JP2000131444A - 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法 - Google Patents
放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2000131444A JP2000131444A JP10307033A JP30703398A JP2000131444A JP 2000131444 A JP2000131444 A JP 2000131444A JP 10307033 A JP10307033 A JP 10307033A JP 30703398 A JP30703398 A JP 30703398A JP 2000131444 A JP2000131444 A JP 2000131444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- radiation detection
- scintillator layer
- scintillator
- detection device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 62
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 117
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 35
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 19
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 18
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- MINPZZUPSSVGJN-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,4,4,4-hexachlorobutane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)CCC(Cl)(Cl)Cl MINPZZUPSSVGJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGCPZMJBXSCWQY-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,4-pentachlorobutane Chemical compound ClCC(Cl)C(Cl)C(Cl)Cl AGCPZMJBXSCWQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 101150049492 DVR gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- -1 ITO Chemical compound 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/189—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H10F39/1898—Indirect radiation image sensors, e.g. using luminescent members
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20183—Arrangements for preventing or correcting crosstalk, e.g. optical or electrical arrangements for correcting crosstalk
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
- G01T1/20189—Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣｓＩの結晶性を向上させる。
【解決手段】 一対の光電変換素子１２とスイッチ素子
１３とが複数配置されたセンサー基板上に、入射した放
射線を光電変換素子１２が検知可能な光に変換するシン
チレーター層１６を設けてなる放射線検出装置におい
て、シンチレーター層１６と接する面が平坦面である平
坦化層１５を、センサー基板とシンチレーター層１６と
の間に設けた。
１３とが複数配置されたセンサー基板上に、入射した放
射線を光電変換素子１２が検知可能な光に変換するシン
チレーター層１６を設けてなる放射線検出装置におい
て、シンチレーター層１６と接する面が平坦面である平
坦化層１５を、センサー基板とシンチレーター層１６と
の間に設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は放射線検出装置、放
射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法に係
わり、特に、一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複
数配置されたセンサー基板上に、入射した放射線を該光
電変換素子が検知可能な光に変換するシンチレーター層
を設けてなる放射線検出装置、放射線検出システム、及
び放射線検出装置の製造方法に関する。
射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法に係
わり、特に、一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複
数配置されたセンサー基板上に、入射した放射線を該光
電変換素子が検知可能な光に変換するシンチレーター層
を設けてなる放射線検出装置、放射線検出システム、及
び放射線検出装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】医療分野や非破壊検査等の分野で、Ｘ線
等の放射線をシンチレーターで光に変換し、その光をイ
メージセンサーで光電変換して画像データとして保存、
転送するシステムが注目されている。
等の放射線をシンチレーターで光に変換し、その光をイ
メージセンサーで光電変換して画像データとして保存、
転送するシステムが注目されている。
【０００３】このようなシステムに用いる放射線検出装
置としては、例えば特開平７−２７８６３号公報に、Ｘ
線を光に変換するシンチレーターの材料としてＣｓＩを
用い、このＣｓＩを２次元センサ基板上に配置させた放
射線検出装置が開示されている。
置としては、例えば特開平７−２７８６３号公報に、Ｘ
線を光に変換するシンチレーターの材料としてＣｓＩを
用い、このＣｓＩを２次元センサ基板上に配置させた放
射線検出装置が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な放射線検出装置においては、医療検査、非破壊検査の
ハイスピード化、人体に与える影響によるＸ線照射量の
低減等の要請から、放射線検出装置の高感度化が望まれ
る。
な放射線検出装置においては、医療検査、非破壊検査の
ハイスピード化、人体に与える影響によるＸ線照射量の
低減等の要請から、放射線検出装置の高感度化が望まれ
る。
【０００５】本発明の目的は、放射線検出装置の画素の
実質的な開口率を上げ、高感度化、ハイスピード化の可
能な放射線検出装置及びその製造方法、放射線検出シス
テムを提供するものである。
実質的な開口率を上げ、高感度化、ハイスピード化の可
能な放射線検出装置及びその製造方法、放射線検出シス
テムを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の放射線検出装置
は、一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複数配置さ
れたセンサー基板上に、入射した放射線を該光電変換素
子が検知可能な光に変換するシンチレーター層を設けて
なる放射線検出装置において、前記シンチレーター層と
接する面が平坦面である平坦化層を、前記センサー基板
と前記シンチレーター層との間に設けたことを特徴とす
る。
は、一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複数配置さ
れたセンサー基板上に、入射した放射線を該光電変換素
子が検知可能な光に変換するシンチレーター層を設けて
なる放射線検出装置において、前記シンチレーター層と
接する面が平坦面である平坦化層を、前記センサー基板
と前記シンチレーター層との間に設けたことを特徴とす
る。
【０００７】また本発明の放射線検出装置は、基体上に
一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複数配置された
センサー基板を複数配置し、該複数のセンサー基板上に
平坦化層を設け、該平坦化層上にシンチレーター層を設
けたことを特徴とする。
一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複数配置された
センサー基板を複数配置し、該複数のセンサー基板上に
平坦化層を設け、該平坦化層上にシンチレーター層を設
けたことを特徴とする。
【０００８】本発明の放射線検出システムは、本発明の
放射線検出装置と、該放射線検出装置からの信号を処理
する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記
録する為の記録手段と、前記信号処理手段からの信号を
表示する為の表示手段と、前記信号処理手段からの信号
を電送する為の電送手段と、を有することを特徴とす
る。
放射線検出装置と、該放射線検出装置からの信号を処理
する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記
録する為の記録手段と、前記信号処理手段からの信号を
表示する為の表示手段と、前記信号処理手段からの信号
を電送する為の電送手段と、を有することを特徴とす
る。
【０００９】本発明の放射線検出装置の製造方法は、一
対の光電変換素子とスイッチ素子とが複数配置されたセ
ンサー基板上に保護層を形成する工程と、前記保護層上
にその表面が平坦な平坦化層を形成する工程と、前記平
坦化層上にシンチレーター層を形成する工程と、を有す
るものである。
対の光電変換素子とスイッチ素子とが複数配置されたセ
ンサー基板上に保護層を形成する工程と、前記保護層上
にその表面が平坦な平坦化層を形成する工程と、前記平
坦化層上にシンチレーター層を形成する工程と、を有す
るものである。
【００１０】また本発明の放射線検出装置の製造方法
は、一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複数配置さ
れたセンサー基板上に保護層を形成する工程と、前記保
護層の表面を平坦化する工程と、平坦化された保護層上
にシンチレーター層を形成する工程と、を有するもので
ある。
は、一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複数配置さ
れたセンサー基板上に保護層を形成する工程と、前記保
護層の表面を平坦化する工程と、平坦化された保護層上
にシンチレーター層を形成する工程と、を有するもので
ある。
【００１１】また本発明の放射線検出装置の製造方法
は、基体上に一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複
数配置されたセンサー基板を複数配置し、該複数のセン
