JP2002181949A - 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム - Google Patents
放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板接続部の耐湿性・剛性を向上させ、耐久
性・信頼性に優れた放射線検出装置を提供する。 【解決手段】 蓄積・転送用基板１上には転送用ＴＦＴ
と蓄積用コンデンサとを有する画素が複数配置されてお
り、コンデンサ上に配置された接続用バンプメタル及び
導電性接着剤２を介して単結晶半導体基板３に電気的に
接続される。表面保護基板５に高電圧印加層４を成膜
し、単結晶半導体基板３と導電性接着剤６を用いて電気
的に接続する。蓄積・転送用基板１と上面保護基板５の
周囲を、上面保護基板５の端部表面までを覆うように、
熱硬化型のエポキシまたはアクリル系封止材７を用いて
封止する。
性・信頼性に優れた放射線検出装置を提供する。 【解決手段】 蓄積・転送用基板１上には転送用ＴＦＴ
と蓄積用コンデンサとを有する画素が複数配置されてお
り、コンデンサ上に配置された接続用バンプメタル及び
導電性接着剤２を介して単結晶半導体基板３に電気的に
接続される。表面保護基板５に高電圧印加層４を成膜
し、単結晶半導体基板３と導電性接着剤６を用いて電気
的に接続する。蓄積・転送用基板１と上面保護基板５の
周囲を、上面保護基板５の端部表面までを覆うように、
熱硬化型のエポキシまたはアクリル系封止材７を用いて
封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線検出装置、
特に基板接続部の耐湿性・剛性を向上させた放射線検出
装置及びそれを用いた放射線撮像システムに関する。
特に基板接続部の耐湿性・剛性を向上させた放射線検出
装置及びそれを用いた放射線撮像システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、医療用のＸ線撮像装置において、
フィルムを用いた撮像方式からデジタル画像処理方式へ
と急速に移行しつつある。デジタル方式では、画像処理
が可能となるため診断精度を向上させることができる。
また、現像の必要性がないため、撮影間隔を短くでき、
集団検診等で効率よく撮影をすることができる。
フィルムを用いた撮像方式からデジタル画像処理方式へ
と急速に移行しつつある。デジタル方式では、画像処理
が可能となるため診断精度を向上させることができる。
また、現像の必要性がないため、撮影間隔を短くでき、
集団検診等で効率よく撮影をすることができる。
【０００３】デジタル画像処理システムに用いられるＸ
線検出装置には、Ｘ線を光に変換し、その光を電荷に変
換する間接方式と、Ｘ線を直接電荷に変換する直接方式
とがあり、どちらの方式でも電荷の蓄積・転送素子部と
Ｘ線検出素子部の間の封止が必要である。現在実用化さ
れているＸ線検出装置として、ＧＯＳ（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ）希
土類系蛍光体等に代表される蛍光体を使用した間接型Ｘ
線検出装置が、例えば米国特許第５０４３５８２号明細
書等に示されている。
線検出装置には、Ｘ線を光に変換し、その光を電荷に変
換する間接方式と、Ｘ線を直接電荷に変換する直接方式
とがあり、どちらの方式でも電荷の蓄積・転送素子部と
Ｘ線検出素子部の間の封止が必要である。現在実用化さ
れているＸ線検出装置として、ＧＯＳ（Ｇｄ2Ｏ2Ｓ）希
土類系蛍光体等に代表される蛍光体を使用した間接型Ｘ
線検出装置が、例えば米国特許第５０４３５８２号明細
書等に示されている。
【０００４】図４は、Ｘ線を光に変換するための蛍光体
と、光を電気信号に変換し蓄積・転送する光電変換素子
及び蓄積・転送素子を有する従来の間接型Ｘ線検出装置
の模式的断面図である。絶縁基板（ガラスまたは石英）
からなる受光・転送基板１０上には、光電変換素子（図
示省略）と転送用ＴＦＴ(thin film transistor)（図示
省略）と蓄積用コンデンサ（図示省略）とを有する画素
が複数配置されており、絶縁基板８上に形成された蛍光
体９が接着されている。受光・転送基板１０と蛍光体基
台用絶縁基板８は、剛性を得るために機械的ハウジング
１１内に固定されている。
と、光を電気信号に変換し蓄積・転送する光電変換素子
及び蓄積・転送素子を有する従来の間接型Ｘ線検出装置
