が支持基板１２０側に漏れるのを抑
制するため、下部電極６２の下層に金属反射層６０を備
えることが望ましい。また、下部電極を陽極として用い
る場合には、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ
（金）などの光反射性を有する貴金属材料を用いる場合
には、金属反射層を省略しても良い。
【００２６】発光層６４は、下部に配置された下部電極
６２と、下部電極６２に対向配置された上部電極６６と
の間に挟持されている。なお、発光層６４は、各色共通
に形成されるホール輸送層、エレクトロン輸送層、及び
各色毎に形成される有機発光層の３層積層で構成されて
も良く、機能的に複合された２層または単層で構成され
ても良い。例えば、ホール輸送層は、陽極（下部電極）
６２上に配置され、芳香族アミン誘導体やポリチオフェ
ン誘導体、ポリアニリン誘導体などの薄膜によって形成
されている。有機発光層は、ホール輸送層上に配置さ
れ、赤、緑、または青に発光する有機化合物によって形
成されている。この有機発光層は、例えば高分子系材料
を採用する場合には、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニ
レン）やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などを
積層して構成されている。
６２と、下部電極６２に対向配置された上部電極６６と
の間に挟持されている。なお、発光層６４は、各色共通
に形成されるホール輸送層、エレクトロン輸送層、及び
各色毎に形成される有機発光層の３層積層で構成されて
も良く、機能的に複合された２層または単層で構成され
ても良い。例えば、ホール輸送層は、陽極（下部電極）
６２上に配置され、芳香族アミン誘導体やポリチオフェ
ン誘導体、ポリアニリン誘導体などの薄膜によって形成
されている。有機発光層は、ホール輸送層上に配置さ
れ、赤、緑、または青に発光する有機化合物によって形
成されている。この有機発光層は、例えば高分子系材料
を採用する場合には、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニ
レン）やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などを
積層して構成されている。
【００２７】上部電極６６は、発光層６４上に各表示素
子４０に共通に配置され、光透過性導電材料によって形
成されている。ここでは、上部電極６６を陰極とするの
で、例えばＣａ（カルシウム）を光透過性を有する程度
に薄く、およそ３０ｎｍの厚さで形成する。なお、Ｃａ
上にＩＴＯなどの透明導電膜を積層しても良い。
子４０に共通に配置され、光透過性導電材料によって形
成されている。ここでは、上部電極６６を陰極とするの
で、例えばＣａ（カルシウム）を光透過性を有する程度
に薄く、およそ３０ｎｍの厚さで形成する。なお、Ｃａ
上にＩＴＯなどの透明導電膜を積層しても良い。
【００２８】このように構成された表示素子４０では、
下部電極６２と上部電極６６との間に挟持された発光層
６４に電子及びホールを注入し、これらを再結合させる
ことにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じ
る所定波長の光放出により発光する。このＥＬ発光は、
アレイ基板１００の表示面側すなわち上部電極６６側か
ら出射される。
下部電極６２と上部電極６６との間に挟持された発光層
６４に電子及びホールを注入し、これらを再結合させる
ことにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じ
る所定波長の光放出により発光する。このＥＬ発光は、
アレイ基板１００の表示面側すなわち上部電極６６側か
ら出射される。
【００２９】ところで、上述したように、支持基板１２
０と対向する側を表示面とする上面発光方式の有機ＥＬ
表示装置１においては、上部電極６６側からＥＬ発光を
出射させる必要がある。このため、上部電極６６は、光
透過性を有する導電性部材によって形成される。この光
透過性導電材料は、材料自体の透明度が高い透明導電材
料を用いて形成するか、あるいは、材料自体の透明度の
低い材料を薄く形成して透過性を持たせるように形成す
ることができる。
０と対向する側を表示面とする上面発光方式の有機ＥＬ
表示装置１においては、上部電極６６側からＥＬ発光を
出射させる必要がある。このため、上部電極６６は、光
透過性を有する導電性部材によって形成される。この光
透過性導電材料は、材料自体の透明度が高い透明導電材
料を用いて形成するか、あるいは、材料自体の透明度の
低い材料を薄く形成して透過性を持たせるように形成す
ることができる。
【００３０】上述した実施の形態では、上部電極６６を
陰極とし、その材料にＣａを用いる場合について説明し
たが、これに限定されず、アルカリ土類金属や、アルカ
リ金属、希土類金属などを用いても良い。
陰極とし、その材料にＣａを用いる場合について説明し
たが、これに限定されず、アルカリ土類金属や、アルカ
リ金属、希土類金属などを用いても良い。
【００３１】このような光透過性導電材料をシート状に
成膜する上部電極６６として適用した場合、表示エリア
１０２面内で電位が異なり、表示ムラなどの表示不良を
発生するおそれがある。
成膜する上部電極６６として適用した場合、表示エリア
１０２面内で電位が異なり、表示ムラなどの表示不良を
発生するおそれがある。
【００３２】そこで、この実施の形態に係る有機ＥＬ表
示装置１では、表示素子４０の上部電極６６と電気的に
接続され、表示エリア１０２に配置された補助配線７０
を備えている。この補助配線７０は、図２に示すよう
に、表示エリア１０２における各画素を電気的に分離す
る隔壁絶縁膜１３０上に配置されている。
示装置１では、表示素子４０の上部電極６６と電気的に
接続され、表示エリア１０２に配置された補助配線７０
を備えている。この補助配線７０は、図２に示すよう
に、表示エリア１０２における各画素を電気的に分離す
る隔壁絶縁膜１３０上に配置されている。
