[go: up one dir, main page]

CN100542361C - 电致发光显示器件及其制造方法 - Google Patents

电致发光显示器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100542361C
CN100542361C CNB2005100824375A CN200510082437A CN100542361C CN 100542361 C CN100542361 C CN 100542361C CN B2005100824375 A CNB2005100824375 A CN B2005100824375A CN 200510082437 A CN200510082437 A CN 200510082437A CN 100542361 C CN100542361 C CN 100542361C
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
layer
active layer
pixel electrode
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CNB2005100824375A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1798458A (zh
Inventor
朴容仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN1798458A publication Critical patent/CN1798458A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100542361C publication Critical patent/CN100542361C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H10D86/0231—Manufacture or treatment of multiple TFTs using masks, e.g. half-tone masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

电致发光显示器件及其制造方法。一种电致发光显示器件，其包括：第一薄膜晶体管，具有有源层、具有其间夹有栅极绝缘膜的与有源层交叠的双层结构的栅极、通过第一和第二接触孔连接到有源层的源极和漏极，该第一和第二接触孔穿透栅极绝缘膜上的层间绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的具有包括第一透明导电层和第二导电层的双层结构的像素电极，其中通过第一透射孔暴露出第一透明导电层的一部分，该第一透射孔穿透该层间绝缘膜；位于像素电极的一部分上的发光层；以及形成在发光层上的公共电极。

Description

电致发光显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及电致发光显示板，更具体地，涉及一种EL显示板的薄膜晶体管阵列的简化结构和制造EL显示板的薄膜晶体管阵列的工艺。
背景技术
已经开发了多种能够克服阴极射线管(CRT)显示装置的重量和尺寸方面的缺点的平板显示装置。这些平板显示装置包括液晶显示(LCD)器件、场发射显示(FED)器件、等离子体显示板(PDP)器件，以及电致发光(EL)显示板器件。
EL显示板是自发光器件，其通过重新组合电子和空穴使磷发光。可以根据在EL显示板中采用的材料将EL显示板大致分为无机EL和有机EL。EL显示板有许多优点，例如驱动电压低、自发光、薄膜型、视角宽、响应速度快等。因此，认为它将成为下一代显示器件。
有机EL器件包括通常淀积在阳极和阴极之间的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层，以及空穴注入层。当在有机EL器件的阳极和阴极之间施加指定电压时，由阴极产生的电子经过电子注入层和电子传输层移动到发光层，而由阳极产生的空穴经过空穴注入层和空穴传输层移动到发光层。因此，在发光层中重新组合从电子传输层和空穴传输层提供的电子和空穴来发光。
图1表示有源矩阵有机EL显示板。如图1所示，有机EL器件包括：像素矩阵20，具有设置在由选通线GL和数据线DL的交叉限定的区域中的多个像素28；选通驱动器22，用于驱动像素矩阵20的选通线GL；以及数据驱动器24，用于驱动像素矩阵20的数据线DL。
选通驱动器22通过提供扫描脉冲来依次驱动选通线。无论在什么时候提供扫描脉冲，数据驱动器24都向数据线提供数据信号。当向选通线GL提供扫描脉冲时，每一个像素28都从数据线DL接收数据信号，以产生与该数据信号相对应的光。
在现有技术的有机EL显示板中，通过包括半导体工艺在内的多个掩模工艺来形成薄膜晶体管基板，因此存在其制造工艺复杂的问题。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种电致发光显示器件及其制造方法，其基本上解决了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或更多个问题。
因此，本发明的优点在于提供了一种具有简化结构的EL显示板的薄膜晶体管基板及其制造方法。
本发明的其它特征和优点将在以下说明书中进行阐述，部分地通过该说明书而变得明了，或者可以通过本发明的实施而习得。本发明的这些目的和其它优点将通过在此所写的说明书和权利要求以及附图中所具体指出的结构来实现。
为了实现这些和其它优点并根据本发明的目的，如具体实施和广义描述的，本发明提供了一种电致发光显示器件，其包括：第一薄膜晶体管，具有有源层、具有其间夹有栅极绝缘膜的与有源层(poly activelayer)交叠的双层结构的栅极、通过第一和第二接触孔连接到有源层的源极和漏极，该第一和第二通孔穿透栅极绝缘膜的层间绝缘膜；具有双层结构的像素电极，包括形成在栅极绝缘膜上的第一透明导电层和第二导电层，其中通过第一透射孔暴露第一透明导电层的一部分，该第一透射孔穿透层间绝缘膜；位于像素电极的一部分上的发光层；以及形成在发光层上的公共电极。
