JP2003066196A

JP2003066196A - 蛍光板の製造方法、蛍光板、放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法および放射線検出システム

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Publication number: JP2003066196A
Application number: JP2001261908A
Authority: JP
Inventors: Katsuro Takenaka; 克郎竹中; Satoshi Okada; 岡田　　聡; Yoshihiro Ogawa; 善広小川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-08-30
Filing date: 2001-08-30
Publication date: 2003-03-05
Anticipated expiration: 2021-08-30
Also published as: JP4587431B2

Abstract

(57)【要約】【課題】蛍光体にできた凹凸による光センサー破壊等
の問題を解決する。【解決手段】凸部１０５が形成された面を有する蛍光
体層１０３の面に第１の保護層１０４を形成する工程
と、第１の保護層１０４の上から凸部１０５を押しつぶ
した後、または除去した後に、第１の保護層上に第２の
保護層１０８を形成する工程と、を含むことを特徴とす
る。また、この製造方法で製造された蛍光板において、
蛍光体層はヨウ化セシウムを主成分とすることを特徴と
する。また、放射線検出装置において、この製造方法で
製造された蛍光板を備えることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光体層上に保護
層が形成された蛍光板の製造方法、蛍光板、放射線検出
装置、放射線検出装置の製造方法および放射線検出シス
テムに関する。

【０００２】

【従来の技術】図１は従来例としての間接型Ｘ線エリア
センサーの断面図である。ガラス基板１１０上に格子状
に配列された光電変換素子１１２と、それらをつなぐ配
線部１１３と、そしてこれらを保護する光センサー保護
層１１４と、を備える光センサー１１１上に、蛍光体１
０３及び反射層１０２を形成して、Ｘ線エリアセンサー
が作成される。

【０００３】蛍光体基板１０１側から蛍光体１０３へ入
射してくるＸ線は、蛍光体１０３でＸ線から可視光等の
光へ波長変換され、その後、可視光は光センサー１１１
の光電変換素子１１２により光電変換され電気信号に変
わる。その信号を増幅し、画像処理を加えることにより
Ｘ線デジタル画像ができる。

【０００４】現在、光センサー１１１上に蛍光体１０３
を形成する手段として、直接光センサー１１１上に蛍光
体１０３を蒸着及びコーティングする手法と、図１のよ
うに光センサー１１１とは別基台１０１上に反射層１０
２及び蛍光体１０３を形成し、保護層１３０で覆ったの
ちローラー１０７を使い、接着剤を介し光センサー１１
１に貼り合せる手法とがある。

【０００５】両者を比べると、後者の方が歩留まり良く
効率的に、蛍光体１０３を光センサー１１１上に形成す
ることができるので、現在一般的に使用されている。ま
た、Ｘ線エリアセンサー用の蛍光体としては、発光量及
び解像度の点からＣｓＩ（ヨウ化セシウム）が主に使わ
れており、蛍光体基板に形成する手法としては、真空蒸
着によることが多い。

【０００６】貼り合せにより、蛍光体を光センサー上に
形成する手法について説明をする。蛍光板の製造方法に
ついて説明する。図２はその製造工程を示す断面図であ
る。蛍光体が形成される蛍光体基板１０１の材料には、
Ｘ線吸収の少ないアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）、も
しくは安価なガラス基板、または、反射層１０２を同時
に兼ねる材料としてアルミニウム板等が使用される。

【０００７】まず、図２（ａ）に示すように、蛍光体基
板１０１に反射層１０２を形成する。反射層１０２は、
光センサーとは反対方向へ発光した蛍光体の光を反射さ
せ、光センサーが効率よく検出できるようにするために
形成される。反射層１０２の材料としては、反射率の高
い、Ａｌ、Ａｇ等の金属または金属化合物材料が用いら
れ、形成方法はスパッタ等の方法で行う。

【０００８】次に、図２（ｂ）に示すように、蛍光体基
板１０１上に形成された反射層１０２上に蛍光体１０３
を形成する。蛍光体１０３の材料にはＣｓＩ等が使用さ
れる。ＣｓＩを用い真空蒸着にて形成する場合について
の説明を以下で行う。