【００３３】また、各補助配線７０は、図１に示すよう
に、上部電極６６に電源を供給するための上部電極電源
線１１２に共通に電気的に接続され、表示エリア１０２
にわたり互いに連結されている。これにより、補助配線
７０には、上部電極６６と同様に、接地電位が供給され
る。
に、上部電極６６に電源を供給するための上部電極電源
線１１２に共通に電気的に接続され、表示エリア１０２
にわたり互いに連結されている。これにより、補助配線
７０には、上部電極６６と同様に、接地電位が供給され
る。
【００３４】この補助配線７０は、例えば、アルミニウ
ム（Ａｌ）をモリブデン（Ｍｏ）でサンドイッチしたＭ
ｏ／Ａｌ／Ｍｏ（ＭＡＭ）構造で形成されている。この
ＭＡＭ構造補助配線７０の抵抗率は、約３μΩｃｍであ
る。また、少なくともその一部が補助配線７０の上に積
層配置された上部電極６６をＣａ／ＩＴＯによって形成
した場合、その抵抗率は、実測で約５００μΩｃｍであ
って、ＭＡＭ構造補助配線７０と比較して２桁強の大き
な値を示した。
ム（Ａｌ）をモリブデン（Ｍｏ）でサンドイッチしたＭ
ｏ／Ａｌ／Ｍｏ（ＭＡＭ）構造で形成されている。この
ＭＡＭ構造補助配線７０の抵抗率は、約３μΩｃｍであ
る。また、少なくともその一部が補助配線７０の上に積
層配置された上部電極６６をＣａ／ＩＴＯによって形成
した場合、その抵抗率は、実測で約５００μΩｃｍであ
って、ＭＡＭ構造補助配線７０と比較して２桁強の大き
な値を示した。
【００３５】なお、上述した実施の形態では、補助配線
７０をＭＡＭ構造で構成したが、他の金属材料で構成し
ても良い。例えば、補助配線７０は、アルミニウム、銅
（抵抗率：１．７μΩｃｍ）、金（抵抗率：２．４μΩ
ｃｍ）、銀、チタン（抵抗率：５．０μΩｃｍ）、タン
グステン（抵抗率：５．６μΩｃｍ）などの金属単体膜
や、銀・パラジウム・銅（抵抗率：２．２μΩｃｍ）、
アルミニウム・ネオジウム（抵抗率：４．７μΩｃ
ｍ）、アルミニウム・パラジウム・銅などの合金膜、も
しくは、それらを少なくとも１層含む多層膜のいずれか
で形成しても良い。
７０をＭＡＭ構造で構成したが、他の金属材料で構成し
ても良い。例えば、補助配線７０は、アルミニウム、銅
（抵抗率：１．７μΩｃｍ）、金（抵抗率：２．４μΩ
ｃｍ）、銀、チタン（抵抗率：５．０μΩｃｍ）、タン
グステン（抵抗率：５．６μΩｃｍ）などの金属単体膜
や、銀・パラジウム・銅（抵抗率：２．２μΩｃｍ）、
アルミニウム・ネオジウム（抵抗率：４．７μΩｃ
ｍ）、アルミニウム・パラジウム・銅などの合金膜、も
しくは、それらを少なくとも１層含む多層膜のいずれか
で形成しても良い。
【００３６】また、上述した実施の形態においては、下
部電極をＩＴＯで形成し、上部電極をＣａ／ＩＴＯで形
成する場合について述べたが、これに限定されず、電極
の極性に合わせて最適な材料を選択することが望まし
い。例えば、下部電極を陰極としてＢａ（バリウム）で
形成し、上部電極を陽極としてＩＴＯで形成することが
できる。
部電極をＩＴＯで形成し、上部電極をＣａ／ＩＴＯで形
成する場合について述べたが、これに限定されず、電極
の極性に合わせて最適な材料を選択することが望まし
い。例えば、下部電極を陰極としてＢａ（バリウム）で
形成し、上部電極を陽極としてＩＴＯで形成することが
できる。
【００３７】ところで、上述した有機ＥＬ表示装置１
は、以下のようにして製造される。
は、以下のようにして製造される。
【００３８】すなわち、支持基板１２０上に、金属材料
や絶縁材料の成膜、パターニングなどの処理を繰り返
し、画素ＴＦＴ１０、駆動素子２０、蓄積容量素子３
０、第１乃至第３絶縁膜５２、５４、５６などを形成す
る。続いて、第３絶縁膜５６のコンタクトホール５６ｃ
を介して駆動素子２０のドレイン電極Ｄに接続された下
部電極６２を表示素子４０毎に独立に形成する。この実
施の形態では、反射金属層を介して駆動素子２０のドレ
イン電極と下部電極が接続される。
や絶縁材料の成膜、パターニングなどの処理を繰り返
し、画素ＴＦＴ１０、駆動素子２０、蓄積容量素子３
０、第１乃至第３絶縁膜５２、５４、５６などを形成す
る。続いて、第３絶縁膜５６のコンタクトホール５６ｃ
を介して駆動素子２０のドレイン電極Ｄに接続された下
部電極６２を表示素子４０毎に独立に形成する。この実
施の形態では、反射金属層を介して駆動素子２０のドレ
イン電極と下部電極が接続される。
【００３９】続いて、表示素子４０の各々を分離する隔
壁絶縁膜１３０をストライプ状に形成する。２本の隔壁
絶縁膜１３０に囲まれた複数の表示素子４０は、列ごと
に同一の色に発光する。
壁絶縁膜１３０をストライプ状に形成する。２本の隔壁
絶縁膜１３０に囲まれた複数の表示素子４０は、列ごと
に同一の色に発光する。
【００４０】続いて、隔壁絶縁膜１３０上に補助配線７
０を形成する。この補助配線７０は、少なくとも異なる
色の各表示素子間の隔壁絶縁膜１３０上に配置され、こ
の実施の形態の場合では、ストライプ状に形成される。
０を形成する。この補助配線７０は、少なくとも異なる
色の各表示素子間の隔壁絶縁膜１３０上に配置され、こ
の実施の形態の場合では、ストライプ状に形成される。
【００４１】続いて、下部電極６２上に発光層６４を形
成する。この発光層形成工程では、インクジェット法が
用いられる。そして、発光材料の液滴が所望の位置に吐
出されるよう対象の下部電極に引力が働くよう制御す
る。また、他の下部電極との間に斥力が働くよう制御し
ても良く、さらに、構造に応じて補助配線や信号線との
間の斥力を調整しても良い。
成する。この発光層形成工程では、インクジェット法が
用いられる。そして、発光材料の液滴が所望の位置に吐
出されるよう対象の下部電極に引力が働くよう制御す
る。また、他の下部電極との間に斥力が働くよう制御し
ても良く、さらに、構造に応じて補助配線や信号線との
間の斥力を調整しても良い。
【００４２】まず、表示素子を順次駆動して、蓄積容量
素子３０に所定電位を書き込む。このとき、発光層６４
を形成する発光材料の液滴が塗布される塗布列の下部電
極６２に電圧Ｖ１が印加されるとともに、発光材料の液
滴が塗布されない列の下部電極６２に電圧Ｖ２が印加さ