在本发明的另一方面，提供了一种制造电致发光显示器件的方法，包括以下步骤：在基板上形成有源层；在有源层上形成栅极绝缘膜；形成包括像素电极和栅极在内的双层图案，该栅极与有源层相交叠；通过将杂质注入到有源层中来形成源区和漏区；在该双层图案上形成层间绝缘膜；形成暴露出源区和漏区的第一和第二接触孔；形成暴露出像素电极的透明导电层的第一透射孔；在该层间绝缘膜上形成与有源层的源区和漏区相连的源极和漏极；在源极、漏极和像素电极上形成第二绝缘膜；形成暴露出通过该第一透射孔而暴露的像素电极的第二透射孔；在通过该第二透射孔暴露出的像素电极上形成发光层；以及在该发光层和第二绝缘膜上形成公共电极。
在本发明的另一方面，提供了一种制造电致发光显示器件的方法，包括以下步骤：形成第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括有源层、具有其间夹有栅极绝缘膜的与有源层交叠的双层结构的栅极、通过第一和第二接触孔连接到有源层的源极和漏极，该第一和第二接触孔穿透栅极绝缘膜上的层间绝缘膜；在栅极绝缘膜栅上形成具有包括第一透明导电层和第二导电层的双层结构的像素电极，其中通过第一透射孔暴露出第一透明导电层的一部分，该第一透射孔穿透层间绝缘膜；在像素电极的一部分上形成发光层；以及在发光层上形成公共电极。
应该理解，前面的概述和以下的详述都是示例性和说明性的，旨在为所要求保护的本发明提供进一步的说明。
附图说明
附图示出了本发明的实施例，并与说明书一起用于对本发明的原理进行说明，包含附图以提供对本发明的进一步理解，并将其并入构成本说明书的一部分。
附图中：
图1是表示根据现有技术的有机EL显示板的方框图；
图2是包括在根据本发明实施例的有机EL板的薄膜晶体管基板中的像素的等效电路图；
图3是表示包括在根据本发明实施例的有机EL板的薄膜晶体管基板中的像素的垂直结构的剖视图；以及
图4A至4F是表示制造根据本发明实施例的图3的薄膜晶体管基板的方法的剖视图。
具体实施方式
下面将详细说明本发明的实施例，附图中示出了其示例。
图2是包括在根据本发明实施例的有机EL板的薄膜晶体管基板中的像素的等效电路图，而图3是表示图2所示的像素28中的存储电容器C、驱动薄膜晶体管T2以及EL单元(OEL)的垂直结构的剖视图。
参照图2，像素28包括与选通线GL和数据线DL相连的单元驱动器27，以及与该单元驱动器27相连的EL单元(OEL)。单元驱动器27包括：与选通线GL和数据线DL相连的开关薄膜晶体管T1；连接在开关薄膜晶体管T1、电压源VDD以及EL单元(OEL)的阳极之间的驱动薄膜晶体管T2；以及连接在电压源VDD和开关薄膜晶体管T1的漏极之间的存储电容器C。开关薄膜晶体管T1的栅极与选通线GL相连，源极与数据线DL相连，而漏极与驱动薄膜晶体管T2的栅极相连。以与图3所示的驱动薄膜晶体管T2相同的垂直结构形成开关薄膜晶体管T1。
如图3所示，驱动薄膜晶体管T2包括：形成在基板190上的有源层172，其间具有缓冲膜192；与有源层172相交叠的栅极170，其间具有栅极绝缘膜；分别通过穿透栅极绝缘膜194和层间绝缘膜196的第一和第二接触孔174、176与有源层172的源区和漏区相连的源极180和漏极185。有源层172包括其中注入有杂质的源区172S和漏区172D，以及其间的沟道区172C。沟道区172C与栅极170相交叠，并且其间具有栅极绝缘膜194。
可以通过在栅极绝缘膜194上淀积透明导电层101和金属层103，将栅极170形成为双层结构。栅极170通过穿透层间绝缘膜196和栅极绝缘膜194的接触孔(未示出)与开关薄膜晶体管T1的漏极相连。
通过存储下电极184来形成存储电容器C，存储下电极184与电力线156相交叠，并且其间具有栅极绝缘膜194和层间绝缘膜196。电力线156与图2所示的电压源VDD相连，并与驱动薄膜晶体管T2的源极180集成并相连。存储下电极184可以与图2所示的开关薄膜晶体管T1的有源层集成为一体。
EL单元(OEL)包括形成在栅极绝缘膜194上的阳极，例如像素电极186；穿透层绝缘膜(bank insulating film)188和层间绝缘膜196以及暴露出像素电极186的第二透射孔160；形成在通过第二透射孔160暴露出的像素电极186上的有机发光层162；以及阴极或者公共电极164，共同形成在有机发光层162和层绝缘膜188上。
像素电极186可以包括形成在栅极绝缘膜194上的透明导电层101，以及沿着透明导电层101的边缘的金属层103。换句话说，可以通过穿透层间绝缘膜196和金属层103的第一透射孔暴露出像素电极186的透明导电层101。另选地，像素电极186可以仅由透明导电层101形成，而不需要金属层103。像素电极186与漏极185相连，该漏极185从驱动薄膜晶体管T2沿第一透射孔的侧面延伸。具体地，漏极185与像素电极186的金属层103(如果存在)和透明导电层101相连，该像素电极186通过第一透射孔而暴露。
根据本发明，像素电极186与栅极170一起形成在栅极绝缘膜194上，而电力线156与源极180和漏极185一起形成在层间绝缘膜196上，由此简化了制造工艺。
图4A至4F是表示制造根据本发明实施例的有机EL显示板的TFT基板的方法的剖视图。如图4A所示，在下基板190上形成缓冲膜192，并使用第一掩模工艺在缓冲膜192上形成驱动薄膜晶体管T2的有源层172和存储下电极184。图2所示的开关薄膜晶体管T1的有源层与存储下电极184集成为一体。
可以通过在下基板190的整个表面上淀积诸如SiO2的无机绝缘材料来形成缓冲膜192。然后，例如使用低压化学气相淀积(LPCVD)，或者等离子体增强化学气相淀积(PECVD)在缓冲膜192上形成非晶硅薄膜，并使其结晶以形成多晶硅薄膜。通过使用第一掩模的光刻工艺和蚀刻工艺对该多晶硅薄膜进行构图，以形成驱动薄膜晶体管T2的有源层172和存储下电极184。在使非晶硅薄膜结晶之前，可以执行脱氢工艺，来去除存在于非晶硅薄膜中的氢原子。
使非晶硅薄膜结晶的示例性方法为顺序水平结晶SLS，其中受激准分子激光退火方法通过沿水平方向扫描线束使水平方向上的晶粒生长，来增大晶粒的尺寸。