サー基板上に平坦化層を設ける工程と、該平坦化層上に
シンチレーター層を設ける工程と、を有することを特徴
とする。
は、基体上に一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複
数配置されたセンサー基板を複数配置し、該複数のセン
サー基板上に平坦化層を設ける工程と、該平坦化層上に
シンチレーター層を設ける工程と、を有することを特徴
とする。
【００１２】以下、図２及び図３に示すセンサー基板を
本発明に適用した場合を例にとって説明する。
本発明に適用した場合を例にとって説明する。
【００１３】図２及び図３において、101はＰＩＮ型フ
ォトダイオード、102はＴＦＴである。図３から明らか
なように、ＰＩＮ型フォトダイオード101とＴＦＴ102と
は層構成および各層の膜厚も異なる（構成の詳細な説明
は後述する。）。その結果、センサー基板の表面はＴＦ
Ｔ、フォトダイオード間で大きな段差を生ずることにな
る。
ォトダイオード、102はＴＦＴである。図３から明らか
なように、ＰＩＮ型フォトダイオード101とＴＦＴ102と
は層構成および各層の膜厚も異なる（構成の詳細な説明
は後述する。）。その結果、センサー基板の表面はＴＦ
Ｔ、フォトダイオード間で大きな段差を生ずることにな
る。
【００１４】センサー材料としてａ−Ｓｉ膜を使用し、
配線材料としてＡｌを使用する場合、ＳｉＮ保護膜は成
膜温度に制限がある状態で形成されている。そのため、
センサー基板表面の段差のステップカバレジは検討の余
地が残っている。しかし、仮に、カバレジが改善された
としても表面段差はそのまま保存される。
配線材料としてＡｌを使用する場合、ＳｉＮ保護膜は成
膜温度に制限がある状態で形成されている。そのため、
センサー基板表面の段差のステップカバレジは検討の余
地が残っている。しかし、仮に、カバレジが改善された
としても表面段差はそのまま保存される。
【００１５】本発明者は、このような段差のある表面
に、ＣｓＩ等のシンチレーターを形成する場合、ＰＩＮ
型フォトダイオードのバイアスライン、また、周辺部の
段差でＣｓＩ成長状態が悪く、結晶性が乱れ、その影響
で実質的な開口率が低下することを見出した。そして、
本発明者がＣｓＩ等のシンチレーター層を形成する面を
平坦化したところ、良好な結晶性を有するシンチレータ
ー層を得ることができた。
に、ＣｓＩ等のシンチレーターを形成する場合、ＰＩＮ
型フォトダイオードのバイアスライン、また、周辺部の
段差でＣｓＩ成長状態が悪く、結晶性が乱れ、その影響
で実質的な開口率が低下することを見出した。そして、
本発明者がＣｓＩ等のシンチレーター層を形成する面を
平坦化したところ、良好な結晶性を有するシンチレータ
ー層を得ることができた。
【００１６】ここで、特開平７−２７８６３号公報に記
載された発明と本発明との違いについて説明する。特開
平７−２７８６３号公報には、基板にシンチレーターを
形成する場合にシンチレーターの所定の位置に亀裂を生
じさせるために、基板に凹状又は凸状のパターンを形成
することが記載されている。しかしながら、同公報には
センサー基板上で画素内においても段差が生じ、この段
差がシンチレーター層の結晶性に影響を及ぼし、開口率
を低下させる課題、及び段差を軽減するために、シンチ
レーター層と接する面を平坦面とすることの開示はな
い。
載された発明と本発明との違いについて説明する。特開
平７−２７８６３号公報には、基板にシンチレーターを
形成する場合にシンチレーターの所定の位置に亀裂を生
じさせるために、基板に凹状又は凸状のパターンを形成
することが記載されている。しかしながら、同公報には
センサー基板上で画素内においても段差が生じ、この段
差がシンチレーター層の結晶性に影響を及ぼし、開口率
を低下させる課題、及び段差を軽減するために、シンチ
レーター層と接する面を平坦面とすることの開示はな
い。
【００１７】なお、本願において、放射線とは粒子線又
は電磁波をいい、シンチレーターはこれらの粒子線又は
電磁波を光電変換素子で検知可能な領域の波長の光に変
換する物質をいう。特に、Ｘ線は前述したように、医療
分野や非破壊検査等の分野で用いられており、本発明が
好適に用いられる。
は電磁波をいい、シンチレーターはこれらの粒子線又は
電磁波を光電変換素子で検知可能な領域の波長の光に変
換する物質をいう。特に、Ｘ線は前述したように、医療
分野や非破壊検査等の分野で用いられており、本発明が
好適に用いられる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。なお、以下に示す実施例は放射線検出
装置の一例としてＸ線検出装置を例に取って説明する。 （実施例1）本発明の第１の実施例として、光電変換素
子としてＰＩＮ型フォトセンサーとスイッチ素子として
ＴＦＴを利用した構成のセンサー基板を用いて説明す
る。
詳細に説明する。なお、以下に示す実施例は放射線検出
装置の一例としてＸ線検出装置を例に取って説明する。 （実施例1）本発明の第１の実施例として、光電変換素
子としてＰＩＮ型フォトセンサーとスイッチ素子として
ＴＦＴを利用した構成のセンサー基板を用いて説明す
る。
【００１９】図１（ａ）、（ｂ）は本発明の第１実施例
のＸ線検出装置の製造工程を示す断面図である。
のＸ線検出装置の製造工程を示す断面図である。
【００２０】まず、図１（ａ）に示すように、ガラス等
の基板１１上にＰＩＮ型フォトダイオードからなる光電
変換素子部１２及びＴＦＴ１３が形成され、その上にデ
バイス特性の安定化のためにＳｉＮ保護膜１４が形成さ
れる。
の基板１１上にＰＩＮ型フォトダイオードからなる光電
変換素子部１２及びＴＦＴ１３が形成され、その上にデ
バイス特性の安定化のためにＳｉＮ保護膜１４が形成さ
れる。
【００２１】図２はセンサー基板の等価回路図、図３は
センサー基板の模式的断面図を示し、図２，図３中、10
1はＰＩＮ型フォトダイオード、102はＴＦＴ、103は信
号線、104はゲート配線、105はセンサーバイアス配線で
ある。
センサー基板の模式的断面図を示し、図２，図３中、10
1はＰＩＮ型フォトダイオード、102はＴＦＴ、103は信
号線、104はゲート配線、105はセンサーバイアス配線で
ある。
【００２２】また、図３において、201はガラス基板、2
02はゲート配線、203はゲート絶縁膜、204はｉ型ａ−Ｓ
ｉ活性層、205はＳｉＮ層、206はn+型オーミックコンタ
クト層、207はＳＤ（ソース・ドレイン）電極、208はセ
ンサー下電極、210、211、212はそれぞれｐ、ｉ、n型ａ
−Ｓｉ層、209はセンサー上電極、213はＳｉＮ保護膜で
ある。なお、図３中において、センサーバイアス配線は
不図示である。
02はゲート配線、203はゲート絶縁膜、204はｉ型ａ−Ｓ
ｉ活性層、205はＳｉＮ層、206はn+型オーミックコンタ
クト層、207はＳＤ（ソース・ドレイン）電極、208はセ
ンサー下電極、210、211、212はそれぞれｐ、ｉ、n型ａ
−Ｓｉ層、209はセンサー上電極、213はＳｉＮ保護膜で
ある。なお、図３中において、センサーバイアス配線は
不図示である。
【００２３】本実施例では図３に示すように、ＴＦＴは
逆スタガー型のＴＦＴを用い、ＳｉＮゲート絶縁層、ｉ
型ａ−Ｓｉ活性層、ｎ+オーミックコンタクト層より構
成されている。一方、ＰＩＮ型フォトダイオードは、ｐ
型ａ−Ｓｉ層、ｉ型ａ−Ｓｉ層、ｎ型ａ−Ｓｉ層より構
成されている。即ち、ＴＦＴとＰＩＮ型フォトダイオー
ドとでは、層構成が異なり、その結果、センサー基板の
表面段差は機能素子間で大きなものとなる。
逆スタガー型のＴＦＴを用い、ＳｉＮゲート絶縁層、ｉ
型ａ−Ｓｉ活性層、ｎ+オーミックコンタクト層より構
成されている。一方、ＰＩＮ型フォトダイオードは、ｐ
型ａ−Ｓｉ層、ｉ型ａ−Ｓｉ層、ｎ型ａ−Ｓｉ層より構
成されている。即ち、ＴＦＴとＰＩＮ型フォトダイオー
ドとでは、層構成が異なり、その結果、センサー基板の
表面段差は機能素子間で大きなものとなる。
【００２４】このような構成のセンサー基板上に、通
常、デバイス特性の安定化のためにＳｉＮ保護膜１４が
形成される。
常、デバイス特性の安定化のためにＳｉＮ保護膜１４が
形成される。
【００２５】その後、図１（ｂ）に示すように、平坦化
層１５としてポリイミドをスピンナーを用いて塗布形成
した。ポリイミドとしては、東レ製，セミコファイン
（ＬＰ−６２；通常粘度は６００〜１０００ｃｐｓ、固
形分は１６．５〜１８．５％）である。スピン条件は第
１回目は５０（ｒｐｍ）／３０（ｓｅｃ）、第２回目は
Ｘ（ｒｐｍ）／６０（ｓｅｃ）（Ｘ：粘度（ｃｐｓ）×
固形分（％）×０．０５６３）とした。
層１５としてポリイミドをスピンナーを用いて塗布形成
した。ポリイミドとしては、東レ製，セミコファイン
（ＬＰ−６２；通常粘度は６００〜１０００ｃｐｓ、固
形分は１６．５〜１８．５％）である。スピン条件は第
１回目は５０（ｒｐｍ）／３０（ｓｅｃ）、第２回目は
Ｘ（ｒｐｍ）／６０（ｓｅｃ）（Ｘ：粘度（ｃｐｓ）×
固形分（％）×０．０５６３）とした。
【００２６】平坦化層はスクリーン印刷、ロールコータ
ー、スプレー、スプレー アンド スピンなどでも可能で
ある。その後、シンチレーター層として、ＣｓＩを蒸着
する。ＣｓＩは本実施例では柱状結晶を成長させた。本
実施例では、このようにＣｓＩの蒸着面を平坦化層１５
としたことで、ＣｓＩの蒸着面の凹凸をなくしＣｓＩの
結晶性が良好なものを得ることができた。 （実施例２）本発明の第２の実施例は、上述した第１の
実施例のＣｓＩ層上を平坦化し、さらに光反射膜として
（保護膜も兼ねている）Ａｌ膜を設けたものである。
ー、スプレー、スプレー アンド スピンなどでも可能で
ある。その後、シンチレーター層として、ＣｓＩを蒸着
する。ＣｓＩは本実施例では柱状結晶を成長させた。本
実施例では、このようにＣｓＩの蒸着面を平坦化層１５
としたことで、ＣｓＩの蒸着面の凹凸をなくしＣｓＩの
結晶性が良好なものを得ることができた。 （実施例２）本発明の第２の実施例は、上述した第１の
実施例のＣｓＩ層上を平坦化し、さらに光反射膜として
（保護膜も兼ねている）Ａｌ膜を設けたものである。
【００２７】図４（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施例
のＸ線検出装置の製造工程を示す断面図である。
のＸ線検出装置の製造工程を示す断面図である。
【００２８】図４（ｂ）に示すＣｓＩ積層工程までは、
図１（ａ），（ｂ）を用いて説明した第１実施例の製造
工程と同様にして製造を行う。
図１（ａ），（ｂ）を用いて説明した第１実施例の製造
工程と同様にして製造を行う。
【００２９】次に、積層されたＣｓＩ１６の表面を平坦
化した。ＣｓＩを柱状結晶として成長させた場合、その
表面は数μmから数10μm程度の凹凸を示す。本実施例で
は、反射膜、或いは、耐湿性保護膜を均一に、且つ、カ
バレッジ良く形成するために、ポリウレタン研磨布及び
シリカ研磨剤などを用いて平坦化を行った。図５は研磨
領域Ｐを示す一部断面図である。なお、平坦化はエッチ
バック等のフォトリソグラフィにより可能でもある。
化した。ＣｓＩを柱状結晶として成長させた場合、その
表面は数μmから数10μm程度の凹凸を示す。本実施例で
は、反射膜、或いは、耐湿性保護膜を均一に、且つ、カ
バレッジ良く形成するために、ポリウレタン研磨布及び
シリカ研磨剤などを用いて平坦化を行った。図５は研磨
領域Ｐを示す一部断面図である。なお、平坦化はエッチ
バック等のフォトリソグラフィにより可能でもある。
【００３０】その後、反射膜と保護膜を兼ねてＡｌ膜１
７を形成した。 （実施例３）本発明の第３の実施例は、上述した第２の
実施例においてＣｓＩ層の研磨を行わずに、平坦化層と
してポリイミド膜を形成したものである。
７を形成した。 （実施例３）本発明の第３の実施例は、上述した第２の