れる。そして、画素ＴＦＴ１０がオフの状態で塗布列の
両脇に配置された信号線に電圧Ｖ３が印加されるととも
に、他の信号線に電圧Ｖ４が印加される。さらに、補助
配線７０に電圧Ｖ５を印加する。このような状態におい
て、発光材料の液滴を吐出するインクジェット装置のノ
ズルに電圧Ｖ６を印加することにより、ノズルからの液
滴を所定電位Ｖ７に帯電した状態で下部電極６２に向け
て吐出する。
素子３０に所定電位を書き込む。このとき、発光層６４
を形成する発光材料の液滴が塗布される塗布列の下部電
極６２に電圧Ｖ１が印加されるとともに、発光材料の液
滴が塗布されない列の下部電極６２に電圧Ｖ２が印加さ
れる。そして、画素ＴＦＴ１０がオフの状態で塗布列の
両脇に配置された信号線に電圧Ｖ３が印加されるととも
に、他の信号線に電圧Ｖ４が印加される。さらに、補助
配線７０に電圧Ｖ５を印加する。このような状態におい
て、発光材料の液滴を吐出するインクジェット装置のノ
ズルに電圧Ｖ６を印加することにより、ノズルからの液
滴を所定電位Ｖ７に帯電した状態で下部電極６２に向け
て吐出する。
【００４３】例えば、図３に示すように、下部電極６２
が絶縁膜（第３絶縁膜）を介して駆動素子と接続される
構造で、補助配線が隔壁絶縁膜上に配置される場合に
は、補助配線とノズルとの間、下部電極とノズルとの間
の電界により、発光材料の吐出精度を向上させることが
できる。
が絶縁膜（第３絶縁膜）を介して駆動素子と接続される
構造で、補助配線が隔壁絶縁膜上に配置される場合に
は、補助配線とノズルとの間、下部電極とノズルとの間
の電界により、発光材料の吐出精度を向上させることが
できる。
【００４４】すなわち、下部電極６２と補助配線７０と
の間に電圧（Ｅ２）を印加する。また同時に、下部電極
６２とインクジェット装置８０のノズル８２との間にも
電圧（Ｅ１＋Ｅ２）を印加する。これにより、下部電極
６２にプラスの電荷、補助配線７０及びノズル８２にマ
イナスの電荷をそれぞれ帯電させる。
の間に電圧（Ｅ２）を印加する。また同時に、下部電極
６２とインクジェット装置８０のノズル８２との間にも
電圧（Ｅ１＋Ｅ２）を印加する。これにより、下部電極
６２にプラスの電荷、補助配線７０及びノズル８２にマ
イナスの電荷をそれぞれ帯電させる。
【００４５】なお、印加電圧Ｅ１、Ｅ２の値は、ノズル
８２から吐出される液滴８４の大きさ、液滴８４の吐出
速度、ノズル８２から標的としての下部電極６２までの
距離などの液滴８４の塗布条件により異なり、その条件
により最適値となるよう調整して決める。この実施の形
態では、例えば、液滴の大きさが約４０μｍであり、吐
出速度が３乃至１０ｍｍ／ｓｅｃであり、ノズルから下
部電極６２までの距離が約１ｍｍである。
８２から吐出される液滴８４の大きさ、液滴８４の吐出
速度、ノズル８２から標的としての下部電極６２までの
距離などの液滴８４の塗布条件により異なり、その条件
により最適値となるよう調整して決める。この実施の形
態では、例えば、液滴の大きさが約４０μｍであり、吐
出速度が３乃至１０ｍｍ／ｓｅｃであり、ノズルから下
部電極６２までの距離が約１ｍｍである。
【００４６】これにより、ノズル８２内の液滴もマイナ
スに帯電するので、ノズル８２から液滴８４を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極６２に向かう飛行軌道
から外れて補助配線７０方向に向かった液滴８４は、補
助配線７０との斥力により反発されると同時に下部電極
６２との引力により引き寄せられる。したがって、ノズ
ル８２から吐出された液滴８４の飛行軌道を、標的であ
る下部電極６２に向かう方向に軌道修正することが可能
となる。
スに帯電するので、ノズル８２から液滴８４を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極６２に向かう飛行軌道
から外れて補助配線７０方向に向かった液滴８４は、補
助配線７０との斥力により反発されると同時に下部電極
６２との引力により引き寄せられる。したがって、ノズ
ル８２から吐出された液滴８４の飛行軌道を、標的であ
る下部電極６２に向かう方向に軌道修正することが可能
となる。
【００４７】発光層形成工程の後、上部電極６６を形成
して、アレイ基板１００が製造される。
して、アレイ基板１００が製造される。
【００４８】上述した実施の形態によれば、液滴の飛行
軌道を修正することにより、吐出液滴の塗布領域マージ
ンを小さく設定することが可能となり、表示素子を高精
細化した場合であっても、発光材料の塗布精度を向上さ
せることが可能となる。このため、隣接する異なる色の
表示素子における発光層での混色を防止することが可能
となり、表示品位を向上することが可能となる。
軌道を修正することにより、吐出液滴の塗布領域マージ
ンを小さく設定することが可能となり、表示素子を高精
細化した場合であっても、発光材料の塗布精度を向上さ
せることが可能となる。このため、隣接する異なる色の
表示素子における発光層での混色を防止することが可能
となり、表示品位を向上することが可能となる。
【００４９】上述した実施の形態では、隔壁絶縁膜１３
０上に補助配線７０を配置したが、必ずしも補助配線７
０を配置する必要はない。すなわち、図４に示すよう
に、補助配線７０を削除した他は上述した実施の形態と
同一の構成であっても、発光層６４を形成する際に、下
部電極−ノズル間の電界を制御して発光材料の塗布精度
を向上することが可能である。
０上に補助配線７０を配置したが、必ずしも補助配線７
０を配置する必要はない。すなわち、図４に示すよう
に、補助配線７０を削除した他は上述した実施の形態と
同一の構成であっても、発光層６４を形成する際に、下
部電極−ノズル間の電界を制御して発光材料の塗布精度
を向上することが可能である。
【００５０】この実施の形態では、表示素子４０の各々
を分離する隔壁絶縁膜１３０をストライプ状に形成した
後、下部電極６２上に発光層６４を形成する。この発光
層形成工程では、例えば、図５に示すように、下部電極
６２とインクジェット装置８０のノズル８２との間にも
電圧（Ｅ１）を印加する。これにより、下部電極６２に