如图4B所示，在形成了有源层172和存储下电极184的缓冲膜192上形成栅极绝缘膜194，并使用第二掩模工艺在栅极绝缘膜194上形成双层结构的像素电极186和驱动薄膜晶体管T2的栅极170。图2所示的选通线GL和开关薄膜晶体管T1的栅极也被形成为双层结构。
可以通过在形成了有源层172和存储下电极184的缓冲膜192上淀积诸如SiO2的无机绝缘材料来形成栅极绝缘膜194。此后，例如使用溅射方法在栅极绝缘膜194上淀积透明导电层101和金属层103。透明导电层101可以是铟锡氧化物ITO、氧化锡TO、铟锌氧化物IZO、铟锡锌氧化物ITZO等。金属层103可以是Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金等。然后通过使用第二掩模的光刻工艺和蚀刻工艺对金属层103和透明导电层101进行构图，由此形成具有双层结构的像素电极186和驱动薄膜晶体管T2的栅极170。尽管在图4B中示出了具有双层结构，但是像素电极186和栅极170也可以形成为单层结构。在该工艺过程中形成图2所示的选通线GL和开关薄膜晶体管T1的栅极。
接下来，使用栅极170作为掩模，将p型或n型杂质注入到存储下电极184以及有源层172的源区172S和漏区172D中。有源层172的源区172S和漏区172D彼此相对，并且其间具有沟道区172C。还将杂质注入到图2所示的开关薄膜晶体管的有源层的源区和漏区中。
参照图4C，使用第三掩模工艺在包括形成有栅极170和像素电极186的区域在内的栅极绝缘膜194上形成层间绝缘膜196。在第三掩模工艺中还形成了穿透层间绝缘膜196和栅极绝缘膜194的第一和第二接触孔174、176，以及穿透层间绝缘膜196和像素电极186的金属层103的第一透射孔159。还形成了分别暴露出包含在图2所示的开关薄膜晶体管T1中的有源层的源区和漏区的接触孔，以及暴露出驱动薄膜晶体管T2的栅极170以与开关薄膜晶体管T1相连的接触孔。
可以通过在形成有栅极170和像素电极186的栅极绝缘膜194的整个表面上淀积诸如SiO2的无机绝缘材料来形成层间绝缘膜196。此后，通过使用第三掩模的光刻工艺和蚀刻工艺来形成穿透层间绝缘膜196和栅极绝缘膜194的第一和第二接触孔174、176，以及穿透层间绝缘膜196的第一透射孔159。第一和第二接触孔174、176分别暴露出有源层172的源区172S和漏区172D。第一透射孔159暴露出作为像素电极186的上层的金属层103。在该工艺过程中还形成了分别暴露出包含在图2的开关薄膜晶体管T1中的有源层的源区和漏区的接触孔，以及暴露出驱动薄膜晶体管T2的栅极170以与开关薄膜晶体管T1相连的接触孔。
此后，对通过第一透射孔159暴露出的像素电极186的金属层103进行蚀刻，以暴露出透明导电层101。与层间绝缘膜196交叠的金属层103残留在透明导电层101的周边部分的后面。
参照图4D，使用第四掩模工艺在层间绝缘膜196上形成驱动薄膜晶体管T2的源极180和漏极185，以及与源极180相连的电力线156。还形成了开关薄膜晶体管T1的源极和漏极以及图2的数据线DL。
在层间绝缘膜196上形成源极/漏极金属层。源极/漏极金属层可以单层或双层结构由诸如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金等形成。然后，通过使用第四掩模的光刻工艺和蚀刻工艺对源极/漏极金属层进行构图，由此形成电力线156以及驱动薄膜晶体管T2的源极和漏极180、185。源极180和漏极185分别通过第一和第二接触孔174、176与有源层172的源区172S和漏区172D相连。源极180沿第一透射孔159和层间绝缘膜196的侧面延伸，并与通过第一透射孔159暴露出的像素电极186的透明导电层101以及金属层103相连。电力线156与源极180相连，并与存储下电极184交叠，并且其间具有层间绝缘膜196和栅极绝缘膜194，以构成存储电容器(C)。在该工艺中还形成了开关薄膜晶体管T1的源极和漏极以及图2所示的数据线DL。开关薄膜晶体管T1的源极和漏极分别通过相应的接触孔与有源层的源区和漏区相连，并且漏极通过相应的接触孔与驱动薄膜晶体管T2的栅极170相连。
参照图4E，使用第五掩模工艺在形成有源极和漏极180、185以及电力线156的层间绝缘膜196上形成具有第二透射孔160的层绝缘膜188，该第二透射孔160暴露出像素电极186的透明导电层101。
具体地，在形成有源极和漏极180、185以及电力线156的层间绝缘膜196上形成有机绝缘材料188。此后，通过使用第五掩模的光刻工艺以及蚀刻工艺来形成第二透射孔160，该第二透射孔160穿透层绝缘膜188，以暴露出像素电极186的透明导电层101。另选地，可以将感光有机绝缘材料用于层绝缘膜188，然后仅通过光刻工艺来形成第二透射孔160。
参照图4F，通过使用第六掩模的淀积工艺在通过第二透射孔160而暴露的像素电极186上形成R、G、B中的任意一个的有机发光层162，然后在有机发光层162和层绝缘膜188上共同形成公共电极164。将形成在像素电极186上的有机发光层162形成为通过形成有第二透射孔160的层绝缘膜188的侧面覆盖在层绝缘膜188的上部。因此，完成了EL单元(OEL)，其中有机发光层162形成在像素电极186和公共电极164之间。以单层或双层结构由诸如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金等形成公共电极164。
因此，根据本发明的有机EL显示板的薄膜晶体管的制造方法需要五道掩模工艺来形成层绝缘膜188，由此简化了制造工艺。
如上所述，根据本发明的有机EL显示板的薄膜晶体管基板及其制造方法在栅极绝缘膜上与栅极一起形成了像素电极，由此简化了制造工艺。
此外，根据本发明的有机EL显示板的薄膜晶体管基板及其制造方法在层间绝缘膜上形成电力线以及源极和漏极，由此简化了制造工艺。
因此，根据本发明的有机EL显示板的薄膜晶体管基板及其制造方法使用五道掩模工艺形成具有暴露出像素电极的第二透射孔的层绝缘膜，因此可以降低材料成本和设备投资成本，并且可以提高合格率。