【０００９】反射層１０２が形成された蛍光体基板１０
３を真空槽にセットし、ポートに蒸着材料であるＣｓＩ
（Ｎａ⁺）もしくはＣｓＩ（Ｔｌ⁺）を入れる。真空槽内
の圧力を０．１〜１．０［Ｐａ］まで引き、反射層１０
２が形成された蛍光体基板１０１を高温（１００〜１８
０℃程度）に加熱して、ポートに電流を流し加熱する
と、ＣｓＩが蒸気化し、反射層１０２が形成された蛍光
体基板１０１にＣｓＩの柱状結晶が形成される。

【００１０】その際、ＣｓＩが完全に蒸気化する前に
（固形化の状態）、真空槽内に飛び出し、その固形物が
反射層１０２が形成された蛍光体基板１０３の蒸着面に
付着することがある。これをスプラッシュという。

【００１１】スプラッシュとなったＣｓＩは、蒸着面に
対し、図２（ｂ）に示すように、大きさ（直径）４０４
が数十〜数百μｍ程度、高さ４０５が十数〜百数十μｍ
程度の凸部となり現れる。また、図２（ｂ）に示すよう
に、凸部と同時にその周辺には、隙間幅４０６が数〜数
十μｍ、深さが数十〜数百μｍにもなる凹部も発生す
る。また、反射層１０２に形成された蛍光体基板１０１
に蒸着前に付着している異物、もしくは蒸着中や蒸着直
後に蒸着面に付着した異物によってもこの凹凸が現れ
る。

【００１２】これらの原因によるＣｓＩ表面の凹凸を無
くすための効果的な手法は、現時点では考えられていな
い。また、蛍光体１０３の厚みを厚くすれば、それだけ
蒸着時間も長くなるので、発生しやすくなり、蒸着面積
を大きくしても、発生率が高くなる。

【００１３】次いで、図２（ｃ）または図２（ｄ）に示
すように、蛍光体１０３上もしくは、これらの層の全周
に機械的なストレスや湿気から保護するための保護層１
３０を形成する。保護層１３０は、貼り合せた際、蛍光
体と光センサーとの間に入るため、光の透過率が高い材
料で、かつ薄く形成しなくてはならない。

【００１４】透過率が低いと、蛍光体１０３で発光した
光が保護層１３０で吸収されてしまい、光センサーの感
度が低下してしまう。また、保護層１３０の膜厚が厚い
と蛍光体と光センサーとの間の距離が離れてしまい、蛍
光体１０３からの光が散乱し、光センサーの解像度が低
下してしまう。さらに、蛍光体１０３にＣｓＩを使用す
る場合、ＣｓＩは潮解性があるため、湿気から保護でき
るよう透湿度の低い材料を用いなければならない。ポリ
パラキシリレン樹脂はこれらの条件を満たした材料であ
る。

【００１５】図２（ｃ）に示すように、ＣｓＩからなる
蛍光体１０３を真空蒸着により形成した場合、スプラッ
シュまたは異物による凹凸が現れ、凸部は数十〜百数十
μｍの高さとなる。保護層は数μｍ〜十数μｍと薄いた
め、保護層１３０形成後にも形成前の凹凸と同等の大き
さとなって現れる。

【００１６】また、図２（ｄ）に示すように、凸部周辺
の凹部では、隙間数μｍ〜数十μｍの隙間が空いている
ため、保護層１３０が形成されないところや、または保
護層１３０が他の部分に比べ薄くなる場合もある。隙間
の距離だけの保護層を形成しないと隙間は埋まらない
が、保護層を数十μｍの厚みにすると解像度が劣化する
ためできない。

【００１７】蛍光体基板１０１上に反射層１０２と蛍光
体１０３と保護層１３０とが、上記のように形成された
蛍光板を、接着剤を介し光センサーに貼り合せることに
より、Ｘ線センサーとなる。

【００１８】蛍光板を接着剤１１５を介し、光センサー
１１１に貼り合せる際、接着剤１１５は、保護層１３０
と同様に、蛍光体１０３と光センサー１１１との間に形
成される。そのため、その光透過率及び膜厚が重要にな
る。