マイナスの電荷、ノズル８２にマイナスの電荷をそれぞ
れ帯電させる。
を分離する隔壁絶縁膜１３０をストライプ状に形成した
後、下部電極６２上に発光層６４を形成する。この発光
層形成工程では、例えば、図５に示すように、下部電極
６２とインクジェット装置８０のノズル８２との間にも
電圧（Ｅ１）を印加する。これにより、下部電極６２に
マイナスの電荷、ノズル８２にマイナスの電荷をそれぞ
れ帯電させる。
【００５１】これにより、ノズル８２内の液滴もマイナ
スに帯電するので、ノズル８２から液滴８４を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極６２に向かう飛行軌道
から外れた液滴８４は、下部電極６２との引力により引
き寄せられる。したがって、ノズル８２から吐出された
液滴８４の飛行軌道を、標的である下部電極６２に向か
う方向に軌道修正することが可能となる。
スに帯電するので、ノズル８２から液滴８４を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極６２に向かう飛行軌道
から外れた液滴８４は、下部電極６２との引力により引
き寄せられる。したがって、ノズル８２から吐出された
液滴８４の飛行軌道を、標的である下部電極６２に向か
う方向に軌道修正することが可能となる。
【００５２】この図４及び図５に示した実施の形態にお
ける発光層形成工程の後に、図２及び図３に示した先の
実施の形態のように、隔壁絶縁膜１３０上に補助配線７
０を配置しても良い。
ける発光層形成工程の後に、図２及び図３に示した先の
実施の形態のように、隔壁絶縁膜１３０上に補助配線７
０を配置しても良い。
【００５３】図２及び図３に示した実施の形態では、補
助配線７０を隔壁絶縁膜１３０上に配置したが、補助配
線７０は、必ずしも隔壁絶縁膜１３０上に配置しなくて
も良い。すなわち、図６に示すように、補助配線７０を
隔壁絶縁膜１３０の下層、例えば反射金属層あるいは下
部電極と同一平面上に配置してもよく、発光層６４を形
成する際に、下部電極とノズルとの間、及び補助配線と
ノズルとの間の電界を制御して発光材料の塗布精度を向
上することが可能である。
助配線７０を隔壁絶縁膜１３０上に配置したが、補助配
線７０は、必ずしも隔壁絶縁膜１３０上に配置しなくて
も良い。すなわち、図６に示すように、補助配線７０を
隔壁絶縁膜１３０の下層、例えば反射金属層あるいは下
部電極と同一平面上に配置してもよく、発光層６４を形
成する際に、下部電極とノズルとの間、及び補助配線と
ノズルとの間の電界を制御して発光材料の塗布精度を向
上することが可能である。
【００５４】この実施の形態では、隣接する異なる色の
表示素子間に補助配線７０を形成し、この補助配線７０
を覆うように表示素子４０の各々を分離する隔壁絶縁膜
１３０をストライプ状に形成した後、下部電極６２上に
発光層６４を形成する。補助配線７０は、反射電極ある
いは下部電極６２と同一の材料で同一工程で形成するこ
とができる。これにより、工程数を増加することなく補
助配線７０を形成することができる。
表示素子間に補助配線７０を形成し、この補助配線７０
を覆うように表示素子４０の各々を分離する隔壁絶縁膜
１３０をストライプ状に形成した後、下部電極６２上に
発光層６４を形成する。補助配線７０は、反射電極ある
いは下部電極６２と同一の材料で同一工程で形成するこ
とができる。これにより、工程数を増加することなく補
助配線７０を形成することができる。
【００５５】また発光層形成工程では、例えば、図７に
示すように、下部電極６２と補助配線７０との間に電圧
（Ｅ２）を印加する。また同時に、下部電極６２とイン
クジェット装置８０のノズル８２との間にも電圧（Ｅ１
＋Ｅ２）を印加する。これにより、下部電極６２にプラ
スの電荷、補助配線７０及びノズル８２にマイナスの電
荷をそれぞれ帯電させる。
示すように、下部電極６２と補助配線７０との間に電圧
（Ｅ２）を印加する。また同時に、下部電極６２とイン
クジェット装置８０のノズル８２との間にも電圧（Ｅ１
＋Ｅ２）を印加する。これにより、下部電極６２にプラ
スの電荷、補助配線７０及びノズル８２にマイナスの電
荷をそれぞれ帯電させる。
【００５６】これにより、ノズル８２内の液滴もマイナ
スに帯電するので、ノズル８２から液滴８４を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極６２に向かう飛行軌道
から外れて補助配線７０方向に向かった液滴８４は、補
助配線７０との斥力により反発されると同時に下部電極
６２との引力により引き寄せられる。したがって、ノズ
ル８２から吐出された液滴８４の飛行軌道を、標的であ
る下部電極６２に向かう方向に軌道修正することが可能
となる。
スに帯電するので、ノズル８２から液滴８４を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極６２に向かう飛行軌道
から外れて補助配線７０方向に向かった液滴８４は、補
助配線７０との斥力により反発されると同時に下部電極
６２との引力により引き寄せられる。したがって、ノズ
ル８２から吐出された液滴８４の飛行軌道を、標的であ
る下部電極６２に向かう方向に軌道修正することが可能
となる。
【００５７】以上、図２乃至図７に示した３つの実施の
形態では、支持基板上に回路素子を集積し、この回路素
子上に有機ＥＬ素子を配置し、支持基板と対向する側に
透過性を有する電極を配置して、ＥＬ発光をこの光透過
性電極から取り出す、いわゆる上面発光方式の有機ＥＬ
表示装置を例に取り説明したが、ＥＬ発光を支持基板側
から取り出す、いわゆる下面発光方式の有機ＥＬ表示装
置に適用してもよく、この場合には反射金属層は不要で
ある。次に、下面発光方式の有機ＥＬ表示装置を例にと
り説明する。例えば、図８及び図１４に示すように、第
２絶縁膜５４上に配置された下部電極６２が駆動素子２
０のソース電極Ｓに電気的に接続され、また、下部電極
６２と同一層に配置された信号線Ｘが駆動素子２０のド
レイン電極Ｄと一体に形成されている。
形態では、支持基板上に回路素子を集積し、この回路素
子上に有機ＥＬ素子を配置し、支持基板と対向する側に