对于本领域的技术人员，显然可以在不脱离本发明的主旨或范围的情况下，对本发明进行多种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求及其等价物的范围之内的这些修改和变化。
本申请要求2004年12月31日提交的韩国专利申请No.2004-118560的优先权，在此通过引用将其并入。

Claims (23)

1、一种电致发光显示器件，其包括：
第一薄膜晶体管，具有有源层、具有其间夹有栅极绝缘膜的与该有源层交叠的双层结构的栅极、通过第一和第二接触孔连接到该有源层的源极和漏极，该第一和第二接触孔穿透该栅极绝缘膜上的层间绝缘膜；
直接形成在所述栅极绝缘膜上的像素电极，具有包括第一透明导电层和第二导电层的双层结构，其中通过第一透射孔暴露出该第一透明导电层的一部分，该第一透射孔穿透所述层间绝缘膜；
位于所述像素电极的一部分上的发光层；以及
在所述发光层上的公共电极。
2、根据权利要求1所述的电致发光显示器件，还包括：
电力线，位于所述层间绝缘膜上，并与所述源极相连；以及
存储下电极，与所述电力线交叠，用来形成存储电容器。
3、根据权利要求2所述的电致发光显示器件，其中所述存储下电极与所述电力线交叠，并且其间具有所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜。
4、根据权利要求2所述的电致发光显示器件，其中所述存储下电极由其中注入有杂质的有源层形成。
5、根据权利要求1所述的电致发光显示器件，还包括：
具有第二透射孔的第二绝缘膜，该第二透射孔暴露出通过所述第一透射孔暴露出的所述像素电极的一部分，其中所述发光层形成在通过该第二透射孔暴露出的像素电极的所述部分上。
6、根据权利要求1所述的电致发光显示器件，其中所述漏极通过所述第一透射孔的侧面与所述像素电极相连。
7、根据权利要求1所述的电致发光显示器件，其中所述层间绝缘膜与所述像素电极的一部分交叠。
8、根据权利要求7所述的电致发光显示器件，其中所述像素电极与所述层间绝缘膜交叠的所述部分包括所述第一透明导电层和第二金属层。
9、根据权利要求1所述的电致发光显示器件，其中所述像素电极的双层结构被形成为金属层位于透明导电层上的结构。
10、根据权利要求2所述的电致发光显示器件，还包括：
彼此交叉的选通线和数据线，并且其间具有所述层间绝缘膜；以及
第二薄膜晶体管，具有与所述选通线相连的栅极、与所述数据线相连的源极、与所述第一薄膜晶体管的所述栅极相连的漏极，以及用于在所述第二薄膜晶体管的所述源极和所述漏极之间形成沟道的有源层。
11、根据权利要求10所述的电致发光显示器件，其中所述存储下电极与所述第二薄膜晶体管的有源层相连。
12、一种制造电致发光显示器件的方法，包括：
在基板上形成有源层；
在所述有源层上形成栅极绝缘膜；
形成包括直接形成在所述栅极绝缘膜上的像素电极和栅极在内的双层图案，该栅极与所述有源层交叠；
通过将杂质注入到所述有源层中来形成源区和漏区；
在所述双层图案上形成层间绝缘膜；
形成暴露出所述源区和漏区的第一和第二接触孔；
形成暴露出所述像素电极的透明导电层的第一透射孔；
在所述层间绝缘膜上形成与所述有源层的源区和漏区分别相连的源极和漏极，以形成第一薄膜晶体管；
在所述源极、漏极和像素电极上形成第二绝缘膜；
形成暴露出通过所述第一透射孔暴露出的像素电极的第二透射孔；
在通过所述第二透射孔暴露出的像素电极上形成发光层；以及
在所述发光层和所述第二绝缘膜上形成公共电极。
13、根据权利要求12所述的方法，还包括：
在所述层间绝缘膜上形成电力线，以与所述源极相连。
14、根据权利要求13所述的方法，还包括：
与所述有源层一起在基板上形成存储下电极。
15、根据权利要求14所述的方法，其中所述存储下电极由其中注入了杂质的有源层构成。
16、根据权利要求12所述的方法，其中形成所述源区和漏区的步骤包括使用所述栅极作为掩模向所述有源区域注入杂质。
17、根据权利要求12所述的方法，其中形成所述第一透射孔的步骤包括：
对所述层间绝缘膜进行构图，以形成所述第一透射孔；以及
对通过所述第一透射孔暴露出的像素电极的上导电层进行蚀刻。
18、根据权利要求17所述的方法，其中所述层间绝缘膜与所述像素电极的上导电层的一部分交叠。
19、根据权利要求12所述的方法，其中所述像素电极的双层结构包括第一透明导电层和第二金属层，该第二金属层形成在所述第一透明导电层上。
20、根据权利要求12所述的方法，还包括：
在所述基板和有源层之间形成缓冲膜。
21、根据权利要求14所述的方法，还包括：
形成彼此交叉并且其间具有所述层间绝缘膜的选通线和数据线；以及
形成第二薄膜晶体管，其具有与所述选通线相连的栅极、与所述数据线相连的源极、与所述第一薄膜晶体管的所述栅极相连的漏极，以及用于在所述第二薄膜晶体管的所述源极和漏极之间形成沟道的有源层。
22、根据权利要求21所述的方法，其中所述存储下电极与所述第二薄膜晶体管的有源层相连。
23、一种制造电致发光显示器件的方法，包括：
形成第一薄膜晶体管，具有有源层、具有其间夹有栅极绝缘膜的与该有源层交叠的双层结构的栅极、通过第一和第二接触孔连接到该有源层的源极和漏极，该第一和第二接触孔穿透栅极绝缘膜上的层间绝缘膜；
形成具有直接形成在栅极绝缘膜上的包括第一透明导电层和第二导电层的双层结构的像素电极，其中通过第一透射孔暴露出该第一透明导电层的一部分，该第一透射孔穿透所述层间绝缘膜；
在所述像素电极的一部分上形成发光层；以及
在所述发光层上形成公共电极。
CNB2005100824375A 2004-12-31 2005-06-30 电致发光显示器件及其制造方法 Active CN100542361C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040118560A KR101107252B1 (ko) 2004-12-31 2004-12-31 일렉트로-루미네센스 표시 패널의 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법
KR1020040118560 2004-12-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1798458A CN1798458A (zh) 2006-07-05