実施例においてＣｓＩ層の研磨を行わずに、平坦化層と
してポリイミド膜を形成したものである。
【００３１】図６は本発明の第３実施例のＸ線検出装置
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【００３２】本実施例のＸ線検出装置を作製するには、
まず、ＣｓＩ積層工程までは、図１（ａ），（ｂ）を用
いて説明した第１実施例の製造工程と同様にして製造を
行う。
まず、ＣｓＩ積層工程までは、図１（ａ），（ｂ）を用
いて説明した第１実施例の製造工程と同様にして製造を
行う。
【００３３】次に、積層されたＣｓＩ１６上に平坦化層
としてポリイミドをスピンナーを用いて塗布形成してい
る。上述したように、ＣｓＩを柱状結晶として成長させ
た場合、その表面は数μmから数10μm程度の凹凸を示す
がポリイミドを塗布形成することで表面が平坦化され
る。さらに、反射膜、或いは、耐湿性保護膜を均一に、
且つ、カバレジ良く形成するために、反射膜と保護膜を
兼ねてＡｌ膜を形成した。図７はポリイミドおよびＡｌ
膜形成後の構成を示す断面図である。
としてポリイミドをスピンナーを用いて塗布形成してい
る。上述したように、ＣｓＩを柱状結晶として成長させ
た場合、その表面は数μmから数10μm程度の凹凸を示す
がポリイミドを塗布形成することで表面が平坦化され
る。さらに、反射膜、或いは、耐湿性保護膜を均一に、
且つ、カバレジ良く形成するために、反射膜と保護膜を
兼ねてＡｌ膜を形成した。図７はポリイミドおよびＡｌ
膜形成後の構成を示す断面図である。
【００３４】なお、本実施例では、図８（ａ）、（ｂ）
に示すように、センサー基板端部の端面にもポリイミド
膜１８及びＡｌ膜１７が形成されている。ＣｓＩは第１
の平坦化層となるポリイミド膜１５と第2の平坦化層と
なるポリイミド膜１８とによりパッケイジされた構造と
なっている。さらに、更に、第1および第2の平坦化層
は、耐湿性保護膜となるＡｌ膜１７でパッケイジされた
構造となっている。このような構成を取ることにより、
例えばＣｓＩが水分等の外部雰囲気の影響を受けないよ
うにして耐久性を向上させることができる。
に示すように、センサー基板端部の端面にもポリイミド
膜１８及びＡｌ膜１７が形成されている。ＣｓＩは第１
の平坦化層となるポリイミド膜１５と第2の平坦化層と
なるポリイミド膜１８とによりパッケイジされた構造と
なっている。さらに、更に、第1および第2の平坦化層
は、耐湿性保護膜となるＡｌ膜１７でパッケイジされた
構造となっている。このような構成を取ることにより、
例えばＣｓＩが水分等の外部雰囲気の影響を受けないよ
うにして耐久性を向上させることができる。
【００３５】図９は、センサー基板端面にポリイミド膜
１８及びＡｌ膜１７が形成される場合の製造工程を示す
図である。
１８及びＡｌ膜１７が形成される場合の製造工程を示す
図である。
【００３６】なお、このような端部処理を行わなくて
も、例えばアルミ箔等の薄板金属板でセンサー基板を覆
うことで同様な効果を得ることができる。このような構
成例としては本件出願人が特願平１０−９６９５８号に
提案したものがある。この構成を本発明に適用すること
ができる。
も、例えばアルミ箔等の薄板金属板でセンサー基板を覆
うことで同様な効果を得ることができる。このような構
成例としては本件出願人が特願平１０−９６９５８号に
提案したものがある。この構成を本発明に適用すること
ができる。
【００３７】図１６及び図１７は特願平１０−９６９５
８号において示されたＸ線検出装置の断面図である。図
１６ではシンチレーター層２１１の端部を覆うように、
傾斜面を持つように薄板金属板２１４を延伸し、この端
辺を下側に折り曲げ、センサー基板の一部に樹脂封止材
２１６を設けている。この構成では有機樹脂又は無機樹
脂の樹脂封止材２１６によって水分等の通過を抑制する
ことができるとともに、薄板金属板２１４とシンチレー
タ層２１１との間に形成される空間によっても水分等が
シンチレーター層２１１に侵入するのを防止することが
できる。
８号において示されたＸ線検出装置の断面図である。図
１６ではシンチレーター層２１１の端部を覆うように、
傾斜面を持つように薄板金属板２１４を延伸し、この端
辺を下側に折り曲げ、センサー基板の一部に樹脂封止材
２１６を設けている。この構成では有機樹脂又は無機樹
脂の樹脂封止材２１６によって水分等の通過を抑制する
ことができるとともに、薄板金属板２１４とシンチレー
タ層２１１との間に形成される空間によっても水分等が
シンチレーター層２１１に侵入するのを防止することが
できる。
【００３８】また、図１７では薄板金属板２１４をシン
チレーター層端部に沿って折り曲げた形状にし、外周を
有機樹脂又は無機樹脂の樹脂封止材２１６で封止した構
成にしている。この構成ではシンチレーター層の端面部
分が金属により覆われているので、水分等がシンチレー
ター層へ侵入するのを抑制できる。 （実施例４）本発明の第４の実施例は、上述した第３の
実施例にように、ＣｓＩの蒸着面の平坦化する場合に、
ポリイミド膜を用いずＳｉＮ保護膜をＣＭＰ等により研
磨することで行ったものである。
チレーター層端部に沿って折り曲げた形状にし、外周を
有機樹脂又は無機樹脂の樹脂封止材２１６で封止した構
成にしている。この構成ではシンチレーター層の端面部
分が金属により覆われているので、水分等がシンチレー
ター層へ侵入するのを抑制できる。 （実施例４）本発明の第４の実施例は、上述した第３の
実施例にように、ＣｓＩの蒸着面の平坦化する場合に、
ポリイミド膜を用いずＳｉＮ保護膜をＣＭＰ等により研
磨することで行ったものである。
【００３９】図１０（ａ）、（ｂ）は本発明の第４実施
例のＸ線検出装置の製造工程を示す断面図である。本実
施例は上記のようにＣｓＩの蒸着面の平坦化する場合
に、ポリイミド膜を用いずＳｉＮ保護膜を研磨する点を
除いて第３の実施例の工程と同じなので、主として研磨
工程について説明を行う。
例のＸ線検出装置の製造工程を示す断面図である。本実
施例は上記のようにＣｓＩの蒸着面の平坦化する場合
に、ポリイミド膜を用いずＳｉＮ保護膜を研磨する点を
除いて第３の実施例の工程と同じなので、主として研磨
工程について説明を行う。
【００４０】図１０（ａ）に示すように、ＰＩＮ型フォ
トダイオード１２、ＴＦＴ１３等による表面の凹凸が埋
まるようにＳｉＮ保護膜１４を形成した後に、ＣＭＰ等
により研磨することでＳｉＮ保護膜１４表面を平坦化す
る。その後、上述した第３実施例と同様に図１０（ｂ）
に示すように、ＣｓＩ層１６、平坦化層としてポリイミ
ド膜１８、耐湿性保護膜となるＡｌ膜１７を形成した。
なお保護膜１４としてＳｉＯ2膜を用いてもよい。
トダイオード１２、ＴＦＴ１３等による表面の凹凸が埋
まるようにＳｉＮ保護膜１４を形成した後に、ＣＭＰ等
により研磨することでＳｉＮ保護膜１４表面を平坦化す
る。その後、上述した第３実施例と同様に図１０（ｂ）
に示すように、ＣｓＩ層１６、平坦化層としてポリイミ
ド膜１８、耐湿性保護膜となるＡｌ膜１７を形成した。
なお保護膜１４としてＳｉＯ2膜を用いてもよい。
【００４１】本実施例において、保護膜１４は、ＰＩＮ
型フォトダイオード１２、ＴＦＴ１３を保護する部分に
ついては、ＰＩＮ型フォトダイオード、ＴＦＴの特性に
影響を与えず、緻密な膜を形成することが望ましいが、
平坦化させる部分については必ずしも、このような膜を
形成する必要はない。
型フォトダイオード１２、ＴＦＴ１３を保護する部分に
ついては、ＰＩＮ型フォトダイオード、ＴＦＴの特性に
影響を与えず、緻密な膜を形成することが望ましいが、
平坦化させる部分については必ずしも、このような膜を
形成する必要はない。
【００４２】図１１はＰＩＮ型フォトダイオード１２、
ＴＦＴ１３を保護する部分は、特性に影響を与えず、緻
密な第１の保護膜１４、凹凸部分を埋める部分は研磨し
やすい、堆積速度が速い等の材料からなる第２の保護膜
１９で形成した場合を示す断面図である。
ＴＦＴ１３を保護する部分は、特性に影響を与えず、緻
密な第１の保護膜１４、凹凸部分を埋める部分は研磨し
やすい、堆積速度が速い等の材料からなる第２の保護膜
１９で形成した場合を示す断面図である。
【００４３】第１の保護膜１４としてＳｉＮ膜、第２の
保護膜としてＳｉＯ2膜を形成したり、同一の材料の膜
（ＳｉＮ膜やＳｉＯ2膜）で、製造方法や製造条件を変
えて第１の保護膜１４と第２の保護膜１９を形成するこ
とができる。同一の材料の膜で第１の保護膜１４と第２
の保護膜１９の製造条件を変えて形成する場合の例とし
ては、第１の保護膜をＨ2，Ｎ2,ＳＨ4の混合ガスでＣＶ
Ｄ法により堆積し、第２の保護膜をＨ2，ＮＨ3,ＳＨ4の
混合ガスでＣＶＤ法により堆積することで、ＰＩＮ型フ
ォトダイオード、ＴＦＴの特性に影響を与えず、しかも
堆積速度を向上させて保護膜を形成することができる。
第１の保護膜と第２の保護膜の製造方法を変えて形成す
る場合の例としては、第１の保護膜をＨ2，Ｎ2,ＳＨ4の
混合ガスでＣＶＤ法により堆積し、第２の保護膜をスパ
ッタ法で堆積する場合が挙げられる。
保護膜としてＳｉＯ2膜を形成したり、同一の材料の膜
（ＳｉＮ膜やＳｉＯ2膜）で、製造方法や製造条件を変
えて第１の保護膜１４と第２の保護膜１９を形成するこ
とができる。同一の材料の膜で第１の保護膜１４と第２
の保護膜１９の製造条件を変えて形成する場合の例とし
ては、第１の保護膜をＨ2，Ｎ2,ＳＨ4の混合ガスでＣＶ
Ｄ法により堆積し、第２の保護膜をＨ2，ＮＨ3,ＳＨ4の
混合ガスでＣＶＤ法により堆積することで、ＰＩＮ型フ
ォトダイオード、ＴＦＴの特性に影響を与えず、しかも
堆積速度を向上させて保護膜を形成することができる。
第１の保護膜と第２の保護膜の製造方法を変えて形成す
る場合の例としては、第１の保護膜をＨ2，Ｎ2,ＳＨ4の
混合ガスでＣＶＤ法により堆積し、第２の保護膜をスパ
ッタ法で堆積する場合が挙げられる。
【００４４】前述した実施例１〜４は、一枚のセンサー
基板について説明したが、センサー基板の大きさに限界
があるときに大面積のＸ線検出装置を構成する場合に
は、複数のセンサー基板を貼り合わせて構成することが
ある。図１４及び図１５を用いて、複数のセンサー基板
を貼り合わせて大面積のＸ線検出装置を構成した場合の
実装例について説明する。
基板について説明したが、センサー基板の大きさに限界
があるときに大面積のＸ線検出装置を構成する場合に
は、複数のセンサー基板を貼り合わせて構成することが
ある。図１４及び図１５を用いて、複数のセンサー基板
を貼り合わせて大面積のＸ線検出装置を構成した場合の
実装例について説明する。
【００４５】センサー基板２０は、ＰＩＮ型フォトダイ
オード、ＴＦＴ、第１のＳｉＮ保護膜上に、第１のポリ
イミド平坦化層、ＣｓＩ等のシンチレーター層、第2の
ポリイミド平坦化層、Ａｌ反射膜、第２のＳｉＮ保護膜
の層構成を有している。第２のＳｉＮ保護膜はＡｌ反射
膜がセンサー基板切断時に腐食されるのを防止する目的
で設けられることもある。
オード、ＴＦＴ、第１のＳｉＮ保護膜上に、第１のポリ
イミド平坦化層、ＣｓＩ等のシンチレーター層、第2の
ポリイミド平坦化層、Ａｌ反射膜、第２のＳｉＮ保護膜
の層構成を有している。第２のＳｉＮ保護膜はＡｌ反射
膜がセンサー基板切断時に腐食されるのを防止する目的
で設けられることもある。
【００４６】以上の様に構成されたセンサー基板はダイ
ヤモンドブレードにより切断され、図１４に示すよう
に、基台２１に貼り合わせられる。
ヤモンドブレードにより切断され、図１４に示すよう
に、基台２１に貼り合わせられる。
【００４７】図１５は図１４のＡ−Ａ断面図であり、図
１５に示すように、センサー基板２０間の貼り合わせ部
には、光学的なクロストークを防止するために黒色の樹
脂２２を充填している。また、センサー基板の端面が露