透過性を有する電極を配置して、ＥＬ発光をこの光透過
性電極から取り出す、いわゆる上面発光方式の有機ＥＬ
表示装置を例に取り説明したが、ＥＬ発光を支持基板側
から取り出す、いわゆる下面発光方式の有機ＥＬ表示装
置に適用してもよく、この場合には反射金属層は不要で
ある。次に、下面発光方式の有機ＥＬ表示装置を例にと
り説明する。例えば、図８及び図１４に示すように、第
２絶縁膜５４上に配置された下部電極６２が駆動素子２
０のソース電極Ｓに電気的に接続され、また、下部電極
６２と同一層に配置された信号線Ｘが駆動素子２０のド
レイン電極Ｄと一体に形成されている。
【００５８】この有機ＥＬ表示装置は、以下のようにし
て製造される。
て製造される。
【００５９】すなわち、支持基板１２０上に、金属材料
や絶縁材料の成膜、パターニングなどの処理を繰り返
し、画素ＴＦＴ１０、駆動素子２０のポリシリコン半導
体層Ｐ及びゲート電極Ｇ、蓄積容量素子３０、第１及び
第２絶縁膜５２、５４などを形成する。続いて、第２絶
縁膜５４上に下部電極６２を表示素子４０毎に独立に形
成する。続いて、駆動素子２０のソース電極Ｓ及びドレ
イン電極Ｄなどを形成する。このとき、ソース電極Ｓ
は、信号線Ｘと一体に形成される。駆動素子２０のドレ
イン電極Ｄは、下部電極６２に電気的に接続されてい
る。
や絶縁材料の成膜、パターニングなどの処理を繰り返
し、画素ＴＦＴ１０、駆動素子２０のポリシリコン半導
体層Ｐ及びゲート電極Ｇ、蓄積容量素子３０、第１及び
第２絶縁膜５２、５４などを形成する。続いて、第２絶
縁膜５４上に下部電極６２を表示素子４０毎に独立に形
成する。続いて、駆動素子２０のソース電極Ｓ及びドレ
イン電極Ｄなどを形成する。このとき、ソース電極Ｓ
は、信号線Ｘと一体に形成される。駆動素子２０のドレ
イン電極Ｄは、下部電極６２に電気的に接続されてい
る。
【００６０】続いて、表示素子４０の各々を分離する隔
壁絶縁膜１３０をストライプ状に形成する。２本の隔壁
絶縁膜１３０に囲まれた複数の表示素子４０は、列ごと
に同一の色に発光する。
壁絶縁膜１３０をストライプ状に形成する。２本の隔壁
絶縁膜１３０に囲まれた複数の表示素子４０は、列ごと
に同一の色に発光する。
【００６１】続いて、下部電極６２上に発光層６４を形
成する。この実施の形態のように、信号線と下部電極と
が同一平面上に配置される構造では、信号線とノズルと
の間、下部電極とノズルとの間の電界を制御して発光材
料の吐出精度を向上させることができる。
成する。この実施の形態のように、信号線と下部電極と
が同一平面上に配置される構造では、信号線とノズルと
の間、下部電極とノズルとの間の電界を制御して発光材
料の吐出精度を向上させることができる。
【００６２】すなわち、この発光層形成工程では、例え
ば、図９に示すように、下部電極６２と信号線Ｘとの間
に電圧（Ｅ２）を印加する。また同時に、下部電極６２
とインクジェット装置８０のノズル８２との間にも電圧
（Ｅ１＋Ｅ２）を印加する。これにより、下部電極６２
にプラスの電荷、信号線Ｘ及びノズル８２にマイナスの
電荷をそれぞれ帯電させる。
ば、図９に示すように、下部電極６２と信号線Ｘとの間
に電圧（Ｅ２）を印加する。また同時に、下部電極６２
とインクジェット装置８０のノズル８２との間にも電圧
（Ｅ１＋Ｅ２）を印加する。これにより、下部電極６２
にプラスの電荷、信号線Ｘ及びノズル８２にマイナスの
電荷をそれぞれ帯電させる。
【００６３】これにより、ノズル８２内の液滴もマイナ
スに帯電するので、ノズル８２から液滴８４を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極６２に向かう飛行軌道
から外れて信号線Ｘ方向に向かった液滴８４は、信号線
Ｘとの斥力により反発されると同時に下部電極６２との
引力により引き寄せられる。したがって、ノズル８２か
ら吐出された液滴８４の飛行軌道を、標的である下部電
極６２に向かう方向に軌道修正することが可能となる。
スに帯電するので、ノズル８２から液滴８４を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極６２に向かう飛行軌道
から外れて信号線Ｘ方向に向かった液滴８４は、信号線
Ｘとの斥力により反発されると同時に下部電極６２との
引力により引き寄せられる。したがって、ノズル８２か
ら吐出された液滴８４の飛行軌道を、標的である下部電
極６２に向かう方向に軌道修正することが可能となる。
【００６４】この図８、図９及び図１４に示した実施の
形態に補助配線を追加しても良い。また、図１０に示す
ように、補助配線７０を隔壁絶縁膜１３０上に配置した
後に、発光層を形成する場合には、補助配線とノズルと
の間、下部電極とノズルとの間、信号線とノズルとの間
の電界を制御して発光材料の塗布精度を向上することも
可能である。
形態に補助配線を追加しても良い。また、図１０に示す
ように、補助配線７０を隔壁絶縁膜１３０上に配置した
後に、発光層を形成する場合には、補助配線とノズルと
の間、下部電極とノズルとの間、信号線とノズルとの間
の電界を制御して発光材料の塗布精度を向上することも
可能である。
【００６５】この実施の形態では、表示素子４０の各々
を分離する隔壁絶縁膜１３０をストライプ状に形成した
後に、隔壁絶縁膜１３０上に補助配線７０を形成する。
この補助配線７０は、少なくとも異なる色の各表示素子
間の隔壁絶縁膜１３０上に配置され、この実施の形態の
場合には、ストライプ状に形成される。
を分離する隔壁絶縁膜１３０をストライプ状に形成した
後に、隔壁絶縁膜１３０上に補助配線７０を形成する。
この補助配線７０は、少なくとも異なる色の各表示素子
間の隔壁絶縁膜１３０上に配置され、この実施の形態の
場合には、ストライプ状に形成される。
【００６６】続いて、下部電極６２上に発光層６４を形
成する。この発光層形成工程では、例えば、図１１に示
すように、下部電極６２と信号線Ｘとの間に電圧（Ｅ
３）を印加する。また同時に、下部電極６２と補助配線
７０との間に電圧（Ｅ２＋Ｅ３）を印加する。また同時
に、下部電極６２とインクジェット装置８０のノズル８