の模式的断面図である。絶縁基板（ガラスまたは石英）
からなる受光・転送基板１０上には、光電変換素子（図
示省略）と転送用ＴＦＴ(thin film transistor)（図示
省略）と蓄積用コンデンサ（図示省略）とを有する画素
が複数配置されており、絶縁基板８上に形成された蛍光
体９が接着されている。受光・転送基板１０と蛍光体基
台用絶縁基板８は、剛性を得るために機械的ハウジング
１１内に固定されている。
【０００５】図の上部からＸ線を入射すると、蛍光体９
で吸収され、Ｘ線を吸収した蛍光体９はバルク中で可視
光を全方向に発光する。このとき、蛍光体９は、縦方向
に柱状に結晶成長しているため、バルク中で発光した光
は、結晶粒界で反射しながら柱状の方向に光ファイバー
の原理のように進む。そして、ほとんどの光は光電変換
素子及び転送用ＴＦＴに集光される。
で吸収され、Ｘ線を吸収した蛍光体９はバルク中で可視
光を全方向に発光する。このとき、蛍光体９は、縦方向
に柱状に結晶成長しているため、バルク中で発光した光
は、結晶粒界で反射しながら柱状の方向に光ファイバー
の原理のように進む。そして、ほとんどの光は光電変換
素子及び転送用ＴＦＴに集光される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のような構造では，機械的ハウジング等に固定され
ているだけで、外気と遮断されておらず封止が不完全で
あった。そのため、蛍光体を使用する間接方式において
は特に蛍光体自身が吸湿により劣化する、または劣化が
速い等という問題点があり、また蛍光体以外の素子にお
いても耐久性・信頼性が低いといった問題があった。
来例のような構造では，機械的ハウジング等に固定され
ているだけで、外気と遮断されておらず封止が不完全で
あった。そのため、蛍光体を使用する間接方式において
は特に蛍光体自身が吸湿により劣化する、または劣化が
速い等という問題点があり、また蛍光体以外の素子にお
いても耐久性・信頼性が低いといった問題があった。
【０００７】さらに近年注目されている単結晶半導体の
フォトダイオードをＸ線検出素子として用いる直接方式
においても、蓄積・転送素子の耐久性・信頼性の問題
や、単結晶半導体基板の剛性・耐湿性の問題があった。
フォトダイオードをＸ線検出素子として用いる直接方式
においても、蓄積・転送素子の耐久性・信頼性の問題
や、単結晶半導体基板の剛性・耐湿性の問題があった。
【０００８】そこで本発明は、基板接続部の耐湿性・剛
性を向上させ、耐久性・信頼性に優れた放射線検出装置
を提供することを課題としている。
性を向上させ、耐久性・信頼性に優れた放射線検出装置
を提供することを課題としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明は、入射した放射線を電荷に変換する電荷変
換素子を有する第１の基板と、この変換された電荷を蓄
積し転送する第２の基板とが、前記第１の基板の電荷変
換素子と前記第２の基板の蓄積及び転送素子形成面とを
対向させて貼り合わせた放射線検出装置において、前記
第１の基板と第２の基板との接続外周部を、前記第１の
基板の端部表面までを覆うように封止材を塗布したこと
を特徴とする。
め、本発明は、入射した放射線を電荷に変換する電荷変
換素子を有する第１の基板と、この変換された電荷を蓄
積し転送する第２の基板とが、前記第１の基板の電荷変
換素子と前記第２の基板の蓄積及び転送素子形成面とを
対向させて貼り合わせた放射線検出装置において、前記
第１の基板と第２の基板との接続外周部を、前記第１の
基板の端部表面までを覆うように封止材を塗布したこと
を特徴とする。
【００１０】また、放射線を光に変換するシンチレータ
を有する第１の基板と、前記光を光電変換して転送する
第２の基板とが、前記第１の基板のシンチレータと前記
第２の基板の光電変換素子形成面とを対向して貼り合わ
せた放射線検出装置において、前記第１の基板と第２の
基板との接続外周部を、前記第１の基板の端部表面まで
を覆うように封止材を塗布したことを特徴とする。
を有する第１の基板と、前記光を光電変換して転送する
第２の基板とが、前記第１の基板のシンチレータと前記
第２の基板の光電変換素子形成面とを対向して貼り合わ
せた放射線検出装置において、前記第１の基板と第２の
基板との接続外周部を、前記第１の基板の端部表面まで
を覆うように封止材を塗布したことを特徴とする。