【００１９】蛍光板１０９の一般的な貼り合せとして
は、接着剤１１５を光センサー１１１上に塗布し、その
上に蛍光板１０９を重ね合せ、ローラーで押し付けなが
ら貼り合せを行う。その際、接着剤１１５の厚さは、ロ
ーラーの荷重・移動速度および接着剤１１５の粘度等で
コントロールされる。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】上述したように蛍光体
（特にＣｓＩ）を蒸着により、蛍光体基板等に形成する
際、スプラッシュや異物により数十μｍ〜数百μｍの凹
凸が発生する。これら凹凸により、蛍光板と光センサー
の貼り合せでは図３（ａ）および図３（ｂ）に示すよう
に、以下のような問題が発生する。

【００２１】（１）光センサーの破壊図３（ａ）に示すように、光センサー１１１は、光セン
サー保護層１１４により覆われ、保護されているが、蛍
光板１０９の貼り合せ表面の突起により、光センサー１
１１を傷つけ破壊してしまう。光センサー１１１は、格
子状に配列された光電変換素子１１２の集まりだが、突
起の大きさまたは数に応じ、破壊される光電変換素子１
１２の数も増える。また、光電変換素子１１２を結ぶ配
線部１１３が破壊された場合、光電変換素子１１２の１
列全ての破壊につながる。

【００２２】（２）保護層の破壊図３（ｂ）に示すように、蛍光板表面に凹凸があると、
貼り合せ時にローラーの荷重が凸部に集中し、凸部の蛍
光体１０３および保護層１３０が押しつぶされる。その
ため、保護層１３０にクラック（ヒビ・割れ）が発生す
る。

【００２３】また、凹部では、保護層形成時に保護層１
３０が覆われない部分があり、蛍光体１０３が剥き出し
の状態になり、温湿度耐久試験を行うとこのクラック及
び保護層１３０で覆われていない凹部からから湿気（水
分）が浸入し、蛍光体１０３は破壊される場合がある。
特に蛍光体１０３がＣｓＩの場合は潮解してしまう。

【００２４】（３）解像度の低下蛍光板１０９と光センサー１１１の貼り合せでは、形成
後の接着剤１１５の膜厚が重要で、高解像度を得るには
２０μｍ以下が望ましい。しかし、蛍光板１０９表面の
凹凸部は高さが数十〜百数十μｍあることが多く、この
状態で光センサー１１１や保護層１３０の破壊がないよ
うに貼り合せるとなると、接着剤１１５の膜厚を２０μ
ｍ以上の厚さに厚くしなければならなってしまう（百数
十μｍの厚みになってしまう）。そのため、蛍光体１０
３と光センサー１１１との間の距離が大きく空いてしま
い、解像度が低下してしまう。

【００２５】（４）気泡の混入蛍光板１０９の凹凸は保護層１３０や光センサー１１１
の破壊だけではなく、貼り合せ時に気泡を抱き込んでし
まうことがある。蛍光板１０９表面に無数の凸部がある
とローラーの荷重が凸部に集中してしまい、接着剤１１
５にローラーの荷重が加わらず、接着剤１１５が拡がり
にくくなる。

【００２６】また、凸部が少ない場合でも凸部周辺で
は、荷重の掛からない箇所が発生してしまい、気泡を押
し流すことができなくなってしまう。そのため、蛍光板
１０９と光センサー１１１との間には気泡が残るので、
蛍光体１０３で発光した光を乱反射させ、解像度を低下
させる。

【００２７】蛍光体の凹凸は上記の（１）〜（４）のよ
うな問題を引き起こしてしまうため、その平坦化は重要
な課題となっている。

【００２８】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明は、蛍光板の製造方法において、凸部が形
成された面を有する蛍光体層の当該面に第１の保護層を
形成する工程と、前記第１の保護層の上から前記凸部を
押しつぶした後、または除去した後に、当該第１の保護
層上に第２の保護層を形成する工程と、を含むことを特
徴とする。

【００２９】

【発明の実施の形態】まず、本発明の基本的な考え方に
ついて説明する。蛍光板表面にある凹凸を貼り合せ前で
平坦化することにより、上記の問題点を解決する。上記
の従来例において、保護層の形成前に表面を平坦化する
には、蛍光体がＣｓＩの場合、潮解性があるため、真空
中もしくはＮ²雰囲気中で行わなくてはならない。その
ためには、専用装置を製造する必要があり、コストが掛
かってしまう。そのため、蛍光体を形成後、第１の保護
層で蛍光体表面もしくは蛍光体基板を含めた全周を覆う
ことにより仮保護を行い、その後蛍光体とその上に形成
された保護層の平坦化処理をする。そして、第２の保護
層を形成する。