２との間にも電圧（Ｅ１＋Ｅ２＋Ｅ３）を印加する。こ
れにより、下部電極６２にプラスの電荷、補助配線７
０、信号線Ｘ及びノズル８２にマイナスの電荷をそれぞ
れ帯電させる。
成する。この発光層形成工程では、例えば、図１１に示
すように、下部電極６２と信号線Ｘとの間に電圧（Ｅ
３）を印加する。また同時に、下部電極６２と補助配線
７０との間に電圧（Ｅ２＋Ｅ３）を印加する。また同時
に、下部電極６２とインクジェット装置８０のノズル８
２との間にも電圧（Ｅ１＋Ｅ２＋Ｅ３）を印加する。こ
れにより、下部電極６２にプラスの電荷、補助配線７
０、信号線Ｘ及びノズル８２にマイナスの電荷をそれぞ
れ帯電させる。
【００６７】これにより、ノズル８２内の液滴もマイナ
スに帯電するので、ノズル８２から液滴８４を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極６２に向かう飛行軌道
から外れて補助配線７０方向に向かった液滴８４は、補
助配線７０との斥力及び信号線Ｘとの斥力により反発さ
れると同時に下部電極６２との引力により引き寄せられ
る。したがって、ノズル８２から吐出された液滴８４の
飛行軌道を、標的である下部電極６２に向かう方向に軌
道修正することが可能となる。
スに帯電するので、ノズル８２から液滴８４を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極６２に向かう飛行軌道
から外れて補助配線７０方向に向かった液滴８４は、補
助配線７０との斥力及び信号線Ｘとの斥力により反発さ
れると同時に下部電極６２との引力により引き寄せられ
る。したがって、ノズル８２から吐出された液滴８４の
飛行軌道を、標的である下部電極６２に向かう方向に軌
道修正することが可能となる。
【００６８】上述した図２乃至図１１に示した実施の形
態では、下部電極とインクジェット装置のノズルとの間
に電圧を印加する他に、下部電極と信号線や補助配線と
の間に電圧を印加して液滴の飛行軌道を制御したが、図
１２に示すように、インクジェット装置８０のノズル８
２付近に電界制御リング８６を配置する構成であって
も、発光層６４を形成する際に、発光材料の塗布精度を
向上することが可能である。
態では、下部電極とインクジェット装置のノズルとの間
に電圧を印加する他に、下部電極と信号線や補助配線と
の間に電圧を印加して液滴の飛行軌道を制御したが、図
１２に示すように、インクジェット装置８０のノズル８
２付近に電界制御リング８６を配置する構成であって
も、発光層６４を形成する際に、発光材料の塗布精度を
向上することが可能である。
【００６９】この実施の形態では、表示素子４０の各々
を分離する隔壁絶縁膜１３０をストライプ状に形成した
後、下部電極６２上に発光層６４を形成する。この発光
層形成工程では、例えば、図１２に示すように、下部電
極６２とインクジェット装置８０の電界制御リング８６
との間にも電圧（Ｅ２）を印加する。下部電極６２とイ
ンクジェット装置８０のノズル８２との間にも電圧（Ｅ
１＋Ｅ２）を印加する。これにより、下部電極６２にプ
ラスの電荷、ノズル８２及び電界制御リング８６にマイ
ナスの電荷をそれぞれ帯電させる。
を分離する隔壁絶縁膜１３０をストライプ状に形成した
後、下部電極６２上に発光層６４を形成する。この発光
層形成工程では、例えば、図１２に示すように、下部電
極６２とインクジェット装置８０の電界制御リング８６
との間にも電圧（Ｅ２）を印加する。下部電極６２とイ
ンクジェット装置８０のノズル８２との間にも電圧（Ｅ
１＋Ｅ２）を印加する。これにより、下部電極６２にプ
ラスの電荷、ノズル８２及び電界制御リング８６にマイ
ナスの電荷をそれぞれ帯電させる。
【００７０】これにより、ノズル８２内の液滴もマイナ
スに帯電するので、ノズル８２から液滴８４を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極６２に向かう飛行軌道
から外れた液滴８４は、電界制御リング８６との斥力に
より反発されると同時に下部電極６２との引力により引
き寄せられる。したがって、ノズル８２から吐出された
液滴８４の飛行軌道を、標的である下部電極６２に向か
う方向に軌道修正することが可能となる。
スに帯電するので、ノズル８２から液滴８４を吐出する
際に、標的方向すなわち下部電極６２に向かう飛行軌道
から外れた液滴８４は、電界制御リング８６との斥力に
より反発されると同時に下部電極６２との引力により引
き寄せられる。したがって、ノズル８２から吐出された
液滴８４の飛行軌道を、標的である下部電極６２に向か
う方向に軌道修正することが可能となる。
【００７１】図１３には、例えば、図２及び図３に示し
た発光層形成工程における電圧Ｅ１及び電圧Ｅ２と塗布
精度（標的位置の中心からのずれ量）との関係の一例が
示されている。図１３に示した関係に従えば、中心から
のずれ量の許容値は、２０μｍ以下であるため、例え
ば、Ｅ１は、約５０Ｖとし、Ｅ２は、約５Ｖとすること
が望ましい。
た発光層形成工程における電圧Ｅ１及び電圧Ｅ２と塗布
精度（標的位置の中心からのずれ量）との関係の一例が
示されている。図１３に示した関係に従えば、中心から
のずれ量の許容値は、２０μｍ以下であるため、例え
ば、Ｅ１は、約５０Ｖとし、Ｅ２は、約５Ｖとすること
が望ましい。
【００７２】以上説明したように、この発明の自己発光
型表示装置、すなわち有機ＥＬ表示装置の製造方法によ
れば、インクジェット装置のノズルから吐出される液滴
と塗布標的となる下部電極との間に相対的に大きな電位
差を形成し、同時に、液滴と補助配線との間、液滴と信
号線との間、液滴とノズル周辺に配置された電解制御リ
ングとの間に相対的に小さな電位差を形成する。これに
より、ノズルから液滴を吐出する際に、標的方向すなわ
ち下部電極に向かう飛行軌道から外れた液滴は、補助配
線、信号線、電界制御リングなどとの斥力により反発さ
れると同時に下部電極との引力により引き寄せられる。
したがって、ノズルから吐出された液滴の飛行軌道を、
標的である下部電極に向かう方向に軌道修正することが
可能となる。
型表示装置、すなわち有機ＥＬ表示装置の製造方法によ