【００１１】すなわち本発明においては、放射線検出装
置において、第１と第２の基板との接続部周囲を、第１
の基板の端部表面までを覆うように封止材を塗布するこ
とによって、耐湿性・剛性を向上させた。
置において、第１と第２の基板との接続部周囲を、第１
の基板の端部表面までを覆うように封止材を塗布するこ
とによって、耐湿性・剛性を向上させた。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１３】本発明に係る第１の実施の形態として、単
結晶半導体のフォトダイオードをＸ線検出素子とした直
接型Ｘ線検出装置において、単結晶半導体による電荷変
換素子を有する基板と、ＴＦＴ・コンデンサを形成した
絶縁基板とを電気的に接続した場合の封止方法について
図１を用いて説明する。
結晶半導体のフォトダイオードをＸ線検出素子とした直
接型Ｘ線検出装置において、単結晶半導体による電荷変
換素子を有する基板と、ＴＦＴ・コンデンサを形成した
絶縁基板とを電気的に接続した場合の封止方法について
図１を用いて説明する。
【００１４】絶縁基板（ガラスまたは石英）からなる蓄
積・転送用基板１上には転送用ＴＦＴ（図示省略）と蓄
積用コンデンサ（図示省略）とを有する画素が複数配置
されている。ＴＦＴまたはコンデンサ上に保護膜を介し
て金属パッドが配置され、接続用バンプメタル（たとえ
ばＡｌ、Ｃｕ等）及び導電性接着剤２（たとえば熱硬化
型のエポキシ系接着剤やアクリル系接着剤に５〜４０μ
ｍの銀、または銅、またはカーボン粒子を拡散させたも
の）を介して単結晶半導体基板３に電気的に接続され
る。
積・転送用基板１上には転送用ＴＦＴ（図示省略）と蓄
積用コンデンサ（図示省略）とを有する画素が複数配置
されている。ＴＦＴまたはコンデンサ上に保護膜を介し
て金属パッドが配置され、接続用バンプメタル（たとえ
ばＡｌ、Ｃｕ等）及び導電性接着剤２（たとえば熱硬化
型のエポキシ系接着剤やアクリル系接着剤に５〜４０μ
ｍの銀、または銅、またはカーボン粒子を拡散させたも
の）を介して単結晶半導体基板３に電気的に接続され
る。
【００１５】単結晶半導体基板３に形成されたフォトダ
イオードは、ＧａＡｓ（ＣｄＴｅ，Ｓｉ、もしくはＣｄ
ＺｎＴｅも可）に代表される単結晶半導体を用いたＰＮ
接合型フォトダイオードであり、効率よくＸ線を電荷に
変換するために（空乏層を拡大する）高電圧を印加する
必要がある。またＸ線検出装置表面の耐湿や剛性の向上
のために保護板を設ける必要がある。このため、表面保
護基板５としてガラス・石英等を用いた絶縁基板上に、
Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、モリブデン、タンタル、チタン等を
真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ(chemical vapo
r deposition)法により成膜し、高電圧印加層４とす
る。これを単結晶半導体基板３と導電性接着剤（たとえ
ば熱硬化型のエポキシ系接着剤やアクリル系接着剤に５
〜４０μｍの銀、または銅、またはカーボン粒子を拡散
させたもの）６を用いて電気的に接続する。
イオードは、ＧａＡｓ（ＣｄＴｅ，Ｓｉ、もしくはＣｄ
ＺｎＴｅも可）に代表される単結晶半導体を用いたＰＮ
接合型フォトダイオードであり、効率よくＸ線を電荷に
変換するために（空乏層を拡大する）高電圧を印加する
必要がある。またＸ線検出装置表面の耐湿や剛性の向上
のために保護板を設ける必要がある。このため、表面保
護基板５としてガラス・石英等を用いた絶縁基板上に、
Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、モリブデン、タンタル、チタン等を
真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ(chemical vapo
r deposition)法により成膜し、高電圧印加層４とす
る。これを単結晶半導体基板３と導電性接着剤（たとえ
ば熱硬化型のエポキシ系接着剤やアクリル系接着剤に５
〜４０μｍの銀、または銅、またはカーボン粒子を拡散
させたもの）６を用いて電気的に接続する。
【００１６】最後に蓄積・転送用基板１と上面保護基板
５の周囲を、上面保護基板５の端部表面までを覆うよう
に、熱硬化型のエポキシまたはアクリル系封止材７を用
いて封止する。
５の周囲を、上面保護基板５の端部表面までを覆うよう