CN100542361C true CN100542361C (zh) 2009-09-16

Family

ID=36640766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100824375A Active CN100542361C (zh) 2004-12-31 2005-06-30 电致发光显示器件及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7830476B2 (zh)
JP (1) JP4490885B2 (zh)
KR (1) KR101107252B1 (zh)
CN (1) CN100542361C (zh)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7301276B2 (en) * 2000-03-27 2007-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method of manufacturing the same
KR101265217B1 (ko) * 2006-07-20 2013-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막트랜지스터 기판 및 그 제조방법
DE202008003136U1 (de) * 2008-03-05 2008-07-31 Leister Process Technologies Elektrischer Heizkeil
US8546876B2 (en) 2008-03-20 2013-10-01 Micron Technology, Inc. Systems and devices including multi-transistor cells and methods of using, making, and operating the same
US7969776B2 (en) * 2008-04-03 2011-06-28 Micron Technology, Inc. Data cells with drivers and methods of making and operating the same
KR100908236B1 (ko) * 2008-04-24 2009-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI426563B (zh) * 2008-05-07 2014-02-11 Au Optronics Corp 像素結構與其中之電晶體以及其製造方法
US8193695B2 (en) * 2008-07-17 2012-06-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device and manufacturing method thereof
KR101499233B1 (ko) * 2008-09-03 2015-03-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101074788B1 (ko) * 2009-01-30 2011-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20110024531A (ko) * 2009-09-02 2011-03-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101117642B1 (ko) * 2009-11-16 2012-03-05 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101692954B1 (ko) * 2010-05-17 2017-01-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101777246B1 (ko) * 2010-08-30 2017-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
DE102011053665B4 (de) * 2010-09-20 2016-06-30 Lg Display Co., Ltd. Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden und Herstellungsverfahren für dieselbe
KR20120031772A (ko) * 2010-09-27 2012-04-04 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120043404A (ko) * 2010-10-26 2012-05-04 삼성모바일디스플레이주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR101736319B1 (ko) * 2010-12-14 2017-05-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120128966A (ko) * 2011-05-18 2012-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20120129593A (ko) * 2011-05-20 2012-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR101930845B1 (ko) * 2011-08-09 2018-12-20 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101848884B1 (ko) * 2011-11-17 2018-04-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 패턴 검사 방법