出している場合にはエポキシ等の樹脂２３で被覆するこ
とが望ましい。 （実施例５）本発明の第５の実施例として、複数のセン
サー基板を貼り合わせた後に平坦化を行う場合について
述べる。
１５に示すように、センサー基板２０間の貼り合わせ部
には、光学的なクロストークを防止するために黒色の樹
脂２２を充填している。また、センサー基板の端面が露
出している場合にはエポキシ等の樹脂２３で被覆するこ
とが望ましい。 （実施例５）本発明の第５の実施例として、複数のセン
サー基板を貼り合わせた後に平坦化を行う場合について
述べる。
【００４８】図１２に示すように、基台２１に複数個の
センサー基板２０を貼り合わせた後、ポリイミド平坦化
層１５を塗布し、この時、貼り合わせクロス部にディス
ペンサーで一旦充填した後、再度、基板全体にスピンコ
ートする。その後、ＣｓＩ等のシンチレーター層１６を
蒸着し、第２のポリイミド平坦化層１８を塗布した後、
Ａｌ膜１７を形成する。
センサー基板２０を貼り合わせた後、ポリイミド平坦化
層１５を塗布し、この時、貼り合わせクロス部にディス
ペンサーで一旦充填した後、再度、基板全体にスピンコ
ートする。その後、ＣｓＩ等のシンチレーター層１６を
蒸着し、第２のポリイミド平坦化層１８を塗布した後、
Ａｌ膜１７を形成する。
【００４９】なお、不図示であるが基板張り合わせ前に
は、基板端面及び表面の一部に黒色の樹脂を塗布し光学
的クロストークを防止している。
は、基板端面及び表面の一部に黒色の樹脂を塗布し光学
的クロストークを防止している。
【００５０】本実施例において、第３実施例と同様に、
センサー基板端面にポリイミド膜１８及びＡｌ膜１７を
形成したり、アルミ箔等の薄板金属板でセンサー基板を
覆う端面処理を行ってもよいことはもちろんである。
センサー基板端面にポリイミド膜１８及びＡｌ膜１７を
形成したり、アルミ箔等の薄板金属板でセンサー基板を
覆う端面処理を行ってもよいことはもちろんである。
【００５１】以上説明した各実施例は、光電変換素子と
してＰＩＮ型フォトダイオードを用いているが、ＴＦＴ
と同じ層構成を有するＭＩＳ型フォトセンサーを用いる
ことができる。このようなＭＩＳ型フォトセンサーを用
いたＸ線検出装置は、例えば特開平７−２５０５１２号
公報に開示されている。
してＰＩＮ型フォトダイオードを用いているが、ＴＦＴ
と同じ層構成を有するＭＩＳ型フォトセンサーを用いる
ことができる。このようなＭＩＳ型フォトセンサーを用
いたＸ線検出装置は、例えば特開平７−２５０５１２号
公報に開示されている。
【００５２】図１３（ａ）は一画素に相当する部分の平
面図、図１３（ｂ）は図１３中破線Ａ−Ｂで示した部分
の断面図である。
面図、図１３（ｂ）は図１３中破線Ａ−Ｂで示した部分
の断面図である。
【００５３】図１３において、Ｓ１１は光電変換素子、
Ｔ１１はＴＦＴ、Ｃ１１はコンデンサ、ＳＩＧは信号配
線である。３０１はガラスなどで形成される絶縁基板上
に設けられた、ＡｌやＣｒなどで形成される下部電極で
ある。３０２は電子、ホール共に通過を阻止する窒化シ
リコン（ＳｉＮ）などで形成される絶縁層であり、その
厚さはトンネル効果により電子、ホールが通過できない
ほどの厚さである５００オングストローム以上に設定さ
れる。３０３は水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）の真性半導体ｉ層で形成される光電変換半導体
層、３０４は光電変換半導体層３０３に透明電極３０５
側からのホールの注入を阻止するａ−Ｓｉのｎ+層で形
成される注入阻止層、透明電極３０５はＩＴＯのような
インジウム又はスズを含む化合物、酸化物などで形成さ
れる。３０６はＳｉＮ保護膜である。
Ｔ１１はＴＦＴ、Ｃ１１はコンデンサ、ＳＩＧは信号配
線である。３０１はガラスなどで形成される絶縁基板上
に設けられた、ＡｌやＣｒなどで形成される下部電極で
ある。３０２は電子、ホール共に通過を阻止する窒化シ
リコン（ＳｉＮ）などで形成される絶縁層であり、その
厚さはトンネル効果により電子、ホールが通過できない
ほどの厚さである５００オングストローム以上に設定さ
れる。３０３は水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）の真性半導体ｉ層で形成される光電変換半導体
層、３０４は光電変換半導体層３０３に透明電極３０５
側からのホールの注入を阻止するａ−Ｓｉのｎ+層で形
成される注入阻止層、透明電極３０５はＩＴＯのような
インジウム又はスズを含む化合物、酸化物などで形成さ
れる。３０６はＳｉＮ保護膜である。
【００５４】図１３から明らかなように、光電変換素子
はＴＦＴと同一膜構成であり、またコンデンサＣ１１と
光電変換素子Ｓ１１とは特別に素子を分離しておらず、
光電変換素子Ｓ１１の電極の面積を大きくすることによ
りコンデンサＣ１１を形成している。
はＴＦＴと同一膜構成であり、またコンデンサＣ１１と
光電変換素子Ｓ１１とは特別に素子を分離しておらず、
光電変換素子Ｓ１１の電極の面積を大きくすることによ
りコンデンサＣ１１を形成している。
【００５５】次に、本発明によるＸ線検出装置の実装例
及びそれを用いたＸ線検出システムについて説明する。
及びそれを用いたＸ線検出システムについて説明する。
【００５６】図１８（ａ）、図１８（ｂ）は本発明によ
るＸ線検出装置の実装例の模式的構成図及び模式的断面
図である。
るＸ線検出装置の実装例の模式的構成図及び模式的断面
図である。
【００５７】光電変換素子とＴＦＴはａ−Ｓｉセンサ基
板６０１１内に複数個形成され、シフトレジスタＳＲ１
と検出用集積回路ＩＣが実装されたフレキシブル回路基
板６０１０が接続されている。フレキシブル回路基板６
０１０の逆側は回路基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続され
ている。前記ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１の複数枚が基
台６０１２の上に接着され大型の光電変換装置を構成す
る基台６０１２の下には処理回路６０１８内のメモリ６
０１４をＸ線から保護するため鉛板６０１３が実装され
ている。ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１上にはＸ線を可視
光に変換するためのシンチレーター６０３０たとえばＣ
ｓＩが、蒸着されている。図１８（ｂ）に示されるよう
に全体をカーボンファイバー製のケース６０２０に収納
している。
板６０１１内に複数個形成され、シフトレジスタＳＲ１
と検出用集積回路ＩＣが実装されたフレキシブル回路基
板６０１０が接続されている。フレキシブル回路基板６
０１０の逆側は回路基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続され
ている。前記ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１の複数枚が基
台６０１２の上に接着され大型の光電変換装置を構成す
る基台６０１２の下には処理回路６０１８内のメモリ６
０１４をＸ線から保護するため鉛板６０１３が実装され
ている。ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１上にはＸ線を可視
光に変換するためのシンチレーター６０３０たとえばＣ
ｓＩが、蒸着されている。図１８（ｂ）に示されるよう
に全体をカーボンファイバー製のケース６０２０に収納
している。
【００５８】図１９は本発明によるＸ線検出装置のＸ線
診断システムへの応用例を示したものである。
診断システムへの応用例を示したものである。
【００５９】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、シンチレーターを上部に実装した光電変換装置６
０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１
の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して
シンチレーターは発光し、これを光電変換して、電気的
情報を得る。この情報はディジタルに変換されイメージ
プロセッサ６０７０により画像処理され制御室のディス
プレイ６０８０で観察できる。
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、シンチレーターを上部に実装した光電変換装置６
０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１
の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して
シンチレーターは発光し、これを光電変換して、電気的
情報を得る。この情報はディジタルに変換されイメージ
プロセッサ６０７０により画像処理され制御室のディス
プレイ６０８０で観察できる。
【００６０】また、この情報は電話回線６０９０等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
シンチレーター層を構成するＣｓＩ等の結晶性の向上さ
せることができる。更に、ＣｓＩ等のシンチレーター層
の表面の凹凸を平坦化し、反射膜、保護膜をカバレジ良
く、高信頼性で作製することができる。
シンチレーター層を構成するＣｓＩ等の結晶性の向上さ
せることができる。更に、ＣｓＩ等のシンチレーター層
の表面の凹凸を平坦化し、反射膜、保護膜をカバレジ良
く、高信頼性で作製することができる。
【００６２】更に、センサー基板を貼り合わせて作成す
る場合において、複数基板に均一にＣｓＩ等のシンチレ
ーター層を形成することができる。
る場合において、複数基板に均一にＣｓＩ等のシンチレ
ーター層を形成することができる。
【００６３】その結果、実質的な開口率を上げ、高感
度、ハイスピードの放射線検出装置を提供することがで
きる。
度、ハイスピードの放射線検出装置を提供することがで
きる。
【図１】本発明のＸ線検出装置の第１実施例の製造工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】センサー基板の等価回路図である。
【図３】センサー基板の模式的断面図である。
【図４】本発明のＸ線検出装置の第２実施例の製造工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施例における研磨工程を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
【図６】本発明のＸ線検出装置の第３実施例の構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図７】本発明の第３実施例の構成を示す一部拡大断面
図である。
図である。
【図８】本発明のＸ線検出装置の第３実施例の単部の構
成を示す平面図及び断面図である。
成を示す平面図及び断面図である。
【図９】本発明のＸ線検出装置の第３実施例の製造工程
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１０】本発明のＸ線検出装置の第４実施例の製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図１１】本発明のＸ線検出装置の第４実施例の他の製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図１２】本発明のＸ線検出装置の第５実施例の単部の
構成を示す平面図及び断面図である。
構成を示す平面図及び断面図である。
【図１３】他の構成のセンサー基板の模式的平面図及び
断面図である。
断面図である。
【図１４】センサー基板を貼り合わせてＸ線検出装置を