に、熱硬化型のエポキシまたはアクリル系封止材７を用
いて封止する。
【００１７】このように、Ｘ線検出装置の蓄積・転送用
基板１と上面保護基板５の周囲を、上面保護基板５の端
部表面までを覆うように、樹脂で封止することにより優
れた耐湿・剛性が得られ、耐久性・信頼性に優れたＸ線
検出装置が実現できる。
基板１と上面保護基板５の周囲を、上面保護基板５の端
部表面までを覆うように、樹脂で封止することにより優
れた耐湿・剛性が得られ、耐久性・信頼性に優れたＸ線
検出装置が実現できる。
【００１８】本発明に係る第２の実施の形態として、蛍
光体（シンチレータ）をはさんで上下に絶縁基板が配置
された間接型Ｘ線検出装置の封止方法について図２を用
いて説明する。
光体（シンチレータ）をはさんで上下に絶縁基板が配置
された間接型Ｘ線検出装置の封止方法について図２を用
いて説明する。
【００１９】絶縁基板（ガラスまたは石英）からなる受
光・転送用基板１０上には、光電変換素子（図示省略）
と転送用ＴＦＴ（図示省略）と蓄積用コンデンサ（図示
省略）とを有する画素が複数配置されている。この上面
に絶縁基板８上に形成された蛍光体（たとえばＧＯＳや
ＣｓＩ）９が接着されている。
光・転送用基板１０上には、光電変換素子（図示省略）
と転送用ＴＦＴ（図示省略）と蓄積用コンデンサ（図示
省略）とを有する画素が複数配置されている。この上面
に絶縁基板８上に形成された蛍光体（たとえばＧＯＳや
ＣｓＩ）９が接着されている。
【００２０】Ｘ線検出装置の受光・転送用基板１０と蛍
光体基台用絶縁基板８の周囲は、蛍光体基台用絶縁基板
８の端部表面までを覆うように、熱硬化型のエポキシま
たはアクリル系封止材７を用いて封止されている。この
ように受光・転送用基板１０と蛍光体基台用絶縁基板８
の周囲を、蛍光体基台用絶縁基板８の端部表面までを覆
うように樹脂で封止することによって、優れた耐湿・剛
性が得られ、耐久性・信頼性に優れたＸ線検出装置が実
現できる。
光体基台用絶縁基板８の周囲は、蛍光体基台用絶縁基板
８の端部表面までを覆うように、熱硬化型のエポキシま
たはアクリル系封止材７を用いて封止されている。この
ように受光・転送用基板１０と蛍光体基台用絶縁基板８
の周囲を、蛍光体基台用絶縁基板８の端部表面までを覆
うように樹脂で封止することによって、優れた耐湿・剛
性が得られ、耐久性・信頼性に優れたＸ線検出装置が実
現できる。
【００２１】次に、上記Ｘ線検出装置の製造工程を説明
する。まず、薄いガラスなどからなる蛍光体基台用絶縁
基板８にスパッタ等を用い、アルミニウムを蒸着して反
射層を形成する。この反射層の端部に、マスクを蒸着す
る。このマスクを蒸着した蛍光体基台用絶縁基板８を、
蒸着装置の真空チャンバー内に装着して、その後、蒸着
装置を２００℃以上で保持し、反射層上の必要な部分に
だけＣｓＩを蒸着する。そして、マスク及びこの上のＣ
ｓＩを除去することにより、蛍光体９を形成する。こう
することによって、ＣｓＩは蒸着時の温度の制約を最小
限にして、光学的に理想的な柱状構造を得ることができ
る。また、反射層は、Ｘ線などを反射する機能の他に、
蛍光体基台用絶縁基板８と蛍光体９との密着性を向上さ
せる機能も有する。
する。まず、薄いガラスなどからなる蛍光体基台用絶縁
基板８にスパッタ等を用い、アルミニウムを蒸着して反
射層を形成する。この反射層の端部に、マスクを蒸着す
る。このマスクを蒸着した蛍光体基台用絶縁基板８を、
蒸着装置の真空チャンバー内に装着して、その後、蒸着
装置を２００℃以上で保持し、反射層上の必要な部分に
だけＣｓＩを蒸着する。そして、マスク及びこの上のＣ
ｓＩを除去することにより、蛍光体９を形成する。こう
することによって、ＣｓＩは蒸着時の温度の制約を最小
限にして、光学的に理想的な柱状構造を得ることができ
る。また、反射層は、Ｘ線などを反射する機能の他に、
蛍光体基台用絶縁基板８と蛍光体９との密着性を向上さ
せる機能も有する。
【００２２】つぎに、蛍光体９を外部の水分から保護す
るために、有機樹脂からなる蛍光体水分保護層を形成し
て、蛍光体基台用絶縁基板８上に蛍光体９を形成した基
板が完成する。これにより、蛍光体９は耐湿性と耐衝撃
性とに優れたものとなる。
るために、有機樹脂からなる蛍光体水分保護層を形成し
て、蛍光体基台用絶縁基板８上に蛍光体９を形成した基
板が完成する。これにより、蛍光体９は耐湿性と耐衝撃
性とに優れたものとなる。
【００２３】一方、ガラス基板（絶縁基板）上にアモル