TWI478623B (zh) * 2012-02-13 2015-03-21 E Ink Holdings Inc 顯示器
US9065077B2 (en) 2012-06-15 2015-06-23 Apple, Inc. Back channel etch metal-oxide thin film transistor and process
KR102028025B1 (ko) * 2012-11-13 2019-10-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20140081314A (ko) * 2012-12-21 2014-07-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103064224A (zh) * 2013-01-28 2013-04-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
KR102075529B1 (ko) * 2013-05-29 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150001154A (ko) * 2013-06-26 2015-01-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN103400822A (zh) * 2013-08-01 2013-11-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
KR102253966B1 (ko) * 2013-12-09 2021-05-18 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시장치, 이의 제조방법 및 검사방법
CN104091817B (zh) * 2014-06-13 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN104134674B (zh) * 2014-07-18 2017-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
KR101737865B1 (ko) 2014-07-30 2017-05-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널
KR102665790B1 (ko) * 2016-01-14 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102651136B1 (ko) * 2016-04-12 2024-03-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US11289563B2 (en) * 2017-09-28 2022-03-29 Sharp Kabushiki Kaisha Electrode contact structure, display control driver, and display device
CN107785407B (zh) * 2017-11-14 2021-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板和显示装置
KR102531312B1 (ko) * 2018-08-24 2023-05-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970003717B1 (ko) 1993-07-16 1997-03-21 엘지반도체 주식회사 반도체 장치의 금속배선 형성방법
KR100297706B1 (ko) 1993-07-30 2001-10-24 윤종용 다결정실리콘박막트랜지스터
KR970008589B1 (ko) 1994-01-11 1997-05-27 주식회사 유공 글리콜에테르의 제조방법
KR970011966B1 (ko) 1994-10-12 1997-08-08 엘지전자 주식회사 브이씨알의 위상오차 검출에 의한 오토트랙킹 방법
JP2914559B2 (ja) 1994-11-08 1999-07-05 松下電器産業株式会社 液晶パネル用基板とその製造方法
KR0175408B1 (ko) 1995-10-17 1999-02-18 김광호 액정표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
KR0161461B1 (ko) 1995-11-22 1999-01-15 김광호 폴리실리콘 박막트랜지스터 액정디스플레이 제조 방법
KR0177785B1 (ko) 1996-02-03 1999-03-20 김광호 오프셋 구조를 가지는 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100192593B1 (ko) 1996-02-21 1999-07-01 윤종용 폴리 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
KR0184509B1 (ko) 1996-05-22 1999-04-15 김광호 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR100538295B1 (ko) 1998-10-13 2006-03-07 삼성전자주식회사 폴리 실리콘 액정표시장치 구동장치
KR100541274B1 (ko) 1998-10-23 2006-03-09 삼성전자주식회사 박막트랜지스터
KR100500631B1 (ko) 1998-10-23 2005-11-25 삼성전자주식회사 박막트랜지스터의 제조방법_
KR100571037B1 (ko) 1998-11-06 2006-08-30 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 소자 제조 방법