構成する場合の構成を示す斜視図である。
構成する場合の構成を示す斜視図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ断面図である。
【図１６】特願平１０−９６９５８号において示された
Ｘ線検出装置の断面図である。
Ｘ線検出装置の断面図である。
【図１７】特願平１０−９６９５８号において示された
Ｘ線検出装置の他の構成の断面図である。
Ｘ線検出装置の他の構成の断面図である。
【図１８】本発明によるＸ線検出装置の実装例の模式的
構成図及び模式的断面図である。
構成図及び模式的断面図である。
【図１９】本発明によるＸ線検出装置のＸ線診断システ
ムへの応用例を示したものである。
ムへの応用例を示したものである。
１１ 基板 １２ ＰＩＮ １３ ＴＦＴ １４ ＳｉＮ １５ 平坦化層 １６ シンチレーター層 １７ Ａｌ層 １８ 平坦化層 １９ ＳｉＯ2層
Claims (28)
- 【請求項１】 一対の光電変換素子とスイッチ素子とが
複数配置されたセンサー基板上に、入射した放射線を該
光電変換素子が検知可能な光に変換するシンチレーター
層を設けてなる放射線検出装置において、 前記シンチレーター層と接する面が平坦面である平坦化
層を、前記センサー基板と前記シンチレーター層との間
に設けたことを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の放射線検出装置におい
て、前記平坦化層は、前記センサー基板上に設けられた
保護層を平坦化することで得られた層であることを特徴
とする放射線検出装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の放射線検出装置におい
て、前記平坦化層は、前記センサー基板上に設けられた
保護層上に設けられていることを特徴とする放射線検出
装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかの請求項に記載
の放射線検出装置において、前記シンチレーター層上に
第２の平坦化層を設けたことを特徴とする放射線検出装
置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の放射線検出装置におい
て、前記第２の平坦化層は前記シンチレーター層の端面
を覆っていることを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項６】 請求項１〜３のいずれかの請求項に記載
の放射線検出装置において、前記シンチレーター層が平
坦化されていることを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項７】 請求項４又は請求項５に記載の放射線検
出装置において、前記第２の平坦化層上に光反射膜が設
けられていることを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項８】 請求項６に記載の放射線検出装置におい
て、平坦化された前記シンチレーター層上に光反射膜が
設けられていることを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項９】 基体上に一対の光電変換素子とスイッチ
素子とが複数配置されたセンサー基板を複数配置し、該
複数のセンサー基板上に平坦化層を設け、該平坦化層上
にシンチレーター層を設けたことを特徴とする放射線検
出装置。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の放射線検出装置にお
いて、前記シンチレーター層上に第２の平坦化層を設け
たことを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の放射線検出装置に
おいて、前記第２の平坦化層は前記シンチレーター層の
端面を覆っていることを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項１２】 請求項１０又は請求項１１に記載の放
射線検出装置において、前記第２の平坦化層上に光反射
膜が設けられていることを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれかの請求項に
記載の放射線検出装置において、前記シンチレーター層
は柱状結晶であることを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項１４】 請求項１〜１３に記載の放射線検出装
置において、前記シンチレーター層はＣｓＩ結晶である
ことを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項１５】 請求項１〜１４のいずれかの請求項に
記載の放射線検出装置と、 該放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段
と、 前記信号処理手段からの信号を記録する為の記録手段
と、 前記信号処理手段からの信号を表示する為の表示手段
と、 前記信号処理手段からの信号を電送する為の電送手段
と、を有することを特徴とする放射線検出システム。 - 【請求項１６】 一対の光電変換素子とスイッチ素子と
が複数配置されたセンサー基板上に保護層を形成する工
程と、前記保護層上にその表面が平坦な平坦化層を形成
する工程と、前記平坦化層上にシンチレーター層を形成
する工程と、を有する放射線検出装置の製造方法。 - 【請求項１７】 一対の光電変換素子とスイッチ素子と
が複数配置されたセンサー基板上に保護層を形成する工
程と、前記保護層の表面を平坦化する工程と、平坦化さ
れた保護層上にシンチレーター層を形成する工程と、を
有する放射線検出装置の製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１６又は請求項１７に記載の放
射線検出装置の製造方法において、前記シンチレーター
層上に第２の平坦化層を設ける工程を有することを特徴
とする放射線検出装置の製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の放射線検出装置の
製造方法において、前記第２の平坦化層は前記シンチレ
ーター層の端面を覆っていることを特徴とする放射線検
出装置の製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１６又は請求項１７に記載の放
射線検出装置の製造方法において、前記シンチレーター
層を平坦化する工程を有することを特徴とする放射線検
出装置の製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１８又は請求項１９に記載の放
射線検出装置の製造方法において、前記第２の平坦化層
上に光反射膜を設ける工程を有することを特徴とする放
射線検出装置の製造方法。 - 【請求項２２】 請求項２０に記載の放射線検出装置の
製造方法において、平坦化された前記シンチレーター層
上に光反射膜を設ける工程を有することを特徴とする放
射線検出装置の製造方法。 - 【請求項２３】 基体上に一対の光電変換素子とスイッ
チ素子とが複数配置されたセンサー基板を複数配置し、
該複数のセンサー基板上に平坦化層を設ける工程と、該
平坦化層上にシンチレーター層を設ける工程と、を有す
ることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 - 【請求項２４】 請求項２３に記載の放射線検出装置の
製造方法において、前記シンチレーター層上に第２の平
坦化層を設けたことを特徴とする放射線検出装置の製造
方法。 - 【請求項２５】 請求項２４に記載の放射線検出装置の
製造方法において、前記第２の平坦化層は前記シンチレ
ーター層の端面を覆っていることを特徴とする放射線検
出装置の製造方法。 - 【請求項２６】 請求項２４又は請求項２５に記載の放
射線検出装置の製造方法において、前記第２の平坦化層
上に光反射膜が設けられていることを特徴とする放射線
検出装置の製造方法。 - 【請求項２７】 請求項１６〜２６のいずれかの請求項
に記載の放射線検出装置の製造方法において、前記シン
チレーター層は柱状結晶であることを特徴とする放射線
検出装置の製造方法。 - 【請求項２８】 請求項１６〜２７に記載の放射線検出
装置の製造方法において、前記シンチレーター層はＣｓ
Ｉ結晶であることを特徴とする放射線検出装置の製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10307033A JP2000131444A (ja) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法 |
| US09/422,792 US7102676B1 (en) | 1998-10-28 | 1999-10-22 | Image pick-up apparatus and image pick-up system, and method for manufacturing image pick-up apparatus |
| DE69939889T DE69939889D1 (de) | 1998-10-28 | 1999-10-26 | Bildaufnahmevorrichtung und Bildaufnahmesystem sowie Herstellungsverfahren einer solchen Vorrichtung |
| EP99308455A EP0997949B1 (en) | 1998-10-28 | 1999-10-26 | Image pick-up apparatus and image pick-up system, and method for manufacturing image pick-up apparatus |
| US11/513,066 US7852392B2 (en) | 1998-10-28 | 2006-08-31 | Image pick-up apparatus and image pick-up system, and method for manufacturing image pick-up apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10307033A JP2000131444A (ja) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005242724A Division JP2006017742A (ja) | 2005-08-24 | 2005-08-24 | 放射線検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000131444A true JP2000131444A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=17964238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10307033A Pending JP2000131444A (ja) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7102676B1 (ja) |
| EP (1) | EP0997949B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000131444A (ja) |
