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JP2002318556A - アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法 - Google Patents

アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法

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Publication number
JP2002318556A
JP2002318556A JP2001122485A JP2001122485A JP2002318556A JP 2002318556 A JP2002318556 A JP 2002318556A JP 2001122485 A JP2001122485 A JP 2001122485A JP 2001122485 A JP2001122485 A JP 2001122485A JP 2002318556 A JP2002318556 A JP 2002318556A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
display device
active matrix
matrix type
type flat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001122485A
Other languages
English (en)
Inventor
Michiya Kobayashi
道哉 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2001122485A priority Critical patent/JP2002318556A/ja
Priority to US10/125,612 priority patent/US6900470B2/en
Priority to TW091108121A priority patent/TWI257496B/zh
Priority to KR10-2002-0021754A priority patent/KR100474029B1/ko
Publication of JP2002318556A publication Critical patent/JP2002318556A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】上面発光自己発光表示装置において、製造工数
を増大させることなく表示面側の電極のシート抵抗を低
減させる。 【解決手段】基板１０１上に形成される第１電極１１７
および第２電極１２２間に光変調層１２１を備えた表示
素子Ｐをマトリクス配置してなるアクティブマトリクス
型平面表示装置１において、前記第１電極１１７と同層
に形成され、かつ前記第１電極１１７とは電気的に絶縁
され、前記第２電極１２２と電気的に接続された補助配
線１１８とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネセンス（ＥＬ）表示装置等の平面表示装置およびそ
の製造方法に係り、特に各表示素子にスイッチング素子
が設けられたアクティブマトリクス型平面表示装置およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＲＴディスプレイに対して、薄型、軽
量、低消費電力の特徴を生かして、液晶表示装置に代表
される平面表示装置の需要が急速に伸びてきた。中で
も、各表示素子毎にスイッチ素子が設けられたアクティ
ブマトリクス型平面表示装置は、隣接表示素子間でのク
ロストークのない良好な表示品位が得られることから、
携帯情報機器を始め、種々のディスプレイに利用される
ようになってきた。
【０００３】近年では、液晶表示装置に比べて高速応答
及び広視野角化が可能な自己発光型のディスプレイとし
て有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置の開発
が盛んに行われている。
【０００４】有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬパネルと有
機ＥＬパネルを駆動する外部駆動回路から構成される。