ファスシリコンよりなるＭＩＳ型フォトセンサー部、Ｔ
ＦＴスイッチ部、電極部が形成され、その上に窒化物等
よりなる第１の保護層が形成される。
ファスシリコンよりなるＭＩＳ型フォトセンサー部、Ｔ
ＦＴスイッチ部、電極部が形成され、その上に窒化物等
よりなる第１の保護層が形成される。
【００２４】つぎに、第１の保護層上に、ＰＩ等の有機
材料からなり蛍光体の不純物がフォトセンサー部等に進
入するのを防止する第２の保護層が形成され、設計サイ
ズに切断される。その後、第２の保護層の上に接着層を
塗布し、第２の保護層と前記の蛍光体層とを貼り合わ
せ、受光・転送用基板１０が完成する。この第２の保護
層と蛍光体層とは、たとえばローラなどでしごきながら
貼り合わせる。
材料からなり蛍光体の不純物がフォトセンサー部等に進
入するのを防止する第２の保護層が形成され、設計サイ
ズに切断される。その後、第２の保護層の上に接着層を
塗布し、第２の保護層と前記の蛍光体層とを貼り合わ
せ、受光・転送用基板１０が完成する。この第２の保護
層と蛍光体層とは、たとえばローラなどでしごきながら
貼り合わせる。
【００２５】また、有機樹脂よりなる蛍光体水分保護層
と第２の保護層とは、蛍光体を破壊させないための耐衝
撃緩衝材となる。そして、最後に、受光・転送用基板１
０と蛍光体基台用絶縁基板８の周囲を、蛍光体基台用絶
縁基板８の端部表面までを覆うように、接着層への水の
進入を抑えるためのアクリルからなる封止材を、ディス
ペンサー等によって塗布する。
と第２の保護層とは、蛍光体を破壊させないための耐衝
撃緩衝材となる。そして、最後に、受光・転送用基板１
０と蛍光体基台用絶縁基板８の周囲を、蛍光体基台用絶
縁基板８の端部表面までを覆うように、接着層への水の
進入を抑えるためのアクリルからなる封止材を、ディス
ペンサー等によって塗布する。
【００２６】こうして、Ｘ線検出装置が完成する。ま
た、反射層は電気的なノイズシールドとしての機能も有
するため、必要に応じて、接着層を封止する前に、アー
スに落とすための接続を行う。
た、反射層は電気的なノイズシールドとしての機能も有
するため、必要に応じて、接着層を封止する前に、アー
スに落とすための接続を行う。
【００２７】図３は、本発明による放射線検出装置のＸ
線診断システムへの適用例を示したものである。
線診断システムへの適用例を示したものである。
【００２８】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、放射線検出装置（イメージセンサ）６０４０に入
射する。この入射したＸ線には被験者６０６１の体内部
の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光体に
よって可視光に変換し、これを光電変換して、電気信号
を得る。この電気信号はデジタル変換されイメージプロ
セッサ６０７０により画像処理され制御室のディスプレ
イ６０８０で観察できる。
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、放射線検出装置（イメージセンサ）６０４０に入
射する。この入射したＸ線には被験者６０６１の体内部
の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して蛍光体に
よって可視光に変換し、これを光電変換して、電気信号
を得る。この電気信号はデジタル変換されイメージプロ
セッサ６０７０により画像処理され制御室のディスプレ
イ６０８０で観察できる。
【００２９】また、この画像情報は電話回線６０９０等
の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタ
ールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光デ
ィスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医
師が診断することも可能である。またフィルムプロセッ
サ６１００によりフィルム６１１０に記録することもで
きる。
の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタ
ールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光デ
ィスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医
師が診断することも可能である。またフィルムプロセッ
サ６１００によりフィルム６１１０に記録することもで
きる。
【００３０】以上の実施形態では、Ｘ線撮像システムを
例に説明したが、放射線を光に変換し、この光を光電変
換する装置構成としても、同様である。なお、放射線と
はＸ線以外のα，β，γ線等を含む。
例に説明したが、放射線を光に変換し、この光を光電変
換する装置構成としても、同様である。なお、放射線と
はＸ線以外のα，β，γ線等を含む。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、放射線
線検出装置において、第１と第２の基板との接続外周部
を、第１の基板の端部表面までを覆うように封止材を塗
布することによって、基板接続部における封止材との接
触面積が広くなり、確実に封止される。このため優れた
耐湿・剛性が得られ、耐久性・信頼性に優れた放射線検
出装置が実現できる。
線検出装置において、第１と第２の基板との接続外周部
を、第１の基板の端部表面までを覆うように封止材を塗
布することによって、基板接続部における封止材との接
触面積が広くなり、確実に封止される。このため優れた
耐湿・剛性が得られ、耐久性・信頼性に優れた放射線検
出装置が実現できる。
【図１】本発明の実施の形態１に説明されたＸ線検出装
置の模式的断面図である。
置の模式的断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２に説明されたＸ線検出装
置の模式的断面図である。
置の模式的断面図である。
【図３】本発明による放射線検出装置のＸ線診断システ
ムへの適用例を示す図である。
ムへの適用例を示す図である。
【図４】従来のＸ線検出装置の模式的断面図である。
１ 蓄積・転送用基板 ２ 接続用バンプメタル及び導電性接着剤 ３ 単結晶半導体基板 ４ 高電圧印加層 ５ 上面保護基板 ６ 導電性接着剤 ７ 封止材 ８ 蛍光体の基台用絶縁基板 ９ 蛍光体 １０ 受光・転送用基板 １１ 機械的ハウジング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/09 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｄ 31/00 Ａ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG19 GG20 GG21 JJ05 JJ10 JJ33 JJ37 KK32 4M118 AA08 AB01 BA07 BA19 CA03 CA31 CB01 CB11 FB09 FB13 FB16 FB25 GA10 HA11 HA26 HA31 5C024 AX12 CY48 EX24 GX03 5F088 AA02 AB03 AB07 AB09 BA11 BA13 BB03 BB07 EA08 GA02 HA20 JA03 JA05 JA17 LA08
Claims (6)
- 【請求項１】 入射した放射線を電荷に変換する電荷変
換素子を有する第１の基板と、この変換された電荷を蓄
積し転送する第２の基板とが、前記第１の基板の電荷変
換素子と前記第２の基板の蓄積及び転送素子形成面とを
対向させて貼り合わせた放射線検出装置において、 前記第１の基板と第２の基板との接続外周部を、前記第
１の基板の端部表面までを覆うように封止材を塗布した
ことを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項２】 前記電荷変換素子が、単結晶半導体で形
成されていることを特徴とする請求項１記載の放射線検
出装置。 - 【請求項３】 前記第１の基板が、絶縁基板上に金属層
を介して前記電荷変換素子を接続した構造であることを
特徴とする請求項１または２記載の放射線検出装置。 - 【請求項４】 放射線を光に変換するシンチレータを有
する第１の基板と、前記光を光電変換して転送する第２
の基板とが、前記第１の基板のシンチレータと前記第２
の基板の光電変換素子形成面とを対向して貼り合わせた
放射線検出装置において、 前記第１の基板と第２の基板との接続外周部を、前記第
１の基板の端部表面までを覆うように封止材を塗布した
ことを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項５】 前記封止材が、エポキシ系またはアクリ