【００３０】以下、平坦化を行う手法について説明す
る。

【００３１】（１）押しつぶし図４（ａ）は、蛍光体表面の凹凸を押しつぶすことによ
り平坦化する例を示す断面図である。押しつぶしに用い
る機材としては、平板やローラーがあり、この例では、
平板４１２を使用している。その際、押し圧が強すぎる
と凸部の周辺にも影響を与え、周囲の蛍光体も破壊して
しまう恐れがあるため、圧力制御できるようにストッパ
ーを付けたり、プッシュプルゲージのように荷重を測定
できる機構を持たせるのがよい。また、蛍光板を平坦な
板（定盤等）の上に保護層を下にして置き、上からロー
ラーで押し転がすことで、全面の凸部を全て一度に平坦
化することができる。

【００３２】（２）削る図４（ｂ）は、削ることにより平坦化する例を示す断面
図である。円盤状のヤスリ４１３を回転させて、凸部を
削り平坦化している。押しつぶしに耐えられない蛍光体
に適用するとよいが、削りかすが発生するという問題が
ある。

【００３３】（３）切り落とす図４（ｃ）は、切り落とすことにより平坦化する例につ
いて示す断面図である。爪きりのような向かい合った刃
４１５で切断し、平坦化を行う。突起の高さが高いもの
を切り取る際に有効である。

【００３４】（４）レーザにより焼き去るレーザの加工は、微細加工に適しており、ミクロンオー
ダーの加工ができ、現在半導体製造工程で実用されてい
る。レーザ照射の時間やパルス幅等のパラメータや、ま
た、レーザの種類によっても加工精度が変わり、長波長
のＹＡＧレーザ、短波長のエキシマレーザなどがある。
凸部の形状やモード（スプラッシュ、異物）により使い
分けることにより効果的な加工が施せる。また、基板検
査装置と連動させることにより、全自動で凸部の平坦化
を行える。

【００３５】図５は上記の（１）から（４）に示した平
坦化処理後の様子を示す断面図である。押しつぶしによ
り平坦化した場合、図５（ａ）もしくは（ｂ）のように
なる。図５（ａ）のように表面に無数の数〜十数μｍ程
度の幅のクラック４２１がある場合がある。凸部が数百
μｍ程度のときに見られる。

【００３６】図５（ｂ）は、図２（ｄ）で示した保護層
形成時に凸部周辺部の凹部に保護層が入り込まず、周囲
に隙間がある状態の凸部を押しつぶし、平坦化した例で
ある。図２（ｄ）で開いていた隙間４０６が、凸部が押
されることによって、横方向に広がり隙間４０６が図５
（ｂ）の隙間４２２のように狭くなる。例として、押し
つぶし前に隙間が２０μｍ程度あったものが、押しつぶ
しにより４μｍ程度に狭まった。その際の凸部の大きさ
はφ約２５０μｍで高さ約４０μｍである。図５（ｃ）
は、凸部を削った場合もしくは切り取った場合の例であ
る。図５（ｃ）に示すように、蛍光体１０３が削られた
部分は、４２３に示すように剥き出しになる。

【００３７】以上のように凸部が平坦化された蛍光板上
に形成される第２の保護層について、以下で説明する。

【００３８】＜第２の保護層材料＞第２の保護層は、蛍
光体と光センサーと間に形成されるため、第１の保護層
（蛍光体形成直後に形成した保護層）の材料条件と同条
件が必要になる。

【００３９】（１）光透過率蛍光体で発光する光を吸収しないよう、波長λ≒４００
〜７００[ｎｍ]で約８０％以上の透過率がある材料が望
ましい。

【００４０】（２）厚み第１の保護層を含めたトータルの厚みが２０μｍ以下で
あることがのぞましく、これ以上厚いと解像度の低下が
顕著に表れる。

【００４１】（３）透湿性蛍光体により耐湿性の強弱があるが、特にＣｓＩの場合
は耐湿性が弱く、潮解する性質をもっている。蛍光体に
ＣｓＩを使用する場合、その材料には２．０ｇ／２４ｈ
（ＡＳＴＭＥ９６−６３Ｔ）以下のものが好ましく、
それによって信頼性を高めることができる。