有機ＥＬパネルはガラス等の支持基板上に、第１電極
と、第１電極と対向して配置される第２電極と、これら
電極間に有機発光層を備えた表示素子をマトリクス状に
配置して構成される表示領域と、外部駆動回路からの信
号に基づいて各表示素子を駆動する駆動回路領域とから
構成される。
【０００５】この有機ＥＬ表示装置のＥＬ発光を外部に
取り出す方式には、支持基板を介して外部に取り出す下
面発光方式と、支持基板と対向する側に取り出す上面発
光方式とがある。
【０００６】アクティブマトリクス型の下面発光方式の
有機ＥＬ表示装置は、有機発光層の下部にＥＬ発光の透
過を阻止する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の回路が配
置されるため、十分な開口率を確保することが難しく、
このため光利用効率の向上が課題となっている。
【０００７】これに対して、上面発光方式の有機ＥＬ表
示装置は、支持基板と対向する側にＥＬ発光を取り出す
ため、支持基板側に配置される回路に制約されずに開口
率を決定されるため、高い光利用効率の確保が可能とな
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで平面表示装置
においては、光取出し側にある電極に光透過性の導電膜
を用いることが必須であり、上面発光方式でアクティブ
マトリクス型を採用する場合には、光取出し側に配置さ
れる共通電極を光透過性の導電膜で作成する必要があ
る。ところが一般に、光透過性を有する透明導電材料
は、通常の金属材料と比較して抵抗率が２−３桁程度高
いことが知られている。
【０００９】このため、光取出側の電極の画面面内で電
極電圧が不均一となることがあり、表示品位を低下させ
る原因となっていた。
【００１０】このことは、特に画面サイズが大きくなる
ほど顕著であり、このため画面サイズに制約が生じる等
の問題もあった。
【００１１】本発明は、上記技術課題に対してなされた
もので、表示面内で表示ムラの少ないアクティブマトリ
クス型平面表示装置およびその製造方法を提供すること
を目的としている。
【００１２】また本発明は、表示品位が画面サイズの制
約を受けないアクティブマトリクス型平面表示装置を提
供することを目的とし、またその生産性を損なうことの
ない製造方法を提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板上に配置される複数の走査信号線と、前記走査信号
線に略直交して配置される複数の映像信号線と、これら
交点付近に配置されるスイッチング素子と、前記スイッ
チング素子に接続され、第１電極および第２電極間に独
立島状に形成される光変調層を備えた表示素子がマトリ
クス状に配置されるアクティブマトリクス型平面表示装
置において、前記第１電極と同層に形成され、かつ前記
第１電極とは電気的に絶縁され、前記第２電極と電気的
に接続された補助配線とを備えたことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
アクティブマトリクス型平面表示装置として自己発光型
のディスプレイ、有機ＥＬ表示装置を例にとり、図面を
用いて詳細に説明する。図１は、この実施形態に係るア
クティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１の概略平面図
で、図２は、図１の表示領域の一部を拡大した一部概略
平面図、図３は、図２のＡ−Ａ線に沿って切断した時の
断面図である。
【００１５】有機ＥＬパネル２の表示領域について詳し
く説明すると、この実施形態では１０．４型サイズの表
示領域が構成され、ガラス等の絶縁基板１０１上に映像
信号線１０９と走査信号線１０７とがマトリクス状に配
置され、その交差部にスイッチング素子ＳＷ１としてｎ
型ＴＦＴ、映像信号電圧保持用コンデンサ１１０、駆動
用制御素子ＳＷ２としてｐ型ＴＦＴ、有機ＥＬ表示素子
Ｐが形成される。
【００１６】有機ＥＬ表示素子Ｐは、駆動用制御素子Ｓ
Ｗ２に接続された光反射性導電膜からなる第１電極１１
７と、第１電極１１７上に配置される有機発光層１２１
と、有機発光層１２１を介して第１電極１１７に対向配
置された第２電極１２２と、を備えている。尚、有機発
光層１２１は、各色共通に形成されるホール輸送層、エ
レクトロン輸送層、及び各色毎に形成される発光層の３
層積層で構成されてもよく、機能的に複合された２層ま