ル系樹脂であることを特徴とする請求項１ないし４のい
ずれかに記載の放射線検出装置。 - 【請求項６】 被験者または被験物に放射線を照射する
ための放射線源と、 この放射線を検出する請求項１ないし５のいずれかに記
載の放射線検出装置と、 この検出された信号をデジタル変換して画像処理する画
像処理手段と、 この処理された画像を表示する表示手段とを備えること
を特徴とする放射線撮像システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000374739A JP2002181949A (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000374739A JP2002181949A (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002181949A true JP2002181949A (ja) | 2002-06-26 |
Family
ID=18843872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000374739A Pending JP2002181949A (ja) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002181949A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227117A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Hitachi Ltd | 半導体放射線検出器及びそれを用いた産業用ｘ線ｃｔ装置 |
| JP2013054030A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-21 | General Electric Co <Ge> | 陽極照射型放射線検出器 |
| JP2014238271A (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-18 | 株式会社東芝 | 放射線検出器およびその製造方法 |
| JP2015200528A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置およびその製造方法、並びに放射線撮像システム |
| JP2020507070A (ja) * | 2017-01-27 | 2020-03-05 | ディテクション テクノロジー オイ | 放射線検出器パネルアセンブリ構造 |
-
2000
- 2000-12-08 JP JP2000374739A patent/JP2002181949A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008227117A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Hitachi Ltd | 半導体放射線検出器及びそれを用いた産業用ｘ線ｃｔ装置 |
| JP2013054030A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-21 | General Electric Co <Ge> | 陽極照射型放射線検出器 |
| JP2014238271A (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-18 | 株式会社東芝 | 放射線検出器およびその製造方法 |
| JP2015200528A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置およびその製造方法、並びに放射線撮像システム |
| JP2020507070A (ja) * | 2017-01-27 | 2020-03-05 | ディテクション テクノロジー オイ | 放射線検出器パネルアセンブリ構造 |
| JP7023286B2 (ja) | 2017-01-27 | 2022-02-21 | ディテクション テクノロジー オイ | 放射線検出器パネルアセンブリ構造 |
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