| DE (1) | DE69939889D1 (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000338253A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-08 | Siemens Ag | 固体画像検出器の製造方法および固体画像検出器 |
| JP2002048872A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
| JP2002243859A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-28 | Canon Inc | 放射線検出装置及びその製造方法 |
| JP2003066196A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Canon Inc | 蛍光板の製造方法、蛍光板、放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法および放射線検出システム |
| JP2003075592A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Canon Inc | シンチレータ、放射線検出装置及びシステム |
| JPWO2002023219A1 (ja) * | 2000-09-11 | 2004-03-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル、放射線イメージセンサおよびそれらの製造方法 |
| JP2004205517A (ja) * | 2002-12-23 | 2004-07-22 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | Ｘ線画像検出器アセンブリのための方法及び装置 |
| JP2007192807A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | Ｘ線検出器の製造方法およびｘ線検出器 |
| US7315027B2 (en) | 2003-10-22 | 2008-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection device, scintillator panel, method of making the same, making apparatus, and radiation image pick-up system |
| JP2009128185A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Toshiba Corp | 放射線検出器およびその製造方法 |
| JP2010056570A (ja) * | 2001-11-13 | 2010-03-11 | Canon Inc | 放射線検出装置及びその駆動方法、並びに光電変換装置 |
| WO2010026789A1 (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 |
| WO2012026187A1 (ja) | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
| JP2013118220A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 画像検出器 |
| US8497562B2 (en) | 2008-04-23 | 2013-07-30 | Epson Imaging Devices Corporation | Solid-state image pickup device |
| JP2014145783A (ja) * | 2014-04-11 | 2014-08-14 | Toshiba Corp | シンチレータ部材 |
| JP2015141190A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム |
| WO2020066988A1 (ja) | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法 |
| JP2020061572A (ja) * | 2010-07-01 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000131444A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Canon Inc | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法 |
| US6414316B1 (en) * | 2000-11-30 | 2002-07-02 | Fyodor I. Maydanich | Protective cover and attachment method for moisture sensitive devices |
| US6927379B2 (en) * | 2000-12-22 | 2005-08-09 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Hermetically sealed digital detector |
| JP3688677B2 (ja) * | 2002-11-19 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | カメラの組み込み方法及びカメラ付き携帯形電子機器 |
| WO2005060011A1 (ja) * | 2003-12-16 | 2005-06-30 | National University Corporation Shizuoka University | 広域エネルギーレンジ放射線検出器及び製造方法 |
| WO2007040072A1 (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 電磁界検出素子及びそれを用いた装置 |
| EP2142943A2 (en) * | 2007-04-23 | 2010-01-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Detector with a partially transparent scintillator substrate |
| KR100882537B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2009-02-18 | 라드텍주식회사 | 일체화된 픽셀형 섬광체를 갖는 방사선 영상 검출기 모듈및 그 제작방법 |
| JP4693827B2 (ja) * | 2007-09-20 | 2011-06-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置とその製造方法 |
| US7902512B1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-03-08 | Carestream Health, Inc. | Coplanar high fill factor pixel architecture |
| JP6245799B2 (ja) | 2012-11-29 | 2017-12-13 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、及び放射線撮像システム |
| JP6226579B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-11-08 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 放射線検出器及びその製造方法 |
| US9513383B1 (en) | 2015-06-03 | 2016-12-06 | Perkinelmer Holdings, Inc. | Scintillator sealing with foil |
| TWI817057B (zh) * | 2019-11-15 | 2023-10-01 | 合聖科技股份有限公司 | 影像傳輸系統及影像傳輸方法 |
Family Cites Families (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4011454A (en) * | 1975-04-28 | 1977-03-08 | General Electric Company | Structured X-ray phosphor screen |
| US4510173A (en) * | 1983-04-25 | 1985-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming flattened film |
| JP2680002B2 (ja) * | 1987-11-14 | 1997-11-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JPH01191087A (ja) | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
| DE68920448T2 (de) * | 1988-02-10 | 1995-05-18 | Kanegafuchi Chemical Ind | Photodetektorenanordnung und Lesegerät. |
| US5475225A (en) * | 1989-03-17 | 1995-12-12 | Advanced Scientific Concepts Inc. | Autoradiographic digital imager |
| US5262649A (en) | 1989-09-06 | 1993-11-16 | The Regents Of The University Of Michigan | Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation |
| CA2034118A1 (en) * | 1990-02-09 | 1991-08-10 | Nang Tri Tran | Solid state radiation detector |
| US5187369A (en) | 1990-10-01 | 1993-02-16 | General Electric Company | High sensitivity, high resolution, solid state x-ray imaging device with barrier layer |
| US5866905A (en) * | 1991-05-15 | 1999-02-02 | Hitachi, Ltd. | Electron microscope |
| US5552602A (en) * | 1991-05-15 | 1996-09-03 | Hitachi, Ltd. | Electron microscope |
| US5208460A (en) * | 1991-09-23 | 1993-05-04 | General Electric Company | Photodetector scintillator radiation imager having high efficiency light collection |