たは単層で構成されてもよい。この有機発光層１２１
は、各表示素子Ｐを分離する黒色レジスト材料からなる
厚さ３μｍの隔壁１２０の開口部１２０ｂから露出され
る第１電極１１７上に配置される。
【００１７】この有機ＥＬ表示装置１は第２電極１２２
側を表示面とした上面発光方式であり、有機ＥＬ表示素
子Ｐの第２電極１２２は、光透過性を有する導電膜で構
成される。光透過性導電膜は、材料自体の透明度が高い
透明導電材料を用いる、或いは透明度が低い材料を薄く
形成して光透過性をもたせるなどして形成できる。ここ
では、Ｂａを光透過する程度に薄く、例えば膜厚１０ｎ
ｍに成膜し、透明導電膜として全表示素子にわたって共
通に形成した。この光透過性導電膜のシート抵抗はおよ
そ１０５Ω／□であった。
【００１８】また、図３に示すように第１電極１１７と
同層に設けられた補助配線１１８と第２電極１２２と
は、隔壁１２０に補助配線１１８を露出するように設け
られたコンタクト部１２０ａを介して電気的に接続され
る。この補助配線１１８は、第１電極１１７とは隔壁１
２０にて電気的に絶縁され、各表示素子Ｐの第１電極１
１７を囲むよう格子状に設けられており、それぞれ表示
領域にわたり互いに連結されている。
【００１９】このように第２電極１２２と電気的に接続
される補助配線１１８を表示領域全体に均等に備えるの
で、光取出し側電極の画面面内での電位のバラツキを抑
制することが可能となる。
【００２０】ここで、補助配線１１８としては、第２電
極を形成する透明導電膜と比し抵抗が十分小さいこと、
より具体的には１１×１０−６Ωｃｍ以下の抵抗率の導
電材料で形成されることが望ましい。このように補助配
線に低抵抗な導電材料を用いることで、光取出し側電極
の画面面内での電位バラツキをより一層低減することが
できる。
【００２１】表１に補助配線として選択され得る代表的
な金属材料の抵抗率と、透明導電材料の抵抗率を示す。
[表１]
【００２２】特に、補助配線１１８には１×１０−６Ω
ｃｍ〜６×１０−６Ωｃｍ程度の抵抗率の導電材料を使
用することが望ましく、単一材料であっても複数の材料
を積層したものであってもよい。
【００２３】本実施例においては、補助配線１１８は、
第１電極と同一材料で形成され、Ａｌ、Ｍｏ、ＩＴＯの
３層が積層され抵抗率４×１０−６Ωｃｍの導電材料を
用いて、シート抵抗１０−１Ω／□となるよう形成され
ている。このＭｏは、ＩＴＯとＡｌとが直接接触するこ
とによる腐食防止のために設けられており、この機能を
有するものであればよく、例えばＴｉ、Ｗ等であっても
よい。
【００２４】このようにして構成される有機ＥＬ表示装
置では、光取出し側電極、ここでは陰極電位の面内ばら
つきを従来に比べて十分に低減でき、本実施形態におい
ては１０型サイズ超の画面サイズにも関わらず面内での
輝度分布を±３ｃｄ／ｍ２以内に抑えることができた。
【００２５】図４（ａ）〜（ｅ）は、第２電極電源線と
補助配線の配置の例を示しており、図５（ａ）〜（ｃ）
は、図４の（ａ）〜（ｃ）の表示領域の一部を拡大した
ものである。上述の実施例においては、図４（ａ）に示
すように、各表示素子Ｐの第１電極１１７周囲を包囲
し、互いに連結されたパターン（図５（ａ））で表示領
域に均等に配置された補助配線１１８を設けたが、これ
に限定されず種々のパターンで形成することができ、少
なくとも補助配線１１８と第１電極１１７が電気的に分
離され、且つ補助配線１１８と第２電極１２２とが電気
的に接続されていればよい。例えば、図４（ｂ）に示す
ように、表示領域を囲む矩形枠状の第２電極電源線１１
９の内部に、マトリクス状に補助配線１１８を形成し、
第２電極電源線１１９から遠い矩形枠状の中心部では補
助配線１１８を密に形成し、第２電極電源線１１９に近
い矩形枠状の内側周辺部分では補助配線１１８を疎に形
成し、パネル面内で密度を変化（図５（ｂ））させても
よい。また、補助配線１１８は直線状でなくてもよく、
図４（ｃ）、（ｄ）に示すように、第１電極１１７の周
囲をジグザグ状（図５（ｃ））に形成してもよい。ま
た、図４（ｅ）に示すように、第２電極電源線内側にス
トライプ状に形成するものでもよい。また、画素のサイ
ズを色毎に変え、隣接第1電極間の距離に対応して大き
さが決定される補助配線を設けてもよく、画面サイズ、
画素数等の条件により、適宜最適なパターンを採用する
ことができる。
【００２６】このように、第１電極が独立島状に設けら