【００４２】（４）ヌレ性第２の保護層が接着剤を介して光センサーと貼り合せる
界面となるため、ヌレ性のよい材料がよい。場合によっ
ては、プラズマ処理やコロナ放電処理を行って、ヌレ性
を改善するのも有効である。

【００４３】（５）蛍光体との相性第２の保護層は、第１の保護層が形成されていない蛍光
体表面で、蛍光体と接触するため、蛍光体に影響を与え
ない（溶解等）材料がよい。

【００４４】以上の（１）から（５）に記載した条件を
満たした材料としては、オレフィン系樹脂の、ポリパラ
キシリレン樹脂（スリーボンド社製、商品名パリレ
ン）、特にポリパラクロロキシリレン（同社製、商品名
パリレンＣ）や、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、
エポキシ系樹脂等がある。膜の硬化条件は、熱硬化型や
紫外線硬化法などを用いることができる。

【００４５】＜第２の保護層形成方法＞第２の保護層の
形成方法としては、熱ＣＶＤやプラズマＣＶＤ、スピン
コートやディップコート（浸漬引き上げ法）、ポッティ
ング（滴下法）、スプレー法（散布法）、ハケ等で保護
層を塗る方法がある。

【００４６】第２の保護層の形成は、第１の保護層の全
面に形成してもよいが、平坦化時に第１の保護層が剥が
れたか、もしくは、クラックが入った箇所のみ形成して
もよい。蛍光体表面の凹凸部の数が多く数十以上ある場
合は、全面にコーティングした方がよいが、数個程度な
ら、第２の保護層をハケで塗ったり、またディスペンサ
ーで滴下してもよい。その際は、第２の保護層の高さ
（厚さ）が数μｍから十数μｍ以下になるように注意し
なくてはならない。

【００４７】平坦化処理を行ったことにより発生したク
ラックや、蛍光体形成時に発生した隙間を第２の保護層
で覆う必要がある。クラック、隙間ともに平坦化処理を
行ったことにより、数μｍ〜十数μｍになっている。こ
れらを埋められるよう上記に挙げた形成方法により、数
μｍ〜十数μｍの厚みを有する第２の保護層を形成す
る。このような平坦化処理と第２の保護層の形成を行う
ことにより幅数十μｍの隙間やクラックが埋まり、凹凸
部での耐湿性（ＣｓＩの場合）が向上する。

【００４８】以上の点に鑑みて行った実施形態について
以下で説明する。

【００４９】（実施形態１）図６は本発明の実施形態１
を示す断面図である。図６（ａ）に示すように、蛍光体
基板１０１としてアモルファスカーボンプレート（ａ−
Ｃ）を使い、反射層１０２としてアルミニウム（Ａｌ）
を、そして蛍光体１０３としてヨウ化セシウム（Ｃｓ
Ｉ）を蒸着し、第１の保護層１０４としてパリレンを形
成した。蛍光体１０３上のスプラッシュおよび異物によ
る凹凸は凸部１０５で示している。

【００５０】蛍光体１０３の厚みを５００μｍ程度、第
１の保護層１０４の厚みを５μｍ程度とした。この場
合、大きさ２００〜５００μｍ程度、高さ３０〜７０μ
ｍ程度の凸部１０５がほぼ全面に渡り、約２００個存在
した。凸部の計測は、液晶用に用いられる基板検査装置
とレーザによる３次元形状測定機を用いて行った。３次
元形状測定を行い、その結果、凸部１０５の高い１００
μｍ以上のもののみ、爪きり状の両刃で切断を行った。

【００５１】次いで、図６（ｂ）に示すように蛍光板１
０９を、蛍光体１０３面側を下にし、定盤１０６の上に
置き、上からローラー１０７で、押し転がして平坦化処
理を行った。上記のように平坦化処理を行ったことによ
り、蛍光体１０３にあった凸部１０５は高さ５〜２０μ
ｍ程度になった。また、これら凸部周辺にあった凹部の
隙間も数μｍ程度になった。また、図１（ｂ）のように
ローラー１０７と定盤１０６で凸部を全て同時に潰すこ
とにより、工数を掛けずに平坦化ができた。

【００５２】その後、図６（ｃ）に示すように、第２の
保護層１０８として、第１の保護層１０４と同じ材料で
あるパリレンを熱ＣＶＤ法で全面全周に１０μｍ程度形
成し、数μｍの隙間やクラックを上から覆った。