| JP3691077B2 (ja) | 1992-01-08 | 2005-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出素子およびその製造方法 |
| GB9202693D0 (en) | 1992-02-08 | 1992-03-25 | Philips Electronics Uk Ltd | A method of manufacturing a large area active matrix array |
| JPH0661463A (ja) | 1992-08-07 | 1994-03-04 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP3019632B2 (ja) * | 1992-10-16 | 2000-03-13 | カシオ計算機株式会社 | フォトセンサシステム及びその駆動方法 |
| JP3516459B2 (ja) | 1992-10-19 | 2004-04-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP2721476B2 (ja) | 1993-07-07 | 1998-03-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出素子及びその製造方法 |
| US5401668A (en) | 1993-09-02 | 1995-03-28 | General Electric Company | Method for fabrication solid state radiation imager having improved scintillator adhesion |
| US5399884A (en) * | 1993-11-10 | 1995-03-21 | General Electric Company | Radiation imager with single passivation dielectric for transistor and diode |
| JP3066944B2 (ja) | 1993-12-27 | 2000-07-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム |
| US5381014B1 (en) | 1993-12-29 | 1997-06-10 | Du Pont | Large area x-ray imager and method of fabrication |
| US5587591A (en) * | 1993-12-29 | 1996-12-24 | General Electric Company | Solid state fluoroscopic radiation imager with thin film transistor addressable array |
| US5430298A (en) * | 1994-06-21 | 1995-07-04 | General Electric Company | CT array with improved photosensor linearity and reduced crosstalk |
| US5572034A (en) * | 1994-08-08 | 1996-11-05 | University Of Massachusetts Medical Center | Fiber optic plates for generating seamless images |
| US5812109A (en) * | 1994-08-23 | 1998-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Image input/output apparatus |
| US5723865A (en) * | 1994-11-23 | 1998-03-03 | Thermotrex Corporation | X-ray imaging device |
| TW448584B (en) * | 1995-03-27 | 2001-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US5739548A (en) * | 1995-05-02 | 1998-04-14 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state imaging device having a flattening layer and optical lenses |
| US5587611A (en) * | 1995-05-08 | 1996-12-24 | Analogic Corporation | Coplanar X-ray photodiode assemblies |
| US5731584A (en) * | 1995-07-14 | 1998-03-24 | Imec Vzw | Position sensitive particle sensor and manufacturing method therefor |
| JP3416351B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2003-06-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその駆動方法、それを用いたｘ線撮像装置及びその駆動方法 |
| JP3235717B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2001-12-04 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びｘ線撮像装置 |
| JPH09199699A (ja) | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | 薄膜イメージセンサ |
| JP3957803B2 (ja) * | 1996-02-22 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JPH09275202A (ja) | 1996-04-05 | 1997-10-21 | Canon Inc | 光検出装置 |
| FR2758654B1 (fr) | 1997-01-21 | 1999-04-09 | Thomson Tubes Electroniques | Procede de realisation d'un detecteur de rayonnement a ecran plat et detecteur obtenu par ce procede |
| KR100514546B1 (ko) | 1997-02-14 | 2005-12-02 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선검출소자및그제조방법 |
| JP3805100B2 (ja) | 1997-04-10 | 2006-08-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| US6271525B1 (en) * | 1998-09-23 | 2001-08-07 | Southeastern University Research Assn. | Mini gamma camera, camera system and method of use |
| JP2000131444A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Canon Inc | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法 |
| US6545711B1 (en) * | 1998-11-02 | 2003-04-08 | Agilent Technologies, Inc. | Photo diode pixel sensor array having a guard ring |
| EP1218919B1 (en) * | 1999-09-30 | 2006-05-03 | Gatan, Inc. | Electron image detector coupled by optical fibers with absorbing outer cladding to reduce blurring |
-
1998
- 1998-10-28 JP JP10307033A patent/JP2000131444A/ja active Pending
-
1999
- 1999-10-22 US US09/422,792 patent/US7102676B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-26 DE DE69939889T patent/DE69939889D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-26 EP EP99308455A patent/EP0997949B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-08-31 US US11/513,066 patent/US7852392B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000338253A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-08 | Siemens Ag | 固体画像検出器の製造方法および固体画像検出器 |
| JP2002048872A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
| US7019303B2 (en) | 2000-08-03 | 2006-03-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation ray detector and method of manufacturing the detector |
| JP4731791B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2011-07-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサおよびその製造方法 |
| JP2011002472A (ja) * | 2000-09-11 | 2011-01-06 | Hamamatsu Photonics Kk | シンチレータパネル、放射線イメージセンサの製造方法 |
| JPWO2002023219A1 (ja) * | 2000-09-11 | 2004-03-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | シンチレータパネル、放射線イメージセンサおよびそれらの製造方法 |
| JP2002243859A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-28 | Canon Inc | 放射線検出装置及びその製造方法 |
| JP4593806B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2010-12-08 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置の製造方法、蛍光板の製造方法及び放射線検出装置の製造装置 |