れ、第２電極が表示素子にわたって共通に配置されるア
クティブマトリクス型を採用するので、第１電極と同層
に、隣接画素間で連結した補助配線を設けることができ
る。
【００２７】また、本発明によれば、隣接する表示素子
間に一定電位を持つ補助配線が配設されていることによ
り、画素間の容量カップリングを軽減できクロストーク
等の表示品悪化の原因を取除きより高品位の表面表示装
置を達成することができる。
【００２８】また、ＴＦＴ上に絶縁層１１６を介して第
１電極１１７が形成されるので、絶縁層１１６下のＴＦ
Ｔや配線上に表示素子Ｐを重ねて形成することが可能と
なり、上面発光方式による開口率をＴＦＴ等の回路に制
約されずに決定することができ、高い光利用効率を得る
ことができる。
【００２９】また、上述の実施例においては、表示素子
の上部電極（第２電極）となる透明電極材料に膜厚の薄
いＢａを用いる場合について説明したが、その他種々の
透明導電材料を選択することができ、有機発光層の材料
に適した材料を採用することが望ましい。第２電極は複
数の積層膜から構成することもでき、Ｂａ，Ｃａ等を薄
く形成した上からＩＴＯやＳｎＯを積層させてもよい。
また、第２電極を陽極とする場合には、材料自体の透明
度が高いＩＴＯやＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ＺｎＯｘｉｄ
ｅ）を透明電極材料として用いることができる。表示素
子の下部電極となる材料も有機発光層に適した材料を選
択することが望ましく、電極の極性にも適した材料を選
択することが望ましい。
【００３０】以上説明したように、本実施形態によれば
第２電極に補助配線を接続するので、光取出し側電極全
体の抵抗を下げることができ、表示面内で表示ムラを十
分に抑制することができる。
【００３１】次に、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方
法について説明する。まず、常圧ＣＶＤあるいはプラズ
マＣＶＤにより、ガラス等の絶縁基板１０１上にアンダ
ーコート層１０２としてＳｉＮ膜、ＳｉＯ２膜を堆積
し、その上にアモルファスシリコン膜を堆積する。ここ
で、ＴＦＴのしきい値制御のため基板全面にボロン
（Ｂ）等のｐ型不純物をドープしてもよい。
【００３２】次に、アモルファスシリコン膜をエキシマ
レーザでアニール処理し、アモルファスシリコン膜を多
結晶シリコン膜に結晶化させる。
【００３３】さらに、その多結晶シリコン膜にレジスト
を塗布し、露光・パターニング・エッチング処理を施
し、多結晶シリコン膜を島状に形成する。
【００３４】続いて、多結晶シリコン膜を覆って全面
に、ＣＶＤによりＳｉＯｘを成膜し、ゲート絶縁膜１０
３を形成する。このゲート絶縁膜１０３上にゲート金属
膜としてＭｏＷを堆積し、フォトリソグラフィー技術を
用いてｐ型ＴＦＴ部分のゲート電極１０４を形成し、ボ
ロン（Ｂ）をドーピングし、ｐ型ＴＦＴの多結晶シリコ
ン膜に導電領域であるソース領域１０５、ドレイン領域
１０６を形成する。
【００３５】次に、ゲート金属膜をパターニングし、ゲ
ート配線１０７およびｎ型ＴＦＴのゲート電極１０８、
映像信号線１０９の一部１０９ａ、映像信号電圧保持用
コンデンサ１１０の下部電極パターン１１０ａを形成す
る。
【００３６】その後、ゲート電極１０８またはゲート電
極形成時のレジストをマスクとして上部より燐イオン
（Ｐ）をドーピングし、ｎ型ＴＦＴ部分の多結晶シリコ
ン膜にソース領域１１１、ドレイン領域１１２を形成す
る。
【００３７】さらにＣＶＤ法などによりこれらの上面全
部を覆うように、層間絶縁層１１３となるＳｉＯｘを成
膜し、層間絶縁層１１３およびゲート絶縁膜１０３を貫
通しソース領域１０５，１１１、ドレイン領域１０６，
１１２等に達するコンタクトホールを設けた後、Ｍｏ／
Ａｌ／Ｍｏからなる金属膜を成膜・パターニング処理
し、ソース電極１１３、ドレイン電極１１４、有機ＥＬ
電流供給線１１５および映像信号線１０９（１０９
ｂ）、を形成する。こうして、スイッチング素子ＳＷ１
となるｎ型ＴＦＴと駆動用制御素子ＳＷ２となるｐ型Ｔ
ＦＴ、これらを組合せてなる駆動回路領域の映像信号線
駆動回路Ｘｄｒ、走査信号線駆動回路Ｙｄｒが形成され
る。また、有機ＥＬ電流供給線１１５を上側電極として
映像信号電圧保持用コンデンサ１１０も形成される。
【００３８】さらに基板全面にＳｉＮｘの絶縁層１１６