KR100278606B1 (ko) 1998-12-22 2001-03-02 윤종용 박막트랜지스터
JP2000349297A (ja) * 1999-03-10 2000-12-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ、パネル及びそれらの製造方法
KR100355713B1 (ko) 1999-05-28 2002-10-12 삼성전자 주식회사 탑 게이트 방식 티에프티 엘시디 및 제조방법
JP2000349279A (ja) 1999-06-07 2000-12-15 Sony Corp トランジスタおよびその製造方法
KR100697262B1 (ko) 1999-08-30 2007-03-21 삼성전자주식회사 탑 게이트형 폴리실리콘 박막트랜지스터 기판의 제조방법
JP5020428B2 (ja) * 1999-08-30 2012-09-05 三星電子株式会社 トップゲート形ポリシリコン薄膜トランジスター製造方法
KR100697263B1 (ko) 1999-08-30 2007-03-21 삼성전자주식회사 탑 게이트형 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법
US6683666B1 (en) * 1999-11-11 2004-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Reflective-transmission type thin film transistor liquid crystal display
JP4727029B2 (ja) * 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
KR100307456B1 (ko) 1999-12-08 2001-10-17 김순택 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR100307457B1 (ko) 1999-12-09 2001-10-17 김순택 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR100307459B1 (ko) 1999-12-14 2001-10-17 김순택 박막트랜지스터 제조방법
JP2002076363A (ja) * 2000-02-04 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
KR100693246B1 (ko) 2000-06-09 2007-03-13 삼성전자주식회사 탑 게이트형 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법
KR20020009188A (ko) 2000-07-25 2002-02-01 윤종용 반도체 제조에서의 식각 방법
KR100414225B1 (ko) 2000-09-19 2004-01-07 삼성전자주식회사 패널 배선을 이용하여 데이터를 전송하는 액정 디스플레이장치
JP2002134756A (ja) 2000-10-26 2002-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR100590264B1 (ko) 2001-03-02 2006-06-15 삼성에스디아이 주식회사 오프셋영역을 갖는 씨모스 박막 트랜지스터 및 그의제조방법
KR100437473B1 (ko) * 2001-03-02 2004-06-23 삼성에스디아이 주식회사 엘디디 구조를 갖는 씨모스 박막 트랜지스터 및 그의제조방법
KR100582724B1 (ko) 2001-03-22 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치용 표시 소자, 이를 이용한 유기전계발광 디바이스 및 평판 디스플레이용 표시 소자의제조 방법
KR100686331B1 (ko) 2001-04-04 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR100600845B1 (ko) 2001-04-12 2006-07-14 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 제조 방법
KR100437475B1 (ko) 2001-04-13 2004-06-23 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치용 표시 소자 제조 방법
KR100405604B1 (ko) 2001-06-26 2003-11-14 현대자동차주식회사 자동차의 후드래치 조립체
US6771328B2 (en) * 2001-07-25 2004-08-03 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Active matrix organic electroluminescent device simplifying a fabricating process and a fabricating method thereof
KR100542982B1 (ko) 2001-10-09 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 결정화방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
JP3943901B2 (ja) 2001-11-08 2007-07-11 株式会社東芝 自己発光表示装置
JP4126996B2 (ja) * 2002-03-13 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法及びデバイス製造装置