【００５３】このように平坦化処理し、第２の保護層１
０８としてのパリレンを形成した蛍光板１０９は、温湿
度耐久試験（条件５５℃ ９０％・７５０ｈ）を行って
も、凹凸部においても変色が見られなかった。比較のた
め、平坦化処理を行わない基板も同時に試験したが、７
５０ｈで変色が見られ、潮解が確認された。

【００５４】次いで、図６（ｄ）に示すように、上記の
ように形成された蛍光板１０９を接着剤１１５を用い
て、光センサー１１１に貼り合せる。貼り合せ時の接着
剤１１５の膜厚が２０μｍ程度になるように、ローラー
の荷重と速度を設定することにより、光センサー１１１
を破壊せず、気泡の混入も無く蛍光板１０９を光センサ
ー１１１上に形成できた。

【００５５】（実施形態２）図７は、本発明の実施形態
２を示す断面図である。蛍光板１０９の構成は実施形態
１と同様である。実施形態１に比べ凸部１０５の数が約
２０個と少ないため、図７（ａ）に示すように、ローラ
ーは使わず、プッシュプルゲージ１２０で押しつぶし、
均一に平坦化できないもののみ、回転機構のついた径
０．５のヤスリで表面を削った。

【００５６】その後、図７（ｂ）に示すように、第２の
保護層１０８としてＵＶ硬化型アクリル系ＵＶ硬化樹脂
をディスペンサー１２２で滴下し、ＵＶランプを当てて
硬化した。その際、この滴下した部分だけ高さが厚くな
らないよう、ＵＶ硬化型アクリル系樹脂の粘度、表面張
力および硬化収縮率等を考慮し、硬化させるまでの時間
を決めた。

【００５７】（実施形態３）本実施形態を示す図面はな
く、蛍光板１０９の構成は実施形態１または２と同様で
ある。実施形態３では蛍光体表面の凸部を平坦化する手
段としてレーザを用いている。レーザの照射時間、照射
エネルギーおよび照射回数等を調整することにより、凸
部を焼き切る深さを決めることができ、それぞれの凸部
の大きさおよび高さに応じてそれぞれのパラメータの設
定を行う。基板検査装置によって凸部を検出し、位置座
標データをレーザリペア装置に送り、大きさおよび高さ
から、それぞれに合った条件で全自動により平坦化処理
を行う。平坦化処理後、基板検査装置及び３次元測定器
で再度突起形状を確認し、凸部が平坦化されているか確
認し、高い場合、再度レーザリペアを行い、条件に合う
までこの作業を繰り返す。

【００５８】このように、レーザによる平坦化の場合、
実施形態１あるいは２に比べ、精度良く平坦化すること
が可能で、凸部の高さを５μｍ以下に揃えることが可能
である。また、実施形態３では、光センサーに貼り合せ
る際の接着剤を第２の保護層にも用いている。この第２
の保護層には、光の透過率が高く、かつ透湿度の低い熱
硬化性アクリル系樹脂を使用する。そのため、蛍光体と
光センサーとの間の距離を１０μｍ程度と狭くできるの
で、高解像度の光センサーを実現できる。（パリレン≒
５μｍ、熱硬化性アクリル系樹脂≒５μｍ）

【００５９】（実施形態４）図８は上記の実施形態の放
射線検出システムへの応用例である。本実施形態は、Ｘ
線画像を撮影するＸ線撮像システムとし、上記の実施形
態１等は、Ｘ線撮像装置６０４０として利用されてい
る。Ｘ線発生源としてのＸ線チューブ６０５０で発生し
たＸ線６０６０は患者あるいは被検体６０６１の胸部な
どの観察部分６０６２を透過し、Ｘ線撮像装置６０４０
に入射する。この入射したＸ線には被検体６０６１の内
部の情報が含まれている。Ｘ線が入射することによって
Ｘ線撮像装置６０４０は電気的情報を得る。この情報は
デジタルに変換され、画像処理手段としてのイメージプ
ロセッサ６０７０により画像処理され制御室（コントロ
ールルーム）にある表示手段としてのディスプレイ６０
８０で観察可能となる。