を形成し、駆動制御素子ＳＷ２のソース電極１１３と接
続するコンタクトホールを設けた後、Ａｌ／Ｍｏ／ＩＴ
Ｏからなる金属膜を成膜・パターニング処理し、表示素
子を構成する光反射性の第１電極１１７、補助配線１１
８、表示領域を囲む矩形枠状に補助配線１１８と一体的
に形成される第２電極電源線１１９を形成する。
【００３９】このように、補助配線１１８と第１電極１
１７とを同一材料を用いて同一工程で形成するため、補
助配線１１８を形成するための工程を特別に設けること
なく補助配線１１８を作成することが可能となる。
【００４０】また、表示素子の第１電極１１７は絶縁層
１１６上に配置され、絶縁層１１６を介して駆動制御素
子ＳＷ２のソース電極１１３と接続するので、第１電極
１１７と駆動制御素子ＳＷ２、スイッチング素子ＳＷ１
等と重ねて形成することが可能となり、第１電極の面積
を増大させることができる。
【００４１】次に、基板全面に黒色有機レジスト材料を
乾燥後の膜厚として３μｍに塗布した後、パターニング
し、表示素子の第１電極１１７に対応する位置に第１電
極１１７を露出する開口部１２０ｂを有し、さらに補助
配線１１８上に補助配線１１８を露出するコンタクト部
１２０ａを備えた素子分離用の隔壁１２０を形成する。
隔壁１２０としては、隣接素子間のＥＬ光の混色を防止
するために光遮蔽性を有する黒色材料であることが望ま
しく、またその膜厚としては素子分離を行うために有機
発光層と同等以上であることが望ましく、第２電極が補
助配線とのコンタクト部で段切れをおこさないよう形
状、高さを設定することが望ましい。例えば、本実施例
の如く有機発光層が高分子材料の場合には後述のように
インクジェット法で有機発光層を形成するため、インク
液滴を隔壁１２０に分離するために、隔壁の厚さは１μ
m以上あることが望ましい。また、有機発光層が低分子
材料である場合には、発光層膜厚以上であること、具体
的には100nm以上であれば良い。また、隔壁１２０の形
状は第２電極が補助配線とのコンタクト部で段切れをお
こさないよう、そのテーパ角が８０°以下であることが
望ましい。
【００４２】本実施例においては、補助配線のコンタク
ト部１２０ａを、補助配線に沿って連続したパターンで
形成したが、補助配線上に不連続にドット状に設けたパ
ターンで形成してもよい。
【００４３】さらに、インクジェット法によりＲ，Ｇ，
Ｂに対応する高分子系の有機発光材料を順次吐出し、第
１電極上の隔壁１２０の開口１２０ｂに対応する位置に
有機発光層１２１を選択的に形成する。尚、有機発光層
は、各色共通に形成されるホール輸送層、エレクトロン
輸送層、及び各色毎に形成される発光層の３層積層で構
成されてもよく、機能的に複合された２層または単層で
構成されてもよい。
【００４４】次に、有機発光層１２１上の基板全面に第
２電極１２２として光透過性導電膜、ここではＢａを膜
厚１０ｎｍとなるよう成膜する。この第２電極は、絶縁
層１１６上に第１電極１１７と同層に形成される補助配
線１１８とコンタクト部１２０ａを介して接続される。
【００４５】この後、ガラス等の透明絶縁基板を封止基
板として支持基板と対向配置させ、基板周囲を密閉封止
し有機ＥＬ表示装置を完成する。
【００４６】また、上述の実施例では、有機発光層に高
分子系の有機発光材料を用いる場合について説明した
が、これに限定されず例えばＡｌｑ３等の低分子系の有
機発光材料を用いてもよい。低分子系の有機発光層を形
成する場合には、真空蒸着等により形成することができ
る。
【００４７】このように、第２電極と接続する補助配線
を備えることにより、表示面内での光取出し側電極全体
の抵抗を下げることができる。
【００４８】また、上面発光方式を採用することによ
り、下面発光方式と比し、高開口率の有機ＥＬ表示装置
を実現することが可能となり、正面輝度を向上させるこ
とができる。また、所定の正面輝度を達成するための電
力消費を下面発光方式と比し減少させることができ、有
機ＥＬ素子の寿命をより長くすることが可能となる。
【００４９】また特に、絶縁層を介して支持基板に形成
された回路上に表示素子を重ねて配置するため、開口率
を更に向上させることができる。
【００５０】また、補助配線を形成するにあたって、第
１電極と同一材料で同一工程で作成するため、補助配線
を形成するための工程を新たに設けることなく工程増大
を防止することができる。
【００５１】また、上述の実施例においては、一例とし
て有機ＥＬ表示装置を用いて説明したが、これに限定さ