れば、インクジェット装置のノズルから吐出される液滴
と塗布標的となる下部電極との間に相対的に大きな電位
差を形成し、同時に、液滴と補助配線との間、液滴と信
号線との間、液滴とノズル周辺に配置された電解制御リ
ングとの間に相対的に小さな電位差を形成する。これに
より、ノズルから液滴を吐出する際に、標的方向すなわ
ち下部電極に向かう飛行軌道から外れた液滴は、補助配
線、信号線、電界制御リングなどとの斥力により反発さ
れると同時に下部電極との引力により引き寄せられる。
したがって、ノズルから吐出された液滴の飛行軌道を、
標的である下部電極に向かう方向に軌道修正することが
可能となる。
【００７３】このように、液滴の飛行軌道を修正するこ
とにより、吐出液滴の塗布領域マージンを小さく設定す
ることが可能となり、表示素子を高精細化した場合であ
っても、発光材料の塗布精度を向上させることが可能と
なる。このため、隣接する異なる色の表示素子における
発光層での混色を防止することが可能となり、表示品位
を向上することが可能となる。
とにより、吐出液滴の塗布領域マージンを小さく設定す
ることが可能となり、表示素子を高精細化した場合であ
っても、発光材料の塗布精度を向上させることが可能と
なる。このため、隣接する異なる色の表示素子における
発光層での混色を防止することが可能となり、表示品位
を向上することが可能となる。
【００７４】なお、この発明は、上述した実施の形態だ
けに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で様々に変形可能である。
けに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で様々に変形可能である。
【００７５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、高精細な画像を表示可能であるとともに、表示品位
を向上することが可能な自己発光型表示装置の製造方法
を提供することができる。
ば、高精細な画像を表示可能であるとともに、表示品位
を向上することが可能な自己発光型表示装置の製造方法
を提供することができる。
【図１】図１は、この発明の一実施の形態にかかる有機
ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の一部
を概略的に示す断面図である。
を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図２に示した有機ＥＬ表示装置の発光
層を形成する工程を説明するための概念図である。
層を形成する工程を説明するための概念図である。
【図４】図４は、他の有機ＥＬ表示装置の一部を概略的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図５】図５は、図４に示した有機ＥＬ表示装置の発光
層を形成する工程を説明するための概念図である。
層を形成する工程を説明するための概念図である。
【図６】図６は、他の有機ＥＬ表示装置の一部を概略的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図７】図７は、図６に示した有機ＥＬ表示装置の発光
層を形成する工程を説明するための概念図である。
層を形成する工程を説明するための概念図である。
【図８】図８は、他の有機ＥＬ表示装置の一部を概略的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図９】図９は、図８に示した有機ＥＬ表示装置の発光
層を形成する工程を説明するための概念図である。
層を形成する工程を説明するための概念図である。
【図１０】図１０は、他の有機ＥＬ表示装置の一部を概
略的に示す断面図である。
略的に示す断面図である。
【図１１】図１１は、図１０に示した有機ＥＬ表示装置
の発光層を形成する工程を説明するための概念図であ
る。
の発光層を形成する工程を説明するための概念図であ
る。
【図１２】図１２は、有機ＥＬ表示装置の発光層を形成
する他の工程を説明するための概念図である。
する他の工程を説明するための概念図である。
【図１３】図１３は、発光層形成工程における電圧と塗
布精度との関係の一例を示す図である。
布精度との関係の一例を示す図である。
【図１４】図１４は、図８に示した有機ＥＬ表示装置の
一部を概略的に示す平面図である。
一部を概略的に示す平面図である。
１…有機ＥＬ表示装置
１０…画素ＴＦＴ
２０…駆動素子
３０…蓄積助容量素子
４０…表示素子
６０…金属反射層
６２…下部電極
６４…発光層
６６…上部電極
７０…補助配線
８０…インクジェット装置
８２…ノズル
８６…電界制御リング
１００…アレイ基板
１０２…表示エリア
１０６…走査線駆動回路
１０８…信号線駆動回路
１１０…下部電極電源線
１１２…上部電極電源線
１３０…隔壁絶縁膜
ＶＬ…電源供給線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ
33/22 33/22 Ｚ
Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB17 AB18 BA06 CB01
DA01 DB03 EB00 FA01
5C094 AA05 AA08 AA43 BA03 BA12
BA27 CA19 CA24 DA13 EA10
FA01 FA02 FB01 FB20 GB10
5G435 AA04 AA17 BB05 CC09 CC12
HH01 HH20 KK05
Claims (14)
- 【請求項１】基板上に一対の電極間に発光層を挟持した
表示素子がマトリクス状に配置された自己発光型表示装
置の製造方法において、 前記一対の電極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に
形成する工程と、 発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記下部電極とに
それぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴を所