| JP4587432B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | シンチレータパネル、放射線検出装置及びシステム |
| JP4587431B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | 蛍光板の製造方法および放射線検出装置の製造方法 |
| JP2003066196A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Canon Inc | 蛍光板の製造方法、蛍光板、放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法および放射線検出システム |
| JP2003075592A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Canon Inc | シンチレータ、放射線検出装置及びシステム |
| JP2010056570A (ja) * | 2001-11-13 | 2010-03-11 | Canon Inc | 放射線検出装置及びその駆動方法、並びに光電変換装置 |
| JP2004205517A (ja) * | 2002-12-23 | 2004-07-22 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | Ｘ線画像検出器アセンブリのための方法及び装置 |
| JP4651937B2 (ja) * | 2002-12-23 | 2011-03-16 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | Ｘ線画像検出器アセンブリ及びイメージング・システム |
| US7315027B2 (en) | 2003-10-22 | 2008-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection device, scintillator panel, method of making the same, making apparatus, and radiation image pick-up system |
| JP2007192807A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Toshiba Corp | Ｘ線検出器の製造方法およびｘ線検出器 |
| JP2009128185A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Toshiba Corp | 放射線検出器およびその製造方法 |
| US8497562B2 (en) | 2008-04-23 | 2013-07-30 | Epson Imaging Devices Corporation | Solid-state image pickup device |
| WO2010026789A1 (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 |
| JP2020061572A (ja) * | 2010-07-01 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP7141559B2 (ja) | 2010-07-01 | 2022-09-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 固体撮像装置 |
| JP2022105502A (ja) * | 2010-07-01 | 2022-07-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 固体撮像装置 |
| WO2012026187A1 (ja) | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
| US9158010B2 (en) | 2010-08-24 | 2015-10-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector |
| JP2013118220A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 画像検出器 |
| WO2015115027A1 (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-06 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、蛍光体 |
| JP2015141190A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム |
| JP2014145783A (ja) * | 2014-04-11 | 2014-08-14 | Toshiba Corp | シンチレータ部材 |
| WO2020066988A1 (ja) | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法 |
| US11802980B2 (en) | 2018-09-27 | 2023-10-31 | Fujifilm Corporation | Radiation detector, radiographic imaging apparatus, and manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0997949A3 (en) | 2004-02-25 |
| DE69939889D1 (de) | 2008-12-24 |
| US7102676B1 (en) | 2006-09-05 |
| EP0997949B1 (en) | 2008-11-12 |
| US7852392B2 (en) | 2010-12-14 |
| US20070075247A1 (en) | 2007-04-05 |
| EP0997949A2 (en) | 2000-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000131444A (ja) | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法 | |
| US6608312B1 (en) | Information reading apparatus, method of producing same, and radiation imaging system having same | |
| EP1115011B1 (en) | Radiation image sensor | |
| US8440977B2 (en) | Manufacturing method of radiation detecting apparatus, and radiation detecting apparatus and radiation imaging system | |
| US8779369B2 (en) | Radiation detection apparatus, scintillator panel, method for manufacturing same and radiation detection system | |
| US7456410B2 (en) | Radiation detecting apparatus and method for manufacturing the same | |
| US6353228B1 (en) | Photosensor, and radiation detection apparatus and system | |
| US20020074502A1 (en) | Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same | |
| JP2013029384A (ja) | 放射線検出装置、その製造方法および放射線検出システム | |
| JPH09152486A (ja) | 撮像装置 | |
| US6600158B1 (en) | Semiconductor device and radiation image pickup system having the device | |
| EP1246250A2 (en) | Photodetecting device, radiation detecting device, and radiation imaging system | |
| US6825473B2 (en) | Radiation detecting apparatus, methods of producing apparatus, and radiographic imaging system | |
| JP2006017742A (ja) | 放射線検出装置 | |
| US6600157B2 (en) | Semiconductor device, and radiation detection device and radiation detection system having same | |
| JP2005337962A (ja) | 放射線検出装置 | |
| JP2004015000A (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
| JP2005116543A (ja) | 撮像装置とその製造方法、放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
| JP2002148343A (ja) | 放射線検出器及びそれを用いた放射線撮像システム | |
| JP4366047B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JP2002181949A (ja) | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
| JP2002076360A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、放射線撮像システム | |
| JP2016092091A (ja) | 光検出装置 | |
| JP2005136330A (ja) | 撮像装置及び放射線撮像システム | |
| JP2002124684A (ja) | 半導体装置、それを備えた放射線検出装置および放射線検出システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040628 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040702 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040831 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050701 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050824 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050909 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20051028 |