れず、光変調層が島状に画素毎に独立に形成される平面
表示装置全般に適用できる。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、表示ムラの発生を抑制
し、表示品位の高い平面表示装置を実現することができ
る。また、製造工程を増大させることなく上記平面表示
装置を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の一実施形態を示す有機ＥＬ表
示装置の一概略平面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態を示す有機ＥＬ表
示装置の表示領域を示す一部概略平面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態を示す有機ＥＬ表
示装置の表示領域を示す一部概略断面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態を示す補助配線、
第２電極電源線を示す平面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態を示す第１電極、
補助配線を示す平面図である。
【符号の説明】
１１７…第１電極 １１８…補助配線 １２０…隔壁 １２１…光変調層 １２２…第２電極

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に配置される複数の走査信号線と、
    前記走査信号線に略直交して配置される複数の映像信号
    線と、これら交点付近に配置されるスイッチング素子
    と、前記スイッチング素子に接続され、第１電極および
    第２電極間に独立島状に形成される光変調層を備えた表
    示素子がマトリクス状に配置されるアクティブマトリク
    ス型平面表示装置において、前記第１電極と同層に形成
    され、かつ前記第１電極とは電気的に絶縁され、前記第
    ２電極と電気的に接続された補助配線とを備えたことを
    特徴とするアクティブマトリクス型平面表示装置。
  2. 【請求項２】前記第１電極と前記補助配線は同一材料で
    形成されることを特徴とする請求項１記載のアクティブ
    マトリクス型平面表示装置。
  3. 【請求項３】前記補助配線は、前記第２電極よりも抵抗
    が小さいことを特徴とする請求項１記載のアクティブマ
    トリクス型平面表示装置。
  4. 【請求項４】前記光変調層は、有機発光材料から形成さ
    れることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリ
    クス型平面表示装置。
  5. 【請求項５】前記第２電極は、光透過性導電材料から形
    成されることを特徴とする請求項１記載のアクティブマ
    トリクス型平面表示装置。
  6. 【請求項６】前記第２電極を介して、光を外部に取出す
    ことを特徴とする請求項５記載のアクティブマトリクス
    型平面表示装置。
  7. 【請求項７】基板上に形成される第１電極および第２電
    極間に光変調層を備えた表示素子をマトリクス配置して
    なるアクティブマトリクス型平面表示装置の製造方法で
    あって、導電材料から同一工程で前記第１電極および補
    助配線を形成する工程と、前記第１電極および配線を露
    出する領域を備えた絶縁膜を形成する工程と、前記第１
    電極の前記露出する領域に対応する位置に前記光変調層
    を形成する工程と、前記基板の略全面に光透過性導電膜
    を配置し、前記第１電極に光変調層を介して対向すると
    共に、前記補助配線に電気的に接続される前記第２電極
    を形成する工程と、を備えたアクティブマトリクス型平
    面表示装置の製造方法。
  8. 【請求項８】前記絶縁膜は、有機レジスト材料から構成
    されることを特徴とする請求項７記載のアクティブマト
    リクス型平面表示装置の製造方法。
  9. 【請求項９】前記光変調層を形成する工程は、有機発光
    材料を選択的に吐出する工程を含むことを特徴とする請
    求項７記載のアクティブマトリクス型平面表示装置の製
    造方法。
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