定電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐出し
て、発光層を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする自己発光型表示装置の製造方
法。 - 【請求項２】基板上に一対の電極間に発光層を挟持した
表示素子がマトリクス状に配置された自己発光型表示装
置の製造方法において、 前記一対の電極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に
形成する工程と、 前記表示素子の各々を分離する隔壁絶縁膜を形成する工
程と、 発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記下部電極とに
それぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴を所
定電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐出し
て、発光層を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする自己発光型表示装置の製造方
法。 - 【請求項３】前記自己発光型表示装置の製造方法は、前
記発光層を形成する工程の前に、前記隔壁絶縁膜上に補
助配線を形成する工程をさらに備え、 前記発光層を形成する工程において、 前記補助配線と前記ノズルとの間に斥力が生じるよう前
記補助配線に前記所定電位とは異なる第１電位を印加す
ることを特徴とする請求項２に記載の自己発光型表示装
置の製造方法。 - 【請求項４】前記自己発光型表示装置は、前記表示素子
の列方向に沿って前記下部電極と同一平面層上に配置さ
れる配線を備え、 前記発光層を形成する工程において、 前記下部電極と前記ノズルとの間に生じる引力より小さ
い引力が前記配線と前記ノズルとの間に生じるよう前記
配線に前記所定電位とは異なる第２電位を印加すること
を特徴とする請求項２に記載の自己発光型表示装置の製
造方法。 - 【請求項５】前記配線は、前記前記隔壁絶縁膜に配され
る開口を介して前記下部電極に対向する上部電極に接続
する補助配線であることを特徴とする請求項４に記載の
自己発光型表示装置の製造方法。 - 【請求項６】基板上に配置される複数の信号線と、前記
信号線に略直交して配置される複数の走査線と、これら
交点付近に配置されるスイッチング素子と、前記スイッ
チング素子に接続され一対の電極間に発光層を挟持した
表示素子と、がマトリクス状に配置された自己発光型表
示装置の製造方法において、 前記一対の電極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に
形成する工程と、 前記表示素子の各々を分離する隔壁絶縁膜を形成する工
程と、 発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記下部電極とに
それぞれ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴を所
定電位に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐出し
て、発光層を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする自己発光型表示装置の製造方
法。 - 【請求項７】前記自己発光型表示装置の製造方法は、前
記発光層を形成する工程の前に、前記隔壁絶縁膜上に補
助配線を形成する工程をさらに備え、 前記発光層を形成する工程において、 前記補助配線と前記ノズルとの間に斥力が生じるよう前
記補助配線に前記所定電位とは異なる第１電位を印加す
ることを特徴とする請求項６に記載の自己発光型表示装
置の製造方法。 - 【請求項８】前記自己発光型表示装置は、前記表示素子
の列方向に沿って前記下部電極と同一平面層上に配置さ
れる配線を備え、 前記発光層を形成する工程において、 前記下部電極と前記ノズルとの間に生じる引力より小さ
い引力が前記配線と前記ノズルとの間に生じるよう前記
配線に前記所定電位とは異なる第２電位を印加すること
を特徴とする請求項６に記載の自己発光型表示装置の製
造方法。 - 【請求項９】前記配線は、前記前記隔壁絶縁膜に配され
る開口を介して前記下部電極に対向する上部電極に接続
する補助配線であることを特徴とする請求項８に記載の
自己発光型表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】前記配線は、前記信号線であることを特
徴とする請求項８に記載の自己発光型表示装置の製造方
法。 - 【請求項１１】基板上に一対の電極間に発光層を挟持し
た表示素子がマトリクス状に配置された自己発光型表示
装置の製造方法において、 前記一対の電極のうちの下部電極を表示素子毎に独立に
形成する工程と、 発光材料の液滴を吐出するノズルと、前記ノズルの周囲
に配置された電界制御リング、前記下部電極とにそれぞ
れ所定電圧を印加し、前記ノズルからの液滴を所定電位
に帯電した状態で前記下部電極上に向けて吐出して、発
光層を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする自己発光型表示装置の製造方
法。 - 【請求項１２】前記発光材料は、高分子系材料であるこ
とを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載
の自己発光型表示装置の製造方法。 - 【請求項１３】前記自己発光型表示装置は、異なる色を
表示可能な複数の表示素子を備えたことを特徴とする請
求項１乃至１１のいずれか１項に記載の自己発光型表示
装置の製造方法。 - 【請求項１４】前記補助配線は、各表示素子間にストラ
イプ状に配置されたことを特徴とする請求項３、５、
７，９のいずれか１項に記載の自己発光型表示装置の製
造方法。
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070514 |