JP2002148343A - 放射線検出器及びそれを用いた放射線撮像システム - Google Patents
放射線検出器及びそれを用いた放射線撮像システムInfo
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- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インダイレクト方式の放射線検出器におい
て、波長変換基体の導電性反射層にＧＮＤ端子を接続す
ることによるシンチレータ層の面積減少を防止すると共
にシンチレータ耐湿用保護膜を形成する。 【解決手段】 光電変換基体１０４は、ガラス基台１０
１の上部に光センサー１０２を形成し、その上に光セン
サー保護膜１０３を形成する。波長変換基体１２６は、
ガラス１１８に導電性反射層であるアルミニウム１１９
を蒸着し、さらにシンチレータ（蛍光体）としてＣｓＩ
１２０を蒸着し、の上にＣｓＩ保護層を設ける。そして
接着剤１１４を介して光電変換基体１０４と波長変換基
体１２６とを貼り合わせる。導電性接着剤１２２を波長
変換基体１２６の端面に塗布し、アルミフィルム１２３
をＧＮＤ端子として基体１２６の端面に接着する。そし
てアルミフィルム１２３の端面周辺を接着剤１２４・１
２５で封止する。
て、波長変換基体の導電性反射層にＧＮＤ端子を接続す
ることによるシンチレータ層の面積減少を防止すると共
にシンチレータ耐湿用保護膜を形成する。 【解決手段】 光電変換基体１０４は、ガラス基台１０
１の上部に光センサー１０２を形成し、その上に光セン
サー保護膜１０３を形成する。波長変換基体１２６は、
ガラス１１８に導電性反射層であるアルミニウム１１９
を蒸着し、さらにシンチレータ（蛍光体）としてＣｓＩ
１２０を蒸着し、の上にＣｓＩ保護層を設ける。そして
接着剤１１４を介して光電変換基体１０４と波長変換基
体１２６とを貼り合わせる。導電性接着剤１２２を波長
変換基体１２６の端面に塗布し、アルミフィルム１２３
をＧＮＤ端子として基体１２６の端面に接着する。そし
てアルミフィルム１２３の端面周辺を接着剤１２４・１
２５で封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医療用Ｘ線診断装
置、非破壊検査装置に適用して好適な、放射線検出器及
びそれを用いた放射線撮像システムに関する。
置、非破壊検査装置に適用して好適な、放射線検出器及
びそれを用いた放射線撮像システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、レントゲン撮影のデジタル化が加
速しており、各社からＸ線エリアセンサーが発表されて
いる。その方式もダイレクト方式（Ｘ線を直接電気信号
に変換して読み取るタイプ）とインダイレクト方式（Ｘ
線を一旦可視光に変換し、その可視光を電気信号に変換
して読み取るタイプ）の２つに大別される。
速しており、各社からＸ線エリアセンサーが発表されて
いる。その方式もダイレクト方式（Ｘ線を直接電気信号
に変換して読み取るタイプ）とインダイレクト方式（Ｘ
線を一旦可視光に変換し、その可視光を電気信号に変換
して読み取るタイプ）の２つに大別される。
【０００３】図６は、従来のインダイレクト方式のＸ線
エリアセンサーの貼り合わせ前の断面図であり、図７
は、貼り合わせ後のＸ線エリアセンサーの断面図であ
る。
エリアセンサーの貼り合わせ前の断面図であり、図７
は、貼り合わせ後のＸ線エリアセンサーの断面図であ
る。
【０００４】まず、光電変換基体１０４は、ガラス基台
１０１の上部にアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ
とする）を用いた光センサー１０２を形成し、その上に
光センサー保護膜１０３を形成する。波長変換基体１１
３は、別のガラス基台１０５に導電性反射層１０６／蛍
光体（シンチレータ）層１０７／蛍光体保護層１０８を
積層する。
１０１の上部にアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ
とする）を用いた光センサー１０２を形成し、その上に
光センサー保護膜１０３を形成する。波長変換基体１１
３は、別のガラス基台１０５に導電性反射層１０６／蛍
光体（シンチレータ）層１０７／蛍光体保護層１０８を
積層する。
【０００５】ガラス基台１０５の上部から入射してきた
Ｘ線は、蛍光体層１０７で光に変換され、その光が、光
センサー１０２で電気信号に変換される。その結果、Ｘ
線が電気信号として取り込まれる。その際、導電性反射
層１０６の役割としては、２つ有る。第１に蛍光体層１
０７で発光した光を外部へ漏らすことなく、光センサー
１０２へ効率良く吸収させる。第２に光センサー１０２
は、外来の電磁波に弱く、そのため導電性反射層１０６
は電磁波シールドの役割を果たす。
Ｘ線は、蛍光体層１０７で光に変換され、その光が、光
センサー１０２で電気信号に変換される。その結果、Ｘ
線が電気信号として取り込まれる。その際、導電性反射
層１０６の役割としては、２つ有る。第１に蛍光体層１
０７で発光した光を外部へ漏らすことなく、光センサー
１０２へ効率良く吸収させる。第２に光センサー１０２
は、外来の電磁波に弱く、そのため導電性反射層１０６
は電磁波シールドの役割を果たす。
【０００６】この電磁波シールドとしての役割を導電性
反射層１０６に持たせるためには、導電性反射層１０６
をグランドアースに落としておかなければならず、その
ために導電性反射層１０６にＧＮＤ（アース）端子１１
０を接続する。ＧＮＤ端子１１０は、導電性接続材料１
０９例えば導電性接着剤を用いて導電性反射層１０６に
接続し、接続部周辺を封止剤１１１及び封止剤１１２で
補強する。
反射層１０６に持たせるためには、導電性反射層１０６
をグランドアースに落としておかなければならず、その
ために導電性反射層１０６にＧＮＤ（アース）端子１１
０を接続する。ＧＮＤ端子１１０は、導電性接続材料１
０９例えば導電性接着剤を用いて導電性反射層１０６に
接続し、接続部周辺を封止剤１１１及び封止剤１１２で
補強する。
【０００７】光電変換基体１０４と波長変換基体１１３
とを接着剤１１４を介して貼り合わせるが、ＧＮＤ端子
１１０の接続は、作業性の点から貼り合わせ前に行う。
とを接着剤１１４を介して貼り合わせるが、ＧＮＤ端子
１１０の接続は、作業性の点から貼り合わせ前に行う。
【０００８】光電変換基体１０４と波長変換基体１１３
とを貼り合わせた後、端部を封止剤１１５で封止する。
この封止の役割は、第１に、蛍光体を湿気から守り、第
２に、蛍光体が非常にもろいため、端部を封止すること
によってこぼれを防止することである。ここで導電性反
射層１０６に電磁波シールドの効果を持たせるため、Ｇ
ＮＤ端子１１０を接続する。
とを貼り合わせた後、端部を封止剤１１５で封止する。
この封止の役割は、第１に、蛍光体を湿気から守り、第
２に、蛍光体が非常にもろいため、端部を封止すること
によってこぼれを防止することである。ここで導電性反
射層１０６に電磁波シールドの効果を持たせるため、Ｇ
ＮＤ端子１１０を接続する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示すように、ＧＮＤ端子１１０を波長変換基体１１３の
光電変換基体１０４との貼り合わせ面に側に接続する
と、ＧＮＤ端子接続領域１１６の分だけ、蛍光体層１０
７の形成領域が狭くなってしまう。あるいは、蛍光体層
１０７の形成領域を広げようとすると、逆にＧＮＤ端子
１１０を接続する十分な領域を確保できない。
示すように、ＧＮＤ端子１１０を波長変換基体１１３の
光電変換基体１０４との貼り合わせ面に側に接続する
と、ＧＮＤ端子接続領域１１６の分だけ、蛍光体層１０
７の形成領域が狭くなってしまう。あるいは、蛍光体層
１０７の形成領域を広げようとすると、逆にＧＮＤ端子
１１０を接続する十分な領域を確保できない。
【００１０】またＧＮＤ端子１１０は、導電性反射層１
０６と接続させる反対側をグランドアースに落とすが、
その作業をする際に、引っ張りまたは上下への力が加わ
り、ＧＮＤ端子１１０と封止剤１１５との間に隙間１１
７が空いてしまい、ここから、湿気が進入し、蛍光体層
１０７に悪影響を与えてしまう。
０６と接続させる反対側をグランドアースに落とすが、
その作業をする際に、引っ張りまたは上下への力が加わ
り、ＧＮＤ端子１１０と封止剤１１５との間に隙間１１
７が空いてしまい、ここから、湿気が進入し、蛍光体層
１０７に悪影響を与えてしまう。
【００１１】そこで本発明は、インダイレクト方式の放
射線検出器において、波長変換基体の導電性反射層にＧ
ＮＤ端子を接続することによるシンチレータ層の面積減
少を防止し、さらにシンチレータ耐湿用保護膜を形成す
ることを課題としている。
射線検出器において、波長変換基体の導電性反射層にＧ
ＮＤ端子を接続することによるシンチレータ層の面積減
少を防止し、さらにシンチレータ耐湿用保護膜を形成す
ることを課題としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明は、光センサーを形成する第１の基体と、導
電性反射層及びシンチレータ層が積層された第２の基体
とが、前記第１の基体の光センサー面と前記第２の基体
のシンチレータ層面とを対向して貼り合わせた放射線検
出器において、前記第２の基体の端面にて、前記導電性
反射層と接触して導電性保護膜を形成し、その導電性保
護膜にＧＮＤ端子を接続した。
め、本発明は、光センサーを形成する第１の基体と、導
電性反射層及びシンチレータ層が積層された第２の基体
とが、前記第１の基体の光センサー面と前記第２の基体
のシンチレータ層面とを対向して貼り合わせた放射線検
出器において、前記第２の基体の端面にて、前記導電性
反射層と接触して導電性保護膜を形成し、その導電性保
護膜にＧＮＤ端子を接続した。
【００１３】すなわち本発明は、インダイレクト方式の
放射線検出器において、第２の基体の端面で、その導電
性反射層と接触して導電性保護膜を形成し、その導電性
保護膜にＧＮＤ端子を接続することによって、シンチレ
ータ層の面積減少を防止すると共に、ＧＮＤ端子のグラ
ンドアースへの接続作業時に加わる力によってＧＮＤ端
子と封止剤との間に隙間ができることを防止し、シンチ
レータ層に湿気が進入することを防ぐことができる。
放射線検出器において、第２の基体の端面で、その導電
性反射層と接触して導電性保護膜を形成し、その導電性
保護膜にＧＮＤ端子を接続することによって、シンチレ
ータ層の面積減少を防止すると共に、ＧＮＤ端子のグラ
ンドアースへの接続作業時に加わる力によってＧＮＤ端
子と封止剤との間に隙間ができることを防止し、シンチ
レータ層に湿気が進入することを防ぐことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１５】図１は、第１の実施形態であるＸ線エリア
センサー（放射線検出器）の断面図である。
センサー（放射線検出器）の断面図である。
【００１６】光電変換基体（第１の基体）１０４は、光
センサーを形成し、光を電気信号に変換する。従来例と
同様、ガラス基台１０１の上部にａ−Ｓｉを用いたＭＩ
Ｓ型光センサー１０２を形成し、その上に窒化シリコン
等及びＰＩ等からなる光センサー保護膜１０３を形成す
る。
センサーを形成し、光を電気信号に変換する。従来例と
同様、ガラス基台１０１の上部にａ−Ｓｉを用いたＭＩ
Ｓ型光センサー１０２を形成し、その上に窒化シリコン
等及びＰＩ等からなる光センサー保護膜１０３を形成す
る。
【００１７】波長変換基体（第２の基体）１２６は、Ｘ
線の可視光への変換、すなわち電磁波の波長変換を行
う。まずガラス１１８に導電性反射層であるアルミニウ
ム１１９を蒸着し、次にアルミニウム１１９にシンチレ
ータ（蛍光体）としてＣｓＩ１２０を蒸着し、さらにそ
の上にＣｓＩ保護層１２１を設ける。従来例では、Ｃｓ
Ｉ１２０を蒸着する際、ＧＮＤ端子を接続するための領
域を端部に残しておかなければならなかったが、本実施
形態ではＣｓＩ１２０をアルミニウム１１９蒸着面全面
に蒸着する。その後、光電変換基体１０４の光センサー
１０２及び光センサー保護膜１０３と、波長変換基体１
２６のＣｓＩ１２０及びＣｓＩ保護層１２１とを対向し
て、接着剤１１４を介して貼り合わせる。
線の可視光への変換、すなわち電磁波の波長変換を行
う。まずガラス１１８に導電性反射層であるアルミニウ
ム１１９を蒸着し、次にアルミニウム１１９にシンチレ
ータ（蛍光体）としてＣｓＩ１２０を蒸着し、さらにそ
の上にＣｓＩ保護層１２１を設ける。従来例では、Ｃｓ
Ｉ１２０を蒸着する際、ＧＮＤ端子を接続するための領
域を端部に残しておかなければならなかったが、本実施
形態ではＣｓＩ１２０をアルミニウム１１９蒸着面全面
に蒸着する。その後、光電変換基体１０４の光センサー
１０２及び光センサー保護膜１０３と、波長変換基体１
２６のＣｓＩ１２０及びＣｓＩ保護層１２１とを対向し
て、接着剤１１４を介して貼り合わせる。
【００１８】次に、導電性保護膜としてアクリル系の導
電性接着剤１２２を波長変換基体１２６の端面に塗布
し、同時にＰＥＴ(polyethylene terephthalate)にアル
ミニウムをラミネートしたアルミフィルム１２３をＧＮ
Ｄ端子として基体１２６の端面に接着する。導電性接着
剤１２２は、銀フィラーのものを使用すれば、１０0Ω
・ｃｍ以下の電気抵抗率が得られる。そして最後にＧＮ
Ｄ端子の接続強度を高めるため、アルミフィルム１２３
の端面周辺をアクリル系の接着剤１２４・１２５で封止
する。
電性接着剤１２２を波長変換基体１２６の端面に塗布
し、同時にＰＥＴ(polyethylene terephthalate)にアル
ミニウムをラミネートしたアルミフィルム１２３をＧＮ
Ｄ端子として基体１２６の端面に接着する。導電性接着
剤１２２は、銀フィラーのものを使用すれば、１０0Ω
・ｃｍ以下の電気抵抗率が得られる。そして最後にＧＮ
Ｄ端子の接続強度を高めるため、アルミフィルム１２３
の端面周辺をアクリル系の接着剤１２４・１２５で封止
する。
【００１９】以上の構成とすることにより、ＣｓＩ１２
０の蒸着面積を波長変換基体１２６において最大限にと
ることができる。また、ＧＮＤ端子であるアルミフィル
ム１２３が波長変換基体１２６の端面に接続されるた
め、アルミフィルム１２３をグランドアースに落とす作
業の際、引っ張ることによる隙間の発生および湿気の進
入を防ぐことができる。
０の蒸着面積を波長変換基体１２６において最大限にと
ることができる。また、ＧＮＤ端子であるアルミフィル
ム１２３が波長変換基体１２６の端面に接続されるた
め、アルミフィルム１２３をグランドアースに落とす作
業の際、引っ張ることによる隙間の発生および湿気の進
入を防ぐことができる。
【００２０】図２は、第２の実施形態であるＸ線エリア
センサーの断面図である。
センサーの断面図である。
【００２１】上記第１の実施形態では、ＧＮＤ端子とし
てのアルミフィルムを波長変換基体１２６の端面に接続
していたが、本実施形態では、導電性接着剤１２２を波
長変換基体１２６の貼り合わせ側の背面にも塗布し、Ｇ
ＮＤ端子であるアルミフィルム１２３を接続している。
本実施形態のメリットとしては、アルミフィルムの接続
領域が可変であるということである。第１の実施形態で
は、波長変換基体１２６の端面ということで、接続面積
が波長変換基体１２６の厚み＋接着剤１１４の厚み分し
かないが、本実施形態では、波長変換基体１２６の貼り
合わせ側の背面まで導電性接着剤１２２を回りこませた
分だけ接続領域が増え、その分だけ接触抵抗を下げるこ
とができる。また、第１の実施形態と同様、導電性保護
膜である導電性接着剤１２２をアルミフィルム１２３が
貫通しない構造なので、従来例に比べ耐湿性は高い。
てのアルミフィルムを波長変換基体１２６の端面に接続
していたが、本実施形態では、導電性接着剤１２２を波
長変換基体１２６の貼り合わせ側の背面にも塗布し、Ｇ
ＮＤ端子であるアルミフィルム１２３を接続している。
本実施形態のメリットとしては、アルミフィルムの接続
領域が可変であるということである。第１の実施形態で
は、波長変換基体１２６の端面ということで、接続面積
が波長変換基体１２６の厚み＋接着剤１１４の厚み分し
かないが、本実施形態では、波長変換基体１２６の貼り
合わせ側の背面まで導電性接着剤１２２を回りこませた
分だけ接続領域が増え、その分だけ接触抵抗を下げるこ
とができる。また、第１の実施形態と同様、導電性保護
膜である導電性接着剤１２２をアルミフィルム１２３が
貫通しない構造なので、従来例に比べ耐湿性は高い。
【００２２】図３は、第３の実施形態であるＸ線エリア
センサーの断面図である。
センサーの断面図である。
【００２３】第１及び第２の実施形態では、導電性反射
層であるアルミニウム１１９をガラス１１８の片面にし
か蒸着しなかったが、本実施形態では、両面にアルミニ
ウム１１９を蒸着している。そして導電性接着剤１２２
を波長変換基体１２６の端面及び貼り合わせ側の背面に
も塗布し、ＧＮＤ端子であるアルミフィルム１２３を接
続している。このことによるメリットは、アルミニウム
１１９と導電性接着剤１２２の接触面積が増えるため、
その分接続抵抗が減少することである。また、両面を覆
うことにより、多層の電磁波シールドとなり、電磁シー
ルド効果を高めることができる。耐湿性については、上
記第２の実施形態と同等である。
層であるアルミニウム１１９をガラス１１８の片面にし
か蒸着しなかったが、本実施形態では、両面にアルミニ
ウム１１９を蒸着している。そして導電性接着剤１２２
を波長変換基体１２６の端面及び貼り合わせ側の背面に
も塗布し、ＧＮＤ端子であるアルミフィルム１２３を接
続している。このことによるメリットは、アルミニウム
１１９と導電性接着剤１２２の接触面積が増えるため、
その分接続抵抗が減少することである。また、両面を覆
うことにより、多層の電磁波シールドとなり、電磁シー
ルド効果を高めることができる。耐湿性については、上
記第２の実施形態と同等である。
【００２４】次に、本発明による放射線検出器の実装例
及びそれを用いたＸ線検出システムについて説明する。
及びそれを用いたＸ線検出システムについて説明する。
【００２５】図４（ａ），（ｂ）は、上記本発明による
放射線検出器の実装例の模式的構成図及び模式的断面図
である。光電変換素子（光センサー）とＴＦＴ(thin fi
lm transistor)はａ−Ｓｉセンサ基板６０１１内に複数
個形成され、シフトレジスタＳＲ１と検出用集積回路Ｉ
Ｃが実装されたフレキシブル回路基板６０１０が接続さ
れている。フレキシブル回路基板６０１０の逆側は回路
基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続されている。ａ−Ｓｉセ
ンサ基板６０１１の複数枚が、基台６０１２の上に接着
されている。
放射線検出器の実装例の模式的構成図及び模式的断面図
である。光電変換素子（光センサー）とＴＦＴ(thin fi
lm transistor)はａ−Ｓｉセンサ基板６０１１内に複数
個形成され、シフトレジスタＳＲ１と検出用集積回路Ｉ
Ｃが実装されたフレキシブル回路基板６０１０が接続さ
れている。フレキシブル回路基板６０１０の逆側は回路
基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続されている。ａ−Ｓｉセ
ンサ基板６０１１の複数枚が、基台６０１２の上に接着
されている。
【００２６】大型の光電変換装置を構成する基台６０１
２の下には、処理回路６０１８内のメモリ６０１４をＸ
線から保護するため鉛板６０１３が実装されている。本
実装例では、光センサーとシンチレータ層とを貼り合わ
せる替わりに、ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１上にはＸ線
を可視光に変換するためのシンチレータ６０３０例えば
ＣｓＩが、蒸着されている。そして図４（ｂ）に示され
るように全体をカーボンファイバー製のケース６０２０
に収納している。
２の下には、処理回路６０１８内のメモリ６０１４をＸ
線から保護するため鉛板６０１３が実装されている。本
実装例では、光センサーとシンチレータ層とを貼り合わ
せる替わりに、ａ−Ｓｉセンサ基板６０１１上にはＸ線
を可視光に変換するためのシンチレータ６０３０例えば
ＣｓＩが、蒸着されている。そして図４（ｂ）に示され
るように全体をカーボンファイバー製のケース６０２０
に収納している。
【００２７】図５は上述の実装された放射線検出器のＸ
線診断システムへの適用例を示したものである。
線診断システムへの適用例を示したものである。
【００２８】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、シンチレータを上部に実装した光電変換装置６０
４０に入射する。この入射したＸ線には被験者６０６１
の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して
シンチレータは可視光に変換し、これを光電変換して、
電気信号を得る。この電気信号はデジタル変換されイメ
ージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室のデ
ィスプレイ６０８０で観察できる。
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、シンチレータを上部に実装した光電変換装置６０
４０に入射する。この入射したＸ線には被験者６０６１
の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して
シンチレータは可視光に変換し、これを光電変換して、
電気信号を得る。この電気信号はデジタル変換されイメ
ージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室のデ
ィスプレイ６０８０で観察できる。
【００２９】また、この画像情報は電話回線６０９０等
の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタ
ールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光デ
ィスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医
師が診断することも可能である。またフィルムプロセッ
サ６１００によりフィルム６１１０に記録することもで
きる。
の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタ
ールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光デ
ィスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医
師が診断することも可能である。またフィルムプロセッ
サ６１００によりフィルム６１１０に記録することもで
きる。
【００３０】なお、以上の実施形態では、Ｘ線撮像シス
テムを例に説明したが、放射線とはＸ線以外のα，β，
γ線等を含み、光は光電変換素子により検出可能な波長
領域の電磁波であり、可視光を含む。
テムを例に説明したが、放射線とはＸ線以外のα，β，
γ線等を含み、光は光電変換素子により検出可能な波長
領域の電磁波であり、可視光を含む。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、インダ
イレクト方式の放射線検出器における、波長変換基体
（第２の基体）のシンチレータ層の形成面積を拡大でき
ると共に、シンチレータ層端面の耐湿性を高めることが
できる。また導電性反射層へのＧＮＤ端子の接続強度を
高め、さらに接続抵抗を低くできる。
イレクト方式の放射線検出器における、波長変換基体
（第２の基体）のシンチレータ層の形成面積を拡大でき
ると共に、シンチレータ層端面の耐湿性を高めることが
できる。また導電性反射層へのＧＮＤ端子の接続強度を
高め、さらに接続抵抗を低くできる。
【図１】第１の実施形態のＸ線エリアセンサーの断面図
である。
である。
【図２】第２の実施形態のＸ線エリアセンサーの断面図
である。
である。
【図３】第３の実施形態のＸ線エリアセンサーの断面図
である。
である。
【図４】（ａ）は本発明による放射線検出器の実装例の
模式的構成図であり、（ｂ）はその断面図である。
模式的構成図であり、（ｂ）はその断面図である。
【図５】本発明による放射線検出器のＸ線診断システム
への適用例を示す図である。
への適用例を示す図である。
【図６】従来のＸ線エリアセンサーの貼り合わせ前の断
面図である。
面図である。
【図７】従来のＸ線エリアセンサーの貼り合わせ後の断
面図である。
面図である。
１０１ ガラス基体 １０２ 光センサー １０３ 光センサー保護膜 １０４ 光電変換基体 １０５ ガラス基台 １０６ 導電性反射層 １０７ 蛍光体層 １０８ 蛍光体保護層 １０９ 導電性接続材料 １１０ ＧＮＤ（アース）端子 １１１ 封止剤 １１２ 封止剤 １１３ 波長変換基体 １１４ 接着剤 １１５ 封止剤 １１６ ＧＮＤ端子接続領域 １１７ 隙間 １１８ ガラス（基台） １１９ アルミニウム（導電性反射層） １２０ ＣｓＩ（シンチレータ） １２１ ＣｓＩ保護層 １２２ 導電性接着剤 １２３ ＧＮＤ端子アルミフィルム １２４ アクリル封止 １２５ アクリル封止 １２６ 波長変換基体 １２７ 波長変換基体
Claims (7)
- 【請求項１】 光センサーを形成する第１の基体と、導
電性反射層及びシンチレータ層が積層された第２の基体
とが、前記第１の基体の光センサー面と前記第２の基体
のシンチレータ層面とを対向して貼り合わせた放射線検
出器において、 前記第２の基体の端面にて、前記導電性反射層と接触し
て導電性保護膜を形成したことを特徴とする放射線検出
器。 - 【請求項２】 前記第２の基体の端面及び貼り合わせ側
の背面にて、前記導電性反射層と接触して前記導電性保
護膜を形成したことを特徴とする請求項１記載の放射線
検出器。 - 【請求項３】 前記第２の基体の接着面及びその背面に
前記導電性反射層を積層し、その第２の基体の端面及び
接着面の背面にて、前記導電性反射層と接触して前記導
電性保護膜を形成したことを特徴とする請求項１記載の
放射線検出器。 - 【請求項４】 前記導電性保護膜にＧＮＤ端子を接続し
たことを特徴とする請求項１ないし３記載の放射線検出
器。 - 【請求項５】 前記導電性保護膜は、電気抵抗率１０0
Ω・ｃｍ以下の材料であることを特徴とする請求項１記
載の放射線検出器。 - 【請求項６】 前記導電性保護膜は、導電性接着剤を塗
布して形成することを特徴とする請求項１記載の放射線
検出器。 - 【請求項７】 被験者に放射線を照射するための放射線
源と、 この放射線を検出する請求項１ないし６のいずれか１項
に記載の放射線検出器と、 この検出された信号をデジタル変換して画像処理する画
像処理手段と、 この処理された画像を表示する表示手段とを備えること
を特徴とする放射線撮像システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000339300A JP2002148343A (ja) | 2000-11-07 | 2000-11-07 | 放射線検出器及びそれを用いた放射線撮像システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000339300A JP2002148343A (ja) | 2000-11-07 | 2000-11-07 | 放射線検出器及びそれを用いた放射線撮像システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002148343A true JP2002148343A (ja) | 2002-05-22 |
Family
ID=18814393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000339300A Pending JP2002148343A (ja) | 2000-11-07 | 2000-11-07 | 放射線検出器及びそれを用いた放射線撮像システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002148343A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009133837A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-06-18 | Canon Inc | 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム |
| WO2012128593A3 (ko) * | 2011-03-24 | 2012-12-27 | 조인셋 주식회사 | 매립형 전극을 구비한 센서 및 그 제조방법 |
| JP2013174465A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
| CN103443619A (zh) * | 2011-03-24 | 2013-12-11 | 卓英社有限公司 | 具有埋设型电极的传感器及其制造方法 |
| US8884231B2 (en) | 2010-11-08 | 2014-11-11 | Fujifilm Corporation | Radiation detector |
| CN107871824A (zh) * | 2016-09-23 | 2018-04-03 | 三星显示有限公司 | 包括覆盖层的有机发光二极管显示装置 |
| KR101914132B1 (ko) * | 2017-11-15 | 2018-11-01 | (주)피코팩 | X선 디텍터 및 이의 제조방법 |
| CN109085635A (zh) * | 2017-06-13 | 2018-12-25 | 三星电子株式会社 | X射线探测器及其制造方法 |
-
2000
- 2000-11-07 JP JP2000339300A patent/JP2002148343A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107871824B (zh) * | 2016-09-23 | 2021-07-16 | 三星显示有限公司 | 包括覆盖层的有机发光二极管显示装置 |
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