【００６０】また、この情報は電話回線や無線６０９０
等の伝送手段により遠隔地などへ転送でき、別の場所の
ドクタールームなどでディスプレイ６０８１に表示もし
くはフィルムなどの出力により遠隔地の医師が診断する
ことも可能である。得られた情報はフィルムプロセッサ
などの記録手段６１００により光ディスク、光磁気ディ
スク、磁気ディスクなどの各種記録材料を用いた記録媒
体、フィルムや紙などの記録媒体６１１０に記録や保存
することもできる。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１の保護層を形成してから、蛍光体層表面にできた凸
部を押しつぶしたり、あるいは除去したりして平坦化し
て、第２の保護層を形成したので、貼り合せの際の光セ
ンサーの破壊がなくなった。蛍光体の貼り合せ表面を平
坦化したことにより、貼り合せ時の保護層の破壊がなく
なり、耐湿性および保存性が向上した。

【００６２】蛍光体の貼り合せ表面を平坦化したことに
より、凸部付近の凹部の隙間が狭くなり、隙間を完全に
上から第２の保護層でコーティングすることが可能にな
り、耐湿性および保存性が向上した。蛍光体の貼り合せ
表面を平坦化したことにより、貼り合せ後の接着剤の厚
み分布がなくなり、解像度の劣化がなくなった。蛍光体
の貼り合せ表面を平坦化したことにより、貼り合せ時の
接着剤の流れが良くなり、また、凸部付近に発生してい
た気泡がなくなった。

【図面の簡単な説明】

【図１】蛍光板を光センサーに貼り合せる工程を説明す
るための断面図である。

【図２】従来例の蛍光板の製造工程を示す断面図であ
る。

【図３】蛍光体の凸部によって生じる課題を説明するた
めの断面図である。

【図４】蛍光体の凸部を平坦化する方法を説明するため
の断面図である。

【図５】蛍光体の凸部を平坦化した後の様子を示す断面
図である。

【図６】本発明の実施形態１を説明するための断面図で
ある。

【図７】本発明の実施形態２を説明するための断面図で
ある。

【図８】本発明の実施形態４の構成図である。

【符号の説明】

１０１蛍光体基板１０２反射層１０３蛍光体層１０４第１の保護層１０５凸部１０６定盤１０７ローラー１０８第２の保護層１０９蛍光板１１０光センサー基板１１１光センサー１１２光電変換素子１１３配線１１４光センサー保護層１１５接着剤１３０保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 31/09 Ｈ０１Ｌ 31/00 ＡＨ０４Ｎ 5/32 27/14 Ｋ (72)発明者小川善広東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 2G083 AA02 AA10 BB01 CC01 CC03 CC04 CC05 DD01 DD02 DD17 EE02 EE08 EE10 2G088 EE01 FF02 GG10 GG19 GG20 JJ05 JJ09 JJ10 JJ37 KK32 4M118 AA10 AB01 BA05 CB11 FB09 5C024 AX11 CY47 EX24 GX09 5F088 BB03 BB07 EA04 HA15 LA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】凸部が形成された面を有する蛍光体層の
該面に第１の保護層を形成する工程と、前記第１の保護層の上から前記凸部を押しつぶした後、
または除去した後に、該第１の保護層上に第２の保護層
を形成する工程と、を含むことを特徴とする蛍光板の製
造方法。
【請求項２】請求項１記載の蛍光板の製造方法で製造
された蛍光板において、前記蛍光体層はヨウ化セシウム
を主成分とすることを特徴とする蛍光板。
【請求項３】請求項１記載の蛍光板の製造方法で製造
された蛍光板を備えることを特徴とする放射線検出装
置。
【請求項４】凸部が形成された面を有する蛍光体層の
該面に第１の保護層が形成された後に、該第１の保護層
の上から前記凸部が押しつぶされ、または除去された蛍
光板を、第２の保護層としての接着剤が塗布された光セ
ンサー基板に貼り合せて、接着する工程を含むことを特
徴とする放射線検出装置の製造方法。
【請求項５】請求項３記載の放射線検出装置または請
求項４記載の製造方法で製造された放射線検出装置と、
該放射線検出装置からの信号を画像として処理する画像
処理手段と、該画像処理手段からの信号を記録する記録
手段と、該画像処理手段からの信号を表示するための表
示手段と、前記画像処理からの信号を伝送するための伝
送手段と、を有することを特徴とする放射線検出システ
ム。