JP2004071395A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP4403354B2 (ja) * 2002-09-11 2010-01-27 ソニー株式会社 薄膜回路基板
JP4434563B2 (ja) * 2002-09-12 2010-03-17 パイオニア株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP3748250B2 (ja) 2002-09-26 2006-02-22 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌ発光ディスプレイ
TWI272872B (en) 2002-12-13 2007-02-01 Lg Philips Lcd Co Ltd Dual panel-type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same
KR100503129B1 (ko) 2002-12-28 2005-07-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
KR100521277B1 (ko) * 2003-02-05 2005-10-13 삼성에스디아이 주식회사 애노드전극층을 전원공급층으로 사용한 평판표시장치 및그의 제조방법
US7220611B2 (en) * 2003-10-14 2007-05-22 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display panel and fabricating method thereof
KR101013715B1 (ko) * 2003-12-23 2011-02-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7830476B2 (en) 2010-11-09
US20060147650A1 (en) 2006-07-06
JP2006190640A (ja) 2006-07-20
KR101107252B1 (ko) 2012-01-19
KR20060078573A (ko) 2006-07-05
JP4490885B2 (ja) 2010-06-30
CN1798458A (zh) 2006-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100542361C (zh) 电致发光显示器件及其制造方法
US7456811B2 (en) Organic electro-luminescent display device and method of manufacturing the same
CN106992185B (zh) 薄膜晶体管基板、包括其的显示器及其制造方法
US8937315B2 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
JP4208854B2 (ja) 電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法
JP4640690B2 (ja) アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2001100654A (ja) Ｅｌ表示装置
KR100684835B1 (ko) 평판 표시 패널, 평판 표시 패널의 형성방법 및 이를이용한 평판 표시 장치
KR20060021211A (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
US7671530B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of fabricating the same
JP2001134214A (ja) 表示装置
KR101843191B1 (ko) 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법
EP1970957A2 (en) Thin film transistor, an organic light emitting device including the same, and a manufacturing method thereof
KR101209057B1 (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20100137272A (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US7129524B2 (en) Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
KR100599727B1 (ko) 유기 ｅｌ 발광셀의 커패시터 및 그 제조 방법
JP2010225780A (ja) 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
KR20130025730A (ko) 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
KR100627333B1 (ko) 유기 이엘 발광셀 및 그 제조 방법
CN101221976B (zh) 有机发光装置及其制造方法
KR100739579B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20080054621A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20080054927A (ko) 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant